JPWO2005107063A1 - バイアス回路 - Google Patents

Abstract

伝送線路（１，２）上の一端にバイアス電圧またはバイアス電流を供給するバイアス回路であって、伝送線路上（１，２）を伝送するベースバンド信号の高周波成分を阻止するとともに、直流近傍の周波数成分を通過させるインダクタ（４）と、インダクタ（４）を実装することによって発生する寄生容量（５）とインダクタ（４）のインダクタンスとが共振を起こすことによって生じる伝送線路（１，２）から見たインピーダンスの低下を防止するためのインピーダンス低下防止素子（３）とを備える。

Description

この発明は、バイアス回路に関するものであり、詳細には、ベースバンド信号のように直流近傍の低周波から高周波に渡る広帯域なスペクトル成分を持つ信号の増幅などを行う半導体素子や光変調器などに直流バイアスを印加するバイアス回路に関するものである。

マイクロ波通信のように信号スペクトルが動作周波数近傍に集中している信号を扱う通信装置に適用されるバイアス回路として、下記特許文献１にその開示例がある。この特許文献１では、動作周波数の１／４波長の長さのショートスタブを用いて信号スペクトル周波数近傍で高いインピーダンスを実現し、直流を含むそれ以外の周波数に対しては積極的にインピーダンスを下げるという手法が用いられている。
また、トランジスタのゲートバイアスのようにインピーダンスの高い部分へバイアスを印加する場合の例として、下記特許文献２にその開示例がある。この特許文献２では、伝送線路のインピーダンスよりも十分大きなインピーダンスを有する抵抗器を用いてバイアスを印加する手法が用いられている。
しかしながら、特許文献１に示されるような１／４波長の長さのショートスタブを用いる手法では、信号スペクトルが動作周波数近傍に集中している信号の増幅回路に対しては適用できても、広帯域なスペクトル成分を有するベースバンド信号の増幅回路には適用ができないという欠点があった。
また、特許文献２に示されるような伝送線路のインピーダンスよりも十分大きなインピーダンスを有した抵抗器を用いる手法は、原理的に広帯域性を有する抵抗器本来の特性から、広帯域化への対応は比較的容易であるが、例えば、ドレイン端子のように電流供給の必要な端子へバイアス電圧を印加する際には、抵抗器における電圧降下分を加えたバイアス電圧を印加する必要があるため、電源電圧が大きくなるという問題があった。
これらの問題点を解決するものとして、広帯域信号に対しては高インピーダンスとなり、直流近傍では低インピーダンスとなるような特性を有するバイアス回路が存在する（例えば、非特許文献１など）。この非特許文献１に示されたバイアス回路では、バイアス電源とバイアス印加対象との間に広帯域信号をブロックするためのインダクタが挿入されている。
特開２０００−１９６３７９号公報 特開平３−２１６００３号公報 アンリツ電子計測器総合カタログ（ＣＤ−ＲＯＭ版） ２００３年版 ｐｐ．５２０
上述のようなインダクタを用いて交流信号をブロックする手法では、インダクタンス成分が可能な限り高く、高周波領域においても誘導性の性質が維持され、かつ周波数特性の良好なインダクタを用いる必要がある。
しかしながら、上述の非特許文献１に示された手法では、インダクタを実装する際に、実装パタンと接地電位間にわずかな容量が寄生すると直列共振を起こし、当該共振周波数でのバイアス回路のインピーダンスが非常に小さくなって所望の特性が得られなくなるという問題点があった。
この問題点は、前述の直列共振が生じた場合に入力端子を通過した広帯域信号のうちの共振周波数近傍の周波数成分が出力端子に向かわずにインピーダンスの低いバイアス回路側へ流入してしまうことで、一部の信号の欠落や、信号レベルの低下が生起することに原因があった。
なお、ベースバンド信号の情報は時間軸の特定タイミングにおける電流や電圧値に付与されているので、特定周波数成分の欠落やレベル低下がトータルの信号電力に対してわずかな量であっても時間波形劣化による誤り率増大の原因となる。
このような状況に鑑み、本発明は、共振によって発生するベースバンド信号の部分的欠落を防止し、信号特性劣化を抑制したバイアス回路を提供することを目的とするものである。

この発明にかかる光受信装置にあっては、伝送線路上の一端にバイアス電圧またはバイアス電流を供給するバイアス回路であって、伝送線路上を伝送するベースバンド信号の高周波成分を阻止するとともに、直流近傍の周波数成分を通過させるインダクタと、前記インダクタを実装することによって発生する寄生容量と該インダクタのインダクタンスとが共振を起こすことによって生じる前記伝送線路から見たインピーダンスの低下を防止するためのインピーダンス低下防止素子と、を備えたことを特徴とする。
この発明によれば、バイアス回路に備えられたインダクタと、インピーダンス低下防止素子とによって構成された並列回路のインピーダンス成分が誘導リアクタンス成分だけでなく、抵抗成分も併せ持つようになる。その結果、インダクタを実装することによって発生した寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止される。

第１図は、この発明の実施の形態１にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第２Ａ図は、第１図の構成から抵抗素子３が除かれたバイアス回路の構成を示す図であり、第２Ｂ図は、第２Ａ図に示すバイアス回路の角周波数に対する通過特性を示す図であり、第３Ａ図は、第２Ａ図に示した従来回路において構成されるＬＣ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第３Ｂ図は、当該ＬＣ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図であり、第４Ａ図は、第２Ａ図に示す従来回路の共振周波数における各インピーダンスベクトルを模式的に示す図であり、第４Ｂ図は、第１図に示す実施の形態１の回路の共振周波数における各インピーダンスベクトルを模式的に示す図であり、第５Ａ図は、第１図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第５Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図であり、第６図は、この発明の実施の形態２にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第７Ａ図は、第６図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第７Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図であり、第８図は、この発明の実施の形態３にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第９Ａ図は、第８図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第９Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図であり、第１０図は、この発明の実施の形態４にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第１１Ａ図は、第１０図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第１１Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図であり、第１２図は、この発明の実施の形態５にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第１２図は、この発明の実施の形態５にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第１３図は、この発明の実施の形態６にかかるバイアス回路の構成を示す図であり、第１４Ａ図は、第１３図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第１４Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。

以下に添付図面を参照して、本発明にかかるバイアス回路の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
実施の形態１．
第１図は、この発明の実施の形態１にかかるバイアス回路の構成を示す図である。同図に示すバイアス回路は、例えば、信号入力端１と信号出力端２とを備えた高速信号線路上の一端にバイアス電圧（またはバイアス電流、以下「バイアス電源」という）を供給するための構成である。同図において、従来技術にて構成されたＤＣバイアス回路６から出力されるバイアス電源が抵抗器３とインダクタ４との並列回路を介して高速信号線路上の一端に供給される。なお、インダクタ４は、上述の交流信号をブロックするインダクタである。また、キャパシタ５は上述した実装パタンと接地電位間に発生する寄生容量であり、キャパシタ５の一端は抵抗素子３とインダクタ４との並列回路の一端に接続され、他端はグランドに接地されている。
つぎに、第１図に示したバイアス回路の動作について説明するが、第１図の動作の説明の前に、第１図の構成から抵抗素子３が除かれたバイアス回路の回路特性について考察する。なお、第２Ａ図は、第１図の構成から抵抗素子３が除かれたバイアス回路の構成を示す図であり、第２Ｂ図は、第２Ａ図に示すバイアス回路の角周波数に対する通過特性を示す図である。
第２Ａ図に示す回路構成では、インダクタ４とキャパシタ５とが直列共振を起こす共振周波数（あるいは共振角周波数）が存在する。したがって、当該共振周波数の近傍において、高速信号線路からバイアス回路側を見たインピーダンスが非常に小さくなり、第２Ｂ図に示すように信号通過特性が劣化することになる。
また、第３Ａ図は、第２Ａ図に示した従来回路において構成されるＬＣ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第３Ｂ図は、当該ＬＣ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。
当該回路のインピーダンスのリアクタンス成分は、角周波数ωが０から∞に増加するとき、ある角周波数を境にして容量性から誘導性に変化する。この変化点を決める周波数（角周波数）が共振周波数（共振角周波数）であり、第３Ａ図であれば急峻に落ち込んだ曲線上の窪み（ディップ）の部分での周波数であり、第３Ｂ図であれば座標原点における周波数である。
例えば、第２Ａ図に示すインダクタ４のインダクタンスが１μＨであり、キャパシタ５の寄生容量が１ｐＦとすると、共振周波数は約１５０ＭＨｚとなる。
いま、広帯域信号の例としてベースバンド信号を考えた場合、一般的な目安として信号ビットレートの数倍から１万分の１の周波数領域において、信号成分の欠落や信号レベルの低下があると信号波形が歪み、信号特性劣化が起こると言われている。つまり、前述の例もある、１μＨのインダクタンスと１ｐＦの寄生容量とから構成される第２Ａ図のバイアス回路を適用することができるベースバンド信号は、信号速度が１５００Ｇｂｐｓ以上のものに限定されることになる。したがって、第２Ａ図に示すバイアス回路は、非現実的な回路となってしまう。
つぎに、第１図に示すバイアス回路において、インダクタ４に並列に付加された抵抗素子３の役割について、第４Ａ図および第４Ｂ図を用いて説明する。なお、第４Ａ図は、第２Ａ図に示す従来回路の共振周波数における各インピーダンスベクトルを模式的に示す図であり、第４Ｂ図は、第１図に示す実施の形態１の回路の共振周波数における各インピーダンスベクトルを模式的に示す図である。すなわち、第４Ａ図と第４Ｂ図との差は抵抗素子３があるか否かが異なるのみである。
第２Ａ図において、インダクタ４のインダクタンスをＬとし、キャパシタ５のキャパシタンスをＣとすれば、インダクタ４とキャパシタ５とで構成される直列共振回路の共振角周波数ω_Ｃは、次式で表すことができる。

また、この共振角周波数ω_Ｃを用いて、直列共振回路のリアクタンス成分のうち、誘導性成分（以下「誘導リアクタンス成分」という）をＸ_Ｌとし、容量性成分（以下「容量リアクタンス成分」という）をＸ_Ｃとすれば、これらのＸ_ＬおよびＸ_Ｃは、式（１）を用いてそれぞれ次式のように表すことができる。

式（２）および式（３）から明らかなように、インダクタ４の誘導リアクタンス成分と、キャパシタ５の容量リアクタンス成分とは、絶対値が等しく、それぞれの符号が異なるので、第４Ａ図に示すように、互いに打ち消し合うように作用する。
一方、第１図に示すＲＬＣ共振回路では、第４Ｂ図に示すように、共振点におけるリアクタンス成分は打ち消し合っても抵抗成分は打ち消されないので、共振点においてインピーダンスがゼロとなることはない。
なお、第４Ｂ図のインピーダンスベクトル図は、抵抗素子３をインダクタ４に並列に挿入した場合の当該図であったが、抵抗素子３をインダクタ４に直列に挿入した場合は、第４Ａ図のインピーダンスベクトル図を抵抗素子３の抵抗成分だけ右方向にシフトさせたものに相当する。つまり、一定の抵抗成分が常に保持されるので、共振点においてＲＬＣ共振回路のインピーダンスがゼロとなることはない。
また、第５Ａ図は、第１図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第５Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。
第１図に示すＬＣＲ共振回路では、インダクタ４に抵抗素子３が並列に接続されており、当該ＬＲ並列回路のインピーダンス成分が虚部（誘導リアクタンス成分）だけでなく、実部（抵抗成分）を有するようになるので、ＬＣＲ共振回路のインピーダンスは共振周波数においても、Ｒ，Ｌ，Ｃで決定される一定の値を有し、０になることはない。したがって、高速信号線路からバイアス回路を見た共振点におけるインピーダンスの低下を防止することができる。
以上説明したように、この実施の形態では、抵抗素子をインダクタに並列に接続しているので、インダクタを実装することによって発生した寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下を防止するための素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な周波数（すなわち共振周波数）近傍において、抵抗器として作用するものであればよい。
実施の形態２．
第６図は、この発明の実施の形態２にかかるバイアス回路の構成を示す図である。同図に示すバイアス回路は、第１図に示したバイアス回路において、抵抗素子３ａをインダクタ４と並列ではなく、寄生容量であるキャパシタ５に対して直列に接続されるように構成している。なお、その他の構成については実施の形態１と同一、あるいは同等であり、これらの部分については同一符号を付して示している。
つぎに、第６図に示したバイアス回路の動作について説明する。なお、第７Ａ図は、第６図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第７Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。
第６図に示すＬＣＲ共振回路では、キャパシタ５に対して抵抗素子３が直列に接続されており、インダクタ４を含めたＬＣＲ直列共振回路を構成するので、当該回路のインピーダンスは、第７Ａ図および第７Ｂ図に示すように抵抗素子３ａの抵抗値（Ｒ）以下になることはない。したがって、高速信号線路からバイアス回路を見た共振点におけるインピーダンスの低下を防止することができる。
以上説明したように、この実施の形態によれば、抵抗素子をインダクタを実装することによって発生した寄生容量に直列に接続しているので、寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下の防止素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な共振周波数近傍において、抵抗器として作用するものであればよいことは、実施の形態１のときと同様である。
実施の形態３．
第８図は、この発明の実施の形態３にかかるバイアス回路の構成を示す図である。同図に示すバイアス回路は、第６に示した実施の形態２のバイアス回路において、抵抗素子３ｂを寄生容量であるキャパシタ５に対して直列ではなく、並列に接続されるように構成している。なお、その他の構成については実施の形態２と同一、あるいは同等であり、これらの部分については同一符号を付して示している。
つぎに、第８図に示したバイアス回路の動作について説明する。なお、第９Ａ図は、第８図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第９Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。第１図のバイアス回路ではインダクタ４に対して抵抗素子３が並列に接続されているのに対して、第８図のバイアス回路ではキャパシタ５に対して抵抗素子３ｂが並列に接続されているので、ＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性や、インピーダンス軌跡は、第７Ａ図と、第７Ｂ図とをそれぞれ対称形にした、第９Ａ図と、第９Ｂ図と、に示されるそれぞれの特性となる。
第８図に示すＬＣＲ共振回路では、キャパシタ５に抵抗素子３ｂが並列に接続されているのでの、当該ＲＣ並列回路のインピーダンス成分が虚部（容量リアクタンス成分）だけでなく、実部（抵抗成分）を有するようになるため、ＬＣＲ共振回路のインピーダンスは共振周波数においても、Ｒ，Ｌ，Ｃで決定される一定の値を有し、０になることはない。したがって、高速信号線路からバイアス回路を見た共振点におけるインピーダンスの低下を防止することができる。
以上説明したように、この実施の形態によれば、抵抗素子をインダクタを実装することによって発生した寄生容量に並列に接続しているので、寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下の防止素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な共振周波数近傍において、抵抗器として作用するものであればよいことは、他の実施の形態のときと同様である。
実施の形態４．
第１０図は、この発明の実施の形態４にかかるバイアス回路の構成を示す図である。同図に示すバイアス回路は、第１図に示した実施の形態１のバイアス回路に加えて、抵抗素子３ｂを寄生容量であるキャパシタ５に対して並列に接続されるように構成している。なお、その他の構成については実施の形態１と同一、あるいは同等であり、これらの部分については同一符号を付して示している。
つぎに、第１０図に示したバイアス回路の動作について説明する。なお、第１１Ａ図は、第１０図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第１１Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。第１図のバイアス回路ではインダクタ４に対してのみ抵抗素子３が並列に接続されているのに対して、第１０図のバイアス回路ではキャパシタ５に対しても抵抗素子３ｂが並列に接続されている。
したがって、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性は、第５Ａ図と、第９Ａ図とを組み合わせた第１１Ａ図に示される特性となる。同様に、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡は、第５Ｂ図と、第９Ｂ図とを組み合わせた第１１Ｂ図に示される特性となる。
第１０図に示すＬＣＲ共振回路では、インダクタ４に抵抗素子３が並列に接続されており、当該ＬＲ並列回路のインピーダンス成分が虚部（誘導リアクタンス成分）だけでなく、実部（抵抗成分）を有するようになる。また、キャパシタ５に抵抗素子３ｂが並列に接続されているので、当該ＲＣ並列回路のインピーダンス成分が虚部（容量リアクタンス成分）だけでなく、実部（抵抗成分）を有するようになる。したがって、抵抗素子３，３ｂ、インダクタ４およびキャパシタ５で構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンスは共振周波数においても、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｌ，Ｃで決定される一定の値を有し、０になることはない。したがって、高速信号線路からバイアス回路を見た共振点におけるインピーダンスの低下を防止することができる。
また、バイアス回路から見たインピーダンスを広帯域に渡って所定の範囲内に抑制させることができるので、バイアス電源の安定供給が可能になる。
以上説明したように、この実施の形態によれば、抵抗素子をインダクタおよびインダクタを実装することによって発生した寄生容量のそれぞれに並列に接続しているので、寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下の防止素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な共振周波数近傍において、抵抗器として作用するものであればよいことは、他の実施の形態のときと同様である。
実施の形態５．
第１２図は、この発明の実施の形態５にかかるバイアス回路の構成を示す図である。第１図に示した実施の形態１のバイアス回路が単相の高速信号線路に対してバイアス電源を供給するものであったが、この実施の形態のバイアス回路は差動の高速信号線路に対してＤＣバイアス回路を共通にして各線路にバイアス電源を供給するものである。なお、この実施の形態のバイアス回路は、当該差動線路に対して実施の形態４のバイアス回路を適用しているが、他の実施の形態のバイアス回路を適用することもできる。
なお、第１２図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性や、インピーダンス軌跡は、上述の実施の形態１〜４に示した単相線路に対する各特性が差動線路の各線路に反映されたものとなる。
以上説明したように、この実施の形態では、差動線路を構成する一対の線路ごとに、インダクタを実装することによって発生した寄生容量に対して抵抗素子を並列に接続しているので、寄生容量成分を打ち消した後でも抵抗成分が残り、一対の伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下の防止素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な共振周波数近傍において、抵抗器として作用するものであればよいことは、他の実施の形態のときと同様である。
実施の形態６．
第１３図は、この発明の実施の形態６にかかるバイアス回路の構成を示す図である。この実施の形態のバイアス回路は、実施の形態４のバイアス回路の好適な構成の具体例を示すものである。
実施の形態４のところで説明したように、インダクタ４に抵抗素子３が並列に接続されているので当該ＬＲ並列回路のインピーダンスが抵抗成分を持たせることができ、また、寄生容量であるキャパシタ５に抵抗素子３ｂが並列に接続されているので当該ＲＣ並列回路のインピーダンス成分も抵抗成分を持たせることができる。
つぎに、実際に、上記のＬＲ並列回路のインピーダンスＺ_Ｌ、ＲＣ並列回路のインピーダンスＺ_Ｃとを計算してみる。
まず、ＬＲ並列回路のインピーダンスＺ_Ｌは次式で与えられる。

同様に、ＲＣ並列回路のインピーダンスＺ_Ｃは次式で与えられる。

ここで、付加される各抵抗値を

となるように選べば、合成インピーダンスＺ＝Ｚ_Ｌ＋Ｚ_Ｃは、式（３）、式（４）および式（５）式を用いて、次式のように簡単化できる。

式（７）によれば、直流を含む全周波数領域において一定の実数値となる。
なお、第１４Ａ図は、第１３図に示すバイアス回路において構成されるＬＣＲ共振回路のインピーダンス−周波数特性を示す模式図であり、第１４Ｂ図は、当該ＬＣＲ共振回路のインピーダンス軌跡を示す図である。これらの図に示される曲線は、式（７）に示す定インピーダンス特性を明確に表している。
このように、インダクタ４およびキャパシタ５にそれぞれ付加される抵抗素子３，３ｂの各抵抗値を、式（６）を満足するような値に設定すれば、高周波信号の入出力ポート１，２間の伝達関数は、前述のＲと高周波信号線路のインピーダンスから決まる一定の実数の損失となるため、ベースバンド信号の振幅が小さくなる以外は信号スペクトル間の相対強度、位相には一切影響を与えない無歪の回路に設計することができる。
例えば、第１３図に示すように、インダクタ４のインダクタンスＬ、キャパシタ５のキャパシタンスＣがそれぞれ、Ｌ＝８００ｎＨ，Ｃ＝０．８ｐＦのとき、抵抗素子３，３ａの各抵抗値Ｒ_Ｌを、Ｒ_Ｌ＝１ｋΩに設定すれば、バイアス回路のインピーダンスは、常に１ｋΩであり、信号入出力端から見た損失は常に０．２ｄＢを維持することができるので、バイアス電源の安定供給が可能になる。
以上説明したように、この実施の形態では、インダクタや抵抗素子の値を所定の値に設定しているので、インダクタを実装することによって発生した寄生容量成分を打ち消した後でも一定の抵抗成分が残り、伝送線路から見たインピーダンスの低下が防止され、ベースバンド信号の部分的欠落や、信号特性の劣化が抑制される。
なお、この実施の形態では、インダクタを実装することによって発生する寄生容量と、このインダクタとの共振によって生じる高速信号伝送線路から見たインピーダンス低下の防止素子として抵抗素子を用いるようにしているが、純粋な抵抗素子に限定されるものではなく、特に、インピーダンスの低下が顕著な共振周波数近傍において、抵抗器として作用するものであればよいことは、他の実施の形態のときと同様である。
また、これまでの実施の形態では、ＤＣバイアス回路６の外部にインダクタ４や、抵抗素子３を付加する構成について説明してきたが、ＤＣバイアス回路６に備えられるＤＣ電源自身が、上記のような構成を備えていてもよい。例えば、ＤＣ電源自身が、数百ｎＨ以上のインダクタンス成分を有し、かつ当該インダクタンス成分に並列に付加（あるいは等価的に付加）される抵抗成分が、実装段階で発生する寄生容量と当該インダクタンス成分とにより式（６）にて示される程度の値を有していればよい。

以上のように、本発明にかかるバイアス回路は、ベースバンド信号のように直流近傍の低周波から高周波に渡る広帯域なスペクトル成分を持つ信号の増幅などを行う半導体素子や光変調器などに直流バイアスを印加するバイアス回路として有用である。

Claims (11)

1. 伝送線路上の一端にバイアス電圧またはバイアス電流を供給するバイアス回路であって、
   伝送線路上を伝送するベースバンド信号の高周波成分を阻止するとともに、直流近傍の周波数成分を通過させるインダクタと、
   前記インダクタを実装することによって発生する寄生容量と該インダクタのインダクタンスとが共振を起こすことによって生じる前記伝送線路から見たインピーダンスの低下を防止するためのインピーダンス低下防止素子と、
   を備えたことを特徴とするバイアス回路。
2. 前記インピーダンス低下防止素子が抵抗器であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。
3. 前記インピーダンス低下防止素子が前記インダクタに並列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。
4. 前記インピーダンス低下防止素子が前記微小寄生容量に直列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。
5. 前記インピーダンス低下防止素子が前記微小寄生容量に並列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。
6. 前記インピーダンス低下防止素子が前記インダクタおよび前記微小寄生容量にそれぞれ並列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。
7. 一対の伝送線路で構成される差動線路上のそれぞれの一端にバイアス電圧またはバイアス電流を供給するバイアス回路であって、
   前記差動線路を構成する一対の伝送線路上を伝送するベースバンド信号の高周波成分を阻止するとともに、直流近傍の周波数成分を通過させるインダクタと、
   前記インダクタを実装することによって発生する寄生容量と該インダクタのインダクタンス成分とが共振を起こすことによって生じる前記差動線線路のそれぞれの線路から見たインピーダンスの低下を防止するためのインピーダンス低下防止素子と、
   を一対の伝送線路ごとに備えたことを特徴とするバイアス回路。
8. 前記インピーダンス低下防止素子が前記インダクタに並列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第７項に記載のバイアス回路。
9. 前記インピーダンス低下防止素子が前記微小寄生容量に直列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第７項に記載のバイアス回路。
10. 前記インピーダンス低下防止素子が前記微小寄生容量に並列に接続されたことを特徴とする請求の範囲第７項に記載のバイアス回路。
11. 前記インダクタのインダクタンスと、前記インピーダンス低下防止素子の抵抗成分と、を有する直流電源を備え、
    前記インダクタンスが数百ｎＨ以上の値に設定され、かつ前記抵抗成分が該インダクタンスと前記寄生容量との比の平方根の値に略設定されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のバイアス回路。

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