JP2008153746A - 高周波発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波発振器全体の物理的サイズを変えることなく、且つ位相雑音特性を劣化せずに出力電力が増大する高周波発振器を提供する。
【解決手段】高周波発振器は、能動素子(5)の出力側の信号線路に基本波反射スタブ(9)を取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、上記基本波反射スタブ(9)と出力端子(4)の間に介設され、高調波出力端子側負荷インピーダンスを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路(3)を備える。
【選択図】図1
【解決手段】高周波発振器は、能動素子(5)の出力側の信号線路に基本波反射スタブ(9)を取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、上記基本波反射スタブ(9)と出力端子(4)の間に介設され、高調波出力端子側負荷インピーダンスを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路(3)を備える。
【選択図】図1
Description
この発明は、高周波発振器に関し、特にマイクロ波またはミリ波領域で動作する高周波発振器に関するものである。
携帯電話に代表される移動体通信や車載レーダーに代表される民生用レーダーの普及にともなって、発振器の小型化および高性能化の要求が高まっている。
トランジスタを用いた基本波発振器は、回路内部の雑音を増幅するトランジスタ、トランジスタのバイアス回路、電気信号の帰還を起こすエミッタ線路、特定の周波数の雑音だけが増幅されるようにするための共振回路および出力端子から構成される。回路内部の雑音信号はトランジスタに入力されて増幅された後、トランジスタのエミッタからの帰還または回路の出力端子でのインピーダンスミスマッチによる反射によって共振回路に戻り、再びトランジスタに入力されて増幅される。こうして増幅を繰り返した雑音信号が回路外部へ発振される。
トランジスタを用いた基本波発振器は、回路内部の雑音を増幅するトランジスタ、トランジスタのバイアス回路、電気信号の帰還を起こすエミッタ線路、特定の周波数の雑音だけが増幅されるようにするための共振回路および出力端子から構成される。回路内部の雑音信号はトランジスタに入力されて増幅された後、トランジスタのエミッタからの帰還または回路の出力端子でのインピーダンスミスマッチによる反射によって共振回路に戻り、再びトランジスタに入力されて増幅される。こうして増幅を繰り返した雑音信号が回路外部へ発振される。
基本波発振器において、所望の周波数の電気信号を良好な特性で発生させるためには、トランジスタが所望の周波数で充分な利得を有することが必要である。しかし、周波数が高くなるほど一般的にトランジスタの利得は減少する。そこで高調波取り出し型発振器が一般的に使用される。高調波取り出し型発振器では、周波数が所望の周波数の整数分の1である電気信号を発振させて高調波信号を出力端子から取り出す。この高調波取り出し型発振器では、基本波発振器と比較してトランジスタに対する高周波特性の要求が厳しくないため特性の良い発振器となる。
高調波取り出しの1つの方式としては基本波反射スタブを用いる方式がある。回路内部で発振する基本波の波長の4分の1に相当する先端開放スタブをトランジスタより出力側に取り付ける。トランジスタからスタブに向かう基本波は、このスタブにより再びトランジスタ・共振回路へと反射される。一方、このスタブは2倍波に対して開放として機能するため、2倍波は出力端子へと向かい外部へ取り出される(例えば、非特許文献1参照)。
高調波取り出しの他の方式としてpush−push型を用いる方式がある。発振器を2つ用意して、互いに逆位相で発振させて出力側で電気信号を合成する。このとき、基本波は逆位相で合成し、2倍波は同位相で合成する。これにより、基本波は打ち消し合い外部へ出力せず、2倍波だけが外部へ取り出される(例えば、非特許文献2参照)。
発振器の出力電力および位相雑音を調整するうえで、共振回路の調整が行われる。例えば、信号のスペクトルがよりデルタ関数的な位相雑音特性の良い発振器を作製する場合には、信号線路と疎結合した誘電体や結合線路を使用した共振回路が用いられる。これにより信号の損失が増加し出力電力は減少するが、位相の変動による発振周波数の変化が抑制され位相雑音特性が向上する。出力電力の大きい発振器を作製する場合には、単純な信号線路を使用した共振回路が用いられる。これにより発振周波数が変動し易く位相雑音特性は劣化するが、共振回路での信号の損失が抑制され出力電力が増大する。
Hamano.S、他2名、「A Low PhaseNoise 19GHz−band VCO using Two Different Frequency Resonators」、IEEE MTT−S Int.Microwave Symp. Digest、2003年、6月、p.2189−2191
Baeyens.Y、他1名、「A monolithic integrated 150 GHz SiGe HBT Push−Push VCO with simultaneous differential V−bandoutput」、IEEE MTT−S Int.Microwave Symp. Digest、2003年、6月、p.877−880
ところで、発振器において回路全体の物理的サイズがある程度決められている場合、位相雑音特性と出力電力はトレードオフの関係にあり、一方の特性を向上させると他方の特性が劣化する。低損失且つ物理的サイズの大きい共振回路を用いることにより両方の特性を同時に改善することができるが、具材コストがアップし、製造時間が長くなり、発振器全体の物理的サイズが大型化し、さらに発振周波数を所望の周波数に調整することが困難になるという問題がある。そのため、現行の移動体通信や車載用レーダーでは、主に位相雑音特性に主眼を置いた電気設計がなされた物理的サイズが小さい発振器を使用し、増幅器で出力電力を補うという手法が用いられている。
しかし、増幅器の追加によりコストがアップし、製造時間が長くなり、システム全体の物理的サイズが大型化しおよび消費電力が増加するという問題がある。
しかし、増幅器の追加によりコストがアップし、製造時間が長くなり、システム全体の物理的サイズが大型化しおよび消費電力が増加するという問題がある。
この発明の目的は、高周波発振器全体の物理的サイズを変えることなく、且つ位相雑音特性を劣化せずに出力電力が増大する高周波発振器を提供することである。
この発明に係わる高周波発振器は、能動素子の出力側の信号線路に基本波反射スタブを取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、上記基本波反射スタブと出力端子の間に介設され、高調波出力端子側負荷インピーダンスを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備える。
この発明に係わる高周波発振器の効果は、高調波出力端子側負荷インピーダンスをロードプル発振シミュレーションまたはソースプル発振シミュレーションにより算出された最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を内蔵することにより、位相雑音特性を劣化することなく取り出される高調波の出力電力を増大することができることである。
この発明に係わる高周波発振器を説明するときの語彙を説明する。回路内部における能動素子の入力端から共振回路側を見た共振回路側負荷インピーダンスをZsource、能動素子の出力端から出力端子側を見た出力端子側負荷インピーダンスをZload、能動素子の入力インピーダンスをΓin、能動素子の出力インピーダンスをΓoutと称す。
また、基本波に対するインピーダンスであれば、基本波共振回路側負荷インピーダンスZsource(f)、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)、2倍波に対するインピーダンスであれば、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)と称する。
また、基本波に対するインピーダンスであれば、基本波共振回路側負荷インピーダンスZsource(f)、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)、2倍波に対するインピーダンスであれば、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)と称する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態1に係わる高周波発振器1は、高調波取り出し型発振器としての2倍波取り出し型発振器2、2倍波出力端子側インピーダンスZload(2f)を調整する高調波インピーダンス変換回路3、信号の出力端子4を備える。
この2倍波取り出し型発振器2は、回路内部の雑音を増幅する能動素子としてのトランジスタ5、トランジスタ5へのバイアスVbおよびVcのバイアス供給部6、電気信号の帰還を起こすエミッタ線路7、特定の周波数の雑音だけが増幅されるようにするための共振回路8、基本波を反射する基本波反射スタブ9から構成される。
図1は、この発明の実施の形態1に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態1に係わる高周波発振器1は、高調波取り出し型発振器としての2倍波取り出し型発振器2、2倍波出力端子側インピーダンスZload(2f)を調整する高調波インピーダンス変換回路3、信号の出力端子4を備える。
この2倍波取り出し型発振器2は、回路内部の雑音を増幅する能動素子としてのトランジスタ5、トランジスタ5へのバイアスVbおよびVcのバイアス供給部6、電気信号の帰還を起こすエミッタ線路7、特定の周波数の雑音だけが増幅されるようにするための共振回路8、基本波を反射する基本波反射スタブ9から構成される。
この2倍波取り出し型発振器2において、回路内部の雑音信号はトランジスタ5に入力されて増幅された後、トランジスタ5のエミッタ線路7からの帰還または基本波反射スタブ9からの反射によって共振回路8に戻り、再びトランジスタ5に入力されて増幅される。こうして増幅を繰り返した2倍波の信号が2倍波取り出し型発振器2の外部へ発振される。
2倍波取り出し型発振器2において基本波反射スタブ9よりも出力側に基本波は進行しない。そのため、基本波反射スタブ9よりも出力側に任意の回路を付加しても、トランジスタ5から見た基本波に対する出力端子側負荷インピーダンスZload(f)は変動しない。そこで、基本波反射スタブ9よりも出力側に高調波インピーダンス変換回路3を付加することで、2倍波の出力電力が最大になる最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)に調整することができる。
図2は、この発明の実施の形態1に係わる高調波インピーダンス変換回路の例である。図2(a)に示す高調波インピーダンス変換回路は先端開放スタブ11、図2(b)に示す高調波インピーダンス変換回路は先端短絡スタブ12、図2(c)に示す高調波インピーダンス変換回路はキャパシタ13およびインダクター14で構成されたLC回路15、図2(d)に示す高調波インピーダンス変換回路は信号が進む方向に従って線路幅が拡がる線路16である。
なお、実施の形態1に係わる高調波インピーダンス変換回路3は、2倍波の出力電力が最大となる2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)に変換できる回路であれば、自由に回路の構成を選択しても良い。また、図2に示す高調波インピーダンス変換回路3の例を複数使用しても良いし、異なる高調波インピーダンス変換回路3を組み合わせて使用しても良い。
実施の形態1に係わる高調波インピーダンス変換回路3は、ロードプル発振シミュレーションまたはソースプル発振シミュレーションを実施して算出した2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)の最適値になるように回路定数が調整される。
2倍波の出力電力が最大になる最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)は、トランジスタが発振状態にある時の出力インピーダンスΓoutの複素共役インピーダンスである。この出力インピーダンスΓoutは、単一周波数の信号を入力して測定した出力インピーダンスではなく、基本波が発振状態にあるときの2倍波に対する出力インピーダンスΓoutである。発振した基本波がトランジスタ5内部に存在する場合では、2倍波の出力インピーダンスΓoutは小信号の出力インピーダンスΓoutとは異なっている。従って、発振状態を解析するロードプル発振シミュレーションまたはソースプル発振シミュレーションを実施して2倍波負荷インピーダンスZload(2f)の最適値を算出することが有効である。
2倍波の出力電力が最大になる最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)は、トランジスタが発振状態にある時の出力インピーダンスΓoutの複素共役インピーダンスである。この出力インピーダンスΓoutは、単一周波数の信号を入力して測定した出力インピーダンスではなく、基本波が発振状態にあるときの2倍波に対する出力インピーダンスΓoutである。発振した基本波がトランジスタ5内部に存在する場合では、2倍波の出力インピーダンスΓoutは小信号の出力インピーダンスΓoutとは異なっている。従って、発振状態を解析するロードプル発振シミュレーションまたはソースプル発振シミュレーションを実施して2倍波負荷インピーダンスZload(2f)の最適値を算出することが有効である。
図3は、電圧制御で2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整する高調波インピーダンス変換回路の一例である。
図3に示す高調波インピーダンス変換回路21は、可変容量キャパシタ22、電圧端子23、DCブロック用キャパシタ24を有する。この高調波インピーダンス変換回路21では、電圧端子23から印加した電圧によって可変容量キャパシタ22の容量を変化させることにより、高調波インピーダンス変換回路21のインピーダンスを変化させて2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を最適値に調整することができる。
図3に示す高調波インピーダンス変換回路21は、可変容量キャパシタ22、電圧端子23、DCブロック用キャパシタ24を有する。この高調波インピーダンス変換回路21では、電圧端子23から印加した電圧によって可変容量キャパシタ22の容量を変化させることにより、高調波インピーダンス変換回路21のインピーダンスを変化させて2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を最適値に調整することができる。
実際の高周波発振器1の作製においては、トランジスタモデルと実際のトランジスタ5の誤差、ハーモニック・バランス・シミュレーションの計算誤差、高調波インピーダンス変換回路3の電磁界解析シミュレーションの誤差などの要因により、完全に最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)に合わせた高周波発振器1を作製することは困難である。また、2倍波取り出し型発振器2が発振周波数可変の電圧制御発振器である場合、発振周波数が可変されると最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)も変化する。
そこで、高調波インピーダンス変換回路3を外部からインピーダンス制御することのできる回路とすることにより、設計誤差または発振周波数の変化を考慮して最適な2倍波出力端子側負荷インピーダンスZout(2f)に補正することができる。
次に、高周波発振器1に高調波インピーダンス変換回路3を付加したことの技術的意義について説明する。
一般的に増幅器においては入力側負荷インピーダンスと能動素子の入力インピーダンス、および出力側負荷インピーダンスと能動素子の出力インピーダンスとを複素共役にする整合回路を付加して複素共役整合することで高出力化、高利得化を実現することは行われている。
また、増幅器においては高調波周波数に対する入力側負荷インピーダンスを短絡し、出力側負荷インピーダンスを逆F級またはF級にすることにより更なる高出力化、高利得化を実現することが一般的に行われている。
また、逓倍器においては入力する基本波に対する入力側負荷インピーダンスを複素共役に、出力側負荷インピーダンスを短絡にし、高調波に対する入力側負荷インピーダンスを短絡に、出力側負荷インピーダンスを複素共役にすることで一般的に高調波出力電力を高めることができる。
一般的に増幅器においては入力側負荷インピーダンスと能動素子の入力インピーダンス、および出力側負荷インピーダンスと能動素子の出力インピーダンスとを複素共役にする整合回路を付加して複素共役整合することで高出力化、高利得化を実現することは行われている。
また、増幅器においては高調波周波数に対する入力側負荷インピーダンスを短絡し、出力側負荷インピーダンスを逆F級またはF級にすることにより更なる高出力化、高利得化を実現することが一般的に行われている。
また、逓倍器においては入力する基本波に対する入力側負荷インピーダンスを複素共役に、出力側負荷インピーダンスを短絡にし、高調波に対する入力側負荷インピーダンスを短絡に、出力側負荷インピーダンスを複素共役にすることで一般的に高調波出力電力を高めることができる。
このように高調波インピーダンスの調整または整合は、他の回路では一般的な手法であり、高調波取り出し型発振器においても、高調波出力電力を増大するのに高調波インピーダンスの整合回路を付加すれば良いことは容易に思い浮かぶことである。
一方、基本波発振器の場合には、特開2000−114870号公報に記載されているように、高調波が基本波の特性を劣化させる不要な信号であるため、高調波を除去することを目的とした回路が考案されている。
一方、基本波発振器の場合には、特開2000−114870号公報に記載されているように、高調波が基本波の特性を劣化させる不要な信号であるため、高調波を除去することを目的とした回路が考案されている。
しかし、これまでは高調波取り出し型発振器の高調波出力電力を増大するときに、高調波インピーダンスの整合は重視されてこなかった。その理由の一つ目としては、発振器の特性は概ね基本波の負荷インピーダンスによって決めるため、所望の発振周波数と所望の位相雑音特性が得られるよう基本波の負荷インピーダンスの調整に主眼が置かれてきたことである。
また、理由の2つ目としては、発振器が完成した後で、トランジスタの入力側に高調波整合回路を取り付けることが困難であった。なぜならば、発振器には入力端子が存在しないため、高調波入力端子側負荷インピーダンスを調整するために発振器の内部構成を変える必要があることである。
また、理由の2つ目としては、発振器が完成した後で、トランジスタの入力側に高調波整合回路を取り付けることが困難であった。なぜならば、発振器には入力端子が存在しないため、高調波入力端子側負荷インピーダンスを調整するために発振器の内部構成を変える必要があることである。
また、理由の3つ目としては、高調波出力端子側負荷インピーダンスに関しても後から複素共役整合をとることが困難である。なぜならば、発振器に直流バイアスを印加した時点で、高調波信号が発生するため、直流バイアスが印加された状態でトランジスタの出力インピーダンスを測定することが困難であることである。
また、理由の4つ目としては、非発振状態にあるトランジスタの小信号Sパラメータまたは大信号Sパラメータを測定しても発振状態にあるトランジスタのSパラメータとは異なったものとなり、発振状態にあるトランジスタの整合点を見出さない。なぜならば、高調波取り出し型発振器における発振状態にあるトランジスタ内では、大信号状態にある基本波信号と高調波信号が混在しているためである。
また、理由の4つ目としては、非発振状態にあるトランジスタの小信号Sパラメータまたは大信号Sパラメータを測定しても発振状態にあるトランジスタのSパラメータとは異なったものとなり、発振状態にあるトランジスタの整合点を見出さない。なぜならば、高調波取り出し型発振器における発振状態にあるトランジスタ内では、大信号状態にある基本波信号と高調波信号が混在しているためである。
しかし、発明者は、理由の一つ目に関して、ハーモニック・バランス・シミュレーションを実施することにより、高調波負荷インピーダンスを変化させると発振器の高調波出力電力は大幅に変動することが分かった。そこで、理由の2つ目と3つ目に関して、増幅器や逓倍器で用いられる高調波インピーダンス変換回路を発振器の設計段階で発振器内部に取り付けることで、高出力電力の高調波信号を発生する発振器を作製できることが分かった。そして、理由の4つ目に関して、あらゆる値の高調波負荷インピーダンスにおける発振状態をシミュレーションするロードプル発振シミュレーションおよびソースプル発振シミュレーションを実施し、シミュレーションの結果から高調波出力電力が最大となる高調波負荷インピーダンスを算出し、高調波インピーダンス変換回路のインピーダンスが決定されることが分かった。
高調波出力電力の増大させるときに、位相雑音特性を劣化させないことである。これは発振器の発振周波数および位相雑音特性は概ね基本波負荷インピーダンスで決定されるためである。したがって、所望の位相雑音特性にする基本波負荷インピーダンスに維持したまま、高調波負荷インピーダンスを調整することで位相雑音特性を劣化させずに出力電力を増大することができる。
すなわち、この発明に係わる高周波発振器1は、2倍波出力端子側負荷インピーダンスおよび2倍波共振回路側負荷インピーダンスをロードプル発振シミュレーションおよびソースプル発振シミュレーションにより算出された最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路3を内蔵することにより、位相雑音特性を劣化することなく取り出される高調波の出力電力を増大することができる。
実施の形態2.
図4は、この発明の実施の形態2に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態2に係わる高周波発振器1Bは、実施の形態1に係わる高周波発振器1の2倍波取り出し型発振器2の代わりにpush−push型発振器31が備えられたことが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態2に係わるpush−push型発振器31は、2つの発振器32a、32bを有し、この発振器32a、32bの出力が接続点(図4に点Aとして図示してある)で接続される。この発振器32a、32bの出力は、基本波に関しては互いに逆位相であり、2倍波に関しては同位相である。
このような発振器32a、32bの出力が合成されると、基本波は打ち消し合い外部へ出力せず、2倍波だけが外部へ取り出される。
図4は、この発明の実施の形態2に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態2に係わる高周波発振器1Bは、実施の形態1に係わる高周波発振器1の2倍波取り出し型発振器2の代わりにpush−push型発振器31が備えられたことが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態2に係わるpush−push型発振器31は、2つの発振器32a、32bを有し、この発振器32a、32bの出力が接続点(図4に点Aとして図示してある)で接続される。この発振器32a、32bの出力は、基本波に関しては互いに逆位相であり、2倍波に関しては同位相である。
このような発振器32a、32bの出力が合成されると、基本波は打ち消し合い外部へ出力せず、2倍波だけが外部へ取り出される。
そこで、点Aと出力端子4の間に実施の形態1に係わる高調波インピーダンス変換回路3を介設することにより、2倍波の出力電力が増大する最適値に2倍波出力端子側負荷インピーダンスを変換することができる。
実施の形態3.
図5は、この発明の実施の形態3に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態3に係わる高周波発振器1Cは、実施の形態1に係わる高周波発振器1と2倍波取り出し型発振器2Cが異なり、それにともなって高調波インピーダンス変換回路3を削除しており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態3に係わる2倍波取り出し型発振器2Cは、実施の形態1に係わる2倍波取り出し型発振器2に基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えずに2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整する回路である。
図6は、この発明の実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35の例の回路図である。
図6(a)に示す基本波開放高調波インピーダンス変換回路は、基本波の波長の4分の1と基本波の半波長の整数倍との和を線路長とした基本波に対して開放した先端短絡スタブ36である。図6(b)に示す基本波開放高調波インピーダンス変換回路は、キャパシタンスとインダクタンスとを調整して基本波に対して開放したキャパシタ13およびインダクター14で構成されるLC回路15である。このように基本波に対して開放として機能する基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を信号線路に並列に接続することにより、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えることなく2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整することができる。
このように基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続することができる。
図5は、この発明の実施の形態3に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態3に係わる高周波発振器1Cは、実施の形態1に係わる高周波発振器1と2倍波取り出し型発振器2Cが異なり、それにともなって高調波インピーダンス変換回路3を削除しており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態3に係わる2倍波取り出し型発振器2Cは、実施の形態1に係わる2倍波取り出し型発振器2に基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えずに2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整する回路である。
図6は、この発明の実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35の例の回路図である。
図6(a)に示す基本波開放高調波インピーダンス変換回路は、基本波の波長の4分の1と基本波の半波長の整数倍との和を線路長とした基本波に対して開放した先端短絡スタブ36である。図6(b)に示す基本波開放高調波インピーダンス変換回路は、キャパシタンスとインダクタンスとを調整して基本波に対して開放したキャパシタ13およびインダクター14で構成されるLC回路15である。このように基本波に対して開放として機能する基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を信号線路に並列に接続することにより、基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えることなく2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整することができる。
このように基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続することができる。
実施の形態1に係わる高調波インピーダンス変換回路3は、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続すると、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整することができるが、同時に基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)も変化させてしまうので、基本波反射スタブ9より出力端子4側にだけ接続できる。
一方、実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、基本波に対して開放として機能するので、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続することができ、設計の自由度が大きくなる。
一方、実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、基本波に対して開放として機能するので、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続することができ、設計の自由度が大きくなる。
実施の形態4.
図7は、この発明の実施の形態4に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態4に係わる高周波発振器1Dは、実施の形態2に係わる高周波発振器1Bと発振器32Da、32Dbが異なり、それに関連して高調波インピーダンス変換回路3を削除しており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態4に係わる発振器32Da、32Dbは、実施の形態2に係わる発振器32a、32bに基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を追加したことが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態4に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35と同様であり、トランジスタ5より出力端子4側の線路に並列に接続しても基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えることなく2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整することができる。
図7は、この発明の実施の形態4に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態4に係わる高周波発振器1Dは、実施の形態2に係わる高周波発振器1Bと発振器32Da、32Dbが異なり、それに関連して高調波インピーダンス変換回路3を削除しており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態4に係わる発振器32Da、32Dbは、実施の形態2に係わる発振器32a、32bに基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を追加したことが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態4に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35は、実施の形態3に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35と同様であり、トランジスタ5より出力端子4側の線路に並列に接続しても基本波出力端子側負荷インピーダンスZload(f)に影響を与えることなく2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を調整することができる。
このように高調波の取り出しがpush−push型の場合でも、基本波出力端子側負荷インピーダンスに影響を与えずに高調波出力端子側負荷インピーダンスを調整できる基本波開放高調波インピーダンス変換回路35を適用すれば、トランジスタ5より出力端子4側の任意の箇所に接続することができ、設計の自由度が大きくなる。
実施の形態5.
図8は、この発明の実施の形態5に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態5に係わる高周波発振器1Eは、実施の形態3に係わる高周波発振器1Cと2倍波取り出し型発振器2Eが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態5に係わる2倍波取り出し型発振器2Eは、実施の形態3に係わる2倍波取り出し型発振器2Cに基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
図8は、この発明の実施の形態5に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態5に係わる高周波発振器1Eは、実施の形態3に係わる高周波発振器1Cと2倍波取り出し型発振器2Eが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態5に係わる2倍波取り出し型発振器2Eは、実施の形態3に係わる2倍波取り出し型発振器2Cに基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態5に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路37は、トランジスタ5より共振回路8側に介設され、基本波共振回路側負荷インピーダンスZsource(f)に影響を与えることなく2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)を調整することができる。
2倍波出力電力は、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)だけではなく、トランジスタ5から見た2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)の影響も受ける。2倍波出力電力が最大となる最適な2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)は、増幅器や逓倍器と同様にショート近辺のインピーダンスである。
2倍波出力電力は、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)だけではなく、トランジスタ5から見た2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)の影響も受ける。2倍波出力電力が最大となる最適な2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)は、増幅器や逓倍器と同様にショート近辺のインピーダンスである。
次に、実施の形態5に係わる高周波発振器1Eの特性をシミュレーションした結果について説明する。
最初に比較のために図9に示す高周波発振器40の特性をシミュレーションした。この高周波発振器40は、基本波反射スタブ9を用いて出力電力に主眼を置いて最も単純な構成で設計した高調波取り出し型発振器41を備える。そして、図10にはこの高周波発振器40の発振周波数、出力電力、位相雑音および2倍波負荷インピーダンスのシミュレーションの結果を示す。なお、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)を白丸、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を黒丸で表している。
そして、シミュレーションの結果から高周波発振器40における2倍波周波数は、39.04GHz、2倍波出力電力は3.514dBm、2倍波周波数から1MHz離調での位相雑音は−112.4dBc/Hzである。
最初に比較のために図9に示す高周波発振器40の特性をシミュレーションした。この高周波発振器40は、基本波反射スタブ9を用いて出力電力に主眼を置いて最も単純な構成で設計した高調波取り出し型発振器41を備える。そして、図10にはこの高周波発振器40の発振周波数、出力電力、位相雑音および2倍波負荷インピーダンスのシミュレーションの結果を示す。なお、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)を白丸、2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)を黒丸で表している。
そして、シミュレーションの結果から高周波発振器40における2倍波周波数は、39.04GHz、2倍波出力電力は3.514dBm、2倍波周波数から1MHz離調での位相雑音は−112.4dBc/Hzである。
次に、実施の形態5に係わる高周波発振器1Eの特性をシミュレーションした。図11は、実施の形態5に係わる高周波発振器1Eの発振周波数、出力電力、位相雑音および2倍波負荷インピーダンスのシミュレーションの結果を示す。なお、この基本波開放高調波インピーダンス変換回路37には先端短絡スタブを使用し、バイアスブロックのためのキャパシタを付加した。
ロードプル発振シミュレーションおよびソースプル発振シミュレーションにより2倍波出力電力が最大となる2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)および2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)の最適値を算出し、先端短絡スタブおよび取り付け位置の調整により、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)および2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)が最適値になるように調整した。
シミュレーションした結果から実施の形態5に係わる高周波発振器1Eにおける2倍波周波数は、39.01GHz、2倍波出力電力は8.412dBm、2倍波周波数から1MHz離調での位相雑音は−113.6dBc/Hzとなった。
ロードプル発振シミュレーションおよびソースプル発振シミュレーションにより2倍波出力電力が最大となる2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)および2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)の最適値を算出し、先端短絡スタブおよび取り付け位置の調整により、2倍波共振回路側負荷インピーダンスZsource(2f)および2倍波出力端子側負荷インピーダンスZload(2f)が最適値になるように調整した。
シミュレーションした結果から実施の形態5に係わる高周波発振器1Eにおける2倍波周波数は、39.01GHz、2倍波出力電力は8.412dBm、2倍波周波数から1MHz離調での位相雑音は−113.6dBc/Hzとなった。
このような実施の形態5に係わる高周波発振器1Eは、2倍波取り出し型発振器2Eのトランジスタ5から共振回路8側に基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を介設し2倍波の出力電力が増大する最適な2倍波共振回路側負荷インピーダンスに調整できるので、更に位相雑音特性を劣化せずに2倍波の出力電力を増大することができる。
実施の形態6.
図12は、この発明の実施の形態6に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態6に係わる高周波発振器1Fは、実施の形態4に係わる高周波発振器1Dと2つの発振器32Fa、32Fbが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態6に係わる2つの発振器32Fa、32Fbは、実施の形態4に係わる2つの発振器32Da、32Dbにそれぞれ基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態6に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路37は、実施の形態5に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路37と同様である。
図12は、この発明の実施の形態6に係わる高周波発振器の構成を示すブロック図である。
この発明の実施の形態6に係わる高周波発振器1Fは、実施の形態4に係わる高周波発振器1Dと2つの発振器32Fa、32Fbが異なり、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態6に係わる2つの発振器32Fa、32Fbは、実施の形態4に係わる2つの発振器32Da、32Dbにそれぞれ基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を追加したことが異なっており、それ以外は同様であるので、同様な部分に同じ符号を付記し説明は省略する。
この発明の実施の形態6に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路37は、実施の形態5に係わる基本波開放高調波インピーダンス変換回路37と同様である。
このような実施の形態6に係わる高周波発振器1Fは、2つの発振器32Fa、32Fbのトランジスタ5から共振回路8側に基本波開放高調波インピーダンス変換回路37を介設し2倍波の出力電力が増大する最適な2倍波共振回路側負荷インピーダンスに調整できるので、更に位相雑音特性を劣化せずに2倍波の出力電力を増大することができる。
1 高周波発振器、2 2倍波取り出し型発振器、3 高調波インピーダンス変換回路、4 出力端子、5 トランジスタ、6 バイアス供給部、7 エミッタ線路、8 共振回路、9 基本波反射スタブ、11 先端開放スタブ、12 先端短絡スタブ、13 キャパシタ、14 インダクター、15 LC回路、16 線路、21 高調波インピーダンス変換回路、22 可変容量キャパシタ、23 電圧端子、24 ブロック用キャパシタ、31 push−push型発振器、32a、32b 発振器、35 基本波開放高調波インピーダンス変換回路、36 先端短絡スタブ、37 基本波開放高調波インピーダンス変換回路、40 高周波発振器、41 高調波取り出し型発振器。
Claims (6)
- 能動素子の出力側の信号線路に基本波反射スタブを取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、
上記基本波反射スタブと出力端子の間に介設され、高調波出力端子側負荷インピーダンスを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。 - 同じ周波数の基本波が互いに逆位相で出力する2つの発振器の出力側信号線路が接続されたpush−push型の高周波発振器において、
上記2つの発振器の出力が接続された箇所と出力端子の間に介設され、高調波出力端子側負荷インピーダンスを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。 - 能動素子の出力側の信号線路に基本波反射スタブを取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、
上記能動素子の出力側の信号線路に付加され、基本波出力端子側負荷インピーダンスに影響を与えずに高調波出力端子側負荷インピーダンスだけを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。 - 同じ周波数の基本波が互いに逆位相で出力する2つの発振器の出力側信号線路が接続されたpush−push型の高周波発振器において、
上記発振器の能動素子の出力側の信号線路に付加され、基本波出力端子側負荷インピーダンスに影響を与えずに高調波出力端子側負荷インピーダンスだけを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。 - 能動素子の出力側の信号線路に基本波反射スタブを取り付けた高調波取り出し型の高周波発振器において、
上記能動素子の入力側の信号線路に付加され、基本波共振回路側負荷インピーダンスに影響を与えずに高調波共振回路側負荷インピーダンスだけを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。 - 同じ周波数の基本波が互いに逆位相で出力する2つの発振器の出力側信号線路が接続されたpush−push型の高周波発振器において、
上記発振器の能動素子の入力側の信号線路に付加され、基本波共振回路側負荷インピーダンスに影響を与えずに高調波共振回路側負荷インピーダンスだけを高調波出力電力が最大になる予め求められた最適値に変換する高調波インピーダンス変換回路を備えることを特徴とする高周波発振器。
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