JP2007158440A - 積層型誘電体共振器およびバンドパスフィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】Ｑ値を高い状態に維持しながら、共振周波数を変化させることが可能であり、しかも低損失で小型サイズの積層型誘電体共振器を提供すること。
【解決手段】誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部Ｃ１〜Ｃ３とインダクタ部Ｌ１，Ｌ２とが形成してある積層型誘電体共振器２である。インダクタ部Ｌ１，Ｌ２が、誘電体層４０を介して積層されて端部において接続される複数層の直線パターンで構成してある。直線パターンの一部が、他の部分よりも幅が狭い調整用直線パターンを有する。
【選択図】図６

Description

本発明は、積層型誘電体共振器およびバンドパスフィルタに関する。

地上波ＴＶ放送、携帯電話、テレビ付き携帯電話などの無線通信システムの多様化に伴い、バンドパスフィルタやデュプレクサなど、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚのマイクロ波帯において共振回路を構成する積層型誘電体共振器に関しては、小型で、低損失な共振器が望まれている。

積層型誘電体共振器の低損失化を実現させるためには、Ｑ値（＝1／ｔａｎδ）を向上させる必要がある。共振回路のＱ値は、主に誘電体基板の誘電体による損失（誘電体損）と共振回路を構成する内部電極による損失（導体損）とによって決まる。一般に、マイクロ波帯以下の低周波帯では、誘電体損よりも導体損の方がＱ値に対して支配的である。

したがって、積層型誘電体共振器の低損失化を実現させてＱ値を向上させるためには、共振回路を構成する内部電極を形成する導体材料の比抵抗を小さくすることと、内部電極の幅や厚みを大きくすることとが考えられる。

しかしながら、内部電極の比抵抗を小さくすることは、材料およびコスト面で限界が生じるおそれがあり、内部電極の幅や厚みを大きくすることは、その積層型誘電体共振器を有する電子部品が大型化するという問題がある。

そこで、積層型誘電体共振器のサイズを大きくすることなく、Ｑ値を向上させる手段として、下記の特許文献１および２に示すように、表面に内部電極（長手パターン）がそれぞれ形成された複数枚の誘電体層を多数重ねることが提案されている。

このような構造の積層型誘電体共振器において、共振周波数を調整する方法としては、コンデンサ部の電極面積を変化させる方法がある。たとえば現状では２．７ＧＨｚ対応の共振器の共振周波数を、２．４ＧＨｚに対応させるためには、コンデンサの電極面積を大きくする必要がある。しかしながら、この手法では、積層型誘電体共振器のサイズが大きくなってしまう。

また、共振周波数を調整するその他の方法としては、インダクタ部を構成する内部電極パターンの幅を一律に狭くしてしまうことも考えられる。しかしながら、この方法では、共振周波数を変えられるが、Ｑ値が低くなってしまう。
特開平４−４３７０３号公報 特開２００１−２３７６１９号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、Ｑ値を高い状態に維持しながら、共振周波数を変化させることが可能であり、しかも低損失で小型サイズの積層型誘電体共振器を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る積層型誘電体共振器は、
誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部とインダクタ部とが形成してある積層型誘電体共振器であって、
前記インダクタ部が、前記誘電体層を介して積層されて端部において接続される複数層の長手パターンで構成してあり、
少なくとも一つの前記長手パターンの一部が、他の部分よりも幅が狭い調整部を有することを特徴とする。

本発明に係る積層型誘電体共振器では、インダクタ部が、誘電体層を介して積層されて端部において接続される複数層の長手パターンで構成してあるために、Ｑ値を高く設定することが可能であり、低損失である。すなわち、本発明では、従来構造に比較して、より多くの電流を通過させることが可能であり、挿入損失が少ない。

また、本発明では、コンデンサ部を構成する内部電極層のサイズを変化させることなく、長手パターンの一部に、他の部分よりも幅が狭い調整部を形成してあるために、共振器の小型化を図ることができる。

しかも本発明では、長手パターンの全体を一律に幅狭にするのではなく、その一部のみに、他の部分よりも幅が狭い調整部を形成してあるために、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を低下させて調整することが可能になる。このように、長手パターンの全体を一律に幅狭にするのではなく、その一部のみに、他の部分よりも幅が狭い調整部を形成することで、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させることができることを見出したのは、本願発明者等が初めてである。

好ましくは、平面側から見て重複するように誘電体層を介して３〜５層の前記長手パターンが積層してあり、前記インダクタ部を構成している。さらに好ましくは、平面側から見て重複するように誘電体層を介して３層または５層の前記長手パターンが積層してあり、前記インダクタ部を構成している。

インダクタ部を構成する長手パターンは、積層方向に１層および２層よりも３層で、Ｑ値が高くなり、４層では、多少３層よりもＱ値が低くなるが、５層になると、最も高いＱ値となり、６層では、５層よりもＱ値が低下する傾向にある。このことは本願発明者等の実験により確認されている。

好ましくは、長手パターンの端部には、コンデンサ部の一方の電極となるコンデンサ電極部が形成してあり、当該コンデンサ電極部から離れている部分に、前記調整部が形成してある。このようなパターンの場合に、Ｑ値が向上する。

好ましくは、長手パターンが直線パターンであり、当該直線パターンの途中で、両側から段差状に幅が狭くなり、前記調整部が形成してある。このようなパターンである場合に、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させることができる。

あるいは、前記長手パターンが直線パターンであり、当該直線パターンの途中で、片側のみで段差状に幅が狭くなり、前記調整部が形成してもよい。この場合にも、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させることができる。

好ましくは、誘電体層を介して積層してある前記長手パターンのうち、積層方向の中央に位置する長手パターンの幅が最も広く、その中央に位置する長手パターンから積層方向に離れるほど、長手パターンの幅が狭くなるように構成してある。このような電極パターン構造によれば、製造時に積層ズレなどが生じても、特性変動が少ない。

好ましくは、前記誘電体層を介して積層してある前記長手パターンのうち、積層方向の中央に位置する長手パターンから積層方向に最も離れた位置に配置してある長手パターンに、前記調整部が形成してある。このような電極パターン構造によれば、製造時に積層ズレなどが生じても、特性変動が少ないと共に、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させる効果が大きい。

好ましくは、同一の誘電体層の表面には、同じ形状を有する一対以上の長手パターンが線対称位置に形成してある。このような電極パターン構造によれば、Ｑ値を高く設定することができる。

好ましくは、同一の前記誘電体層の表面形成してある一対の長手パターンのそれぞれには、入出力端子に接続するリードパターンが接続してある。このような電極パターン構造によれば、共振器回路を構成しやすい。

好ましくは、前記長手パターンの調整部が接地用端子電極に接続してある。このような電極パターン構造によれば、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させる効果が大きい。

本発明に係る積層型誘電体共振器は、バンドパスフィルタやデュプレクサなどとして利用できるが、好ましくはバンドパスフィルタとして利用される。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

図１は本発明の一実施形態に係る積層型バンドパスフィルタの全体斜視図、
図２は図１に示すII−II線に沿う断面図、
図３は図１に示すIII−III線に沿う断面図、
図４〜図１２は図２および図３に示す内部電極層の平面図、
図１３は図１〜図１２に示す積層型バンドパスフィルタの等価回路図である。

図１〜図３に示すように、本実施形態に係る積層型誘電体共振器の一例としての積層型バンドパスフィルタ２は、素子本体４を有する。素子本体４の内部には、誘電体層４０を介して、複数の内部電極層２０〜３６が積層してある。これらの内部電極層２０〜３６のパターンおよび積層構造により、図１３に示すコンデンサ部Ｃ１〜Ｃ３と、インダクタ部Ｌ１およびＬ２とが形成してあり、バンドパスフィルタ回路を構成している。

図１に示すように、素子本体４は、直方体形状を有し、その大きさは、特に限定されないが、縦（Ｘ軸方向）１．０〜３．０mm、横（Ｙ軸方向）０．５〜２．５mm、高さ（積層方向Ｚに一致する）０．６〜１．０mm程度である。

素子本体４のＹ軸方向に対向する二側面４ｃおよび４ｄには、接地用端子電極電極１０および１２が形成してあり、Ｘ軸方向に対向する二側面４ａおよび４ｂには、入力端子電極６および出力端子電極８が形成してある。これらの端子電極６〜１２の材質は、特に限定されないが、たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらを主成分とする合金などが用いられる。

素子本体４には、図２および図３に示すように、積層方向Ｚの上から下に向けて、誘電体層４０を介して、内部電極層２０〜３６が積層してある。誘電体層４０は、たとえば誘電体グリーンシートを積層後に焼成して得られる。誘電体層４０の材質は、特に限定されず、たとえばＢａＴｉＯ_３系、ＢａＺｒＯ_３系、ＢａＮｄＴｉ系、ＢａＳｎＴｉ系などの誘電体材料が用いられる。各誘電体層４０の厚みは、特に限定されず、１０〜２００μｍである。

各誘電体層４０の上に形成してある内部電極層２０〜３６は、誘電体層４０となる誘電体グリーンシートの表面に印刷法などで形成され、グリーンシートと共に焼成されて内部電極となる。内部電極層２０〜３６を構成する金属としては、特に限定されず、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、及びそれらを主成分とする合金などが例示される。

なお、内部電極層２０および２２の間と、内部電極層３４および３６の間は、他の誘電体層４０の厚みに比べて大きい。厚みの大きい誘電体層４０は、内部電極層を構成する電極パターンを形成しないグリーンシートを多層に積層して焼成することにより得られる。

素子本体４の積層方向Ｚ軸の最も上側に位置する内部電極層２０は、図４に示すように、Ｙ軸方向に平行して延びる一対の直線パターン２０ａ，２０ａと、これらの直線パターン２０ａ，２０ａの中央部を幅広に接続する長方形パターン２０ｂとを有する。この内部電極層２０は、全体としてＨ字形状のパターンであり、平面矢視側から見て、Ｙ軸方向に延びる中心線に対して、線対称な電極パターンである。

直線パターン２０ａ，２０ａは、側面４ｃおよび４ｂ間を接続するように延び、図１に示す端子電極１０および１２に対して電気的に接続してある。長方形パターン２０ｂは、端子電極１０および１２には直接的には接続されていないが、直線パターン２０ａ，２０ａに対して接続してあるため、端子電極１０および１２と導通する。

図２および図３に示す厚めの誘電体層４０を介して内部電極層２０の下側に位置する内部電極層２２は、図５に示すように、Ｘ軸方向に延びる直線パターン２２ｂと、この直線パターン２２ｂの両側に形成してあり、Ｙ軸方向に延びる一対の直線パターン２２ａ，２２ａとを有する。この内部電極層２２は、図５に示すように、いずれの側面４ａ〜４ｄにも露出しない孤立パターンとなっており、図１３に示すコンデンサ部Ｃ２のフローティング電極となる。この内部電極層２２は、誘電体層４０の表面で、側面４ｃに近い位置で、Ｘ軸方向の中央位置に形成され、平面矢視側から見て、Ｙ軸方向に延びる中心線に対して、線対称な電極パターンである。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層２２の下側に位置する内部電極層２４は、図６に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン（長手パターンの１種）２４ａ，２４ａを有する。直線パターン２４ａ，２４ａの端部には、図１３に示すコンデンサ部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極を主として構成するコンデンサ電極部２４ｃ，２４ｃが一体に形成してある。

これらのコンデンサ電極部２４ｃ，２４ｃは、素子本体４の側面４ｃには露出せず、図５に示す誘電体層４０および内部電極層２２を介してコンデンサ部Ｃ２を構成する。また、これらのコンデンサ電極部２４ｃ，２４ｃは、その下側に位置する誘電体層４０を介して、後述する図８に示す内部電極層２８のコンデンサ電極部２８ｃとの間で、コンデンサ部Ｃ１およびＣ３を構成する。

各直線パターン２４ａにおけるコンデンサ電極部２４ｃから離れている端部分には、他の主要部分の幅Ｗ１よりも幅Ｗ２が狭い調整用直線パターン２４ａ１が形成してある。この調整用直線パターン２４ａ１の幅Ｗ２は、直線パターン２４ａの主要部分の幅Ｗ１よりも、５０〜１００μｍ程度に幅が狭くしてある。主要部分の幅Ｗ１は、特に限定されないが、本実施形態では、２００〜４００μｍである。

各調整用直線パターン２４ａ１の長さＤ２は、直線パターン２４ａの全長Ｄ１に対して、好ましくは８０〜１０％、さらに好ましくは６０〜４０％の長さである。また、直線パターン２４ａの全長Ｄ１は、素子本体のＹ軸方向の長さＤ０に対して、特に限定されないが、７０〜９０％の長さである。

この実施形態では、直線パターン２４ａの途中において、両側から段差状に幅が狭くなり、調整用直線パターン２４ａ１が形成してあるが、本発明では、片側のみで段差状に幅が狭くなり、調整用直線パターン２４ａ１を形成してもよい。

各調整用直線パターン２４ａ１の端部は、素子本体４の側面４ｄにまで露出し、図１に示す端子電極１２に接続してある。調整用直線パターン２４ａ１を含む直線パターン２４ａが、それぞれ、図１３に示すインダクタ部Ｌ１およびＬ２の一部を構成する。

各直線パターン２４ａの略中央部より多少側面４ｃ側には、それぞれ、リードパターン２４ｂが接続してある。各リードパターン２４ｂは、側面４ａおよび４ｂに露出するように延び、図１に示す入出力端子６および８にそれぞれ接続するようになっている。図６に示すように、内部電極層２４は、平面矢視側から見て、Ｙ軸方向に延びる中心線に対して、線対称な電極パターンである。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層２４の下側に位置する内部電極層２６は、図７に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン（長手パターンの１種）２６ａ，２６ａを有する。各直線パターン２６ａの幅Ｗ３は、図６に示す直線パターン２４ａにおける主要部の幅Ｗ１よりも、５０〜１００μｍほど幅広である。

各直線パターン２６ａは、平面矢視側から見て、図６に示す直線パターン２４ａがＸ軸方向ではみ出さない位置に形成してある。ただし、各直線パターン２６ａのＹ軸方向の長さは、直線パターン２４ａのＹ軸方向の長さＤ１よりも短く、平面矢視側から見て、直線パターン２４ａの端部が側面４ｃ方向に飛び出すようにしてある。

各直線パターン２６ａは、素子本体４の側面４ｄに露出し、図１に示す端子電極１２に接続してあり、図１３に示すインダクタ部Ｌ１およびＬ２を各々構成する。

各直線パターン２６ａには、それぞれ、リードパターン２６ｂが接続してある。各リードパターン２６ｂは、側面４ａおよび４ｂに露出するように延び、図１に示す入出力端子６および８にそれぞれ接続するようになっている。リードパターン２６ｂは、図６に示すリードパターン２４ｂと同じパターンである。図７に示す内部電極層２６も、平面矢視側から見て、Ｙ軸方向に延びる中心線に対して、線対称な電極パターンである。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層２６の下側に位置する内部電極層２８は、図８に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン（長手パターンの１種）２８ａ，２８ａを有する。各直線パターン２８ａの幅Ｗ４は、図７に示す直線パターン２６ａの幅Ｗ３よりも、０〜１００μｍほど幅広であることが好ましいが、必ずしもＷ４は幅広である必要はない。

各直線パターン２８ａは、平面矢視側から見て、図７に示す直線パターン２６ａがＸ軸方向ではみ出さない位置に形成してある。ただし、各直線パターン２８ａのＹ軸方向の長さは、直線パターン２６ａのＹ軸方向の長さと略同じである。

各直線パターン２８ａは、素子本体４の側面４ｄに露出し、図１に示す端子電極１２に接続してあり、図１３に示すインダクタ部Ｌ１およびＬ２を各々構成する。

各直線パターン２８ａには、それぞれ、リードパターン２８ｂが接続してある。各リードパターン２８ｂは、側面４ａおよび４ｂに露出するように延び、図１に示す入出力端子６および８にそれぞれ接続するようになっている。リードパターン２８ｂは、図６に示すリードパターン２４ｂと同じパターンである。

図８に示すように、直線パターン２８ａ，２８ａの端部から所定距離離れた位置には、長方形状のコンデンサ電極部２８ｃが形成してある。このコンデンサ電極部２８ｃは、平面矢視側から見て、図６に示す一対のコンデンサ電極部２４ｃ，２４ｃを完全に覆う面積で形成してあり、これらの電極部と共に、コンデンサ部Ｃ１およびＣ２を形成する。

図８に示すコンデンサ電極部２８ｃは、素子本体４の側面４ｃに露出し、図１に示す端子電極１０に接続してある。図８に示す内部電極層２８も、平面矢視側から見て、Ｙ軸方向に延びる中心線に対して、線対称な電極パターンである。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層２８の下側に位置する内部電極層３０は、図９に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン（長手パターンの１種）３０ａ，３０ａと、リードパターン３０ｂとを有する。この内部電極層３０は、図７に示す内部電極層２６と同じ電極パターンを有する。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層３０の下側に位置する内部電極層３２は、図１０に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン（長手パターンの１種）３２ａ，３２ａと、その一部である調整用直線パターン３２ａ１と、リードパターン３２ｂと、コンデンサ電極部３２ｃとを有する。この内部電極層３２は、図６に示す内部電極層２４と同じ電極パターンを有する。

図２および図３に示す薄い誘電体層４０を介して内部電極層３２の下側に位置する内部電極層３４は、図１１に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン３４ａ，３４ａと、それらを連結するようにＸ軸方向に延びる直線パターン３４ｂとを有する。この内部電極層３４は、図５に示す内部電極層２２と同じ電極パターンを有する。

図２および図３に示す厚い誘電体層４０を介して内部電極層３４の下側に位置する内部電極層３６は、図１２に示すように、Ｙ軸方向に平行に延びる一対の直線パターン３６ａ，３６ａと、それらを連結するようにＸ軸方向に延びる長方形パターン３６ｂとを有する。この内部電極層３６は、図４に示す内部電極層２０と同じ電極パターンを有する。

本実施形態では、図１３に示すインダクタ部Ｌ１およびＬ２は、図６〜図１０に示す内部電極層２４〜３２の各直線パターン２４ａ〜３２ａで構成してある。すなわち、各インダクタ部Ｌ１およびＬ２は、誘電体層４０を介して５層の直線パターン２４ａ〜３２ａで構成してある。

本実施形態に係る積層型誘電体共振器２では、インダクタ部Ｌ１およびＬ２が、誘電体層４０を介して積層されて端部において接続される複数層の直線パターン２４ａ〜３２ａで構成してあるために、Ｑ値を高く設定することが可能であり、低損失である。すなわち、本実施形態では、従来構造に比較して、より多くの電流を通過させることが可能であり、挿入損失が少ない。

また、本実施形態では、コンデンサ部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を構成する内部電極層のサイズを変化させることなく、直線パターン２４ａ，３２ａの一部に、他の部分よりも幅が狭い調整用直線パターン２４ａ１および３２ａ１を形成してあるために、共振器の小型化を図ることができる。

しかも本実施形態では、直線パターン２４ａ〜３２ａの全体を一律に幅狭にするのではなく、その一部のみに、他の部分よりも幅が狭い調整用直線パターン２４ａ１，３２ａ１形成してあるために、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を低下させて調整することが可能になる。

さらに本実施形態では、誘電体層を介して５層の直線パターン２４ａ〜３２ａによりインダクタ部を構成しているので、Ｑ値を最大限に大きくすることができる。

さらにまた、本実施形態では、誘電体層４０を介して積層してある直線パターン２４ａ〜３２ａのうち、積層方向の中央に位置する直線パターン２８ａの幅Ｗ４が最も広く、その中央に位置する直線パターン２８ａから積層方向Ｚに離れている直線パターン２４ａ，２６ａ，３０ａ，３２ａほど、パターンの幅Ｗ３およびＷ１が狭くなるように構成してある。そのため、製造時に電極パターンの積層ズレなどが生じても、特性変動が少ない。

しかも、本実施形態では、誘電体層４０を介して積層してある直線パターン２４ａ〜３２ａのうち、積層方向の中央に位置する直線パターン２８から積層方向Ｚに最も離れた位置に配置してある直線パターン２４ａ，３２ａに、調整用直線パターン２４ａ１，３２ａ１が形成してある。このような電極パターン構造によれば、製造時に積層ズレなどが生じても、特性変動が少ないと共に、Ｑ値を低下させることなく、共振周波数を変化（低下）させる効果が大きい。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、上述した実施形態では、各インダクタ部Ｌ１およびＬ２は、誘電体層４０を介して５層の直線パターン２４ａ〜３２ａで構成してあるが、本発明では、これに限定されない。本発明では、図７および図９に示す内部電極層２６および３０を省略し、３層の電極層２４，２８，３２に形成してある直線パターン２４ａ，２８ａ，３２ａで各インダクタ部Ｌ１およびＬ２を構成しても良い。

あるいは、図７および図９に示す内部電極層２６および３０の直線パターン２６ａ，３０ａに、図６および図１０に示す調整用直線パターン２４ａ１，３２ａ１と同様な調整用直線パターンを形成しても良い。

また、本発明に係る積層型誘電体共振器は、バンドパスフィルタのみではなく、その他の用途の共振器としても使用することも可能である。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
図１〜図１３に示す積層型バンドパスフィルタのサンプルを実際に複数製造し、共振周波数およびＱ値の平均値を求めたところ、共振周波数の平均値は、約２．４ＧＨｚであり、Ｑ値の平均値は、８９．３であった。なお、直線パターン２４ａ，３２ａにおける主要部の幅Ｗ１は、３００μｍであり、その全長Ｄ１は１２００μｍであり、調整用直線パターン３２ａ１の幅Ｗ２は２６０μｍであり、その長さＤ２は、長さＤ１の約半分であった。また、素子本体４の縦横寸法は２．５mm×２．０mmであり、Ｚ軸方向の高さは１．０mmであった。

比較例１
直線パターン２４ａ，３２ａには、調整用直線パターン２４ａ１，３２ａ１を設けず、全長にわたり、幅Ｗ１＝３００μｍとした以外は、実施例１と同様にして、積層型バンドパスフィルタのサンプルを実際に複数製造し、共振周波数およびＱ値の平均値を求めた。共振周波数の平均値は、約２．７ＧＨｚであり、Ｑ値の平均値は、９０．０４であった。比較例１では、目的とする周波数領域を得ることができなかった。

比較例２
直線パターン２４ａ，３２ａには、調整用直線パターン２４ａ１，３２ａ１を設けず、全長にわたり、幅Ｗ１＝２８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、積層型バンドパスフィルタのサンプルを実際に複数製造し、共振周波数およびＱ値の平均値を求めた。共振周波数の平均値は、約２．４ＧＨｚであり、Ｑ値の平均値は、８４．１であった。比較例２では、目的とする周波数領域を得ることができたが、Ｑ値が低下してしまった。

図１は本発明の一実施形態に係る積層型バンドパスフィルタの全体斜視図である。 図２は図１に示すII−II線に沿う断面図である。 図３は図１に示すIII−III線に沿う断面図である。 図４は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つ平面図である。 図５は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図６は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図７は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図８は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図９は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図１０は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図１１は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図１２は図２および図３に示す内部電極層のうちの一つの平面図である。 図１３は図１〜図１２に示す積層型バンドパスフィルタの等価回路図である。

符号の説明

２… 積層型バンドパスフィルタ
４… 素子本体
６… 入力端子電極
８… 出力端子電極
１０，１２… 接地用端子電極
２０〜３６… 内部電極層
２４ａ〜３２ａ… 直線パターン
２４ａ１，３２ａ１… 調整用直線パターン（調整部）
２４ｂ〜３２ｂ… リードパターン
２４ｃ，３２ｃ… コンデンサ電極部
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３… コンデンサ部
Ｌ１，Ｌ２… インダクタ部

Claims (11)

1. 誘電体層を介して複数の内部電極層が積層してあり、これらの内部電極層のパターンおよび積層構造により、コンデンサ部とインダクタ部とが形成してある積層型誘電体共振器であって、
   前記インダクタ部が、前記誘電体層を介して積層されて端部において接続される複数層の長手パターンで構成してあり、
   少なくとも一つの前記長手パターンの一部が、他の部分よりも幅が狭い調整部を有することを特徴とする積層型誘電体共振器。
2. 平面側から見て重複するように、前記誘電体層を介して３〜５層の前記長手パターンが積層してあり、前記インダクタ部を構成している請求項1に記載の積層型誘電体共振器。
3. 前記長手パターンの端部には、前記コンデンサ部の一方の電極となるコンデンサ電極部が形成してあり、当該コンデンサ電極部から離れている部分に、前記調整部が形成してある請求項１または２に記載の積層型誘電体共振器。
4. 前記長手パターンが直線パターンであり、当該直線パターンの途中で、両側から段差状に幅が狭くなり、前記調整部が形成してある請求項１〜３のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
5. 前記長手パターンが直線パターンであり、当該直線パターンの途中で、片側のみで段差状に幅が狭くなり、前記調整部が形成してある請求項１〜３のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
6. 前記誘電体層を介して積層してある前記長手パターンのうち、積層方向の中央に位置する長手パターンの幅が最も広く、その中央に位置する長手パターンから積層方向に離れるほど、長手パターンの幅が狭くなるように構成してある請求項１〜５のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
7. 前記誘電体層を介して積層してある前記長手パターンのうち、積層方向の中央に位置する長手パターンから積層方向に最も離れた位置に配置してある長手パターンに、前記調整部が形成してある請求項１〜６のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
8. 同一の前記誘電体層の表面には、同じ形状を有する一対以上の長手パターンが線対称位置に形成してある請求項１〜７のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
9. 同一の前記誘電体層の表面形成してある一対の長手パターンのそれぞれには、入出力端子に接続するリードパターンが接続してある請求項８に記載の積層型誘電体共振器。
10. 前記長手パターンの調整部が接地用端子電極に接続してある請求項１〜９のいずれかに記載の積層型誘電体共振器。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の積層型誘電体共振器を有するバンドパスフィルタ。

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