JPH06197040A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- JPH06197040A JPH06197040A JP4358137A JP35813792A JPH06197040A JP H06197040 A JPH06197040 A JP H06197040A JP 4358137 A JP4358137 A JP 4358137A JP 35813792 A JP35813792 A JP 35813792A JP H06197040 A JPH06197040 A JP H06197040A
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- high frequency
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
- G01S7/03—Details of HF subsystems specially adapted therefor, e.g. common to transmitter and receiver
- G01S7/034—Duplexers
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- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型の高周波スイッチを提供する。
【構成】 この高周波スイッチ１０は多層基板ないし積
層体１２を含む。この積層体１２には、第１および第２
のストリップラインなどが内蔵される。また、この積層
体１２の上には、第１および第２のダイオード１８およ
び２０などが実装される。
層体１２を含む。この積層体１２には、第１および第２
のストリップラインなどが内蔵される。また、この積層
体１２の上には、第１および第２のダイオード１８およ
び２０などが実装される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波スイッチに関
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。
し、特にたとえば、デジタル携帯電話などの高周波回路
において信号の経路の切り換えを行うための高周波スイ
ッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波スイッチは、図４に示すように、
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。
デジタル携帯電話などにおいて、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの接続および受信回路ＲＸとアンテナＡＮＴ
との接続を切り換えるために用いられる。
【０００３】図５はこの発明の背景となりかつこの発明
が適用される高周波スイッチの一例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、第１のコンデンサＣ１を介して第１のダイオードＤ
１のアノードが接続される。第１のダイオードＤ１のア
ノードは、第１のストリップラインＳＬ１および第２の
コンデンサＣ２の直列回路を介して接地される。さら
に、第１のストリップラインＳＬ１と第２のコンデンサ
Ｃ２との中間点には、第１の抵抗Ｒ１を介して、第１の
コントロール端子Ｔ１が接続される。第１のコントロー
ル端子Ｔ１には、高周波スイッチの切り換えを行うため
のコントロール回路が接続される。また、第１のダイオ
ードＤ１のカソードは、第３のコンデンサＣ３を介し
て、アンテナＡＮＴに接続される。アンテナＡＮＴに接
続された第３のコンデンサＣ３には、第２のストリップ
ラインＳＬ２と第４のコンデンサＣ４との直列回路を介
して、受信回路ＲＸが接続される。また、第２のストリ
ップラインＳＬ２と第４のコンデンサＣ４との中間点に
は、第２のダイオードＤ２のアノードが接続される。そ
して、第２のダイオードＤ２のカソードは接地される。
が適用される高周波スイッチの一例を示す回路図であ
る。この高周波スイッチは、アンテナＡＮＴ，送信回路
ＴＸおよび受信回路ＲＸに接続される。送信回路ＴＸに
は、第１のコンデンサＣ１を介して第１のダイオードＤ
１のアノードが接続される。第１のダイオードＤ１のア
ノードは、第１のストリップラインＳＬ１および第２の
コンデンサＣ２の直列回路を介して接地される。さら
に、第１のストリップラインＳＬ１と第２のコンデンサ
Ｃ２との中間点には、第１の抵抗Ｒ１を介して、第１の
コントロール端子Ｔ１が接続される。第１のコントロー
ル端子Ｔ１には、高周波スイッチの切り換えを行うため
のコントロール回路が接続される。また、第１のダイオ
ードＤ１のカソードは、第３のコンデンサＣ３を介し
て、アンテナＡＮＴに接続される。アンテナＡＮＴに接
続された第３のコンデンサＣ３には、第２のストリップ
ラインＳＬ２と第４のコンデンサＣ４との直列回路を介
して、受信回路ＲＸが接続される。また、第２のストリ
ップラインＳＬ２と第４のコンデンサＣ４との中間点に
は、第２のダイオードＤ２のアノードが接続される。そ
して、第２のダイオードＤ２のカソードは接地される。
【０００４】図５に示す高周波スイッチを用いて送信す
る場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が与え
られる。この電圧によって、第１のダイオードＤ１およ
び第２のダイオードＤ２がＯＮになる。このとき、第１
〜第４のコンデンサＣ１〜Ｃ４によって直流分がカット
され、第１のコントロール端子Ｔ１に加えられた電圧が
第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２を含
む回路にのみ印加されるようにしている。第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２がＯＮになること
によって、送信回路ＴＸからの信号がアンテナＡＮＴに
送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信される。なお、
送信回路ＴＸの送信信号は、第２のストリップラインＳ
Ｌ２が第２のダイオードＤ２により接地されることによ
り共振して接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたインピー
ダンスが非常に大きくなるため、受信回路ＲＸには伝達
されない。
る場合、第１のコントロール端子Ｔ１に正の電圧が与え
られる。この電圧によって、第１のダイオードＤ１およ
び第２のダイオードＤ２がＯＮになる。このとき、第１
〜第４のコンデンサＣ１〜Ｃ４によって直流分がカット
され、第１のコントロール端子Ｔ１に加えられた電圧が
第１のダイオードＤ１および第２のダイオードＤ２を含
む回路にのみ印加されるようにしている。第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２がＯＮになること
によって、送信回路ＴＸからの信号がアンテナＡＮＴに
送られ、信号がアンテナＡＮＴから送信される。なお、
送信回路ＴＸの送信信号は、第２のストリップラインＳ
Ｌ２が第２のダイオードＤ２により接地されることによ
り共振して接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたインピー
ダンスが非常に大きくなるため、受信回路ＲＸには伝達
されない。
【０００５】一方、受信時には、第１のコントロール端
子Ｔ１に電圧を印加しないことによって、第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２はＯＦＦとなる。
そのため、受信信号は受信回路ＲＸに伝達され、送信回
路ＴＸ側には伝達されない。このように、第１のコント
ロール端子Ｔ１に印加される電圧をコントロールするこ
とによって、送受信を切り換えることができる。
子Ｔ１に電圧を印加しないことによって、第１のダイオ
ードＤ１および第２のダイオードＤ２はＯＦＦとなる。
そのため、受信信号は受信回路ＲＸに伝達され、送信回
路ＴＸ側には伝達されない。このように、第１のコント
ロール端子Ｔ１に印加される電圧をコントロールするこ
とによって、送受信を切り換えることができる。
【０００６】図６は図５に示す回路を有する従来の高周
波スイッチの一例を示す平面図である。この高周波スイ
ッチ１は基板２を含み、基板２の一方主面には、第１お
よび第２のストリップライン３ａおよび３ｂや多数のラ
ンドが形成され、それらのストリップラインやランド
に、第１および第２のダイオード４ａおよび４ｂと、第
１，第２，第３および第４のチップコンデンサ５ａ，５
ｂ，５ｃおよび５ｄと、第１のチップ抵抗６とが接続さ
れている。
波スイッチの一例を示す平面図である。この高周波スイ
ッチ１は基板２を含み、基板２の一方主面には、第１お
よび第２のストリップライン３ａおよび３ｂや多数のラ
ンドが形成され、それらのストリップラインやランド
に、第１および第２のダイオード４ａおよび４ｂと、第
１，第２，第３および第４のチップコンデンサ５ａ，５
ｂ，５ｃおよび５ｄと、第１のチップ抵抗６とが接続さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図６に示す
従来の高周波スイッチ１では、第１および第２のストリ
ップライン３ａおよび３ｂの長さとして、一般的に送信
信号や受信信号の波長の１／４の長さが必要であり、基
板２の誘電率にもよるが、数１０ｍｍ程度必要であり、
第１および第２のストリップライン３ａおよび３ｂに関
与する部分が、基板２上の大きな面積を占有している。
そのため、この高周波スイッチ１では、小型化に問題が
ある。
従来の高周波スイッチ１では、第１および第２のストリ
ップライン３ａおよび３ｂの長さとして、一般的に送信
信号や受信信号の波長の１／４の長さが必要であり、基
板２の誘電率にもよるが、数１０ｍｍ程度必要であり、
第１および第２のストリップライン３ａおよび３ｂに関
与する部分が、基板２上の大きな面積を占有している。
そのため、この高周波スイッチ１では、小型化に問題が
ある。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型の高周波スイッチを提供することである。
型の高周波スイッチを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、送信回路，
受信回路およびアンテナに接続され、送信回路とアンテ
ナとの接続および受信回路とアンテナとの接続を切り換
えるための高周波スイッチであって、送信回路側にアノ
ードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１
のダイオードと、アンテナと受信回路との間に接続され
るストリップラインと、受信回路側にアノードが接続さ
れアース側にカソードが接続される第２のダイオードと
を含み、ストッリプラインは多層基板に内蔵され、第１
のダイオードおよび第２のダイオードは多層基板上に実
装された、高周波スイッチである。
受信回路およびアンテナに接続され、送信回路とアンテ
ナとの接続および受信回路とアンテナとの接続を切り換
えるための高周波スイッチであって、送信回路側にアノ
ードが接続されアンテナ側にカソードが接続される第１
のダイオードと、アンテナと受信回路との間に接続され
るストリップラインと、受信回路側にアノードが接続さ
れアース側にカソードが接続される第２のダイオードと
を含み、ストッリプラインは多層基板に内蔵され、第１
のダイオードおよび第２のダイオードは多層基板上に実
装された、高周波スイッチである。
【００１０】
【作用】ストリップラインが多層基板に内蔵され、第１
および第２のダイオードがその多層基板上に実装される
ので、平面的に見て、高周波スイッチの面積が減る。
および第２のダイオードがその多層基板上に実装される
ので、平面的に見て、高周波スイッチの面積が減る。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、小型の高周波スイッ
チが得られる。
チが得られる。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す斜視図であ
り、図２の各図はその実施例の各誘電体層上の電極など
を示す平面図であり、図３はその実施例の回路図であ
る。
り、図２の各図はその実施例の各誘電体層上の電極など
を示す平面図であり、図３はその実施例の回路図であ
る。
【００１４】この実施例の高周波スイッチは、構造的に
特徴を有するが回路自体も特徴を有するので、まず、図
３などを参照して、この実施例の高周波スイッチの回路
について説明する。この実施例の高周波スイッチは、図
５に示す高周波スイッチと比べて、特に、第１のダイオ
ードＤ１に、インダクタＬ１および第５のコンデンサＣ
５の直列回路と、第２の抵抗Ｒ２とが、それぞれ並列に
接続される。さらに、第２のダイオードＤ２のカソード
は、第６のコンデンサＣ６を介して接地される。また、
第２のダイオードＤ２には、第３の抵抗Ｒ３が並列に接
続され、第２のダイオードＤ２のカソードには、第４の
抵抗Ｒ４を介して、第２のコントロール端子Ｔ２が接続
される。この第２のコントロール端子Ｔ２には、この高
周波スイッチの切り換えを行うための別のコントロール
回路が接続される。
特徴を有するが回路自体も特徴を有するので、まず、図
３などを参照して、この実施例の高周波スイッチの回路
について説明する。この実施例の高周波スイッチは、図
５に示す高周波スイッチと比べて、特に、第１のダイオ
ードＤ１に、インダクタＬ１および第５のコンデンサＣ
５の直列回路と、第２の抵抗Ｒ２とが、それぞれ並列に
接続される。さらに、第２のダイオードＤ２のカソード
は、第６のコンデンサＣ６を介して接地される。また、
第２のダイオードＤ２には、第３の抵抗Ｒ３が並列に接
続され、第２のダイオードＤ２のカソードには、第４の
抵抗Ｒ４を介して、第２のコントロール端子Ｔ２が接続
される。この第２のコントロール端子Ｔ２には、この高
周波スイッチの切り換えを行うための別のコントロール
回路が接続される。
【００１５】図３に示す高周波スイッチを用いて送信を
行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１に電圧が印加さ
れる。そして、第２の抵抗Ｒ２で降下された電圧は、第
１のダイオードＤ１に順方向のバイアス電圧として印加
され、第３の抵抗で降下された電圧は、第２のダイオー
ドＤ２に順方向のバイアス電圧として印加される。その
ため、第１および第２のダイオードＤ１およびＤ２は、
それぞれＯＮ状態になる。したがって、送信回路ＴＸか
らの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信されるととも
に、第２のストリップラインＳＬ２が第２のダイオード
Ｄ２により接地されて共振して接続点Ａから受信回路Ｒ
Ｘ側をみたインピーダンスが無限大となるため、受信回
路ＲＸ側には伝達されない。
行う場合、第１のコントロール端子Ｔ１に電圧が印加さ
れる。そして、第２の抵抗Ｒ２で降下された電圧は、第
１のダイオードＤ１に順方向のバイアス電圧として印加
され、第３の抵抗で降下された電圧は、第２のダイオー
ドＤ２に順方向のバイアス電圧として印加される。その
ため、第１および第２のダイオードＤ１およびＤ２は、
それぞれＯＮ状態になる。したがって、送信回路ＴＸか
らの送信信号は、アンテナＡＮＴから送信されるととも
に、第２のストリップラインＳＬ２が第２のダイオード
Ｄ２により接地されて共振して接続点Ａから受信回路Ｒ
Ｘ側をみたインピーダンスが無限大となるため、受信回
路ＲＸ側には伝達されない。
【００１６】なお、図３に示す高周波スイッチでは、送
信時において、第１のダイオードＤ１および第２のダイ
オードＤ２がＯＮとなるが、これらのダイオードにはイ
ンダクタンス分が存在する。このようなインダクタンス
分が存在すると、アンテナＡＮＴと第２のストリップラ
インＳＬ２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたとき
のインピーダンスが無限大とならない。このようなイン
ダクタンス分による影響を除去するために、第２のダイ
オードＤ２のインダクタンス分と第６のコンデンサＣ６
とで、直列共振回路が形成される。したがって、第６の
コンデンサＣ６の容量Ｃは、第２のダイオードＤ２のイ
ンダクタンス分をＬD ，使用周波数をｆとすると、次式
で表される。 Ｃ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＬD ｝
信時において、第１のダイオードＤ１および第２のダイ
オードＤ２がＯＮとなるが、これらのダイオードにはイ
ンダクタンス分が存在する。このようなインダクタンス
分が存在すると、アンテナＡＮＴと第２のストリップラ
インＳＬ２との接続点Ａから受信回路ＲＸ側をみたとき
のインピーダンスが無限大とならない。このようなイン
ダクタンス分による影響を除去するために、第２のダイ
オードＤ２のインダクタンス分と第６のコンデンサＣ６
とで、直列共振回路が形成される。したがって、第６の
コンデンサＣ６の容量Ｃは、第２のダイオードＤ２のイ
ンダクタンス分をＬD ，使用周波数をｆとすると、次式
で表される。 Ｃ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＬD ｝
【００１７】第６のコンデンサＣ６の容量Ｃを上式の条
件に設定することによって、第２のダイオードＤ２がＯ
Ｎ時に、直列共振回路が形成され、アンテナＡＮＴと第
２のストリップラインＳＬ２との接続点Ａから受信回路
ＲＸ側をみたときのインピーダンスを無限大にできる。
したがって、送信回路ＴＸからの信号は受信回路ＲＸに
伝達されず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴとの間の挿
入損失を小さくすることができる。さらに、アンテナＡ
ＮＴと受信回路ＲＸとの間において、良好なアイソレー
ションを得ることができる。なお、第１のコントロール
端子Ｔ１に電圧を加えると、電流は第１，第２，第３，
第４および第６のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４お
よびＣ６でカットされて、第１のダイオードＤ１および
第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ流れることにな
って、他の部分に影響を及ぼさない。
件に設定することによって、第２のダイオードＤ２がＯ
Ｎ時に、直列共振回路が形成され、アンテナＡＮＴと第
２のストリップラインＳＬ２との接続点Ａから受信回路
ＲＸ側をみたときのインピーダンスを無限大にできる。
したがって、送信回路ＴＸからの信号は受信回路ＲＸに
伝達されず、送信回路ＴＸとアンテナＡＮＴとの間の挿
入損失を小さくすることができる。さらに、アンテナＡ
ＮＴと受信回路ＲＸとの間において、良好なアイソレー
ションを得ることができる。なお、第１のコントロール
端子Ｔ１に電圧を加えると、電流は第１，第２，第３，
第４および第６のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４お
よびＣ６でカットされて、第１のダイオードＤ１および
第２のダイオードＤ２を含む回路にのみ流れることにな
って、他の部分に影響を及ぼさない。
【００１８】また、図３に示す高周波スイッチを用いて
受信を行う場合、第２のコントロール端子Ｔ２に電圧が
印加される。この場合、第２の抵抗Ｒ２で降下される電
圧は、第１のダイオードＤ１に逆方向のバイアス電圧と
して印加され、第３の抵抗で降下される電圧は、第２の
ダイオードＤ２に逆方向のバイアス電圧として印加され
る。そのため、第１および第２のダイオードＤ１および
第２のダイオードＤ２は確実にＯＦＦ状態を維持する。
したがって、受信した信号は、受信回路ＲＸに伝達され
る。このとき、ダイオードにはキャパシタンス分が存在
するため、受信信号が送信回路ＴＸ側に漏れる場合があ
る。ところが、この高周波スイッチでは、第１のダイオ
ードＤ１に並列に、インダクタＬ１が接続されている。
このインダクタＬ１と第１のダイオードＤ１のキャパシ
タンス分とで、並列共振回路が形成される。したがっ
て、インダクタＬ１のインダクタンスＬは、第１のダイ
オードＤ１のキャパシタンスをＣD ，使用周波数をｆと
すると、次式で表される。 Ｌ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＣD ｝
受信を行う場合、第２のコントロール端子Ｔ２に電圧が
印加される。この場合、第２の抵抗Ｒ２で降下される電
圧は、第１のダイオードＤ１に逆方向のバイアス電圧と
して印加され、第３の抵抗で降下される電圧は、第２の
ダイオードＤ２に逆方向のバイアス電圧として印加され
る。そのため、第１および第２のダイオードＤ１および
第２のダイオードＤ２は確実にＯＦＦ状態を維持する。
したがって、受信した信号は、受信回路ＲＸに伝達され
る。このとき、ダイオードにはキャパシタンス分が存在
するため、受信信号が送信回路ＴＸ側に漏れる場合があ
る。ところが、この高周波スイッチでは、第１のダイオ
ードＤ１に並列に、インダクタＬ１が接続されている。
このインダクタＬ１と第１のダイオードＤ１のキャパシ
タンス分とで、並列共振回路が形成される。したがっ
て、インダクタＬ１のインダクタンスＬは、第１のダイ
オードＤ１のキャパシタンスをＣD ，使用周波数をｆと
すると、次式で表される。 Ｌ＝１／｛（２πｆ）2 ・ＣD ｝
【００１９】インダクタＬ１のインダクタンスＬを上式
の条件に設定することによって、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にすることが
できる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ側に漏れ
ず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿入損失を
小さくすることができる。なお、インダクタＬ１のかわ
りに、高インピーダンスの伝送線路を使用しても、同様
の効果を得ることができる。
の条件に設定することによって、送信回路ＴＸとアンテ
ナＡＮＴとの間のアイソレーションを良好にすることが
できる。したがって、受信信号は送信回路ＴＸ側に漏れ
ず、アンテナＡＮＴと受信回路ＲＸとの間の挿入損失を
小さくすることができる。なお、インダクタＬ１のかわ
りに、高インピーダンスの伝送線路を使用しても、同様
の効果を得ることができる。
【００２０】また、図３に示す高周波スイッチでは、第
１および第２のコントロール端子Ｔ１およびＴ２に電圧
を加えたときに、インダクタＬ１を介して電流が流れる
ことを防ぐために、インダクタＬ１に直列に第５のコン
デンサＣ５が接続されている。この第５のコンデンサＣ
５を接続する場合、そのキャパシタンスに応じて必要に
より上式が補正されることはいうまでもない。
１および第２のコントロール端子Ｔ１およびＴ２に電圧
を加えたときに、インダクタＬ１を介して電流が流れる
ことを防ぐために、インダクタＬ１に直列に第５のコン
デンサＣ５が接続されている。この第５のコンデンサＣ
５を接続する場合、そのキャパシタンスに応じて必要に
より上式が補正されることはいうまでもない。
【００２１】このように、図３に示す高周波スイッチで
は、送信時および受信時のいずれにも良好な特性を有す
る。
は、送信時および受信時のいずれにも良好な特性を有す
る。
【００２２】次に、図１および図２などを参照して、こ
の実施例の高周波スイッチの構造について説明する。こ
の高周波スイッチ１０は、特に図１に示すように、多層
基板ないし積層体１２を含む。積層体１２は、多数の誘
電体層などを積層することによって形成される。
の実施例の高周波スイッチの構造について説明する。こ
の高周波スイッチ１０は、特に図１に示すように、多層
基板ないし積層体１２を含む。積層体１２は、多数の誘
電体層などを積層することによって形成される。
【００２３】１番上の誘電体層１４上には、図２（Ａ）
に示すように、各ランドや第６のコンデンサＣ６の一方
のコンデンサ電極１６などが形成される。それらのラン
ドやコンデンサ電極１６には、第１および第２のダイオ
ード１８および２０と、第２，第３および第４の抵抗Ｒ
２，Ｒ３およびＲ４となるチップ抵抗（あるいは印刷抵
抗）２２，２４および２６と、第５のコンデンサＣ５と
なるチップコンデンサ２８とが接続される。
に示すように、各ランドや第６のコンデンサＣ６の一方
のコンデンサ電極１６などが形成される。それらのラン
ドやコンデンサ電極１６には、第１および第２のダイオ
ード１８および２０と、第２，第３および第４の抵抗Ｒ
２，Ｒ３およびＲ４となるチップ抵抗（あるいは印刷抵
抗）２２，２４および２６と、第５のコンデンサＣ５と
なるチップコンデンサ２８とが接続される。
【００２４】他の誘電体層１４上には、図２（Ｂ）に示
すように、第２のコンデンサＣ２の一方のコンデンサ電
極３０が形成される。
すように、第２のコンデンサＣ２の一方のコンデンサ電
極３０が形成される。
【００２５】さらに他の誘電体層１４上には、図２
（Ｃ）に示すように、第１，第３および第４のコンデン
サＣ１，Ｃ３およびＣ４の一方のコンデンサ電極３２，
３４および３６が形成される。
（Ｃ）に示すように、第１，第３および第４のコンデン
サＣ１，Ｃ３およびＣ４の一方のコンデンサ電極３２，
３４および３６が形成される。
【００２６】また、別の誘電体層１４上には、図２
（Ｄ）に示すように、第１および第２のストリップライ
ン３８および４０が形成される。
（Ｄ）に示すように、第１および第２のストリップライ
ン３８および４０が形成される。
【００２７】さらに別の誘電体層１４上には、図２
（Ｅ）に示すように、第１，第３および第４のコンデン
サＣ１，Ｃ３およびＣ４の他方のコンデンサ電極４２，
４４および４６が形成される。
（Ｅ）に示すように、第１，第３および第４のコンデン
サＣ１，Ｃ３およびＣ４の他方のコンデンサ電極４２，
４４および４６が形成される。
【００２８】他の誘電体層１４上には、図２（Ｆ）に示
すように、インダクタＬ１となるコイル電極４８が形成
される。
すように、インダクタＬ１となるコイル電極４８が形成
される。
【００２９】さらに他の誘電体層１４上には、図２
（Ｇ）に示すように、第２および第６のコンデンサＣ２
およびＣ６の他方のコンデンサ電極となるアース電極５
０が形成される。
（Ｇ）に示すように、第２および第６のコンデンサＣ２
およびＣ６の他方のコンデンサ電極となるアース電極５
０が形成される。
【００３０】さらに、積層体１２の４つの側面部には、
図１に示すように、１２個の外部電極５２ａ，５２ｂ，
５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆ，５２ｇ，５２ｈ，５
２ｉ，５２ｊ，５２ｋおよび５２ｌが形成される。この
場合、積層体１２には、その幅方向の一側面部に５つの
外部電極５２ａ〜５２ｅが形成され、その幅方向の他側
面部に５つの外部電極５２ｆ〜５２ｊが形成され、その
長手方向の一側面部に１つの外部電極５２ｋが形成さ
れ、その長手方向の他側面部に１つの外部電極５２ｌが
形成される。
図１に示すように、１２個の外部電極５２ａ，５２ｂ，
５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ，５２ｆ，５２ｇ，５２ｈ，５
２ｉ，５２ｊ，５２ｋおよび５２ｌが形成される。この
場合、積層体１２には、その幅方向の一側面部に５つの
外部電極５２ａ〜５２ｅが形成され、その幅方向の他側
面部に５つの外部電極５２ｆ〜５２ｊが形成され、その
長手方向の一側面部に１つの外部電極５２ｋが形成さ
れ、その長手方向の他側面部に１つの外部電極５２ｌが
形成される。
【００３１】外部電極５２ａは、コンデンサ電極３０
と、第１のストリップライン３８の一端とに接続され
る。この外部電極５２ａは、第１の抵抗Ｒ１となる抵抗
（図示せず）を介して、コントロール回路に接続され
る。なお、この第１の抵抗Ｒ１となる抵抗は、たとえば
１番上の誘電体層１４上などに形成されてもよい。外部
電極５２ｂは、第１のダイオード１８の一端と、チップ
抵抗２２の一端と、チップコンデンサ２８の一端と、コ
ンデンサ電極３４と、第２のストリップライン４０の一
端とに接続される。外部電極５２ｃは、コンデンサ電極
４４に接続される。この外部電極５２ｃは、アンテナＡ
ＮＴに接続される。外部電極５２ｅは、チップ抵抗２６
の一端に接続される。この外部電極５２ｅは、別のコン
トロール回路に接続される。外部電極５２ｆは、コンデ
ンサ電極４２に接続される。この外部電極５２ｆは、送
信回路ＴＸに接続される。外部電極５２ｇは、第１のダ
イオード１８の他端と、チップ抵抗２２の他端と、コン
デンサ電極３２と、第１のストリップライン３８の他端
と、コイル電極４８の一端とに接続される。外部電極５
２ｉは、第２のダイオード２０の他端と、チップ抵抗２
４の他端と、コンデンサ電極３６と、第２のストリップ
ライン４０の他端とに接続される。外部電極５２ｊは、
コンデンサ電極４６に接続される。この外部電極５２ｊ
は、受信回路ＴＲに接続される。外部電極５２ｋおよび
５２ｌは、アース電極５０に接続される。
と、第１のストリップライン３８の一端とに接続され
る。この外部電極５２ａは、第１の抵抗Ｒ１となる抵抗
（図示せず）を介して、コントロール回路に接続され
る。なお、この第１の抵抗Ｒ１となる抵抗は、たとえば
１番上の誘電体層１４上などに形成されてもよい。外部
電極５２ｂは、第１のダイオード１８の一端と、チップ
抵抗２２の一端と、チップコンデンサ２８の一端と、コ
ンデンサ電極３４と、第２のストリップライン４０の一
端とに接続される。外部電極５２ｃは、コンデンサ電極
４４に接続される。この外部電極５２ｃは、アンテナＡ
ＮＴに接続される。外部電極５２ｅは、チップ抵抗２６
の一端に接続される。この外部電極５２ｅは、別のコン
トロール回路に接続される。外部電極５２ｆは、コンデ
ンサ電極４２に接続される。この外部電極５２ｆは、送
信回路ＴＸに接続される。外部電極５２ｇは、第１のダ
イオード１８の他端と、チップ抵抗２２の他端と、コン
デンサ電極３２と、第１のストリップライン３８の他端
と、コイル電極４８の一端とに接続される。外部電極５
２ｉは、第２のダイオード２０の他端と、チップ抵抗２
４の他端と、コンデンサ電極３６と、第２のストリップ
ライン４０の他端とに接続される。外部電極５２ｊは、
コンデンサ電極４６に接続される。この外部電極５２ｊ
は、受信回路ＴＲに接続される。外部電極５２ｋおよび
５２ｌは、アース電極５０に接続される。
【００３２】なお、コイル電極４８の他端は、たとえば
誘電体層１４にスルーホール（図示せず）などを形成し
て、コンデンサ２８の他端に接続される。
誘電体層１４にスルーホール（図示せず）などを形成し
て、コンデンサ２８の他端に接続される。
【００３３】したがって、図１に示す高周波スイッチ１
０は、図３に示す回路を有する。
０は、図３に示す回路を有する。
【００３４】図１に示す高周波スイッチ１０では、第１
および第２のストリップライン３８および４０などが積
層体１２に内蔵され、第１および第２のダイオード１８
および２０などが積層体１２の１番上の誘電体層１４上
に実装されているので、これらの部品などを１枚の基板
上に実装した場合に比べて、平面的に見て、面積が減り
小型になる。また、第１および第２のストリップライン
３８および４０を異なる誘電体層に形成したりすること
は当然適宜なし得ることである。
および第２のストリップライン３８および４０などが積
層体１２に内蔵され、第１および第２のダイオード１８
および２０などが積層体１２の１番上の誘電体層１４上
に実装されているので、これらの部品などを１枚の基板
上に実装した場合に比べて、平面的に見て、面積が減り
小型になる。また、第１および第２のストリップライン
３８および４０を異なる誘電体層に形成したりすること
は当然適宜なし得ることである。
【００３５】また、図１に示す高周波スイッチ１０で
は、第１および第２のストリップライン３８および４０
に誘電体層を挟んでアース電極５０が積層されるため、
それらのストリップライン３８および４０の長さを短く
形成することができ、平面的に見て、さらに小型化が可
能である。
は、第１および第２のストリップライン３８および４０
に誘電体層を挟んでアース電極５０が積層されるため、
それらのストリップライン３８および４０の長さを短く
形成することができ、平面的に見て、さらに小型化が可
能である。
【００３６】なお、図１に示す実施例では図３に示す回
路を有するが、この発明は、図３に示す回路に限らず、
たとえば、図５に示す回路やストリップラインと第１お
よび第２のダイオードとを有する他の高周波スイッチの
回路にも適用され得る。さらに、積層体１２表面上に形
成されているコンデンサや抵抗を、適宜内部に埋設させ
るようにすることなど、この発明の趣旨の範囲での設計
変更は自由である。
路を有するが、この発明は、図３に示す回路に限らず、
たとえば、図５に示す回路やストリップラインと第１お
よび第２のダイオードとを有する他の高周波スイッチの
回路にも適用され得る。さらに、積層体１２表面上に形
成されているコンデンサや抵抗を、適宜内部に埋設させ
るようにすることなど、この発明の趣旨の範囲での設計
変更は自由である。
【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す実施例の各誘電体層上の各電極など
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】図１に示す実施例の回路図である。
【図４】高周波スイッチの働きを示す概念図である。
【図５】この発明の背景となりかつこの発明が適用され
る高周波スイッチの一例を示す回路図である。
る高周波スイッチの一例を示す回路図である。
【図６】従来の高周波スイッチの一例を示す平面図であ
る。
る。
１０ 高周波スイッチ １２ 積層体 １４ 誘電体層 １６ 第１のダイオード １８ 第２のダイオード ３８ 第１のストリップライン ４０ 第２のストリップライン ＴＸ 送信回路 ＲＸ 受信回路 ＡＮＴ アンテナ
Claims (1)
- 【請求項１】 送信回路，受信回路およびアンテナに接
続され、前記送信回路と前記アンテナとの接続および前
記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換えるための
高周波スイッチであって、 前記送信回路側にアノードが接続され前記アンテナ側に
カソードが接続される第１のダイオード、 前記アンテナと前記受信回路との間に接続されるストリ
ップライン、および前記受信回路側にアノードが接続さ
れアース側にカソードが接続される第２のダイオードを
含み、 前記ストッリプラインは多層基板に内蔵され、 前記第１のダイオードおよび前記第２のダイオードは前
記多層基板上に実装された、高周波スイッチ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358137A JP2874496B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 高周波スイッチ |
| DE4344333A DE4344333C2 (de) | 1992-12-26 | 1993-12-23 | Hochfrequenzschalter |
| GB9326360A GB2273821B (en) | 1992-12-26 | 1993-12-23 | High-frequency switch |
| US08/173,823 US5473293A (en) | 1992-12-26 | 1993-12-27 | High-frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358137A JP2874496B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 高周波スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06197040A true JPH06197040A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2874496B2 JP2874496B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=18457738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358137A Expired - Lifetime JP2874496B2 (ja) | 1992-12-26 | 1992-12-26 | 高周波スイッチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5473293A (ja) |
| JP (1) | JP2874496B2 (ja) |
| DE (1) | DE4344333C2 (ja) |
| GB (1) | GB2273821B (ja) |
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| US7253702B2 (en) | 2000-11-01 | 2007-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch module |
| EP2239863A2 (en) | 1999-12-28 | 2010-10-13 | Hitachi Metals, Ltd. | High-frequency switch circuit, high-frequency switch module and wireless communications device comprising it |
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