WO2022230454A1 - 誘電体フィルタ - Google Patents

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resonators
conductors
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達典 菅
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株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
    • H01P1/20345—Multilayer filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities

Definitions

  • the present disclosure relates to dielectric filters, and more particularly to techniques for suppressing the occurrence of structural defects during manufacturing of dielectric filters.
  • Patent Document 1 discloses a bandpass filter using a laminated dielectric resonator in which a plurality of internal electrode layers are laminated in a dielectric.
  • the inductor portion of the internal electrode layer is configured with a longitudinal pattern, and the width of a part of the longitudinal pattern gradually narrows. have a shape. With such a configuration, the resonance frequency can be lowered without lowering the Q value, so that the size of the resonator can be reduced.
  • a dielectric filter as disclosed in Japanese Patent Laying-Open No. 2007-235465 (Patent Document 1) is used for filtering high-frequency signals, for example, in small mobile terminals represented by mobile phones or smart phones.
  • a dielectric filter is generally manufactured by laminating a plurality of dielectric layers on which flat conductors are arranged and by crimping or sintering them.
  • structural defects such as cracks will occur between the conductor and the dielectric due to the difference in thermal expansion coefficient from the part with a low conductor density. may occur, resulting in equipment damage or deterioration of filter characteristics.
  • the present disclosure has been made to solve such problems, and its purpose is to suppress the occurrence of structural defects during the manufacture of dielectric filters.
  • a dielectric filter according to the present disclosure includes a laminate including a plurality of dielectric layers and having a rectangular parallelepiped shape, a first plate electrode and a second plate electrode, a plurality of resonators, a first shield conductor and a second shield. and a conductor.
  • the first plate electrode and the second plate electrode are spaced apart in the stacking direction inside the stack.
  • the plurality of resonators extends in a first direction orthogonal to the stacking direction and is arranged between the first plate electrode and the second plate electrode.
  • the first shield conductor and the second shield conductor are arranged respectively on the first side surface and the second side surface perpendicular to the first direction in the laminate.
  • the first shield conductor and the second shield conductor are connected to the first plate electrode and the second plate electrode.
  • the plurality of resonators are arranged side by side in a second direction orthogonal to both the stacking direction and the first direction inside the laminate.
  • Each of the plurality of resonators has a first end connected to the first shield conductor and a second end spaced from the second shield conductor.
  • a first notch is formed at a first end of each of the plurality of resonators.
  • a notch is formed at the end of the resonator at the connecting portion between the resonator and the shield conductor. Since the notch reduces the conductor density in the stacking direction at the connecting portion, the occurrence of structural defects at the connecting portion is suppressed during the manufacture of the dielectric filter. In addition, since the current density tends to be relatively high at the connecting portion between the resonator and the shield conductor, the effect on filter characteristics can be reduced by suppressing structural defects.
  • FIG. 1 is a block diagram of a communication device having a high-frequency front-end circuit to which the filter device of Embodiment 1 is applied;
  • FIG. 1 is an external perspective view of a filter device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a see-through perspective view showing the internal structure of the filter device of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a plan view of a filter device according to Embodiment 1;
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a filter device according to Embodiment 1;
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a filter device of Modification 1;
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a filter device of Modification 2;
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a conductor shape for forming a notch in Modification 2;
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a filter device of Modification 3;
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of a conductor shape for forming a cutout portion according to modification 3;
  • FIG. 11 is a plan view of a filter device of Modification 4;
  • FIG. 8 is a see-through perspective view showing the internal structure of the filter device of Embodiment 2;
  • FIG. 4 is a plan view of a filter device according to Embodiment 2;
  • FIG. 1 is a block diagram of a communication device 10 having a high frequency front-end circuit 20 to which the filter device of Embodiment 1 is applied.
  • the communication device 10 is, for example, a mobile terminal typified by a smart phone, or a mobile phone base station.
  • communication device 10 includes antenna 12 , high frequency front end circuit 20 , mixer 30 , local oscillator 32 , D/A converter (DAC) 40 and RF circuit 50 .
  • High frequency front end circuit 20 also includes bandpass filters 22 and 28 , amplifier 24 and attenuator 26 .
  • the high-frequency front-end circuit 20 includes a transmission circuit that transmits a high-frequency signal from the antenna 12 will be described. may contain
  • the communication device 10 up-converts the signal transmitted from the RF circuit 50 into a high-frequency signal and radiates it from the antenna 12 .
  • a modulated digital signal output from the RF circuit 50 is converted to an analog signal by the D/A converter 40 .
  • Mixer 30 mixes the signal converted into an analog signal by D/A converter 40 with an oscillation signal from local oscillator 32 and up-converts it into a high-frequency signal.
  • a band-pass filter 28 removes unnecessary waves generated by the up-conversion and extracts only signals in a desired frequency band.
  • Attenuator 26 adjusts the strength of the signal.
  • Amplifier 24 power-amplifies the signal that has passed through attenuator 26 to a predetermined level.
  • the band-pass filter 22 removes unwanted waves generated in the amplification process and allows only signal components in the frequency band specified by the communication standard to pass.
  • a signal that has passed through the bandpass filter 22 is radiated from the antenna 12 as a transmission signal.
  • a filter device corresponding to the present disclosure can be employed as the bandpass filters 22 and 28 in the communication device 10 as described above.
  • FIG. Filter device 100 is a dielectric filter composed of a plurality of resonators that are distributed constant elements.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the filter device 100.
  • FIG. 3 is a see-through perspective view showing the internal structure of the filter device 100.
  • FIG. 4 is a plan view of the filter device 100 viewed from the stacking direction. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 4.
  • filter device 100 includes a rectangular parallelepiped or substantially rectangular parallelepiped laminate 110 in which a plurality of dielectric layers are laminated in the lamination direction.
  • Stack 110 has top surface 111 , bottom surface 112 , side surface 113 , side surface 114 , side surface 115 , and side surface 116 .
  • the side surface 113 is the side surface in the positive direction of the X-axis
  • the side surface 114 is the side surface in the negative direction of the X-axis.
  • Sides 115 and 116 are sides perpendicular to the Y-axis direction.
  • Each dielectric layer of the laminate 110 is made of ceramics such as low temperature co-fired ceramics (LTCC) or resin. Inside the laminate 110, a plurality of flat plate conductors formed in each dielectric layer and a plurality of vias formed between the dielectric layers form a distributed constant element that constitutes a resonator, and between the distributed constant elements. A capacitor and an inductor are configured for coupling the .
  • the term “via” refers to a conductor that connects conductors provided on different dielectric layers and extends in the stacking direction. Vias are formed, for example, by conductive paste, plating, and/or metal pins.
  • the lamination direction of the laminate 110 is defined as the "Z-axis direction", and the direction perpendicular to the Z-axis direction and along the long side of the laminate 110 is defined as the "X-axis direction” (second direction). ), and the direction along the short side of the laminate 110 is the “Y-axis direction” (first direction).
  • the positive direction of the Z-axis in each drawing may be referred to as the upper side, and the negative direction may be referred to as the lower side.
  • the filter device 100 includes shield conductors 121 and 122 that cover side surfaces 115 and 116 of the laminate 110 .
  • the shield conductors 121 and 122 have a substantially C shape when viewed from the X-axis direction of the laminate 110 . That is, the shield conductors 121 and 122 partially cover the top surface 111 and the bottom surface 112 of the laminate 110 .
  • the portions of the shield conductors 121 and 122 located on the lower surface 112 of the laminate 110 are connected to a ground electrode on a mounting substrate (not shown) by connection conductors such as solder bumps. That is, the shield conductors 121 and 122 also function as ground terminals.
  • the filter device 100 also has an input terminal T1 and an output terminal T2 on the lower surface 112 of the laminate 110 .
  • the input terminal T1 is arranged on the bottom surface 112 at a position close to the side surface 113 in the positive direction of the X axis.
  • the output terminal T2 is arranged on the bottom surface 112 at a position close to the side surface 114 in the negative direction of the X axis.
  • the input terminal T1 and the output terminal T2 are connected to corresponding electrodes on the mounting substrate by connection conductors such as solder bumps.
  • Filter device 100 further includes plate electrodes 130 and 135, a plurality of resonators 141-145, capacitor electrodes 161-165, and connection conductors 171-175 in addition to the configuration shown in FIG.
  • the resonators 141-145, the capacitor electrodes 161-165 and the connection conductors 171-175 are collectively referred to as “resonator 140", “capacitor electrode 160” and “connection conductor 170", respectively.
  • the plate electrodes 130 and 135 are arranged inside the laminate 110 at positions spaced apart in the lamination direction (Z-axis direction) so as to face each other.
  • the plate electrode 130 is provided on the dielectric layer near the top surface 111 and connected to the shield conductors 121 and 122 at the ends along the X-axis.
  • the flat plate electrode 130 has such a shape as to almost cover the dielectric layer when viewed from above in the stacking direction.
  • the plate electrode 135 is provided on the dielectric layer near the bottom surface 112 of the laminate 110 .
  • the flat plate electrode 135 has a substantially H-shape in which notches are formed in portions facing the input terminal T1 and the output terminal T2 when viewed from above in the stacking direction.
  • the plate electrode 135 is connected to the shield conductors 121 and 122 at its ends along the X axis.
  • resonators 141-145 are arranged between the flat plate electrode 130 and the flat plate electrode 135. As shown in FIG. In the filter device 100, the resonators 141 to 145 are arranged side by side in the X-axis direction (second direction) inside the laminate 110. As shown in FIG. More specifically, the resonators 141, 142, 143, 144, and 145 are arranged in this order from the positive direction to the negative direction of the X axis.
  • Each of the resonators 141-145 extends in the Y-axis direction (first direction).
  • a positive Y-axis end (first end) of each of the resonators 141 to 145 is connected to the shield conductor 121 .
  • the ends (second ends) in the negative Y-axis direction of each of the resonators 141 to 145 are separated from the shield conductor 122 .
  • Each of the resonators 141-145 is composed of a plurality of conductors arranged along the stacking direction.
  • the number of conductors forming each resonator is, for example, 13 or more.
  • a plurality of conductors forming each resonator are electrically connected by a connection conductor 170 at a position near the second end on the shield conductor 122 side.
  • the length of each resonator in the Y-axis direction is designed to be approximately ⁇ /4 (FIG. 4).
  • the resonator 140 functions as a distributed constant type TEM mode resonator having a plurality of conductors as central conductors and plate electrodes 130 and 135 as outer conductors.
  • cutouts 201 to 205 are formed in the connection portions of the resonators 141 to 145 with the shield conductor 121, respectively.
  • FIG. 5 is a cross section along line VV passing through cutout 200 in FIG.
  • all the conductors in each resonator have a notch near the center in the X-axis direction of each conductor. For example, if the width of the conductor in the X-axis direction of the resonator is 300 ⁇ m, the dimension of the notch 200 is set to 50 ⁇ m ⁇ 30 ⁇ m.
  • the resonator 141 is connected to the input terminal T1 via vias V10, V11 and the plate electrode PL1. Although it is hidden by the resonator in FIG. 3, the resonator 145 is connected to the output terminal T2 via the via and the plate electrode PL2.
  • the resonators 141 to 145 are magnetically coupled to each other, and a high frequency signal input to the input terminal T1 is transmitted through the resonators 141 to 145 in order and output from the output terminal T2.
  • the filter device 100 functions as a bandpass filter depending on the degree of coupling between the resonators.
  • capacitor electrodes C10 to C50 projecting between adjacent resonators are provided on the second end side of the resonator 140.
  • the capacitor electrode has a structure in which a part of a plurality of conductors forming the resonator protrudes.
  • the degree of capacitive coupling between resonators can be adjusted by the length of the capacitor electrodes in the Y-axis direction, the distance from adjacent resonators, and/or the number of conductors forming the capacitor electrodes.
  • a capacitor electrode C10 protrudes from the resonator 141 toward the resonator 142
  • a capacitor electrode C20 protrudes from the resonator 142 toward the resonator 141.
  • a capacitor electrode C30 is provided to project from the resonator 143 toward the resonator 142
  • a capacitor electrode C40 is provided to project from the resonator 144 toward the resonator 143.
  • a capacitor electrode C50 is provided so as to protrude from the resonator 145 toward the resonator 144.
  • the capacitor electrodes C10 to C50 are not an essential component, and some or all of the capacitor electrodes may be omitted if a desired degree of coupling between the resonators can be achieved.
  • the filter device includes capacitor electrodes projecting from the resonator 142 toward the resonator 143, capacitor electrodes projecting from the resonator 143 toward the resonator 144, A capacitor electrode projecting from the resonator 144 toward the resonator 145 may be provided.
  • a capacitor electrode 160 is arranged facing the second end of the resonator 140 .
  • a cross section parallel to the ZX plane of the capacitor electrode 160 has the same cross section as that of the resonator 140 .
  • Capacitor electrode 160 is connected to shield conductor 122 .
  • the resonator 140 and the corresponding capacitor electrode 160 form a capacitor.
  • a dielectric filter as described above is generally manufactured by laminating a plurality of dielectric layers in which flat conductors are arranged and by pressing or sintering them.
  • the difference in thermal expansion coefficient from the portion with a low conductor density will cause cracks between the conductor and the dielectric, and cracks between the dielectric layers.
  • Structural defects such as delamination and/or poor surface flatness of the laminate may occur. If a structural defect occurs, the capacitance and inductance intended in the design cannot be realized, and the filter characteristics may deteriorate.
  • the current density at the connecting portion between each resonator and the shield conductor is relatively higher than at other portions. If a structural defect occurs in such a portion, there is a possibility that excessive heat will be generated or the resistance component of the connection portion will increase, resulting in damage to the device or deterioration of the filter characteristics.
  • a notch 200 is formed in the vicinity of the center of the conductors forming the resonators in the connecting portions between the resonators 141 to 145 and the shield conductor 121 .
  • the formation of notch 200 reduces the density of conductors in the connecting portion, thereby suppressing the occurrence of structural defects in the manufacturing process of filter device 100 .
  • the filter device 100 As described above, the notches are formed at the center portions in the width direction of the plurality of conductors that constitute the resonators, and the resonators are formed at the ends of the conductors in the width direction where the high-frequency current tends to concentrate. and the shield conductor 121 are connected. Therefore, even if the notch is formed, the same degree of conduction resistance as when the notch is not formed is maintained, so an increase in conduction loss is suppressed. This suppresses a decrease in the Q value, thereby suppressing a decrease in filter characteristics.
  • the filter device 100 of the first embodiment by forming the notch 200 in the connecting portion of the resonator 140 with the shield conductor 121, the deterioration of the filter characteristics can be suppressed, and the structural It is possible to suppress the occurrence of defects.
  • the "plate electrode 130" and the “plate electrode 135" in Embodiment 1 respectively correspond to the "first plate electrode” and the “second plate electrode” in the present disclosure.
  • “Shield conductor 121" and “shield conductor 122" in Embodiment 1 respectively correspond to “first shield conductor” and “second shield conductor” in the present disclosure.
  • “Side surface 115" and “side surface 116” in Embodiment 1 respectively correspond to “first side surface” and “second side surface” in the present disclosure.
  • Each of the “notches 201 to 205" in Embodiment 1 corresponds to the "first notch” in the present disclosure.
  • Each of the “connection conductors 171 to 175” in Embodiment 1 corresponds to the “second connection conductor” in the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the notch of the resonator in the filter device 100A of Modification 1.
  • the uppermost layer conductor 191 closest to the plate electrode 130 and the lowermost layer conductor 192 closest to the plate electrode 135 are provided with notches. not In other words, notches are formed in the conductors 193 except for the conductors in the top and bottom layers.
  • Other configurations of filter device 100A are the same as those of filter device 100 of the first embodiment, and therefore descriptions of overlapping elements will not be repeated.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the notch of the resonator in the filter device 100A1 of Modification 2.
  • a plurality of conductors forming each resonator are composed of conductors having two types of shapes, and the two types of conductors are alternately stacked in the stacking direction.
  • second-shaped conductors 195 having notches formed at both ends in the X-axis direction are alternately arranged.
  • the first-shaped conductor 194 has a notch about 1/3 of the X-axis dimension of the conductor near the center.
  • the second shape conductor 195 has a shape in which approximately one-third of the X-axis direction dimension remains in the vicinity of the center.
  • the conductor density in the lamination direction is made uniform at the ends of the resonator 140 connected to the shield conductor 121. Structural defects can be suppressed.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the notch of the resonator in the filter device 100A2 of Modification 3.
  • a plurality of conductors forming each resonator are composed of conductors having three types of shapes, and the three types of conductors are sequentially stacked in the stacking direction.
  • the plurality of conductors are a third shape conductor 196 as shown in the left diagram (A) of FIG. 10 and a fourth shape conductor 197 as shown in the middle diagram (B) of FIG. and a fifth shape conductor 198 as shown in the right view (C) of FIG.
  • the third-shaped conductor 196 has notches formed at both ends in the X-axis direction. It has a shape in which the conductor is left.
  • the fourth shape conductor 197 has a notch extending from the end in the negative direction of the X-axis to the center, and the conductor is left at the end in the positive direction of the X-axis by about 1/3 of the dimension in the X-axis direction.
  • the fifth-shaped conductor 198 has a notch extending from the end in the positive direction of the X-axis to the center, and the conductor remains at the end in the negative direction of the X-axis by about 1/3 of the dimension in the X-axis direction. It has a shape that is
  • the conductor density in the stacking direction is equalized at the end of the resonator 140 connected to the shield conductor 121. , can suppress structural defects in the manufacturing process.
  • Modification 4 a configuration in which notches are also formed in capacitor electrode 160 provided to face resonator 140 will be described.
  • FIG. 11 is a plan view of the filter device 100B of Modification 4 as seen from the stacking direction (Z-axis direction).
  • notches 211 to 215 are formed at the connecting portions with the shield conductor 122 for a plurality of conductors forming the capacitor electrodes 161 to 165 connected to the shield conductor 122 .
  • Other configurations of filter device 100B are the same as those of filter device 100 of the first embodiment, and therefore descriptions of overlapping elements will not be repeated.
  • the conductor density in the connecting portion between the capacitor electrode 160 and the shield conductor 122 can be reduced, so that the occurrence of structural defects during manufacturing can be suppressed.
  • such a dielectric filter is generally manufactured by arranging a plurality of resonators in a planar direction, collectively molding them, and dividing them.
  • the shape of the connecting portion between the resonator 140 and the shield conductor 121 and the shape of the connecting portion between the capacitor electrode 160 and the shield conductor 122 the same, the shape of the connecting portion changes due to division accuracy. can be prevented. Therefore, it is possible to suppress variations in filter characteristics and improve productivity.
  • each of the "notches 211 to 215" in Modification 4 corresponds to the "second notch" in the present disclosure.
  • Embodiment 2 In Embodiment 2, a configuration in which a connection conductor connected to a plate electrode is provided on the ground end (first end) side of each resonator will be described.
  • FIG. 12 is a see-through perspective view showing the internal structure of the filter device 100C of Embodiment 2.
  • FIG. 13 is a plan view of the filter device 100C when viewed from the stacking direction.
  • resonators 141-145 are connected to shield conductor 121 at positions near the first end connected to flat plate via connection conductors 151-155, respectively. It is connected to electrodes 130 and 135 .
  • Each of the connection conductors 151-155 extends from the plate electrode 130 through the conductors of the corresponding resonator to the plate electrode 135.
  • FIG. Each of the connection conductors 151-155 is electrically connected to a plurality of conductors forming a corresponding resonator.
  • each resonator In such a configuration, most of the current flowing through each resonator flows through the connection conductors 151-155 to the ground terminals (ie, the plate electrodes 130, 135 and the shield conductor 121). Therefore, the effective length of each resonator is the length from the second end to the connection conductor.
  • the filter device 100C is designed so that the length from the second end of each resonator to the connecting conductors (151 to 155) is ⁇ /4.
  • the notches 201-205 formed on the first end side of each resonator are formed between the first end and the connection conductors 151-155.
  • the filter characteristics remain unchanged. little impact on Therefore, the size of the notches 201 to 205 can be made larger than that of the filter device 100 of the first embodiment, and the conductor density can be further reduced. Therefore, it is possible to further reduce the occurrence of structural defects.
  • connection conductors 151 to 155" in the second embodiment corresponds to the "first connection conductor" in the present disclosure.
  • 10 communication device 12 antenna, 20 high-frequency front-end circuit, 22, 28 band-pass filter, 24 amplifier, 26 attenuator, 30 mixer, 32 local oscillator, 40 D/A converter, 50 RF circuit, 100, 100A to 100C, 100A1, 100A2 filter device, 110 laminate, 111 upper surface, 112 lower surface, 113 to 116 side surfaces, 121, 122 shield conductors, 130, 135, PL1, PL2 plate electrodes, 140 to 145 resonators, 151 to 155, 170 to 175 Connection conductors, 160 to 165, C10 to C50 Capacitor electrodes, 191 to 198 conductors, 200 to 205, 211 to 215 cutouts, T1 input terminals, T2 output terminals, V10, V11 vias.

Landscapes

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Abstract

フィルタ装置（１００）は、積層体（１１０）と、平板電極（１３０，１３５）と、共振器（１４１～１４５）と、シールド導体（１２１，１２２）とを備える。平板電極（１３０，１３５）は、積層体（１１０）において積層方向に離間して配置されている。共振器（１４１～１４５）はＹ軸方向に延在しており、平板電極（１３０，１３５）の間に配置されている。シールド導体（１２１，１２２）は、積層体（１１０）の側面（１１５，１１６）にそれぞれ配置されている。シールド導体（１２１，１２２）は、平板電極（１３０，１３５）に接続されている。共振器（１４１～１４５）は、積層体（１１０）の内部においてＸ軸方向に並んで配置されている。共振器（１４１～１４５）の各々の第１端部はシールド導体（１２１）に接続されておい、第２端部はシールド導体（１２２）から離間している。共振器（１４０）の各々における第１端部に切欠部（２００）が形成されている。

Description

誘電体フィルタ
　本開示は、誘電体フィルタに関し、より特定的には、誘電体フィルタの製造時における構造欠陥の発生を抑制するための技術に関する。
　特開２００７－２３５４６５号公報（特許文献１）には、誘電体内に複数の内部電極層が積層された積層型誘電体共振器を用いたバンドパスフィルタが開示されている。特開２００７－２３５４６５号公報（特許文献１）に開示されたバンドパスフィルタにおいては、内部電極層のインダクタ部が長手パターンで構成されており、当該長手パターンの一部の幅が徐々に狭くなる形状を有している。このような構成とすることによって、Ｑ値を低下させることなく共振周波数を低下させることができるので、共振器の小型化を図ることができる。
特開２００７－２３５４６５号公報 特開２０１４－１２７５８１号公報
　特開２００７－２３５４６５号公報（特許文献１）に開示されたような誘電体フィルタは、たとえば、携帯電話あるいはスマートフォンに代表される小型携帯端末において、高周波信号をフィルタリングするために用いられる。
　誘電体フィルタは、一般的には、平板導体が配置された複数の誘電体層を積層し、圧着あるいは焼結することによって製造される。誘電体フィルタの製造プロセスにおいて、部分的に積層方向の導体密度が大きい部分が存在すると、導体密度が小さい部分との熱膨張係数の差により、導体と誘電体との間においてクラックなどの構造欠陥が生じてしまい、機器の破損あるいはフィルタ特性の低下を招く可能性がある。
　本開示は、このようなこのような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、誘電体フィルタの製造時における構造欠陥の発生を抑制することである。
　本開示に係る誘電体フィルタは、複数の誘電体層を含み直方体の形状を有する積層体と、第１平板電極および第２平板電極と、複数の共振器と、第１シールド導体および第２シールド導体とを備える。第１平板電極および第２平板電極は、積層体の内部において積層方向に離間して配置されている。複数の共振器は、積層方向に直交する第１方向に延在しており、第１平板電極と第２平板電極との間に配置されている。第１シールド導体および第２シールド導体は、積層体において第１方向に垂直な第１側面および第２側面にそれぞれ配置されている。第１シールド導体および第２シールド導体は、第１平板電極および第２平板電極に接続されている。複数の共振器は、積層体の内部において、積層方向および第１方向の双方に直交する第２方向に並んで配置されている。複数の共振器の各々の第１端部は第１シールド導体に接続されており、第２端部は第２シールド導体から離間している。複数の共振器の各々における第１端部に第１切欠部が形成されている。
　本開示に係る誘電体フィルタによれば、共振器とシールド導体との接続部分において、共振器の端部に切欠部が形成された構成を有している。この切欠部によって当該接続部分における積層方向の導体密度が低減されるため、誘電体フィルタの製造時において接続部分における構造欠陥の発生が抑制される。また、共振器とシールド導体との接続部分は電流密度が相対的に大きくなりやすいため、構造欠陥の抑制によって、フィルタ特性への影響も低減することができる。
実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路を有する通信装置のブロック図である。 実施の形態１のフィルタ装置の外観斜視図である。 実施の形態１のフィルタ装置の内部構造を示す透過斜視図である。 実施の形態１のフィルタ装置の平面図である。 実施の形態１のフィルタ装置の断面図である。 変形例１のフィルタ装置の断面図である。 変形例２のフィルタ装置の断面図である。 変形例２の切欠部を形成するための導体形状の例を示す図である。 変形例３のフィルタ装置の断面図である。 変形例３の切欠部を形成するための導体形状の例を示す図である。 変形例４のフィルタ装置の平面図である。 実施の形態２のフィルタ装置の内部構造を示す透過斜視図である。 実施の形態２のフィルタ装置の平面図である。
　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
　［実施の形態１］
　（通信装置の基本構成）
　図１は、実施の形態１のフィルタ装置が適用される高周波フロントエンド回路２０を有する通信装置１０のブロック図である。通信装置１０は、たとえば、スマートフォンに代表される携帯端末、あるいは、携帯電話基地局である。
　図１を参照して、通信装置１０は、アンテナ１２と、高周波フロントエンド回路２０と、ミキサ３０と、局部発振器３２と、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）４０と、ＲＦ回路５０とを備える。また、高周波フロントエンド回路２０は、バンドパスフィルタ２２，２８と、増幅器２４と、減衰器２６とを含む。なお、図１においては、高周波フロントエンド回路２０が、アンテナ１２から高周波信号を送信する送信回路を含む場合について説明するが、高周波フロントエンド回路２０はアンテナ１２を介して高周波信号を受信する受信回路を含んでいてもよい。
　通信装置１０は、ＲＦ回路５０から伝達された信号を高周波信号にアップコンバートしてアンテナ１２から放射する。ＲＦ回路５０から出力された変調済みのデジタル信号は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってアナログ信号に変換される。ミキサ３０は、Ｄ／Ａコンバータ４０によってアナログ信号に変換された信号を、局部発振器３２からの発振信号と混合して高周波信号へとアップコンバートする。バンドパスフィルタ２８は、アップコンバートによって生じた不要波を除去して、所望の周波数帯域の信号のみを抽出する。減衰器２６は、信号の強度を調整する。増幅器２４は、減衰器２６を通過した信号を、所定のレベルまで電力増幅する。バンドパスフィルタ２２は、増幅過程で生じた不要波を除去するとともに、通信規格で定められた周波数帯域の信号成分のみを通過させる。バンドパスフィルタ２２を通過した信号は、送信信号としてアンテナ１２から放射される。
　上記のような通信装置１０におけるバンドパスフィルタ２２，２８として、本開示に対応したフィルタ装置を採用することができる。
　（フィルタ装置の構成）
　次に図２～図５を用いて、実施の形態１のフィルタ装置１００の詳細な構成について説明する。フィルタ装置１００は、分布定数素子である複数の共振器により構成される誘電体フィルタである。
　図２は、フィルタ装置１００の外観斜視図である。図２においては、フィルタ装置１００の外表面から見ることができる構成についてのみ示されており、内部の構成については省略されている。図３は、フィルタ装置１００の内部構造を示す透過斜視図である。図４は、フィルタ装置１００を積層方向から見た平面図である。また、図５は、図４の線Ｖ－Ｖにおける断面図である。
　図２を参照して、フィルタ装置１００は、複数の誘電体層が積層方向に積層された、直方体または略直方体の積層体１１０を備えている。積層体１１０は、上面１１１と、下面１１２と、側面１１３と、側面１１４と、側面１１５と、側面１１６とを有している。側面１１３は、Ｘ軸の正方向の側面であり、側面１１４はＸ軸の負方向の側面である。側面１１５，１１６はＹ軸方向に垂直な側面である。
　積層体１１０の各誘電体層は、たとえば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low　Temperature　Co-fired　Ceramics）などのセラミックス、あるいは樹脂により形成されている。積層体１１０の内部において、各誘電体層に形成された複数の平板導体、および、誘電体層間に形成された複数のビアによって、共振器を構成する分布定数素子、ならびに、当該分布定数素子間を結合するためのキャパシタおよびインダクタが構成される。本明細書において「ビア」とは、異なる誘電体層に設けられた導体同士を接続し、積層方向に延在する導体を示す。ビアは、たとえば、導電ペースト、めっき、および／または金属ピンなどによって形成される。
　なお、以降の説明においては、積層体１１０の積層方向を「Ｚ軸方向」とし、Ｚ軸方向に垂直であって積層体１１０の長辺に沿った方向を「Ｘ軸方向」（第２方向）とし、積層体１１０の短辺に沿った方向を「Ｙ軸方向」（第１方向）とする。また、以下では、各図におけるＺ軸の正方向を上側、負方向を下側と称する場合がある。
　図２に示されるように、フィルタ装置１００は、積層体１１０の側面１１５，１１６を覆う、シールド導体１２１，１２２を備えている。シールド導体１２１，１２２は、積層体１１０のＸ軸方向から見たときに略Ｃ字形状を有している。すなわち、シールド導体１２１，１２２は、積層体１１０の上面１１１および下面１１２の一部を覆っている。シールド導体１２１，１２２において、積層体１１０の下面１１２に配置された部分は、図示しない実装基板上の接地電極に、はんだバンプなどの接続導体によって接続される。すなわち、シールド導体１２１，１２２は接地端子としても機能する。
　また、フィルタ装置１００は、積層体１１０の下面１１２に入力端子Ｔ１および出力端子Ｔ２を備えている。入力端子Ｔ１は、下面１１２において、Ｘ軸の正方向の側面１１３に近い位置に配置されている。一方で、出力端子Ｔ２は、下面１１２において、Ｘ軸の負方向の側面１１４に近い位置に配置されている。入力端子Ｔ１および出力端子Ｔ２は、実装基板上の対応する電極に、はんだバンプなどの接続導体によって接続される。
　次に図３を参照して、フィルタ装置１００の内部構造について説明する。フィルタ装置１００は、図２に示した構成に加えて、平板電極１３０，１３５と、複数の共振器１４１～１４５と、キャパシタ電極１６１～１６５と、接続導体１７１～１７５とをさらに備える。なお、以降の説明において、共振器１４１～１４５、キャパシタ電極１６１～１６５および接続導体１７１～１７５を、それぞれ包括的に「共振器１４０」、「キャパシタ電極１６０」、および「接続導体１７０」と称する場合がある。
　平板電極１３０，１３５は、積層体１１０の内部において積層方向（Ｚ軸方向）に離間した位置に、互いに対向して配置されている。平板電極１３０は、上面１１１に近い誘電体層に設けられており、Ｘ軸に沿った端部においてシールド導体１２１，１２２に接続されている。平板電極１３０は、積層方向から平面視した場合に、誘電体層をほぼ覆うような形状を有している。
　平板電極１３５は、積層体１１０の下面１１２に近い誘電体層に設けられている。平板電極１３５は、積層方向から平面視した場合に、入力端子Ｔ１および出力端子Ｔ２に対向する部分に切欠部が形成された、略Ｈ型形状を有している。平板電極１３５は、Ｘ軸に沿った端部においてシールド導体１２１，１２２に接続されている。
　積層体１１０において、平板電極１３０と平板電極１３５との間に、共振器１４１～１４５が配置されている。フィルタ装置１００においては、共振器１４１～１４５は、積層体１１０の内部においてＸ軸方向（第２方向）に並んで配置されている。より具体的には、Ｘ軸の正方向から負方向に向かって、共振器１４１，１４２，１４３，１４４，１４５の順に配置されている。
　共振器１４１～１４５の各々はＹ軸方向（第１方向）に延在している。共振器１４１～１４５の各々におけるＹ軸の正方向の端部（第１端部）は、シールド導体１２１に接続されている。一方、共振器１４１～１４５の各々におけるＹ軸の負方向の端部（第２端部）は、シールド導体１２２から離間している。
　共振器１４１～１４５の各々は、積層方向に沿って配置された複数の導体によって構成されている。各共振器を構成する導体の数は、たとえば１３以上である。共振器１４０において、各共振器を構成する複数の導体は、シールド導体１２２側の第２端部に近い位置において、接続導体１７０によって電気的に接続されている。各共振器において、伝達される高周波信号の波長をλとすると、各共振器のＹ軸方向の長さは約λ／４となるように設計される（図４）。共振器１４０は、複数の導体を中心導体とし、平板電極１３０，１３５を外導体とする、分布定数型のＴＥＭモード共振器として機能する。
　図３および図４に示されるように、共振器１４１～１４５におけるシールド導体１２１との接続部分には、切欠部２０１～２０５（以下、包括的に「切欠部２００」とも称する。）がそれぞれ形成されている。図５は、図４において切欠部２００を通る線Ｖ－Ｖに沿った断面である。図５に示されるように、実施の形態１の誘電体フィルタにおいては、各共振器におけるすべての導体において、各導体のＸ軸方向の中央付近に切欠部が形成されている。切欠部２００の寸法は、たとえば、共振器のＸ軸方向の導体幅が３００μｍの場合には、５０μｍ±３０μｍに設定される。
　共振器１４１は、ビアＶ１０，Ｖ１１および平板電極ＰＬ１を介して、入力端子Ｔ１に接続されている。なお、図３においては、共振器によって隠れて見えなくなっているが、共振器１４５は、ビアおよび平板電極ＰＬ２を介して出力端子Ｔ２に接続されている。共振器１４１～１４５は、互いに磁気結合しており、入力端子Ｔ１に入力された高周波信号は、共振器１４１～１４５の順に伝達されて、出力端子Ｔ２から出力される。このとき、各共振器間の結合度合いによって、フィルタ装置１００はバンドパスフィルタとして機能する。
　共振器１４０の第２端部側には、隣接する共振器との間に突出したキャパシタ電極Ｃ１０～Ｃ５０が設けられている。キャパシタ電極は、共振器を構成する複数の導体の一部が張り出した構造となっている。キャパシタ電極のＹ軸方向の長さ、隣接する共振器との距離、および／または、キャパシタ電極を構成する導体の数によって、共振器間の容量結合の度合いを調整することができる。
　フィルタ装置１００においては、図３に示されるように、共振器１４１から共振器１４２に向かってキャパシタ電極Ｃ１０が突出して設けられており、共振器１４２から共振器１４１に向かってキャパシタ電極Ｃ２０が突出して設けられている。また、共振器１４３から共振器１４２に向かってキャパシタ電極Ｃ３０が突出して設けられており、共振器１４４から共振器１４３に向かってキャパシタ電極Ｃ４０が突出して設けられている。さらに、共振器１４５から共振器１４４に向かってキャパシタ電極Ｃ５０が突出して設けられている。
　なお、キャパシタ電極Ｃ１０～Ｃ５０は必須の構成ではなく、共振器間の所望の結合度合いが実現できれば、一部または全部のキャパシタ電極は設けられなくてもよい。また、図３の構成に加えて、フィルタ装置は、共振器１４２から共振器１４３に向かって突出して設けられたキャパシタ電極、共振器１４３から共振器１４４に向かって突出して設けられたキャパシタ電極、共振器１４４から共振器１４５に向かって突出して設けられたキャパシタ電極を備えていてもよい。
　また、フィルタ装置１００においては、共振器１４０の第２端部に対向して、キャパシタ電極１６０が配置されている。キャパシタ電極１６０のＺＸ平面に平行な断面は、共振器１４０と同様の断面を有している。キャパシタ電極１６０は、シールド導体１２２に接続されている。これにより、共振器１４０と、対応するキャパシタ電極１６０とによってキャパシタが構成される。図４に示される、共振器１４０とキャパシタ電極１６０との間のギャップ（Ｙ軸方向の距離）ＧＰを調整することによって、共振器１４０と対応するキャパシタ電極１６０とによって構成されるキャパシタのキャパシタンスを調整することができる。
　上記のような誘電体フィルタにおいては、一般的に、平板導体が配置された複数の誘電体層を積層し、圧着あるいは焼結することによって製造される。誘電体フィルタの製造プロセスにおいて、部分的に積層方向の導体密度が大きい部分が存在すると、導体密度が小さい部分との熱膨張係数の差により、導体と誘電体との間においてクラック、誘電体層間の剥がれ、および／または、積層体の表面の平坦性の悪化などの構造欠陥が生じる可能性がある。構造欠陥が生じると、設計で意図していたキャパシタンスおよびインダクタンスが実現できず、フィルタ特性が低下するおそれがある。
　また、実施の形態１のような分布定数素子によって構成される誘電体フィルタにおいては、各共振器とシールド導体との接続部分における電流密度が、他の部分よりも相対的に大きくなる。このような部分において構造欠陥が生じてしまうと、過度な発熱が生じたり、接続部分の抵抗成分が大きくなったりすることにより、機器の破損あるいはフィルタ特性の低下を招く可能性がある。
　実施の形態１のフィルタ装置１００では、共振器１４１～１４５とシールド導体１２１との接続部分において、共振器を構成する導体の中央付近に切欠部２００が形成されている。切欠部２００が形成されることによって、当該接続部分における導体密度が低減されるため、フィルタ装置１００の製造プロセスにおいて構造欠陥が発生することが抑制される。
　また、一般的に、高周波電流が導体を流れる場合、縁端効果によって、主に導体の表面付近に高周波電流が流れることが知られている。フィルタ装置１００においては、上述したように、共振器を構成する複数の導体における幅方向の中心部分に切欠部が形成されており、導体において高周波電流が集中しやすい幅方向の端部において共振器の導体とシールド導体１２１とが接続されている。そのため、切欠部が形成されていても、切欠部が形成されない場合と同程度の導通抵抗が維持されるので、導通損失の増加が抑制される。これによってＱ値の低下が抑制されるため、結果としてフィルタ特性の低下が抑制される。
　以上のように、実施の形態１のフィルタ装置１００においては、共振器１４０におけるシールド導体１２１との接続部分に切欠部２００を形成することによって、フィルタ特性の低下を抑制しつつ、製造時における構造欠陥の発生を抑制することができる。
　なお、実施の形態１における「平板電極１３０」および「平板電極１３５」は、本開示における「第１平板電極」および「第２平板電極」にそれぞれ対応する。実施の形態１における「シールド導体１２１」および「シールド導体１２２」は、本開示における「第１シールド導体」および「第２シールド導体」にそれぞれ対応する。実施の形態１における「側面１１５」および「側面１１６」は、本開示における「第１側面」および「第２側面」にそれぞれ対応する。実施の形態１における「切欠部２０１～２０５」の各々は、本開示における「第１切欠部」に対応する。実施の形態１における「接続導体１７１～１７５」の各々は、本開示における「第２接続導体」に対応する。
　（変形例１）
　変形例１においては、共振器に形成される切欠部の他の構成について説明する。図６は、変形例１のフィルタ装置１００Ａにおける共振器の切欠部の断面図である。フィルタ装置１００Ａにおいては、各共振器を形成する複数の導体のうち、平板電極１３０に最も近い最上層の導体１９１、および、平板電極１３５に最も近い最下層の導体１９２には切欠部が形成されていない。言い換えれば、最上層および最下層の導体を除く導体１９３に切欠部が形成されている。フィルタ装置１００Ａにおけるその他の構成については、実施の形態１のフィルタ装置１００と同様であるので、重複する要素の説明は繰り返さない。
　上述のように、高周波電流は、縁端効果によって通過する導体の表面を流れる傾向にある。そのため、共振器の断面を見た場合、共振器のＸ軸方向の端部に加えて、Ｚ軸方向の端部（すなわち、最上層および最下層の導体）にも電流が流れやすい。したがって、共振器における最上層および最下層の導体に切欠部を形成しない構成とすることによって導通抵抗を低減させて、電流通過に伴う損失を低減することができる。その結果、フィルタ特性の低下をさらに抑制することが可能となる。
　なお、変形例１における「導体１９１」、「導体１９２」および「導体１９３」は、本開示における「第１導体」、「第２導体」および「第３導体」にそれぞれ対応する。
　（変形例２）
　変形例２においては、共振器に形成される切欠部のさらに他の構成について説明する。図７は、変形例２のフィルタ装置１００Ａ１における共振器の切欠部の断面図である。フィルタ装置１００Ａ１においては、各共振器を形成する複数の導体が２種類の形状の導体から構成されており、当該２種類の導体が積層方向に交互に積層されている。
　より詳細には、図８の左図（Ａ）に示されるように、実施の形態１と同様に、Ｘ軸方向の中央付近に切欠きが形成された第１形状の導体１９４と、図８の右図（Ｂ）に示されるように、Ｘ軸方向の両端部に切欠きが形成された第２形状の導体１９５とが交互に配置されている。第１形状の導体１９４には、導体のＸ軸方向寸法の約１／３の切欠きが中央付近に形成されている。逆に、第２形状の導体１９５においては、中央付近においてＸ軸方向寸法の約１／３だけ導体が残された形状となっている。
　このような２種類の形状の導体１９４，１９５を交互に積層することによって、シールド導体１２１に接続される共振器１４０の端部において、積層方向の導体密度が均等化されるため、製造プロセスにおける構造欠陥を抑制することができる。
　（変形例３）
　変形例３においては、共振器に形成される切欠部のさらに他の構成について説明する。図９は、変形例３のフィルタ装置１００Ａ２における共振器の切欠部の断面図である。フィルタ装置１００Ａ２においては、各共振器を形成する複数の導体が３種類の形状の導体から構成されており、当該３種類の導体が積層方向に順に積層されている。
　より詳細には、複数の導体は、図１０の左図（Ａ）に示されるような第３形状の導体１９６と、図１０の中央図（Ｂ）に示されるような第４形状の導体１９７と、図１０の右図（Ｃ）に示されるような第５形状の導体１９８とを含んでいる。
　第３形状の導体１９６は、変形例２の第２形状の導体１９５と同様に、Ｘ軸方向の両端部に切欠きが形成されており、中央付近においてＸ軸方向寸法の約１／３だけ導体が残された形状となっている。第４形状の導体１９７は、Ｘ軸の負方向の端部から中央部にかけて切欠きが形成されており、Ｘ軸の正方向の端部にＸ軸方向寸法の約１／３だけ導体が残された形状となっている。第５形状の導体１９８は、Ｘ軸の正方向の端部から中央部にかけて切欠きが形成されており、Ｘ軸の負方向の端部にＸ軸方向寸法の約１／３だけ導体が残された形状となっている。
　このような３種類の形状の導体１９６，１９７，１９８を積層方向に順に積層することによって、シールド導体１２１に接続される共振器１４０の端部において、積層方向の導体密度が均等化されるため、製造プロセスにおける構造欠陥を抑制することができる。
　（変形例４）
　変形例４においては、共振器１４０に対向して設けられるキャパシタ電極１６０にも切欠部が形成される構成について説明する。
　図１１は、変形例４のフィルタ装置１００Ｂを積層方向（Ｚ軸方向）から見た平面図である。フィルタ装置１００Ｂにおいては、シールド導体１２２に接続されているキャパシタ電極１６１～１６５を構成する複数の導体について、シールド導体１２２との接続部分に切欠部２１１～２１５が形成されている。フィルタ装置１００Ｂにおけるその他の構成については、実施の形態１のフィルタ装置１００と同様であるので、重複する要素の説明は繰り返さない。
　キャパシタ電極１６０に切欠部を形成することによって、キャパシタ電極１６０とシールド導体１２２との接続部分における導体密度を低減できるので、製造時の構造欠陥の発生を抑制することができる。
　また、このような誘電体フィルタは、一般的には、複数個の共振器を平面方向に並べて一括成形し、それらを分割することよって製造される。共振器１４０とシールド導体１２１との接続部分の形状と、キャパシタ電極１６０とシールド導体１２２との接続部分の形状とを同一とすることによって、分割精度に起因して接続部の形状が変わってしまうことが防止できる。そのため、フィルタ特性のばらつきを抑制するとともに、生産性向上を実現することができる。
　なお、変形例４における「切欠部２１１～２１５」の各々は、本開示における「第２切欠部」に対応する。
　［実施の形態２］
　実施の形態２においては、各共振器の接地端（第１端部）側に、平板電極に接続される接続導体が設けられた構成について説明する。
　図１２は、実施の形態２のフィルタ装置１００Ｃの内部構造を示す透過斜視図である。また、図１３は、フィルタ装置１００Ｃを積層方向から見たときの平面図である。
　図１２および図１３を参照して、フィルタ装置１００Ｃにおいては、共振器１４１～１４５は、シールド導体１２１に接続されている第１端部に近い位置において、それぞれ接続導体１５１～１５５を介して平板電極１３０，１３５に接続されている。接続導体１５１～１５５の各々は、平板電極１３０から、対応する共振器の複数の導体を貫通して平板電極１３５まで延在している。接続導体１５１～１５５の各々は、対応する共振器を形成する複数の導体と電気的に接続されている。
　このような構成においては、各共振器を流れる電流の大部分は、接続導体１５１～１５５を介して、接地端子（すなわち、平板電極１３０，１３５およびシールド導体１２１）に流れる。そのため、各共振器の有効長さは第２端部から当該接続導体までの長さとなる。フィルタ装置１００Ｃにおいては、各共振器における第２端部から接続導体（１５１～１５５）までの長さがλ／４となるように設計される。
　ここで、フィルタ装置１００Ｃにおいては、各共振器の第１端部側に形成される切欠部２０１～２０５は、第１端部から接続導体１５１～１５５までの間に形成される。上記のように、各共振器を流れる電流の大部分は接続導体１５１～１５５を通過するため、シールド導体１２１から接続導体１５１～１５５までの間に切欠部２０１～２０５が形成されてもフィルタ特性に与える影響は小さい。そのため、実施の形態１のフィルタ装置１００よりも切欠部２０１～２０５のサイズを大きくすることもでき、導体密度をさらに低減することができる。したがって、構造欠陥の発生をさらに低減することが可能となる。
　なお、実施の形態２における「接続導体１５１～１５５」の各々は、本開示における「第１接続導体」に対応する。
　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１０　通信装置、１２　アンテナ、２０　高周波フロントエンド回路、２２，２８　バンドパスフィルタ、２４　増幅器、２６　減衰器、３０　ミキサ、３２　局部発振器、４０　Ｄ／Ａコンバータ、５０　ＲＦ回路、１００，１００Ａ～１００Ｃ，１００Ａ１，１００Ａ２　フィルタ装置、１１０　積層体、１１１　上面、１１２　下面、１１３～１１６　側面、１２１，１２２　シールド導体、１３０，１３５，ＰＬ１，ＰＬ２　平板電極、１４０～１４５　共振器、１５１～１５５，１７０～１７５　接続導体、１６０～１６５，Ｃ１０～Ｃ５０　キャパシタ電極、１９１～１９８　導体、２００～２０５，２１１～２１５　切欠部、Ｔ１　入力端子、Ｔ２　出力端子、Ｖ１０，Ｖ１１　ビア。

Claims (10)

  1. 　複数の誘電体層含み、直方体の形状を有する積層体と、
    　前記積層体の内部において積層方向に離間して配置された第１平板電極および第２平板電極と、
    　前記第１平板電極と前記第２平板電極との間に配置され、前記積層方向に直交する第１方向に延在した複数の共振器と、
    　前記積層体において、前記第１方向に垂直な第１側面および第２側面にそれぞれ配置され、前記第１平板電極および前記第２平板電極に接続された第１シールド導体および第２シールド導体とを備え、
    　前記複数の共振器は、前記積層体の内部において、前記積層方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向に並んで配置されており、
    　前記複数の共振器の各々の第１端部は前記第１シールド導体に接続されており、第２端部は前記第２シールド導体から離間しており、
    　前記複数の共振器の各々における第１端部に第１切欠部が形成されている、誘電体フィルタ。
  2. 　前記複数の共振器の各々の第１端部側に配置され、対応する共振器を前記第１平板電極および前記第２平板電極に接続する第１接続導体をさらに備える、請求項１に記載の誘電体フィルタ。
  3. 　前記第１切欠部は、前記第１シールド導体と前記第１接続導体との間に形成される、請求項２に記載の誘電体フィルタ。
  4. 　前記複数の共振器の各々は、前記第１方向に延在し前記積層方向に積層された複数の導体によって構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の誘電体フィルタ。
  5. 　前記複数の導体は、
    　　前記第１平板電極に最も近い誘電体層に配置された第１導体と、
    　　前記第２平板電極に最も近い誘電体層に配置された第２導体と、
    　　前記第１導体と前記第２導体との間の誘電体層に配置された少なくとも１つの第３導体とを含み、
    　前記第１切欠部は、前記第３導体における第１端部に形成されている、請求項４に記載の誘電体フィルタ。
  6. 　前記複数の共振器の各々における第２端部側に配置され、前記複数の導体を互いに電気的に接続する第２接続導体をさらに備える、請求項４または５に記載の誘電体フィルタ。
  7. 　前記複数の共振器の各々の第２端部に対向し、前記第２シールド導体に接続されたキャパシタ電極をさらに備える、請求項１～６のいずれか１項に記載の誘電体フィルタ。
  8. 　前記キャパシタ電極における前記第２シールド導体との接続部分に第２切欠部が形成されている、請求項７に記載の誘電体フィルタ。
  9. 　前記積層方向から平面視した場合に、前記第１切欠部は、前記複数の導体の各々における幅方向の中央付近に形成されている、請求項４に記載の誘電体フィルタ。
  10. 　前記積層方向から平面視した場合に、前記第１切欠部は、前記第３導体における幅方向の中央付近に形成されている、請求項５に記載の誘電体フィルタ。
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