JPH11186844A - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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- JPH11186844A JPH11186844A JP35310097A JP35310097A JPH11186844A JP H11186844 A JPH11186844 A JP H11186844A JP 35310097 A JP35310097 A JP 35310097A JP 35310097 A JP35310097 A JP 35310097A JP H11186844 A JPH11186844 A JP H11186844A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに異なる二つの周波数を切り換えて使用
する際に、インダクタンス発生導体の長さ寸法の調整が
不要な電圧制御発振器を提供する。また、周波数の切換
幅が大きい場合にも、安定した発振が可能な電圧制御発
振器を提供する。 【解決手段】 電圧制御発振器１０において、比較的高
い周波数を用いる場合、第１のダイオードＤ１をオンさ
せ、第２のダイオードＤ２をオフさせる。これにより、
ストリップラインＬ１２およびコンデンサＣ３により共
振し、帰還容量は第２のダイオードＤ２により形成され
る。 【効果】 共振における容量成分、および帰還容量が変
化することにより、負性抵抗値が変化し、比較的高い周
波数においても、共振が安定する。
する際に、インダクタンス発生導体の長さ寸法の調整が
不要な電圧制御発振器を提供する。また、周波数の切換
幅が大きい場合にも、安定した発振が可能な電圧制御発
振器を提供する。 【解決手段】 電圧制御発振器１０において、比較的高
い周波数を用いる場合、第１のダイオードＤ１をオンさ
せ、第２のダイオードＤ２をオフさせる。これにより、
ストリップラインＬ１２およびコンデンサＣ３により共
振し、帰還容量は第２のダイオードＤ２により形成され
る。 【効果】 共振における容量成分、および帰還容量が変
化することにより、負性抵抗値が変化し、比較的高い周
波数においても、共振が安定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種高周波装置に
搭載される電圧制御発振器に関し、特に、互いに異なる
２つの周波数を切り換えて動作する電圧制御発振器に関
する。
搭載される電圧制御発振器に関し、特に、互いに異なる
２つの周波数を切り換えて動作する電圧制御発振器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電圧制御発振器の構成を、図２を
用いて説明する。
用いて説明する。
【０００３】図２において、１は電圧制御発振器であ
り、共振回路２、トランジスタＴＲ１を有する発振回路
３、およびバッファ回路４を備えてなる。
り、共振回路２、トランジスタＴＲ１を有する発振回路
３、およびバッファ回路４を備えてなる。
【０００４】このうち、共振回路２は、互いに異なる２
つの周波数のいずれかを選択し、その選択された周波数
で共振された信号を出力する回路であり、可変容量ダイ
オードＶＤ１、互いに直列に接続されるカップリングコ
ンデンサＣ１、Ｃ２、インダクタンス発生導体としての
ストリップラインＬ１、および、インダクタンス調整用
ダイオード（以下、第１のダイオード）Ｄ１を備える。
ここで、可変容量ダイオードＶＤ１のアノード端子は接
地され、カソード端子は、抵抗Ｒ１を介して制御電圧入
力端子Ｖｃｎに接続される。また、可変容量ダイオード
ＶＤ１および抵抗Ｒ１の接続点は、カップリングコンデ
ンサＣ１、Ｃ２を介して、発振回路３を構成するトラン
ジスタＴＲ１のベース端子に接続される。また、ストリ
ップラインＬ１は、二つのストリップラインＬ１１およ
びＬ１２が直列に接続されてなるものであり、このう
ち、一方のストリップラインＬ１１の一端は、カップリ
ングコンデンサＣ１、Ｃ２の接続点に接続される。ここ
で、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点は、コン
デンサＣ３を介して、第１のダイオードＤ１のアノード
端子に接続され、第１のダイオードＤ１のカソード端子
は接地される。また、コンデンサＣ３と第１のダイオー
ドＤ１の接続点は、抵抗Ｒ２を介してスイッチング電圧
入力端子Ｖｓｗに接続される。また、カップリングコン
デンサＣ１は、可変容量ダイオードＶＤ１とストリップ
ラインＬ１とを結合させるためのものであり、カップリ
ングコンデンサＣ２は、ストリップラインＬ１とトラン
ジスタＴＲ１とを結合させるためのものである。
つの周波数のいずれかを選択し、その選択された周波数
で共振された信号を出力する回路であり、可変容量ダイ
オードＶＤ１、互いに直列に接続されるカップリングコ
ンデンサＣ１、Ｃ２、インダクタンス発生導体としての
ストリップラインＬ１、および、インダクタンス調整用
ダイオード（以下、第１のダイオード）Ｄ１を備える。
ここで、可変容量ダイオードＶＤ１のアノード端子は接
地され、カソード端子は、抵抗Ｒ１を介して制御電圧入
力端子Ｖｃｎに接続される。また、可変容量ダイオード
ＶＤ１および抵抗Ｒ１の接続点は、カップリングコンデ
ンサＣ１、Ｃ２を介して、発振回路３を構成するトラン
ジスタＴＲ１のベース端子に接続される。また、ストリ
ップラインＬ１は、二つのストリップラインＬ１１およ
びＬ１２が直列に接続されてなるものであり、このう
ち、一方のストリップラインＬ１１の一端は、カップリ
ングコンデンサＣ１、Ｃ２の接続点に接続される。ここ
で、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点は、コン
デンサＣ３を介して、第１のダイオードＤ１のアノード
端子に接続され、第１のダイオードＤ１のカソード端子
は接地される。また、コンデンサＣ３と第１のダイオー
ドＤ１の接続点は、抵抗Ｒ２を介してスイッチング電圧
入力端子Ｖｓｗに接続される。また、カップリングコン
デンサＣ１は、可変容量ダイオードＶＤ１とストリップ
ラインＬ１とを結合させるためのものであり、カップリ
ングコンデンサＣ２は、ストリップラインＬ１とトラン
ジスタＴＲ１とを結合させるためのものである。
【０００５】また、発振回路３は、トランジスタＴＲ１
を備えるコレクタ接地のコルピッツ型発振回路であり、
トランジスタＴＲ１のベース−エミッタ端子間には、ト
ランジスタＴＲ１への帰還容量を発生する帰還用コンデ
ンサＣ４が接続され、エミッタ−コレクタ端子間にはコ
ンデンサＣ５が接続され、コンデンサＣ５の一端は接地
される。また、トランジスタＴＲ１のエミッタ端子は、
カップリングコンデンサＣ６を介してバッファ回路４に
接続される。また、トランジスタＴＲ１のコレクタ端子
は、チョークコイルとしてのストリップラインＬ２を介
して、電源電圧入力端子Ｖｉｎに接続される。そして、
トランジスタＴＲ１のコレクタ端子とストリップライン
Ｌ２の一端との接続点は、接地用コンデンサＣ７を介し
て接地される。
を備えるコレクタ接地のコルピッツ型発振回路であり、
トランジスタＴＲ１のベース−エミッタ端子間には、ト
ランジスタＴＲ１への帰還容量を発生する帰還用コンデ
ンサＣ４が接続され、エミッタ−コレクタ端子間にはコ
ンデンサＣ５が接続され、コンデンサＣ５の一端は接地
される。また、トランジスタＴＲ１のエミッタ端子は、
カップリングコンデンサＣ６を介してバッファ回路４に
接続される。また、トランジスタＴＲ１のコレクタ端子
は、チョークコイルとしてのストリップラインＬ２を介
して、電源電圧入力端子Ｖｉｎに接続される。そして、
トランジスタＴＲ１のコレクタ端子とストリップライン
Ｌ２の一端との接続点は、接地用コンデンサＣ７を介し
て接地される。
【０００６】このように構成される電圧制御発振器１に
おいては、共振回路２で共振された信号が、発振回路３
を構成するトランジスタＴＲ１のベース端子に入力さ
れ、帰還用コンデンサＣ４で増幅されて発振される。こ
の発振信号がバッファ回路４で増幅された後、図示して
いない整合回路で整合され出力信号となって、出力端子
Ｖｏｕｔから出力される。
おいては、共振回路２で共振された信号が、発振回路３
を構成するトランジスタＴＲ１のベース端子に入力さ
れ、帰還用コンデンサＣ４で増幅されて発振される。こ
の発振信号がバッファ回路４で増幅された後、図示して
いない整合回路で整合され出力信号となって、出力端子
Ｖｏｕｔから出力される。
【０００７】また、電圧制御発振器１においては、第１
のダイオードＤ１をオン／オフさせることにより、互い
に異なる二つの周波数を切り換えて、発振に用いること
ができる。すなわち、第１のダイオードＤ１に駆動電圧
を印加しない場合には、第１のダイオードＤ１は高周波
的に開放（オフ）状態となり、コンデンサＣ３および第
１のダイオードＤ１は、ストリップラインＬ１から電気
的に切り離され、発振におけるインダクタンス成分は、
ストリップラインＬ１全体（Ｌ１１、Ｌ１２）により規
定されるものとなる。一方、スイッチング電圧入力端子
Ｖｓｗを介して、第１のダイオードＤ１に駆動電圧を印
加した場合には、第１のダイオードＤ１は導通（オン）
状態となり、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点
は、コンデンサＣ３および第１のダイオードＤ１を介し
て、高周波的に接地される。このため、発振におけるイ
ンダクタンス成分は、ストリップラインＬ１１のみによ
り規定されることとなる。したがって、第１のダイオー
ドＤ１のオフ時に、ストリップラインＬ１全体によりイ
ンダクタンス成分が規定される場合に比べて、発振の周
波数が高くなる。また、ストリップラインＬ１１、Ｌ１
２の長さ寸法は、切り換える２つの周波数の差（切換
幅）に応じて設定されるものである。
のダイオードＤ１をオン／オフさせることにより、互い
に異なる二つの周波数を切り換えて、発振に用いること
ができる。すなわち、第１のダイオードＤ１に駆動電圧
を印加しない場合には、第１のダイオードＤ１は高周波
的に開放（オフ）状態となり、コンデンサＣ３および第
１のダイオードＤ１は、ストリップラインＬ１から電気
的に切り離され、発振におけるインダクタンス成分は、
ストリップラインＬ１全体（Ｌ１１、Ｌ１２）により規
定されるものとなる。一方、スイッチング電圧入力端子
Ｖｓｗを介して、第１のダイオードＤ１に駆動電圧を印
加した場合には、第１のダイオードＤ１は導通（オン）
状態となり、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点
は、コンデンサＣ３および第１のダイオードＤ１を介し
て、高周波的に接地される。このため、発振におけるイ
ンダクタンス成分は、ストリップラインＬ１１のみによ
り規定されることとなる。したがって、第１のダイオー
ドＤ１のオフ時に、ストリップラインＬ１全体によりイ
ンダクタンス成分が規定される場合に比べて、発振の周
波数が高くなる。また、ストリップラインＬ１１、Ｌ１
２の長さ寸法は、切り換える２つの周波数の差（切換
幅）に応じて設定されるものである。
【０００８】このように、第１のダイオードＤ１のオン
／オフにより、周波数を切り換えることができる。
／オフにより、周波数を切り換えることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の電圧
制御発振器１においては、次のような問題点があった。
すなわち、インダクタンス成分をストリップラインＬ１
全体により規定するか、ストリップラインＬ１１のみに
より規定するかで、２つの周波数を切り換えて使用する
ものである。そして、周波数の切換幅に応じて、ストリ
ップラインＬ１１、Ｌ１２の長さ寸法を変えることが必
要となり、これにより、ストリップラインＬ１を設ける
基板も、表面積の異なるものを用いなければならず、基
板寸法の標準化に支障を来す恐れがあった。
制御発振器１においては、次のような問題点があった。
すなわち、インダクタンス成分をストリップラインＬ１
全体により規定するか、ストリップラインＬ１１のみに
より規定するかで、２つの周波数を切り換えて使用する
ものである。そして、周波数の切換幅に応じて、ストリ
ップラインＬ１１、Ｌ１２の長さ寸法を変えることが必
要となり、これにより、ストリップラインＬ１を設ける
基板も、表面積の異なるものを用いなければならず、基
板寸法の標準化に支障を来す恐れがあった。
【００１０】また、例えば、８００ＭＨｚ帯の周波数か
ら１．６ＧＨｚ帯の周波数に切り換える場合のように、
切換幅が比較的大きくとも、帰還容量、すなわちコンデ
ンサＣ４の容量は一定であるため、トランジスタＴＲ１
のベース端子から出力側を見たときの負性抵抗成分が変
わらないので、高い方の周波数（１．６ＧＨｚ帯）での
発振を安定させることが不可能となる恐れがあった。
ら１．６ＧＨｚ帯の周波数に切り換える場合のように、
切換幅が比較的大きくとも、帰還容量、すなわちコンデ
ンサＣ４の容量は一定であるため、トランジスタＴＲ１
のベース端子から出力側を見たときの負性抵抗成分が変
わらないので、高い方の周波数（１．６ＧＨｚ帯）での
発振を安定させることが不可能となる恐れがあった。
【００１１】さらに、振幅条件であるトランジスタＴＲ
１の増幅率ｈｆｅ＝Ｃ５／Ｃ４は、周波数が低い場合
と、周波数が高い場合とで不変であるため、周波数が高
い場合には、充分な発振出力が得られなくなる恐れがあ
った。
１の増幅率ｈｆｅ＝Ｃ５／Ｃ４は、周波数が低い場合
と、周波数が高い場合とで不変であるため、周波数が高
い場合には、充分な発振出力が得られなくなる恐れがあ
った。
【００１２】そこで、本発明においては、互いに異なる
二つの周波数を切り換えて使用する際に、インダクタン
ス発生導体の長さ寸法の調整が不要な電圧制御発振器を
提供することを目的とする。また、周波数の切換幅が大
きい場合にも、安定した発振が可能な電圧制御発振器を
提供することを目的とする。
二つの周波数を切り換えて使用する際に、インダクタン
ス発生導体の長さ寸法の調整が不要な電圧制御発振器を
提供することを目的とする。また、周波数の切換幅が大
きい場合にも、安定した発振が可能な電圧制御発振器を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明にかかる電圧制御発振器においては、互いに
直列に接続された二つのインダクタンス発生導体の双方
により規定されるインダクタンス成分と、どちらか一方
により規定されるインダクタンス成分とを切り換えて用
い、互いに異なる二つの周波数を切り換えて共振周波数
とする共振回路と、トランジスタ、および該トランジス
タのエミッタ−ベース端子間に接続され、前記トランジ
スタへの帰還容量を発生する帰還用コンデンサを有し、
前記共振回路の出力信号を増幅し、発振する発振回路と
を備えてなる電圧制御発振器において、前記二つのイン
ダクタンス発生導体に直列に可変容量ダイオードを接続
し、該可変容量ダイオードに並列に共振用コンデンサを
接続し、前記可変容量ダイオードおよび共振用コンデン
サにより形成された容量を、前記共振回路の容量成分と
したことを特徴とする。
め、本発明にかかる電圧制御発振器においては、互いに
直列に接続された二つのインダクタンス発生導体の双方
により規定されるインダクタンス成分と、どちらか一方
により規定されるインダクタンス成分とを切り換えて用
い、互いに異なる二つの周波数を切り換えて共振周波数
とする共振回路と、トランジスタ、および該トランジス
タのエミッタ−ベース端子間に接続され、前記トランジ
スタへの帰還容量を発生する帰還用コンデンサを有し、
前記共振回路の出力信号を増幅し、発振する発振回路と
を備えてなる電圧制御発振器において、前記二つのイン
ダクタンス発生導体に直列に可変容量ダイオードを接続
し、該可変容量ダイオードに並列に共振用コンデンサを
接続し、前記可変容量ダイオードおよび共振用コンデン
サにより形成された容量を、前記共振回路の容量成分と
したことを特徴とする。
【００１４】また、互いに直列に接続された二つのイン
ダクタンス発生導体の双方により規定されるインダクタ
ンス成分と、どちらか一方により規定されるインダクタ
ンス成分とを切り換えて用い、互いに異なる二つの周波
数を切り換えて共振周波数とする共振回路と、トランジ
スタ、および該トランジスタのエミッタ−ベース端子間
に接続され、前記トランジスタへの帰還容量を発生する
帰還用コンデンサを有し、前記共振回路の出力信号を増
幅し、発振する発振回路とを備えてなる電圧制御発振器
において、前記発振回路の帰還用コンデンサに直列に帰
還容量切換用ダイオードを接続し、該帰還容量切換用ダ
イオードをオンオフすることにより、前記トランジスタ
への帰還容量を変化させたことを特徴とする。
ダクタンス発生導体の双方により規定されるインダクタ
ンス成分と、どちらか一方により規定されるインダクタ
ンス成分とを切り換えて用い、互いに異なる二つの周波
数を切り換えて共振周波数とする共振回路と、トランジ
スタ、および該トランジスタのエミッタ−ベース端子間
に接続され、前記トランジスタへの帰還容量を発生する
帰還用コンデンサを有し、前記共振回路の出力信号を増
幅し、発振する発振回路とを備えてなる電圧制御発振器
において、前記発振回路の帰還用コンデンサに直列に帰
還容量切換用ダイオードを接続し、該帰還容量切換用ダ
イオードをオンオフすることにより、前記トランジスタ
への帰還容量を変化させたことを特徴とする。
【００１５】本発明にかかる電圧制御発振器によれば、
共振回路において、共振用コンデンサの容量を用いて共
振がなされるため、共振用コンデンサの容量を、所望の
周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定すること
で、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発振
がなされる。したがって、インダクタンス発生導体の長
さ寸法を調整したり、それに合わせて、インダクタンス
発生導体を設ける基板の表面積を拡大したりする必要が
ない。
共振回路において、共振用コンデンサの容量を用いて共
振がなされるため、共振用コンデンサの容量を、所望の
周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定すること
で、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発振
がなされる。したがって、インダクタンス発生導体の長
さ寸法を調整したり、それに合わせて、インダクタンス
発生導体を設ける基板の表面積を拡大したりする必要が
ない。
【００１６】また、帰還容量調整用ダイオードをオンオ
フさせ、トランジスタへの帰還容量を変化させること
で、共振回路より発振回路側の負性抵抗値を変化させる
ことができる。これにより、周波数の切換幅が比較的大
きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。
フさせ、トランジスタへの帰還容量を変化させること
で、共振回路より発振回路側の負性抵抗値を変化させる
ことができる。これにより、周波数の切換幅が比較的大
きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施例にかかる電
圧制御発振器の構成を、図１を用いて説明する。なお、
図１において、図２と同一もしくは相当する部分には同
一の符号を付し、その説明は省略する。
圧制御発振器の構成を、図１を用いて説明する。なお、
図１において、図２と同一もしくは相当する部分には同
一の符号を付し、その説明は省略する。
【００１８】図１において、１０は電圧制御発振器であ
り、共振回路１２、発振回路１３、およびバッファ回路
４を備えてなる。ここで、共振回路１２においては、可
変容量ダイオードＶＤ１とストリップラインＬ１とが、
互いに直列に接続される。また、ストリップラインＬ１
を構成するストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点が
コンデンサＣ３および第１のダイオードＤ１を介して接
地され、コンデンサＣ３と第１のダイオードＤ１の接続
点が抵抗Ｒ２を介してスイッチング電圧入力端子Ｖｓｗ
に接続される。
り、共振回路１２、発振回路１３、およびバッファ回路
４を備えてなる。ここで、共振回路１２においては、可
変容量ダイオードＶＤ１とストリップラインＬ１とが、
互いに直列に接続される。また、ストリップラインＬ１
を構成するストリップラインＬ１１、Ｌ１２の接続点が
コンデンサＣ３および第１のダイオードＤ１を介して接
地され、コンデンサＣ３と第１のダイオードＤ１の接続
点が抵抗Ｒ２を介してスイッチング電圧入力端子Ｖｓｗ
に接続される。
【００１９】また、可変容量ダイオードＶＤ１と抵抗Ｒ
１との接続点は、カップリングコンデンサＣ２を介し
て、トランジスタＴＲ１のベース端子に接続される。ま
た、可変容量ダイオードＶＤ１に並列に、共振用コンデ
ンサＣ８が接続される。共振用コンデンサＣ８は、可変
容量ダイオードＶＤ１とストリップラインＬ１とを結合
させるカップリングコンデンサとして機能するととも
に、後述するように、共振回路１２の容量成分を形成す
るものである。
１との接続点は、カップリングコンデンサＣ２を介し
て、トランジスタＴＲ１のベース端子に接続される。ま
た、可変容量ダイオードＶＤ１に並列に、共振用コンデ
ンサＣ８が接続される。共振用コンデンサＣ８は、可変
容量ダイオードＶＤ１とストリップラインＬ１とを結合
させるカップリングコンデンサとして機能するととも
に、後述するように、共振回路１２の容量成分を形成す
るものである。
【００２０】また、トランジスタＴＲ１と帰還用コンデ
ンサＣ４との接続点に、帰還容量調整用ダイオード（以
下、第２のダイオード）Ｄ２が配置される。第２のダイ
オードＤ２のカソード端子は、帰還用コンデンサＣ４の
一端に接続され、アノード端子は、トランジスタＴＲ１
のエミッタ端子に接続される。また、帰還用コンデンサ
Ｃ４と第２のダイオードＤ２との接続点は、抵抗Ｒ３を
介して、スイッチング電圧入力端子Ｖｓｗと抵抗Ｒ２と
の接続点に接続される。
ンサＣ４との接続点に、帰還容量調整用ダイオード（以
下、第２のダイオード）Ｄ２が配置される。第２のダイ
オードＤ２のカソード端子は、帰還用コンデンサＣ４の
一端に接続され、アノード端子は、トランジスタＴＲ１
のエミッタ端子に接続される。また、帰還用コンデンサ
Ｃ４と第２のダイオードＤ２との接続点は、抵抗Ｒ３を
介して、スイッチング電圧入力端子Ｖｓｗと抵抗Ｒ２と
の接続点に接続される。
【００２１】ここで、第２のダイオードＤ２は、電圧を
印加した場合に、高周波的に開放（オフ）状態となるよ
うに、すなわち、オン時には、カソード電圧がトランジ
スタＴＲ１のエミッタ電圧より高くなるように、抵抗値
が設定されている。
印加した場合に、高周波的に開放（オフ）状態となるよ
うに、すなわち、オン時には、カソード電圧がトランジ
スタＴＲ１のエミッタ電圧より高くなるように、抵抗値
が設定されている。
【００２２】次に、電圧制御発振器１０の動作を、８０
０ＭＨｚ帯の周波数から１．６ＧＨｚ帯の周波数に発振
周波数を切り換える場合を例に取り、説明する。
０ＭＨｚ帯の周波数から１．６ＧＨｚ帯の周波数に発振
周波数を切り換える場合を例に取り、説明する。
【００２３】まず、電圧制御発振器１０を、８００ＭＨ
ｚ帯の周波数で動作させるときには、ダイオードＤ１に
駆動電圧を印加せず、第１のダイオードＤ１を開放状態
とし、第２のダイオードＤ２を導通状態とする。このと
き、第１のダイオードＤ１は、高周波的には容量成分と
なり、互いに直列に接続された第１のダイオードＤ１と
コンデンサＣ３との合成容量においては、第１のダイオ
ードＤ１の比較的小さい容量が支配的となり、この合成
容量は微小なものとなる。したがって、この合成容量に
よる容量成分と、この合成容量に対して並列に接続され
ているストリップラインＬ１２によるインダクタンス成
分とで規定される共振周波数は、インダクタンス成分が
Ｌ１全体により規定される場合に比べて高いものとな
り、この共振により、共振回路１２の共振が影響を受け
ることはない。したがって、共振回路１２は、可変容量
ダイオードＶＤ１、ストリップラインＬ１および共振用
コンデンサＣ８で共振することとなる。ここで、ストリ
ップラインＬ１のインダクタンス、共振用コンデンサＣ
８の容量、および帰還用コンデンサＣ４の容量を、８０
０ＭＨｚ帯の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設
定しておくことにより、発振が安定する。
ｚ帯の周波数で動作させるときには、ダイオードＤ１に
駆動電圧を印加せず、第１のダイオードＤ１を開放状態
とし、第２のダイオードＤ２を導通状態とする。このと
き、第１のダイオードＤ１は、高周波的には容量成分と
なり、互いに直列に接続された第１のダイオードＤ１と
コンデンサＣ３との合成容量においては、第１のダイオ
ードＤ１の比較的小さい容量が支配的となり、この合成
容量は微小なものとなる。したがって、この合成容量に
よる容量成分と、この合成容量に対して並列に接続され
ているストリップラインＬ１２によるインダクタンス成
分とで規定される共振周波数は、インダクタンス成分が
Ｌ１全体により規定される場合に比べて高いものとな
り、この共振により、共振回路１２の共振が影響を受け
ることはない。したがって、共振回路１２は、可変容量
ダイオードＶＤ１、ストリップラインＬ１および共振用
コンデンサＣ８で共振することとなる。ここで、ストリ
ップラインＬ１のインダクタンス、共振用コンデンサＣ
８の容量、および帰還用コンデンサＣ４の容量を、８０
０ＭＨｚ帯の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設
定しておくことにより、発振が安定する。
【００２４】一方、電圧制御発振器１０を、１．６ＧＨ
ｚ帯の周波数で動作させるときには、第１のダイオード
Ｄ１に駆動電圧を印加し、第１のダイオードＤ１を導通
状態とし、第２のダイオードＤ２を開放状態とする。こ
れにより、共振回路２において、可変容量ダイオードＶ
Ｄ１、ストリップラインＬ１および共振用コンデンサＣ
８で共振する１次共振と、ストリップラインＬ１２およ
びコンデンサＣ３で共振する２次共振とが発生すること
となる。この２次共振により１．６ＧＨｚ帯の共振周波
数が実現される。
ｚ帯の周波数で動作させるときには、第１のダイオード
Ｄ１に駆動電圧を印加し、第１のダイオードＤ１を導通
状態とし、第２のダイオードＤ２を開放状態とする。こ
れにより、共振回路２において、可変容量ダイオードＶ
Ｄ１、ストリップラインＬ１および共振用コンデンサＣ
８で共振する１次共振と、ストリップラインＬ１２およ
びコンデンサＣ３で共振する２次共振とが発生すること
となる。この２次共振により１．６ＧＨｚ帯の共振周波
数が実現される。
【００２５】ここで、開放状態の第２のダイオードＤ２
は、高周波的に容量成分となる。ここで、第２のダイオ
ードＤ２には、帰還用コンデンサＣ４が直列に接続され
ているため、第２のダイオードＤ２および帰還用コンデ
ンサＣ４による合成容量が、トランジスタＴＲ１への帰
還容量となる。したがって、帰還用コンデンサＣ４の容
量を、第２のダイオードＤ２の容量より大きく設定して
おけば、第２のダイオードＤ２および帰還用コンデンサ
Ｃ４による合成容量、すなわち帰還容量において、比較
的小さい第２のダイオードＤ２の容量が支配的となり、
帰還容量は微小なものとなる。このように、帰還容量を
変化させ、さらに、ストリップラインＬ１２のインダク
タンスおよび共振用コンデンサＣ８の容量を、１．６Ｇ
Ｈｚ帯の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定し
ておくことにより、発振が安定する。
は、高周波的に容量成分となる。ここで、第２のダイオ
ードＤ２には、帰還用コンデンサＣ４が直列に接続され
ているため、第２のダイオードＤ２および帰還用コンデ
ンサＣ４による合成容量が、トランジスタＴＲ１への帰
還容量となる。したがって、帰還用コンデンサＣ４の容
量を、第２のダイオードＤ２の容量より大きく設定して
おけば、第２のダイオードＤ２および帰還用コンデンサ
Ｃ４による合成容量、すなわち帰還容量において、比較
的小さい第２のダイオードＤ２の容量が支配的となり、
帰還容量は微小なものとなる。このように、帰還容量を
変化させ、さらに、ストリップラインＬ１２のインダク
タンスおよび共振用コンデンサＣ８の容量を、１．６Ｇ
Ｈｚ帯の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定し
ておくことにより、発振が安定する。
【００２６】上記のように、電圧制御発振器１０におい
ては、共振回路１２において、共振用コンデンサＣ８の
容量を用いて共振がなされるため、共振用コンデンサＣ
８の容量を、所望の周波数に対応する負性抵抗値に合わ
せて設定することで、比較的高い周波数を用いる場合に
も、安定した発振がなされる。したがって、ストリップ
ラインＬ１１、Ｌ１２の長さ寸法を調整したり、それに
合わせて、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２を設ける基
板の表面積を拡大したりする必要がない。
ては、共振回路１２において、共振用コンデンサＣ８の
容量を用いて共振がなされるため、共振用コンデンサＣ
８の容量を、所望の周波数に対応する負性抵抗値に合わ
せて設定することで、比較的高い周波数を用いる場合に
も、安定した発振がなされる。したがって、ストリップ
ラインＬ１１、Ｌ１２の長さ寸法を調整したり、それに
合わせて、ストリップラインＬ１１、Ｌ１２を設ける基
板の表面積を拡大したりする必要がない。
【００２７】また、第２のダイオードＤ２をオンオフさ
せ、トランジスタＴＲ１への帰還容量を変化させること
で、共振回路１２より発振回路１３側の負性抵抗値を変
化させることができる。これにより、周波数の切換幅が
比較的大きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安
定した発振がなされる。
せ、トランジスタＴＲ１への帰還容量を変化させること
で、共振回路１２より発振回路１３側の負性抵抗値を変
化させることができる。これにより、周波数の切換幅が
比較的大きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安
定した発振がなされる。
【００２８】なお、本実施例においては、インダクタ発
生導体として、ストリップラインを用いる場合について
説明したが、マイクロストリップラインを用いてもよ
い。
生導体として、ストリップラインを用いる場合について
説明したが、マイクロストリップラインを用いてもよ
い。
【００２９】
【発明の効果】本発明にかかる電圧制御発振器によれ
ば、共振回路において、共振用コンデンサの容量を用い
て共振がなされるため、共振用コンデンサの容量を、所
望の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定するこ
とで、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。したがって、インダクタンス発生導体の
長さ寸法を調整したり、それに合わせて、インダクタン
ス発生導体を設ける基板の表面積を拡大したりする必要
がない。
ば、共振回路において、共振用コンデンサの容量を用い
て共振がなされるため、共振用コンデンサの容量を、所
望の周波数に対応する負性抵抗値に合わせて設定するこ
とで、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。したがって、インダクタンス発生導体の
長さ寸法を調整したり、それに合わせて、インダクタン
ス発生導体を設ける基板の表面積を拡大したりする必要
がない。
【００３０】また、帰還容量調整用ダイオードをオンオ
フさせ、トランジスタへの帰還容量を変化させること
で、共振回路より発振回路側の負性抵抗値を変化させる
ことができる。これにより、周波数の切換幅が比較的大
きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。
フさせ、トランジスタへの帰還容量を変化させること
で、共振回路より発振回路側の負性抵抗値を変化させる
ことができる。これにより、周波数の切換幅が比較的大
きく、比較的高い周波数を用いる場合にも、安定した発
振がなされる。
【図１】本発明の一実施例にかかる電圧制御発振器を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】従来の電圧制御発振器を示す回路図である。
１０ 電圧制御発振器 １２ 共振回路 １３ 発振回路 ４ バッファ回路 Ｌ１（Ｌ１１、Ｌ１２） インダクタンス発生導体
（ストリップライン） ＶＤ１ 可変容量ダイオード Ｃ４ 帰還用コンデンサ Ｃ８ 共振用コンデンサ Ｄ２ 帰還容量切換用ダイオード ＴＲ１ トランジスタ
（ストリップライン） ＶＤ１ 可変容量ダイオード Ｃ４ 帰還用コンデンサ Ｃ８ 共振用コンデンサ Ｄ２ 帰還容量切換用ダイオード ＴＲ１ トランジスタ
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに直列に接続された二つのインダク
タンス発生導体の双方により規定されるインダクタンス
成分と、どちらか一方により規定されるインダクタンス
成分とを切り換えて用い、互いに異なる二つの周波数を
切り換えて共振周波数とする共振回路と、 トランジスタ、および該トランジスタのエミッタ−ベー
ス端子間に接続され、前記トランジスタへの帰還容量を
発生する帰還用コンデンサを有し、前記共振回路の出力
信号を増幅し、発振する発振回路とを備えてなる電圧制
御発振器において、 前記二つのインダクタンス発生導体に直列に可変容量ダ
イオードを接続し、該可変容量ダイオードに並列に共振
用コンデンサを接続し、前記可変容量ダイオードおよび
共振用コンデンサにより形成された容量を、前記共振回
路の容量成分としたことを特徴とする電圧制御発振器。 - 【請求項２】 互いに直列に接続された二つのインダク
タンス発生導体の双方により規定されるインダクタンス
成分と、どちらか一方により規定されるインダクタンス
成分とを切り換えて用い、互いに異なる二つの周波数を
切り換えて共振周波数とする共振回路と、 トランジスタ、および該トランジスタのエミッタ−ベー
ス端子間に接続され、前記トランジスタへの帰還容量を
発生する帰還用コンデンサを有し、前記共振回路の出力
信号を増幅し、発振する発振回路とを備えてなる電圧制
御発振器において、 前記発振回路の帰還用コンデンサに直列に帰還容量切換
用ダイオードを接続し、該帰還容量切換用ダイオードを
オンオフすることにより、前記トランジスタへの帰還容
量を変化させたことを特徴とする電圧制御発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35310097A JPH11186844A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 電圧制御発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35310097A JPH11186844A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 電圧制御発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186844A true JPH11186844A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18428571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35310097A Pending JPH11186844A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | 電圧制御発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186844A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020068954A (ko) * | 2001-02-22 | 2002-08-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 발진신호의 위상 노이즈를 개선한 마이크로파 발진기 |
| JP2004096561A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Optex Co Ltd | 無線通信装置 |
| US6724274B2 (en) | 1999-10-29 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Frequency-switching oscillator and electronic device using the same |
| KR100477210B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2005-03-21 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전압제어 발진기 |
| WO2005124992A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JP2006238034A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Alps Electric Co Ltd | 発振回路 |
| US9991489B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-06-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Porous layer, laminated body, nonaqueous electrolyte secondary battery member including the porous layer, and nonaqueous electrolyte secondary battery including the porous layer |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35310097A patent/JPH11186844A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6724274B2 (en) | 1999-10-29 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Frequency-switching oscillator and electronic device using the same |
| KR20020068954A (ko) * | 2001-02-22 | 2002-08-28 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 발진신호의 위상 노이즈를 개선한 마이크로파 발진기 |
| KR100477210B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2005-03-21 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 전압제어 발진기 |
| JP2004096561A (ja) * | 2002-09-02 | 2004-03-25 | Optex Co Ltd | 無線通信装置 |
| WO2005124992A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JPWO2005124992A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2008-04-17 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| US7675376B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Voltage-controlled oscillator |
| JP4611290B2 (ja) * | 2004-06-18 | 2011-01-12 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| JP2006238034A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Alps Electric Co Ltd | 発振回路 |
| US9991489B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-06-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Porous layer, laminated body, nonaqueous electrolyte secondary battery member including the porous layer, and nonaqueous electrolyte secondary battery including the porous layer |
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