JP2003032001A - 複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機 - Google Patents

複合高周波スイッチ、高周波モジュール及び通信機

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JP2003032001A
JP2003032001A JP2001213467A JP2001213467A JP2003032001A JP 2003032001 A JP2003032001 A JP 2003032001A JP 2001213467 A JP2001213467 A JP 2001213467A JP 2001213467 A JP2001213467 A JP 2001213467A JP 2003032001 A JP2003032001 A JP 2003032001A
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high frequency
diode
frequency switch
control terminal
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Shuko Okuda
修功 奥田
Tetsuo Harada
哲郎 原田
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 負電源を用意することなく、選択していない
通信システムにおいて高周波スイッチの第１及び第２ダ
イオードの歪を防止することができる高周波モジュール
及びそれを用いた通信機を提供する。 【解決手段】 高周波モジュール１０は、インダクタＬ
１１，Ｌ１２、及びコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成さ
れるダイプレクサ１１、第１及び第２ダイオードＤ２
１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２、伝送線路ＴＬ２１，ＴＬ
３１、インダクタＬ２１，Ｌ２２，Ｌ３１，Ｌ３２及び
コンデンサＣ２１，Ｃ３１で構成される高周波スイッチ
１２，１３からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合高周波スイッ
チ、高周波モジュール及び通信機に関し、特に、複数の
異なる通信システムに利用可能な複合高周波スイッチ、
高周波モジュール及び通信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ヨーロッパでは、通信機として、
複数の通信システム、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用した
ＤＣＳ(Digital Cellular System)と９００ＭＨｚ帯を
使用したＧＳＭ(Global System for Mobile communicat
ions)とで動作が可能なデュアルバンド携帯電話器が提
案されている。このデュアルバンド携帯電話器は、通常
の携帯電話器が１つの通信システムのみを取り扱うのに
対し、２つの通信システムを取り扱うものである。これ
により、利用者は都合の良い通信システムを選択して利
用することができるものである。
【０００３】デュアルバンド携帯電話器では、複数の通
信システムの切り換え、送信回路と受信回路との切り変
えのために高周波モジュールが用いられている。この高
周波モジュールとしては、特開平１１−１６８３０３号
公報に開示されているものがある。この従来の高周波モ
ジュールは、ＤＣＳ及びＧＳＭの２つの通信システムと
アンテナとを接続するアンテナスイッチモジュールとな
っており、ダイプレクサと２つの高周波スイッチを備え
ている。２つの高周波スイッチは、送信回路と受信回路
を切り換えるものであり、第１及び第２ダイオードと伝
送線路とインダクタとからなる、第１ダイオードはアン
テナ端子側にアノードが接続され、送信端子側にカソー
ドが接続され、そのカソードとグランドとの間にインダ
クタが接続される。アンテナ端子と受信端子と間に伝送
線路が接続され、その受信端子側に第２ダイオードのカ
ソードが接続され、その第２ダイオードのアノードとグ
ランドとの間にコンデンサが接続される。第２ダイオー
ドとコンデンサとの間には抵抗を介して制御端子が接続
される。
【０００４】この高周波モジュールを動作させる場合に
は、選択した通信システム側の高周波スイッチの制御端
子に正電圧を印加し、選択していない通信システム側の
高周波スイッチの制御端子に零電圧を印加する。しかし
ながら、選択した通信システム側の受信信号あるいは送
信信号が、選択していない通信システム側に漏れ出て選
択していない通信システムの高周波スイッチの第１及び
第２ダイオードが歪んでしまうといった問題があった。
この問題点を解決するために、選択していない通信シス
テム側の高周波スイッチの制御端子に負電圧を印加し、
選択していない通信システムの高周波スイッチの第１及
び第２ダイオードに逆バイアスを掛ける方法が取られて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の高周
波モジュールによれば、選択していない通信システム側
の高周波スイッチの制御端子に負電圧を印加する必要が
あるため、ユーザー側でデュアルバンド携帯電話器内に
負電源を用意する必要が生じ、回路構成が複雑になると
いう問題があった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、負電源を用意することなく、
選択していない通信システムにおいて高周波スイッチの
第１及び第２ダイオードの歪を防止することができる高
周波モジュール及びそれを用いた通信機を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の複合高周波スイッチは、第１端子、第２
端子、第１制御端子、第２制御端子、第１ダイオード、
第２ダイオード及び伝送線路を備えた複数の高周波スイ
ッチからなる複合高周波スイッチであって、前記高周波
スイッチは、前記第１端子、前記伝送線路、前記第１ダ
イオード及び前記第２端子が直列接続され、前記伝送線
路の第１端子側が前記第２ダイオードを介してグランド
に接続されるとともに、前記第２ダイオードのグランド
側に前記第１制御端子が接続され、前記第１ダイオード
の第２端子側に前記第２制御端子が接続され、かつ前記
複数の高周波スイッチの少なくとも２つは、前記第２制
御端子が互いに接続されるとともに、該接続点が抵抗を
介して共通制御端子に接続されることを特徴とする。
【０００８】また、本発明の複合高周波スイッチは、第
１端子、第２端子、第１制御端子、第２制御端子、第１
ダイオード、第２ダイオード及び伝送線路をを備えた複
数の高周波スイッチからなる複合高周波スイッチであっ
て、前記高周波スイッチは、前記第１端子、前記伝送線
路、前記第１ダイオード及び前記第２端子が直列接続さ
れ、前記伝送線路の第１端子側が前記第２ダイオードを
介してグランドに接続されるとともに、前記第２ダイオ
ードのグランド側に前記第１制御端子が接続され、前記
第１ダイオードの第２端子側に前記第２制御端子が接続
され、かつ前記複数の高周波スイッチの少なくとも２つ
は、前記第１制御端子が互いに接続されるとともに、該
接続点が抵抗を介して共通制御端子に接続されることを
特徴とする。
【０００９】また、本発明の複合高周波スイッチは、第
１端子、第２端子、第１制御端子、第２制御端子、第１
ダイオード、第２ダイオード及び伝送線路をを備えた複
数の高周波スイッチからなる複合高周波スイッチであっ
て、前記高周波スイッチは、前記第１端子、前記伝送線
路、前記第１ダイオード及び前記第２端子が直列接続さ
れ、前記伝送線路の第１端子側が前記第２ダイオードを
介してグランドに接続されるとともに、前記第２ダイオ
ードのグランド側に前記第１制御端子が接続され、前記
第１ダイオードの第２端子側に前記第２制御端子が接続
され、かつ前記複数の高周波スイッチの少なくとも２つ
は、前記第１制御端子と前記第２制御端子とが接続され
るとともに、該接続点が抵抗を介して共通制御端子に接
続されることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の複合高周波スイッチは、複
数のシート層を積層してなる多層基板を備え、前記複数
の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードが前記多層
基板に搭載されるとともに、前記複数の高周波スイッチ
の前記伝送線路が前記多層基板の内蔵されることを特徴
とする。
【００１１】本発明の高周波モジュールは、上述の高周
波スイッチの前記第１ダイオードと前記伝送線路との接
続点に、インダクタとコンデンサとからなるダイプレク
サが接続されることを特徴とする。
【００１２】また、本発明の高周波モジュールは、複数
のシート層を積層してなる多層基板を備え、前記高周波
スイッチの第１及び第２ダイオードが前記多層基板に搭
載されるとともに、前記ダイプレクサのインダクタ及び
コンデンサ、並びに前記複数の高周波スイッチの前記伝
送線路が前記多層基板の内蔵されることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の高周波モジュールは、前記
ダイプレクサのグランドに接続されるコンデンサが、前
記複数の高周波スイッチの伝送線路とグランド電極を挟
んで前記多層基板の積層方向に対して下部に配置される
ことを特徴とする。
【００１４】本発明の通信機は、上述の複合高周波スイ
ッチを用いたことを特徴とする。
【００１５】また、本発明の通信機は、上述の高周波モ
ジュールを用いたことを特徴とする。
【００１６】本発明の複合高周波スイッチによれば、選
択した通信システム側の高周波スイッチの制御端子に正
電圧を印加することにより、選択した通信システム側の
高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに順バイアス
を掛けるとともに、同時に選択していない通信システム
側の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに逆バイ
アスを掛けることができる。
【００１７】本発明の高周波モジュールによれば、歪特
性が良好な複合高周波スイッチを用いるため、高周波モ
ジュールの歪特性を良好にすることができる。
【００１８】本発明の通信機によれば、歪特性が良好な
複合高周波スイッチあるいは高周波モジュールを用いる
ため、通信機の送信、受信の特性を向上させることがで
きる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明の高周波モジュールに
係る第１の実施例の回路図である。高周波モジュール１
０は、ダイプレクサ１１、高周波スイッチ１２，１３か
らなる。
【００２０】ダイプレクサ１１は、インダクタＬ１１，
Ｌ１２、及びコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
そして、第１端子Ｐ１１と第２端子Ｐ１２との間にイン
ダクタＬ１１とコンデンサＣ１１とからなる並列回路が
接続され、その並列回路の第２端子Ｐ２２側がコンデン
サＣ１２を介してグランドに接続される。
【００２１】また、第１端子Ｐ１１と第３端子Ｐ１３と
の間にコンデンサＣ１３，Ｃ１４が直列接続され、それ
らの接続点がインダクタＬ１２及びコンデンサＣ１５を
介してグランドに接続される。
【００２２】高周波スイッチ１２は、第１及び第２ダイ
オードＤ２１，Ｄ２２、伝送線路ＴＬ２１、インダクタ
Ｌ２１，Ｌ２２及びコンデンサＣ２１からなる。そし
て、第１端子Ｐ２１、伝送線路ＴＬ２１、第１ダイオー
ドＤ２１及び第２端子Ｐ２２が直列接続される。また、
伝送線路ＴＬ２１の第１端子Ｐ２１側は第２ダイオード
Ｄ２２及びコンデンサＣ２１を介してグランドに接続さ
れ、第２ダイオードＤ２２のグランド側、すなわちアノ
ードにインダクタＬ２１を介して第１制御端子Ｖ２１が
接続される。
【００２３】さらに、第１ダイオードＤ２１の第２端子
Ｐ２２側、すなわちカソードにインダクタＬ２２を介し
て第２制御端子Ｖ２２に接続される。また、伝送線路Ｔ
Ｌ２１と第１ダイオードＤ２１との間には第３端子Ｐ２
３が設けられる。
【００２４】高周波スイッチ１３は、第１及び第２ダイ
オードＤ３１，Ｄ３２、伝送線路ＴＬ３１、インダクタ
Ｌ３１，Ｌ３２及びコンデンサＣ３１からなり、その構
成は高周波スイッチ１２と同様である。
【００２５】そして、高周波スイッチ１２，１３の第２
制御端子Ｖ２２，Ｖ３２が互いに接続され、その接続点
が抵抗Ｒを介して共通制御端子Ｖｃに接続される。
【００２６】以上の構成において、ダイプレクサ１１の
第１端子Ｐ１１にはアンテナＡＮＴが、第２端子Ｐ１２
には高周波スイッチ１２の第３端子Ｐ２３が、第３端子
Ｐ１３には高周波スイッチ１３の第３端子Ｐ３３がそれ
ぞれ接続される。また、高周波スイッチ１２，１３の第
１端子Ｐ２１，Ｐ３１には受信回路Ｒｘ、高周波スイッ
チ１２，１３の第２端子Ｐ２２，Ｐ３２には送信回路Ｔ
ｘがそれぞれ接続される。
【００２７】ここで、図１の回路構成を有する高周波モ
ジュール１０の動作について説明する。高周波スイッチ
１２側の通信システムを選択する、すなわち高周波スイ
ッチ１２をオンする場合には、高周波スイッチ１２の第
１制御端子Ｖ２１に３Ｖを、高周波スイッチ１３の第１
制御端子Ｖ３１に０Ｖを、共通制御端子Ｖｃに０．５Ｖ
をそれぞれ印加する。
【００２８】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ１２の第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ２２
に順バイアスが掛かり、高周波スイッチ１２の第１制御
端子Ｖ２１から共通制御端子Ｖｃに向けて順方向電流が
流れる。そして、この順方向電流により抵抗Ｒにて電圧
降下が生じるため、その電圧降下分が高周波スイッチ１
３の第１及び第２ダイオードＤ３１，Ｄ３２に逆バイア
スとして掛かる。この逆バイアスによって、選択してい
ない通信システム側の高周波スイッチ１３の第１及び第
２ダイオードＤ３１，Ｄ３２のオフ容量が安定し、かつ
小さくなるため、歪特性が良好になる。
【００２９】また、抵抗の前段にインダクタが挿入され
ているため、このインダクタにより高周波信号が遮断で
きる。
【００３０】図２は、図１に示す高周波モジュールの具
体的な構成を示す一部分解斜視図である。高周波モジュ
ール１０は、多層基板１４を含み、多層基板１４には、
図示していないが、ダイプレクサ１１（図１）を構成す
るインダクタＬ１１，Ｌ１２、コンデンサＣ１１〜Ｃ１
５、及び高周波スイッチ１２，１３（図１）を構成する
インダクタＴＬ２１，ＴＬ３１、コンデンサＣ２１，Ｃ
３１がそれぞれ内蔵される。
【００３１】また、多層基板１４の表面には、チップ部
品からなる高周波スイッチ１２，１３（図１）を構成す
る第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ
３２、インダクタＬ２１，Ｌ２２，Ｌ３１，Ｌ３２、抵
抗Ｒがそれぞれ搭載される。
【００３２】さらに、多層基板１４の側面から底面にか
けて、１２個の外部端子Ｔ１〜Ｔ１２がスクリーン印刷
などでそれぞれ形成される。なお、外部端子Ｔ１は高周
波スイッチ１３の第２端子Ｐ３２、外部端子Ｔ３はダイ
プレクサ１１の第１端子Ｐ１１、外部端子Ｔ４は高周波
スイッチ１３の第１制御端子Ｖ３１、外部端子Ｔ５は高
周波スイッチ１３の第１端子Ｐ３１、外部端子Ｔ７は高
周波スイッチ１２の第１端子Ｐ２１、外部端子Ｔ８は高
周波スイッチ１２の第１制御端子Ｖ２１、外部端子Ｔ１
１は高周波スイッチ１２の第２端子Ｐ２２、外部端子Ｔ
２，Ｔ６，Ｔ９，Ｔ１０，Ｔ１２はグランド端子とな
る。
【００３３】また、ダイプレクサ１１の第２端子Ｐ１２
と高周波スイッチ１２の第３端子Ｐ２３、ダイプレクサ
１１の第３端子Ｐ１３と高周波スイッチ１３の第３端子
Ｐ３３とは、それぞれ多層基板１４の内部でビアホール
などにて接続される。
【００３４】図３（ａ）〜図３（ｊ）及び図４（ａ）〜
図４（ｆ）は、図２の高周波モジュールの多層基板を構
成する各シート層の上面図、図４（ｇ）は、図４（ｆ）
の下面図である。多層基板１４は、酸化バリウム、酸化
アルミニウム、シリカを主成分としたセラミックスから
なる第１〜第１６のシート層１４ａ〜１４ｐを上から順
次積層し、１０００℃以下の焼成温度で焼成した後、上
下を逆にすることにより完成する。すなわち、第１６の
シート層１４ｐが多層基板１４の最上層となり、第１の
シート層１４ａが多層基板１４の最下層となる。
【００３５】第１のシート層１４ａの上面には、外部端
子Ｔ１〜Ｔ１２が形成される。また、第２、第４、第
８、第１０のシート層１４ｂ，１４ｄ，１４ｈ，１４ｊ
の上面には、グランド電極Ｇｐ１〜Ｇｐ４がそれぞれス
クリーン印刷などで印刷され、形成される。
【００３６】また、第３、第９〜第１２のシート層１４
ｃ，１４ｉ，〜１４ｌの上面には、コンデンサ電極Ｃｐ
１〜Ｃｐ９がそれぞれスクリーン印刷などで印刷され、
形成される。さらに、第５〜第７のシート層１４ｅ〜１
４ｇの上面には、ストリップライン電極Ｌｐ１〜Ｌｐ１
０がそれぞれスクリーン印刷などで印刷され、形成され
る。
【００３７】また、第１６のシート層の下面（図４
（ｇ）、１４ｐｕ）には、高周波スイッチ１２，１３
（図１）を構成する第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ
２２，Ｄ３１，Ｄ３２、インダクタＬ２１，Ｌ２２，Ｌ
３１，Ｌ３２、抵抗Ｒを搭載するための実装電極Ｌａが
ビアホールなどで形成される。さらに、第２〜第１６の
シート層１４ｂ〜１４ｐには、それぞれのシート層１４
ｂ〜１４ｐを貫通するように複数のビアホール電極Ｖｈ
が形成される。
【００３８】この際、ダイプレクサ１１のインダクタＬ
１１がストリップライン電極Ｌｐ２，Ｌｐ４，Ｌｐ１０
で、インダクタＬ１２がストリップライン電極Ｌｐ１，
Ｌｐ３，Ｌｐ７でそれぞれ形成される。また、高周波ス
イッチ１２のインダクタＴＬ２１がストリップライン電
極Ｓｐ５，Ｓｐ８で、高周波スイッチ１３のインダクタ
ＴＬ３１がストリップライン電極Ｓｐ６，Ｓｐ９で、そ
れぞれ形成される。
【００３９】さらに、ダイプレクサ１１のコンデンサＣ
１１がコンデンサ電極Ｃｐ３，Ｃｐ６で、コンデンサＣ
１２がコンデンサ電極Ｃｐ２とグランド電極Ｇｐ１，Ｇ
ｐ２とで、コンデンサＣ１３がコンデンサ電極Ｃｐ６，
Ｃｐ８で、コンデンサＣ１４がコンデンサ電極Ｃｐ８，
Ｃｐ９で、コンデンサＣ１５がコンデンサ電極Ｃｐ１と
グランド電極Ｇｐ１，Ｇｐ２とで、それぞれ形成され
る。
【００４０】また、高周波スイッチ１２のコンデンサＣ
２１がコンデンサ電極Ｃｐ７とグランド電極Ｇｐ４と
で、高周波スイッチ１３のコンデンサＣ３１がコンデン
サ電極Ｃｐ５とグランド電極Ｇｐ３，Ｇｐ４とで、それ
ぞれ形成される。
【００４１】図５は、図１の高周波モジュールの変形例
を示す回路図である。高周波モジュール１０ａは、ダイ
プレクサ１１、高周波スイッチ１２ａ，１３ａからなる
トリプルバンドに対応したものである。なお、ダイプレ
クサ１１の構成は、第１の実施例の高周波モジュール１
０（図１）と同様であるため、その説明は省略する。
【００４２】高周波スイッチ１２ａは、第１及び第２ダ
イオードＤ２１ａ，Ｄ２２ａ、伝送線路ＴＬ２１ａ、イ
ンダクタＬ２１ａ，Ｌ２２ａ及びコンデンサＣ２１ａか
らなる。そして、第１端子Ｐ２１ａ、伝送線路ＴＬ２１
ａ、第１ダイオードＤ２１ａ及び第２端子Ｐ２２ａが直
列接続される。
【００４３】また、伝送線路ＴＬ２１ａの第１端子Ｐ２
１ａ側は第２ダイオードＤ２２ａ及びコンデンサＣ２１
ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ２２
ａのグランド側、すなわちアノードにインダクタＬ２１
ａを介して第１制御端子Ｖ２１ａが接続される。
【００４４】さらに、第１ダイオードＤ２１ａの第２端
子Ｐ２２ａ側、すなわちカソードにインダクタＬ２２ａ
を介して第２制御端子Ｖ２２ａが接続される。また、伝
送線路ＴＬ２１ａと第１ダイオードＤ２１ａとの間には
第３端子Ｐ２３ａが設けられる。
【００４５】高周波スイッチ１３ａは、第１〜第４ダイ
オードＤ３１ａ〜Ｄ３４ａ、伝送線路ＴＬ３１ａ，ＴＬ
３２ａ、インダクタＬ３１ａ〜Ｌ３３ａ及びコンデンサ
Ｃ３１ａ〜Ｃ３３ａからなる。そして、第１端子Ｐ３１
ａ、伝送線路ＴＬ３１ａ、第１ダイオードＤ３１ａ及び
第２端子Ｐ３２ａが直列接続される。
【００４６】また、伝送線路ＴＬ３１ａの第１端子Ｐ３
１ａ側は、第２ダイオードＤ３２ａ及びコンデンサＣ３
１ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ３
２ａのグランド側、すなわちアノードにインダクタＬ３
１ａを介して第１制御端子Ｖ３１ａが接続される。
【００４７】さらに、第１ダイオードＤ３１ａの第２端
子Ｐ３２ａ側、すなわちカソードにインダクタＬ３２ａ
を介して第２制御端子Ｖ３２ａが接続される。また、伝
送線路ＴＬ３１ａと第１ダイオードＤ３１ａとの接続点
には、コンデンサＣ３２ａ、第３ダイオードＤ３３ａ、
伝送線路のＴＬ３２ａ及び第３端子Ｐ３３ａが直列接続
される。
【００４８】また、伝送線路ＴＬ３２ａの第３端子Ｐ３
３ａ側は、第４ダイオードＤ３４ａ及びコンデンサＣ３
３ａを介してグランドに接続され、第４ダイオードＤ３
４ａのグランド側、すなわちアノードにインダクタＬ３
３ａを介して第３制御端子Ｖ３３ａが接続される。
【００４９】さらに、第３ダイオードＤ３３ａと伝送線
路ＴＬ３２ａとの間には第４端子Ｐ３４ａが設けられ、
コンデンサＣ３２ａと第３ダイオードＤ３３ａとの間に
はインダクタＬ３４ａを介して第４制御端子Ｖ３４ａが
接続される。
【００５０】そして、高周波スイッチ１２ａ，１３ａの
第２制御端子Ｖ２２ａ，Ｖ３２ａと高周波スイッチ１３
ａの第４制御端子Ｖ３４ａが互いに接続され、その接続
点が抵抗Ｒａを介して共通制御端子Ｖｃａに接続され
る。
【００５１】以上の構成において、ダイプレクサ１１の
第２端子Ｐ１２には高周波スイッチ１２ａの第３端子Ｐ
２３ａが、第３端子Ｐ１３には高周波スイッチ１３ａの
第４端子Ｐ３４ａがそれぞれ接続される。また、図示し
ていないが、ダイプレクサ１１の第１端子Ｐ１１にはア
ンテナＡＮＴが、高周波スイッチ１２ａ，１３ａの第１
端子Ｐ２１ａ，Ｐ３１ａには受信回路Ｒｘが、高周波ス
イッチ１２ａ，１３ａの第２端子Ｐ２２ａ，Ｐ３２ａに
は送信回路Ｔｘが、高周波スイッチ１３ａの第３端子Ｐ
３３ａには受信回路Ｒｘ、送信回路Ｔｘの両方がそれぞ
れ接続される。
【００５２】ここで、図５の回路構成を有する高周波モ
ジュール１０ａの動作について説明する。高周波スイッ
チ１２ａ側の通信システムを選択する、すなわち高周波
スイッチ１２ａをオンする場合には、高周波スイッチ１
２ａの第１制御端子Ｖ２１ａに３Ｖを、高周波スイッチ
１３ａの第１制御端子Ｖ３１ａに０Ｖを、共通制御端子
Ｖｃａに０．５Ｖをそれぞれ印加する。
【００５３】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ１２ａの第１及び第２ダイオードＤ２１ａ，Ｄ
２２ａに順バイアスが掛かり、高周波スイッチ１２ａの
第１制御端子Ｖ２１ａから共通制御端子Ｖｃａに向けて
順方向電流が流れる。そして、この順方向電流により抵
抗Ｒａにて電圧降下が生じるため、その電圧降下分が高
周波スイッチ１３ａの第１〜第４ダイオードＤ３１ａ〜
Ｄ３４ａに逆バイアスとして掛かる。この逆バイアスに
よって、選択していない通信システム側の高周波スイッ
チ１３ａの第１〜第４ダイオードＤ３１ａ〜Ｄ３４ａの
オフ容量が安定し、かつ小さくなるため、歪特性が良好
になる。
【００５４】図６は、本発明の高周波モジュールに係る
第２の実施例の回路図である。高周波モジュール２０
は、ダイプレクサ１１、高周波スイッチ２２，２３から
なる。なお、ダイプレクサ１１の構成は、第１の実施例
の高周波モジュール１０（図１）と同様であるため、そ
の説明は省略する。
【００５５】高周波スイッチ２２は、第１及び第２ダイ
オードＤ２１，Ｄ２２、伝送線路ＴＬ２１、インダクタ
Ｌ２１及びコンデンサＣ２１，Ｃ２２からなる。そし
て、第１端子Ｐ２１、伝送線路ＴＬ２１、第１ダイオー
ドＤ２１及び第２端子Ｐ２２が直列接続される。また、
伝送線路ＴＬ２１の第１端子Ｐ２１側は第２ダイオード
Ｄ２２及びコンデンサＣ２１を介してグランドに接続さ
れ、第２ダイオードＤ２２のグランド側、すなわちカソ
ードに第１制御端子Ｖ２１が接続される。
【００５６】さらに、第１ダイオードＤ２１の第２端子
Ｐ２２側、すなわちアノードにインダクタＬ２１及びコ
ンデンサＣ２２を介してグランドに接続され、インダク
タＬ２１のグランド側に第２制御端子Ｖ２２が接続され
る。また、伝送線路ＴＬ２１と第１ダイオードＤ２１と
の間には第３端子Ｐ２３が設けられる。
【００５７】高周波スイッチ２３は、第１及び第２ダイ
オードＤ３１，Ｄ３２、伝送線路ＴＬ３１、インダクタ
Ｌ３１及びコンデンサＣ３１，Ｃ３２からなり、その構
成は高周波スイッチ２２と同様である。
【００５８】そして、高周波スイッチ２２，２３の第１
制御端子Ｖ２１，Ｖ３１が互いに接続され、その接続点
が抵抗Ｒを介して共通制御端子Ｖｃに接続される。な
お、高周波スイッチ２２の第１制御端子Ｖ２１と抵抗Ｒ
との間にはインダクタＬ２２が接続されているが、接続
されていなくてもよい。
【００５９】ここで、図６の回路構成を有する高周波モ
ジュール２０の動作について説明する。高周波スイッチ
２２側の通信システムを選択する、すなわち高周波スイ
ッチ２２をオンする場合には、高周波スイッチ２２の第
２制御端子Ｖ２２に３Ｖを、高周波スイッチ２３の第２
制御端子Ｖ３２に０Ｖを、共通制御端子Ｖｃに０．５Ｖ
をそれぞれ印加する。
【００６０】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ２２の第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ２２
に順バイアスが掛かり、高周波スイッチ２２の第２制御
端子Ｖ２２から共通制御端子Ｖｃに向けて順方向電流が
流れる。そして、この順方向電流により抵抗Ｒにて電圧
降下が生じるため、その電圧降下分が高周波スイッチ２
３の第１及び第２ダイオードＤ３１，Ｄ３２に逆バイア
スとして掛かる。この逆バイアスによって、選択してい
ない通信システム側の高周波スイッチ２３の第１及び第
２ダイオードＤ３１，Ｄ３２のオフ容量が安定し、かつ
小さくなるため、歪特性が良好になる。
【００６１】図７は、図６の高周波モジュールの変形例
を示す回路図である。高周波モジュール２０ａは、ダイ
プレクサ１１、高周波スイッチ２２ａ，２３ａからなる
トリプルバンドに対応したものである。なお、ダイプレ
クサ１１の構成は、第１の実施例の高周波モジュール１
０（図１）と同様であるため、その説明は省略する。
【００６２】高周波スイッチ２２ａは、第１及び第２ダ
イオードＤ２１ａ，Ｄ２２ａ、伝送線路ＴＬ２１ａ、イ
ンダクタＬ２１ａ及びコンデンサＣ２１ａ，Ｃ２２ａか
らなる。そして、第１端子Ｐ２１ａ、伝送線路ＴＬ２１
ａ、第１ダイオードＤ２１ａ及び第２端子Ｐ２２ａが直
列接続される。また、伝送線路ＴＬ２１ａの第１端子Ｐ
２１ａ側は第２ダイオードＤ２２ａ及びコンデンサＣ２
１ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ２
２ａのグランド側、すなわちカソードに第１制御端子Ｖ
２１ａが接続される。
【００６３】さらに、第１ダイオードＤ２１ａの第２端
子Ｐ２２ａ側、すなわちアノードにインダクタＬ２１ａ
及びコンデンサＣ２２ａを介してグランドに接続され、
インダクタＬ２１ａのグランド側に第２制御端子Ｖ２２
ａが接続される。また、伝送線路ＴＬ２１ａと第１ダイ
オードＤ２１ａとの間には第３端子Ｐ２３ａが設けられ
る。
【００６４】高周波スイッチ２３ａは、第１〜第３ダイ
オードＤ３１ａ〜Ｄ３３ａ、伝送線路ＴＬ３１ａ、イン
ダクタＬ３１ａ，Ｌ３２ａ及びコンデンサＣ３１ａ〜Ｃ
３３ａからなる。そして、第１端子Ｐ３１ａ、伝送線路
ＴＬ３１ａ、第１ダイオードＤ３１ａ及び第２端子Ｐ３
２ａが直列接続される。
【００６５】また、伝送線路ＴＬ３１ａの第１端子Ｐ３
１ａ側は、第２ダイオードＤ３２ａ及びコンデンサＣ３
１ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ３
２ａのグランド側、すなわちカソードに第１制御端子Ｖ
３１ａが接続される。
【００６６】さらに、第１ダイオードＤ３１ａの第２端
子Ｐ３２ａ側、すなわちアノードは、インダクタＬ３１
ａ及びコンデンサＣ３２ａを介してグランドに接続さ
れ、インダクタＬ３１ａのグランド側に第２制御端子Ｖ
３２ａが接続される。また、伝送線路ＴＬ３１ａと第１
ダイオードＤ３１ａとの接続点には、第３ダイオードＤ
３３ａ及び第３端子Ｐ３３ａが直列接続される。
【００６７】さらに、第３ダイオードＤ３３ａの第３端
子Ｐ３３ａ側、すなわちアノードは、インダクタＬ３２
ａ及びコンデンサＣ３３ａを介してグランドに接続さ
れ、インダクタＬ３２ａのグランド側に第３制御端子Ｖ
３３ａが接続される。また、伝送線路ＴＬ３１ａと第１
ダイオードＤ３１ａとの間には第４端子Ｐ３４ａが設け
られる。
【００６８】そして、高周波スイッチ２２ａ，２３ａの
第１制御端子Ｖ２１ａ，Ｖ３１ａが互いに接続され、そ
の接続点が抵抗Ｒａを介して共通制御端子Ｖｃａに接続
される。なお、高周波スイッチ２２ａの第１制御端子Ｖ
２１ａと抵抗Ｒａとの間にはインダクタＬ２２ａが接続
されているが、接続されていなくてもよい。
【００６９】以上の構成において、ダイプレクサ１１の
第２端子Ｐ１２には高周波スイッチ２２ａの第３端子Ｐ
２３ａが、第３端子Ｐ２３には高周波スイッチ２３ａの
第４端子Ｐ３４ａがそれぞれ接続される。また、図示し
ていないが、ダイプレクサ１１の第１端子Ｐ１１にはア
ンテナＡＮＴが、高周波スイッチ２２ａ，２３ａの第１
端子Ｐ２１ａ，Ｐ３１ａには受信回路Ｒｘが、高周波ス
イッチ２２ａ，２３ａの第２端子Ｐ２２ａ，Ｐ３２ａに
は送信回路Ｔｘが、高周波スイッチ２３ａの第３端子Ｐ
３３ａには受信回路Ｒｘ、送信回路Ｔｘの両方がそれぞ
れ接続される。
【００７０】ここで、図７の回路構成を有する高周波モ
ジュール２０ａの動作について説明する。高周波スイッ
チ２２ａ側の通信システムを選択する、すなわち高周波
スイッチ２２ａをオンする場合には、高周波スイッチ２
２ａの第２制御端子Ｖ２２ａに３Ｖを、高周波スイッチ
２３ａの第２制御端子Ｖ３２ａに０Ｖを、共通制御端子
Ｖｃａに０．５Ｖをそれぞれ印加する。
【００７１】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ２２ａの第１及び第２ダイオードＤ２１ａ，Ｄ
２２ａに順バイアスが掛かり、高周波スイッチ２２ａの
第２制御端子Ｖ２２ａから共通制御端子Ｖｃａに向けて
順方向電流が流れる。そして、この順方向電流により抵
抗Ｒａにて電圧降下が生じるため、その電圧降下分が高
周波スイッチ２３ａの第１〜第３ダイオードＤ３１ａ〜
Ｄ３３ａに逆バイアスとして掛かる。この逆バイアスに
よって、選択していない通信システム側の高周波スイッ
チ２３ａの第１〜第３ダイオードＤ３１ａ〜Ｄ３３ａの
オフ容量が安定し、かつ小さくなるため、歪特性が良好
になる。
【００７２】図８は、本発明の高周波モジュールに係る
第３の実施例の回路図である。高周波モジュール３０
は、ダイプレクサ１１、高周波スイッチ３２，３３から
なる。なお、ダイプレクサ１１の構成は、第１の実施例
の高周波モジュール１０（図１）と同様であるため、そ
の説明は省略する。
【００７３】高周波スイッチ３２は、第１及び第２ダイ
オードＤ２１，Ｄ２２、伝送線路ＴＬ２１、インダクタ
Ｌ２１，Ｌ２２及びコンデンサＣ２１からなる。そし
て、第１端子Ｐ２１、伝送線路ＴＬ２１、第１ダイオー
ドＤ２１及び第２端子Ｐ２２が直列接続される。また、
伝送線路ＴＬ２１の第１端子Ｐ２１側は第２ダイオード
Ｄ２２及びコンデンサＣ２１を介してグランドに接続さ
れ、第２ダイオードＤ２２のグランド側、すなわちアノ
ードにインダクタＬ２１を介して第１制御端子Ｖ２１が
接続される。
【００７４】さらに、第１ダイオードＤ２１の第２端子
Ｐ２２側、すなわちカソードにインダクタＬ２２を介し
て第２制御端子Ｖ２２に接続される。また、伝送線路Ｔ
Ｌ２１と第１ダイオードＤ２１との間には第３端子Ｐ２
３が設けられる。
【００７５】高周波スイッチ３３は、第１及び第２ダイ
オードＤ３１，Ｄ３２、伝送線路ＴＬ３１、インダクタ
Ｌ３１及びコンデンサＣ３１，Ｃ３２からなる。そし
て、第１端子Ｐ３１、伝送線路ＴＬ３１、第１ダイオー
ドＤ３１及び第２端子Ｐ３２が直列接続される。また、
伝送線路ＴＬ３１の第１端子Ｐ３１側は第２ダイオード
Ｄ３２及びコンデンサＣ３１を介してグランドに接続さ
れ、第２ダイオードＤ３２のグランド側、すなわちカソ
ードに第１制御端子Ｖ３１が接続される。
【００７６】さらに、第１ダイオードＤ３１の第２端子
Ｐ３２側、すなわちアノードはインダクタＬ３１及びコ
ンデンサＣ３２を介してグランドに接続され、インダク
タＬ３１のグランド側に第２制御端子Ｖ３２が接続され
る。また、伝送線路ＴＬ３１と第１ダイオードＤ３１と
の間には第３端子Ｐ３３が設けられる。
【００７７】そして、高周波スイッチ３２の第２制御端
子Ｖ２２と高周波スイッチ３３の第１制御端子Ｖ３１と
が互いに接続され、その接続点が抵抗Ｒを介して共通制
御端子Ｖｃに接続される。
【００７８】ここで、図８の回路構成を有する高周波モ
ジュール３０の動作について説明する。高周波スイッチ
３２側の通信システムを選択する、すなわち高周波スイ
ッチ３２をオンする場合には、高周波スイッチ３２の第
１制御端子Ｖ２１に３Ｖを、高周波スイッチ３３の第２
制御端子Ｖ３２に０Ｖを、共通制御端子Ｖｃに０．５Ｖ
をそれぞれ印加する。
【００７９】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ３２の第１及び第２ダイオードＤ２１，Ｄ２２
に順バイアスが掛かり、高周波スイッチ３２の第１制御
端子Ｖ２１から共通制御端子Ｖｃに向けて順方向電流が
流れる。そして、この順方向電流により抵抗Ｒにて電圧
降下が生じるため、その電圧降下分が高周波スイッチ３
３の第１及び第２ダイオードＤ３１，Ｄ３２に逆バイア
スとして掛かる。この逆バイアスによって、選択してい
ない通信システム側の高周波スイッチ３３の第１及び第
２ダイオードＤ３１，Ｄ３２のオフ容量が安定し、かつ
小さくなるため、歪特性が良好になる。
【００８０】図９は、図８の高周波モジュールの変形例
を示す回路図である。高周波モジュール３０ａは、ダイ
プレクサ１１、高周波スイッチ３２ａ，３３ａからなる
トリプルバンドに対応したものである。なお、ダイプレ
クサ１１の構成は、第１の実施例の高周波モジュール１
０（図１）と同様であるため、その説明は省略する。
【００８１】高周波スイッチ３２ａは、第１及び第２ダ
イオードＤ２１ａ，Ｄ２２ａ、伝送線路ＴＬ２１ａ、イ
ンダクタＬ２１ａ，Ｌ２２ａ及びコンデンサＣ２１ａか
らなる。そして、第１端子Ｐ２１ａ、伝送線路ＴＬ２１
ａ、第１ダイオードＤ２１ａ及び第２端子Ｐ２２ａが直
列接続される。
【００８２】また、伝送線路ＴＬ２１ａの第１端子Ｐ２
１ａ側は第２ダイオードＤ２２ａ及びコンデンサＣ２１
ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ２２
ａのグランド側、すなわちアノードにインダクタＬ２１
ａを介して第１制御端子Ｖ２１ａが接続される。
【００８３】さらに、第１ダイオードＤ２１ａの第２端
子Ｐ２２ａ側、すなわちカソードにインダクタＬ２２ａ
を介して第２制御端子Ｖ２２ａが接続される。また、伝
送線路ＴＬ２１ａと第１ダイオードＤ２１ａとの間には
第３端子Ｐ２３ａが設けられる。
【００８４】高周波スイッチ３３ａは、第１〜第３ダイ
オードＤ３１ａ〜Ｄ３３ａ、伝送線路ＴＬ３１ａ、イン
ダクタＬ３１ａ，Ｌ３２ａ及びコンデンサＣ３１ａ〜Ｃ
３３ａからなる。そして、第１端子Ｐ３１ａ、伝送線路
ＴＬ３１ａ、第１ダイオードＤ３１ａ及び第２端子Ｐ３
２ａが直列接続される。
【００８５】また、伝送線路ＴＬ３１ａの第１端子Ｐ３
１ａ側は、第２ダイオードＤ３２ａ及びコンデンサＣ３
１ａを介してグランドに接続され、第２ダイオードＤ３
２ａのグランド側、すなわちカソードに第１制御端子Ｖ
３１ａが接続される。
【００８６】さらに、第１ダイオードＤ３１ａの第２端
子Ｐ３２ａ側、すなわちアノードは、インダクタＬ３１
ａ及びコンデンサＣ３２ａを介してグランドに接続さ
れ、インダクタＬ３１ａのグランド側に第２制御端子Ｖ
３２ａが接続される。また、伝送線路ＴＬ３１ａと第１
ダイオードＤ３１ａとの接続点には、第３ダイオードＤ
３３ａ及び第３端子Ｐ３３ａが直列接続される。
【００８７】さらに、第３ダイオードＤ３３ａの第３端
子Ｐ３３ａ側、すなわちアノードは、インダクタＬ３２
ａ及びコンデンサＣ３３ａを介してグランドに接続さ
れ、インダクタＬ３２ａのグランド側に第３制御端子Ｖ
３３ａが接続される。また、伝送線路ＴＬ３１ａと第１
ダイオードＤ３１ａとの間には第４端子Ｐ３４ａが設け
られる。
【００８８】そして、高周波スイッチ３２ａの第２制御
端子Ｖ２２ａと高周波スイッチ３３ａの第１制御端子Ｖ
３１ａとが互いに接続され、その接続点が抵抗Ｒａを介
して共通制御端子Ｖｃａに接続される。
【００８９】以上の構成において、ダイプレクサ１１の
第２端子Ｐ１２には高周波スイッチ３２ａの第３端子Ｐ
２３ａが、第３端子Ｐ１３には高周波スイッチ３３ａの
第４端子Ｐ３４ａがそれぞれ接続される。また、図示し
ていないが、ダイプレクサ１１の第１端子Ｐ１１にはア
ンテナＡＮＴが、高周波スイッチ３２ａ，３３ａの第１
端子Ｐ２１ａ，Ｐ３１ａには受信回路Ｒｘが、高周波ス
イッチ３２ａ，３３ａの第２端子Ｐ２２ａ，Ｐ３２ａに
は送信回路Ｔｘが、高周波スイッチ３３ａの第３端子Ｐ
３３ａには受信回路Ｒｘ、送信回路Ｔｘの両方がそれぞ
れ接続される。
【００９０】ここで、図９の回路構成を有する高周波モ
ジュール３０ａの動作について説明する。高周波スイッ
チ３２ａ側の通信システムを選択する、すなわち高周波
スイッチ３２ａをオンする場合には、高周波スイッチ３
２ａの第１制御端子Ｖ２１ａに３Ｖを、高周波スイッチ
３３ａの第１制御端子Ｖ３１ａに０Ｖを、共通制御端子
Ｖｃａに０．５Ｖをそれぞれ印加する。
【００９１】すると、選択した通信システム側の高周波
スイッチ３２ａの第１及び第２ダイオードＤ２１ａ，Ｄ
２２ａに順バイアスが掛かり、高周波スイッチ３２ａの
第１制御端子Ｖ２１ａから共通制御端子Ｖｃａに向けて
順方向電流が流れる。そして、この順方向電流により抵
抗Ｒａにて電圧降下が生じるため、その電圧降下分が高
周波スイッチ３３ａの第１〜第４ダイオードＤ３１ａ〜
Ｄ３４ａに逆バイアスとして掛かる。この逆バイアスに
よって、選択していない通信システム側の高周波スイッ
チ３３ａの第１〜第４ダイオードＤ３１ａ〜Ｄ３４ａの
オフ容量が安定し、かつ小さくなるため、歪特性が良好
になる。
【００９２】上述の実施例の高周波モジュールによれ
ば、２つの高周波スイッチからなる複合高周波スイッチ
が、選択した通信システム側の高周波スイッチの制御端
子に正電圧を印加することにより、選択した通信システ
ム側の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに順バ
イアスを掛けるとともに、同時に選択していない通信シ
ステム側の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに
逆バイアスを掛けることができる。その結果、歪特性が
良好な複合高周波スイッチを得ることができる。したが
って、歪特性が良好な複合高周波スイッチを用いるた
め、高周波モジュールの歪特性を良好にすることができ
る。
【００９３】また、高周波モジュールをなすダイプレク
サ、高周波スイッチを、セラミックスからなる複数のシ
ート層を積層してなる多層基板に一体化するため、ダイ
プレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易とな
り、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整を
行なう整合回路が不要となる。したがって、高周波モジ
ュールの小型化が可能となる。
【００９４】さらに、ダイプレクサが、インダクタ、コ
ンデンサで構成され、高周波スイッチが、ダイオード、
インダクタ、コンデンサで構成されるとともに、それら
が多層基板に内蔵、あるいは搭載され、多層基板の内部
に形成される接続手段によって接続されるため、高周波
モジュールが１つの多層基板で構成でき、小型化が実現
できる。加えて、部品間の配線による損失を改善するこ
とができ、その結果、高周波モジュール全体の損失を改
善することが可能となる。
【００９５】また、波長短縮効果により、インダクタと
なるストリップライン電極の長さを短縮することができ
るため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向
上させることができる。その結果、高周波モジュールの
小型化及び低損失化を実現することができる。したがっ
て、この高周波モジュールを搭載する通信機の小型化及
び高性能化も同時に実現できる。
【００９６】図１０は、通信機であるデュアルバンド携
帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８
ＧＨｚ帯のＤＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合
わせた一例を示したものである。デュアルバンド携帯電
話器４０は、アンテナ１及び高周波モジュール１０（図
１）を備える。
【００９７】そして、高周波モジュール１０を構成する
デュプレクサ１１の第１端子Ｐ１１にはアンテナＡＮＴ
が、高周波スイッチ１２の第１及び第２端子Ｐ２１，Ｐ
２２にはＧＳＭ系の受信部Ｒｘｇ、ＧＳＭ系の送信部Ｔ
ｘｇが、高周波スイッチ１３の第１及び第２端子Ｐ３
１，Ｐ３２にはＤＣＳ系の受信部Ｒｘｄ、ＤＣＳ系の送
信部Ｔｘｄがそれぞれ接続される。
【００９８】上述のデュアルバンド携帯電話器によれ
ば、歪特性が良好な複合高周波スイッチあるいは高周波
モジュールを用いるため、デュアルバンド携帯電話器の
送信、受信の特性を向上させることができる。
【００９９】なお、上記の実施例において、高周波モジ
ュールの共通制御端子に０．５Ｖを印加する場合につい
て説明したが、０Ｖを印加してもよい。０Ｖの方が、共
通制御端子を多層基板に外部端子として引き出す必要が
ないため、使い勝手がよい。
【０１００】また、通信機が、ＤＣＳとＧＳＭとに対応
したデュアルバンド携帯電話器の場合について説明した
が、ＤＣＳとＧＳＭとの組み合わせに限定されるもので
はなく、例えば、ＰＣＳとＡＭＰＳとの組み合わせ、Ｄ
ＥＣＴとＧＳＭとの組み合わせ、ＰＨＳとＰＤＣとの組
み合わせなど、あるいはトリプルバンド携帯電話器に使
用することができる。
【０１０１】さらに、通信機であるデュアルバンド携帯
電話器に図１の高周波モジュールが使用される場合につ
いて説明したが、図５〜図８の高周波モジュールを使用
しても同様の効果が得られる。
【０１０２】
【発明の効果】本発明の複合高周波スイッチによれば、
選択した通信システム側の高周波スイッチの制御端子に
正電圧を印加することにより、選択した通信システム側
の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに順バイア
スを掛けるとともに、同時に選択していない通信システ
ム側の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードに逆バ
イアスを掛けることができる。したがって、歪特性が良
好な複合高周波スイッチを得ることができる。
【０１０３】本発明の高周波モジュールによれば、歪特
性が良好な複合高周波スイッチを用いるため、高周波モ
ジュールの歪特性を良好にすることができる。
【０１０４】本発明の通信機によれば、歪特性が良好な
複合高周波スイッチあるいは高周波モジュールを用いる
ため、通信機の送信、受信の特性を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波モジュールに係る第１の実施例
の回路図である。
【図２】図１の高周波モジュールの具体的な構成を示す
一部分解斜視図である。
【図３】図２の高周波モジュールの多層基板を構成する
（ａ）第１のシート層〜（ｊ）第１０のシートの上面図
である。
【図４】図２の高周波モジュールの多層基板を構成する
（ａ）第１１のシート層〜（ｆ）第１６のシートの上面
図及び（ｇ）第１６のシートの下面図である。
【図５】図１の高周波モジュールの変形例を示す回路図
である。
【図６】本発明の高周波モジュールに係る第２の実施例
の回路図である。
【図７】図３の高周波モジュールの変形例を示す回路図
である。
【図８】本発明の高周波モジュールに係る第３の実施例
の回路図である。
【図９】図５の高周波モジュールの変形例を示す回路図
である。
【図１０】図１の高周波モジュールを用いた通信機の構
成の一部を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０，１０ａ，２０，２０ａ，３０，３０ａ 高周
波モジュール １１ ダイプレクサ １２，１３ 高周波スイッチ １４ 多層基板 １４ａ〜１４ｐ シート層 ４０ 通信機（デュアルバンド携帯電話器） Ｄ２１，Ｄ２２，Ｄ３１，Ｄ３２ ダイオード ＴＬ２１，ＴＬ３１ 伝送線路 Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ３１，Ｖ３２ 制御端子

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１端子、第２端子、第１制御端子、第
    ２制御端子、第１ダイオード、第２ダイオード及び伝送
    線路を備えた複数の高周波スイッチからなる複合高周波
    スイッチであって、 前記高周波スイッチは、前記第１端子、前記伝送線路、
    前記第１ダイオード及び前記第２端子が直列接続され、
    前記伝送線路の第１端子側が前記第２ダイオードを介し
    てグランドに接続されるとともに、前記第２ダイオード
    のグランド側に前記第１制御端子が接続され、前記第１
    ダイオードの第２端子側に前記第２制御端子が接続さ
    れ、かつ前記複数の高周波スイッチの少なくとも２つ
    は、前記第２制御端子が互いに接続されるとともに、該
    接続点が抵抗を介して共通制御端子に接続されることを
    特徴とする複合高周波スイッチ。
  2. 【請求項２】 第１端子、第２端子、第１制御端子、第
    ２制御端子、第１ダイオード、第２ダイオード及び伝送
    線路をを備えた複数の高周波スイッチからなる複合高周
    波スイッチであって、 前記高周波スイッチは、前記第１端子、前記伝送線路、
    前記第１ダイオード及び前記第２端子が直列接続され、
    前記伝送線路の第１端子側が前記第２ダイオードを介し
    てグランドに接続されるとともに、前記第２ダイオード
    のグランド側に前記第１制御端子が接続され、前記第１
    ダイオードの第２端子側に前記第２制御端子が接続さ
    れ、かつ前記複数の高周波スイッチの少なくとも２つ
    は、前記第１制御端子が互いに接続されるとともに、該
    接続点が抵抗を介して共通制御端子に接続されることを
    特徴とする複合高周波スイッチ。
  3. 【請求項３】 第１端子、第２端子、第１制御端子、第
    ２制御端子、第１ダイオード、第２ダイオード及び伝送
    線路をを備えた複数の高周波スイッチからなる複合高周
    波スイッチであって、 前記高周波スイッチは、前記第１端子、前記伝送線路、
    前記第１ダイオード及び前記第２端子が直列接続され、
    前記伝送線路の第１端子側が前記第２ダイオードを介し
    てグランドに接続されるとともに、前記第２ダイオード
    のグランド側に前記第１制御端子が接続され、前記第１
    ダイオードの第２端子側に前記第２制御端子が接続さ
    れ、かつ前記複数の高周波スイッチの少なくとも２つ
    は、前記第１制御端子と前記第２制御端子とが接続され
    るとともに、該接続点が抵抗を介して共通制御端子に接
    続されることを特徴とする複合高周波スイッチ。
  4. 【請求項４】 複数のシート層を積層してなる多層基板
    を備え、 前記複数の高周波スイッチの第１及び第２ダイオードが
    前記多層基板に搭載されるとともに、前記複数の高周波
    スイッチの前記伝送線路が前記多層基板の内蔵されるこ
    とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
    の複合高周波スイッチ。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
    の高周波スイッチの前記第１ダイオードと前記伝送線路
    との接続点に、インダクタとコンデンサとからなるダイ
    プレクサが接続されることを特徴とする高周波モジュー
    ル。
  6. 【請求項６】 複数のシート層を積層してなる多層基板
    を備え、 前記高周波スイッチの第１及び第２ダイオードが前記多
    層基板に搭載されるとともに、 前記ダイプレクサのインダクタ及びコンデンサ、並びに
    前記複数の高周波スイッチの前記伝送線路が前記多層基
    板の内蔵されることを特徴とする請求項５に記載の高周
    波モジュール。
  7. 【請求項７】 前記ダイプレクサのグランドに接続され
    るコンデンサが、前記複数の高周波スイッチの伝送線路
    とグランド電極を挟んで前記多層基板の積層方向に対し
    て下部に配置されることを特徴とする請求項６に記載の
    高周波モジュール。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
    の高周波スイッチを用いたことを特徴とする通信機。
  9. 【請求項９】 請求項５乃至請求項７のいずれかに記載
    の高周波モジュールを用いたことを特徴とする通信機。
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