JPH11225088A

JPH11225088A - マルチバンド用高周波スイッチモジュール

Info

Publication number: JPH11225088A
Application number: JP10225676A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Kenmochi; 茂釼持; Hiroyuki Tadai; 裕之但井; Toshihiko Tanaka; 俊彦田中; Tsuyoshi Takeda; 剛志武田
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Proterial Ltd
Priority date: 1997-12-03
Filing date: 1998-08-10
Publication date: 1999-08-17
Anticipated expiration: 2018-08-10
Also published as: JP2983016B2

Abstract

(57)【要約】【課題】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う高周
波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】複数の送受信系に信号を分波する分波回
路を有し、各送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切
り替えるスイッチ回路をする高周波スイッチモジュール
を、電極パターンと誘電体層の積層体と、該積層体上に
配置されたチップ素子とから構成し、積層体の側面に、
前記複数の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれ
ぞれの送信系端子、受信系端子を配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波複合部品に
関し、通過帯域の異なる複数の送受信系を取り扱うマル
チバンド用高周波スイッチモジュールに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】デジタル携帯電話などにおいて、アンテ
ナＡＮＴと送信回路ＴＸとの接続及びアンテナＡＮＴと
受信回路ＲＸとの接続を切り換えるために、高周波スイ
ッチが用いられている。この高周波スイッチとしては、
特開平６−１９７０４０号公報に開示されているものが
ある。

【０００３】この従来の高周波スイッチは、送信回路側
にアノードが接続されアンテナ側にカソードが接続され
る第１のダイオード、アンテナと受信回路との間に接続
されるストリップライン、および受信回路側にアノード
が接続されアース側にカソードが接続される第２のダイ
オードを含み、ストリップラインは多層基板に内蔵さ
れ、第１のダイオード及び第２のダイオードは多層基板
上に実装されたものである。また、この従来の高周波ス
イッチは、単に一つの送受信系（シングルバンド）に対
応しているものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年の携帯電話の普及
には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービ
スの向上が図られている。この新たな携帯電話として、
デュアルバンド携帯電話の提案がなされている。このデ
ュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受
信系のみを取り扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱
うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信
系を選択して利用することができるものである。

【０００５】このデュアルバンド携帯電話において、そ
れぞれの送受信系にそれぞれ専用の回路を構成すれば、
機器の大型化、高コスト化を招く。共通部分はできるだ
け共通部品を用いることが、機器の小型化、低コスト化
に有利となる。

【０００６】本発明は、アンテナを共通とし、第１の送
受信系の送信回路と受信回路、第２の送受信系の送信回
路と受信回路を切り換えることが可能なマルチバンド用
高周波スイッチモジュールを提供するものであり、通過
帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周
波スイッチモジュールを提供し、また、そのマルチバン
ド用高周波スイッチモジュールをワンチップで構成する
ことを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う高周波スイッチ
モジュールであって、前記複数の送受信系に信号を分波
する分波回路を有し、前記各送受信系のそれぞれに送信
系と受信系を切り替えるスイッチ回路を有し、前記高周
波スイッチモジュールは、電極パターンと誘電体層の積
層体と、該積層体上に配置されたチップ素子とから構成
され、前記積層体の外表面に、前記複数の送受信系の共
通端子、前記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信
系端子を有することを特徴とするマルチバンド用高周波
スイッチモジュールである。

【０００８】本発明の第２発明は、前記第１発明におい
て、前記共通端子、前記各送信系端子、及び前記各受信
系端子は、前記積層体の側面に形成され、また前記積層
体の各側面には、少なくとも１つのグランド端子が形成
されているものである。

【０００９】本発明の第３発明は、前記第１発明におい
て、前記高周波端子（前記共通端子、各送信系端子、各
受信系端子）は、前記積層体の側面に形成され、かつ前
記高周波端子は隣り合わない構造に配置してあるもので
ある。

【００１０】本発明の第４発明は、前記第１発明におい
て、前記高周波端子（前記共通端子、各送信系端子、各
受信系端子）は、前記積層体の側面に形成され、かつ前
記高周波端子間には、グランド端子またはスイッチ回路
制御端子が配置され、前記高周波端子が隣り合わない構
造に配置してあるものである。

【００１１】本発明の第５発明は、前記第１発明におい
て、前記高周波端子（前記共通端子、各送信系端子、各
受信系端子）は、前記積層体の側面に形成され、かつ前
記高周波端子間には、少なくとも１つのグランド端子が
配置されているものである。

【００１２】本発明の第６発明は、前記第１発明におい
て、前記スイッチ回路はダイオードスイッチであり、該
ダイオードスイッチの制御端子が前記積層体の側面に形
成されているものである。

【００１３】本発明の第７発明は、前記第１発明におい
て、前記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端
子は、前記積層体の側面に形成され、該送信系端子と受
信系端子とは、線対称に配置されているものである。

【００１４】本発明の第８発明は、前記第１発明におい
て、前記各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端
子は、前記積層体の側面に形成され、該送信系端子と受
信系端子とは、前記積層体の中心線に対し、それぞれ別
領域に配置されているものである。

【００１５】本発明の第９発明は、前記第１発明におい
て、前記共通端子と、前記各送受信系の送信系端子及び
受信系端子とは、前記積層体を実装面に垂直な面で２分
した場合、別領域に形成されているものである。

【００１６】本発明の第１０発明は、前記第９発明にお
いて、前記積層体を２分した場合の前記共通端子に対す
る反対側であって、さらにその反対側を実装面に垂直な
面で２分した領域の片側に、前記各送受信系の送信系端
子が形成され、他の片側に前記各送受信系の受信系端子
が形成されているものである。

【００１７】本発明の第１１発明は、前記第１発明にお
いて、前記分波回路、及び前記スイッチ回路用の伝送線
路を積層体内に電極パターンにより構成したものであ
る。

【００１８】本発明の第１２発明は、前記第１１発明に
おいて、前記スイッチ回路用の伝送線路をグランド電極
に挟まれた領域に形成するものである。

【００１９】本発明の第１３発明は、前記第１１発明に
おいて、前記スイッチ回路用の伝送線路をグランド電極
に挟まれた領域に形成し、該グランド電極の上側のさら
に上部に、前記分波回路用の容量成分を形成し、さらに
その上部に、前記分波回路用のインダクタンス成分を形
成するものである。

【００２０】本発明の第１４発明は、前記第１発明にお
いて、前記分波回路から各送受信系における各送信系に
ローパスフィルタ機能を有するものである。

【００２１】本発明の第１５発明は、前記第１４発明に
おいて、前記ローパスフィルタ機能を得るローパスフィ
ルタ回路が前記積層体内に電極パターンにより構成され
ているものである。

【００２２】本発明の第１６発明は、前記第１５発明に
おいて、グランド電極に挟まれた領域に、前記伝送線路
が形成され、該グランド電極の上側のさらに上部に、前
記ローパスフィルタ回路用の容量成分、前記分波回路用
の容量成分が形成され、さらにその上部に、前記ローパ
スフィルタ回路用のインダクタンス成分、前記分波回路
用のインダクタンス成分が形成されているものである。

【００２３】本発明の第１７発明は、前記第１５発明に
おいて、前記分波回路と前記ローパスフィルタ回路と
は、前記積層体の水平方向の別領域に別れて形成されて
いるものである。

【００２４】本発明の第１８発明は、前記第１発明にお
いて、前記伝送線路はグランド電極に挟まれた領域に形
成され、該グランド電極の上側のグランド電極には、切
り欠け部が形成され、該切り欠き部に前記伝送線路につ
ながるスルーホールが形成されているものである。

【００２５】本発明の第１９発明は、前記第１発明にお
いて、前記積層体上に配置されたチップ素子を包囲する
金属ケースが前記積層体上に配置されているものであ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明は、通過帯域の異なる複数
の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールであり、このマルチバンド用高周波スイッチモジュ
ールを、積層構造及びその積層体上にチップ部品を配置
することにより、小型に構成したものである。例えば、
アンテナを共用とし、第１の送受信系の送信系と受信
系、その第１の送受信系と通過帯域の異なる第２の送受
信系の送信系と受信系と、アンテナとを接続し、適宜切
り換える高周波スイッチモジュールを得ることが出来、
例えばデュアルバンド携帯電話等において有効なもので
ある。

【００２７】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子を積層
体の側面に形成し、面実装可能としている。この側面に
形成した各端子は、その上面又は下面に延長されていて
もかまわない。そして、各側面には、少なくとも１つの
グランド端子を形成している。この各側面にグランド端
子を配置することにより、本発明のマルチバンド用高周
波スイッチモジュールの低損失化を計ることが出来る。

【００２８】本発明では、複数の送受信系の共通端子、
各送受信系のそれぞれの送信系端子、受信系端子は高周
波信号用の端子であり、これを高周波端子と呼ぶ。この
高周波端子は、積層体の側面に形成され、しかもこの高
周波端子どうしが隣り合わないように配置してある。こ
の高周波端子間には、グランド端子又はスイッチ回路制
御端子が配置される。また、この高周波端子間には、少
なくとも１つのグランド端子が配置されることが好まし
い。このように、高周波端子間を隣り合わないようにす
ること、又高周波端子間にグランド端子を配置すること
により、高周波端子間の干渉を抑え、又低損失化を計る
ことができる。

【００２９】本発明の各送受信系のスイッチ回路は、ダ
イオードスイッチ回路を用いることができる。このダイ
オードスイッチ回路は、ダイオードに所定の電圧を加え
るための制御端子を用いる。この制御端子を積層体の側
面に形成する。

【００３０】また本発明では、送信系端子と受信系端子
とは、送信系端子どうし、又受信系端子どうしが隣り合
わない程度に近接して配置されることが好ましい。ま
た、積層体の中心線に対し、別々の領域に、それぞれ送
信系端子、受信系端子を配置することが好ましい。ま
た、この送信系端子、受信系端子は線対称に配置されて
いることが好ましい。このように構成することにより、
高周波スイッチモジュールが実装される複数の送受信系
を扱う装置において、送信系回路、受信系回路と接続し
易い。

【００３１】また本発明は、共通端子と、それぞれの送
受信系の送信端子、受信端子とは、積層体を実装面に垂
直な面で２分した場合、別領域に形成することが好まし
い。この高周波スイッチモジュールは、アンテナと送受
信回路の間に配置されるので、この端子配置により、ア
ンテナと高周波スイッチモジュール、及び送受信回路と
高周波スイッチモジュールを最短の線路で接続すること
ができ、余分な損失を防止できる。

【００３２】また本発明は、前記積層体を２分した場合
の共通端子に対する反対側であって、さらにその反対側
を実装面に垂直な面で２分した領域の片側に、それぞれ
の送受信系の送信端子が形成され、他の片側にそれぞれ
の送受信系の受信端子が形成されていることが好まし
い。例えば、２つの送信回路、２つの受信回路は、それ
ぞれかたまって配置されるので、マルチバンド用高周波
スイッチモジュールの送信端子どうし、受信端子どうし
を近くに配置して、最短経路での接続が可能となり、余
分な損失を防止できる。

【００３３】また本発明は、前記積層体において、前記
分波回路の第１の送受信系と第２の送受信系の共通端子
と、前記第１の送受信系の送信端子と、受信端子と、前
記第２の送受信系の送信端子と、受信端子の各端子は、
前記積層体の側面に形成され、該各端子の間にはアース
端子が形成されている。各入出力端子は、アース端子に
挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信
号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のア
イソレーションが確実なものとなる。

【００３４】本発明の積層体は、分波回路、及びスイッ
チ回路の伝送線路を内蔵することができる。このスイッ
チ回路の伝送線路は、グランド電極に挟まれた領域に形
成されることが好ましい。また、分波回路は、インダク
タンス成分と容量成分とにより構成することができる。
この分波回路は、積層体内で、伝送線路よりも上側に配
置されることが好ましい。そして、伝送線路を挟むグラ
ンド電極の上側のグランド電極のさらに上部に容量成分
を配置し、その上部にインダクタンス成分を配置する構
造とすることが好ましい。

【００３５】本発明では、各送信系にローパスフィルタ
機能を設けることが好ましい。このローパスフィルタ機
能を設ける一手段として、ローパスフィルタ回路を内蔵
することができる。このローパスフィルタ回路は、イン
ダクタンス成分と容量成分とにより構成することができ
る。そして、このローパスフィルタ回路は、積層体内
で、伝送線路よりも上側に配置されることが好ましい。
つまり、伝送線路を挟むグランド電極の上側のグランド
電極のさらに上部に容量成分を配置し、その上部にイン
ダクタンス成分を配置する構造とすることが好ましい。
また、このローパスフィルタ回路と分波回路は、積層体
の水平方向の別領域に構成されることが好ましい。

【００３６】この伝送線路を挟むグランド電極の上側の
グランド電極には、切り欠き部を設け、この切り欠き部
に、伝送線路に導通するスルーホールを形成し、上側の
分波回路、ローパスフィルタ回路と接続することができ
る。

【００３７】本発明では、積層体上に配置されたチップ
部品を囲むように金属ケースを配置することが好まし
い。この金属ケースは、積層体の側面の端子電極を露出
させた状態で装着することが好ましい。また、金属ケー
スは、積層体の上面に半田付けで固定することができ
る。また、この金属ケースにより、マウンタ装置によ
り、本発明の高周波スイッチモジュールを実装すること
ができる。

【００３８】本発明は、通過帯域の異なる複数の送受信
系を扱うものであるが、以下２つの送受信系を扱う場合
をもとに図面を用いて、詳細に説明する。

【００３９】本発明に係る第１実施例の回路ブロック図
を図１に示す。図１において、本発明のマルチバンド用
高周波スイッチモジュールは、破線で囲った部分であ
る。また、この部分をワンチップ化したものである。本
発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、例
えば、第１の送受信系としてＧＳＭシステム、第２の送
受信系としてＤＣＳ１８００システムの２つのシステム
に対応した構成として、デュアルバンド携帯電話のアン
テナＡＮＴと、ＧＳＭ系、ＤＣＳ系のそれぞれの送受信
回路との振り分けに用いることができる。

【００４０】この第１実施例は、通過帯域の異なる第１
の送受信系（ＧＳＭ）と第２の送受信系（ＤＣＳ）を扱
う高周波スイッチモジュールであり、第１の送受信系
（ＧＳＭ）の送信信号と受信信号を切り換える第１のス
イッチ回路、第１のスイッチ回路の送信ラインに接続さ
れる第１のローパスフィルタ回路、第２の送受信系（Ｄ
ＣＳ）の送信信号と受信信号を切り換える第２のスイッ
チ回路、第２のスイッチ回路の送信ラインに接続される
第２のローパスフィルタ回路、第１の送受信系と第２の
送受信系を分波する分波回路から構成されている。

【００４１】また本発明に係る一実施例の等価回路図を
図２に示す。アンテナＡＮＴに接続される分波回路部分
は、２つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、
インダクタＬＦ１とコンデンサＣＦ１で一つのノッチ回
路を構成し、インダクタＬＦ２とコンデンサＣＦ２でも
う一つのノッチ回路を構成している。そして、一つのノ
ッチ回路には、アースに接続されるコンデンサＣＦ３が
接続されている。このコンデンサＣＦ３は、分波特性の
ローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されてい
る。また、もう一つのノッチ回路には、アースに接続さ
れるインダクタＬＦ３と、コンデンサＣＦ４を直列に接
続している。このインダクタＬＦ３とコンデンサＣＦ４
は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的
で接続されている。

【００４２】この分波回路は、２つのノッチ回路のみで
も良い。また、この分波回路は、ノッチ回路以外、例え
ばバンドパス回路、ローパス回路、ハイパス回路などを
用いてもよく、これらを適宜組み合わせて構成すること
も出来る。

【００４３】次に、第１のスイッチ回路について説明す
る。第１のスイッチ回路は、図２上側のスイッチ回路で
あり、ＧＳＭ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｇ１、ＤＧ２と、２つの伝送線路ＬＧ１、ＬＧ２からな
り、ダイオードＤＧ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが
接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソ
ード側にアースに接続される伝送線路ＬＧ１が接続され
ている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路Ｌ
Ｇ２が接続され、その受信側にカソードが接続されたダ
イオードＤＧ２が接続され、そのダイオードＤＧ２のア
ノードには、アースとの間にコンデンサＣＧ６が接続さ
れ、その間に抵抗ＲＧ、インダクタＬＧの直列回路が接
続され、コントロール回路ＶＣ１に接続される。

【００４４】そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタＬＧ３と、コンデンサ
ＣＧ３、ＣＧ４、ＣＧ７から構成され、スイッチ回路Ｓ
ＷのダイオードＤＧ１と伝送線路ＬＧ１の間に挿入され
ている。

【００４５】次に、第２のスイッチ回路について説明す
る。第２のスイッチ回路は、図２下側のスイッチ回路で
あり、ＤＣＳ系の送信ＴＸと受信ＲＸを切り換えるもの
である。このスイッチ回路ＳＷは、２つのダイオードＤ
Ｐ１、ＤＰ２と、２つの伝送線路ＬＰ１、ＬＰ２からな
り、ダイオードＤＰ１はアンテナＡＮＴ側にアノードが
接続され、送信ＴＸ側にカソードが接続され、そのカソ
ード側にアースに接続される伝送線路ＬＰ１が接続され
ている。そして、アンテナ側と受信ＲＸ間に伝送線路Ｌ
Ｐ２が接続され、その受信ＲＸ側にカソードが接続され
たダイオードＤＰ２が接続され、そのダイオードＤＰ２
のアノードには、アースとの間にコンデンサＣＰ６が接
続され、その間に抵抗ＲＰ、インダクタＬＰの直列回路
が接続され、コントロール回路ＶＣ２に接続される。

【００４６】そして、送信ＴＸ回路側に挿入されるロー
パスフィルタ回路は、インダクタＬＰ３と、コンデンサ
ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＰ７から構成され、スイッチ回路Ｓ
ＷのダイオードＤＰ１と伝送線路ＬＰ１の間に挿入され
ている。

【００４７】次に、本発明に係る一実施例の平面図を図
３に、その実施例の積層体部分の斜視図を図４に、その
積層体の内部構造を図５に示す。この実施例では、分波
回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路の伝送線路
を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサを
その積層体上に搭載して、ワンチップ化されたマルチバ
ンド用高周波スイッチモジュールを構成したものであ
る。

【００４８】この積層体の内部構造について説明する。
この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料
からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート
上にＡｇを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の
電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成さ
せて構成される。

【００４９】この内部構造を積層順に従って説明する。
まず、下層のグリーンシート１１上には、グランド電極
３１がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成
される端子電極８１、８３、８５、８７、８９、９１、
９３、９４、９５に接続するための接続部が設けられて
いる。

【００５０】次に、電極パターンの印刷されていないダ
ミーのグリーンシート１２を積層する。その上のグリー
ンシート１３には、３つのライン電極４１、４２、４３
が形成され、その上のグリーンシート１４には、４つの
ライン電極４４、４５、４６、４７が形成されている。
その上に、２つのスルーホール電極（図中丸に十字の印
を付けたものがスルーホール電極である、以下同様）が
形成されたグリーンシート１５を積層し、その上に、ア
ース電極３２が形成されたグリーンシート１６が積層さ
れる。

【００５１】この２つのアース電極３１、３２に挟まれ
た領域に形成されたライン電極は適宜接続され、第１及
び第２のスイッチ回路ＳＷ用の伝送線路を形成してい
る。ライン電極４２と４６はスルーホール電極で接続さ
れ、等価回路の伝送線路ＬＧ１を構成し、ライン電極４
１と４５はスルーホール電極で接続され、等価回路の伝
送線路ＬＧ２を構成し、ライン電極４３と４７はスルー
ホール電極で接続され、等価回路の伝送線路ＬＰ１を構
成し、ライン電極４４は等価回路の伝送線路ＬＰ２を構
成している。

【００５２】グリーンシート１６の上に積層されるグリ
ーンシート１７には、コンデンサ用の電極６１、６２、
６３、６４、６５、６６が形成されている。その上に積
層されるグリーンシート１８にもコンデンサ用の電極６
７、６８、６９、７０が形成されている。その上に積層
されるグリーンシート１９には、コンデンサ電極７１が
形成されている。

【００５３】更にその上には、ライン電極４８、４９が
形成されたグリーンシート２０が積層され、その上に、
ライン電極５０、５１、５２、５３、５４、５５が形成
されたグリーンシート２１が積層される。そして、最上
部のグリーンシート２２には、搭載素子接続用のランド
２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３３、３
４、３５、３６、３７が形成されている。

【００５４】上側のアース電極３２が形成されたグリー
ンシート１６の上に積層されたグリーンシート１７のコ
ンデンサ用電極の６１、６２、６３、６４、６５は、ア
ース電極３２との間で容量を形成し、コンデンサ用電極
６１は、等価回路のＣＧ４を、コンデンサ用電極６２
は、等価回路のＣＧ３を、コンデンサ用電極６３は、等
価回路のＣＰ４を、コンデンサ用電極６４は、等価回路
のＣＰ３を、コンデンサ用電極６５は、等価回路のＣＦ
３を構成している。

【００５５】またグリーンシート１７、１８、１９に形
成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コン
デンサ電極６６と７０の間で、等価回路のＣＦ４を構成
し、同様にコンデンサ電極６４と６９の間で、等価回路
のＣＰ７を構成し、コンデンサ電極６２と６７の間で、
等価回路のＣＧ７を構成し、コンデンサ電極７０と７１
の間で、等価回路のＣＦ２を構成し、コンデンサ電極６
８と７１の間で、等価回路のＣＦ１を構成している。こ
のコンデンサ電極６６では、コンデンサ電極７０と対向
して容量を形成するが、このとき、グランド電極３２と
は対向しないように、グランド電極３２には、切り欠き
部が形成されている。また、この切り欠き部を利用し
て、伝送線路に導通するスルーホール電極が形成されて
いる。

【００５６】またグリーンシート２０、２１では、ライ
ン電極４８、５５が等価回路のＬＦ１を構成し、ライン
電極５４、５６が等価回路のＬＦ２を構成し、ライン電
極４９、５３が等価回路のＬＦ３を構成し、ライン電極
５０が等価回路のＬＧ３を構成し、ライン電極５２が等
価回路のＬＰ３を構成している。なお、ライン電極５１
はＤＣラインである。

【００５７】これらのグリーンシートを圧着し、一体焼
成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極８
１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６を形成
した。この外観図を図４に示す。

【００５８】この積層体の上に、ダイオードＤＧ１、Ｄ
Ｇ２、ＤＰ１、ＤＰ２、チップコンデンサＣＧ１、ＣＧ
６、ＣＰ１、ＣＰ６を搭載した。また、チップインダク
タＬＰ４、チップコンデンサＣＰ８を搭載している。こ
のＬＣ直列回路は、このスイッチ回路の送信ＴＸとアン
テナＡＮＴ間のダイオードＯＦＦ時のアイソレーション
特性を良好とするために接続されているが、必ずしも搭
載しなくとも良い。図３に、この搭載素子を搭載した様
子を示す平面図を示す。また、図３に、この高周波スイ
ッチモジュールの実装構成を合わせて示す。この図３
で、ＧＲＤはグランド接続される端子であることを意味
する。この実施例では、図２に示す等価回路のうち、Ｃ
Ｐ２、ＣＰ５、ＣＧ２、ＣＧ５、ＲＧ、ＬＧ、ＲＰ、Ｌ
Ｐは、この実施例のチップ部品の搭載される回路上に形
成される。また、コンデンサＣＰ１は無くしても良い。

【００５９】この実施例によれば、第１及び第２のスイ
ッチ回路の伝送線路を積層体内に形成する際に、グラン
ド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、
スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干
渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた
領域を積層体の下部に配置し、グランド電位を取り易く
している。そして、グランドとの間に接続されるコンデ
ンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向
させて形成している。

【００６０】また、この実施例では、積層体の側面に各
端子が形成され、面実装可能な構造となっている。また
高周波端子であるＡＮＴ端子、ＤＣＳ系ＴＸ端子、ＧＳ
Ｍ系ＴＸ端子、ＧＳＭ系ＲＸ端子、ＤＣＳ系ＲＸ端子
は、互いに隣り合わないように配置してあり、その高周
波端子間には、グランド端子（ＧＲＤ）又はコントロー
ル端子（ＶＣ１、ＶＣ２）が配置されている。また、高
周波端子間には、グランド端子が少なくとも１つ配置さ
れている。また、この積層体の各側面には、少なくとも
１つのグランド端子が配置されている。

【００６１】また、この実施例の積層体の側面に形成さ
れた端子電極において、アンテナＡＮＴ端子に対して積
層体を実装面に垂直な面で２分した反対側に、ＧＳＭ系
の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子がそれぞれ形成されている。さらに、
その反対側において、その半分の片側に、ＧＳＭ系の送
信ＴＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子が形成され、もう
一方の片側に、ＧＳＭ系の受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の受
信ＲＸ端子が形成されている。

【００６２】また、この実施例の積層体では、側面に形
成されたアンテナＡＮＴ端子、ＧＳＭ系の送信ＴＸ端
子、受信ＲＸ端子、ＤＣＳ系の送信ＴＸ端子、受信ＲＸ
端子の高周波端子はいずれも、側面の周回方向で見た場
合、グランド端子で挟まれている。

【００６３】本発明の実施例によれば、ＧＳＭシステム
とＤＣＳ１８００システムとの両バンドを扱うデュアル
バンド携帯電話において、アンテナＡＮＴと、ＧＳＭ系
の送信系、受信系、ＤＣＳ１８００系の送信系、受信系
を切り換えることができるマルチバンド用高周波スイッ
チモジュールを得ることができた。また、本発明は、上
記実施例に限られるものでなく、通過帯域の異なる複数
の送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを得ることができるものである。

【００６４】

【発明の効果】本発明によれば、例えばデュアルバンド
携帯電話などにおいて、極めて有益となるマルチバンド
用高周波スイッチモジュールを提供することができる。
本発明によれば、このマルチバンド用高周波スイッチモ
ジュールを、積層構造を用いることにより、小型に、し
かもワンチップに構成できるものである。これにより、
デュアルバンド携帯電話などにおいて、機器の小型化に
有効なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の回路ブロック図であ
る。

【図２】本発明に係る一実施例の等価回路図である。

【図３】本発明に係る一実施例の平面図である。

【図４】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図であ
る。

【図５】本発明に係る一実施例の積層体の内部構造図で
ある。

【符号の説明】

１１、１２、１３、１４、１５、１、１７、１８、１
９、２０、２１、２２誘電体グリーンシート３１、３２アース電極４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４
９、５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６ライ
ン電極６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、６
９、７０、７１コンデンサ用電極８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８
９、９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６端子
電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者武田剛志鳥取県鳥取市南栄町70番地２号日立金属株式会社鳥取工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱う
高周波スイッチモジュールであって、前記複数の送受信
系に信号を分波する分波回路を有し、前記各送受信系の
それぞれに送信系と受信系を切り替えるスイッチ回路を
有し、前記高周波スイッチモジュールは、電極パターン
と誘電体層の積層体と、該積層体上に配置されたチップ
素子とから構成され、前記積層体の外表面に、前記複数
の送受信系の共通端子、前記各送受信系のそれぞれの送
信系端子、受信系端子を有することを特徴とするマルチ
バンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項２】前記共通端子、前記各送信系端子、及び
前記各受信系端子は、前記積層体の側面に形成され、ま
た前記積層体の各側面には、少なくとも１つのグランド
端子が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
マルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項３】前記高周波端子（前記共通端子、各送信
系端子、各受信系端子）は、前記積層体の側面に形成さ
れ、かつ前記高周波端子は隣り合わない構造に配置して
あることを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用高
周波スイッチモジュール。
【請求項４】前記高周波端子（前記共通端子、各送信
系端子、各受信系端子）は、前記積層体の側面に形成さ
れ、かつ前記高周波端子間には、グランド端子またはス
イッチ回路制御端子が配置され、前記高周波端子が隣り
合わない構造に配置してあることを特徴とする請求項１
記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項５】前記高周波端子（前記共通端子、各送信
系端子、各受信系端子）は、前記積層体の側面に形成さ
れ、かつ前記高周波端子間には、少なくとも１つのグラ
ンド端子が配置されていることを特徴とする請求項１記
載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項６】前記スイッチ回路はダイオードスイッチ
であり、該ダイオードスイッチの制御端子が前記積層体
の側面に形成されていることを特徴とする請求項１記載
のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項７】前記各送受信系のそれぞれの送信系端
子、受信系端子は、前記積層体の側面に形成され、該送
信系端子と受信系端子とは、線対称に配置されているこ
とを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用高周波ス
イッチモジュール。
【請求項８】前記各送受信系のそれぞれの送信系端
子、受信系端子は、前記積層体の側面に形成され、該送
信系端子と受信系端子とは、前記積層体の中心線に対
し、それぞれ別領域に配置されていることを特徴とする
請求項１記載のデュアルバンド用高周波マルチモジュー
ル。
【請求項９】前記積層体において、前記共通端子と、
前記各送受信系の送信系端子及び受信系端子は、前記積
層体を実装面に垂直な面で２分した場合、別領域に形成
されていることを特徴とする請求項１記載のマルチバン
ド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１０】前記積層体を２分した場合の前記共通
端子に対する反対側であって、さらにその反対側を実装
面に垂直な面で２分した領域の片側に、前記各送受信系
の送信系端子が形成され、他の片側に前記各送受信系の
受信系端子が形成されていることを特徴とする請求項９
記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１１】前記分波回路、及び前記スイッチ回路
用の伝送線路を積層体内に電極パターンにより構成した
ことを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用高周波
スイッチモジュール。
【請求項１２】前記積層体において、前記スイッチ回
路用の伝送線路はグランド電極に挟まれた領域に形成さ
れていることを特徴とする請求項１１記載のマルチバン
ド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１３】前記積層体において、前記スイッチ回
路用の伝送線路はグランド電極に挟まれた領域に形成さ
れ、該グランド電極の上側のさらに上部に、前記分波回
路用の容量成分が形成され、さらにその上部に、前記分
波回路用のインダクタンス成分が形成されていることを
特徴とする請求項１１記載のマルチバンド用高周波スイ
ッチモジュール。
【請求項１４】前記分波回路から各送受信系における
各送信系にローパスフィルタ機能を有することを特徴と
する請求項1記載のマルチバンド用高周波スイッチモジ
ュール。
【請求項１５】前記ローパスフィルタ機能を得るロー
パスフィルタ回路が前記積層体内に電極パターンにより
構成されていることを特徴とする請求項１４記載のマル
チバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１６】前記積層体において、グランド電極に
挟まれた領域に、前記伝送線路が形成され、該グランド
電極の上側のさらに上部に、前記ローパスフィルタ回路
用の容量成分、前記分波回路用の容量成分が形成され、
さらにその上部に、前記ローパスフィルタ回路用のイン
ダクタンス成分、前記分波回路用のインダクタンス成分
が形成されていることを特徴とする請求項１５記載のマ
ルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１７】前記積層体において、前記分波回路と
前記ローパスフィルタ回路とは、前記積層体の水平方向
の別領域に別れて形成されていることを特徴とする請求
項１５記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュー
ル。
【請求項１８】前記積層体において、前記伝送線路は
グランド電極に挟まれた領域に形成され、該グランド電
極の上側のグランド電極には、切り欠け部が形成され、
該切り欠き部に前記伝送線路につながるスルーホールが
形成されていることを特徴とする請求項１記載のマルチ
バンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１９】前記積層体上に配置されたチップ素子
を包囲する金属ケースが前記積層体上に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載のマルチバンド用高周波
スイッチモジュール。