JP2004056189A - 温度補償回路付きマイクロ波発振器 - Google Patents
温度補償回路付きマイクロ波発振器 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】簡単な回路構成で、小形化することができ、共振回路のＱ値の低下や位相雑音の劣化のない温度補償回路付きマイクロ波発振器を得る。
【解決手段】発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化した。
【選択図】 図１
【解決手段】発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化した。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、温度による発振周波数の変動の補償を行う温度補償回路付きマイクロ波発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、特開昭５２−０８２０５９号公報に示された従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の回路図である。
【０００３】
図９において、１はマイクロ波の出力端子、２はグランド端子、３は増幅器、４は圧電結晶体振動子、５は結合コンデンサ、６はインダクタ、７は印加される電圧に応じて容量（逆電圧接合容量）が変化する可変容量ダイオードを示す。
【０００４】
８は直流阻止用コンデンサ、９は圧電結晶体振動子４と結合コンデンサ５とインダクタ６とから構成される共振回路、１０は可変容量ダイオード７の両端にそれぞれ接続された温度補償回路、１１は温度補償回路１０に用いられるサーミスタ、１２は温度補償回路１０に用いられる固定抵抗、１３は可変容量ダイオード７に電圧を印加させるための制御電圧端子を示す。
【０００５】
また、増幅器３の入力と出力との間には、圧電結晶体振動子４と、可変容量ダイオード７と直流阻止用コンデンサ８とで構成される直列回路が接続されている。
【０００６】
次に、図９とともに図１０を参照しながら、従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作について説明する。図１０は、従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作を説明する特性図である。
【０００７】
従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器は、圧電結晶体振動子４及び可変容量ダイオード７により構成される共振回路９を増幅器３の帰還に用いており、特定の周波数で帰還がかかる。帰還がかかることによりループ利得を得て発振させ、共振回路９の可変容量ダイオード７の端子間電圧を変化させる。
【０００８】
これにより、図１０（ａ）に示すように、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、図１０（ｂ）に示すように、発振周波数を所望の値に制御することができる。
【０００９】
この発振周波数は、温度に影響されるため、制御電圧端子１３から与えられる可変容量ダイオード７の端子間電圧は、所望の発振周波数が得られるように温度補償回路１０を介して与えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器は以上のように、可変容量ダイオード７のバイアスと増幅器３のバイアスとがそれぞれ独立しているために回路構成が複雑となるという問題点があった。
【００１１】
また、共振回路９に可変容量ダイオード７を用いているため、可変容量ダイオード７の内部抵抗に応じてＱ値が低下するという問題点があった。
【００１２】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、簡単な回路構成で、小形化することができ、共振回路９のＱ値の低下や位相雑音の劣化のない温度補償回路付きマイクロ波発振器を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器は、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化したものである。
【００１４】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１５】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１６】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１７】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するものである。
【００１８】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するものである。
【００１９】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するものである。
【００２０】
さらに、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態１について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、この発明の実施の形態１の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図１において、前述（図９参照）と同様のものについては、同一符号または符号の後に「ａ」を付して詳述を省略する。
【００２３】
図１において、１４は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１５は電界効果トランジスタ１４と接続された反射回路、１６は所望の周波数を阻止するための所望の周波数の１／２波長線路、１７は誘電体共振器、１８は５０Ω終端器、１９は電界効果トランジスタ１４のドレイン電圧端子を示す。
【００２４】
また、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間に可変容量ダイオード（バラクタダイオード）７を接続する。なお、可変容量ダイオード７は、可変容量ダイオード７のカソード端子電圧がアノード端子電圧より高くなる向きに接続される。
【００２５】
また、電界効果トランジスタ１４のゲート側には、１／２波長線路１６と、温度補償回路１０ａとを介して、制御電圧端子１３が接続されている。
【００２６】
次に、図１とともに図２を参照しながら、この発明の実施の形態１による動作について説明する。図２は、この発明の実施の形態１による動作を説明する特性図である。
【００２７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００２８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧は、ドレイン・ゲート間電圧により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を、温度補償回路１０ａを介して制御することにより可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、可変容量ダイオード７の端子間電圧の変化に応じて、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００３０】
その結果、図２（ｂ）に示すように、電界効果トランジスタ１４のみを用いた場合よりも発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００３１】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、共振回路のＱ値の低下や位相雑音の劣化がなく、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００３２】
また、電界効果トランジスタ１４の端子間に可変容量ダイオード７を接続し、可変容量ダイオード７のバイアスを電界効果トランジスタ１４のバイアスと共通化することにより、可変容量ダイオード用にバイアス回路を設ける必要がないため、可変容量ダイオード用に別にバイアス回路を有する構成と比較して、簡単な回路で構成することができ、小形化することができる。
【００３３】
実施の形態２．
なお、上記実施の形態１では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、ソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御してもよい。
【００３４】
図３は、この発明の実施の形態２の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図３において、前述（図１、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００３５】
図３において、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を接続する。
【００３６】
次に、この発明の実施の形態２による動作について説明する。
【００３７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００３８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はソース・ゲート間電圧により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００３９】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００４０】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００４１】
このように、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００４２】
実施の形態３．
なお、上記実施の形態２では、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御してもよい。
【００４３】
図４は、この発明の実施の形態３の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図４において、前述（図１、図３、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００４４】
図４において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を接続する。
【００４５】
次に、この発明の実施の形態３による動作について説明する。
【００４６】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００４７】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００４８】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００４９】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００５０】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００５１】
実施の形態４．
なお、上記実施の形態１では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御してもよい。
【００５２】
図５は、この発明の実施の形態４の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図５において、前述（図１、図３、図４、図９参照）と同様のものについては、同一符号または同一符号の後に「ｂ」を付して詳述を省略する。
【００５３】
図５において、２０はゲート側の１／２波長線路１６に接続されたゲート電圧端子、２１はオペアンプ、２２は基準電圧用抵抗を示す。
【００５４】
また、温度補償回路１０ｂは、サーミスタ１１と固定抵抗１２とオペアンプ２１と基準電圧用抵抗２２とにより構成される。
【００５５】
また、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設け、電界効果トランジスタ１４のドレイン側に、１／２波長線路１６と、温度補償回路１０ｂとを介して、制御電圧端子１３が接続されている。
【００５６】
次に、この発明の実施の形態４による動作について説明する。
【００５７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びゲート電圧端子２０より印加する。
【００５８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ソース間により与えられ、制御電圧端子１３からのドレイン電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００５９】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００６０】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００６１】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設けてドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００６２】
実施の形態５．
なお、上記実施の形態４では、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御してもよい。
【００６３】
図６は、この発明の実施の形態５の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図６において、前述（図１、図３〜図５、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００６４】
図６において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００６５】
次に、この発明の実施の形態５による動作について説明する。
【００６６】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びゲート電圧端子２０より印加する。
【００６７】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、制御電圧端子１３からのドレイン電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００６８】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００６９】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００７０】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設けてドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００７１】
実施の形態６．
なお、上記実施の形態５では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御してもよい。
【００７２】
図７は、この発明の実施の形態６の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図７において、前述（図１、図３〜図６、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００７３】
図７において、電荷効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００７４】
次に、この発明の実施の形態６による動作について説明する。
【００７５】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、それぞれの制御電圧端子１３より印加する。
【００７６】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はソース・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御することにより、それぞれの可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００７７】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００７８】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００７９】
このように、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を設け、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００８０】
実施の形態７．
なお、上記実施の形態６では、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御してもよい。
【００８１】
図８は、この発明の実施の形態７の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図８において、前述（図１、図３〜図７、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００８２】
図８において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００８３】
次に、この発明の実施の形態７による動作について説明する。
【００８４】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、それぞれの制御電圧端子１３より印加する。
【００８５】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御することにより、それぞれの可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００８６】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００８７】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００８８】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ可変容量ダイオード７を設け、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の温度変動に対して温度補償を行うことができる。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化し、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を電界効果トランジスタのバイアスにより制御することで、共振回路のＱ値の低下や位相雑音の劣化がなく、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができ、また、簡単な回路で構成することができ、小形化することのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９０】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９１】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９２】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９３】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９４】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９５】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９６】
さらに、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示す回路図である。
【図２】この発明の実施の形態１による動作を説明する特性図である。
【図３】この発明の実施の形態２を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態３を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態４を示す回路図である。
【図６】この発明の実施の形態５を示す回路図である。
【図７】この発明の実施の形態６を示す回路図である。
【図８】この発明の実施の形態７を示す回路図である。
【図９】従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器を示す回路図である。
【図１０】従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作を説明する特性図である。
【符号の説明】
１４ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１５ 反射回路、１６ １／２波長線路、１７ 誘電体共振器、１８ ５０Ω終端器、１９ ドレイン電圧端子、２０ ゲート電圧端子、２１ オペアンプ、２２ 基準電圧用抵抗。
【発明の属する技術分野】
この発明は、温度による発振周波数の変動の補償を行う温度補償回路付きマイクロ波発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は、特開昭５２−０８２０５９号公報に示された従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の回路図である。
【０００３】
図９において、１はマイクロ波の出力端子、２はグランド端子、３は増幅器、４は圧電結晶体振動子、５は結合コンデンサ、６はインダクタ、７は印加される電圧に応じて容量（逆電圧接合容量）が変化する可変容量ダイオードを示す。
【０００４】
８は直流阻止用コンデンサ、９は圧電結晶体振動子４と結合コンデンサ５とインダクタ６とから構成される共振回路、１０は可変容量ダイオード７の両端にそれぞれ接続された温度補償回路、１１は温度補償回路１０に用いられるサーミスタ、１２は温度補償回路１０に用いられる固定抵抗、１３は可変容量ダイオード７に電圧を印加させるための制御電圧端子を示す。
【０００５】
また、増幅器３の入力と出力との間には、圧電結晶体振動子４と、可変容量ダイオード７と直流阻止用コンデンサ８とで構成される直列回路が接続されている。
【０００６】
次に、図９とともに図１０を参照しながら、従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作について説明する。図１０は、従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作を説明する特性図である。
【０００７】
従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器は、圧電結晶体振動子４及び可変容量ダイオード７により構成される共振回路９を増幅器３の帰還に用いており、特定の周波数で帰還がかかる。帰還がかかることによりループ利得を得て発振させ、共振回路９の可変容量ダイオード７の端子間電圧を変化させる。
【０００８】
これにより、図１０（ａ）に示すように、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、図１０（ｂ）に示すように、発振周波数を所望の値に制御することができる。
【０００９】
この発振周波数は、温度に影響されるため、制御電圧端子１３から与えられる可変容量ダイオード７の端子間電圧は、所望の発振周波数が得られるように温度補償回路１０を介して与えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器は以上のように、可変容量ダイオード７のバイアスと増幅器３のバイアスとがそれぞれ独立しているために回路構成が複雑となるという問題点があった。
【００１１】
また、共振回路９に可変容量ダイオード７を用いているため、可変容量ダイオード７の内部抵抗に応じてＱ値が低下するという問題点があった。
【００１２】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、簡単な回路構成で、小形化することができ、共振回路９のＱ値の低下や位相雑音の劣化のない温度補償回路付きマイクロ波発振器を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器は、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化したものである。
【００１４】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１５】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１６】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するものである。
【００１７】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するものである。
【００１８】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するものである。
【００１９】
また、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するものである。
【００２０】
さらに、この発明に係る温度補償回路付きマイクロ波発振器の可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態１について詳細に説明する。
【００２２】
図１は、この発明の実施の形態１の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図１において、前述（図９参照）と同様のものについては、同一符号または符号の後に「ａ」を付して詳述を省略する。
【００２３】
図１において、１４は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１５は電界効果トランジスタ１４と接続された反射回路、１６は所望の周波数を阻止するための所望の周波数の１／２波長線路、１７は誘電体共振器、１８は５０Ω終端器、１９は電界効果トランジスタ１４のドレイン電圧端子を示す。
【００２４】
また、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間に可変容量ダイオード（バラクタダイオード）７を接続する。なお、可変容量ダイオード７は、可変容量ダイオード７のカソード端子電圧がアノード端子電圧より高くなる向きに接続される。
【００２５】
また、電界効果トランジスタ１４のゲート側には、１／２波長線路１６と、温度補償回路１０ａとを介して、制御電圧端子１３が接続されている。
【００２６】
次に、図１とともに図２を参照しながら、この発明の実施の形態１による動作について説明する。図２は、この発明の実施の形態１による動作を説明する特性図である。
【００２７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００２８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧は、ドレイン・ゲート間電圧により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を、温度補償回路１０ａを介して制御することにより可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、可変容量ダイオード７の端子間電圧の変化に応じて、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００３０】
その結果、図２（ｂ）に示すように、電界効果トランジスタ１４のみを用いた場合よりも発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００３１】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、共振回路のＱ値の低下や位相雑音の劣化がなく、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００３２】
また、電界効果トランジスタ１４の端子間に可変容量ダイオード７を接続し、可変容量ダイオード７のバイアスを電界効果トランジスタ１４のバイアスと共通化することにより、可変容量ダイオード用にバイアス回路を設ける必要がないため、可変容量ダイオード用に別にバイアス回路を有する構成と比較して、簡単な回路で構成することができ、小形化することができる。
【００３３】
実施の形態２．
なお、上記実施の形態１では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、ソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御してもよい。
【００３４】
図３は、この発明の実施の形態２の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図３において、前述（図１、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００３５】
図３において、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を接続する。
【００３６】
次に、この発明の実施の形態２による動作について説明する。
【００３７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００３８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はソース・ゲート間電圧により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００３９】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００４０】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００４１】
このように、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００４２】
実施の形態３．
なお、上記実施の形態２では、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御してもよい。
【００４３】
図４は、この発明の実施の形態３の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図４において、前述（図１、図３、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００４４】
図４において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を接続する。
【００４５】
次に、この発明の実施の形態３による動作について説明する。
【００４６】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びドレイン電圧端子１９より印加する。
【００４７】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間により与えられ、制御電圧端子１３からのゲート電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００４８】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間の容量が等価的に大きく変化する。
【００４９】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００５０】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間に可変容量ダイオード７を設けてゲート電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００５１】
実施の形態４．
なお、上記実施の形態１では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御してもよい。
【００５２】
図５は、この発明の実施の形態４の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図５において、前述（図１、図３、図４、図９参照）と同様のものについては、同一符号または同一符号の後に「ｂ」を付して詳述を省略する。
【００５３】
図５において、２０はゲート側の１／２波長線路１６に接続されたゲート電圧端子、２１はオペアンプ、２２は基準電圧用抵抗を示す。
【００５４】
また、温度補償回路１０ｂは、サーミスタ１１と固定抵抗１２とオペアンプ２１と基準電圧用抵抗２２とにより構成される。
【００５５】
また、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設け、電界効果トランジスタ１４のドレイン側に、１／２波長線路１６と、温度補償回路１０ｂとを介して、制御電圧端子１３が接続されている。
【００５６】
次に、この発明の実施の形態４による動作について説明する。
【００５７】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びゲート電圧端子２０より印加する。
【００５８】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ソース間により与えられ、制御電圧端子１３からのドレイン電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００５９】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００６０】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００６１】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設けてドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００６２】
実施の形態５．
なお、上記実施の形態４では、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御してもよい。
【００６３】
図６は、この発明の実施の形態５の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図６において、前述（図１、図３〜図５、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００６４】
図６において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００６５】
次に、この発明の実施の形態５による動作について説明する。
【００６６】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、制御電圧端子１３及びゲート電圧端子２０より印加する。
【００６７】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、制御電圧端子１３からのドレイン電圧を制御することにより、可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００６８】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００６９】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００７０】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオード７を設けてドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００７１】
実施の形態６．
なお、上記実施の形態５では、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御してもよい。
【００７２】
図７は、この発明の実施の形態６の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図７において、前述（図１、図３〜図６、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００７３】
図７において、電荷効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００７４】
次に、この発明の実施の形態６による動作について説明する。
【００７５】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、それぞれの制御電圧端子１３より印加する。
【００７６】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はソース・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御することにより、それぞれの可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００７７】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００７８】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００７９】
このように、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を設け、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができる。
【００８０】
実施の形態７．
なお、上記実施の形態６では、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御したが、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に可変容量ダイオードを設けてゲート電圧及びドレイン電圧を制御してもよい。
【００８１】
図８は、この発明の実施の形態７の温度補償回路付きマイクロ波発振器の構成を示す回路図である。なお、図８において、前述（図１、図３〜図７、図９参照）と同様のものについては、同一符号を付して詳述を省略する。
【００８２】
図８において、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間に、それぞれ可変容量ダイオード７を接続する。
【００８３】
次に、この発明の実施の形態７による動作について説明する。
【００８４】
まず、発振素子として用いている電界効果トランジスタ１４の端子電圧を、それぞれの制御電圧端子１３より印加する。
【００８５】
可変容量ダイオード７の端子間電圧はドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間により与えられ、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御することにより、それぞれの可変容量ダイオード７の端子間電圧が変化する。
【００８６】
したがって、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量が変化し、電界効果トランジスタ１４のソース・ゲート間及びドレイン・ソース間の容量が等価的に大きく変化する。
【００８７】
その結果、発振周波数を大きく変化させることができるので、補償可能な発振周波数の温度による変動の幅を広くすることができる。
【００８８】
このように、電界効果トランジスタ１４のドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ可変容量ダイオード７を設け、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御しても、可変容量ダイオード７の逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の温度変動に対して温度補償を行うことができる。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、ゲートバイアス回路またはドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、可変容量ダイオードは、可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、電界効果トランジスタのバイアスと可変容量ダイオードのバイアスとを共通化し、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を電界効果トランジスタのバイアスにより制御することで、共振回路のＱ値の低下や位相雑音の劣化がなく、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことができ、また、簡単な回路で構成することができ、小形化することのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９０】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９１】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間に接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９２】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路に接続され、ゲート電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９３】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９４】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ドレインバイアス回路に接続され、ドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９５】
また、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【００９６】
さらに、この発明によれば、可変容量ダイオードは、電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、温度補償回路は、ゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路に接続され、ゲート電圧及びドレイン電圧を制御するので、可変容量ダイオードの逆電圧接合容量を制御し、大きい発振周波数の変動に対して温度補償を行うことのできる温度補償回路付きマイクロ波発振器が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示す回路図である。
【図２】この発明の実施の形態１による動作を説明する特性図である。
【図３】この発明の実施の形態２を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態３を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態４を示す回路図である。
【図６】この発明の実施の形態５を示す回路図である。
【図７】この発明の実施の形態６を示す回路図である。
【図８】この発明の実施の形態７を示す回路図である。
【図９】従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器を示す回路図である。
【図１０】従来の温度補償回路付きマイクロ波発振器の動作を説明する特性図である。
【符号の説明】
１４ 電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、１５ 反射回路、１６ １／２波長線路、１７ 誘電体共振器、１８ ５０Ω終端器、１９ ドレイン電圧端子、２０ ゲート電圧端子、２１ オペアンプ、２２ 基準電圧用抵抗。
Claims (8)
- 発振素子として用いられる電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタを所望周波数で発振させる共振回路と、
前記電界効果トランジスタのゲート端子にゲート電圧を印加するゲートバイアス回路と、
前記電界効果トランジスタのドレイン端子にドレイン電圧を印加するドレインバイアス回路と、
前記ゲートバイアス回路または前記ドレインバイアス回路の少なくとも一方に対して前記所望周波数における温度補償を行う温度補償回路と、
前記電界効果トランジスタの端子間に印加される電圧に応じて容量が変化する可変容量ダイオードとを備え、
前記可変容量ダイオードは、
前記可変容量ダイオードのカソード端子電圧がアノード端子電圧よりも高くなる向きに接続され、前記電界効果トランジスタのバイアスと前記可変容量ダイオードのバイアスとを共通化したことを特徴とする温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間に接続され、
前記温度補償回路は、前記ゲートバイアス回路に接続され、前記ゲート電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのソース・ゲート間に接続され、
前記温度補償回路は、前記ゲートバイアス回路に接続され、前記ゲート電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間及びソース・ゲート間にそれぞれ接続され、
前記温度補償回路は、前記ゲートバイアス回路に接続され、前記ゲート電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのドレイン・ソース間に接続され、
前記温度補償回路は、前記ドレインバイアス回路に接続され、前記ドレイン電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのドレイン・ソース間及びドレイン・ゲート間にそれぞれ接続され、
前記温度補償回路は、前記ドレインバイアス回路に接続され、前記ドレイン電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、
前記温度補償回路は、前記ゲートバイアス回路及び前記ドレインバイアス回路に接続され、前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。 - 前記可変容量ダイオードは、前記電界効果トランジスタのドレイン・ゲート間、ソース・ゲート間及びドレイン・ソース間にそれぞれ接続され、
前記温度補償回路は、前記ゲートバイアス回路及び前記ドレインバイアス回路に接続され、前記ゲート電圧及び前記ドレイン電圧を制御することを特徴とする請求項１に記載の温度補償回路付きマイクロ波発振器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2004056189A true JP2004056189A (ja) | 2004-02-19 |
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| JP (1) | JP2004056189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2008-04-17 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
-
2002
- 2002-07-16 JP JP2002206913A patent/JP2004056189A/ja active Pending
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