DE4344333C2 - Hochfrequenzschalter - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Hochfre­ quenzschalter, und bezieht sich insbesondere auf einen Hochfrequenzschalter zum Schalten eines Signalweges in einer Hochfrequenzschaltung, zum Beispiel einem digitalen tragba­ ren Telefon oder ähnlichem.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird ein Hochfrequenzschalter zum Umschalten einer Verbindung zwischen einer Sendeschaltung und einer Antenne ANT und einer Verbindung zwischen einer Empfangsschaltung RX und der Antenne ANT in einem digitalen, tragbaren Telefon oder ähnlichem verwendet.

Fig. 6 ist ein Schaltungsdiagramm, das ein Beispiel eines Hochfrequenzschalters zeigt, der zum technologischen Hinter­ grund der vorliegenden Erfindung zählt, und auf den sich die vorliegende Erfindung bezieht. Der Hochfrequenzschalter ist mit einer Antenne ANT, einer Sendeschaltung TX und einer Empfangsschaltung RX verbunden. Mit der Sendeschaltung TX ist eine Anode einer ersten Diode D1 über einen ersten Kondensator C1 verbunden. Die Anode der ersten Diode D1 ist über eine Serienschaltung einer ersten Streifenleitung SL1 und eines zweiten Kondensators C2 geerdet. Weiterhin ist an einem Zwischenpunkt der ersten Streifenleitung SL1 und des zweiten Kondensators C2 ein erster Steuerungsanschluß T1 über einen ersten Widerstand R1 verbunden. Mit dem ersten Steuerungsanschluß T1 ist eine Steuerungsschaltung zum Schalten des Hochfrequenzschalters verbunden. Eine Kathode der ersten Diode D1 ist ebenfalls mit der Antenne ANT über einen dritten Kondensator C3 verbunden. Mit dem dritten Kondensator C3, der mit der Antenne ANT verbunden ist, ist die Empfangsschaltung RX über eine Serienschaltung einer zweiten Streifenleitung SL2 und eines vierten Kondensators C4 verbunden. Mit einem mittleren Punkt der zweiten Streifenleitung SL2 und des vierten Kondensators C4 ist ebenfalls eine Anode einer zweiten Diode D2 verbunden. Die Kathode der zweiten Diode D2 liegt auf Masse.

Beim Senden mit dem Hochfrequenzschalter, der in Fig. 6 ge­ zeigt ist, wird eine positive Spannung an den ersten Steuerungsanschluß T1 angelegt. Durch die Spannung sind die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 leitend. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Gleichstromkomponente durch den ersten bis vierten Kondensator C1-C4 abgeschnitten, wodurch die Spannung, die an dem ersten Steuerungsanschluß T1 anliegt, lediglich an eine Schaltung angelegt wird, die die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 einschließt. Wenn die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 leitend sind, wird ein Sig­ nal aus der Sendeschaltung TX an die Antenne ANT übertragen, und das Signal wird von der Antenne ANT gesendet. Inzwischen wird das Sendesignal der Sendeschaltung TX nicht an die Empfangsschaltung RX gesendet, da die Streifenleitung SL2 durch die zweite Diode D2 auf Masse liegt und in Resonanz ist, und eine Impedanz, die an einem Verbindungspunkt A auf der Empfangsschaltungsseite RX beobachtet wird, sehr groß ist.

Auf der anderen Seite sind beim Empfang die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 durch eine Spannung, die nicht an den ersten Steuerungsanschluß T1 angelegt ist, sperrend. Folglich wird ein Empfangssignal an die Empfangsschaltung RX übertragen und wird nicht auf die Sendeschaltungsseite TX übertragen. Auf diesem Weg kann durch Steuerung einer Schaltung, die an den ersten Steuerungsanschluß T1 angelegt ist, zwischen Senden und Empfangen umgeschaltet werden.

Fig. 7 ist eine Draufsichtdarstellung, die ein Beispiel eines herkömmlichen Hochfrequenzschalters zeigt, der die Schaltung hat, die in Fig. 6 gezeigt ist. Der Hochfrequenz­ schalter 1 schließt ein Substrat 2, eine erste und eine zweite Streifenleitung 3a und 3b ein, und Kontaktflecken sind auf der Hauptoberfläche des Substrats 2 gebildet, und eine erste und eine zweite Diode 4a und 4b, ein erster, ein zweiter, ein dritter und ein vierter Chip-Kondensator 5a, 5b, 5c und 5d, und ein erster Chip-Widerstand 6 sind mit den Streifenleitungen unter den Kontaktflecken verbunden.

Nachdem jedoch bei dem herkömmlichen Hochfrequenzschalter 1, der in Fig. 7 gezeigt ist, für jede der Längen der ersten und der zweiten Streifenleitung 3a und 3b im wesentlichen 1/4 der Länge einer Wellenlänge eines Sendesignals oder eines Empfangssignals erforderlich ist und einige 10 Milli­ meter erforderlich sind, obgleich dies von einer Dielektri­ zitätskonstante des Substrats 2 usw. abhängt, hat ein Ab­ schnitt, der der ersten und der zweiten Streifenleitung 3a und 3b zugeordnet ist, eine große Fläche auf dem Substrat 2. Folglich besteht bei dem Hochfrequenzschalter ein Problem darin, ihn zu miniaturisieren.

Die DE 26 36 969 A1 betrifft einen elektronischen HF-Schalter, der im wesentlichen die im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale aufweist.

Die US-A-3,321,717 betrifft einen Auswahlschalter, bei dem eine Mehrzahl von Eingangsanschlüssen und ein einzelner Satz von Ausgangsanschlüssen auf mehrschichtige Streifenleitungen be­ festigt sind, wobei jede der Streifenleitungen durch mehrere Schichten von dielektrischen Platten mit darauf eingeätzten leitfähigen Streifen, die zwischen zwei leitfähigen Masseplat­ ten angeordnet sind, gebildet ist. Dieser bekannte Schalter um­ faßt eine Varaktor-Diode, die über eine erste Streifenleitung, einen Verbindungsstift und eine zweite Streifenleitung mit einem Eingangsanschluß verbunden ist. Über einen Kondensator ist die Varaktor-Diode mit Masse, genauer gesagt mit einer Masseplatte verbunden. Durch geeignetes Vorspannen der Varak­ tor-Diode wird diese leitend oder sperrend, so daß die am Ein­ gang anliegende Leistung entweder auf der Leitung weitergeführt wird oder über die Varaktor-Diode auf Masse läuft. Die Strei­ fenleitungen dieses bekannten Schalters sind in einer Mehr­ schichtstreifenleiteranordnung gebildet, die durch sich ab­ wechselnde Schichten von Masse- und Streifenleitungsleitern ge­ bildet ist. Hierbei sind die jeweiligen leitertragenden dielek­ trischen Platten zwischen flachen leitfähigen Masseplatten an­ geordnet. Durch Schrauben, die in entsprechend vorgeformte Löcher eingedreht werden, wird die Streifenleitungsvorrichtung zusammengehalten. Die Varaktor-Diode und der Anschluß werden auf diese Anordnung aufgeschraubt.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen miniaturisierten, kom­ pakten und einfach herzustellenden Hochfrequenz-Schalter zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch einen Hochfrequenz-Schalter gemäß Anspruch 1 gelöst.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung, die ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung zeigt;

Fig. 2(A) bis Fig. 2(G) Draufsichtdarstellungen, die Elektroden auf jeder dielektrischen Schicht usw. des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels zeigen;

Fig. 3 ein Schaltungsdiagramm des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels;

Fig. 4 (A) und Fig. 4(B) Draufsichtdarstellungen, die ein weiteres Beispiel des fünften Kondensators des in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiels zei­ gen;

Fig. 5 eine illustrative Darstellung, die eine Funktion eines Hochfrequenzschalters zeigt;

Fig. 6 ein Schaltungsdiagramm, das ein Beispiel eines Hochfrequenzschalters zeigt, der ein Hintergrund der vorliegenden Erfindung ist, und auf den die vorliegende Erfindung angewandt wird; und

Fig. 7 eine Draufsichtdarstellung, die ein Bei­ spiel eines herkömmlichen Hochfrequenz­ schalters zeigt.

Fig. 1 ist eine perspektivische Darstellung, die ein Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt, Fig. 2 (A) bis Fig. 2(G) sind Draufsichtdarstellungen, die jede Elektrode auf jeder dielektrischen Schicht usw. des Ausfüh­ rungsbeispiels zeigen, Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm des Ausführungsbeispiels.

Nachdem der Hochfrequenzschalter des Ausführungsbeispiels eine Charakteristik bezüglich einer Struktur und außerdem eine Charakteristik bezüglich einer Schaltung hat, wird zu­ erst die Schaltung des Ausführungsbeispiels mit Bezug auf Fig. 3 beschrieben. Bei dem Hochfrequenzschalter des Aus­ führungsbeispiels sind, verglichen mit dem in Fig. 6 gezeig­ ten Hochfrequenzschalter besonders eine Serienschaltung einer Induktivität L1 und eines fünften Kondensators C5 bzw. ein zweiter Widerstand R2 mit der ersten Diode D1 parallel verbunden. Weiterhin ist die Kathode der zweiten Diode D2 über einen sechsten Kondensator C6 geerdet. Ein dritter Wi­ derstand R3 ist ebenfalls mit der zweiten Diode D2 parallel verbunden, ein zweiter Steuerungsanschluß T2 ist mit der Kathode der zweiten Diode D2 über einen vierten Widerstand R4 verbunden. Mit dem zweiten Steuerungsanschluß T2 ist eine weitere Steuerungsschaltung zur Schaltung des Hochfrequenz­ schalters verbunden.

Beim Senden mittels des Hochfrequenzschalters, der in Fig. 3 gezeigt ist, wird eine positive Spannung an den ersten Steuerungsanschluß T1 angelegt. Zu diesem Zeitpunkt wird eine vorwärts gerichtete Spannung an die erste und an die zweite Diode D1 und D2 angelegt, wodurch die erste und die zweite Diode D1 und D2 jeweils leitend sind. Entsprechend wird ein Sendesignal von der Sendeschaltung TX von der An­ tenne ANT gesendet und wird nicht auf die Seite der Em­ pfangsschaltung RX übertragen, nachdem die zweite Streifen­ leitung SL2 durch die zweite Diode D2 geerdet ist und in Re­ sonanz ist, und eine Impedanz, die von dem Verbindungspunkt A aus in Richtung der Empfangsschaltungsseite RX beobachtet wird, unendlich ist.

Es gibt bei dem Hochfrequenzschalter, der in Fig. 3 gezeigt ist, beim Senden, obwohl die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 leitend sind, Induktivitätskomponenten in diesen Dioden. Beim Existieren einer solchen Induktivitätskomponen­ te wird eine Impedanz, die von dem Verbindungspunkt A der Antenne ANT und der zweiten Streifenleitung SL2 in Richtung der Empfangsschaltungsseite RX beobachtet wird, nicht unend­ lich sein. Zum Entfernen eines Einflusses durch eine solche Induktivitätskomponente wird eine Resonanzschaltung mit der Induktivitätskomponente der zweiten Diode D2 und mit den sechsten Kondensator C6 gebildet. Folglich wird die Kapazi­ tät C des sechsten Kondensators C6 durch die folgende Glei­ chung ausgedrückt, in der L_d die Induktivitätskomponente der zweiten Diode D2 darstellt, und f eine Arbeitsfrequenz dar­ stellt.
C = 1/{(2 π f)² × L_D}.

Durch Einstellen der Kapazität C des sechsten Kondensators C6 auf einen Zustand der obigen Gleichung, wenn die zweite Diode D2 leitend ist, wird eine Serienresonanzschaltung ge­ bildet, wodurch eine Impedanz, die von dem Verbindungspunkt A der Antenne ANT und der zweiten Streifenleitung SL2 in Richtung der Empfangsschaltungsseite RX beobachtet wird, unendlich sein kann. Folglich wird ein Signal von der Sen­ deschaltung TX nicht an die Empfangsschaltung RX übertragen, wodurch ein Einfügungsverlust zwischen der Sendeschaltung TX und der Antenne ANT erniedrigt werden kann. Weiterhin kann zwischen der Antenne ANT und der Empfangsschaltung RX eine gute Isolation erreicht werden. Wenn inzwischen eine Span­ nung an den ersten Steuerungsanschluß T1 angelegt ist, wird ein Strom durch den ersten, den zweiten, den dritten, den vierten, den fünften und den sechsten Kondensator C1, C2, C3, C4, C5 und C6 abgeschnitten, um lediglich durch eine Schaltung zu fließen, die die erste Diode D1 und die zweite Diode D2 einschließt, und die andere Abschnitte nicht beein­ flußt.

Beim Empfangen mit dem in Fig. 3 gezeigten Hochfrequenz­ schalter wird ebenfalls eine positive Spannung an den zwei­ ten Steuerungsanschluß T2 angelegt. In diesem Fall wird eine Spannung, die an dem zweiten Widerstand R2 abfällt, an die erste Diode D1 als rückwärts gerichtete Vorspannungsspannung angelegt, eine Spannung, die an dem dritten Widerstand R3 abfällt, wird an die zweite Diode D2 als eine rückwärts ge­ richtete Vorspannungsspannung angelegt. Folglich sind die erste und die zweite Diode D1 und D2 sicher sperrend. Ent­ sprechend wird ein empfangenes Signal an die Empfangsschal­ tung RX übertragen. Zu diesem Zeitpunkt gibt es einen Fall, bei dem das Empfangssignal auf die Sendeschaltungsseite TX fließt, nachdem Kapazitätskomponenten in den Dioden exi­ stieren. Bei dem Hochfrequenzschalter ist die Induktivität L1 jedoch parallel mit der ersten Diode D1 verbunden. Mit­ tels der Induktivität L1 und der Kapazitätskomponente der ersten Diode D1 wird eine Parallelresonanzschaltung gebil­ det. Folglich wird eine Induktivität L des induktiven Bau­ elements L1 durch die folgende Gleichung ausgedrückt, in der die Kapazität der ersten Diode D1 durch CD dargestellt ist, und f eine Arbeitsfrequenz darstellt.

L = 1/{(2 π f)² × C_D}

Durch Einstellen der Induktivität L des induktiven Bauele­ ments L1 auf einen Zustand der obigen Gleichung kann eine gute Isolation zwischen der Sendeschaltung TX und der An­ tenne ANT erreicht werden. Folglich fließt das Empfangssig­ nal nicht zu der Sendeschaltungsseite TX und ein Ein­ fügungsverlust zwischen der Antenne ANT und der Empfangs­ schaltung RX kann erniedrigt werden. Wenn anstelle des in­ duktiven Bauelements L1 eine Übertragungsleitung mit einer hohen Impedanz verwendet wird, kann derselbe Effekt erreicht werden.

Bei dem in Fig. 3 gezeigten Hochfrequenzschalter wird der fünfte Kondensator C5 mit dem induktiven Bauelement L1 in Serie verbunden, um ebenfalls zu verhindern, daß ein Strom über das induktive Bauelement L1 fließt, wenn an den ersten und den zweiten Steuerungsanschluß T1 und T2 Spannungen an­ gelegt werden. Wenn der fünfte Kondensator C5 verbunden wird, wird die obige Gleichung als Reaktion auf dessen Ka­ pazität selbstverständlich verändert.

Auf diese Art hat der in Fig. 3 gezeigte Hochfrequenzschal­ ter gute Charakteristika, sowohl beim Senden als auch beim Empfangen.

Als nächstes wird die Struktur des Hochfrequenzschalters des Ausführungsbeispieles mit Bezug auf Fig. 1, Fig. 2 usw. be­ schrieben. Wie besonders in Fig. 1 gezeigt ist, schließt der Hochfrequenzschalter 10 eine Mehrschichtplatine oder ein La­ minat 12 ein. Das Laminat 12 ist durch Laminieren vieler dielektrischer Schichten gebildet.

Auf der oberen dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2 (A) gezeigt, werden die Kontaktflecken und eine Kondensatorelek­ trode 16 des sechsten Kondensators C6 gebildet. Eine erste und eine zweite Diode 18 und 20, Chip-Widerstände (oder ge­ druckte Widerstände) 22, 24 und 26 als zweiter, dritter und vierter Widerstand R2, R3 und R4 und ein Chip-Kondensator 28 als fünfter Kondensator C5 werden mit den Kontaktflecken und der Kondensatorelektrode 16 verbunden.

Auf einer weiteren dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2 (B) gezeigt ist, wird eine Kondensatorelektrode (30) des zweiten Kondensators C2 gebildet.

Auf der dritten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2(C) gezeigt ist, werden die Kondensatorelektroden 32, 34 und 36 des ersten, dritten und vierten Kondensators C1, C3 und C4 gebildet.

Auf der vierten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2(D) gezeigt ist, wird eine erste und eine zweite Streifenleitung 38 und 40 gebildet.

Auf der fünften dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2(E) gezeigt ist, werden die anderen Kondensatorelektroden 42, 44 und 46 der ersten, dritten und vierten Kondensatoren C1, C3 und C4 gebildet.

Auf der sechsten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2 (F) gezeigt ist, wird eine Spulenelektrode 48 als induktives Bauelement L1 gebildet.

Auf der siebten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 2(G) gezeigt ist, wird eine Masseelektrode 50 als weitere Konden­ satorelektrode des zweiten und des sechsten Kondensators C2 und C6 gebildet.

Dann wird das Laminat 12 zum Beispiel durch Laminieren der ersten dielektrischen Schicht 14 aus Fig. 2(A) auf die sechste dielektrische Schicht (14) aus Fig. 2(F) gebildet, wobei die sechste dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(F) auf die dritte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(C) la­ miniert wird, wobei die dritte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(C) auf die fünfte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(E) laminiert wird, wobei die fünfte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(E) auf die siebte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(G) laminiert wird, wobei die siebte dielektri­ sche Schicht 14 aus Fig. 2(G) auf die vierte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(D) laminiert wird, wobei die vierte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(D) auf eine weitere siebte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(G) laminiert wird, und wobei eine weitere siebte dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(G) auf die zweite dielektrische Schicht 14 aus Fig. 2(B) laminiert wird.

Weiterhin werden auf Abschnitten der vier Seiten des Lami­ nats 12, wie in Fig. 1 gezeigt ist, 12 äußere Elektroden 52a, 52b, 52c, 52d, 52e, 52f, 52g, 52h, 52i, 52j, 52k und 52l gebildet. In diesem Fall werden fünf äußere Elektroden 52a, 52b auf Abschnitten einer Seite des Laminats 12 in einer Richtung der Breite nach gebildet, fünf äußere Elek­ troden 52f-52j werden auf Abschnitten der anderen Seite dessen in der Richtung der Breite nach gebildet, eine äußere Elektrode 52k wird auf einem Abschnitt einer Seite dessen in eine Richtung der Länge nach gebildet, und eine äußere Elek­ trode 52l wird auf einem Abschnitt der anderen Seite dessen in der Richtung der Länge nach gebildet.

Die äußere Elektrode 52a ist mit der Kondensatorelektrode 30 und einem Ende der ersten Streifenleitung 38 verbunden. Die äußere Elektrode 52a ist mit einer Steuerungsschaltung über einen Widerstand (nicht gezeigt) der der erste Widerstand R1 ist, verbunden. Der Widerstand, der der erste Widerstand R1 ist, kann auf der oberen dielektrischen Schicht 14 gebildet sein.

Die äußere Elektrode 52b ist mit einem Ende der ersten Diode 18, einem Ende des Chip-Widerstands 22, einem Ende des Chip- Kondensators 28, der Kondensatorelektrode 34 und einem Ende der zweiten Streifenleitung 40 verbunden.

Die äußere Elektrode 52c ist mit der Kondensatorelektrode 44 verbunden. Die äußere Elektrode 52c ist mit der Antenne ANT verbunden. Die äußere Elektrode 52e ist mit einem Ende des Chip-Widerstands 26 verbunden. Die äußere Elektrode 52e ist mit einer weiteren Steuerungsschaltung verbunden.

Die äußere Elektrode 52f ist mit der Kondensatorelektrode 42 verbunden. Die äußere Elektrode 52f ist mit der Sendeschal­ tung TX verbunden.

Die äußere Elektrode 52g ist mit dem anderen Ende der ersten Elektrode 18, dem anderen des Chip-Widerstands 22, der Kon­ densatorelektrode 32, dem anderen Ende der ersten Streifen­ leitung 38 und einem Ende der Spulenelektrode 48 verbunden.

Die externe Elektrode 52i ist mit dem anderen Ende der zwei­ ten Diode 20, dem anderen Ende des Chip-Widerstands 24, der Kondensatorelektrode 36 und dem anderen Ende der zweiten Streifenleitung 40 verbunden.

Die externe Elektrode 52j ist mit der Kondensatorelektrode 46 verbunden. Die äußere Elektrode 52j ist mit der Empfangs­ schaltung RX verbunden.

Die äußeren Elektroden 52k und 52l sind mit den zwei Masse­ elektroden 50 verbunden. Das andere Ende der Spulenelektrode 48 ist mit dem anderen Ende des Kondensators 28, zum Bei­ spiel durch Bilden eines Durchgangslochs (nicht gezeigt), das durch die dielektrische Schicht 14 gebildet wird, ver­ bunden.

Folglich hat der in Fig. 1 gezeigte Hochfrequenzschalter 10 die in Fig. 3 gezeigte Schaltung.

Nachdem die erste und die zweite Streifenleitung 38 und 40 innerhalb des Laminats 12 vorgesehen sind, und die erste und die zweite Diode 18 und 20 auf der obersten dielektrischen Schicht 14 des Laminats 12 befestigt sind, hat der in Fig. 1 gezeigte Hochfrequenzschalter 10, verglichen mit einem Fall, bei dem diese Teile auf einem Substrat befestigt sind, eine Fläche, die verkleinert und in einer ebenen Darstellung mi­ niaturisiert ist. Die erste und die zweite Streifenleitung 38 und 40 können selbstverständlich ebenfalls auf verschie­ denen dielektrischen Schichten gebildet sein.

Nachdem die Masseelektrode 50 auf die erste und die zweite Streifenleitung 38 und 40 laminiert ist, um die dielektri­ sche Schicht dazwischen einzuschließen, können bei dem in Fig. 1 gezeigten Hochfrequenzschalter 10 die Streifenlei­ tungen 38 und 40 bezüglich ihrer Länge gekürzt werden, und die Miniaturisierung kann in einer ebenen Darstellung noch mehr erhöht werden.

Obgleich in dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel der Chip-Kondensator 28 als fünfter Kondensator C5 verwendet ist, kann der fünfte Kondensator C5 zum Beispiel durch Ent­ fernen des Chip-Kondensators 28, Bilden einer Kondensator­ elektrode 28a, die mit einem Ende der ersten Diode 18 auf der ersten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 4(A) ge­ zeigt ist, verbunden ist, und durch Bilden einer Kondensa­ torelektrode 28b, die auf der anderen Seite der Spulenelek­ trode 48 auf der sechsten dielektrischen Schicht 14, wie in Fig. 4(B) gezeigt ist, verbunden ist, mittels der Kondensa­ torelektrode 28a, 28b und der ersten dielektrischen Schicht 14 dazwischen gebildet werden.

Obgleich das in Fig. 1 gezeigte Ausführungsbeispiel die in Fig. 3 gezeigte Schaltung aufweist, wird die vorliegende Erfindung zum Beispiel auf eine Schaltung für einen anderen Hochfrequenzschalter angewendet, der eine Streifenleitung, eine erste und eine zweite Diode oder neben der in Fig. 3 gezeigten Schaltung die in Fig. 6 gezeigte Schaltung auf­ weist. Weiterhin ist es möglich, den Entwurf innerhalb der Lehre der vorliegenden Erfindung zu verändern, zum Beispiel können der auf dem Laminat 12 gebildete Kondensator und die Widerstände vergraben sein.

Claims (6)

1. Hochfrequenzschalter (10), der mit einer Sendeschaltung (TX), einer Empfangsschaltung (RX) und einer Antenne (ANT) verbunden ist, zum Umschalten einer Verbindung zwischen der Sendeschaltung (TX) und der Antenne (ANT) und einer Verbindung zwischen der Empfangsschaltung (RX) und der Antenne (ANT), mit:
einer ersten Diode (D1), deren Anode mit der Sende­ schaltung (TX) verbunden ist, und deren Kathode mit der Antenne (ANT) verbunden ist;
einer Streifenleitung (SL2), die zwischen die Antenne (ANT) und die Empfangsschaltung (RX) geschaltet ist;
einer zweiten Diode (D2), deren Anode mit der Empfangs­ schaltung (RX) verbunden ist, und deren Kathode mit Masse verbunden ist; und
einem Steuerungsanschluß (T1), der mit der Anode der ersten Diode (D1) verbunden ist;
dadurch gekennzeichnet,
daß der Hochfrequenzschalter (10) durch eine aus einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten gebildeten Mehr­ schicht-Chipkomponente (12) gebildet ist, wobei externe Elektroden (52a-52l) auf Seitenfronten der dielek­ trischen Mehrschicht-Chipkomponente (12) gebildet sind;
daß die erste Diode (D1) und die zweite Diode (D2), die mit der Streifenleitung (SL2) verbunden ist, auf der Oberfläche der dielektrischen Mehrschicht-Chipkompo­ nente (12) befestigt sind; und
daß die Streifenleitung (SL2) auf zumindest einer der Mehrzahl der dielektrischen Schichten innerhalb der Mehrschicht-Chipkomponente (12) gebildet ist.

2. Hochfrequenzschalter (10) nach Anspruch 1, gekennzeich­ net durch:
eine weitere Streifenleitung (SL1), deren erstes Ende mit der Anode der ersten Diode (D1) verbunden ist, und deren zweites Ende geerdet ist;
wobei die weitere Streifenleitung (SL1) auf zumindest einer der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (14) innerhalb der Mehrschicht-Chipkomponente (12) gebildet ist.

3. Hochfrequenzschalter (10) nach Anspruch 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Anode der ersten Diode (D1) mit der Sendeschal­ tung (TX) über eine erste Kapazität (C1) verbunden ist,
daß die weitere Streifenleitung (SL1) über einen zwei­ ten Kondensator (C2) geerdet ist,
daß die Kathode der ersten Diode (D1) mit der Antenne (ANT) über einen dritten Kondensator (C3) verbunden ist, und
daß die Anode der zweiten Diode (D2) mit der Empfangs­ schaltung (RX) über einen vierten Kondensator (C4) ver­ bunden ist,
wobei der erste Kondensator (C1), der zweite Kondensa­ tor (C2), der dritte Kondensator (C3) und der vierte Kondensator (C4) innerhalb der Mehrschicht-Chipkompo­ nente (12) vorgesehen ist.

4. Hochfrequenzschalter (10) nach Anspruch 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Mehrschicht-Chipkomponente (12) laminierte di­ elektrische Schichten (14) einschließt, wobei minde­ stens einer des ersten Kondensators (C1), des zweiten Kondensators (C2), des dritten Kondensators (C3) oder des vierten Kondensators (C4) durch die dielektrische Schicht (14) und zwei Kondensatorelektroden, die die dielektrische Schicht (14) schichtweise einschließen, gebildet ist.

5. Hochfrequenzschalter (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine Serienschaltung aus einem induktiven Bauelement (L1) und einem Kondensator (C5), wobei die Serienschal­ tung mit der ersten Diode (D1) parallel verbunden ist, wobei das induktive Bauelement (L1) innerhalb der Mehr­ schicht-Chipkomponente (12) vorgesehen ist.

6. Hochfrequenzschalter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch einen weiteren Kondensator (C6), der innerhalb der Mehrzahl von dielektrischen Schichten (14) gebildet ist.