DE19805692C2 - Halbleitereinrichtung mit Feldabschirm-Isolationsstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Halbleitereinrichtung mit Feldabschirm-Isolationsstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009023420B3 (de) * 2009-05-29 2011-01-20 Texas Instruments Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung (z.B. Doppelgate-Transistor)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594779B2 (ja) 1997-06-24 2004-12-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US7163851B2 (en) * 2002-08-26 2007-01-16 International Business Machines Corporation Concurrent Fin-FET and thick-body device fabrication
US7638841B2 (en) 2003-05-20 2009-12-29 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
CN103199017B (zh) * 2003-12-30 2016-08-03 飞兆半导体公司 形成掩埋导电层方法、材料厚度控制法、形成晶体管方法
JP2007220755A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5499455B2 (ja) * 2007-10-22 2014-05-21 株式会社デンソー ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）構造の半導体装置およびその製造方法
AU2010226940C1 (en) * 2010-10-02 2011-07-14 Bui, Dac Thong Mr Auto switch MOS-FET
CN103545194B (zh) * 2013-10-11 2018-03-02 中国电子科技集团公司第十三研究所 射频功率vdmosfet屏蔽栅结构的制作方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3687179T2 (de) * 1985-04-02 1993-04-22 Thorn Emi North America Herstellung eines selbstausrichtenden kontaktfensters in einer integrierten schaltung.
JPH06302779A (ja) * 1993-04-09 1994-10-28 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH07201967A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Steel Corp 半導体装置の製造方法
JPH07283300A (ja) * 1994-04-01 1995-10-27 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0831928A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Nippon Steel Corp 半導体装置の製造方法
JPH08162523A (ja) * 1994-12-06 1996-06-21 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0927600A (ja) * 1995-07-07 1997-01-28 Nippon Steel Corp 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2505736B2 (ja) * 1985-06-18 1996-06-12 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
US4843023A (en) * 1985-09-25 1989-06-27 Hewlett-Packard Company Process for forming lightly-doped-drain (LDD) without extra masking steps
US4818715A (en) * 1987-07-09 1989-04-04 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a LDDFET with self-aligned silicide
US4786609A (en) * 1987-10-05 1988-11-22 North American Philips Corporation, Signetics Division Method of fabricating field-effect transistor utilizing improved gate sidewall spacers
US4922311A (en) * 1987-12-04 1990-05-01 American Telephone And Telegraph Company Folded extended window field effect transistor
US5304829A (en) * 1989-01-17 1994-04-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor device
US5814869A (en) * 1992-01-28 1998-09-29 Thunderbird Technologies, Inc. Short channel fermi-threshold field effect transistors
US5367186A (en) * 1992-01-28 1994-11-22 Thunderbird Technologies, Inc. Bounded tub fermi threshold field effect transistor
US5641989A (en) 1994-06-03 1997-06-24 Nippon Steel Corporation Semiconductor device having field-shield isolation structures and a method of making the same
US5640032A (en) 1994-09-09 1997-06-17 Nippon Steel Corporation Non-volatile semiconductor memory device with improved rewrite speed
EP0718881B1 (en) 1994-12-20 2003-07-16 STMicroelectronics, Inc. Isolation by active transistors with grounded gates
US5783469A (en) * 1996-12-10 1998-07-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method for making nitrogenated gate structure for improved transistor performance

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3687179T2 (de) * 1985-04-02 1993-04-22 Thorn Emi North America Herstellung eines selbstausrichtenden kontaktfensters in einer integrierten schaltung.
JPH06302779A (ja) * 1993-04-09 1994-10-28 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH07201967A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Steel Corp 半導体装置の製造方法
JPH07283300A (ja) * 1994-04-01 1995-10-27 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0831928A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Nippon Steel Corp 半導体装置の製造方法
JPH08162523A (ja) * 1994-12-06 1996-06-21 Nippon Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0927600A (ja) * 1995-07-07 1997-01-28 Nippon Steel Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009023420B3 (de) * 2009-05-29 2011-01-20 Texas Instruments Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung (z.B. Doppelgate-Transistor)

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