JP2002261544A - マイクロ波電圧制御発振器 - Google Patents
マイクロ波電圧制御発振器Info
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- JP2002261544A JP2002261544A JP2001052949A JP2001052949A JP2002261544A JP 2002261544 A JP2002261544 A JP 2002261544A JP 2001052949 A JP2001052949 A JP 2001052949A JP 2001052949 A JP2001052949 A JP 2001052949A JP 2002261544 A JP2002261544 A JP 2002261544A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 発振周波数の２倍波の周波数の出力効率を高
めようとすると、発振器としての同調帯域が同調回路部
１の同調帯域よりも狭くなる課題があった。 【解決手段】 マイクロ波電圧制御発振器を同調回路部
１と能動素子回路部２で構成し、同調回路部１の共振回
路４を構成するバラクタダイオード５の接合容量を制御
する制御電圧の入力端子を設けると共に、能動素子回路
部２の共振回路２１を構成するパラクタダイオード２２
の接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けた。
めようとすると、発振器としての同調帯域が同調回路部
１の同調帯域よりも狭くなる課題があった。 【解決手段】 マイクロ波電圧制御発振器を同調回路部
１と能動素子回路部２で構成し、同調回路部１の共振回
路４を構成するバラクタダイオード５の接合容量を制御
する制御電圧の入力端子を設けると共に、能動素子回路
部２の共振回路２１を構成するパラクタダイオード２２
の接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、広帯域な発振周
波数の２倍の周波数を取り出すことが可能なマイクロ波
電圧制御発振器に関するものである。
波数の２倍の周波数を取り出すことが可能なマイクロ波
電圧制御発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば「１９９４年 信学秋季全
国大会Ｃ−４３」に示された従来のマイクロ波電圧制御
発振器を示す構成図であり、図において、１は共振周波
数の調整が可能な同調回路部、２は発振周波数の基本波
を同調回路部１に全反射させる一方、その発振周波数の
２倍の周波数を取り出す能動素子回路部である。
国大会Ｃ−４３」に示された従来のマイクロ波電圧制御
発振器を示す構成図であり、図において、１は共振周波
数の調整が可能な同調回路部、２は発振周波数の基本波
を同調回路部１に全反射させる一方、その発振周波数の
２倍の周波数を取り出す能動素子回路部である。
【０００３】３は直列共振回路４を構成するバラクタダ
イオード５の接合容量を制御するための制御電圧を入力
する制御電圧端子、４は共振周波数を調整する直列共振
回路、５はバラクタダイオード、６はインダクタ、７は
直列共振回路４のインピーダンスを反転させるインピー
ダンス変成器、８は所望の発振周波数において１／２波
長の電気長を有する１／２波長先端開放形共振器であ
る。
イオード５の接合容量を制御するための制御電圧を入力
する制御電圧端子、４は共振周波数を調整する直列共振
回路、５はバラクタダイオード、６はインダクタ、７は
直列共振回路４のインピーダンスを反転させるインピー
ダンス変成器、８は所望の発振周波数において１／２波
長の電気長を有する１／２波長先端開放形共振器であ
る。
【０００４】９は同調回路部１に接続された電界効果ト
ランジスタ（以下、ＦＥＴという）、１０はＦＥＴ９の
ソース端子に接続されたインダクタ、１１はＦＥＴ９の
発振周波数の基本波を同調回路部１に全反射させる１／
４波長先端開放形共振器、１２はＦＥＴ９の発振周波数
の２倍の周波数を取り出す２倍波整合回路、１３は出力
端子である。
ランジスタ（以下、ＦＥＴという）、１０はＦＥＴ９の
ソース端子に接続されたインダクタ、１１はＦＥＴ９の
発振周波数の基本波を同調回路部１に全反射させる１／
４波長先端開放形共振器、１２はＦＥＴ９の発振周波数
の２倍の周波数を取り出す２倍波整合回路、１３は出力
端子である。
【０００５】次に動作について説明する。マイクロ波電
圧制御発振器が発振する条件は、ＦＥＴ９のソース端子
を基準面として、同調回路部１を見たときの反射係数を
Γr、出力端子１３に負荷が接続された能動素子回路部
２を見たときの反射係数をΓaとすると、式（１）、式
（２）で表される。 ｜Γr｜・｜Γa｜＞１ （１） ∠Γr＋∠Γa＝２ｎπ（ｎ：整数） （２）
圧制御発振器が発振する条件は、ＦＥＴ９のソース端子
を基準面として、同調回路部１を見たときの反射係数を
Γr、出力端子１３に負荷が接続された能動素子回路部
２を見たときの反射係数をΓaとすると、式（１）、式
（２）で表される。 ｜Γr｜・｜Γa｜＞１ （１） ∠Γr＋∠Γa＝２ｎπ（ｎ：整数） （２）
【０００６】ここで、同調回路部１の等価回路は図４で
示される。所望の発振周波数において、１／２波長の電
気長を有する１／２波長先端開放形共振器８は、インダ
クタＬr、キャパシタＣr、抵抗Ｒrの並列共振回路とし
て表される。また、バラクタダイオード５とインダクタ
６から構成される直列共振回路４は、インピーダンス変
成器７によりインピーダンスが反転される。そのため、
インピーダンス変成器７の特性インピーダンスＺtを用
いて、インダクタＣj１・Ｚt ２、キャパシタＬs１／Ｚt
２、抵抗Ｒs１・Ｚt ２の並列共振回路として表される。
示される。所望の発振周波数において、１／２波長の電
気長を有する１／２波長先端開放形共振器８は、インダ
クタＬr、キャパシタＣr、抵抗Ｒrの並列共振回路とし
て表される。また、バラクタダイオード５とインダクタ
６から構成される直列共振回路４は、インピーダンス変
成器７によりインピーダンスが反転される。そのため、
インピーダンス変成器７の特性インピーダンスＺtを用
いて、インダクタＣj１・Ｚt ２、キャパシタＬs１／Ｚt
２、抵抗Ｒs１・Ｚt ２の並列共振回路として表される。
【０００７】従って、同調回路部１の共振周波数は、１
／２波長先端開放形共振器８のインダクタＬr、キャパ
シタＣr及び抵抗Ｒrと、直列共振回路４を構成するバラ
クタダイオード５の接合容量Ｃj１及びインダクタ６の
インダクタンスＬs１とによって決定される。また、バ
ラクタダイオード５の容量は、外部から印加される制御
電圧により接合容量が変化するので、図３に示すインダ
クタンスＣj１・Ｚt ２が変化し、同調回路部１の全体の
共振周波数を可変することができる。
／２波長先端開放形共振器８のインダクタＬr、キャパ
シタＣr及び抵抗Ｒrと、直列共振回路４を構成するバラ
クタダイオード５の接合容量Ｃj１及びインダクタ６の
インダクタンスＬs１とによって決定される。また、バ
ラクタダイオード５の容量は、外部から印加される制御
電圧により接合容量が変化するので、図３に示すインダ
クタンスＣj１・Ｚt ２が変化し、同調回路部１の全体の
共振周波数を可変することができる。
【０００８】能動素子回路部２は、ＦＥＴ９のドレイン
端子に接続された発振周波数の１／４波長の電気長を有
する１／４波長先端開放形共振器１１と、ＦＥＴ９のソ
ース端子に接続されたインダクタ１０のインダクタンス
Ｌaとにより、ＦＥＴ９のゲート端子から見た能動素子
回路部２の反射係数Γaが決定される。
端子に接続された発振周波数の１／４波長の電気長を有
する１／４波長先端開放形共振器１１と、ＦＥＴ９のソ
ース端子に接続されたインダクタ１０のインダクタンス
Ｌaとにより、ＦＥＴ９のゲート端子から見た能動素子
回路部２の反射係数Γaが決定される。
【０００９】また、ＦＥＴ９は、非線形動作をしている
ため、発振周波数の高調波が出力される。１／４波長先
端開放形共振器１１は、ＦＥＴ９のドレインから出力さ
れる発振周波数の基本波を全反射させて、ＦＥＴ９で発
生する発振周波数の高調波の出力電力効率を向上させ
る。２倍波整合回路１２は、出力端子１３に接続される
外部回路のインピーダンスと整合をとり、発振周波数の
２倍波を効率よく外部に出力する。
ため、発振周波数の高調波が出力される。１／４波長先
端開放形共振器１１は、ＦＥＴ９のドレインから出力さ
れる発振周波数の基本波を全反射させて、ＦＥＴ９で発
生する発振周波数の高調波の出力電力効率を向上させ
る。２倍波整合回路１２は、出力端子１３に接続される
外部回路のインピーダンスと整合をとり、発振周波数の
２倍波を効率よく外部に出力する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波電圧
制御発振器は以上のように構成されているので、発振周
波数の２倍波の周波数の出力効率を高めようとすると、
発振器としての同調帯域が同調回路部１の同調帯域より
も狭くなる課題があった。
制御発振器は以上のように構成されているので、発振周
波数の２倍波の周波数の出力効率を高めようとすると、
発振器としての同調帯域が同調回路部１の同調帯域より
も狭くなる課題があった。
【００１１】具体的には次の通りである。図５はバラク
タダイオード５の制御電圧を変化させたときの同調回路
部１の反射位相∠Γr、能動素子回路部２の反射位相∠
Γa及び発振器全体としてのループ位相∠Γr+∠Γaを示
す説明図である。式（２）に示すように、ループ位相∠
Γr+∠Γaが０度となる点が発振周波数であり、同調回
路部１のバラクタダイオード５により可変された同調回
路部１の同調帯域を損なうことなく、マイクロ波電圧制
御発振器を発振させるためには、能動素子回路部２の反
射位相の傾きδ∠Γa／δｆが同調回路部２の反射位相
の傾きδ∠Γr／δｆより十分小さくなければならな
い。
タダイオード５の制御電圧を変化させたときの同調回路
部１の反射位相∠Γr、能動素子回路部２の反射位相∠
Γa及び発振器全体としてのループ位相∠Γr+∠Γaを示
す説明図である。式（２）に示すように、ループ位相∠
Γr+∠Γaが０度となる点が発振周波数であり、同調回
路部１のバラクタダイオード５により可変された同調回
路部１の同調帯域を損なうことなく、マイクロ波電圧制
御発振器を発振させるためには、能動素子回路部２の反
射位相の傾きδ∠Γa／δｆが同調回路部２の反射位相
の傾きδ∠Γr／δｆより十分小さくなければならな
い。
【００１２】しかし、上記のマイクロ波電圧制御発振器
においては、発振周波数の２倍波の周波数の出力効率を
上げるために１／４波長先端開放共振器１１で全反射す
るように構成されている。そのため、１／４波長先端開
放共振器１１のＱはできるだけ高くなるように構成する
必要があるので、能動素子回路部２の反射位相の傾きδ
∠Γa／δｆは同調回路部１の反射位相の傾きδ∠Γr／
δｆに近づくか、あるいは、それ以上となる。そのた
め、発振器としての同調帯域は、同調回路部１の同調帯
域よりも狭くなってしまう。
においては、発振周波数の２倍波の周波数の出力効率を
上げるために１／４波長先端開放共振器１１で全反射す
るように構成されている。そのため、１／４波長先端開
放共振器１１のＱはできるだけ高くなるように構成する
必要があるので、能動素子回路部２の反射位相の傾きδ
∠Γa／δｆは同調回路部１の反射位相の傾きδ∠Γr／
δｆに近づくか、あるいは、それ以上となる。そのた
め、発振器としての同調帯域は、同調回路部１の同調帯
域よりも狭くなってしまう。
【００１３】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、発振周波数の２倍波の周波数の出
力効率を下げたり、位相雑音特性の劣化を招くことな
く、同調帯域の広帯域化を図ることができるマイクロ波
電圧制御発振器を得ることを目的とする。
めになされたもので、発振周波数の２倍波の周波数の出
力効率を下げたり、位相雑音特性の劣化を招くことな
く、同調帯域の広帯域化を図ることができるマイクロ波
電圧制御発振器を得ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波電圧制御発振器は、バラクタダイオードを用いて能動
素子回路部の共振回路を構成するようにしたものであ
る。
波電圧制御発振器は、バラクタダイオードを用いて能動
素子回路部の共振回路を構成するようにしたものであ
る。
【００１５】この発明に係るマイクロ波電圧制御発振器
は、同調回路部の共振回路を構成するバラクタダイオー
ドと同一のバラクタダイオードを用いて、能動素子回路
部の共振回路を構成するようにしたものである。
は、同調回路部の共振回路を構成するバラクタダイオー
ドと同一のバラクタダイオードを用いて、能動素子回路
部の共振回路を構成するようにしたものである。
【００１６】この発明に係るマイクロ波電圧制御発振器
は、同調回路部の共振回路を構成するバラクタダイオー
ドの接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けると
ともに、能動素子回路部の共振回路を構成するバラクタ
ダイオードの接合容量を制御する制御電圧の入力端子を
設けるようにしたものである。
は、同調回路部の共振回路を構成するバラクタダイオー
ドの接合容量を制御する制御電圧の入力端子を設けると
ともに、能動素子回路部の共振回路を構成するバラクタ
ダイオードの接合容量を制御する制御電圧の入力端子を
設けるようにしたものである。
【００１７】この発明に係るマイクロ波電圧制御発振器
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、電界効
果トランジスタを使用するようにしたものである。
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、電界効
果トランジスタを使用するようにしたものである。
【００１８】この発明に係るマイクロ波電圧制御発振器
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、バイポ
ーラトランジスタを使用するようにしたものである。
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、バイポ
ーラトランジスタを使用するようにしたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるマ
イクロ波電圧制御発振器を示す構成図であり、図におい
て、１は共振周波数の調整が可能な同調回路部、２は発
振周波数の基本波を同調回路部１に全反射させる一方、
その発振周波数の２倍の周波数を取り出す能動素子回路
部である。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるマ
イクロ波電圧制御発振器を示す構成図であり、図におい
て、１は共振周波数の調整が可能な同調回路部、２は発
振周波数の基本波を同調回路部１に全反射させる一方、
その発振周波数の２倍の周波数を取り出す能動素子回路
部である。
【００２０】３は直列共振回路４を構成するバラクタダ
イオード５の接合容量を制御するための制御電圧を入力
する制御電圧端子、４は共振周波数を調整する直列共振
回路、５はバラクタダイオード、６はインダクタ、７は
直列共振回路４のインピーダンスを反転させるインピー
ダンス変成器、８は所望の発振周波数において１／２波
長の電気長を有する１／２波長先端開放形共振器であ
る。
イオード５の接合容量を制御するための制御電圧を入力
する制御電圧端子、４は共振周波数を調整する直列共振
回路、５はバラクタダイオード、６はインダクタ、７は
直列共振回路４のインピーダンスを反転させるインピー
ダンス変成器、８は所望の発振周波数において１／２波
長の電気長を有する１／２波長先端開放形共振器であ
る。
【００２１】９は同調回路部１に接続された電界効果ト
ランジスタ（以下、ＦＥＴという）、１０はＦＥＴ９の
ソース端子に接続されたインダクタ、１２はＦＥＴ９の
発振周波数の２倍の周波数を取り出す２倍波整合回路、
１３は出力端子、２１はＦＥＴ９の発振周波数の基本波
を同調回路部１に全反射させる直列共振回路、２２はバ
ラクタダイオード、２３はインダクタ、２４は直列共振
回路２１を構成するバラクタダイオード２２の接合容量
を制御するための制御電圧を入力する制御電圧端子であ
る。
ランジスタ（以下、ＦＥＴという）、１０はＦＥＴ９の
ソース端子に接続されたインダクタ、１２はＦＥＴ９の
発振周波数の２倍の周波数を取り出す２倍波整合回路、
１３は出力端子、２１はＦＥＴ９の発振周波数の基本波
を同調回路部１に全反射させる直列共振回路、２２はバ
ラクタダイオード、２３はインダクタ、２４は直列共振
回路２１を構成するバラクタダイオード２２の接合容量
を制御するための制御電圧を入力する制御電圧端子であ
る。
【００２２】次に動作について説明する。同調回路部１
については従来の動作と同様である。能動素子回路部２
は、直列共振回路２１と、ＦＥＴ９のソース端子に接続
されたインダクタ１０とにより、所望の発振周波数の反
射係数Γaが決定される。直列共振回路２１の共振周波
数は、同調回路部１の共振周波数と一致するように、バ
ラクタダイオード２２のキャパシタンスＣj２とインダ
クタ２３のインダクダンスＬs２とが決定される。ま
た、制御電圧端子２４から与えられる制御電圧により、
バラクタダイオード２２の接合容量を変化させ、所望の
発振周波数の基本波を全反射する。
については従来の動作と同様である。能動素子回路部２
は、直列共振回路２１と、ＦＥＴ９のソース端子に接続
されたインダクタ１０とにより、所望の発振周波数の反
射係数Γaが決定される。直列共振回路２１の共振周波
数は、同調回路部１の共振周波数と一致するように、バ
ラクタダイオード２２のキャパシタンスＣj２とインダ
クタ２３のインダクダンスＬs２とが決定される。ま
た、制御電圧端子２４から与えられる制御電圧により、
バラクタダイオード２２の接合容量を変化させ、所望の
発振周波数の基本波を全反射する。
【００２３】ここで、図２は同調回路部１内のバラクタ
ダイオード５及び能動素子回路部２内のバラクタダイオ
ード２２の制御電圧を変化させたときの同調回路部１の
反射位相∠Γr、能動素子回路部２の反射位相∠Γa及び
発振器全体としてのループ位相∠Γr+∠Γaを示す説明
図である。
ダイオード５及び能動素子回路部２内のバラクタダイオ
ード２２の制御電圧を変化させたときの同調回路部１の
反射位相∠Γr、能動素子回路部２の反射位相∠Γa及び
発振器全体としてのループ位相∠Γr+∠Γaを示す説明
図である。
【００２４】上記のように構成されたマイクロ波電圧制
御発振器は、能動素子回路部２内の直列共振回路２１が
所望の発振周波数の基本波を全反射し、かつ、所望の発
振周波数で同調回路部１内の反射移相と同調するように
反射位相∠Γaが変化する。従って、発振器全体の同調
帯域は、発振周波数の２倍波の出力電力を損なうことな
く、同調回路部１の同調帯域と同程度まで広帯域化する
ことができる。また、バラクタダイオード２２は発振器
の位相雑音特性に何ら影響を与えないので、位相雑音特
性の劣化を招かずに発振周波数の広帯域化を図ることが
できる。
御発振器は、能動素子回路部２内の直列共振回路２１が
所望の発振周波数の基本波を全反射し、かつ、所望の発
振周波数で同調回路部１内の反射移相と同調するように
反射位相∠Γaが変化する。従って、発振器全体の同調
帯域は、発振周波数の２倍波の出力電力を損なうことな
く、同調回路部１の同調帯域と同程度まで広帯域化する
ことができる。また、バラクタダイオード２２は発振器
の位相雑音特性に何ら影響を与えないので、位相雑音特
性の劣化を招かずに発振周波数の広帯域化を図ることが
できる。
【００２５】実施の形態２．上記実施の形態１では、特
に言及していないが、同調回路部１内のバラクタダイオ
ード５及びインダクタ６と、能動素子回路部２内のバラ
クタダイオード２２及びインダクタ２３とは、同一のも
のを用いるようにする。これにより、同一の制御電圧を
印加することにより、発振周波数の基本波で共振させる
ことができるため、制御系を簡単に構成できる効果を奏
する。
に言及していないが、同調回路部１内のバラクタダイオ
ード５及びインダクタ６と、能動素子回路部２内のバラ
クタダイオード２２及びインダクタ２３とは、同一のも
のを用いるようにする。これにより、同一の制御電圧を
印加することにより、発振周波数の基本波で共振させる
ことができるため、制御系を簡単に構成できる効果を奏
する。
【００２６】実施の形態３．上記実施の形態２では、同
調回路部１及び能動素子回路部２内において、同一のバ
ラクタダイオードとインダクタを用いるものについて示
したが、素子のバラツキにより共振周波数が異なること
がある。そこで、この実施の形態３では、制御電圧端子
３から与える制御電圧と、制御電圧端子２４から与える
制御電圧とを個別に制御するようにする。これにより、
共振周波数の最適化を図ることができる効果を奏する。
調回路部１及び能動素子回路部２内において、同一のバ
ラクタダイオードとインダクタを用いるものについて示
したが、素子のバラツキにより共振周波数が異なること
がある。そこで、この実施の形態３では、制御電圧端子
３から与える制御電圧と、制御電圧端子２４から与える
制御電圧とを個別に制御するようにする。これにより、
共振周波数の最適化を図ることができる効果を奏する。
【００２７】実施の形態４．上記実施の形態１〜３で
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、ＦＥＴ
９を使用するものについて示したが、バイポーラトラン
ジスタ（以下、ＢＪＴという）を使用するようにしても
よい。この場合、ＦＥＴ９のゲート端子がＢＪＴのエミ
ッタ端子、ＦＥＴ９のドレイン端子がＢＪＴのコレクタ
端子、ＦＥＴ９のソース端子がＢＪＴのベース端子にそ
れぞれ対応する。
は、同調回路部に接続するトランジスタとして、ＦＥＴ
９を使用するものについて示したが、バイポーラトラン
ジスタ（以下、ＢＪＴという）を使用するようにしても
よい。この場合、ＦＥＴ９のゲート端子がＢＪＴのエミ
ッタ端子、ＦＥＴ９のドレイン端子がＢＪＴのコレクタ
端子、ＦＥＴ９のソース端子がＢＪＴのベース端子にそ
れぞれ対応する。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、バラ
クタダイオードを用いて能動素子回路部の共振回路を構
成するようにしたので、発振周波数の２倍波の周波数の
出力効率を下げたり、位相雑音特性の劣化を招くことな
く、同調帯域の広帯域化を図ることができる効果があ
る。
クタダイオードを用いて能動素子回路部の共振回路を構
成するようにしたので、発振周波数の２倍波の周波数の
出力効率を下げたり、位相雑音特性の劣化を招くことな
く、同調帯域の広帯域化を図ることができる効果があ
る。
【００２９】この発明によれば、同調回路部の共振回路
を構成するバラクタダイオードと同一のバラクタダイオ
ードを用いて、能動素子回路部の共振回路を構成するよ
うにしたので、制御系の構成の簡単化を図ることができ
る効果がある。
を構成するバラクタダイオードと同一のバラクタダイオ
ードを用いて、能動素子回路部の共振回路を構成するよ
うにしたので、制御系の構成の簡単化を図ることができ
る効果がある。
【００３０】この発明によれば、同調回路部の共振回路
を構成するバラクタダイオードの接合容量を制御する制
御電圧の入力端子を設けるとともに、能動素子回路部の
共振回路を構成するバラクタダイオードの接合容量を制
御する制御電圧の入力端子を設けるように構成したの
で、共振周波数の最適化を図ることができる効果があ
る。
を構成するバラクタダイオードの接合容量を制御する制
御電圧の入力端子を設けるとともに、能動素子回路部の
共振回路を構成するバラクタダイオードの接合容量を制
御する制御電圧の入力端子を設けるように構成したの
で、共振周波数の最適化を図ることができる効果があ
る。
【００３１】この発明によれば、同調回路部に接続する
トランジスタとして、電界効果トランジスタを使用する
ように構成したので、構成の複雑化を招くことなく、発
振周波数を得ることができる効果がある。
トランジスタとして、電界効果トランジスタを使用する
ように構成したので、構成の複雑化を招くことなく、発
振周波数を得ることができる効果がある。
【００３２】この発明によれば、同調回路部に接続する
トランジスタとして、バイポーラトランジスタを使用す
るように構成したので、構成の複雑化を招くことなく、
発振周波数を得ることができる効果がある。
トランジスタとして、バイポーラトランジスタを使用す
るように構成したので、構成の複雑化を招くことなく、
発振周波数を得ることができる効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１によるマイクロ波電
圧制御発振器を示す構成図である。
圧制御発振器を示す構成図である。
【図２】 同調回路部の反射位相、能動素子回路部の反
射位相及び発振器全体のループ位相を示す説明図であ
る。
射位相及び発振器全体のループ位相を示す説明図であ
る。
【図３】 従来のマイクロ波電圧制御発振器を示す構成
図である。
図である。
【図４】 同調回路部の等価回路を示す等価回路図であ
る。
る。
【図５】 同調回路部の反射位相、能動素子回路部の反
射位相及び発振器全体のループ位相を示す説明図であ
る。
射位相及び発振器全体のループ位相を示す説明図であ
る。
１ 同調回路部、２ 能動素子回路部、３ 制御電圧端
子、４ 直列共振回路、５ バラクタダイオード、６
インダクタ、７ インピーダンス変成器、８１／２波長
先端開放形共振器、９ ＦＥＴ、１０ インダクタ、１
２ ２倍波整合回路、１３ 出力端子、２１ 直列共振
回路、２２ バラクタダイオード、２３ インダクタ、
２４ 制御電圧端子。
子、４ 直列共振回路、５ バラクタダイオード、６
インダクタ、７ インピーダンス変成器、８１／２波長
先端開放形共振器、９ ＦＥＴ、１０ インダクタ、１
２ ２倍波整合回路、１３ 出力端子、２１ 直列共振
回路、２２ バラクタダイオード、２３ インダクタ、
２４ 制御電圧端子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 礒田 陽次 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5J081 AA11 DD03 DD04 DD24 EE06 EE09 EE18 GG04 GG07 GG10 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01 MM03
Claims (5)
- 【請求項１】 共振周波数を調整する共振回路を有する
同調回路部と、上記同調回路部に接続されたトランジス
タの発振周波数の基本波を上記同調回路部に全反射させ
る共振回路を有するとともに、その発振周波数の２倍の
周波数を取り出す２倍波整合回路を有する能動素子回路
部とを備えたマイクロ波電圧制御発振器において、バラ
クタダイオードを用いて上記能動素子回路部の共振回路
を構成することを特徴とするマイクロ波電圧制御発振
器。 - 【請求項２】 同調回路部の共振回路を構成するバラク
タダイオードと同一のバラクタダイオードを用いて、能
動素子回路部の共振回路を構成することを特徴とする請
求項１記載のマイクロ波電圧制御発振器。 - 【請求項３】 同調回路部の共振回路を構成するバラク
タダイオードの接合容量を制御する制御電圧の入力端子
を設けるとともに、能動素子回路部の共振回路を構成す
るバラクタダイオードの接合容量を制御する制御電圧の
入力端子を設けることを特徴とする請求項２記載のマイ
クロ波電圧制御発振器。 - 【請求項４】 同調回路部に接続するトランジスタとし
て、電界効果トランジスタを使用することを特徴とする
請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のマイ
クロ波電圧制御発振器。 - 【請求項５】 同調回路部に接続するトランジスタとし
て、バイポーラトランジスタを使用することを特徴とす
る請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載のマ
イクロ波電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001052949A JP2002261544A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | マイクロ波電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001052949A JP2002261544A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | マイクロ波電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002261544A true JP2002261544A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=18913493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001052949A Pending JP2002261544A (ja) | 2001-02-27 | 2001-02-27 | マイクロ波電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002261544A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| WO2008047763A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Oscillateur, dispositif émetteur/récepteur et synthétiseur de fréquences |
| JP2008153746A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
-
2001
- 2001-02-27 JP JP2001052949A patent/JP2002261544A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JPWO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2008-04-17 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| WO2008047763A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Oscillateur, dispositif émetteur/récepteur et synthétiseur de fréquences |
| US8018290B2 (en) | 2006-10-17 | 2011-09-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Oscillator, transmitter-receiver and frequency synthesizer |
| JP2008153746A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060425 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060601 |
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