DE60009651T2

DE60009651T2 - Hochfrequenzschalter

Info

Publication number: DE60009651T2
Application number: DE60009651T
Authority: DE
Inventors: Mitsuhide Nagaokakyo-shi Kato; Hideki Nagaokakyo-shi Muto
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-01-21
Filing date: 2000-12-22
Publication date: 2005-04-07
Anticipated expiration: 2020-12-23
Also published as: EP1126624A3; JP2001203602A; US6448868B2; EP1126624A2; JP3617399B2; DE60009651D1; US20010026198A1; EP1126624B1

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Hochfrequenzschalter und insbesondere auf einen Hochfrequenzschalter, der als eine eingebaute Komponente in einer Mobilkommunikationsausrüstung verwendet wird, die sich an zwei Frequenzbandsysteme anpaßt.
2. Beschreibung der verwandten Technik
Tragbare Telefone, die zwei Sende-/Empfangsschaltungen umfassen und zu einem Anpassen an ein Dualband in der Lage sind, sind gut bekannt. Aktuelle tragbare Telefonsysteme verwenden z. B. die Kombination von GSM (Betriebsfrequenzband: 800 MHz bis 1 GHz) und DCS1800 (Betriebsfrequenzband: 1,7 GHz bis 1,8 GHz), die Kombination von GSM und PCS (Betriebsfrequenzband: 1,8 GHz bis 1,9 GHz). Es wurde ein Hochfrequenzschalter vorgeschlagen, der zwei Schalter umfaßt, um zwischen der Sendeschaltung und der Empfangsschaltung jeder dieser zwei Sende-/Empfangsschaltungen zu schalten.
16 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das einen herkömmlichen Hochfrequenzschalter zeigt. Zum Beispiel umfaßt der Hochfrequenzschalter 1 einen Schalter 1a zu einer Verwendung mit GSM und einen Schalter 1b zu einer Verwendung mit DCS. Mit den sendeseitigen Anschlüssen Tx1 und Tx2 der Schalter 1a und 1b sind die Kathoden von Dioden D1 bzw. D3 verbunden. Die Kathoden der Dioden D1 und D3 sind über Übertragungsleitungen 2 bzw. 4 geerdet. Die Anoden der Dioden D1 und D3 sind mit antennenseitigen Anschlüssen ANT1 bzw. ANT2 verbunden.
Mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 und ANT2 sind empfangsseitige Anschlüsse Rx1 und Rx2 über Übertragungsleitungen 3 bzw. 5 verbunden. Mit den empfangsseitigen Anschlüssen Rx1 und Rx2 sind die Kathoden von Dioden D2 bzw. D4 verbunden. Die Anoden der Dioden D2 und D4 sind über Kondensatoren C1 bzw. C2 geerdet. Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 sind mit den jeweiligen Zwischenverbindungspunkten zwischen den Anoden der Dioden D2 und D4 und den Kondensatoren C1 und C2 über Widerstände R1 bzw. R2 verbunden.
Bei diesem Hochfrequenzschalter 1 sind die antennenseitigen Anschlüsse ANT1 und ANT2 jeweils elektrisch mit einem Antennenelement 8 über einen Diplexer verbunden, der die Funktion eines Mischens oder Verteilens von Signalen von zwei Frequenzbändern (z. B. GSM und DCS) durchführt und der LPF/HPF, BEF/BEF, LPF/BEF oder BEF/HPF umfaßt, und die sendeseitigen Anschlüsse Tx1 und Tx2 sind elektrisch mit den Sendeschaltungen (nicht gezeigt) von GSM bzw. DCS1800 verbunden und die empfangsseitigen Anschlüsse Rx1 und Rx2 sind mit der Empfangsschaltung (nicht gezeigt) von GSM bzw. DCS1800 elektrisch verbunden. Durch ein Steuern der Spannung, die an die Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 angelegt ist, wird der Schalter 1a während einer Sendung von dem Schalter 1a in den Sendemodus gebracht und der Schalter 1b wird in den Empfangsmodus gebracht, während der Schalter 1b während einer Sendung von dem Schalter 1b in den Sendemodus gebracht wird und der Schalter 1a in den Empfangsmodus gebracht wird.
Wenn jedoch bei dem herkömmlichen Hochfrequenzschalter 1 der Schalter 1a während einer Sendung von dem Schalter 1a in den Sendemodus gebracht wird und der Schalter 1b in den Empfangsmodus gebracht wird, werden von dem Antennenelement 8 hohe harmonische Signale, wie beispielsweise eine zweite Oberschwingung und eine dritte Oberschwingung des Sendesignals von GSM, verbunden mit dem Schalter 1a, gesendet.
Diese hohen harmonischen Signale treten auf, da, wenn der Schalter 1b in dem Empfangsmodus ist, die zwei Dioden D3 und D4 in dem Aus-Zustand sind. Da jedoch der in 16 gezeigte Punkt X1 nicht nur über die Übertragungsleitungen 4 und 5 und den Kondensator C2, sondern auch die Dioden D3 und D4 in dem Aus-Zustand mit der Masse verbunden ist, schwankt die Spannung bei dem Punkt X1. Wenn die Spannung bei dem Punkt X1 schwankt, schwanken die Dioden D3 und D4, die nichtlineare Elemente sind, in einer Kapazität. Falls ein Sendesignal, das durch den Schalter 1a fließt, zu dem Schalter 1b leckt, treten aus diesem Sendesignal hohe Oberschwingungen aufgrund einer Schwankung bei der Kapazität auf. Insbesondere wird die zweite Oberschwingung eines GSM-Sendesignals ohne weiteres von dem Antennenelement 8 gesendet, da die Sendefrequenz der zweiten Oberschwingung des GSM-Sendesignals mit der DCS1800-Sendefrequenz überlappt.
Die EP 0 921 642 A2 offenbart ein Mehrbandhochfrequenzschaltmodul in der Form eines laminierten Körpers zu einer Verwendung bei einem Kommunikationssystem, das eine Mehrzahl von Sende-/Empfangssystemen benutzt, die unterschiedliche Durchlaßbänder aufweisen. Das Mehrbandhochfrequenzschaltmodul weist grundsätzlich eine Bandtrennschaltung und eine Mehrzahl von Schaltschaltungen für die Sende-/Empfangssysteme auf. Die Schaltschaltungen sind durch die Bandtrennschaltung mit einer gemeinsamen Antenne verbunden und verbinden die gemeinsame Antenne abwechselnd mit Sendeschaltungen oder Empfangsschaltungen der Sende-/Empfangssysteme. Jedes der Sende-/Empfangssysteme kann durch ein Anlegen einer Spannung an eine getrennte Verbindung des Sende-/Empfangssystems zu einem Sendemodus geschaltet werden. Ein Nachteil des Mehrbandhochfrequenzschaltmoduls besteht darin, daß ein Sendesignal, das durch ein erstes Sende-/Empfangssystem fließt, zu einem zweiten Sende-/Empfangssystem leckt, wobei hohe Oberschwingungen aufgrund einer Schwankung bei einer Kapazität des zweiten Sende-/Empfangssystems, wie es oben beschrieben ist, aus diesem leckenden Sendesignal auftreten.
Die US 5,911,166 beschreibt eine Sende-/Empfangsumschaltschaltungsanordnung für ein Sende-/Empfangsgerät, die einen Senderanschluß, einen Empfängeranschluß, der durch jeweilige Sende- und Empfangsschaltungsabschnitte mit einem Schaltungszusammenführungspunkt verbunden ist, der mit einem Antennenanschluß gekoppelt ist, umfaßt. Ein steuerbarer Halbleiterschalter ist mit dem Sendeschaltungsabschnitt verbunden. Ein weiterer steuerbarer Halbleiterschalter ist mit dem Empfangsschaltungsabschnitt verbunden. Ein Nachteil dieser Sende-/Empfangsumschaltschaltungsanordnung besteht darin, daß zwei Spannungen an die Schaltungsanordnung angelegt werden müssen, um den Betriebsmodus des Geräts zu steuern, d. h. um den Sendemodus oder den Empfangsmodus zu steuern. Ein weiterer Nachteil dieser Schaltungsanordnung besteht darin, daß dieselbe lediglich in einem einzigen Sende-/Empfangsband wirksam ist.
Die US 5,473,293 offenbart einen Hochfrequenzschalter, der eine Mehrschichtplatine oder eine laminierte Struktur umfaßt. Es ist ein Nachteil dieses Hochfrequenzschalters, daß derselbe einen Verbindungspunkt aufweist, der den Sende- und den Empfangsabschnitt trennt, wobei dieser Verbindungspunkt bei einigen Betriebsmodi ein schwebendes Potential aufweist. Ferner ist der Hochfrequenzschalter lediglich in einem einzigen Sende-/Empfangsband wirksam.
Die EP 0 704 925 A1 offenbart eine zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung, die ein Hochfrequenzfilter und einen Hochfrequenzschalter umfaßt, die eine wesentlich reduzierte Größe aufweisen und keine Impedanzanpassungsschaltung erfordern. Die Vorrichtung umfaßt eine Mehrschichtbasis, die eine äußere Oberfläche mit einer Mehrzahl von Dioden, eine externe Masseelektrode, eine externe Elektrode für eine Sendeschaltung, eine externe Elektrode für eine Empfangsschaltung, eine externe Elektrode für eine Antennen schaltung und externe Elektroden für an denselben positionierte Steueranschlüsse aufweist. Es ist ein Nachteil dieser zusammengesetzten Hochfrequenzvorrichtung, daß die Vorrichtung lediglich in einem einzigen Sende-/Empfangsband wirksam ist und daß die Vorrichtung einen Verbindungspunkt aufweist, der bei einigen Betriebsmodi ein schwebendes Potential aufweist, was in den oben beschriebenen Problemen resultiert.
Zusammenfassung der Erfindung
Um die oben beschriebenen Probleme zu bewältigen, stellen bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung einen Hochfrequenzschalter bereit, der ein geringes Auftreten von hohen harmonischen Signalen aufweist.
Der Hochfrequenzschalter gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt einen ersten Schalter zu einer Verwendung mit einem ersten Sende-/Empfangsband, wobei der erste Schalter zumindest zwei Schaltelemente aufweist, einen zweiten Schalter zu einer Verwendung mit einem zweiten Sende-/Empfangsband, das eine Frequenz verwendet, die von der Betriebsfrequenz des ersten Sende-/Empfangsbands unterschiedlich ist, wobei der zweite Schalter zumindest zwei Schaltelemente aufweist, und einen Mechanismus, um eine Spannung zwischen die zwei Schaltelemente eines des ersten und des zweiten Schalters anzulegen, wenn der andere der Schalter sich in einem Zustand des Sendemodus befindet. Hierin kann z. B. als der Spannungsanlegemechanismus ein Widerstand verwendet werden, der elektrisch zwischen den ersten und den zweiten Schalter geschaltet ist.
Vorzugsweise umfaßt jeder des ersten und des zweiten Schalters einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß, einen dritten Anschluß und einen Spannungssteueranschluß, eine erste Diode, deren Kathode elektrisch mit der ersten Anschlußseite verbunden ist und deren Anode elektrisch mit der zweiten Anschlußseite verbunden ist, eine erste Übertragungsleitung, die elektrisch zwischen den zweiten Anschluß und den dritten Anschluß geschaltet ist, eine zweite Diode, deren Kathode elektrisch mit der dritten Anschlußseite verbunden ist und deren Anode elektrisch mit der Spannungssteueranschlußseite verbunden ist, und eine zweite Übertragungsleitung, die elektrisch zwischen den ersten Anschluß und eine Masse geschaltet ist.
Die Anordnung ist derart, daß jeder des ersten und des zweiten Schalters einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß, einen dritten Anschluß und einen Spannungssteueranschluß und eine erste Diode, deren Anode elektrisch mit der ersten Anschlußseite verbunden ist, deren Kathode elektrisch mit der zweiten Anschlußseite verbunden ist, eine erste Übertragungsleitung, die elektrisch zwischen den zweiten Anschluß und den dritten Anschluß geschaltet ist, eine zweite Diode, die elektrisch zwischen den dritten Anschluß und eine Masse in dem Zustand geschaltet ist, wobei die Anode elektrisch mit der dritten Anschlußseite verbunden ist, und eine zweite Übertragungsleitung umfaßt, die elektrisch zwischen den ersten Anschluß und den Spannungssteueranschluß geschaltet ist.
Wenn einer des ersten und des zweiten Schalters in einem Zustand des Sendemodus ist, wird, selbst wenn der andere Schalter in einem Empfangsmodus ist, bei diesen eindeutigen Merkmalen und Anordnungen eine Spannung durch den Spannungsanlegemechanismus an einen vorbestimmten Punkt zwischen den zwei Schaltelementen des anderen Schalters angelegt, so daß die Spannung bei diesem Punkt konstant ist. Dies verhindert, daß die Vorspannungsspannung der Schaltelemente des anderen Schalters schwankt, was in stark reduzierten Auftretensfällen von hohen harmonischen Signalen resultiert.
Ferner ist es bevorzugt, daß bei dem Hochfrequenzschalter gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung auf der Oberfläche des laminierten Körpers, der durch ein Laminieren einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten und der ersten und der zweiten Übertragungsleitung jedes des ersten und des zweiten Schalters aufgebaut ist, die ersten, die zweiten und die dritten Anschlüsse und die Spannungssteueranschlüsse von jedem des ersten und des zweiten Schalters vorgesehen sind, sowie die ersten und die zweiten Dioden des ersten und des zweiten Schalters und Widerstände als der Spannungsanlegemechanismus befestigt sind.
Mit diesen eindeutigen Merkmalen und Anordnungen ist ein laminierter Hochfrequenzschalter erreicht, der notwendige Schaltungen aufweist, die in eine einzige Komponente eingebaut sind. Dies eliminiert die Notwendigkeit von Anpassungseinstellungskomponenten zu einem Verbinden von Anpassungseinstellungselementen, die erforderlich sind, um Komponenten für die zwei Schalter zusammenzufügen.
Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen derselben mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Hochfrequenzschalters gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
2 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein Beispiel eines Filters darstellt, das bei dem in 1 gezeigten Hochfrequenzschalter verwendet wird.
3 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine Modifizierung zu einem Verbessern der Trennung zeigt, wenn eine Diode in dem Aus-Zustand ist.
4 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein Beispiel eines Diplexers zeigt.
5 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die konzeptionell den Aufbau eines laminierten Hochfrequenzschalters darstellt, der die elektrische Schaltung des Hochfrequenzschalters aufweist, der in 1 gezeigt ist.
6 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Erscheinungsbild des in 5 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
7 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine Modifizierung des in 1 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
8 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine andere Modifizierung des in 1 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
9 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das noch eine andere Modifizierung des in 1 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
10 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine weitere Modifizierung des in 1 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
11 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Hochfrequenzschalters gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
12 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine Modifizierung des in 11 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
13 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine andere Modifizierung des in 11 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
14 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das noch eine andere Modifizierung des in 11 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
15 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das eine weitere Modifizierung des in 11 gezeigten Hochfrequenzschalters darstellt.
16 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das einen herkömmlichen Hochfrequenzschalter zeigt.
Detaillierte Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen
1 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein Beispiel eines Hochfrequenzschalters gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. Der Hochfrequenzschalter 21 umfaßt zwei Schalter 21a und 21b. Mit den sendeseitigen Anschlüssen Tx1 und Tx2 der Schalter 21a und 21b sind die Kathoden von Dioden D11 und D13, die jeweils Schaltelemente sind, über Filter 31 bzw. 34 verbunden. Die Kathoden der Dioden D11 und D13 sind über Übertragungsleitungen 22 bzw. 24 geerdet. Jede der Übertra gungsleitungen 22 und 24 führt die Funktion von Drosselelementen durch. Die Anoden der Dioden D11 und D13 sind mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 und ANT2 über Filter 32 bzw. 35 verbunden.
Mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 und ANT2 sind empfangsseitige Anschlüsse Rx1 und Rx2 über die Filter 32 bzw. 35, die Übertragungsleitungen 23 bzw. 25 und Filter 33 bzw. 36 verbunden.
Mit den empfangsseitigen Anschlüssen Rx1 und Rx2 sind die Kathoden der Dioden D12 und D14 über die Filter 33 bzw. 36 verbunden. Die Anoden der Dioden D12 und D14 sind über Vorspannungsschnitt- (bias-cut) Kondensatoren C11 bzw. C12 geerdet. Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 sind mit den jeweiligen Zwischenverbindungspunkten zwischen den Anoden der Dioden C12 und C14 und den Kondensatoren C11 und C12 über Widerstände R11 bzw. R12 verbunden. Eine Steuerspannung zu einem Schalten von Übertragungsleitungen des Hochfrequenzschalters 21 ist an diese Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 angelegt. Der Widerstandswert der Widerstände R11 und R12 beträgt vorzugsweise z. B. etwa 100 Ω bis etwa 5 kΩ.
Ferner sind mit den jeweiligen Zwischenverbindungspunkten (Punkte X2 und X1) zwischen den Anoden der Dioden D11 und D13 und den Übertragungsleitungen 23 und 25 die Spannungssteueranschlüsse Vc2 und Vc1 über Widerstände r2 bzw. r1 verbunden.
Hierin werden als die Übertragungsleitungen 22–25 Verteilte-Konstante-Leitungen, die jeweils eine charakteristische Impedanz aufweisen, die nicht geringer als etwa 40 Ω ist, oder Hochfrequenzinduktivitäten verwendet. Bei einer Verteilte-Konstante-Leitung liegt die Länge jeder der Übertragungsleitungen 22–25 vorzugsweise in dem Bereich von in etwa λ/12 bis in etwa einschließlich λ/4 (λ: die Wellenlänge bei einer erwünschten Frequenz).
Für jedes der Filter 31–36 wird z. B. ein drittes Tiefpaßfilter verwendet, wie es in 2 gezeigt ist. Die gegenüberliegenden Seiten einer Übertragungsleitung 40 sind jeweils über Kondensatoren C18 und C19 geerdet. Ein Kondensator 20 ist mit der Übertragungsleitung 40 parallel geschaltet. Als die Übertragungsleitung 40 wird eine Verteilte-Konstante-Leitung oder eine Hochfrequenzinduktivität verwendet. Hier sind die Filter 31–36 nicht notwendigerweise erforderlich. Diese Filter können abhängig von der erwünschten Verwendung weggelassen sein.
Ferner ist, wie es in 3 gezeigt ist, über die gegenüberliegenden Seiten (über die Anode und die Kathode) jeder der Dioden D11 und D13 eine Reihenschaltung geschaltet, die eine Übertragungsleitung 41 und einen Kondensator 21 umfaßt, oder es kann ein Kondensator C211 geschaltet sein. Die Übertragungsleitung 41 und der Kondensator 21 werden verwendet, um die Trennung zu verbessern, wenn die Dioden D11 und D13 in dem Aus-Zustand sind.
Als nächstes wird die Sendung durch die Verwendung des Hochfrequenzschalters 21 beschrieben. Wie es in 1 gezeigt ist, sind bei dem Hochfrequenzschalter 21 die antennenseitigen Anschlüsse ANT1 und ANT2 jeweils mit einem Antennenelement 28 über einen Diplexer 27 verbunden und der sendeseitige Anschluß Tx1 und der empfangsseitige Anschluß Rx1 des Schalters 21a sind elektrisch mit der Sende- bzw. der Empfangsschaltung (nicht gezeigt) von GSM (erstes Hochfrequenzsignal) verbunden, während der sendeseitige Anschluß Tx2 und der empfangsseitige Anschluß Rx2 des Schalters 21b elektrisch mit der Sende- bzw, der Empfangsschaltung (nicht gezeigt) von DCS1800 (zweites Hochfrequenzsignal) verbunden sind.
Der Diplexer 27 wird zu einem Schalten zwischen dem Frequenzband von GSM und demselben von DCS1800 verwendet und, wie es in 4 gezeigt ist, ist der Diplexer durch ein Kombinieren eines Tiefpaßfilters 27a und eines Hochpaßfil ters 27b aufgebaut. Das Tiefpaßfilter 27a umfaßt eine Übertragungsleitung 42, einen Kondensator 22, der zwischen ein Ende der Übertragungsleitung 42 und eine Masse geschaltet ist, und einen Kondensator 23, der mit der Übertragungsleitung 42 parallel geschaltet ist. Das Hochpaßfilter 27b ist durch ein T-Verbinden der Reihenschaltung von zwei Kondensatoren C24 und C25 und der Reihenschaltung von einer Übertragungsleitung 43 und einem Kondensator 26 aufgebaut. Die Eingangs-/Ausgangstore P1 und P2 des Diplexers 27 sind elektrisch mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 bzw. ANT2 des Hochfrequenzschalters 21 verbunden und ein Eingangs-/Ausgangstor P3 ist elektrisch mit dem Antennenelement 28 verbunden.
Wenn ein positives Potential an den Spannungssteueranschluß Vc1 (den ersten Spannungssteueranschluß) des Hochfrequenzschalters 21 angelegt ist und ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß Vc2 (den zweiten Spannungssteueranschluß) desselben angelegt ist, wirkt das an den Spannungssteueranschluß Vc1 angelegte positive Potential als eine Vorwärtsvorspannungsspannung an den Dioden D11 und D12 des Schalters 21a. Hier kann an den Spannungssteueranschluß Vc2 ein negatives Potential oder ein schwaches positives Potential (z. B. 0 bis 0,4 V) anstelle des Massepotentials angelegt sein (hierin geht im folgenden das gleiche, wann immer ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß angelegt ist).
Dadurch werden die Dioden D11 und D12 EIN-geschaltet und der Schalter 21a tritt in einen Zustand des Sendemodus ein. Folglich wird das GSM-Sendesignal, das bei dem sendeseitigen Anschluß Tx1 eingegeben wird, zu dem antennenseitigen Anschluß ANT1 über die Diode D11 gesendet. Zu dieser Zeit wird das GSM-Sendesignal nicht wesentlich zu dem empfangsseitigen Anschluß Rx1 gesendet. Da die Induktivität, die die Diode D12 besitzt, selbst in dem EIN-Zustand ist und die Kapazität des Kondensators C11 eine Reihenresonanz bei der Sendefrequenz bewirkt und die Impedanz dieser Reihenre sonanzschaltung 0 wird, ist jede der Übertragungsleitungen 22 und 23 als eine Kurzstichleitung mit einer Leitungslänge von in etwa λ/4 wirksam und somit sind der sendeseitige Anschluß Tx1 und der antennenseitige Anschluß ANT1 verbunden und der empfangsseitige Anschluß Rx1 ist geerdet.
Ferner ist das positive Potential, das an dem Spannungssteueranschluß Vc1 angelegt war, an den Zwischenverbindungspunkt (Punkt X1) zwischen der Anode der Diode D13 des anderen Schalters 21b und der Übertragungsleitung 25 über den Widerstand r1 angelegt und macht dadurch den Punkt X1 zu einem positiven Potential. Dies resultiert in einem Zustand, bei dem die Dioden D13 und D14 des Schalters 21b einer Spannung unterzogen sind. Dies macht die Kapazitäten der Dioden D13 und D14 konstant. Selbst falls das GSM-Sendesignal, das durch den Schalter 21a fließt, zu dem Schalter 21b leckt, ist daher das Auftreten von hohen harmonischen (zweite Oberschwingung, dritte Oberschwingung etc.) Signalen von diesem Sendesignal aufgrund von Variationen bei der Kapazität der Dioden D13 und D14 wesentlich unterbunden. Dies führt zu einer Verbesserung bei Störcharakteristika aufgrund der Nichtlinearität der Dioden.
Falls hierin der Widerstandswert des Widerstands r1 reduziert ist (auf näherungsweise 10 kΩ oder darunter), ist die Diode D13 EIN-geschaltet und das Potential des Punkts X1 wird stabil. Zu dieser Zeit ist der Schalter 21b in einem Zustand von weder einem Sendemodus noch einem Empfangsmodus.
Falls hierin der Strom, der durch den Widerstand r1 fließt, erhöht ist, erhöht sich auch ein Leistungsverbrauch. Der Widerstandswert des Widerstands r1 ist daher z. B. auf zumindest in etwa 500 Ω festgelegt. Falls der Widerstandswert des Widerstands r1 jedoch zu groß ist, erhöht sich die Instabilität des Potentials des Punkts X1. Bei diesem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ist daher vorzugsweise der Widerstandswert des Widerstands r1 näherungsweise 3 kΩ. Der Widerstand ist ferner auf näherungsweise 3 kΩ festgelegt.
Wenn jedoch ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß Vc1 angelegt ist und ein positives Potential an den Spannungssteueranschluß Vc2 angelegt ist, wirkt das an den Spannungssteueranschluß Vc2 angelegte positive Potential als eine Vorwärtsvorspannungsspannung an den Dioden D13 und D14 des Schalters 21b. Dadurch werden die Dioden D13 und D14 EIN-geschaltet und der Schalter 21b tritt in einen Zustand des Sendemodus ein. Folglich wird das DCS1800-Sendesignal, das bei dem sendeseitigen Anschluß Tx2 eingegeben wird, zu dem antennenseitigen Anschluß ANT2 über die Diode D13 gesendet.
Ferner ist die positive Spannung, die an den Spannungssteueranschluß Vc2 angelegt ist, an den Zwischenverbindungspunkt (Punkt X2) zwischen der Anode der Diode D11 des anderen Schalters 21a und der Übertragungsleitung 23 über den Widerstand r2 angelegt, wodurch der Punkt X2 ein gegebenes positives Potential aufweist. Dies resultiert in einem Zustand, bei dem die Dioden D11 und D12 des Schalters 21a einer gegebenen Spannung unterzogen sind. Dies macht die Kapazitäten der Dioden D11 und D12 konstant. Selbst falls das DCS1800-Sendesignal, das durch den Schalter 21b fließt, zu dem Schalter 21a leckt, ist daher das Auftreten von hohen harmonischen (zweite Oberschwingung, dritte Oberschwingung etc.) Signalen von diesem Sendesignal aufgrund von Variationen bei der Kapazität der Dioden D11 und D12 verhindert.
Falls hierin der Widerstandswert des Widerstands r2 reduziert ist (auf näherungsweise 10 kΩ oder darunter), ist die Diode D11 EIN-geschaltet und das Potential des Punkts X2 ist stabil.
Als nächstes wird ein Beispiel eines laminierten Hochfrequenzschalters 21, der die in 1 gezeigte elektrische Schaltung aufweist, mit Bezug auf 5 und 6 beschrieben. 5 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht, die konzeptionell den Aufbau eines laminierten Hochfrequenzschalters 21 darstellt, der die in 1 gezeigte elektrische Schaltung aufweist. In 5 sind Durchgangslöcher zum elektrischen Verbinden von Schichten lediglich teilweise beschrieben und alle der Herausführungselektroden zum elektrischen Verbinden interner Elektroden und externer Anschlüsse sind weggelassen. Alle der Filter 31–36 sind ebenfalls weggelassen.
Der Hochfrequenzschalter 21 umfaßt eine dielektrische Lage 75, die Verteilte-Konstante-Leitungen 52a und 54a aufweist, eine dielektrische Lage 75, die Verteilte-Konstante-Leitungen 52b und 54b aufweist, eine dielektrische Lage 75, die Verteilte-Konstante-Leitungen 58 und 59 aufweist, und eine dielektrische Lage 75, die eine Anschlußfläche 71 aufweist.
Die Verteilte-Konstante-Leitungen 52a und 52b weisen jeweils z. B. Spiralformen auf und sind elektrisch über Löcher 73, die in der Lage 75 vorgesehen sind, elektrisch in Reihe geschaltet, wodurch die Übertragungsleitung 22 definiert ist. Auf eine ähnliche Weise sind ferner die Verteilte-Konstante-Leitungen 54a und 54b über Löcher 73, die in der Lage 75 vorgesehen sind, elektrisch in Reihe geschaltet und definieren dadurch die Übertragungsleitung 24. Die Verteilte-Konstante-Leitungen 58, die die Übertragungsleitung 23 definieren, und die Verteilte-Konstante-Leitungen 59, die die Übertragungsleitung 25 definieren, sind an der Rückseite bzw. der Vorderseite der Lage 75 angeordnet.
Alle Lagen, die die oben beschriebenen Merkmale aufweisen, werden laminiert und integriert gebrannt, um einen laminierten Körper 80 zu definieren, wie es in 6 darge stellt ist. An dem Seitenabschnitt an der Rückseite des laminierten Körpers 80 sind der sendeseitige Anschluß Tx1, der antennenseitigen Anschluß ANT, der Spannungssteueranschluß Vc1, der empfangsseitige Anschluß Rx1 und der Masseanschluß G3 des Schalters 21a vorgesehen. An dem Seitenabschnitt an der Vorderseite des laminierten Körpers 80 sind der sendeseitige Anschluß Tx2, der Spannungssteueranschluß Vc2, der empfangsseitige Anschluß Rx2 und die Masseanschlüsse G4 und G5 des Schalters 21b vorgesehen. An den Seitenabschnitten an der rechten und der linken Seite des laminierten Körpers 80 sind Masseanschlüsse G1 bzw. G2 vorgesehen. An den Anschlußflächen 71 auf der oberen Oberfläche des laminierten Körpers 80 sind die Dioden D11 – D14 und die Widerstände R11, R12, r1 und r2 gelötet. Der so erhaltene laminierte Hochfrequenzschalter 21 weist eine Konfiguration auf, bei der die hintere Hälfte desselben einen Schalter 21a bildet, während die vordere Hälfte desselben einen Schalter 21b bildet, und bei der die Strukturen und Elemente an der Rückseite und dieselben an der Vorderseite im wesentlichen symmetrisch zueinander angeordnet sind.
Die Verbindungspositionen von einseitigen Enden der Widerstände r1 und r2 zum Anlegen gegebener Spannungen an die Dioden der Schalter in dem Nichtsendemodus sind zwischen den Dioden D13 und D14 bzw. zwischen den Dioden D11 und D12 positioniert. Wie es z. B. in 7 gezeigt ist, sind die Widerstände r2 und r1 zwischen die jeweiligen Zwischenverbindungspunkte zwischen den Dioden D12 und D14 und den Übertragungsleitungen 23 und 24 bzw. die Spannungssteueranschlüsse Vc2 und Vc2 geschaltet. Wie es alternativ in 8 gezeigt ist, können die Widerstände r2 und r1 zwischen die jeweiligen Zwischenverbindungspunkte zwischen den Dioden D11 und D13 und den Übertragungsleitungen 23 und 25 bzw. die jeweiligen Zwischenverbindungspunkte zwischen den Dioden D14 und D12 und den Kondensatoren C12 und C11 geschaltet sein. Oder, wie es in 9 gezeigt ist, können die Widerstände r2 und r1 zwischen die jeweiligen Zwischen verbindungspunkte zwischen den Dioden D12 und D14 und den Übertragungsleitungen 23 und 25 bzw. die jeweiligen Zwischenverbindungspunkte zwischen den Dioden D14 und D12 und den Kondensatoren C12 und C11 geschaltet sein.
Wie es alternativ in 10 gezeigt ist, kann der Widerstand r zum Anlegen einer Spannung zwischen den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D12 und der Übertragungsleitung 23 und den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D14 und der Übertragungsleitung 25 geschaltet sein (siehe die durchgezogene Linie). Oder der Widerstand r kann zwischen den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D11 und der Übertragungsleitung 23 und den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D13 und der Übertragungsleitung 25 geschaltet sein (siehe die gepunktete Linie). Oder der Widerstand r kann zwischen den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D11 und der Übertragungsleitung 23 und den Zwischenverbindungspunkt zwischen der Diode D14 und der Übertragungsleitung 25 geschaltet sein (siehe die Strichpunktlinie).
11 ist ein Diagramm einer elektrischen Schaltung, das ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Hochfrequenzschalters 91 zeigt. Der Hochfrequenzschalter 91 umfaßt zwei Schalter 21a und 21b. Mit den sendeseitigen Anschlüssen Tx1 und Tx2 der Schalter 21a und 21b sind die Anoden von Dioden D11 und D13, die Schaltelemente sind, über jeweilige Filter 31 bzw. 34 verbunden. Die Anode der Diode D11 ist über die Reihenschaltung einer Sendeleitung 22 und eines Kondensators 13 geerdet. Auf eine ähnliche Weise ist die Anode der Diode D14 über die Reihenschaltung einer Übertragungsleitung 24 und eines Kondensators 14 geerdet. Spannungssteueranschlüsse Vc3 und Vc4 sind zwischen die Zwischenverbindungspunkte zwischen der Übertragungsleitung 22 und dem Kondensator 13 bzw. die Zwischenverbindungspunkte zwischen der Übertragungsleitung 24 und dem Kondensator 14 geschaltet. Die Kathoden der Dioden D11 und D13 sind mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 und ANT2 über Filter 32 bzw. 35 verbunden.
Mit den antennenseitigen Anschlüssen ANT1 und ANT2 sind empfangsseitige Anschlüsse Rx1 und Rx2 über die Filter 32 bzw. 35, die Übertragungsleitungen 23 bzw. 25 und die Filter 33 bzw. 36 verbunden. Mit den empfangsseitigen Anschlüssen Rx1 und Rx2 sind die Anoden der Dioden D12 und D14 über die Filter 33 bzw. 36 verbunden. Die Kathoden der Dioden D12 und D14 sind über Vorspannungsschnittkondensatoren C11 bzw. C12 geerdet. Mit den jeweiligen Zwischenverbindungspunkten zwischen den Kathoden der Dioden D12 und D14 und den Kondensatoren C11 und C12 sind die Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 über Widerstände R11 bzw. R12 verbunden. Die Spannungssteueranschlüsse Vc1 und Vc2 können jedoch geerdet sein. Mit den jeweiligen Zwischenverbindungspunkten zwischen den Kathoden der Dioden D11 und D13 und den Übertragungsleitungen 23 und 25 sind ferner die Spannungssteueranschlüsse Vc4 und Vc3 über Widerstände r2 bzw. r1 verbunden. In 11 sind die gleichen Komponenten und die gleichen Teile, wie dieselben in 1 gezeigt sind, durch die gleichen Bezugszeichen identifiziert und Beschreibungen derselben sind weggelassen.
Als nächstes wird die Sendung durch die Verwendung des Hochfrequenzschalters 91 beschrieben. Wenn ein positives Potential an den Spannungssteueranschluß Vc3 angelegt ist und ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß Vc1 angelegt ist, wirkt das an den Spannungssteueranschluß Vc3 angelegte positive Potential als eine Vorwärtsvorspannungsspannung an den Dioden D11 und D12 des Schalters 21a. Dadurch werden die Dioden D11 und D12 EIN-geschaltet und der Schalter 21a tritt in einen Zustand des Sendemodus ein. Folglich wird das GSM-Sendesignal, das bei dem sendeseitigen Anschluß Tx1 eingegeben wird, über die Diode D11 zu dem antennenseitigen Anschluß ANT1 gesendet. Zu dieser Zeit wird das GSM-Sendesignal nicht zu dem empfangsseitigen Anschluß Rx1 gesendet. Dies ist so, weil die Impedanz der Übertragungsleitung 23 unendlich wird, da die Übertragungsleitung 23 durch die Diode D12 geerdet ist, und bewirkt eine Resonanz bei der Sendefrequenz.
Mit Bezug auf den Schalter 21b ist jedoch eine positive Spannung an den Spannungssteueranschluß Vc2 angelegt und ein Massepotential ist an den Spannungssteueranschluß Vc4 angelegt, wodurch der Schalter 21b in den Empfangsmodus gebracht ist.
Ferner ist das positive Potential, das an den Spannungssteueranschluß Vc3 angelegt war, an den Zwischenverbindungspunkt (Punkt X1) zwischen der Kathode der Diode D13 des anderen Schalters 2lb und der Übertragungsleitung 25 über den Widerstand r1 angelegt und macht dadurch den Punkt X1 zu einem gegebenen positiven Potential. Dies resultiert in einem Zustand, bei dem die Dioden D13 und D14 des Schalters 21b einer Spannung unterzogen sind. Dadurch ist verhindert, daß die Vorspannungsspannung der Dioden D13 und D14 schwankt, und somit sind die Kapazitäten der Dioden D13 und D14 konstant. Selbst falls das GSM-Sendesignal, das durch den Schalter 21a fließt, zu dem Schalter 21b leckt, ist daher ein Auftreten von hohen harmonischen (zweite Oberschwingung, dritte Oberschwingung etc.) Signalen von diesem Sendesignal aufgrund von Variationen bei der Kapazität der Dioden D13 und D14 unterbunden. Dies führt zu einer Verbesserung bei Störcharakteristika aufgrund der Nichtlinearität der Dioden.
Falls hierin der Widerstandswert des Widerstands r1 reduziert ist (auf näherungsweise 10 kΩ oder darunter), ist die Diode D13 EIN-geschaltet und die Stabilität des Potentials des Punkts X1 ist stark verbessert. Zu dieser Zeit ist der Schalter 21b in einem Zustand von weder einem Sendemodus noch einem Empfangsmodus.
Wenn ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß Vc2 angelegt ist und ein positives Potential an den Span nungssteueranschluß Vc4 angelegt ist, wirkt das positive Potential, das an den Spannungssteueranschluß Vc4 angelegt ist, als eine Vorwärtsvorspannungsspannung an den Dioden D13 und D14 des Schalters 21b. Dadurch werden die Dioden D13 und D14 EIN-geschaltet und der Schalter 21b tritt in den Sendemodus ein. Folglich wird das DCS1800-Sendesignal, das bei dem sendeseitigen Anschluß Tx2 eingegeben wird, über die Diode D13 zu dem antennenseitigen Anschluß ANT2 gesendet.
Mit Bezug auf den Schalter 21a ist jedoch ein Massepotential an den Spannungssteueranschluß Vc3 angelegt und ein positives Potential ist an den Spannungssteueranschluß Vc1 angelegt, wodurch der Schalter 21a in den Empfangsmodus gebracht ist.
Ferner ist das positive Potential, das an den Spannungssteueranschluß Vc4 angelegt war, an den Zwischenverbindungspunkt (Punkt X2) zwischen der Kathode der Diode D11 des anderen Schalters 21a und der Übertragungsleitung 23 über den Widerstand r2 angelegt und versieht dadurch den Punkt X2 mit einem gegebenen positiven Potential. Dies resultiert in einem Zustand, bei dem die Dioden D11 und D12 des Schalters 21a einer Spannung unterzogen sind. Dadurch schwankt die Vorspannungsspannung der Dioden D11 und D12 nicht und somit sind die Kapazitäten der Dioden D11 und D12 konstant. Selbst falls das DCS-Sendesignal, das durch den Schalter 21b fließt, zu dem Schalter 21a leckt, ist daher das Auftreten von hohen harmonischen Signalen von diesem Sendesignal aufgrund von Variationen bei der Kapazität der Dioden D11 und D12 verhindert.
Falls der Widerstandswert des Widerstands r2 reduziert ist (auf näherungsweise 10 kΩ oder darunter), ist die Diode D11 EIN-geschaltet und die Stabilität des Potentials des Punkts X2 ist stark verbessert. Zu dieser Zeit ist der Schalter 21a in einem Zustand von weder einem Sendemodus noch einem Empfangsmodus.
Die Verbindungspositionen eines einseitigen Endes der Widerstände r1 und r2, um gegebene Spannungen an die Dioden der Schalter in dem Nichtsendemodus anzulegen, sind lediglich zwischen den Dioden D13 und D14 bzw. zwischen den Dioden D11 und D12 positioniert. Die Widerstände r1 und r2 sind daher verbunden, wie es in 12–14 gezeigt ist. Alternativ kann, wie es in 15 gezeigt ist, der Widerstand als ein Mechanismus zum Anlegen einer Spannung verbunden sein, wie es durch eine jegliche der durchgezogenen Linie, der gepunkteten Linie und der Strichpunktlinie in der Figur angegeben ist.
Der Hochfrequenzschalter gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele begrenzt. Insbesondere ist es nicht notwendigerweise erforderlich, daß bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen beide der Widerstände r1 und r2 verbunden sind. Es ist lediglich wesentlich, daß einer der Widerstände r1 und r2 verbunden ist. Ferner können neben Dioden Schaltelemente, Transistoren, ein FET oder andere geeignete Elemente als Schaltelemente verwendet werden.
Wie es aus den obigen Beschreibungen offensichtlich ist, ist es bei dem Hochfrequenzschalter gemäß der vorliegenden Erfindung, da der Mechanismus zum Anlegen einer Spannung zwischen die zwei Schaltelemente eines des ersten und des zweiten Schalters, wenn der andere der Schalter in einem Zustand des Sendemodus ist, vorgesehen ist, verhindert, daß die Vorspannungsspannung des einen der Schalter schwankt, was das Auftreten von hohen Oberschwingungen stark unterbindet. Folglich ist das Auftreten von hohen harmonischen Signalen aufgrund der Nichtlinearitätscharakteristika der Schaltelemente verhindert, was die Störcharakteristika stark verbessert.
Ferner ist gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch ein Implementieren eines laminierten Hochfrequenzschalters, bei dem erforderliche Schaltungen in eine einzige Komponente eingebaut sind, die Fläche auf einer gedruckten Schaltungsplatine, die durch den Hochfrequenzschalter eingenommen wird, stark reduziert und die Notwendigkeit für Anpassungseinstellungsmechanismen, die benötigt werden, um Komponenten für die zwei Schalter zusammenzufügen, ist eliminiert.
Während die Erfindung in den bevorzugten Ausführungsbeispielen derselben beschrieben wurde, sind angesichts der obigen Lehren offensichtlich viele Modifizierungen und Variationen der vorliegenden Erfindung möglich. Es ist daher klar, daß die Erfindung innerhalb des Schutzbereichs der beigefügten Ansprüche anderweitig praktiziert werden kann, als es spezifisch beschrieben ist.

Claims

Ein Hochfrequenzschalter, der folgende Merkmale aufweist: einen ersten Schalter (21a) für ein erstes Sende-/Empfangsband, wobei der erste Schalter (21a) zumindest zwei Schaltelemente (D11, D12) aufweist; einen zweiten Schalter (21b) für ein zweites Sende-/Empfangsband, das eine unterschiedliche Frequenz als die Betriebsfrequenz des ersten Sende-/Empfangsbands verwendet, wobei der zweite Schalter (21b) zumindest zwei Schaltelemente (D13, D14) aufweist; und gekennzeichnet durch: eine Spannungsanlegeschaltung, die angeordnet ist, um eine Spannung zu einem Schalten des ersten Schalters (21a) in einen Sendezustand anzulegen, und die mit einem gemeinsamen Punkt (X1) zwischen den zwei Schaltelementen (D13, D14) des zweiten Schalters (21b) verbunden ist, um die Spannung an den gemeinsamen Punkt (X1) anzulegen.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1, bei dem der Spannungsanlegemechanismus einen Widerstand (r1, r2) umfaßt, der elektrisch zwischen den ersten Schalter (21a) und den zweiten Schalter (21b) geschaltet ist.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem jeder des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) folgende Merkmale aufweist: einen ersten Anschluß (Tx1, Tx2), einen zweiten Anschluß (Rx1, Rx2), einen dritten Anschluß (ANT1, ANT2) und einen Spannungssteueranschluß (Vc1, Vc2); eine erste Diode (D11, D13), die eine Kathode, die elektrisch mit dem ersten Anschluß (Tx1, Tx2) verbunden ist, und eine Anode aufweist, die elektrisch mit dem zweiten Anschluß Rx1, Rx2) verbunden ist; eine erste Übertragungsleitung (23, 25), die elektrisch zwischen den zweiten Anschluß (Rx1, Rx2) und den dritten Anschluß (ANT1, ANT2) geschaltet ist; eine zweite Diode (D12, D14), die eine Kathode, die elektrisch mit dem dritten Anschluß (ANT1, ANT2) verbunden ist, und eine Anode aufweist, die elektrisch mit dem Spannungssteueranschluß (Vc1, Vc2) verbunden ist; und eine zweite Übertragungsleitung (22, 24), die elektrisch zwischen den ersten Anschluß (Tx1, Tx2) und eine Masse geschaltet ist.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem jeder des ersten und des zweiten Schalters folgende Merkmale aufweist: einen ersten Anschluß (Tx1, Tx2), einen zweiten Anschluß (Rx1, Rx2), einen dritten Anschluß (ANT1, ANT2) und einen Spannungssteueranschluß (Vc3, Vc4); eine erste Diode (D11, D13), die eine Anode, die elektrisch mit dem ersten Anschluß (Tx1, Tx2) verbunden ist, und eine Kathode aufweist, die elektrisch mit dem zweiten Anschluß (Rx1, Rx2) verbunden ist; eine erste Übertragungsleitung (23, 25), die elektrisch zwischen den zweiten Anschluß (Rx1, Rx2) und den dritten Anschluß (ANT1, ANT2) geschaltet ist; eine zweite Diode (D12, D14), die elektrisch zwischen den dritten Anschluß (ANT1, ANT2) und eine Masse geschaltet ist, derart, daß eine Anode der zweiten Diode (D12, D14) elektrisch mit dem dritten Anschluß (ANT1, ANT2) verbunden ist; und eine zweite Übertragungsleitung (22, 24), die elektrisch zwischen den ersten Anschluß (Tx1, Tx2) und den Spannungssteueranschluß (Vc3, Vc4) geschaltet ist.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 3 oder 4, bei dem eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten (75) und die erste und die zweite Übertragungsleitung (22, 23, 24, 25) jedes des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) angeordnet sind, um einen laminierten Körper (21) zu definieren, und der erste, der zweite und der dritte Anschluß (Tx1, Tx2, Rx1, Rx2, ANT1, ANT2), die Spannungssteueranschlüsse (Vc1, Vc2, Vc3, Vc4) jedes des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) und die erste und die zweite Diode (D11, D12, D13, D14) jedes der ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) und eine Mehrzahl von Widerständen (r1, r2), die den Spannungsanlegemechanismus definieren, auf einer Oberfläche des laminierten Körpers (21) befestigt sind.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 2, bei dem der Widerstand (r1, r2) einen Widerstandswert aufweist, der sich innerhalb eines Bereichs von etwa 500 Ω bis etwa 10 kΩ befindet.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem jeder des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) eine Diode umfaßt.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem jeder des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) einen Transistor umfaßt.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem jeder des ersten und des zweiten Schalters (21a, 21b) einen FET umfaßt.
Ein Hochfrequenzschalter gemäß Anspruch 4, bei dem eine Länge jeder der ersten und der zweiten Übertragungsleitung (22, 23, 24, 25) in dem Bereich von in etwa λ/12 bis etwa λ/4 liegt, wobei λ die Wellenlänge bei einer erwünschten Frequenz ist.