TWI843455B - 濾波器 - Google Patents

Abstract

濾波器(10)是具備： 具有導孔電極部(20A~20E)及電容器電極(18A~18E)的共振器(11A~11E)；及 一端被連接至第1遮蔽導體(12A)，且另一端被連接至第2遮蔽導體(12B)的遮蔽導孔電極部(81A~81D、81Ea、81Eb)， 遮蔽導孔電極部是選擇性地被形成於將形成有導孔電極部的區域朝向第3遮蔽導體(12Ca)及第4遮蔽導體(12Cb)之中的至少一方延長的延長區域(84A~84D、84Ea、84Eb)内。

Description

濾波器

本發明是關於濾波器。

關聯的技術的記述：

具有條狀(strip)線路及導孔電極(via electrode)的共振器被提案(日本特開2020-198482號公報)，該條狀線路是與被形成於介電質基板的一方的主面側的遮蔽導體對面，該導孔電極是一端被連接至介電質基板的另一方的主面側所形成的遮蔽導體，另一端被連接至條狀線路。

期待實現更良好的濾波器特性的技術。

本發明是以解決上述的課題為目的。

本發明之一形態的濾波器係具備： 被形成於介電質基板的一方的主面側之第1遮蔽導體； 被形成於前述介電質基板的另一方的主面側之第2遮蔽導體； 被形成於前述介電質基板的第1側面之第3遮蔽導體； 被形成於與前述第1側面對面的第2側面之第4遮蔽導體； 共振器，其係具有被形成於前述介電質基板內的導孔電極部及與前述第1遮蔽導體對面且被連接至前述導孔電極部的一端的電容器電極；及 一端被連接至前述第1遮蔽導體，且另一端被連接至前述第2遮蔽導體的遮蔽導孔電極部， 前述遮蔽導孔電極部係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的區域朝向前述第3遮蔽導體及前述第4遮蔽導體之中的至少一方延長的延長區域內。

若根據本發明，則可提供一種具有良好的特性的濾波器。

上述的目的、特徴及優點是可由參照附圖說明的以下的實施形態的說明容易了解。

[一實施形態]

利用圖面說明有關一實施形態的濾波器。圖1是表示本實施形態的濾波器的立體圖。圖2是表示本實施形態的濾波器的平面圖。圖3A及圖3B是表示本實施形態的濾波器的一部分的剖面圖。圖4及圖5是表示本實施形態的濾波器的立體圖。圖6是表示本實施形態的濾波器的平面圖。圖7是表示本實施形態的濾波器的立體圖。圖8是表示本實施形態的濾波器的平面圖。圖9是表示本實施形態的濾波器的立體圖。圖10及圖11是表示本實施形態的濾波器的平面圖。為了謀求簡略化，在圖1~圖11中是一部分的構成要素會被適當省略。在圖1~圖11是顯示具備4個的共振器11A~11D的情況的例子，但共振器11A~11D的數目是不被限定於4個。

如圖1所示般，本實施形態的濾波器10是具備介電質基板14。介電質基板14是被形成例如長方體狀，但不被限定此。介電質基板14是藉由層疊複數的陶瓷薄板(介電質陶瓷薄板)來構成。

介電質基板14是具有2個的主面14a、14b及4個的側面14c~14f。將沿著側面14c及側面14d的法線方向的方向設為X方向。更具體而言，將側面14c、14d的法線方向設為X方向。換言之，將介電質基板14的長度方向設為X方向。將沿著側面14e及側面14f的法線方向的方向設為Y方向。更具體而言，將側面14e、14f的法線方向設為Y方向。將沿著主面14a、14b的法線方向的設為Z方向。更具體而言，將主面14a、14b的法線方向設為Z方向。

在介電質基板14之中的主面14b側是形成有遮蔽導體(下部遮蔽導體)12A。亦即，在介電質基板14的下側是形成有遮蔽導體12A。在介電質基板14之中的主面14a側是形成有遮蔽導體(上部遮蔽導體)12B。亦即，在介電質基板14的上側是形成有遮蔽導體(上部遮蔽導體)12B。

在介電質基板14的側面14c是形成有輸出入端子(第1輸出入端子)22A。在介電質基板14的側面14d是形成有輸出入端子(第2輸出入端子)22B。輸出入端子22A是經由輸出入圖案80A來被結合於遮蔽導體12B。又，輸出入端子22B是經由輸出入圖案80B來被結合於遮蔽導體12B。

在介電質基板14的側面14e是形成有遮蔽導體12Ca。在介電質基板14的側面14f是形成有遮蔽導體12Cb。遮蔽導體12Ca、12Cb是被形成板狀。遮蔽導體12Ca、12Cb是沿著介電質基板14的長度方向而形成。

在介電質基板14內是形成有與遮蔽導體12A對面的電容器電極(條狀線路)18A~18D。在圖1中，電容器電極18A~18D是以正方形顯示，但電容器電極18A~18D的形狀是不被限定於正方形。例如，電容器電極18A~18D的形狀是亦可為長方形。另外，在不區別各個的電容器電極進行說明時，使用符號18，在區別各個的電容器電極進行說明時，使用符號18A~18D。

在介電質基板14內是更形成有導孔電極部20A~20D。另外，在不區別各個的導孔電極部進行說明時是使用符號20，在區別各個的導孔電極部進行說明時是使用符號20A~20D。

導孔電極部20是藉由複數的導孔電極24來構成。導孔電極24是分別被埋入至介電質基板14所形成的導通孔(via hole)。構成導孔電極部20的複數的導孔電極24從上面看時，沿著假想的環26而配列。更具體而言，構成導孔電極部20的複數的導孔電極24從上面看時，沿著假想的圓而配列。由於藉由將複數的導孔電極24配列為沿著假想的環26而構成導孔電極部20，因此該導孔電極部20是可如對應於該假想的環26之大徑的導孔電極般動作。由於導孔電極部20是藉由比較直徑小的複數的導孔電極24所構成，因此可謀求製造過程的簡略化。又，由於藉由直徑比較小的複數的導孔電極24來構成導孔電極部20，因此可縮小導孔電極部20的直徑的偏差。又，由於藉由直徑比較小的複數的導孔電極24來構成導孔電極部20，因此被埋入導孔的銀等的材料少，可實現成本降低。

導孔電極部20的一端(下端)是被連接至電容器電極18。導孔電極部20的另一端(上端)是被連接至遮蔽導體12B。如此，導孔電極部20是從電容器電極18到遮蔽導體12B形成。

藉由電容器電極18A及導孔電極部20A來構成構造體16A。藉由電容器電極18B及導孔電極部20B來構成構造體16B。藉由電容器電極18C及導孔電極部20C來構成構造體16C。藉由電容器電極18D及導孔電極部20D來構成構造體16D。另外，在不區別各個的構造體進行說明時是使用符號16，在區別各個的構造體進行說明時是使用符號16A~16D。

在濾波器10是具備分別包含構造體16的複數的共振器11A~11D。另外，在不區別各個的共振器進行說明時，使用符號11，在區別各個的共振器進行說明時，使用符號11A~11D。

共振器11A與共振器11B是被配列為互相鄰接。共振器11B與共振器11C是被配列為互相鄰接。共振器11C與共振器11D是被配列為互相鄰接。在複數的共振器11的各者是各具備1個導孔電極部20。

如圖2所示般，導孔電極部20A、導孔電極部20B、導孔電極部20C及導孔電極部20D是在X方向互相錯開。導孔電極部20B的中心P2的X方向的位置是導孔電極部20A的中心P1的X方向的位置與導孔電極部20C的中心P3的X方向的位置之間。導孔電極部20C的中心P3的X方向的位置是導孔電極部20B的中心P2的X方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的X方向的位置之間。

導孔電極部20A的中心P1的Y方向的位置與導孔電極部20C的中心P3的Y方向的位置是同等。導孔電極部20B的中心P2的Y方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的Y方向的位置是同等。導孔電極部20B及導孔電極部20D是對於導孔電極部20A及導孔電極部20C錯開於Y方向。導孔電極部20A及導孔電極部20C是位於側面14e側。亦即，導孔電極部20A、20C與遮蔽導體12Ca之間的距離是比導孔電極部20A、20C與遮蔽導體12Cb之間的距離更小。導孔電極部20B、20D是位於側面14f側。亦即，導孔電極部20B、20D與遮蔽導體12Cb之間的距離是比導孔電極部20B、20D與遮蔽導體12Ca之間的距離更小。

如此，本實施形態是不僅導孔電極部20A的中心P1的位置與導孔電極部20B的中心P2的位置在X方向互相錯開，在Y方向也互相錯開。因此，若根據本實施形態，則不擴大導孔電極部20A、20B間的X方向的距離，可擴大導孔電極部20A、20B間的距離。又，若根據本實施形態，則不僅導孔電極部20B的中心P2的位置與導孔電極部20C的中心P3的位置在X方向互相錯開，在Y方向也互相錯開。因此，若根據本實施形態，則不擴大導孔電極部20B、20C間的X方向的距離，可擴大導孔電極部20B、20C間的距離。又，若根據本實施形態，則不僅導孔電極部20C的中心P3的位置與導孔電極部20D的中心P4的位置在X方向互相錯開，在Y方向也互相錯開。因此，若根據本實施形態，則不擴大導孔電極部20C、20D間的X方向的距離，可擴大導孔電極部20C、20D間的距離。如此，若根據本實施形態，則不擴大鄰接的共振器11A~11D的X方向的距離，可縮小鄰接的共振器11A~11D間的結合度。因此，若根據本實施形態，則可一面將濾波器10的大小保持小，一面可取得特性良好的濾波器10。

4個的導孔電極部20A~20D之中，最接近輸出入端子22A的導孔電極部20是導孔電極部20A。導孔電極部20A的中心P1的位置與輸出入端子22A的位置之間的X方向的距離是比導孔電極部20B的中心P2的位置與輸出入端子22A的位置之間的X方向的距離更小。導孔電極部20A的中心P1的位置與輸出入端子22A的位置之間的Y方向的距離是和導孔電極部20B的中心P2的位置與輸出入端子22A的位置之間的Y方向的距離同等。

4個的導孔電極部20A~20D之中，最接近輸出入端子22B的導孔電極部20是導孔電極部20D。導孔電極部20D的中心P4的位置與輸出入端子22B的位置之間的X方向的距離是比導孔電極部20C的中心P3的位置與輸出入端子22B的位置之間的X方向的距離更小。導孔電極部20D的中心P4的位置與輸出入端子22B的位置之間的Y方向的距離是和導孔電極部20C的中心P3的位置與輸出入端子22B的位置之間的Y方向的距離同等。

共振器11A~11D是以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，共振器11A及共振器11D是以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，共振器11B與共振器11C亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。在本實施形態中，之所以將共振器11A~11D配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

導孔電極部20A的中心P1及導孔電極部20C的中心P3的Y方向的位置是相對於介電質基板14的中心C的Y方向的位置，位於側面14e側。導孔電極部20B的中心P2及導孔電極部20D的中心P4的Y方向的位置是相對於介電質基板14的中心C的Y方向的位置，位於側面14f側。輸出入端子22A的中心及輸出入端子22B的中心的Y方向的位置是被設定成與介電質基板14的中心C的Y方向的位置同等。

如圖5所示般，在介電質基板14內是形成有耦合電容電極(平板電極)70A~70F。耦合電容電極70A是共振器11A所具備。耦合電容電極70B是共振器11D所具備。耦合電容電極70C是共振器11B所具備。耦合電容電極70D是共振器11C所具備。耦合電容電極70E、70F是在平面視的介電質基板14的中心C(參照圖2)的附近備置。耦合電容電極70A~70F是被形成於同層。換言之，耦合電容電極70A~70F是被形成於未圖示的相同的陶瓷薄板上。在不區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號70，在區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號70A~70F。在耦合電容電極70與電容器電極18之間是存在未圖示的一以上的陶瓷薄板。耦合電容電極70是可藉由例如印刷法所形成。

耦合電容電極70是以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，耦合電容電極70A與耦合電容電極70B會以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，耦合電容電極70C與耦合電容電極70D亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，耦合電容電極70E與耦合電容電極70F亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。在本實施形態中，之所以將耦合電容電極70配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

耦合電容電極70A是被連接至導孔電極部20A。耦合電容電極70A的下面是經由導孔電極部20A的一部分來被連接至電容器電極18A的上面。

耦合電容電極70B是被連接至導孔電極部20D。耦合電容電極70B的下面是經由導孔電極部20D的一部分來被連接至電容器電極18D的上面。

耦合電容電極70C是被連接至導孔電極部20B。耦合電容電極70C的下面是經由導孔電極部20B的一部分來被連接至電容器電極18B的上面。

耦合電容電極70D是被連接至導孔電極部20C。耦合電容電極70D的下面是經由導孔電極部20C的一部分來被連接至電容器電極18C的上面。

如圖6所示般，耦合電容電極70A是包含部分圖案(電極圖案)70A1~70A3。部分圖案70A1是被連接至導孔電極部20A。部分圖案70A2的一端是被連接至部分圖案70A1。部分圖案70A2是突出至+X方向。部分圖案70A3的一端是被連接至部分圖案70A1。部分圖案70A3是突出至+Y方向。

耦合電容電極70B是包含部分圖案70B1~ 70B3。部分圖案70B1是被連接至導孔電極部20D。部分圖案70B2的一端是被連接至部分圖案70B1。部分圖案70B2是突出至-X方向。部分圖案70B3的一端是被連接至部分圖案70B1。部分圖案70B3是突出至-Y方向。

耦合電容電極70C是包含部分圖案70C1~ 70C3。部分圖案70C1是被連接至導孔電極部20B。部分圖案70C2的一端是被連接至部分圖案70C1。部分圖案70C2是突出至-X方向。部分圖案70C3的一端是被連接至部分圖案70C1。部分圖案70C3是突出至+X方向。

耦合電容電極70D是包含部分圖案70D1~ 70D3。部分圖案70D1是被連接至導孔電極部20C。部分圖案70D2的一端是被連接至部分圖案70D1。部分圖案70D2是突出至+X方向。部分圖案70D3的一端是被連接至部分圖案70D1。部分圖案70D3是突出至-X方向。

耦合電容電極70E的Y方向的位置是耦合電容電極70A、70D的Y方向的位置與耦合電容電極70B、70C的Y方向的位置之間。耦合電容電極70E的X方向的位置是耦合電容電極70A所具備的部分圖案70A3的X方向的位置與耦合電容電極70F的X方向的位置之間。耦合電容電極70E是被連接至耦合電容電極70C。

耦合電容電極70F的Y方向的位置是耦合電容電極70A、70D的Y方向的位置與耦合電容電極70B、70C的Y方向的位置之間。耦合電容電極70F的X方向的位置是耦合電容電極70B所具備的部分圖案70B3的X方向的位置與耦合電容電極70E的X方向的位置之間。耦合電容電極70F是被連接至耦合電容電極70D。

如圖5所示般，在介電質基板14內更形成有耦合電容電極(平板電極)72A~72E。耦合電容電極72A~ 72E是被形成於同層。換言之，耦合電容電極72A~72E是被形成於相同的未圖示的陶瓷薄板上。在不區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號72，在區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號72A~72F。在耦合電容電極72與耦合電容電極70之間是存在未圖示的一個以上的陶瓷薄板。耦合電容電極72是可藉由例如印刷法來形成。

耦合電容電極72是以平面視的介電質基板14的中心C(參照圖2)作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，耦合電容電極72A與耦合電容電極72B會以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，耦合電容電極72C與耦合電容電極72D亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。在本實施形態中，之所以將耦合電容電極72配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

如圖6所示般，耦合電容電極72A的長度方向是Y方向。耦合電容電極72A的一端是平面視，與耦合電容電極70A互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72A的一端是平面視，與部分圖案70A3互相重疊。耦合電容電極72A的另一端是平面視，與耦合電容電極70C互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72A的另一端是平面視，與部分圖案70C2互相重疊。藉由耦合電容電極70A、耦合電容電極72A及耦合電容電極70C來構成電容耦合構造71A。

耦合電容電極72B的長度方向是Y方向。耦合電容電極72B的一端是平面視，與耦合電容電極70D互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72B的一端是平面視，與部分圖案70D2互相重疊。耦合電容電極72B的另一端是平面視，與耦合電容電極70B互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72B的另一端是平面視，與部分圖案70B3互相重疊。藉由耦合電容電極70B、耦合電容電極72B及耦合電容電極70D來構成電容耦合構造71B。

耦合電容電極72C的長度方向是X方向。耦合電容電極72C的一端是平面視，與耦合電容電極70A互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72C的一端是平面視，與部分圖案70A2互相重疊。耦合電容電極72C的另一端是平面視，與耦合電容電極70D互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72C的另一端是平面視，與部分圖案70D3互相重疊。藉由耦合電容電極70A、耦合電容電極72C及耦合電容電極70D來構成電容耦合構造71C。導孔電極部20A及導孔電極部20C位於耦合電容電極72C的延長區域上。亦即，導孔電極部20A位於耦合電容電極72C的一端的延長區域上，導孔電極部20C位於耦合電容電極72C的另一端的延長區域上。

耦合電容電極72D的長度方向是X方向。耦合電容電極72D的一端是平面視，與耦合電容電極70B互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72D的一端是平面視，與部分圖案70B2互相重疊。耦合電容電極72D的另一端是平面視，耦合電容電極70C互相重疊。更具體而言，耦合電容電極72D的另一端是平面視，部分圖案70C3互相重疊。藉由耦合電容電極70B、耦合電容電極72D及耦合電容電極70C來構成電容耦合構造71D。導孔電極部20B及導孔電極部20D位於耦合電容電極72D的延長區域上。亦即，導孔電極部20D位於耦合電容電極72D的一端的延長區域上，導孔電極部20B位於耦合電容電極72C的另一端的延長區域上。

耦合電容電極72E的長度方向為X方向。耦合電容電極72E的一端是平面視，與耦合電容電極70E互相重疊。耦合電容電極72E的另一端是平面視，與耦合電容電極70F互相重疊。

耦合電容電極72的厚度方向的耦合電容電極72與耦合電容電極70之間的距離亦即電極間距離d1(參照圖3A)是例如0.12mm程度，但不被限定於此。電極間距離d1亦可為例如0.06mm。電極間距離d1是不被限定於該等的值。

耦合電容電極72A的寬度方向(X方向)的耦合電容電極72A的尺寸W12是比耦合電容電極72A的寬度方向的部分圖案70A3的尺寸W11更小。亦即，X方向的耦合電容電極72A的尺寸W12是比X方向的部分圖案70A3的尺寸W11更小。在耦合電容電極72A與部分圖案70A3平面視互相重疊的區域(部位)73A1的兩側是存在耦合電容電極72A未與部分圖案70A3重疊的區域(部位)73A2、73A3。區域73A2是相對於區域73A1位於-X側。區域73A3是相對於區域73A1位於+X側。耦合電容電極72A的寬度方向的部分圖案70A3的尺寸W11是被設定成例如0.54mm。耦合電容電極72A的寬度方向的耦合電容電極72A的尺寸W12是被設定成例如0.18mm。

耦合電容電極72A的寬度方向的耦合電容電極72A的尺寸W12是比耦合電容電極72A的寬度方向的部分圖案70C2的尺寸更小。亦即，X方向的耦合電容電極72A的尺寸W12是比X方向的部分圖案70C2的尺寸更小。在耦合電容電極72A與部分圖案70C2平面視互相重疊的區域73B1的兩側是存在耦合電容電極72A未與部分圖案70C2互相重疊的區域73B2、73B3。區域73B2是相對於區域73B1位於-X側。區域73B3是相對於區域73B1位於+X側。

耦合電容電極72B的寬度方向(X方向)的耦合電容電極72B的尺寸W12是比耦合電容電極72B的寬度方向的部分圖案70B3的尺寸W11更小。亦即，X方向的耦合電容電極72B的尺寸W12是比X方向的部分圖案70B3的尺寸W11更小。在耦合電容電極72B與部分圖案70B3平面視互相重疊的區域73C1的兩側是存在耦合電容電極72B未與部分圖案70B3重疊的區域73C2、73C3。區域73C2是相對於區域73C1位於-X側。區域73C3是相對於區域73C1位於+X側。耦合電容電極72B的寬度方向的部分圖案70B3的尺寸W11是被設定成例如0.54mm。耦合電容電極72B的寬度方向的耦合電容電極72B的尺寸W12是被設定成例如0.18mm。

耦合電容電極72B的寬度方向的耦合電容電極72B的尺寸W12是比耦合電容電極72B的寬度方向的部分圖案70D2的尺寸W11更小。亦即，X方向的耦合電容電極72B的尺寸W12是比X方向的部分圖案70D2的尺寸W11更小。在耦合電容電極72B與部分圖案70D2平面視互相重疊的區域73D1的兩側是存在耦合電容電極72B未與部分圖案70D2互相重疊的區域73D2、73D3。區域73D2是相對於區域73D1位於-X側。區域73D3是相對於區域73D1位於+X側。

耦合電容電極72C的寬度方向(Y方向)的耦合電容電極72C的尺寸W22是比耦合電容電極72C的寬度方向的部分圖案70A2的尺寸W21更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72C的尺寸W22是比Y方向的部分圖案70A2的尺寸W21更小。在耦合電容電極72C與部分圖案70A2平面視互相重疊的區域73E1的兩側是存在耦合電容電極72C未與部分圖案70A2互相重疊的區域73E2、73E3。區域73E2是相對於區域73E1位於-Y側。區域73E3是相對於區域73E1位於+Y側。耦合電容電極72C的寬度方向的部分圖案70A2的尺寸W21是例如被設定成0.56mm。耦合電容電極72C的寬度方向的耦合電容電極72C的尺寸W22是被設定成例如0.34mm。

耦合電容電極72C的寬度方向的耦合電容電極72C的尺寸W22是比耦合電容電極72C的寬度方向的部分圖案70D3的尺寸W21更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72C的尺寸W22是比Y方向的部分圖案70D3的尺寸W21更小。在耦合電容電極72C與部分圖案70D3平面視互相重疊的區域73F1的兩側是存在耦合電容電極72C未與部分圖案70D3重疊的區域73F2、73F3。區域73F2是相對於區域73F1位於-Y側。區域73F3是相對於區域73F1位於+Y側。耦合電容電極72C的寬度方向的部分圖案70D3的尺寸W21是被設定成例如0.56mm。

耦合電容電極72D的寬度方向(Y方向)的耦合電容電極72D的尺寸W22是比耦合電容電極72D的寬度方向的部分圖案70C3的尺寸W21更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72D的尺寸W22是比Y方向的部分圖案70C3的尺寸W21更小。在耦合電容電極72D與部分圖案70C3平面視互相重疊的區域73G1的兩側是存在耦合電容電極72D未與部分圖案70C3互相重疊的區域73G2、73G3。區域73G2是相對於區域73G1位於-Y側。區域73G3是相對於區域73G1位於+Y側。耦合電容電極72D的寬度方向的部分圖案70C3的尺寸W21是被設定成例如0.56mm。耦合電容電極72D的寬度方向的耦合電容電極72D的尺寸W22是被設定成例如0.34mm。

耦合電容電極72D的寬度方向的耦合電容電極72D的尺寸W22是比耦合電容電極72D的寬度方向的部分圖案70B2的尺寸W21更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72D的尺寸W22是比Y方向的部分圖案70B2的尺寸W21更小。在耦合電容電極72D與部分圖案70B2平面視互相重疊的區域73H1的兩側是存在耦合電容電極72D未與部分圖案70B2互相重疊的區域73H2、73H3。區域73H2是相對於區域73H1位於-Y側。區域73H3是相對於區域73H1位於+Y側。耦合電容電極72D的寬度方向的部分圖案70B2的尺寸W21是被設定成例如0.56mm。

藉由從耦合電容電極72A、72B的寬度方向的部分圖案70A3、70B3的尺寸W11減去耦合電容電極72A、72B的寬度方向的耦合電容電極72A、72B的尺寸W12而取得的值亦即尺寸差ΔW1是電極間距離d1的1.4倍以上為理想。尺寸差ΔW1亦即尺寸差(W11-W12)是電極間距離d1的2.6倍以上更理想。在本實施形態中，尺寸差ΔW1是被設定成電極間距離d1的3倍。

由於尺寸差ΔW1如上述般被設定成比較大，因此區域73A2、73A3、73B2、73B3、73C2、73C3、73D2、73D3的X方向的尺寸L1是比較大。耦合電容電極72A、72B的寬度方向的部分圖案70A3、70B3的尺寸W11為0.54mm，耦合電容電極72A、72B的寬度方向的耦合電容電極72A、72B的尺寸W12為0.18mm時，尺寸差ΔW1是0.36mm。尺寸差ΔW1為0.36mm時，尺寸L1是0.18mm。此情況，尺寸L1是電極間距離d1的例如1.5倍。如此，尺寸差ΔW1為電極間距離d1的3倍時，尺寸L1是電極間距離d1的例如1.5倍。

藉由從耦合電容電極72C、72D的寬度方向的部分圖案70A2、70B2、70C3、70D3的尺寸W21減去耦合電容電極72C、72D的寬度方向的耦合電容電極72C、72D的尺寸W22而取得的值亦即尺寸差ΔW2是電極間距離d1的1.4倍以上為理想。在本實施形態中，尺寸差ΔW2亦即尺寸差(W21-W22)是被設定成電極間距離d1的1.84倍。

由於尺寸差ΔW2如上述般被設定成比較大，因此區域73E2、73E3、73F2、73F3、73G2、73G3、73H2、73H3的Y方向的尺寸L2是比較大。耦合電容電極72C、72D的寬度方向的部分圖案70A2、70B2、70C3、70D3的尺寸W21為0.56mm，耦合電容電極72C、72D的寬度方向的耦合電容電極72C、72D的尺寸W22為0.34mm時，尺寸差ΔW2是0.22mm。尺寸差ΔW2為0.22mm時，尺寸L2是0.11mm。此情況，尺寸L2是電極間距離d1的例如0.92倍。如此，尺寸差ΔW2為電極間距離d1的1.84倍時，尺寸L2是電極間距離d1的0.92倍。

製造時的位置偏差的最大值是例如0.03mm程度。製造時的位置偏差的最大值為0.03mm時，尺寸L1、L2是可被設定成例如0.03mm。藉此，在本實施形態是將尺寸L1、L2設定成比較大。在本實施形態中，之所以將尺寸L1、L2設定成比較大，是基於以下般的理由。亦即，當尺寸L1、L2比較小時，若某程度的位置偏差在製造時產生，則電容耦合構造71A~71D的靜電電容會大幅度變動。若電容耦合構造71A~71D的靜電電容大幅度變動，則無法取得良好的濾波器特性。當尺寸L1、L2比較大時，即使某程度的位置偏差在製造時產生，電容耦合構造71A~71D的靜電電容也不太變動。基於如此的理由，在本實施形態是將尺寸L1、L2設定成比較大。

之所以將尺寸L2設定為比尺寸L1更小，是基於以下般的理由。亦即，從抑制電容耦合構造71C的靜電電容起因於製造時的位置偏差而變動的觀點，將尺寸L2設為比較大為理想。在將尺寸L2設定成比較大時，為了確保耦合電容電極72C、72D與部分圖案70A2、70D3、70B2、70C3平面視互相重疊的區域73E1、73F1、73H1、73H1的面積，擴大耦合電容電極72C、72D的X方向的尺寸為理想。然而，在擴大耦合電容電極72C的X方向的尺寸時，耦合電容電極72C與導孔電極部20A之間的X方向的距離會變短，耦合電容電極72C與導孔電極部20C之間的X方向的距離會變短。又，在擴大耦合電容電極72D的X方向的尺寸時，耦合電容電極72D與導孔電極部20B之間的X方向的距離會變短，耦合電容電極72D與導孔電極部20D之間的X方向的距離會變短。若耦合電容電極72C與導孔電極部20A之間的X方向的距離變短，耦合電容電極72C與導孔電極部20C之間的X方向的距離變短，則擔心在濾波器特性產生不良影響。又，若耦合電容電極72D與導孔電極部20B之間的X方向的距離變短，耦合電容電極72D與導孔電極部20D之間的X方向的距離變短，則擔心在濾波器特性產生不良影響。另一方面，導孔電極部20皆未位於耦合電容電極72A、72B的至少一端的延長區域上。導孔電極部20B是相對於耦合電容電極72A被配置於分離至+X方向的位置。因此，即使將耦合電容電極72A延長至+Y方向，耦合電容電極72A與導孔電極部20B之間的距離也不變小。又，導孔電極部20C是相對於耦合電容電極72B被配置於分離至-X方向的位置。因此，即使將耦合電容電極72B延長至-Y方向，耦合電容電極72B與導孔電極部20C之間的距離也不變小。即使將耦合電容電極72A延長至+Y方向也不產生特別的問題。又，即使將耦合電容電極72B延長至 -Y方向也不產生特別的問題。基於如此的理由，尺寸L2是被設定為比尺寸L1更小。

耦合電容電極72E的寬度方向的該耦合電容電極72E的尺寸是比耦合電容電極72E的寬度方向的耦合電容電極70E的尺寸更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72E的尺寸是比Y方向的耦合電容電極70E的尺寸更小。耦合電容電極72E的寬度方向的耦合電容電極70E的尺寸是被設定成例如0.5mm。耦合電容電極72E的寬度方向的該耦合電容電極72E的尺寸是被設定成例如0.29mm。

耦合電容電極72E的寬度方向的該耦合電容電極72E的尺寸是比耦合電容電極72E的寬度方向的耦合電容電極70F的尺寸更小。亦即，Y方向的耦合電容電極72E的尺寸是比Y方向的耦合電容電極70F的尺寸更小。耦合電容電極72E的寬度方向的耦合電容電極70F的尺寸是被設定成例如0.5mm。

藉由從耦合電容電極72E的寬度方向的耦合電容電極70E、70F的尺寸W31減去耦合電容電極72E的寬度方向的該耦合電容電極72E的尺寸W32而取得的值亦即尺寸差ΔW3是電極間距離d1的1.4倍以上為理想。在本實施形態中，尺寸差ΔW3亦即尺寸差(W31-W32)是被設定成電極間距離d1的1.75倍。

如圖5所示般，在介電質基板14內是形成有耦合電容電極(平板電極)74A、74B。耦合電容電極74A、74B是被形成於同層。換言之，耦合電容電極74A、74B是被形成於相同的未圖示的陶瓷薄板上。在不區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號74，在區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號74A、74B。在耦合電容電極72與耦合電容電極74之間是存在未圖示的一個以上的陶瓷薄板。

耦合電容電極74是以平面視的介電質基板14的中心C(參照圖2)作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，耦合電容電極74A及耦合電容電極74B亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。在本實施形態中，之所以將耦合電容電極74配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

如圖6所示般，耦合電容電極74A是包含部分圖案(電極圖案)74A1~74A3。部分圖案74A1是被連接至導孔電極部20B。部分圖案74A3是相對於部分圖案74A1位於-Y側。部分圖案74A3是經由部分圖案74A2來被連接至部分圖案74A1。部分圖案74A3是平面視，與耦合電容電極70E互相重疊。部分圖案74A3的大小是與耦合電容電極70E的大小同等。耦合電容電極72E的一端是藉由耦合電容電極70E與部分圖案74A3所夾。

耦合電容電極74B是包含部分圖案74B1~ 74B3。部分圖案74B1是被連接至導孔電極部20C。部分圖案74B3是相對於部分圖案74B1位於+Y側。部分圖案74B3是經由部分圖案74B2來被連接至部分圖案74B1。部分圖案74B3是平面視，與耦合電容電極70F互相重疊。部分圖案74B3的大小是與耦合電容電極70F的大小同等。耦合電容電極72E的另一端是藉由耦合電容電極70F與部分圖案74B3所夾。藉由耦合電容電極70E、耦合電容電極70F，耦合電容電極72E、耦合電容電極74A及耦合電容電極74B來構成電容耦合構造71E。

如圖7所示般，在介電質基板14內是更形成有耦合電容電極(梳齒電極)76A~76D。耦合電容電極76A~ 76D是被形成於同層。換言之，耦合電容電極76A~76D是被形成於相同的未圖示的陶瓷薄板上。在不區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號76，在區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號76A~76D。在耦合電容電極74(參照圖5)與耦合電容電極76之間是存在未圖示的一個以上的陶瓷薄板。

耦合電容電極76是以平面視的介電質基板14的中心C(參照圖2)作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，耦合電容電極76A及耦合電容電極76B會以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，耦合電容電極76C與耦合電容電極76D亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。在本實施形態中，之所以將耦合電容電極76配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

如圖8所示般，耦合電容電極76A是包含部分圖案(電極圖案)76A1~76A4。部分圖案76A1是被連接至導孔電極部20A。部分圖案76A2的長度方向是X方向。部分圖案76A2的一端是被連接至部分圖案76A1。部分圖案76A2是突出至+X方向。部分圖案76A3的一端是被連接至部分圖案76A2的另一端。部分圖案76A3的長度方向是Y方向。部分圖案76A3是突出至-Y方向。亦即，部分圖案76A3是朝向側面14e突出。部分圖案76A4的一端是被連接至部分圖案76A1。部分圖案76A4的長度方向是Y方向。部分圖案76A4是突出至+Y方向。部分圖案76A4是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。

耦合電容電極76B是包含部分圖案76B1~ 76B4。部分圖案76B1是被連接至導孔電極部20D。部分圖案76B2的長度方向是X方向。部分圖案76B2的一端是被連接至部分圖案76B1。部分圖案76B2是突出至-X方向。部分圖案76B3的一端是被連接至部分圖案76B2的另一端。部分圖案76B3的長度方向是Y方向。部分圖案76B3是突出至+Y方向。部分圖案76B3是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。部分圖案76B4的一端是被連接至部分圖案76B1。部分圖案76B4的長度方向是Y方向。部分圖案76B4是突出至-Y方向。部分圖案76B4是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。

耦合電容電極76C是包含部分圖案76C1~ 76C6。部分圖案76C1是被連接至導孔電極部20B。部分圖案76C2的長度方向是X方向。部分圖案76C2的一端是被連接至部分圖案76C1。部分圖案76C2是突出至-X方向。部分圖案76C3的一端是被連接至部分圖案76C2的另一端。部分圖案76C3的長度方向是Y方向。部分圖案76C3是突出至-Y方向。部分圖案76C3是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。部分圖案76C4的一端是被連接至部分圖案76C1。部分圖案76C4的長度方向是Y方向。部分圖案76C4是突出至-Y方向。部分圖案76C4是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。部分圖案76C5的長度方向是X方向。部分圖案76C5的一端是被連接至部分圖案76C1。部分圖案76C5是突出至+X方向。部分圖案76C6的一端是被連接至部分圖案76C5的另一端。部分圖案76C6的長度方向是Y方向。部分圖案76C6是突出至+Y方向。亦即，部分圖案76C6是朝向側面14f突出。部分圖案76C6是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。

耦合電容電極76D是包含部分圖案76D1~ 76D6。部分圖案76D1是被連接至導孔電極部20C。部分圖案76D2的長度方向是X方向。部分圖案76D2的一端是被連接至部分圖案76D1。部分圖案76D2是突出至+X方向。部分圖案76D3的一端是被連接至部分圖案76D2的另一端。部分圖案76D3的長度方向是Y方向。部分圖案76D3是突出至+Y方向。部分圖案76D3是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。部分圖案76D4的一端是被連接至部分圖案76D1。部分圖案76D4的長度方向是Y方向。部分圖案76D4是突出至+Y方向。部分圖案76D4是突出為沿著部分圖案76A3的長度方向。部分圖案76D5的長度方向是X方向。部分圖案76D5的一端是被連接至部分圖案76D1。部分圖案76D5是突出至-X方向。部分圖案76D6的一端是被連接至部分圖案76D5的另一端。部分圖案76D6的長度方向是Y方向。部分圖案76D6是突出至-Y方向。亦即，部分圖案76D6是朝向側面14e突出。

部分圖案76A3與部分圖案76D6是互相鄰接。由於部分圖案76A3與部分圖案76D6互相鄰接，因此耦合電容電極76A與耦合電容電極76D是電容耦合。藉由耦合電容電極76A及耦合電容電極76D來構成電容耦合構造77A。

部分圖案76A2的Y方向的位置與部分圖案76D5的Y方向的位置是同等。部分圖案76A3與部分圖案76D6皆是突出至-Y方向。亦即，部分圖案76A3與部分圖案76D6是朝向側面14e突出。部分圖案76A3、76D6的Y方向的位置是部分圖案76A2、76D5的Y方向的位置與遮蔽導體12Ca的Y方向的位置之間。

之所以使部分圖案76A3及部分圖案76D6都朝向側面14e突出，是基於以下般的理由。亦即，之所以使部分圖案76A3及部分圖案76D6都突出至-Y方向，是基於以下般的理由。在使部分圖案76A3及部分圖案76D6都突出至+Y方向的情況，部分圖案76A3、76D6會接近部分圖案76C3、76C4等。若部分圖案76A3、76D6與部分圖案76C3、76C4等互相接近，則部分圖案76A3、76D6與部分圖案76C3、76C4等會互相電容耦合。部分圖案76A3、76D6與部分圖案76C3、76C4等互相電容耦合是不理想。另一方面，在使部分圖案76A3及部分圖案76D6都突出至 -Y方向的情況，該等的部分圖案76A3、76D6不接近部分圖案76C3、76C4等。由於部分圖案76A3、76D6與部分圖案76C3、76C4等不互相接近，因此部分圖案76A3、76D6與部分圖案76C3、76C4不互相電容耦合。基於如此的理由，在本實施形態是使部分圖案76A3及部分圖案76D6都朝向側面14e突出。

部分圖案76B3與部分圖案76C6是互相鄰接。由於部分圖案76B3與部分圖案76C6互相鄰接，因此耦合電容電極76B與耦合電容電極76C是電容耦合。藉由耦合電容電極76B及耦合電容電極76C來構成電容耦合構造77B。

部分圖案76B2的Y方向的位置與部分圖案76C5的Y方向的位置是同等。部分圖案76B3及部分圖案76C6皆是突出至+Y方向。亦即，部分圖案76B3及部分圖案76C6是朝向側面14f突出。部分圖案76B3、76C6的Y方向的位置是部分圖案76B2、76C5的Y方向的位置與遮蔽導體12Cb的Y方向的位置之間。

之所以使部分圖案76B3及部分圖案76C6都朝向側面14f突出，是基於以下般的理由。亦即，之所以使部分圖案76B3及部分圖案76C6都突出至+Y方向，是基於以下般的理由。在使部分圖案76B3及部分圖案76C6都突出至-Y方向的情況，該等的部分圖案76B3、76C6會接近部分圖案76D3、76D4等。若部分圖案76B3、76C6與部分圖案76D3、76D4等互相接近，則部分圖案76B3、76C6與部分圖案76D3、76D4等會互相電容耦合。部分圖案76B3、76C6與部分圖案76D3、76D4等互相電容耦合是不理想。另一方面，在使部分圖案76B3及部分圖案76C6都突出至+Y方向的情況，該等的部分圖案76B3、76C6不接近部分圖案76D3、76D4等。由於部分圖案76B3、76C6與部分圖案76D3、76D4等不互相接近，因此部分圖案76B3、76C6與部分圖案76D3、76D4不互相電容耦合。基於如此的理由，在本實施形態是使部分圖案76B3及部分圖案76C6都朝向側面14f突出。

部分圖案76A4與部分圖案76C3是互相鄰接。由於部分圖案76A4與部分圖案76C3互相鄰接，因此耦合電容電極76A與耦合電容電極76C是電容耦合。藉由耦合電容電極76A及耦合電容電極76C來構成電容耦合構造77C。

部分圖案76B4與部分圖案76D3是互相鄰接。由於部分圖案76B4與部分圖案76D3互相鄰接，因此耦合電容電極76B與耦合電容電極76D是電容耦合。藉由耦合電容電極76B及耦合電容電極76D來構成電容耦合構造77D。

部分圖案76C4與部分圖案76D4是互相鄰接。由於部分圖案76C4與部分圖案76D4互相鄰接，因此耦合電容電極76C與耦合電容電極76D是電容耦合。藉由耦合電容電極76C及耦合電容電極76D來構成電容耦合構造77E。

如圖9所示般，在介電質基板14內是更形成有耦合電容電極(梳齒電極)78A~78C。耦合電容電極78A~ 78C是被形成於同層。換言之，耦合電容電極78A~78C是被形成於相同的未圖示的陶瓷薄板上。在不區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號78，在區別各個的耦合電容電極進行說明時，使用符號78A~78C。在耦合電容電極76與耦合電容電極78之間是存在未圖示的一個以上的陶瓷薄板。

耦合電容電極78是以平面視的介電質基板14的中心C(參照圖2)作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。亦即，耦合電容電極78A及耦合電容電極78B會以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被配置於點對稱的位置。又，耦合電容電極78C亦以平面視的介電質基板14的中心C作為對稱的中心，被形成點對稱。在本實施形態中，之所以將耦合電容電極78配置成點對稱，是為了取得良好的頻率特性。

如圖10所示般，耦合電容電極78A是包含部分圖案78A1、78A2。部分圖案78A1是被連接至導孔電極部20A。部分圖案78A2的長度方向是Y方向。

耦合電容電極78B是包含部分圖案78B1、78B2。部分圖案78B1是被連接至導孔電極部20D。部分圖案78B2的長度方向是Y方向。

耦合電容電極78C是包含部分圖案78C1~ 78C3。部分圖案78C1的長度方向是Y方向。部分圖案78C1是與部分圖案78A2鄰接。部分圖案78C2的長度方向是Y方向。部分圖案78C2是與部分圖案78B2鄰接。部分圖案(中繼圖案)78C3的一端是被連接至部分圖案78C1。部分圖案78C3的另一端是被連接至部分圖案78C2。由於部分圖案78A2與部分圖案78C1互相鄰接，因此耦合電容電極78A與耦合電容電極78C是電容耦合。由於部分圖案78B2與部分圖案78C2互相鄰接，因此耦合電容電極78B與耦合電容電極78C是電容耦合。

如圖9所示般，在介電質基板14內是更形成有輸出入圖案80A、80B。輸出入圖案80A、80B是被形成於同層。換言之，輸出入圖案80A、80B是被形成於相同的未圖示的陶瓷薄板上。在不區別各個的輸出入圖案進行說明時，使用符號80，在區別各個的輸出入圖案進行說明時，使用符號80A、80B。在耦合電容電極78與輸出入圖案80之間是存在未圖示的一個以上的陶瓷薄板。

如圖10所示般，輸出入圖案80A是包含部分圖案80A1、80A2。部分圖案80A1的一端是被連接至輸出入端子22A。部分圖案80A1的另一端是被連接至部分圖案80A2。部分圖案80A2是被連接至導孔電極部20A。如此，輸出入端子22A是經由輸出入圖案80A來被連接至導孔電極部20A。

輸出入圖案80B是包含部分圖案80B1、80B2。部分圖案80B1的一端是被連接至輸出入端子22B。部分圖案80B1的另一端是被連接至部分圖案80B2。部分圖案80B2是被連接至導孔電極部20D。如此，輸出入端子22B是經由輸出入圖案80B來被連接至導孔電極部20D。

如此，輸出入端子22A會經由輸出入圖案80A來導通至導孔電極部20A，輸出入端子22B會經由輸出入圖案80B來導通至導孔電極部20D。在本實施形態是藉由適當設定輸出入圖案80A、80B的Z方向的位置，外部Q可被適當調整。亦即，在本實施形態是藉由適當設定導孔電極部20A、20D的長度方向的輸出入圖案80A、80B的位置，外部Q可被適當調整。

如圖9所示般，在介電質基板14內是形成有遮蔽導孔電極部81A~81D。在不區別各個的遮蔽導孔電極部進行說明時，使用符號81，在區別各個的遮蔽導孔電極部進行說明時，使用符號81A~81D。

在遮蔽導孔電極部81A是具備遮蔽導孔電極82A及遮蔽導孔電極82B。在遮蔽導孔電極部81B是具備遮蔽導孔電極82C及遮蔽導孔電極82D。在遮蔽導孔電極部81C是具備遮蔽導孔電極82E及遮蔽導孔電極82F。在遮蔽導孔電極部81D是具備遮蔽導孔電極82G及遮蔽導孔電極82H。在不區別各個的遮蔽導孔電極進行說明時，使用符號82，在區別各個的遮蔽導孔電極進行說明時，使用符號82A~82H。圖9所示的例子是在1個的遮蔽導孔電極部81具備2個的遮蔽導孔電極82，但1個的遮蔽導孔電極部81亦可藉由1個的遮蔽導孔電極82來構成。

遮蔽導孔電極部81的一端是被連接至遮蔽導體12A。遮蔽導孔電極部81的另一端是被連接至遮蔽導體12B。

如圖11所示般，遮蔽導孔電極部81A是在將導孔電極部20A所位置的區域延長至-Y方向的延長區域84A內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81A是在將導孔電極部20A所位置的區域朝向遮蔽導體12Ca延長的延長區域84A內，被連接至遮蔽導體12A、12B。如此，遮蔽導孔電極部81A是選擇性地被形成於延長區域84A內。遮蔽導孔電極部81A是位於遮蔽導體12Ca的附近。另外，導孔電極部20所位置的區域是對應於假想的環26的區域。

遮蔽導孔電極部81B是在將導孔電極部20D所位置的區域延長至+Y方向的延長區域84D內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81B是在將導孔電極部20D所位置的區域朝向遮蔽導體12Cb延長的延長區域84D內，被連接至遮蔽導體12A、12B。遮蔽導孔電極部81B是選擇性地被形成於延長區域84B內。遮蔽導孔電極部81B是位於遮蔽導體12Cb的附近。

遮蔽導孔電極部81C是在將導孔電極部20B所位置的區域延長至+Y方向的延長區域84B內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81C是在將導孔電極部20B所位置的區域朝向遮蔽導體12Ca延長的延長區域84B內，被連接至遮蔽導體12A、12B。遮蔽導孔電極部81C是選擇性地被形成於延長區域84B內。遮蔽導孔電極部81C是位於遮蔽導體12Cb的附近。

遮蔽導孔電極部81D是在將導孔電極部20C所位置的區域延長至-Y方向的延長區域84C內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81D是在將導孔電極部20C所位置的區域朝向遮蔽導體12Cb延長的延長區域84C內，被連接至遮蔽導體12A、12B。遮蔽導孔電極部81D是選擇性地被形成於延長區域84C內。遮蔽導孔電極部81D是位於遮蔽導體12Ca的附近。在不區別各個的延長區域進行說明時，使用符號84，在區別各個的延長區域進行說明時，使用符號84A~84D。

在本實施形態中，之所以形成遮蔽導孔電極部81，是基於以下般的理由。亦即，若在切斷介電質基板14時產生位置偏差，則導孔電極部20與側面14e、14f之間的距離會變動。若導孔電極部20與側面14e、14f之間的距離變動，則導孔電極部20與遮蔽導體12Ca、12Cb之間的距離會變動。導孔電極部20與遮蔽導體12Ca、12Cb之間的距離的變動是招致濾波器特性等的變動。另一方面，遮蔽導孔電極部81並非被形成於側面14e、14f，因此不受切斷介電質基板14時的位置偏差的影響。亦即，即使是在切斷介電質基板14時產生位置偏差的情況，遮蔽導孔電極部81與導孔電極部20之間的距離也不變動。基於如此的理由，在本實施形態形成遮蔽導孔電極部81。

在本實施形態中，之所以將遮蔽導孔電極部81選擇性地形成於延長區域84內，是基於以下般的理由。亦即，遮蔽導孔電極部81是藉由照射雷射束至介電質基板14來形成導通孔，藉由在該導通孔埋入導電體而形成。亦即，為了形成遮蔽導孔電極部81，需要某程度的工時。因此，將遮蔽導孔電極部81只是沿著側面14e、14f多數配列的情況是無法取得良好的生產性。另一方面，即使僅只在延長區域84配置遮蔽導孔電極部81，也可抑制因切斷介電質基板14時的位置偏差所引起的濾波器特性等的偏差。基於如此的理由，在本實施形態是在延長區域84內選擇性地形成遮蔽導孔電極部81。

如此，若根據本實施形態，則則由於具備遮蔽導孔電極部81A~81D，因此即使是在切斷介電質基板14時產生位置偏差的情況，也可抑制濾波器特性的變動。而且，若根據如此的構成，則由於遮蔽導孔電極部81A~81D是選擇性地被形成於延長區域84A~84D內，因此可抑制成本的增加。亦即，若根據如此的構成，則可一面抑制成本的增加，一面提供良好的濾波器10。

[變形實施形態] 本發明是不限於上述的實施形態，可在不脫離本發明的主旨範圍取得各種的構成。

例如，上述實施形態是以在濾波器10具備4個的共振器11的情況為例進行說明，但不被限定於此。例如，亦可在濾波器10具備5個的共振器11。圖12是表示變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。在圖12顯示在濾波器10具備5個的共振器11的情況的例子。如圖12所示般，在濾波器10是具備5個的共振器11A~11E。亦即，在濾波器10是具備共振器11A、共振器11B、共振器11C、共振器11D及共振器11E。另外，在一般說明有關共振器時，使用符號11，在針對各個的共振器說明時，使用符號11A~ 11E。

在共振器11A是具備電容器電極18A及導孔電極部20A。在共振器11B是具備電容器電極18B及導孔電極部20B。在共振器11C是具備電容器電極18C及導孔電極部20C。在共振器11D是具備電容器電極18D及導孔電極部20D。在共振器11E是具備電容器電極18E及導孔電極部20E。

共振器11A與共振器11B是被配列為互相鄰接。共振器11B與共振器11E是被配列為互相鄰接。共振器11E與共振器11C是被配列為互相鄰接。共振器11C與共振器11D是被配列為互相鄰接。輸出入端子22A是經由輸出入圖案32a來被結合於遮蔽導體12B。又，輸出入端子22B是經由輸出入圖案32b來被結合於遮蔽導體12B。

導孔電極部20A、導孔電極部20B、導孔電極部20E、導孔電極部20C及導孔電極部20D是在X方向被互相錯開。導孔電極部20E的中心P5的位置是與介電質基板14的中心C的位置同等。導孔電極部20E與遮蔽導體12Ca之間的距離和導孔電極部20E與遮蔽導體12Cb之間的距離是同等。

導孔電極部20E的中心P5的X方向的位置是導孔電極部20A的中心P1的X方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的X方向的位置之間。理想是導孔電極部20E的中心P5的X方向的位置與導孔電極部20A的中心P1的X方向的位置之間的距離是和導孔電極部20E的中心P5的X方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的X方向的位置之間的距離相等。

導孔電極部20E的中心P5的Y方向的位置是導孔電極部20A的中心P1的Y方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的Y方向的位置之間。理想是導孔電極部20E的中心P5的Y方向的位置與導孔電極部20A的中心P1的Y方向的位置之間的距離是和導孔電極部20E的中心P5的Y方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的Y方向的位置之間的距離相等。

導孔電極部20A的中心P1的Y方向的位置與導孔電極部20C的中心P3的Y方向的位置是同等。同樣，導孔電極部20B的中心P2的Y方向的位置與導孔電極部20D的中心P4的Y方向的位置是同等。

導孔電極部20B的中心P2的X方向的位置是導孔電極部20A的中心P1的X方向的位置與導孔電極部20E的中心P5的X方向的位置之間。導孔電極部20C的中心P3的X方向的位置是導孔電極部20D的中心P4的X方向的位置與導孔電極部20E的中心P5的X方向的位置之間。

在介電質基板14內是形成有遮蔽導孔電極部81A~81D、81Ea、81Eb。遮蔽導孔電極部81A~81D是與上述的遮蔽導孔電極部81A~81D同樣，因此省略說明。在遮蔽導孔電極部81Ea是具備遮蔽導孔電極82I及遮蔽導孔電極82J。在遮蔽導孔電極部81Eb是具備遮蔽導孔電極82K及遮蔽導孔電極82L。在不區別各個的遮蔽導孔電極部進行說明時，使用符號81，在區別各個的遮蔽導孔電極部進行說明時，使用符號81A~81D、81Ea、81Eb。遮蔽導孔電極部81的一端是被連接至遮蔽導體12A。遮蔽導孔電極部81的另一端是被連接至遮蔽導體12B。

遮蔽導孔電極部81Ea是在將導孔電極部20E所位置的區域延長至-Y方向的延長區域84Ea內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81Ea是在將導孔電極部20E所位置的區域朝向遮蔽導體12Ca延長的延長區域84Ea內，被連接至遮蔽導體12A、12B。如此，遮蔽導孔電極部81Ea是選擇性地被形成於延長區域84Ea內。遮蔽導孔電極部81Ea是位於遮蔽導體12Ca的附近。

遮蔽導孔電極部81Eb是在將導孔電極部20E所位置的區域延長至+Y方向的延長區域84Eb內，被連接至遮蔽導體12A、12B。亦即，遮蔽導孔電極部81Eb是在將導孔電極部20E所位置的區域朝向遮蔽導體12Cb延長的延長區域84Eb內，被連接至遮蔽導體12A、12B。如此，遮蔽導孔電極部81Eb是選擇性地被形成於延長區域84Eb內。遮蔽導孔電極部81Eb是位於遮蔽導體12Cb的附近。

如此，亦可在濾波器10具備5個的共振器11。

圖13是表示變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。在圖13所示的例子中，1個的遮蔽導孔電極部81藉由1個的遮蔽導孔電極82來構成。遮蔽導孔電極部81A是藉由遮蔽導孔電極82A來構成。遮蔽導孔電極部81B是藉由遮蔽導孔電極82C來構成。遮蔽導孔電極部81C是藉由遮蔽導孔電極82E來構成。遮蔽導孔電極部81D是藉由遮蔽導孔電極82G來構成。遮蔽導孔電極部81Ea是藉由遮蔽導孔電極82I來構成。遮蔽導孔電極部81Eb是藉由遮蔽導孔電極82K來構成。如此，1個的遮蔽導孔電極部81亦可藉由1個的遮蔽導孔電極82來構成。

圖14是變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。在圖14所示的例子中，遮蔽導孔電極部81Ea會位於導孔電極部20E與遮蔽導體12Ca的中間的部位。在圖14所示的例子中，遮蔽導孔電極部81Ea未位於遮蔽導體12Ca的附近。遮蔽導孔電極部81Ea與遮蔽導體12Ca之間的Y方向的距離是比遮蔽導孔電極部81A、81D與遮蔽導體12Ca之間的Y方向的距離更大。在圖14所示的例子中，遮蔽導孔電極部81Eb會位於導孔電極部20E與遮蔽導體12Cb的中間的部位。亦即，在圖14所示的例子中，遮蔽導孔電極部81Eb未位於遮蔽導體12Cb的附近。遮蔽導孔電極部81Eb與遮蔽導體12Cb之間的Y方向的距離是比遮蔽導孔電極部81B、81C與遮蔽導體12Cb之間的Y方向的距離更大。如此，亦可使遮蔽導孔電極部81Ea位於導孔電極部20E與遮蔽導體12Ca的中間的部位。又，亦可使遮蔽導孔電極部81Eb位於導孔電極部20E與遮蔽導體12Cb的中間的部位。

又，亦可在濾波器10具備6個以上的共振器11。

又，上述實施形態是以輸出入端子22A、22B會經由輸出入圖案80A、80B來被連接至導孔電極部20A、20D的情況為例進行說明，但不被限定於此。例如，輸出入端子22A、22B亦可經由輸出入圖案32a、32b (參照圖12)來被連接至遮蔽導體12B。

又，利用圖12~圖14在上面敘述的變形實施形態中，是以輸出入端子22A、22B會經由輸出入圖案32a、32b來被連接至遮蔽導體12B的情況為例進行說明，但不被限定於此。例如，輸出入端子22A、22B亦可經由輸出入圖案80A、80B(參照圖2)來被連接至導孔電極部20A、20D。

又，以下記載有關可由上述的實施形態掌握的發明。

一種濾波器(10)，其特徵係具備： 被形成於介電質基板(14)的一方的主面(14b)側之第1遮蔽導體(12A)； 被形成於前述介電質基板的另一方的主面(14a)側之第2遮蔽導體(12B)； 被形成於前述介電質基板的第1側面(14e)之第3遮蔽導體(12Ca)； 被形成於與前述第1側面對面的第2側面(14f)之第4遮蔽導體(12Cb)； 共振器(11A~11E)，其係具有被形成於前述介電質基板內的導孔電極部(20A~20E)及與前述第1遮蔽導體對面且被連接至前述導孔電極部的一端的電容器電極(18A~ 18E)；及 一端被連接至前述第1遮蔽導體，且另一端被連接至前述第2遮蔽導體的遮蔽導孔電極部(81A~81D、81Ea、81Eb)， 前述遮蔽導孔電極部係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的區域朝向前述第3遮蔽導體及前述第4遮蔽導體之中的至少一方延長的延長區域(84A~84D、84Ea、84Eb)內。 若根據如此的構成，則由於具備遮蔽導孔電極部，因此即使是在切斷介電質基板時產生位置偏差的情況，也可抑制濾波器特性的變動。而且，若根據如此的構成，則由於遮蔽導孔電極部是選擇性地被形成於延長區域內，因此可抑制成本的增加。亦即，若根據如此的構成，則可一面抑制成本的增加，一面提供良好的濾波器。

在上述的濾波器中，前述導孔電極部(20A、20C)與前述第3遮蔽導體之間的距離係比前述導孔電極部與前述第4遮蔽導體之間的距離更小，前述遮蔽導孔電極部(81A、81D)亦可選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第3遮蔽導體延長的前述延長區域(84A、84C)內。

在上述的濾波器中，前述導孔電極部(20B、20D)與前述第4遮蔽導體之間的距離係比前述導孔電極部與前述第3遮蔽導體之間的距離更小，前述遮蔽導孔電極部(81B、81C)亦可選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第4遮蔽導體延長的前述延長區域(84B、84D)內。

在上述的濾波器中，複數的前述遮蔽導孔電極部之中的第1遮蔽導孔電極部(81Ea)係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部(20E)的前述區域朝向前述第3遮蔽導體延長的前述延長區域的第1延長區域(84Ea)內，複數的前述遮蔽導孔電極部之中的第2遮蔽導孔電極部(81Eb)亦可選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第4遮蔽導體延長的前述延長區域的第2延長區域(84Eb)內。

在上述的濾波器中，前述導孔電極部與前述第3遮蔽導體之間的距離和前述導孔電極部與前述第4遮蔽導體之間的距離亦可為同等。

在上述的濾波器中，前述遮蔽導孔電極部亦可於前述第3遮蔽導體的附近備置。

在上述的濾波器中，前述遮蔽導孔電極部亦可於前述第4遮蔽導體的附近備置。

在上述的濾波器中，前述第1遮蔽導孔電極部係於前述第3遮蔽導體的附近備置，前述第2遮蔽導孔電極部亦可於前述第4遮蔽導體的附近備置。

在上述的濾波器中，前述遮蔽導孔電極部亦可藉由至少1個的遮蔽導孔電極(82A~82L)所構成。

在上述的濾波器中，前述第3遮蔽導體及前述第4遮蔽導體係沿著前述介電質基板的長度方向亦即第1方向(X)而形成。

在上述的濾波器中，在前述共振器亦可具備1個的前述導孔電極部。

在上述的濾波器中，前述導孔電極部亦可藉由複數的導孔電極(24)所構成。

另外，本發明是不限於上述的揭示，可在不脫離本發明的主旨範圍採用各種的構成。

10:濾波器 11A~11E:共振器 12A,12B,12Ca,12Cb:遮蔽導體 14:介電質基板 14a,14b:主面 14c~14f:側面 16A~16D:構造體 18,18A~18D:電容器電極 20A~20D:導孔電極部 22A,22B:輸出入端子 24:導孔電極 26:環 32a,32b,80A,80B:輸出入圖案 70,70A~70F,72,72A~72E,74,74A,74B,76,76A~76D,78,78A~78C:耦合電容電極 70A1~70A3,70B1~70B3,70C1~70C3,70D1~70D3,74A1~74A3, 74B1~74B3,76A1~76A4,76B1~76B4,76C1~76C6,76D1~76D6,78A1,78A2,78B1,78B2,78C1,78C2,78C3,80A1,80A2,80B1,80B2:部分圖案 71A~71D,77A~77E:電容耦合構造 73A1~73A3,73B1~73B3,73C1~73C3,73D1~73D3:區域 73E1~73E3,73F1~73F3,73G1~73G3,73H1~73H3:區域 81A~81D:遮蔽導孔電極部 82A~82H:遮蔽導孔電極 84A~84D:延長區域 C,P1~P4:中心 L1,L2,W11,W12,W21,W22:尺寸

[圖1]是表示一實施形態的濾波器的立體圖。

[圖2]是表示一實施形態的濾波器的平面圖。

[圖3A]是表示一實施形態的濾波器的一部分的剖面圖。

[圖3B]是表示一實施形態的濾波器的一部分的剖面圖。

[圖4]是表示一實施形態的濾波器的立體圖。

[圖5]是表示一實施形態的濾波器的立體圖。

[圖6]是表示一實施形態的濾波器的平面圖。

[圖7]是表示一實施形態的濾波器的立體圖。

[圖8]是表示一實施形態的濾波器的平面圖。

[圖9]是表示一實施形態的濾波器的立體圖。

[圖10]是表示一實施形態的濾波器的平面圖。

[圖11]是表示一實施形態的濾波器的平面圖。

[圖12]是表示變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。

[圖13]是表示變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。

[圖14]是表示變形實施形態的濾波器的例子的平面圖。

11A~11E:共振器

12B,12Ca,12Cb:遮蔽導體

14:介電質基板

14c~14f:側面

18A~18E:電容器電極

20A~20E:導孔電極部

22A,22B:輸出入端子

24:導孔電極

26:環

32a,32b:輸出入圖案

81A~81D,81Ea,81Eb:遮蔽導孔電極部

82A~82H:遮蔽導孔電極

82I,82J,82K,82L:遮蔽導孔電極

84A~84D:延長區域

84Ea,84Eb:延長區域

C,P1~P5:中心

Claims (12)

1. 一種濾波器(10)，其特徵係具備： 被形成於介電質基板(14)的一方的主面(14b)側之第1遮蔽導體(12A)； 被形成於前述介電質基板的另一方的主面(14a)側之第2遮蔽導體(12B)； 被形成於前述介電質基板的第1側面(14e)之第3遮蔽導體(12Ca)； 被形成於與前述第1側面對面的第2側面(14f)之第4遮蔽導體(12Cb)； 共振器(11A~11E)，其係具有被形成於前述介電質基板內的導孔電極部(20A~20E)及與前述第1遮蔽導體對面且被連接至前述導孔電極部的一端的電容器電極(18A~ 18E)；及 一端被連接至前述第1遮蔽導體，且另一端被連接至前述第2遮蔽導體的遮蔽導孔電極部(81A~81D、81Ea、81Eb)， 前述遮蔽導孔電極部係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的區域朝向前述第3遮蔽導體及前述第4遮蔽導體之中的至少一方延長的延長區域(84A~84D、84Ea、84Eb)內。
2. 如請求項1記載的濾波器，其中，前述導孔電極部(20A、20C)與前述第3遮蔽導體之間的距離係比前述導孔電極部與前述第4遮蔽導體之間的距離更小， 前述遮蔽導孔電極部(81A、81D)係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第3遮蔽導體延長的前述延長區域(84A、84C)內。
3. 如請求項1記載的濾波器，其中，前述導孔電極部(20B、20D)與前述第4遮蔽導體之間的距離係比前述導孔電極部與前述第3遮蔽導體之間的距離更小， 前述遮蔽導孔電極部(81B、81C)係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第4遮蔽導體延長的前述延長區域(84B、84D)內。
4. 如請求項1記載的濾波器，其中， 複數的前述遮蔽導孔電極部之中的第1遮蔽導孔電極部(81Ea)係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部(20E)的前述區域朝向前述第3遮蔽導體延長的前述延長區域的第1延長區域(84Ea)內， 複數的前述遮蔽導孔電極部之中的第2遮蔽導孔電極部(81Eb)係選擇性地被形成於將形成有前述導孔電極部的前述區域朝向前述第4遮蔽導體延長的前述延長區域的第2延長區域(84Eb)內。
5. 如請求項4記載的濾波器，其中，前述導孔電極部與前述第3遮蔽導體之間的距離和前述導孔電極部與前述第4遮蔽導體之間的距離為同等。
6. 如請求項2記載的濾波器，其中，前述遮蔽導孔電極部係於前述第3遮蔽導體的附近備置。
7. 如請求項3記載的濾波器，其中，前述遮蔽導孔電極部係於前述第4遮蔽導體的附近備置。
8. 如請求項4或5記載的濾波器，其中， 前述第1遮蔽導孔電極部係於前述第3遮蔽導體的附近備置， 前述第2遮蔽導孔電極部係於前述第4遮蔽導體的附近備置。
9. 如請求項1~7的任一項所記載的濾波器，其中，前述遮蔽導孔電極部係藉由至少1個的遮蔽導孔電極(82A~82L)所構成。
10. 如請求項1~7的任一項所記載的濾波器，其中，前述第3遮蔽導體及前述第4遮蔽導體係沿著前述介電質基板的長度方向亦即第1方向(X)而形成。
11. 如請求項1~7的任一項所記載的濾波器，其中，在前述共振器具備1個的前述導孔電極部。
12. 如請求項1~7的任一項所記載的濾波器，其中，前述導孔電極部係藉由複數的導孔電極(24)所構成。

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