JPH06196928A - 電圧制御形発振回路 - Google Patents
電圧制御形発振回路Info
- Publication number
- JPH06196928A JPH06196928A JP4346496A JP34649692A JPH06196928A JP H06196928 A JPH06196928 A JP H06196928A JP 4346496 A JP4346496 A JP 4346496A JP 34649692 A JP34649692 A JP 34649692A JP H06196928 A JPH06196928 A JP H06196928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- impedance
- controlled oscillator
- voltage
- resonance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1221—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising multiple amplification stages connected in cascade
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0034—Circuit elements of oscillators including a buffer amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発振周波数制御のための制御電圧がC/N特
性補償用のインピーダンス要素を介して与えられる電圧
制御形発振回路10において、サイズを大型化させるこ
となく、C/N特性を改善する。 【構成】 C/N特性補償用のインピーダンスを、誘導
性要素Lと容量性要素C12との並列共振回路11で構
成している。 【効果】 並列共振回路11の共振周波数におけるイン
ピーダンスを、ラインインピーダンスとして使用するの
で、インピーダンスが小さな誘導性要素L、すなわち、
形状の小さなコイルあるいは面積の狭いストリップライ
ンを、ラインインピーダンスとして使用できる。
性補償用のインピーダンス要素を介して与えられる電圧
制御形発振回路10において、サイズを大型化させるこ
となく、C/N特性を改善する。 【構成】 C/N特性補償用のインピーダンスを、誘導
性要素Lと容量性要素C12との並列共振回路11で構
成している。 【効果】 並列共振回路11の共振周波数におけるイン
ピーダンスを、ラインインピーダンスとして使用するの
で、インピーダンスが小さな誘導性要素L、すなわち、
形状の小さなコイルあるいは面積の狭いストリップライ
ンを、ラインインピーダンスとして使用できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧制御形発振回路
(VCO)に関し、さらに詳しくは、発振周波数制御の
ための制御電圧がC/N特性補償用のインピーダンス要
素を介して与えられる電圧制御形発振回路に関する。
(VCO)に関し、さらに詳しくは、発振周波数制御の
ための制御電圧がC/N特性補償用のインピーダンス要
素を介して与えられる電圧制御形発振回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来例の電圧制御形発振回路の
一例を示す回路図である。
一例を示す回路図である。
【0003】同図に示される電圧制御形発振回路は、コ
ントロール端子Cと出力端子Pとの間に、コントロール
端子Cに印加される電圧Vcによって発振周波数を変化
させられる発振段40と、負荷変動によって発振段40で
の発振周波数が変動するのを防止するためのバッファ段
5と、出力端子Pに接続される次段回路との整合および
高調波抑制のための出力整合段6とを備えて構成されて
いる。
ントロール端子Cと出力端子Pとの間に、コントロール
端子Cに印加される電圧Vcによって発振周波数を変化
させられる発振段40と、負荷変動によって発振段40で
の発振周波数が変動するのを防止するためのバッファ段
5と、出力端子Pに接続される次段回路との整合および
高調波抑制のための出力整合段6とを備えて構成されて
いる。
【0004】発振段40は、後述のラインインピーダン
スZvcと称されるC/N特性補償用のインピーダンス
要素、カップリングコンデンサC10,C11、可変容
量ダイオードVD、および共振用インダクタL3、バイ
アス抵抗R4〜R6、コルピッツ容量C8,C9、発振
用トランジスタQ2、および高周波バイパスコンデンサ
C6を有しており、そのうち、カップリングコンデンサ
C11、可変容量ダイオードVD、および共振用インダ
クタL3でもってコントロール端子Cに印加される制御
電圧で共振周波数が変化する共振回路7が構成されてい
る。
スZvcと称されるC/N特性補償用のインピーダンス
要素、カップリングコンデンサC10,C11、可変容
量ダイオードVD、および共振用インダクタL3、バイ
アス抵抗R4〜R6、コルピッツ容量C8,C9、発振
用トランジスタQ2、および高周波バイパスコンデンサ
C6を有しており、そのうち、カップリングコンデンサ
C11、可変容量ダイオードVD、および共振用インダ
クタL3でもってコントロール端子Cに印加される制御
電圧で共振周波数が変化する共振回路7が構成されてい
る。
【0005】バッファ段5は、バイアス抵抗R1,R
2、バッファ用トランジスタQ1を含むとともに、コン
デンサC4を有している。
2、バッファ用トランジスタQ1を含むとともに、コン
デンサC4を有している。
【0006】出力整合段6は、チョークコイルL1、カ
ップリングコンデンサC1、および高周波バイパスコン
デンサC2を有している。なお、C7はカップリングコ
ンデンサ、C5は高周波バイパスコンデンサである。
ップリングコンデンサC1、および高周波バイパスコン
デンサC2を有している。なお、C7はカップリングコ
ンデンサ、C5は高周波バイパスコンデンサである。
【0007】一般に、電圧制御形発振回路では、コント
ロール端子Cと共振回路7との間には、上述のようにC
/N特性補償用のラインインピーダンスZvcと称され
る誘導性要素あるいは抵抗要素が設けられており、この
ラインインピーダンスZvcによって、制御電圧源によ
る共振回路7のQダンプを抑制して良好なC/N特性を
維持しており、また、このラインインピーダンスが大き
い程、良好なC/N特性を得ることができるものであ
る。
ロール端子Cと共振回路7との間には、上述のようにC
/N特性補償用のラインインピーダンスZvcと称され
る誘導性要素あるいは抵抗要素が設けられており、この
ラインインピーダンスZvcによって、制御電圧源によ
る共振回路7のQダンプを抑制して良好なC/N特性を
維持しており、また、このラインインピーダンスが大き
い程、良好なC/N特性を得ることができるものであ
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、コードレス
電話、携帯電話、ページャ等に用いられている小形の電
圧制御形発振器においては、上述のラインインピーダン
スZvcとして、主にコイル、ストリップライン等の伝
送線路あるいは抵抗要素が使用されている。
電話、携帯電話、ページャ等に用いられている小形の電
圧制御形発振器においては、上述のラインインピーダン
スZvcとして、主にコイル、ストリップライン等の伝
送線路あるいは抵抗要素が使用されている。
【0009】しかしながら、抵抗要素を、ラインインピ
ーダンスZvcとして使用した場合には、熱雑音の影響
によって電圧制御形発振回路のC/N特性が劣化するの
で、誘導性要素を使用するのが望ましい。
ーダンスZvcとして使用した場合には、熱雑音の影響
によって電圧制御形発振回路のC/N特性が劣化するの
で、誘導性要素を使用するのが望ましい。
【0010】ところが、ラインインピーダンスZvcと
して誘導性要素を使用して大きなインピーダンスを得る
には、形状の大きなコイルあるいは広い面積で形成され
たストリップラインが必要となり、電圧制御形発振回路
の小型化の要請に反することになる。
して誘導性要素を使用して大きなインピーダンスを得る
には、形状の大きなコイルあるいは広い面積で形成され
たストリップラインが必要となり、電圧制御形発振回路
の小型化の要請に反することになる。
【0011】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、ラインインピーダンスとして誘導性要素を使
用し、しかも、サイズを大型化させることなく、C/N
特性を改善することを目的とする。
であって、ラインインピーダンスとして誘導性要素を使
用し、しかも、サイズを大型化させることなく、C/N
特性を改善することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、発振周波数制御のための制御電圧が
C/N特性補償用のインピーダンス要素を介して与えら
れる電圧制御形発振回路において、前記インピーダンス
要素が、誘導性要素と容量性要素との並列共振回路で構
成されている。
を達成するために、発振周波数制御のための制御電圧が
C/N特性補償用のインピーダンス要素を介して与えら
れる電圧制御形発振回路において、前記インピーダンス
要素が、誘導性要素と容量性要素との並列共振回路で構
成されている。
【0013】
【作用】上記構成によれば、C/N特性補償用のインピ
ーダンス要素を、誘導性要素と容量性要素との並列共振
回路で構成したので、その共振周波数における最大のイ
ンピーダンスを、ラインインピーダンスとして使用する
ことができ、これによって、インピーダンスが小さな誘
導性要素、すなわち、形状の小さなコイルあるいは面積
の狭いストリップラインを、ラインインピーダンスとし
て使用できることになり、電圧制御形発振回路を大型化
させることなく、C/N特性を改善できる。
ーダンス要素を、誘導性要素と容量性要素との並列共振
回路で構成したので、その共振周波数における最大のイ
ンピーダンスを、ラインインピーダンスとして使用する
ことができ、これによって、インピーダンスが小さな誘
導性要素、すなわち、形状の小さなコイルあるいは面積
の狭いストリップラインを、ラインインピーダンスとし
て使用できることになり、電圧制御形発振回路を大型化
させることなく、C/N特性を改善できる。
【0014】
【実施例】以下、図面によって本発明の実施例につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明の実施例1に係る電圧制御
形発振回路の回路図であり、図6の従来例と同一または
相当する部分には、同一の参照符を付し、以下において
は、当該従来例との相違点を主に説明する。
形発振回路の回路図であり、図6の従来例と同一または
相当する部分には、同一の参照符を付し、以下において
は、当該従来例との相違点を主に説明する。
【0016】この実施例の電圧制御形発振回路10で
は、コントロール端子Cと共振回路7との間には、C/
N特性補償用のラインインピーダンスZvcとして、誘
導性要素であるコイルLと、容量性要素であるコンデン
サC12とからなる並列共振回路11が設けられてお
り、その他の構成は、図6の従来例と同様である。
は、コントロール端子Cと共振回路7との間には、C/
N特性補償用のラインインピーダンスZvcとして、誘
導性要素であるコイルLと、容量性要素であるコンデン
サC12とからなる並列共振回路11が設けられてお
り、その他の構成は、図6の従来例と同様である。
【0017】この並列共振回路11の共振周波数は、発
振段4の共振回路7の共振周波数に略等しくなるように
設定される。
振段4の共振回路7の共振周波数に略等しくなるように
設定される。
【0018】共振回路7の共振周波数は、図2の破線で
示される共振回路7の共振特性からも明らかなように、
制御電圧に応じて変化するので、この変化に対応できる
ように、並列共振回路11では、そのQの値を低くして
図2の実線で示されるように、平坦な共振特性としてい
る。
示される共振回路7の共振特性からも明らかなように、
制御電圧に応じて変化するので、この変化に対応できる
ように、並列共振回路11では、そのQの値を低くして
図2の実線で示されるように、平坦な共振特性としてい
る。
【0019】このように並列共振回路11の共振周波数
におけるインピーダンスを、ラインインピーダンスとし
て使用するので、インピーダンスが小さな誘導性要素、
すなわち、形状の小さなコイルあるいは面積の狭いスト
リップラインを使用できることになり、電圧制御形発振
回路10を大型化させることなく、C/N特性を改善で
きることになる。
におけるインピーダンスを、ラインインピーダンスとし
て使用するので、インピーダンスが小さな誘導性要素、
すなわち、形状の小さなコイルあるいは面積の狭いスト
リップラインを使用できることになり、電圧制御形発振
回路10を大型化させることなく、C/N特性を改善で
きることになる。
【0020】なお、本件発明者らの実験によれば、C/
N特性補償用のラインインピーダンスZvcとして、
0.33μHのコイルLのみを使用した従来例に対し
て、0.33μHのコイルLと22pFのコンデンサC
12とからなる並列共振回路11を使用した本発明で
は、4.4dBのC/N特性の向上が確認された。
N特性補償用のラインインピーダンスZvcとして、
0.33μHのコイルLのみを使用した従来例に対し
て、0.33μHのコイルLと22pFのコンデンサC
12とからなる並列共振回路11を使用した本発明で
は、4.4dBのC/N特性の向上が確認された。
【0021】図3は、本発明の実施例2に係る電圧制御
形発振回路の回路図であり、上述の実施例1と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
形発振回路の回路図であり、上述の実施例1と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
【0022】この実施例の電圧制御形発振回路12で
は、実施例1の並列共振回路11において、コンデンサ
C12に直列に、可変容量ダイオードVD1を接続した
ものであり、その他の構成は、実施例1と同様である。
は、実施例1の並列共振回路11において、コンデンサ
C12に直列に、可変容量ダイオードVD1を接続した
ものであり、その他の構成は、実施例1と同様である。
【0023】この実施例では、制御電圧によって変化す
る発振段41の共振回路7の共振周波数に対応して、並
列共振回路111の共振周波数を可変容量ダイオードV
D1によって変化させるものであり、これによって、最
大のインピーダンスをラインインピーダンスとして利用
して制御電圧によるC/N特性の変化を抑制できること
になる。
る発振段41の共振回路7の共振周波数に対応して、並
列共振回路111の共振周波数を可変容量ダイオードV
D1によって変化させるものであり、これによって、最
大のインピーダンスをラインインピーダンスとして利用
して制御電圧によるC/N特性の変化を抑制できること
になる。
【0024】図4は、本発明の実施例3に係る電圧制御
形発振回路の回路図であり、上述の実施例2と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
形発振回路の回路図であり、上述の実施例2と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
【0025】この実施例の電圧制御形発振回路13で
は、実施例2の並列共振回路111において、さらに共
振周波数調整用の容量性要素であるコンデンサC13が
並列に付加されたものであり、その他の構成は、実施例
2と同様である。このように共振周波数調整用のコンデ
ンサC13を付加することによって、より正確に共振回
路7の共振周波数に合わせることができる。
は、実施例2の並列共振回路111において、さらに共
振周波数調整用の容量性要素であるコンデンサC13が
並列に付加されたものであり、その他の構成は、実施例
2と同様である。このように共振周波数調整用のコンデ
ンサC13を付加することによって、より正確に共振回
路7の共振周波数に合わせることができる。
【0026】図5は、本発明の実施例4に係る電圧制御
形発振回路の回路図であり、上述の実施例1と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
形発振回路の回路図であり、上述の実施例1と同一また
は相当する部分には、同一の参照符を付す。
【0027】この実施例の電圧制御形発振回路14で
は、実施例1の並列共振回路11において、その共振特
性をより平坦化するための抵抗Rが並列に付加されたも
のであり、その他の構成は、実施例1と同様である。
は、実施例1の並列共振回路11において、その共振特
性をより平坦化するための抵抗Rが並列に付加されたも
のであり、その他の構成は、実施例1と同様である。
【0028】この抵抗Rによって並列共振回路113の
Qの値を低くして共振特性を平坦にして広い周波数帯域
において、大きなインピーダンスを得ることができる。
Qの値を低くして共振特性を平坦にして広い周波数帯域
において、大きなインピーダンスを得ることができる。
【0029】なお、上記のいずれの実施例においても、
並列共振回路11,111,112,113を除く他の回
路部分は、任意に変更が可能である。
並列共振回路11,111,112,113を除く他の回
路部分は、任意に変更が可能である。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、C/N特
性補償用のインピーダンス要素を、誘導性要素と容量性
要素との並列共振回路で構成したので、その共振周波数
における最大のインピーダンスを、ラインインピーダン
スとして使用することができ、これによって、インピー
ダンスが小さな誘導性要素、すなわち、形状の小さなコ
イルあるいは面積の狭いストリップラインを、ラインイ
ンピーダンスとして使用できることになり、電圧制御形
発振回路を大型化させることなく、C/N特性を改善で
きることになる。
性補償用のインピーダンス要素を、誘導性要素と容量性
要素との並列共振回路で構成したので、その共振周波数
における最大のインピーダンスを、ラインインピーダン
スとして使用することができ、これによって、インピー
ダンスが小さな誘導性要素、すなわち、形状の小さなコ
イルあるいは面積の狭いストリップラインを、ラインイ
ンピーダンスとして使用できることになり、電圧制御形
発振回路を大型化させることなく、C/N特性を改善で
きることになる。
【図1】本発明の実施例1の回路図である。
【図2】図1の共振特性を示す図である。
【図3】本発明の実施例2の回路図である。
【図4】本発明の実施例3の回路図である。
【図5】本発明の実施例4の回路図である。
【図6】従来例の回路図である。
10,12,13,14 電圧制御形発振回路 11,111,112,113 並列共振回路 4,40,41,42,43 発振段 5 バッファ段 6 出力整合段 L コイル C12,C13 コンデンサ R 抵抗
Claims (4)
- 【請求項1】 発振周波数制御のための制御電圧がC/
N特性補償用のインピーダンス要素を介して与えられる
電圧制御形発振回路において、 前記インピーダンス要素が、誘導性要素と容量性要素と
の並列共振回路で構成されていることを特徴とする電圧
制御形発振回路。 - 【請求項2】 前記並列共振回路が、前記容量性要素と
して可変容量ダイオードを含むことを特徴とする請求項
第1項に記載の電圧制御形発振回路。 - 【請求項3】 前記並列共振回路が、さらに共振周波数
調整用の容量性要素が並列に付加されていることを特徴
とする請求項第1項に記載の電圧制御形発振回路。 - 【請求項4】 前記並列共振回路が、さらにその共振特
性を平坦化するための抵抗要素が並列に付加されている
ことを特徴とする請求項第1項に記載の電圧制御形発振
回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4346496A JPH06196928A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 電圧制御形発振回路 |
DE4342813A DE4342813A1 (de) | 1992-12-25 | 1993-12-15 | Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung |
GB9326407A GB2274034B (en) | 1992-12-25 | 1993-12-24 | Voltage-controller oscillation circuit |
US08/431,409 US5534825A (en) | 1992-12-25 | 1995-04-28 | Volage-controlled oscillation circuit with an impedance element for carrier-to-noise compensation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4346496A JPH06196928A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 電圧制御形発振回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06196928A true JPH06196928A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18383825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4346496A Pending JPH06196928A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 電圧制御形発振回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5534825A (ja) |
JP (1) | JPH06196928A (ja) |
DE (1) | DE4342813A1 (ja) |
GB (1) | GB2274034B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005107063A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | バイアス回路 |
WO2008108201A1 (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | 高周波用電圧制御発振回路 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273545A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御形発振器 |
JP3264811B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2002-03-11 | アルプス電気株式会社 | 電圧制御可変同調回路 |
FI101657B1 (fi) * | 1996-07-25 | 1998-07-31 | Nokia Mobile Phones Ltd | Jänniteohjattu oskillaattorikytkentä |
US5856763A (en) * | 1997-03-05 | 1999-01-05 | Motorola Inc. | Dual frequency voltage controlled oscillator |
US6150891A (en) | 1998-05-29 | 2000-11-21 | Silicon Laboratories, Inc. | PLL synthesizer having phase shifted control signals |
US6327463B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-12-04 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for generating a variable capacitance for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US7035607B2 (en) * | 1998-05-29 | 2006-04-25 | Silicon Laboratories Inc. | Systems and methods for providing an adjustable reference signal to RF circuitry |
US6233441B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-05-15 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for generating a discretely variable capacitance for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US6147567A (en) * | 1998-05-29 | 2000-11-14 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for providing analog and digitally controlled capacitances for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US6304146B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-10-16 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for synthesizing dual band high-frequency signals for wireless communications |
US6993314B2 (en) | 1998-05-29 | 2006-01-31 | Silicon Laboratories Inc. | Apparatus for generating multiple radio frequencies in communication circuitry and associated methods |
US6311050B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-10-30 | Silicon Laboratories, Inc. | Single integrated circuit phase locked loop for synthesizing high-frequency signals for wireless communications and method for operating same |
US7242912B2 (en) * | 1998-05-29 | 2007-07-10 | Silicon Laboratories Inc. | Partitioning of radio-frequency apparatus |
US6137372A (en) | 1998-05-29 | 2000-10-24 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for providing coarse and fine tuning control for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US6308055B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-10-23 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for operating a PLL for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US6574288B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-06-03 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for adjusting a digital control word to tune synthesized high-frequency signals for wireless communications |
US6167245A (en) * | 1998-05-29 | 2000-12-26 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for operating a PLL with a phase detector/sample hold circuit for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US6226506B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-05-01 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for eliminating floating voltage nodes within a discreetly variable capacitance used for synthesizing high-frequency signals for wireless communications |
US7092675B2 (en) * | 1998-05-29 | 2006-08-15 | Silicon Laboratories | Apparatus and methods for generating radio frequencies in communication circuitry using multiple control signals |
US7221921B2 (en) * | 1998-05-29 | 2007-05-22 | Silicon Laboratories | Partitioning of radio-frequency apparatus |
SE514174C2 (sv) * | 1999-03-09 | 2001-01-15 | Ericsson Telefon Ab L M | Resonator med variabel resonansfrekvens |
JP3740977B2 (ja) | 1999-12-22 | 2006-02-01 | 株式会社村田製作所 | 電圧制御発振器、及び、これを用いた電子装置 |
US6504443B1 (en) | 2000-05-17 | 2003-01-07 | Nec America, Inc., | Common anode varactor tuned LC circuit |
US6323735B1 (en) | 2000-05-25 | 2001-11-27 | Silicon Laboratories, Inc. | Method and apparatus for synthesizing high-frequency signals utilizing on-package oscillator circuit inductors |
DE10107176A1 (de) * | 2001-02-15 | 2002-09-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Aufbau einer Oszillatorvorrichtung und elektronische Oszillatorvorrichtung... |
JP2003046357A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Sharp Corp | 高インピーダンス回路 |
WO2009138816A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Oscillator circuit |
US8610474B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-12-17 | Rambus Inc. | Signal distribution networks and related methods |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3400338A (en) * | 1967-03-23 | 1968-09-03 | Melpar Inc | Wide band voltage controlled oscillator |
DE3429868A1 (de) * | 1984-08-14 | 1986-02-20 | Blaupunkt-Werke Gmbh, 3200 Hildesheim | Abstimmbarer resonanzkreis fuer eine pll-fm - demodulator |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4346496A patent/JPH06196928A/ja active Pending
-
1993
- 1993-12-15 DE DE4342813A patent/DE4342813A1/de not_active Withdrawn
- 1993-12-24 GB GB9326407A patent/GB2274034B/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-28 US US08/431,409 patent/US5534825A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005107063A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | バイアス回路 |
JPWO2005107063A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2008-03-21 | 三菱電機株式会社 | バイアス回路 |
US7501914B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-03-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Bias circuit |
JP4588699B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-12-01 | 三菱電機株式会社 | バイアス回路 |
WO2008108201A1 (ja) | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | 高周波用電圧制御発振回路 |
US7956698B2 (en) | 2007-03-06 | 2011-06-07 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | High-frequency voltage-controlled oscillation circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9326407D0 (en) | 1994-02-23 |
GB2274034A (en) | 1994-07-06 |
US5534825A (en) | 1996-07-09 |
DE4342813A1 (de) | 1994-06-30 |
GB2274034B (en) | 1997-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06196928A (ja) | 電圧制御形発振回路 | |
KR0152463B1 (ko) | 전압 제어형 발진기 | |
JPH07273545A (ja) | 電圧制御形発振器 | |
US7330083B2 (en) | Oscillator having voltage dividing circuit | |
US5043681A (en) | Voltage controlled oscillator including a saw resonator | |
US6380816B1 (en) | Oscillator and voltage controlled oscillator | |
JP3565245B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
JP3330040B2 (ja) | 発振回路 | |
JPH11308050A (ja) | 電圧制御圧電発振器 | |
US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
KR100447743B1 (ko) | 복수의 공진기를 포함하는 전압제어 발진 장치 | |
JP3893932B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
KR100285307B1 (ko) | 동축공진기를이용한lc발진회로를구비하는전압제어발진기 | |
JP2001024436A (ja) | 電圧制御発振回路 | |
JPH03131104A (ja) | 電圧制御発振器 | |
JP2002353737A (ja) | 電圧制御発振器 | |
JP2002261546A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2002026660A (ja) | 電圧制御水晶発振器 | |
JPH057112A (ja) | 電圧制御発振器 | |
JP2000216633A (ja) | 電圧制御型水晶発振器 | |
JPH0715238A (ja) | 電圧制御発振器 | |
JPS6268306A (ja) | 電子同調発振器 | |
JPH04330808A (ja) | Saw共振子を用いた高周波発振器 | |
JP2001237643A (ja) | 電圧制御発振器および通信装置 | |
JPS64844B2 (ja) |