JP2001320236A

JP2001320236A - 電圧制御発振器

Info

Publication number: JP2001320236A
Application number: JP2000142250A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Igarashi; 康博五十嵐
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-05-09
Filing date: 2000-05-09
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】発振の周波数バンドを切り替えてもそれぞれ
の周波数バンドで十分な負性抵抗が得られて安定に発振
出来るようにする。【解決手段】帰還コンデンサ３、４が接続された発振
トランジスタ１と、バラクタダイオード６に直列接続さ
れると共にバラクタダイオード６を発振トランジスタ１
のベースとコレクタとの間に粗結合状態で接続するクラ
ップコンデンサ５とを備え、発振トランジスタ１のベー
スとコレクタとの間に可変インダクタンス手段７又は可
変容量手段１０の少なくとも一方を接続し、可変インダ
クタンス手段７のインダクタンス値又は可変容量手段１
０の容量値の少なくとも一方を複数段階に切り換えて発
振周波数バンドを切り替えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、二以上の周波数
バンドで発振するように構成された電圧制御発振器に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電圧制御発振器の構成を図１１に
示す。図１１において、発振トランジスタ２１のコレク
タは高周波的に接地され、ベースとエミッタとの間及び
エミッタとコレクタとの間にそれぞれ帰還コンデンサ２
２、２３が接続される。また、並列共振回路２４はクラ
ップコンデンサ２５を介してベースに接続される。クラ
ップコンデンサ２５は並列共振回路２４をベースに粗結
合するためのものであり、その容量値は比較的小さい。

【０００３】並列共振回路２４は直列接続された二つの
インダクタンス素子２４ａ、２４ｂとバラクタダイオー
ド２４ｃとを有し、バラクタダイオード２４ｃは直流カ
ットコンデンサ２４ｄを介して二つのインダクタンス素
子２４ａ、２４ｂ全体に並列に接続される。また、一方
のインダクタンス素子２４ｂに並列にスイッチ（例えば
スイッチダイオードなど）２４ｅが接続され、インダク
タンス素子２４ｂの両端が短絡されるようになってい
る。以上の構成の等価回路は図１２に示される。

【０００４】そして、スイッチ２４ｅがオンすると並列
共振回路２４の共振周波数が高くなって、高い周波数バ
ンドで発振し、スイッチ２４ｅがオフすると共振周波数
が低くなって低い周波数バンドで発振する。発振信号は
発振トランジスタ２１のエミッタから出力され、その周
波数はバラクタダイオード２４ｃに印加する制御電圧Ｖ
ｔによって変えられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
電圧制御発振器においては、並列共振回路内のインダク
タンス素子のインダクタンス値を切り替えることによっ
て発振させる周波数バンドを切り替えていたが、並列共
振回路がクラップコンデンサによって発振トランジスタ
のベースに粗結合しているので、インダクタンス値を切
り換えてもクラップコンデンサから発振トランジスタ側
をみた負性抵抗の値はほとんど変化することなく、回路
条件によって決まる周波数特性を示していた。

【０００６】従って、発振する周波数バンドが変わった
場合に、その周波数バンドでの負性抵抗値が不足すると
発振動作が不安定になるという問題があった。特に、周
波数差大きい二つ以上の周波数バンドで発振させる場合
は、或る周波数バンドで安定に発振するようにすると他
の周波数バンドでは発振動作が不安定になりやすかっ
た。

【０００７】そこで本発明の電圧制御発振器は、発振の
周波数バンドを切り替えてもそれぞれの周波数バンドで
十分な負性抵抗が得られて安定に発振出来るようにする
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題の解決のため、
帰還コンデンサが接続された発振トランジスタと、バラ
クタダイオードに直列接続されると共に前記バラクタダ
イオードを前記発振トランジスタのベースとコレクタと
の間に粗結合状態で接続するクラップコンデンサとを備
え、前記発振トランジスタのベースとコレクタとの間に
可変インダクタンス手段又は可変容量手段の少なくとも
一方を接続し、前記可変インダクタンス手段のインダク
タンス値又は前記可変容量手段の容量値の少なくとも一
方を複数段階に切り換えて発振周波数バンドを切り替え
た。

【０００９】また、前記インダクタンス値又は前記容量
値のいずれか一方を大又は小の二段階に切り替えた。

【００１０】また、前記可変インダクタンス手段を第一
のインダクタンス素子と、前記第一のインダクタンス素
子に直列に接続された第二のインダクタンス素子と、第
一のスイッチ手段とで構成し、前記二つのインダクタン
ス素子の一方に前記第一のスイッチ手段を並列に接続す
ると共に、前記第一のスイッチ手段を開閉した。

【００１１】また、前記可変容量手段を静電容量素子
と、前記静電容量素子に直列に接続された第二のスイッ
チ手段とで構成し、前記第二のスイッチ手段を開閉し
た。

【００１２】また、前記インダクタンス値又は前記容量
値のいずれか一方を大又は中又は小の三段階に切り替え
た。

【００１３】また、前記可変インダクタンス手段を第一
のインダクタンス素子と第二のインダクタンス素子と第
三のインダクタンス素子と第一の切替手段とで構成し、
前記三つのインダクタンス素子を互いに直列に接続する
と共に、前記第一の切替手段によって前記三つのインダ
クタンス素子のいずれの両端をも短絡しないか、又は一
つのインダクタンス素子の両端又は二つのインダクタン
ス素子の両端を短絡するかに切り換えた。

【００１４】また、前記可変容量手段を第一の可変容量
手段と、前記第一の可変容量手段に並列に接続された第
二の可変容量手段とで構成し、前記第一の可変容量手段
を第一の静電容量素子と前記第一の静電容量素子に直列
に接続された第三のスイッチ手段とで構成すると共に、
前記第二の可変容量手段を第二の静電容量素子と前記第
二の容量素子に直列接続された第四のスイッチ手段とで
構成し、前記第三のスイッチ手段及び前記第四のスイッ
チ手段を開閉した。

【００１５】また、前記可変容量手段を第一の静電容量
素子と、第二の静電容量素子と、第二の切替手段とで構
成し、前記第二の切換手段によって前記発振トランジス
タのベースとコレクタとの間に前記第一及び第二の静電
容量素子のいずれをも接続しないか、又は一方の静電容
量素子又は他方の静電容量素子を接続した。

【００１６】また、前記インダクタンス値及び前記容量
値を大又は小の二段階に切り替えるように構成し、前記
インダクタンス値及び前記容量値を共に小、又は前記イ
ンダクタンス値を小で且つ前記容量値を大若しくは前記
インダクタンス値を大で且つ前記容量値を小、又は前記
インダクタンス値及び前記容量値を共に大とする三段階
に切り替えた。

【００１７】また、前記可変インダクタンス手段を第一
のインダクタンス素子と、前記第一のインダクタンス素
子に直列に接続された第二のインダクタンス素子と、第
一のスイッチ手段とで構成し、前記二つのインダクタン
ス素子のいずれか一方に前記第一のスイッチ手段を並列
に接続すると共にその両端を短絡可能とし、前記可変容
量手段を静電容量素子と、前記静電容量素子に直列に接
続された第二のスイッチ手段とで構成し、前記第一のス
イッチ手段を開で且つ前記第二のスイッチ手段を閉、又
は前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段
を共に開若しくは共に閉、又は前記第一のスイッチ手段
を閉で且つ前記第二のスイッチ手段を開とした。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１乃至図１０に従って本発明の
電圧制御発振器を説明する。図１は第一の実施の形態の
構成を示し、図２はその等価回路を示す。また、図３は
本発明の電圧制御発振器における負性抵抗の特性図を示
す。図１、図２において、発振トランジスタ１のベース
は直流カットコンデンサ２によって高周波的に接地さ
れ、コレクタとエミッタとの間及びエミッタとベースと
の間にそれぞれ帰還コンデンサ３、４が接続される。ま
た、コレクタとベースとの間にはクラップコンデンサ５
を介してリアクタンス回路となるバラクタダイオード６
が粗結合される。クラップコンデンサ５の容量値はバラ
クタダイオード６を粗結合するために比較的小さな値に
選ばれる。

【００１９】また、コレクタとベースとの間には並列共
振回路を構成するための可変インダクタンス手段７と静
電容量素子８とが接続される。可変インダクタンス手段
７は第一のインダクタンス素子７ａとこれに直列に接続
された第二のインダクタンス素子７ｂと第一のインダク
タンス素子７ａに並列に接続された第一のスイッチ手段
７ｃとからなる。第一のスイッチ手段７ｃは例えばスイ
ッチダイオードによって構成される。

【００２０】そして、第一のスイッチ手段７ｃをオン
（閉状態）にすると第一のインダクタンス素子７ａの両
端が短絡され、並列共振回路の共振周波数が高くなっ
て、高い周波数バンドで発振する。第一のスイッチ手段
７ｃをオフ（開状態）にすると、共振周波数が低くなっ
て、低い周波数バンドで発振する。発振信号は発振トラ
ンジスタ１のエミッタから出力され、その周波数はバラ
クタダイオード６に印加する制御電圧Ｖｔによって変え
られる。

【００２１】ここで、クラップコンデンサ５とバラクタ
ダイオード６とによる直列回路の両端から発振トランジ
スタ１側を見た負性抵抗値は可変インダクタンス手段７
のインダクタンス値や静電容量素子８の容量値に依存す
るが、周波数特性を有する。一般には、特定の周波数で
最大の負性抵抗値を示し、その周波数から離間するに従
って小さくなる。そして、負性抵抗値が最大となる周波
数はインダクタンス値が小さくなるほど、また、容量値
が小さくなるほど高い方に移動する。また、最大の負性
抵抗値の値も周波数が高い方に移動すると低くなる。

【００２２】図３はインダクタンス値を変化させた場合
の負性抵抗値の周波数特性を示し、例えば、インダクタ
ンス値が特定のＬ１のときはほぼ０．８ＧＨｚで最大の
負性抵抗値を示したとすると、インダクタンス値がＬ１
よりも小さい特定のＬ２のときにはほぼ１．６ＧＨｚで
最大の負性抵抗値を示す。そして、１．６ＧＨｚに着目
した場合の負性抵抗値はインダクタンス値が小さいほど
大きい。この傾向は、静電容量素子８の容量値を変えた
場合についても同様である。この場合は、図３における
Ｌ１をＣ１に、Ｌ２をＣ２に読み替えて、Ｃ１、Ｃ２を
それぞれ静電容量素子８の容量値と仮定すればよい。こ
の場合、Ｃ１＜Ｃ２である。

【００２３】ところで、負性抵抗値が不足すると、発振
動作が不安定となることから、発振周波数における負性
抵抗値が大きいのが望ましい。そこで、図１では、高い
周波数バンド（例えば１．６ＧＨｚ帯）で発振させる場
合は第一のスイッチ手段７ｃをオンとして可変インダク
タンス手段７のインダクタンス値を小さくして高い周波
数バンドで発振させると共に高い周波数バンドにおける
負性抵抗値を大きくするようにしている。また、低い周
波数バンド（例えば０．８ＧＨｚ帯）で発振させる場合
は第一のスイッチ手段７ｃをオフにしてインダクタンス
値を大きくし、低い周波数バンドで発振させると共に低
い周波数バンドにおける負性抵抗値を大きくするように
している。従って、いずれの周波数バンドにおいても安
定に発振させることが出来る。

【００２４】なお、図４に示すように、可変インダクタ
ンス手段７を第一のインダクタンス素子７ａと第二のイ
ンダクタンス素子７ｂと第三のインダクタンス素子７ｄ
と第一の切替手段７ｅとによって構成し、第一乃至第三
のインダクタンス素子７ａ、７ｂ、７ｄを互いに直列に
接続し、第一の切替手段７ｅによって、例えば第一のイ
ンダクタンス素子７ａの両端を短絡し、又は第一及び第
二のインダクタンス素子７ａ、７ｂの全体の両端を短絡
し、又はいずれのインダクタンス素子の両端をも短絡し
ないようにすれば、周波数が高い発振周波数バンド、中
間の周波数バンド、低い周波数バンドに切り換えること
が可能である。そして、それぞれの周波数バンドでの負
性抵抗値を高めることが可能となる。

【００２５】図５は第二の実施の形態の構成を示し、図
６はその等価回路を示す。図５、図６に示す構成が図
１、図２に示す構成と異なるところは、可変インダクタ
ンス手段７が単にインダクタンス素子９として置換さ
れ、静電容量素子８が可変容量手段１０として置換され
ていることである。そして、可変容量手段１０は、互い
に直列に接続された静電容量素子１０ａと第二のスイッ
チ手段１０ｂから構成される。

【００２６】この場合においても、第二のスイッチ手段
１０ｂをオフにすれば、可変容量手段１０の容量値は小
さく（この場合の容量値は０となる）なって、高い周波
数バンドで発振させるとと共に、高い周波数バンドにお
ける負性抵抗値を大きくできる。同様に、第二のスイッ
チ手段１０ｂをオンにすれば可変容量手段１０の容量値
を大きく（この場合は静電容量素子１０ａの容量値とな
る）して低い周波数バンドで発振させると共に低い周波
数バンドにおける負性抵抗値を大きくできる。従って安
定に発振する。

【００２７】なお、図７に示すように、可変容量手段１
０を第一の可変容量手段１０１とこれに並列に接続され
る第二の可変容量手段１０２とから構成し、第一の可変
容量手段１０１を第一の静電容量素子１０ｃとこれに直
列に接続された第三のスイッチ手段１０ｄとで構成し、
第二の可変容量手段１０２を第二の静電容量素子１０ｅ
とこれに直列に接続された第四のスイッチ手段１０ｆと
で構成し、第三のスイッチ手段１０ｄ及び第四のスイッ
チ手段１０ｆをオン又はオフに切り換えることで三つの
周波数バンドに切り換えてもよい。

【００２８】例えば、高い周波数バンドに切り換えると
きは第三及び第四のスイッチ手段１０ｄ、１０ｆを共に
オフとし、中間の周波数バンドでは第三のスイッチ手段
１０ｄのみをオンとし、低い周波数バンドに切り換える
ときには第三及び第四のスイッチ手段１０ｄ、１０ｆを
共にオンすればよい。

【００２９】さらに、図８に示すように、可変容量手段
１０を第一の静電容量素子１０ｃと第二の静電容量素子
１０ｅと第二の切換手段１０ｇとから構成し、第二の切
換手段１０ｇによって発振トランジスタ１のベースとコ
レクタとの間に第一及び第二の静電容量素子１０ｃ、１
０ｅのいずれをも接続しないか、又は一方の静電容量素
子１０ｃ又は他方の静電容量素子１０ｅを接続するよう
にしてもよい。

【００３０】図９は第三の実施の形態の構成を示し、図
１０はその等価回路図を示す。発振トランジスタ１のコ
レクタとベースとの間には並列共振回路を構成するため
の可変インダクタンス手段７と可変容量手段１０とが接
続される。可変インダクタンス手段７は第一のインダク
タンス素子７ａとこれに直列に接続された第二のインダ
クタンス素子７ｂと第一のインダクタンス素子７ａに並
列に接続された第一のスイッチ手段７ｃとからなる。ま
た、可変容量手段１０は、互いに直列に接続された静電
容量素子１０ａと第二のスイッチ手段１０ｂから構成さ
れる。第一のスイッチ手段７ｃ、第二のスイッチ手段１
０ｂは例えばスイッチダイオードによって構成される。

【００３１】そして、発振周波数が高い周波数バンド
（例えば１．８ＧＨｚ帯）では第一のスイッチ手段７ｃ
をオン、第二のスイッチ手段１０ｂをオフとし、発振周
波数が低い周波数バンド（例えば０．８ＧＨｚ帯）では
第一のスイッチ手段７ｃをオフ、第二のスイッチ手段１
０ｂをオンとする。また、周波数が中間となる周波数バ
ンド（例えば１．６ＧＨｚ帯）では第一のスイッチ手段
７ｃ、第二のスイッチ手段１０ｂを共にオフにするか、
又は共にオンにする。

【００３２】これによって、並列共振回路の共振周波数
が三つの周波数バンドに適合するように切り替えられる
と共に、負性抵抗値も各周波数バンドにおいて大きくな
るように切り替えられる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、バラクタダイオードに直
列接続されてこのバラクタダイオードを発振トランジス
タのベースとコレクタとの間に粗結合状態で接続するク
ラップコンデンサを備え、発振トランジスタのベースと
コレクタとの間に可変インダクタンス手段又は可変容量
手段の少なくとも一方を接続し、可変インダクタンス手
段のインダクタンス値又は可変容量手段の容量値の少な
くとも一方を複数段階に切り換えて発振周波数バンドを
切り替えたので、各周波数バンドにおける負性抵抗値を
大きくすることが可能となり、電圧制御発振器を各周波
数バンドで安定に発振させることができる。

【００３４】また、インダクタンス値又は容量値のいず
れか一方を大又は小の二段階に切り替えたので、発振の
安定した２バンド切替型の電圧制御発振器を簡単に構成
できる。

【００３５】また、可変インダクタンス手段を第一のイ
ンダクタンス素子と、第一のインダクタンス素子に直列
に接続された第二のインダクタンス素子と、第一のスイ
ッチ手段とで構成し、二つのインダクタンス素子の一方
に第一のスイッチ手段を並列に接続すると共に、第一の
スイッチ手段を開閉したので、インダクタンス値の切替
による２バンド切替型の電圧制御発振器が構成出来る。

【００３６】また、可変容量手段を静電容量素子と、静
電容量素子に直列に接続された第二のスイッチ手段とで
構成し、第二のスイッチ手段を開閉したので、容量値の
切替による２バンド切替型の電圧制御発振器が構成出来
る。

【００３７】また、インダクタンス値又は容量値のいず
れか一方を大又は中又は小の三段階に切り替えたので、
発振の安定した３バンド切替型の電圧制御発振器を簡単
に構成できる。

【００３８】また、可変インダクタンス手段を第一のイ
ンダクタンス素子と第二のインダクタンス素子と第三の
インダクタンス素子と第一の切替手段とで構成し、三つ
のインダクタンス素子を互いに直列に接続すると共に、
第一の切替手段によって三つのインダクタンス素子のい
ずれの両端をも短絡しないか、又は一つのインダクタン
ス素子の両端又は二つのインダクタンス素子の両端を短
絡するかに切り換えたので、インダクタンス値の切替に
よる３バンド切替型の電圧制御発振器が構成出来る。

【００３９】また、可変容量手段を第一の可変容量手段
と、第一の可変容量手段に並列に接続された第二の可変
容量手段とで構成し、第一の可変容量手段を第一の静電
容量素子と第一の静電容量素子に直列に接続された第三
のスイッチ手段とで構成すると共に、第二の可変容量手
段を第二の静電容量素子と第二の容量素子に直列接続さ
れた第四のスイッチ手段とで構成し、第三のスイッチ手
段及び第四のスイッチ手段を開閉したので、容量値の切
替による３バンド切替型の電圧制御発振器が構成出来
る。

【００４０】また、可変容量手段を第一の静電容量素子
と、第二の静電容量素子と、第二の切替手段とで構成
し、第二の切換手段によって発振トランジスタのベース
とコレクタとの間に第一及び第二の静電容量素子のいず
れをも接続しないか、又は一方の静電容量素子又は他方
の静電容量素子を接続したので、容量値の切替による３
バンド切替型の電圧制御発振器が構成出来る。

【００４１】また、インダクタンス値及び容量値を大又
は小の二段階に切り替えるように構成し、インダクタン
ス値及び容量値を共に小、又はインダクタンス値を小で
且つ容量値を大若しくはインダクタンス値を大で且つ容
量値を小、又はインダクタンス値及び容量値を共に大と
する三段階に切り替えたので、インダクタンス値と容量
とを各二段階に切り換えるだけで３バンド切替型の電圧
制御発振器を構成できる。

【００４２】また、可変インダクタンス手段を第一のイ
ンダクタンス素子と、第一のインダクタンス素子に直列
に接続された第二のインダクタンス素子と、第一のスイ
ッチ手段とで構成し、二つのインダクタンス素子のいず
れか一方に第一のスイッチ手段を並列に接続すると共に
その両端を短絡可能とし、可変容量手段を静電容量素子
と、静電容量素子に直列に接続された第二のスイッチ手
段とで構成し、第一のスイッチ手段を開で且つ第二のス
イッチ手段を閉、又は第一のスイッチ手段及び第二のス
イッチ手段を共に開若しくは共に閉、又は第一のスイッ
チ手段を閉で且つ第二のスイッチ手段を開としたので、
複雑な切替回路を使用することなくスイッチ手段の開閉
だけで３バンドに切替られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電圧制御発振器における第一の実施の
形態の構成を示す回路図である。

【図２】本発明の電圧制御発振器における第一の実施の
形態の等価回路図である。

【図３】本発明の電圧制御発振器における負性抵抗値の
特性図である。

【図４】本発明の電圧制御発振器における第一の実施の
形態の他の構成を示す回路図である。

【図５】本発明の電圧制御発振器における第二の実施の
形態の構成を示す回路図である。

【図６】本発明の電圧制御発振器における第二の実施の
形態の等価回路図である。

【図７】本発明の電圧制御発振器における第二の実施の
形態の他の構成を示す回路図である。

【図８】本発明の電圧制御発振器における第二の実施の
形態のさらに他の構成を示す回路図である。

【図９】本発明の電圧制御発振器における第三の実施の
形態の構成を示す回路図である。

【図１０】本発明の電圧制御発振器における第三の実施
の形態の等価回路図である。

【図１１】従来の電圧制御発振器の構成を示す回路図で
ある。

【図１２】従来の電圧制御発振器の等価回路図である。

【符号の説明】

１発振トランジスタ２直流カットコンデンサ３、４帰還コンデンサ５クラップコンデンサ６バラクタダイオード７可変インダクタンス手段７ａ第一のインダクタンス素子７ｂ第二のインダクタンス素子７ｃ第一のスイッチ手段７ｄ第三のインダクタンス素子７ｅ第一の切替手段８静電容量素子９インダクタンス素子１０可変容量手段１０ａ静電容量素子１０ｂ第二のスイッチ手段１０ｃ第一の静電容量素子１０ｄ第三のスイッチ手段１０ｅ第二の静電容量素子１０ｆ第四のスイッチ手段１０ｇ第二の切替手段１０１第一の可変容量手段１０２第二の可変容量手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】帰還コンデンサが接続された発振トラン
ジスタと、バラクタダイオードに直列接続されると共に
前記バラクタダイオードを前記発振トランジスタのベー
スとコレクタとの間に粗結合状態で接続するクラップコ
ンデンサとを備え、前記発振トランジスタのベースとコ
レクタとの間に可変インダクタンス手段又は可変容量手
段の少なくとも一方を接続し、前記可変インダクタンス
手段のインダクタンス値又は前記可変容量手段の容量値
の少なくとも一方を複数段階に切り換えて発振周波数バ
ンドを切り替えたことを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項２】前記インダクタンス値又は前記容量値の
いずれか一方を大又は小の二段階に切り替えたことを特
徴とする請求項１に記載の電圧制御発振器。
【請求項３】前記可変インダクタンス手段を第一のイ
ンダクタンス素子と、前記第一のインダクタンス素子に
直列に接続された第二のインダクタンス素子と、第一の
スイッチ手段とで構成し、前記二つのインダクタンス素
子の一方に前記第一のスイッチ手段を並列に接続すると
共に、前記第一のスイッチ手段を開閉したことを特徴と
する請求項２に記載の電圧制御発振器。
【請求項４】前記可変容量手段を静電容量素子と、前
記静電容量素子に直列に接続された第二のスイッチ手段
とで構成し、前記第二のスイッチ手段を開閉したことを
特徴とする請求項２に記載の電圧制御発振器。
【請求項５】前記インダクタンス値又は前記容量値の
いずれか一方を大又は中又は小の三段階に切り替えたこ
とを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振器。
【請求項６】前記可変インダクタンス手段を第一のイ
ンダクタンス素子と第二のインダクタンス素子と第三の
インダクタンス素子と第一の切替手段とで構成し、前記
三つのインダクタンス素子を互いに直列に接続すると共
に、前記第一の切替手段によって前記三つのインダクタ
ンス素子のいずれの両端をも短絡しないか、又は一つの
インダクタンス素子の両端又は二つのインダクタンス素
子の両端を短絡するかに切り換えたことを特徴とする請
求項５に記載の電圧制御発振器。
【請求項７】前記可変容量手段を第一の可変容量手段
と、前記第一の可変容量手段に並列に接続された第二の
可変容量手段とで構成し、前記第一の可変容量手段を第
一の静電容量素子と前記第一の静電容量素子に直列に接
続された第三のスイッチ手段とで構成すると共に、前記
第二の可変容量手段を第二の静電容量素子と前記第二の
容量素子に直列接続された第四のスイッチ手段とで構成
し、前記第三のスイッチ手段及び前記第四のスイッチ手
段を開閉したことを特徴とする請求項５に記載の電圧制
御発振器。
【請求項８】前記可変容量手段を第一の静電容量素子
と、第二の静電容量素子と、第二の切替手段とで構成
し、前記第二の切換手段によって前記発振トランジスタ
のベースとコレクタとの間に前記第一及び第二の静電容
量素子のいずれをも接続しないか、又は一方の静電容量
素子又は他方の静電容量素子を接続したことを特徴とす
る請求項５に記載の電圧制御発振器。
【請求項９】前記インダクタンス値及び前記容量値を
大又は小の二段階に切り替えるように構成し、前記イン
ダクタンス値及び前記容量値を共に小、又は前記インダ
クタンス値を小で且つ前記容量値を大若しくは前記イン
ダクタンス値を大で且つ前記容量値を小、又は前記イン
ダクタンス値及び前記容量値を共に大とする三段階に切
り替えたことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発
振器。
【請求項１０】前記可変インダクタンス手段を第一の
インダクタンス素子と、前記第一のインダクタンス素子
に直列に接続された第二のインダクタンス素子と、第一
のスイッチ手段とで構成し、前記二つのインダクタンス
素子のいずれか一方に前記第一のスイッチ手段を並列に
接続すると共にその両端を短絡可能とし、前記可変容量
手段を静電容量素子と、前記静電容量素子に直列に接続
された第二のスイッチ手段とで構成し、前記第一のスイ
ッチ手段を開で且つ前記第二のスイッチ手段を閉、又は
前記第一のスイッチ手段及び前記第二のスイッチ手段を
共に開若しくは共に閉、又は前記第一のスイッチ手段を
閉で且つ前記第二のスイッチ手段を開としたことを特徴
とする請求項９に記載の電圧制御発振器。