DE19752216A1 - Mit einem Verstärker und einem Trennfilter ausgerüstete Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung, die mit einem Verstärker und einem Trennfilter bzw. Bandsperrfilter ausgerüstet ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Schaltung zur Verwendung in (nachfolgend als Ics bezeichneten) integrierten Schaltungen für Mikrowellen, quasi-Millimeterwellen und Millimeterwel­ len in Frequenzbändern von ca. 800 MHz bis ca. 300 GHz.

Die Fig. 13 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem ersten Stand der Technik.

Gemäß Fig. 13 befinden sich in einer Verstärkerschal­ tung gate and drain eines (nachfolgend als FET bezeichne­ ten) Feldeffekttransistors Q mit einem geerdeten source An­ schluß (nachfolgend als source-geerdeter FET bezeichnet) zwischen einem Eingangsanschluß 1 und einem Ausgangsan­ schluß 2, sowie zwischen zwei Mikrostreifenleitern bzw. Mi­ krostripleitungen T11 und T12, die jeweils eine Übertra­ gungsleitung darstellen. In dieser Verstärkerschaltung ist ein (nachfolgend als BEF bezeichneter) Trennfilter bzw. Bandsperrfilter FE mit dem Drainanschluß des FETs Q verbun­ den, wobei der Trennfilter aus einer Serienschaltung einer Mikrostripleitung bzw. einem Mikrobandleiter T13 einer als Spule bzw. Induktivität wirkenden Übertragungsleitung und einem Kondensator T11 besteht und eine Sperrfrequenz f_c un­ terhalb einer gewünschten Verstärker-Mittenfrequenz f₀ der Verstärkerschaltung aufweist. Diese Verstärkerschaltung be­ sitzt eine Frequenzverstärkungscharakteristik, wie sie durch eine Verstärkung G10 in Fig. 17 dargestellt ist. In diesem Fall besaß die Verstärkerschaltung ein Problem da­ hingehend, daß bei geringeren Frequenzen in der Nähe der Sperrfrequenz f_c eine unnötige Verstärkung existiert, wie sie durch G11 dargestellt ist.

Zum Lösen dieses Problems wird gemäß der den zweiten Stand der Technik dargestellten Fig. 14 ein direktionaler Koppler bzw. Richtungskoppler mit zwei Mikrostreifenleitern T21 und T22 mit einer ¼-Wellenlänge anstelle des Mikro­ streifenleiters T12 derart vorgesehen, daß sie zueinander gegenüberliegen und elektromagnetisch miteinander gekoppelt sind, wodurch die ungünstige Verstärkung G11 beseitigt wird, wie durch die Verstärkung G12 gemäß Fig. 17 darge­ stellt ist.

Die Fig. 15 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem dritten Stand der Technik, wie sie aus der japanischen Offenle­ gungsschrift Nr. 8-274552 bekannt ist.

Gemäß Fig. 15 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Ein­ gangsanschluß, das Bezugszeichen 2 einen Ausgangsanschluß, die Bezugszeichen 3 und 4 Anschlüsse zum Anlegen einer Vor­ spannung, das Bezugszeichen Q einen FET, die Bezugszeichen T11 bis T16 Mikrostripleitungen bzw. Mikrostreifenleiter, die als Induktivitäten bzw. Spulen wirkende Übertragungs­ leitungen darstellen, die Bezugszeichen C11 und C12 Konden­ satoren, das Bezugszeichen Rg einen Widerstand und die Be­ zugszeichen Ls1 und Ls2 Hochfrequenzsperrinduktivitäten. Eine Frequenzcharakteristik der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung besitzt gemäß Fig. 18 in ähnlicher Weise zum er­ sten Stand der Technik eine unnötige Verstärkung, die bei ca. 2 GHz oder darunter auftritt. Ebenso besitzt der Stabi­ lisierungsfaktor K der Schaltung einen geringeren Wert als der Wert bei den Frequenzbändern von ca. 13 GHz bis 27 GHz, so daß die Arbeitsweise der Schaltung unstabil ist.

Ferner ist in Fig. 16 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung eines vierten Standes der Technik dargestellt, wie sie aus der US- 5,412,347 bekannt ist.

Gemäß Fig. 16 bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen Ein­ gangsanschluß, 2 einen Ausgangsanschluß, 3 und 4 Anschlüsse zum Anlegen einer Vorspannung, das Bezugszeichen Q einen FET, T11 bis T17 einen Mikrostreifenleiter, der als Induk­ tivitäten wirkende Übertragungsleitungen aufweist, C11 bis C15 Kondensatoren und R11 einen Widerstand.

Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschal­ tung gemäß dem zweiten Stand der Technik hat tatsächlich die Probleme gemäß dem ersten Stand der Technik gelöst. Da jedoch die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung den direktionellen Koppler bzw. Richtungskoppler aufweist, liegt die ¼-Wellenlänge beispielsweise im 60 GHz Band unterhalb von 400 µm. Daher ist der direktionale Kopp­ ler relativ groß, weshalb sich ein Problem dahingehend er­ gibt, daß die die Verstärkerschaltung aufweisende Schaltung nicht miniaturisiert werden kann.

Zum Lösen des Problems gemäß dem dritten Stand der Technik kann der Stabilisierungsfaktor K auf größer gleich eins eingestellt werden, beispielsweise durch Hinzufügen eines Mikrostreifenleiters, der als relativ lange Indukti­ vität für die source des FETs Q gemäß Fig. 19 wirkt. Es existiert jedoch weiterhin eine unnötige Verstärkung, wäh­ rend die eine Rückkopplungsschaltung darstellende Indukti­ vität eingefügt wird, wodurch der Verstärkungsfaktor der Verstärkungsschaltung von ca. 18 dB auf ca. 6 dB mit einer schrittweisen Verringerung von ca. 12 dB verringert wird. Darüber hinaus besitzt der vierte Stand der Technik in ähn­ licher Weise zum dritten Stand der Technik ein Problem da­ hingehend, daß ein größerer Verstärkungsfaktor in einem breiteren Band nicht erhalten werden kann.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine mit einem Verstärker und einem Trennfilter ausgerüstete Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung zu schaffen, bei der man eine größere Verstärkung in einem breiteren Band erhält.

Darüber hinaus liegt der Erfindung die Aufgabe zu­ grunde, eine mit einem Verstärker und einem Trennfilter ausgestattete Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung zu schaffen, die im Vergleich zum Stand der Technik weiter miniaturisiert werden kann.

Diese Aufgabe wird gemäß einem ersten Teilaspekt der vorliegenden Erfindung durch eine Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Schaltung gelöst mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsanschluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor mit einem gate einer drain und einer source aufweist, gekenn­ zeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen, die zwischen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen, die zwischen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter, der mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zu­ mindest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter, der mit dem Ausgangsan­ schluß verbunden ist, wobei der zweite Bandsperrfilter zu­ mindest einen zweiten Kondensator aufweist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt;
einen dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem dritten Kondensator und einer ersten Serienschaltung eines vierten Kondensators und eines ersten Widerstands bestehen­ den ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Seri­ enschaltung aufweist, die aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungs­ leitung besteht, wobei der dritte Bandsperrfilter mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertra­ gungsleitung verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz besitzt; und
einen vierten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem fünften Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem sechsten Kondensator und einem zweiten Widerstand be­ stehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung be­ steht, wobei der vierte Bandsperrfilter mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung verbunden ist und eine vierte Sperrfrequenz be­ sitzt, wobei jede der ersten und zweiten Sperrfrequenzen und jede der dritten und vierten Sperrfrequenzen auf einen Wert unterhalb der Verstärkermittenfrequenz eingestellt ist und die jeweiligen dritten und vierten Sperrfrequenzen auf gegenüber den ersten und zweiten Sperrfrequenzen höhere Frequenzen eingestellt werden.

Vorzugsweise besitzt in der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung der erste Bandsperrfilter ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell zum ersten Kondensator geschaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt, und
der zweite Bandsperrfilter ferner eine achte Übertra­ gungsleitung, die seriell zum zweiten Kondensator geschal­ tet ist, wobei die achte Übertragungsleitung als Indukti­ vität wirkt.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstär­ ker einen source geerdeten Transistor mit einem gate, einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und das gate des Transistors ge­ schaltet sind und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induk­ tivität wirkt;
einer dritten und vierten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß geschaltet und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als In­ duktivitäten wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zu­ mindest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einem zweiten Bandsperrfilter, der eine aus einem zwei­ ten Kondensator und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator und einem ersten Widerstand bestehende erste Parallelschaltung aufweist und eine zweite Serien­ schaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung besitzt, wobei der zweite Bandsperrfilter mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung verbun­ den ist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt, und
einem dritten Bandsperrfilter, der eine aus einem vier­ ten Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator und einem zweiten Widerstand bestehende dritte Parallelschaltung aufweist und eine vierte Serien­ schaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung be­ sitzt, wobei der dritte Bandsperrfilter mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz be­ sitzt,
wobei jede der ersten und der zweiten sowie dritten Sperrfrequenzen auf eine gegenüber der Verstärkermitten­ frequenz kleinere Frequenz eingestellt wird und jede der zweiten und dritten Sperrfrequenzen auf eine gegenüber der ersten Sperrfrequenz höhere Frequenz eingestellt wird.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell mit dem ersten Kondensator verbunden ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung wird die source des Transistors über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung geerdet.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstär­ ker einen source-geerdeten Transistor mit einem gate einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivi­ tät wirkt;
einer dritten und vierten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als Indukti­ vität wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit dem Ausgangsan­ schluß verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zu­ mindest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einem zweiten Bandsperrfilter, der eine aus einem zwei­ ten Kondensator und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator und einem ersten Widerstand bestehende erste Parallelschaltung aufweist und eine zweite Serien­ schaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung besitzt, wobei der zweite Bandsperrfilter mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung verbun­ den ist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt; und
einem dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem vierten Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator und einem zweiten Widerstand be­ stehenden dritten Parallelschaltung besteht, und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungs­ leitung aufweist, wobei der dritte Bandsperrfilter mit ei­ nem Verbindungspunkt zwischen der dritten und vierten Über­ tragungsleitung verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz besitzt,
wobei eine jeweilige erste Sperrfrequenz sowie zweite und dritte Sperrfrequenz auf eine gegenüber der Verstärker­ mittenfrequenz geringere Frequenz eingestellt ist und eine jeweilige zweite und dritte Sperrfrequenz auf eine gegen­ über der ersten Sperrfrequenz höhere Frequenz eingestellt ist.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell mit dem ersten Kondensator verbunden ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung ist die source des Transistors vor­ zugsweise über eine als Induktivität wirkende achte Über­ tragungsleitung geerdet.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Ver­ stärker einen source geerdeten Transistor mit einem gate, einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivi­ tät wirkt;
einer dritten und vierten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als Indukti­ vität wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung verbunden ist, wobei der ersten Bandsperrfilter zumin­ dest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz;
einem zweiten Bandsperrfilter, der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung verbunden ist, wobei der zweite Bandsperrfilter zu­ mindest einen zweiten Kondensator aufweist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt;
einem dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem dritten Kondensator und einer ersten Serienschaltung aus einem vierten Kondensator und einem ersten Widerstand be­ stehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung auf­ weist, wobei der dritte Bandsperrfilter mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz besitzt, und
einem vierten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem fünften Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem sechsten Kondensator und einem zweiten Widerstand be­ stehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung aufweist, wobei der vierte Bandsperrfilter mit dem Aus­ gangsanschluß verbunden ist und eine vierte Sperrfrequenz besitzt;
wobei die jeweiligen ersten und zweiten Sperrfrequenzen und die dritten und vierten Sperrfrequenzen auf gegenüber der Verstärkermittenfrequenz geringere Frequenzen einge­ stellt sind, und die jeweiligen dritten und vierten Sperr­ frequenzen gegenüber den ersten und zweiten Sperrfrequenzen auf höhere Frequenzen eingestellt sind.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell zum ersten Kondensator geschaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt, und der zweite Bandsperrfilter ferner eine achte Übertra­ gungsleitung aufweist, die seriell zum zweiten Kondensator geschaltet ist, wobei die achte Übertragungsleitung als In­ duktivität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung wird die source des Transistors vor­ zugsweise über eine als Induktivität wirkende neunte Über­ tragungsleitung geerdet.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstär­ ker einen source geerdeten Transistor mit einem gate, einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivi­ tät wirkt;
einer dritten und vierten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als Indukti­ vität wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zumin­ dest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einem zweiten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem zweiten Kondensator und einer Serienschaltung eines dritten Kondensators und eines ersten Widerstands bestehenden er­ sten Parallelschaltung besteht, und eine zweite Serien­ schaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung auf­ weist, wobei der zweite Bandsperrfilter mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt, und
einem dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem vierten Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator und einem zweiten Widerstand be­ stehenden dritten Parallelschaltung besteht, und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungs­ leitung aufweist, wobei der dritte Bandsperrfilter mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist und eine dritte Sperrfre­ quenz besitzt;
wobei eine jeweilige erste Sperrfrequenz sowie zweite und dritte Sperrfrequenzen gegenüber der Verstärkermitten­ frequenz auf eine geringere Frequenz eingestellt sind und die jeweiligen zweiten und dritten Sperrfrequenzen gegen­ über der ersten Sperrfrequenz auf eine höhere Frequenz ein­ gestellt sind.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell zum ersten Kondensator geschaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung wird der Transistor vorzugsweise über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung geerdet.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstär­ ker einen source geerdeten Transistor mit einem gate, einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivi­ tät wirkt;
einer dritten und vierten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung jeweils als Indukti­ vität wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zu­ mindest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einem zweiten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem zweiten Kondensator und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator und einem ersten Widerstand be­ stehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung auf­ weist, wobei der zweite Bandsperrfilter mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt; und
einem dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem vierten Kondensator und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator und einem zweiten Widerstand be­ stehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung aufweist, wobei der dritte Bandsperrfilter mit dem Aus­ gangsanschluß verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz besitzt;
wobei die jeweilige erste Sperrfrequenz und die zweiten und dritten Sperrfrequenzen gegenüber der Verstärkermitten­ frequenz auf eine geringere Frequenz eingestellt sind, und die jeweiligen zweiten und dritten Sperrfrequenzen gegen­ über der ersten Sperrfrequenz auf eine höhere Frequenz ein­ gestellt sind.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine siebte Übertragungsleitung, die seriell zum ersten Kondensator geschaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung wird die source des Transistors vor­ zugsweise über eine als Induktivität wirkende achte Über­ tragungsleitung geerdet.

Gemäß einem weiteren Teilaspekt der vorliegenden Erfin­ dung besteht eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schal­ tung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstär­ kermittenfrequenz aufweist, und zwischen einem Eingangsan­ schluß und einem Ausgangsanschluß der Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstär­ ker einen source geerdeten Transistor mit einem gate, einem drain und einer source aufweist, aus:
einer ersten und zweiten Übertragungsleitung, die zwi­ schen dem Eingangsanschluß und dem gate des Transistors liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung jeweils als Induktivi­ tät wirkt;
einer dritten Übertragungsleitung, die zwischen dem drain des Transistors und dem Ausgangsanschluß liegt, wobei die dritte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt;
einem ersten Bandsperrfilter, der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter zumin­ dest einen ersten Kondensator aufweist und eine erste Sperrfrequenz besitzt;
einem zweiten Bandsperrfilter, der mit dem Ausgangsan­ schluß verbunden ist, wobei der zweite Bandsperrfilter zu­ mindest einen zweiten Kondensator aufweist und eine zweite Sperrfrequenz besitzt; und
einem dritten Bandsperrfilter, der aus einer aus einem dritten Kondensator und einer ersten Serienschaltung aus einem vierten Kondensator und einem ersten Widerstand be­ stehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden vierten Übertragungsleitung auf­ weist, wobei der dritte Bandsperrfilter mit dem Eingangsan­ schluß verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz besitzt;
wobei die jeweiligen ersten und zweiten Sperrfrequenzen sowie die dritte Sperrfrequenz gegenüber der Verstärkermit­ tenfrequenz auf eine geringere Frequenz eingestellt sind und die dritte Sperrfrequenz gegenüber den ersten und zwei­ ten Sperrfrequenzen auf eine höhere Frequenz eingestellt ist.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung besitzt der erste Bandsperrfilter vorzugsweise ferner eine fünfte Übertragungsleitung, die seriell zum ersten Kondensator geschaltet ist, wobei die fünfte Übertragungsleitung als Induktivität wirkt, und der zweite Bandsperrfilter ferner eine sechste Übertra­ gungsleitung, die seriell zum zweiten Kondensator geschal­ tet ist, wobei die sechste Übertragungsleitung als Indukti­ vität wirkt.

In der vorstehend beschriebenen Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Schaltung wird die source des Transistors vor­ zugsweise über eine als Induktivität wirkende siebte Über­ tragungsleitung geerdet.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungs­ beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher be­ schrieben.

Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem ersten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 2 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem zweiten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 3 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem dritten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 4 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem vierten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 5 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem fünften erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 6 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem sechsten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 7 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem siebten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 8 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem achten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 9 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem neunten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 10 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem zehnten erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 11 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem elften erfin­ dungsgemäßen Ausführungsbeispiel;

Fig. 12 ein Schaltbild einer Mikrowellen und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem Vergleichsbei­ spiel;

Fig. 13 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem ersten Stand der Technik;

Fig. 14 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem zweiten Stand der Technik;

Fig. 15 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem dritten Stand der Technik;

Fig. 16 ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem vierten Stand der Technik;

Fig. 17 eine graphische Darstellung, die die Fre­ quenzcharakteristika der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltungen gemäß dem ersten und zweiten Stand der Technik darstellen;

Fig. 18 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß dem dritten Stand der Technik darstellt;

Fig. 19 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß dem dritten Stand der Technik mit einer hinzugefügten Sourceinduktivität darstellt;

Fig. 20 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß dem Vergleichsbeispiel darstellt.

Fig. 21 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß dem ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel darstellt;

Fig. 22 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik von Bandsperrfiltern (BEFs) FA und FB darstellt; und

Fig. 23 eine graphische Darstellung, die eine Fre­ quenzcharakteristik von Bandsperrfiltern (BEFs) FC und FD darstellt.

ERSTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 1 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem ersten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. Dieses bevorzugte Ausführungsbeispiel zeigt eine Verstärkerschaltung mit ei­ nem FET Q zur Verstärkung, der ein pseudomorpher HEMT ist (High Electron Mobility Transistor), wobei der FET Q zwi­ schen einen Eingangsanschluß 1 und einen Ausgangsanschluß 2 geschaltet ist und die Source über eine Parallelschaltung von zwei Mikrostreifenleitern bzw. Mikrostripleitungen T3 und T3a geerdet ist, wobei gemäß Fig. 1

• (a) ein BEF FA mit einer Sperrfrequenz f_a und
• (b) ein BEF FC mit einer Sperrfrequenz f_c an das gate des FET Q angeschlossen sind, und
• (c) ein BEF FD mit einer Sperrfrequenz f_d und
• (d) ein BEF FB mit einer Sperrfrequenz f_b an die drain des FET Q angeschlossen sind.

Wenn in diesem Fall die Verstärkermittenfrequenz der Verstärkerschaltung f₀ ist, so erfüllen die Sperrfrequenzen f_a, f_b, f_c und f_d vorzugsweise folgende Gleichung:

f_a = f_b<f_c = f_d<f₀ (1)

Dies bedeutet, daß in der Verstärkerschaltung gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel die Sperrfrequenzen f_c und f_d auf Frequenzen unterhalb der Verstärkermittenfrequenz f₀ in der Nähe von f₀ eingestellt werden, während die Sperr­ frequenzen f_a und f_b auf Frequenzen unterhalb der Sperrfre­ quenzen f_c und f_d eingestellt werden. Anders gesagt dämpfen sowohl die BEFs FA und FB sowie die BEFs FC und FD die Si­ gnale der Frequenzbänder unterhalb der Verstärkermittenfre­ quenz f₀. In diesem Fall dämpfen die BEFs FA und FB Signale der niedrigeren Frequenzbänder, während die BEFs FC und FD Signale der höheren Frequenzbänder dämpfen. Darüber hinaus werden die Sperrfrequenzen f_a und f_b derart eingestellt, daß sie im wesentlichen gleich groß zueinander sind, wäh­ rend die Sperrfrequenzen f_c und f_d derart eingestellt wer­ den, daß auch sie im wesentlichen gleich zueinander sind.

Gemäß Fig. 1 bezeichnet das Bezugszeichen 3 einen An­ schluß zum Anlegen einer Vorspannung, an der eine Gatevor­ spannung Vg angelegt wird, während das Bezugszeichen 4 ei­ nen Anschluß zum Anlegen einer Vorspannung bezeichnet, an den eine drain Vorspannung Vd angelegt wird. T1 bis T9 so­ wie T3a bezeichnen Mikrostreifenleiter, die als Induktivi­ täten L1 bis L9 sowie L3a wirkende Übertragungsleitungen darstellen. Die Bezugszeichen C1 bis C6 bezeichnen durch beispielsweise MIM (Metal-Insulating-Metal)-Kondensatoren oder interdigitale Kondensatoren hergestellte Kondensato­ ren. Die Bezugszeichen R1 und R2 bezeichnen Widerstände, während Ls1 und Ls2 Hochfrequenzsperrinduktivitäten be­ zeichnen. In diesem Fall bilden die Mikrostreifenleiter T4 und T5 jeweils Stichleitungen bzw. Blindleitungen.

Der BEF FA besitzt eine Serienschaltung aus dem Mi­ krostreifenleiter T4 und dem Kondensator C5, während der BEF FB aus einer Serienschaltung des Mikrostreifenleiters T5 und des Kondensators C6 besteht. In gleicher Weise be­ steht der BEF FC aus einer Serienschaltung von:

• (a) einer Parallelschaltung, bestehend aus einer Seri­ enschaltung des Kondensators C3 und des Widerstands R1 mit dem Kondensator C1; und
• (b) dem Mikrostreifenleiter T1,
  wobei ein Verbindungsabschnitt zwischen dem Kondensator C3 und dem Widerstand R1 mit dem Anschluß 3 zum Anlegen der Vorspannung über eine Hochfrequenzsperrinduktivität Ls1 verbunden ist. Ferner besteht der BEF FD aus einer Serien­ schaltung von:
• (a) einer Parallelschaltung, die aus einer Serienschal­ tung bestehend aus einer Serienschaltung des Kondensators C4 und des Widerstands R2 mit dem Kondensator C2; und
• (b) dem Mikrostreifenleiter T2,
  wobei ein Verbindungspunkt zwischen dem Kondensator C4 und dem Widerstand R2 über die Hochfrequenzsperrinduktivi­ tät LS2 mit dem Anschluß 4 zum Anlegen der Vorspannung ver­ bunden ist.

Der Eingangsanschluß 1 ist über den BEF FA geerdet und darüber hinaus über die Mikrostreifenleiter T7 und T6 mit dem Gate des FET Q verbunden, wobei ein Verbindungspunkt zwischen den Mikrostreifenleitern T7 und T6 über den BEF FC geerdet ist. Andererseits ist der Ausgangsanschluß 2 über den BEF FB geerdet und darüber hinaus über die Mikrostrei­ fenleiter T9 und T8 mit der Drain des FETs Q verbunden, wo­ bei ein Verbindungspunkt zwischen den Mikrostreifenleitern T8 und T9 über den BEF FD geerdet ist. Ferner ist die Source des FETs Q über die Parallelschaltung der zwei Mi­ krostreifenleiter T3 und T3a geerdet.

Vorzugsweise werden Elementewerte für die einzelnen Elemente in der Mikrowellen-Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung im ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel wie folgt gewählt, wobei diese Elementewerte im bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß den Fig. 21 bis 23 verwendet werden:

L1 = L2 = 0.03 nH,
L3 = L3a = 0.02 nH,
L4 = L5 = 0 nH,
L6 = L9 = 0.02 nH,
L7 = 0.07 nH,
L8 = 0.1 nH (2)
C1 = C2 = C3 = C4 = 0.3 pF,
C5 = C6 = 10 pF (3)
R1 = R2 = 50 Ω (4)

Bevorzugte Bereiche für die Elementewerte in der Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind wie folgt, wobei w₁ bis w₉ und w_3a die Breiten der jeweiligen Mikro­ streifenleiter T1 bis T9 sowie T3a und l₁ bis l₉ sowie l_3a die jeweiligen Längen der Mikrostreifenleiter T1 bis T9 sowie T3a darstellen:

5 µm≦w₁ = w₂≦500 µm,
0≦w₃ = w_3a = w₄ = w₅ = w₆ = w₇ = w₈ = w₉≦500 µm (5)
8 µm≦l₁ = l₂≦5000 µm,
0≦l₃ = l_3a = l₄ = l₅≦5000 µm,
0≦l₆≦1000 µm,
0≦l₇ = l₈ = l₉≦3000 µm (6)
0.01 pF≦C1 = C2≦20 pF,
0.01 pF≦C3 = C4≦0.9 pF,
1 pF≦C5 = C6≦50 pF (7)
0.01 Ω≦R1≦1000 Ω,
0≦R2≦1000 Ω (8)

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung kann der Betrag bzw. der absolute Wert des Verhältnisses der Aus­ gangsspannung V₂ zur Eingangsspannung V₁ in der BEF Schal­ tung, die den Mikrostreifenleiter T9 und den BEF FB auf­ weist, durch folgende Gleichung ausgedrückt werden:

|V₂/V₁|
= |-Z_L/[{1-ω²(L₉+L₅)C₆}/(1-ω²L₅C₆)+jωL₉)]| (9)

Wobei der erste Term des Nenners in der rechten Seite der Gleichung (9) bei ausreichend hohen Frequenzen wie zum Beispiel Millimeterwellen sich schrittweise dem Wert (L₉+ L₅)/L₅ nähert. Ebenso kann die Sperrfrequenz f_b entspre­ chend der Oszilatorfrequenz der Induktivität L5 und der Ka­ pazität C6 des BEF FB beispielsweise auf 3 GHz einer Fre­ quenz eines Mikrowellenbandes eingestellt werden. Somit wird aus der BEF-Schaltung eine Bandsperrfilter-Schaltung, die Signale in niedrigeren Frequenzbändern dämpft.

Genauer gesagt wird in der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß Fig. 1 ein am Eingangsan­ schluß eingegebenes Mikrowellen- und Millimeterwellensignal bezüglich seines Bandes bei der Sperrfrequenz f_a durch den BEF FA begrenzt bzw. eliminiert und hinsichtlich seines Bandes bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC begrenzt bzw. eliminiert und anschließend in den mit dem FET Q ver­ sehenen Verstärker eingegeben. Das durch den FET Q ver­ stärkte Mikrowellen- und Millimeterwellensignal wird hin­ sichtlich seines Bandes bei der Sperrfrequenz f_d vom BEF FD begrenzt bzw. eliminiert und hinsichtlich seines Bandes bei der Sperrfrequenz f_b vom BEF FB begrenzt und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Die Fig. 12 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem Ver­ gleichsbeispiel. In Fig. 12 werden gleiche Bauteile wie in Fig. 1 durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Die Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß dem Vergleichsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß sie im Vergleich zur Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung gemäß Fig. 1 keine BEFs FA und FB sowie keinen Mikrostreifenleiter T3a aufweist. Die Fig. 20 zeigt eine graphische Darstellung einer Frequenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß dem Vergleichsbeispiel von Fig. 12. Wie sich aus der Fig. 20 ergibt, tritt bei diesem Vergleichsbeispiel eine durch G13 angezeigte unnötige Verstärkung in gleicher Weise auf wie beim ersten, dritten und vierten Stand der Technik.

Die Fig. 22 zeigt eine graphische Darstellung, die eine Frequenzcharakteristik der BEFs FA und FB gemäß Fig. 1 dar­ stellt, während die Fig. 23 eine graphische Darstellung zeigt, die eine Frequenzcharakteristik der BEFs FC und FD darstellt. Die Verstärkermittenfrequenz f₀ im bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 liegt bei ca. 30 GHz, wäh­ rend die Sperrfrequenz f_a = f_b gemäß Fig. 22 bei ca. 3 GHz liegt und die Sperrfrequenz f_c = f_d gemäß Fig. 23 bei ca. 7 GHz liegt.

Die Fig. 21 ist eine graphische Darstellung, die eine Frequenzcharakteristik der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung gemäß dem ersten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel darstellt, in dem die Mikrostreifenleiter T4, T5 und T3a nicht vorgesehen sind. In den Fig. 20 und 21 arbeitet die Verstärkerschaltung stabil, wenn der Stabi­ lisierungsfaktor K gleich oder größer als eins ist. Gemäß Fig. 21 ermöglicht in der mit dem FET Q ausgestatteten Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung die Kombination der BEFs und FA und FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD gemäß Fig. 20 eine Dämpfung der unnötigen Ver­ stärkung G13, während im Vergleich zum Stand der Technik die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung eine größere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband aufweisen kann und eine stabile Verstärkung erfüllt. Da darüber hinaus kein Richtungskoppler verwendet wird, kann im Vergleich zum zweiten Stand der Technik die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung miniaturisiert werden.

ZWEITES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 2 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß dem erfindungs­ gemäßen zweiten Ausführungsbeispiel. In Fig. 2 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 1 mit den gleichen Bezugszei­ chen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Ver­ stärkerschaltung dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels wird dadurch gekennzeichnet, daß sie im Vergleich zum er­ sten bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 keinen BEF FB aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein an einem Eingangsanschluß 1 eingegebenes Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Signal durch den BEF FA bei einer Sperrfre­ quenz f_a ausgefiltert und durch den BEF FC bei einer Sperr­ frequenz f_c ausgefiltert bzw. eliminiert und abschließend dem mit einem FET Q versehenen Verstärker zugeführt. Der BEF FD filtert bzw. trennt bei der Sperrfrequenz f_d das vom FET Q verstärkte Mikrowellen- und Millimeterwellen-Signal und gibt es anschließend über den Ausgangsanschluß 2 aus.

Daher ermöglicht in der mit dem FET Q versehenen Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung eine Kom­ bination des BEFs FA mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der unnötigen Verstärkung G13, gemäß Fig. 20, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband aufweist und eine stabile Ver­ stärkung durchführt. Da ferner kein direktionaler Koppler bzw. Richtungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

DRITTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 3 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem erfin­ dungsgemäßen dritten Ausführungsbeispiel. In Fig. 3 werden gleiche Bauteile wie in Fig. 1 mit den gleichen Bezugszei­ chen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Ver­ stärkerschaltung dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels wird im Vergleich zum ersten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel gemäß Fig. 1 dadurch gekennzeichnet, daß es keinen BEF FA aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein am Eingangsanschluß 1 eingegebenes Mikrowellen- und Millime­ terwellensignal bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC ausgefiltert und anschließend dem mit dem FET Q versehenen Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q verstärkte Mikro­ wellen- und Millimeterwellensignal wird durch den BEF FD bei der Sperrfrequenz f_d getrennt bzw. ausgefiltert und durch den BEF FB bei der Sperrfrequenz f_b ausgefiltert. An­ schließend wird es über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, eine Kom­ bination des BEFs FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der unnötigen Verstärkung G13 gemäß Fig. 20, wäh­ rend im Vergleich zum Stand der Technik die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung eine größere Ver­ stärkung in einem breiteren Frequenzband aufweisen kann und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

VIERTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 4 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem vierten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 4 werden gleiche Bauteile wie in Fig. 1 durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels wird im Vergleich zum ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel ge­ mäß Fig. 1 dadurch gekennzeichnet, daß:

• (a) der BEF FA mit einem Verbindungspunkt zwischen den Mikrostreifenleitern T6 und T7 verbunden ist;
• (b) der BEF FB mit einem Verbindungspunkt zwischen den Mikrostreifenleitern T8 und T9 verbunden ist;
• (c) der BEF FC mit dem Eingangsanschluß 1 verbunden ist; und
• (d) der BEF FD mit dem Ausgangsanschluß 2 verbunden ist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein am Eingangsanschluß 1 eingegebenes Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Signal durch den BEF FC bei der Sperrfrequenz f_c ausgefiltert und durch den BEF FA bei der Sperrfrequenz f_a ausgefiltert bzw. bandmäßig getrennt, und anschließend dem Verstärker zugeführt, der den FET Q aufweist. Das durch den FET Q verstärkte Mikrowellen- und Millimeterwellensignal wird durch den BEF FB bei der Sperrfrequenz f_b ausgefiltert und durch den BEF FD bei der Sperrfrequenz f_d getrennt bzw. ausgefiltert und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher erlaubt in der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombina­ tion der BEFs FA und FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der unnötigen Verstärkung G13 gemäß Fig. 20, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband aufweist und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

FÜNFTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 5 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem fünften erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 5 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 4 mit den gleichen Bezugszei­ chen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Ver­ stärkerschaltung dieses bevorzugten Ausführungsbeispiels ist dadurch gekennzeichnet, daß sie im Vergleich zum vier­ ten bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 keinen BEF FB aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein am Eingangsanschluß 1 eingegebenes Mikrowellen- und Millime­ terwellensignal durch den BEF FC bei der Sperrfrequenz f_c ausgefiltert und durch den BEF FA bei der Sperrfrequenz f_a getrennt bzw. ausgefiltert und anschließend dem mit dem FET Q versehenen Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q ver­ stärkte Mikrowellen- und Millimeterwellen-Signal wird durch den BEF FD bei der Sperrfrequenz f_d ausgefiltert und an­ schließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombi­ nation des BEFs FA gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der unnötigen Verstärkung G13 gemäß Fig. 20, wäh­ rend die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschal­ tung im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Ver­ stärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Richtungs­ koppler verwendet wird, kann im Vergleich zum zweiten Stand der Technik die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung miniaturisiert werden.

SECHSTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 6 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem sechsten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 6 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 4 mit den gleichen Bezugszei­ chen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Ver­ stärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel ist dadurch gekennzeichnet, daß sie im Vergleich zum vierten bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 keinen BEF FA aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellensignal durch den BEF FC bei der Sperrfrequenz f_c aus­ gefiltert und anschließend dem Verstärker zugeführt, der den FET Q aufweist. Das durch den FET Q verstärkte Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Signal wird durch den BEF FB bei der Sperrfrequenz f_b ausgefiltert und bei der Sperrfre­ quenz f_d durch den BEF FD getrennt bzw. ausgefiltert und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombi­ nation des BEFs FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD, eine Dämpfung der unnötigen Verstärkung G13 gemäß Fig. 20, wäh­ rend die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärker­ schaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Richtungs­ koppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Millime­ terwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

SIEBTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 7 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem siebten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 7 werden die gleichen Bauteile wie in den Fig. 1 und 4 durch die glei­ chen Bezugszeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Milli­ meterwellen-Verstärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist im Vergleich zum ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 dadurch gekennzeichnet, daß:

• (a) die BEFs FA und FC mit dem Eingangsanschluß 1 ver­ bunden sind;
• (b) die BEFs FB und FD mit dem Ausgangsanschluß verbun­ den sind, und
• (c) die Verstärkerschaltung keine Mikrostreifenleiter T7 und T9 aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Signal durch den BEF FC bei der Sperrfrequenz f_c ausgefiltert und bei der Sperrfrequenz f_a durch den BEF FA ausgefiltert bzw. getrennt und anschließend dem den FET Q aufweisenden Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q ver­ stärkte Mikrowellen- und Millimeterwellen-Signal wird bei der Sperrfrequenz f_b durch den BEF FB ausgefiltert und bei der Sperrfrequenz f_d durch den BEF FD getrennt bzw. ausge­ filtert und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausge­ geben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombi­ nation der BEFs FA und FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der in Fig. 20 dargestellten unnötigen Ver­ stärkung G13, während die Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine größere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Richtungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

ACHTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 8 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem achten er­ findungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 8 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 7 durch die gleichen Bezugs­ zeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeterwellen- Verstärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausführungs­ beispiel ist im Vergleich zum siebten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel gemäß Fig. 7 dadurch gekennzeichnet, daß sie keinen BEF FB aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Signal durch den BEF FA bei der Sperrfrequenz f_a ausgefiltert und bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC ausgefiltert und anschließend dem den FET Q aufweisenden Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q verstärkte Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Signal wird durch den BEF FD bei der Sperrfrequenz f_d ausgefiltert und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombi­ nation des BEFs FA gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der in Fig. 20 dargestellten unnötigen Verstärkung G13, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine grö­ ßere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

NEUNTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 9 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem neunten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 9 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 7 durch die gleichen Bezugs­ zeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausführungs­ beispiel wird im Vergleich zum siebten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel gemäß Fig. 7 dadurch gekennzeichnet, daß sie keinen BEF FA aufweist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Signal bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC ausgefiltert und anschließend dem den FET Q aufweisenden Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q verstärkte Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Signal wird durch den BEF FD bei der Sperrfrequenz f_d ausgefiltert und durch den BEF FB bei der Sperrfrequenz f_b getrennt bzw. ausgefiltert und an­ schließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher ermöglicht in der Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombi­ nation des BEFs FB gemeinsam mit den BEFs FC und FD eine Dämpfung der in Fig. 20 dargestellten unnötigen Verstärkung G13, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine grö­ ßere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

ZEHNTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 10 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung gemäß einem zehnten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 10 werden die gleichen Bauteile wie in Fig. 1 durch gleiche Bezugs­ zeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausführungs­ beispiel ist im Vergleich zum ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel gemäß Fig. 1 dadurch gekennzeichnet, daß:

• (a) Die Verstärkerschaltung keinen BEF FD aufweist;
• (b) die Verstärkerschaltung keinen Mikrostreifenleiter T9 besitzt; und
• (c) ein Verbindungspunkt zwischen dem Mikrostreifenlei­ ter T5 und dem Kondensator C6 über die Hochfrequenzsperr­ spule bzw. -induktivität Ls2 mit dem Abschluß 4 zum Anlegen der Vorspannung verbunden ist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellensignal durch den BEF FA bei der Sperrfrequenz f_a aus­ gefiltert und bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC ge­ trennt bzw. ausgefiltert und anschließend dem den FET Q aufweisenden Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q ver­ stärkte Mikrowellen- und Millimeterwellen-Signal wird durch den BEF FB bei der Sperrfrequenz f_b ausgefiltert und an­ schließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher erlaubt in der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombina­ tion der BEFs FA und FB gemeinsam mit dem BEF FC eine Dämp­ fung der in Fig. 20 dargestellten unnötigen Verstärkung G13, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine grö­ ßere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

ELFTES BEVORZUGTES AUSFÜHRUNGSBEISPIEL

Die Fig. 11 zeigt ein Schaltbild einer Mikrowellen- und Millimeterwellenverstärkerschaltung gemäß einem elften er­ findungsgemäßen Ausführungsbeispiel. In Fig. 11 werden die gleichen Bauteile wie in den Fig. 1 und 4 durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet. Die Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung gemäß diesem bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel ist im Vergleich zum vierten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel gemäß Fig. 4 dadurch gekennzeichnet, daß:

• (a) die Verstärkerschaltung keinen BEF FD aufweist;
• (b) die Verstärkerschaltung keinen Mikrostreifenleiter T9 besitzt; und
• (c) ein Verbindungspunkt zwischen dem Mikrostreifenlei­ ter T5 und dem Kondensator C6 über die Hochfrequenz-Sper­ rinduktivität Ls2 mit dem Anschluß zum Anlegen der Vorspan­ nung verbunden ist.

In der wie vorstehend beschrieben aufgebauten Mikrowel­ len- und Millimeterwellen-Verstärkerschaltung wird ein dem Eingangsanschluß 1 zugeführtes Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Signal bei der Sperrfrequenz f_c durch den BEF FC ausgefiltert und durch den BEF FA bei der Sperrfrequenz f_a getrennt bzw. ausgefiltert und dem den FET Q aufweisenden Verstärker zugeführt. Das durch den FET Q verstärkte Mikro­ wellen- und Millimeterwellen-Signal wird bei der Sperrfre­ quenz f_b durch den BEF FB ausgefiltert und anschließend über den Ausgangsanschluß 2 ausgegeben.

Daher erlaubt in der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung, die den FET Q aufweist, die Kombina­ tion der BEFs FA und FB gemeinsam mit dem BEF FC eine Dämp­ fung der in Fig. 20 dargestellten unnötigen Verstärkung G13, während die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstär­ kerschaltung im Vergleich zum Stand der Technik eine grö­ ßere Verstärkung in einem breiteren Frequenzband erhält und eine stabile Verstärkung durchführt. Da ferner kein Rich­ tungskoppler verwendet wird, kann die Mikrowellen- und Mil­ limeterwellen-Verstärkerschaltung im Vergleich zum zweiten Stand der Technik miniaturisiert werden.

MODIFIZIERTE BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

In den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispielen besitzt die Mikrowellen- und Millimeterwel­ len-Verstärkerschaltung einen FET Q vom HEMT Typ. Die vor­ liegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, wes­ halb die Mikrowellen- und Millimeterwellen-Verstärkerschal­ tung einen Transistor zur Hochfrequenzverstärkung aufweisen kann, der aus einer Vielzahl von Typen ausgewählt werden kann.

In den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispielen ist die source des FET Q über eine Paral­ lelschaltung von zwei Mikrostreifenleitern T3 und T3a geer­ det. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf be­ schränkt, weshalb die source des FET Q über nur einen Mi­ krostreifenleiter T3 geerdet werden kann oder ohne Mikrost­ reifenleiter direkt geerdet wird.

Obwohl der BEF FA ferner den Mikrostreifenleiter T4 be­ sitzt, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf be­ schränkt, weshalb der BEF FA auch keinen Mikrostreifenlei­ ter T4 aufweisen darf.

Obwohl darüber hinaus der BEF FB den Mikrostreifenlei­ ter T5 besitzt, wird die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, weshalb der BEF FB auch keinen Mikrostreifen­ leiter T5 aufweisen darf.

Obwohl ferner der BEF FD den Widerstand R2 aufweist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, wes­ halb der BEF FD auch keinen Widerstand R2 aufweisen darf.

Obwohl ferner die Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Verstärkerschaltung für die Verbindung die Mikrostreifen­ leiter T6 bis T9 aufweist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, weshalb die Verstärkerschaltung auch ohne den Mikrostreifenleiter T6 bis T9 aufgebaut wer­ den kann.

In den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispielen können die Kondensatoren C5 und C6 durch variable Kapazitätsdioden realisiert werden, wobei eine Vorspannung derart angelegt wird, daß keine Erfassungsspan­ nung über den variablen Kapazitätsdioden auftritt bzw. an­ liegt.

Es ist eine Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung offenbart, die einen Verstärker mit einer vorbestimmten Verstärkermittenfrequenz aufweist, der zwischen Eingangs- und Ausgangsanschlüssen liegt, wobei der Verstärker einen source-geerdeten Transistor besitzt. Erste und zweite Über­ tragungsleitungen liegen zwischen dem Eingangsanschluß und einem gate des Transistors und werden miteinander seriell verschaltet. Dritte und vierte Übertragungsleitungen liegen zwischen einem drain des Transistors und dem Ausgangsan­ schluß und sind seriell miteinander verschaltet. Ein erster Bandsperrfilter ist mit dem Eingangsanschluß verbunden und besitzt eine erste Bandsperrfrequenz, während ein zweiter Bandsperrfilter mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz aufweist. Ein dritter Bandsperr­ filter ist mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung verbunden und besitzt eine dritte Sperrfrequenz, während ein vierter Bandsperrfilter mit einem Verbindungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungsleitung verbunden ist und eine vierte Sperrfre­ quenz aufweist. In diesem Fall werden die jeweiligen ersten bis vierten Sperrfrequenzen auf eine gegenüber der Verstär­ kermittenfrequenz geringere Frequenz eingestellt, wobei die jeweiligen dritten und vierten Sperrfrequenzen gegenüber den ersten und zweiten Sperrfrequenzen auf höhere Frequen­ zen eingestellt werden.

Claims (20)

1. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeter­ wellen-Schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G) einer drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangsan­ schluß (2) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9) jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FA), der mit dem Eingangsan­ schluß (1) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter FA zumindest einen ersten Kondensator (C5) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_a) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FB), der mit dem Ausgangsan­ schluß (2) verbunden ist, wobei der zweite Bandsperrfilter (FB) zumindest einen zweiten Kondensator (C6) aufweist und eine zweite Sperrfrequenz (f_b) besitzt;
einen dritten Bandsperrfilter (FC), der aus einer aus einem dritten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung eines vierten Kondensators (C3) und eines ersten Wider­ stands (R1) bestehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aufweist, die aus der er­ sten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungsleitung (L1) besteht, wobei der dritte Bandsperrfilter (FC) mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung (L7, L6) verbun­ den ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_c) besitzt; und
einen vierten Bandsperrfilter (FD), der aus einer aus einem fünften Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem sechsten Kondensator (C4) und einem zweiten Wi­ derstand (R2) bestehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallel­ schaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung (L2) besteht, wobei der vierte Band­ sperrfilter (FD) mit einem Verbindungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungsleitung (L8, L9) verbunden ist und eine vierte Sperrfrequenz (f_d) besitzt,
wobei jede der ersten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) und jede der dritten und vierten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) auf einen Wert unterhalb der Verstärkermittenfrequenz (f₀) eingestellt ist und die jeweiligen dritten und vierten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) auf gegenüber den ersten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) höhere Frequenzen einge­ stellt werden.

2. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Patent­ anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Band­ sperrfilter (FA) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L4) aufweist, die seriell zum ersten Kondensator (C5) ge­ schaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L4) als Induktivität wirkt, und
der zweite Bandsperrfilter (FB) ferner eine achte Übertra­ gungsleitung (L5) aufweist, die seriell zum zweiten Konden­ sator (C6) geschaltet ist, wobei die achte Übertragungslei­ tung (L5) als Induktivität wirkt.

3. Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G), einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und das gate (G) des Transi­ stors (Q) geschaltet sind und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) jeweils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangsan­ schluß (2) geschaltet und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9) jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FA), der mit dem Eingangsan­ schluß (1) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter (FA) zumindest einen ersten Kondensator (C5) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_a) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FC), der eine aus einem zweiten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator (C3) und einem ersten Wider­ stand (R1) bestehende erste Parallelschaltung aufweist und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertra­ gungsleitung (L1) besitzt, wobei der zweite Bandsperrfilter (FC) mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung (L7, L6) verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz (f_c) besitzt; und
einen dritten Bandsperrfilter (FD), der eine aus einem vierten Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator (C4) und einem zweiten Wider­ stand (R2) bestehende dritte Parallelschaltung aufweist und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertra­ gungsleitung (L2) aufweist, wobei der dritte Bandsperrfil­ ter (FD) mit einem Verbindungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungsleitung (L8, L9) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_d) besitzt,
wobei eine jeweilige erste Sperrfrequenz (f_a) sowie zweite und dritte Sperrfrequenz (f_c, f_d) auf eine gegenüber der Verstärkermittenfrequenz (f₀) kleinere Frequenz eingestellt wird und jede der zweiten und dritten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) auf eine gegenüber der ersten Sperrfrequenz (f_a) höhere Frequenz eingestellt wird.

4. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Patent­ anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Band­ sperrfilter (FA) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L4) aufweist, die seriell mit dem ersten Kondensator (C5) verbunden ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L4) als Induktivität wirkt.

5. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Patent­ anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung (L3, L3a) geerdet wird.

6. Mikrowellen- und Millimeterwellenschaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source-geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G) einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangs­ anschluß (2) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9) jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FB), der mit dem Ausgangsan­ schluß (2) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfilter (FB) zumindest einen ersten Kondensator (C6) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_b) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FC), der eine aus einem zweiten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator (C3) und einem ersten Wider­ stand (R1) bestehende erste Parallelschaltung aufweist und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertra­ gungsleitung (L1) besteht, wobei der zweite Bandsperrfilter (FC) mit einem Verbindungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungsleitung (L7, L6) verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz (f_c) besitzt; und
einen dritten Bandsperrfilter (FD), der aus einer aus einem vierten Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator (C4) und einem zweiten Wider­ stand (R2) bestehenden dritten Parallelschaltung besteht, und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallel­ schaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung. (L2) aufweist, wobei der dritte Band­ sperrfilter (FD) mit einem Verbindungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungsleitung (L8, L9) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_d) besitzt,
wobei eine jeweilige erste Sperrfrequenz (f_b) sowie zweite und dritte Sperrfrequenz (f_c, f_d) auf eine gegenüber der Verstärkermittenfrequenz (f₀) geringere Frequenz einge­ stellt ist und eine jeweilige zweite und dritte Sperrfre­ quenz (f_c, f_d) auf eine gegenüber der ersten Sperrfrequenz (f_b) höhere Frequenz eingestellt ist.

7. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Patent­ anspruch 6, wobei der erste Bandsperrfilter (FB) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L5) aufweist, die seriell mit dem ersten Kondensator (C6) verbunden ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L5) als Induktivität wirkt.

8. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Patent­ anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung (L5) geerdet wird.

9. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G), einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangs­ anschluß (2) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9) jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FA), der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung (L7, L6) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfil­ ter (FA) zumindest einen ersten Kondensator (C5) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_a) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FB), der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung (L8, L9) verbunden ist, wobei der zweite Bandsperr­ filter (FB) zumindest einen zweiten Kondensator (C6) auf­ weist und eine zweite Sperrfrequenz (f_b) besitzt;
einen dritten Bandsperrfilter (FC), der aus einer aus einem dritten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung aus einem vierten Kondensator (C3) und einem ersten Wider­ stand (R1) bestehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertra­ gungsleitung (L1) aufweist, wobei der dritte Bandsperrfil­ ter (FC) mit dem Eingangsanschluß (1) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_c) besitzt, und
einen vierten Bandsperrfilter (FD), der aus einer aus einem fünften Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem sechsten Kondensator (C4) und einem zweiten Wi­ derstand (R2) bestehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallel­ schaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung (L2) aufweist, wobei der vierte Band­ sperrfilter (FD) mit dem Ausgangsanschluß (2) verbunden ist und eine vierte Sperrfrequenz (f_d) besitzt;
wobei die jeweiligen ersten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) und die dritten und vierten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) auf gegenüber der Verstärkermittenfrequenz (f₀) gerin­ gere Frequenzen eingestellt sind, und die jeweiligen drit­ ten und vierten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) gegenüber den er­ sten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) auf höhere Fre­ quenzen eingestellt sind.

10. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bandsperrfilter (FA) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L4) aufweist, die seriell zum ersten Kondensator (C5) ge­ schaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L4) als Induktivität wirkt, und
der zweite Bandsperrfilter (FB) ferner eine achte Übertra­ gungsleitung (L5) aufweist, die seriell zum zweiten Konden­ sator (C6) geschaltet ist, wobei die achte Übertragungslei­ tung (L5) als Induktivität wirkt.

11. Mikrowellen- und Millimeterwellen- Schaltung nach Pa­ tentanspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende neunte Übertragungsleitung (L3, L3a) geerdet wird.

12. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz besitzt und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G), einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangs­ anschluß (2) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9) jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FA), der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung (L7, L6) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfil­ ter (FA) zumindest einen ersten Kondensator (C5) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_a) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FC), der aus einer aus einem zweiten Kondensator (C1) und einer Serienschaltung eines dritten Kondensators (C3) und eines ersten Widerstands (R1) bestehenden ersten Parallelschaltung besteht, und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschaltung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertragungslei­ tung (L1) aufweist, wobei der zweite Bandsperrfilter (FC) mit dem Eingangsanschluß (1) verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz (f_c) besitzt; und
einen dritten Bandsperrfilter (FD), der aus einer aus einem vierten Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator (C4) und einem zweiten Wider­ stand (R2) bestehenden dritten Parallelschaltung besteht, und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallel­ schaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung (L2) aufweist, wobei der dritte Band­ sperrfilter (FD) mit dem Ausgangsanschluß (2) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_d) besitzt;
wobei eine jeweilige erste Sperrfrequenz (f_a) sowie zweite und dritte Sperrfrequenzen (f_c, f_d) gegenüber der Verstär­ kermittenfrequenz (f₀) auf eine geringere Frequenz einge­ stellt sind und die jeweiligen zweiten und dritten Sperr­ frequenzen (f_c, f_d) gegenüber der ersten Sperrfrequenz (f_a) auf eine höhere Frequenz eingestellt sind.

13. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bandsperrfilter (FA) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L4) aufweist, die seriell zum ersten Kondensator (C5) ge­ schaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L4) als Induktivität wirkt.

14. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung (L3, L3a) geerdet wird.

15. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz aufweist und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G), einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (l7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
dritte und vierte Übertragungsleitungen (L8, L9), die zwi­ schen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangs­ anschluß (2) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die dritte und vierte Übertragungsleitung (L8, L9), jeweils als Induktivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FB), der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der dritten und vierten Übertragungs­ leitung (L8, L9) verbunden ist, wobei der erste Bandsperr­ filter (FB) zumindest einen ersten Kondensator (C6) auf­ weist und eine erste Sperrfrequenz (f_b) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FC), der aus einer aus einem zweiten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung aus einem dritten Kondensator (C3) und einem ersten Wider­ stand (R1) bestehenden ersten Parallelschaltung besteht und eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden fünften Übertra­ gungsleitung (L1) aufweist, wobei der zweite Bandsperrfil­ ter (FC) mit dem Eingangsanschluß (1) verbunden ist und eine zweite Sperrfrequenz (f_c) besitzt; und
einen dritten Bandsperrfilter (FD), der aus einer aus einem vierten Kondensator (C2) und einer dritten Serienschaltung aus einem fünften Kondensator (C4) und einem zweiten Wider­ stand (R2) bestehenden dritten Parallelschaltung besteht und eine vierte Serienschaltung aus der dritten Parallel­ schaltung und einer als Induktivität wirkenden sechsten Übertragungsleitung (L2) aufweist, wobei der dritte Band­ sperrfilter (FD) mit dem Ausgangsanschluß (2) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_d) besitzt;
wobei die jeweilige erste Sperrfrequenz (f_a) und die zwei­ ten und dritten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) gegenüber der Ver­ stärkermittenfrequenz (f₀) auf eine geringere Frequenz ein­ gestellt sind, und die jeweiligen zweiten und dritten Sperrfrequenzen (f_c, f_d) gegenüber der ersten Sperrfrequenz (f_a) auf eine höhere Frequenz eingestellt sind.

16. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bandsperrfilter (FB) ferner eine siebte Übertragungsleitung (L5) aufweist, die seriell zum ersten Kondensator (C6) ge­ schaltet ist, wobei die siebte Übertragungsleitung (L5) als Induktivität wirkt.

17. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende achte Übertragungsleitung (L3, L3a) geerdet ist.

18. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung mit einem Verstärker, der eine vorbestimmte Verstärkermittenfrequenz aufweist, und zwischen einem Eingangsanschluß (1) und einem Ausgangsanschluß (2) der Mikrowellen- und Millimeterwellen­ schaltung vorgesehen ist, wobei der Verstärker einen source geerdeten Transistor (Q) mit einem gate (G), einem drain (D) und einer source (S) aufweist, gekennzeichnet durch:
erste und zweite Übertragungsleitungen (L7, L6), die zwi­ schen dem Eingangsanschluß (1) und dem gate (G) des Transi­ stors (Q) liegen und seriell miteinander verbunden sind, wobei die erste und zweite Übertragungsleitung (L7, L6) je­ weils als Induktivität wirkt;
eine dritte Übertragungsleitung (L8), die zwischen dem drain (D) des Transistors (Q) und dem Ausgangsanschluß (2) liegt, wobei die dritte Übertragungsleitung (L8) als Induk­ tivität wirkt;
einen ersten Bandsperrfilter (FA), der mit einem Verbin­ dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Übertragungslei­ tung (L7, L6) verbunden ist, wobei der erste Bandsperrfil­ ter (FA) zumindest einen ersten Kondensator (C5) aufweist und eine erste Sperrfrequenz (f_a) besitzt;
einen zweiten Bandsperrfilter (FB), der mit dem Ausgangsan­ schluß (2) verbunden ist, wobei der zweite Bandsperrfilter (FB) zumindest einen zweiten Kondensator (C6) aufweist und eine zweite Sperrfrequenz (f_b) besitzt; und
einen dritten Bandsperrfilter (FC), der aus einer aus einem dritten Kondensator (C1) und einer ersten Serienschaltung aus einem vierten Kondensator (C3) und einem ersten Wider­ stand (R1) bestehenden ersten Parallelschaltung besteht und
eine zweite Serienschaltung aus der ersten Parallelschal­ tung und einer als Induktivität wirkenden vierten Übertra­ gungsleitung (L1) aufweist, wobei der dritte Bandsperrfil­ ter (FC) mit dem Eingangsanschluß (1) verbunden ist und eine dritte Sperrfrequenz (f_c) besitzt;
wobei die jeweiligen ersten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) sowie die dritte Sperrfrequenz (f_c) gegenüber der Verstärkermittenfrequenz (f₀) auf eine geringere Frequenz eingestellt sind und die dritte Sperrfrequenz (f_c) gegen­ über den ersten und zweiten Sperrfrequenzen (f_a, f_b) auf eine höhere Frequenz eingestellt ist.

19. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Bandsperrfilter (FA) ferner eine fünfte Übertragungsleitung (L4) aufweist, die seriell zum ersten Kondensator (C5) ge­ schaltet ist, wobei die fünfte Übertragungsleitung (L4) als Induktivität wirkt, und
der zweite Bandsperrfilter (FB) ferner eine sechste Über­ tragungsleitung (L5) aufweist, die seriell zum zweiten Kon­ densator (C6) geschaltet ist, wobei die sechste Übertra­ gungsleitung (L5) als Induktivität wirkt.

20. Mikrowellen- und Millimeterwellen-Schaltung nach Pa­ tentanspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die source (S) des Transistors (Q) über eine als Induktivität wirkende siebte Übertragungsleitung (L3, L3a) geerdet ist.