DE19740923A1 - Verfahren zur Herstellung von Siliciumtrichlorid - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SiliciumtrichloridInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Si
liciumtrichlorid durch Umsetzung von Silicium als einfache
Substanz mit Chlorwasserstoff. [Nachstehend wird "Silicium
als einfache Substanz" der Einfachheit halber als "Silicium"
bezeichnet.]
Siliciumtrichlorid wird im allgemeinen durch katalytische
Umsetzung von Silicium mit Chlorwasserstoff in Gegenwart ei
ner katalytischen Komponente hergestellt. Da metallurgisch
erzeugtes Silicium, das eine große Menge einer Eisenkompo
nente mit katalytischer Aktivität für diese Reaktion oder
Ferrosilicium als Siliciummetallverbindung, das ein Reakti
onsprodukt ist, verwendet wird, wird die Reaktion zwischen
Silicium und Chlorwasserstoff ohne Zugabe einer katalyti
schen Komponente durchgeführt. Obgleich das Reaktionsprodukt
hauptsächlich Siliciumtrichlorid ist, nimmt mit steigender
Temperatur der Anteil von als Nebenprodukt gebildetem Sili
ciumtetrachlorid zu. Es wird daher aus dem Temperaturbe
reich, bei der die Reaktion zwischen Silicium und Chlorwas
serstoff zufriedenstellend ablaufen kann, eine niedrige Re
aktionstemperatur ausgewählt. Da diese Reaktion eine stark
exotherme Reaktion ist, ist es erforderlich, die Reaktion
durch Erhöhung des Effekts der Abführung der Reaktionswärme
zu stabilisieren. Weiterhin wird im allgemeinen zur Erhöhung
der Reaktionswirksamkeit des Gas-Feststoffkontakts zwischen
dem pulverförmigen festen Silicium und dem Chlorwasserstoff
gas ein Wirbelschichtbett-Reaktor eingesetzt.
Zur kontinuierlichen Herstellung von Siliciumtrichlorid oder
Siliciumtetrachlorid durch diese Reaktion wird pulverförmi
ges festes Silicium als Ausgangsmaterial kontinuierlich oder
intermittierend in einen Reaktor eingespeist, während der
Reaktionsrückstand aus dem Reaktor entfernt wird.
Jedoch schreitet bei der Kontaktreaktion zwischen Silicium
und Chlorwasserstoff, selbst wenn der Reaktor mit Silicium
gefüllt ist und bei der vorgewählten Reaktionstemperatur ge
halten wird, und Chlorwasserstoffgas in den Reaktor zur
Durchführung der Kontaktreaktion zwischen Silicium und
Chlorwasserstoff eingeführt wird, die Reaktion zwischen
Chlorwasserstoff und dem Silicium am Beginn kaum glatt ab,
so daß kaum Siliciumtrichlorid gebildet wird. Dies ist dar
aufzurückzuführen, daß das Rohmaterial Silicium auf seiner
Oberfläche eine stabile Oxidschicht bildet. D.h., daß, weil
die Reaktivität der Oxidschicht gegenüber dem Chlorwasser
stoff erheblich geringer ist als die Reaktivität von Silici
um mit Chlorwasserstoff, sich Silicium mit einer Oxidschicht
auf seiner Oberfläche kaum direkt mit Chlorwasserstoff um
setzt, so daß es schwierig ist, Siliciumtrichlorid herzu
stellen.
Zur Verbesserung der Aktivität bei der Herstellung von Sili
ciumtrichlorid wird daher die Maßnahme angewandt, daß die
Reaktionstemperatur auf eine Temperatur höher als eine vor
bestimmte Temperatur, bei der das Silicium eine stetige Re
aktionsaktivität gegenüber dem Chlorwasserstoff zeigt, ange
hoben wird und daß das Rohmaterial-Silicium mit Chlorwasser
stoff in Kontakt gebracht wird, um die Oxidschicht von der
Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums zu entfernen. In diesem
Fall wird nach dem obigen Verfahrensschritt die Reaktortem
peratur auf eine vorbestimmte Reaktionstemperatur ernied
rigt, um eine stetige und stabile Aktivität für die Herstel
lung von Siliciumtrichlorid zu erhalten.
Wenn daher das Rohmaterial-Silicium in den Reaktor kontinu
ierlich oder intermittierend für die kontinuierliche Her
stellung von Siliciumtrichlorid eingeführt werden soll, dann
muß die Reaktionstemperatur auf eine derart hohe Temperatur
eingestellt werden, bei der sich die Oxidschicht des Silici
ums mit dem Chlorwasserstoff umsetzt und entfernt wird, oder
das Rohmaterial-Silicium muß mit Chlorwasserstoff bei der
obigen hohen Temperatur, bevor es in den Reaktor eingeleitet
wird, umgesetzt werden. Da aber im ersteren Falle die Reak
tionstemperatur auf eine höhere Temperatur eingestellt wird,
nimmt der Anteil des als Nebenprodukt erzeugten Silicium
tetrachlorids zu, und die Produktionsgeschwindigkeit von Si
liciumtrichlorid nimmt ab. Im letzteren Falle muß eine zu
sätzliche Vorrichtung zur Vorbehandlung des Rohmaterial-
Siliciums installiert werden, wodurch die Anlage vergrößert
wird und die Produktionskosten erhöht werden.
Es ist daher gewünscht worden, ein Verfahren zu entwickeln,
bei dem die Aktivität zur Herstellung von Siliciumtrichlorid
bei der Herstellung von Siliciumtrichlorid durch Umsetzung
von Silicium mit Chlorwasserstoff verbessert werden kann und
durch das es möglich ist, Siliciumtrichlorid stabil mit ho
her Selektivität selbst dann herzustellen, wenn die Reaktion
bei niedriger Temperatur durchgeführt wird.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfah
rens zur Herstellung von Siliciumtrichlorid aus Silicium und
Chlorwasserstoff durch Verbesserung der Reaktivität von Si
licium mit Chlorwasserstoff.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung
eines Verfahrens zur Herstellung von Siliciumtrichlorid
durch Durchführung einer Reaktion zwischen Silicium und
Chlorwasserstoff bei relativ niedriger Temperatur durch Ver
besserung der Reaktivität von Silicium gegenüber Chlorwas
serstoff.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung
eines Verfahrens zur Herstellung von Siliciumtrichlorid mit
hoher Selektivität durch Verbesserung der Reaktivität des
Siliciums gegenüber Chlorwasserstoff und unter Unterdrückung
der Erzeugung von Siliciumtetrachlorid.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Verfahren zur Her
stellung von Siliciumtrichlorid durch Umsetzung von Silicium
mit Chlorwasserstoff, umfassend die Kontaktierung von minde
stens einer Silanverbindung, ausgewählt aus der Gruppe, be
stehend aus Dichlorsilan, Monochlorsilan und Monosilan mit
Silicium während oder vor der Reaktion zwischen Silicium und
Chlorwasserstoff.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von Si
liciumtrichlorid werden die Verfahren, bei denen mindestens
eine Silanverbindung aus der Gruppe Dichlorsilan, Monochlor
silan und Monosilan mit Silicium kontaktiert wird, grob in
die folgenden zwei Verfahren aufgeteilt:
- (A) ein Verfahren, bei dem Silicium und Chlorwasserstoff miteinander in einer Atmosphäre, die die Silanverbindung enthält, umgesetzt werden; und
- (B) ein Verfahren, bei dem Silicium und Chlorwasserstoff miteinander umgesetzt werden, nachdem zuvor die Silan verbindung mit Silicium kontaktiert worden ist.
Nachstehend wird zuerst das Verfahren (A) beschrieben.
Erfindungsgemäß kann ohne Einschränkung jede bekannte Sili
ciumart verwendet werden. So kann beispielsweise durch Me
tallurgie hergestelltes Silicium, Ferrosilicium, polykri
stallines Silicium und dgl. verwendet werden. Die Arten und
die Mengen der in dem Silicium enthaltenen Verunreinigungen
sowie der Teilchendurchmesser und dgl. des Siliciums variie
ren entsprechend dem Herstellungsverfahren und dem Konser
vierungsverfahren.
Erfindungsgemäß wird bevorzugt, daß die mittlere Teilchen
größe des Siliciums klein ist und beispielsweise im Bereich
von 20 bis 100 µm liegt, gemessen nach der Blain-
Permeabilitätsmethode (JIS R 5201-1964), und zwar im Hin
blick auf die Reaktivität mit Chlorwasserstoff.
Die Oberfläche von Rohmaterial-Silicium ist im allgemeinen
mit Siliciumoxid bedeckt. Die Eigenschaften und die Mengen
des Siliciumoxids variieren je nach dem obigen Herstellungs
verfahren und dem Konservierungsverfahren des Siliciums. Die
Menge von Siliciumoxid kann beispielsweise aus den Peak-Ver
hältnissen von Siliciumoxid zu Silicium, gemessen durch ESCA
(Elektronenspektroskopie für die chemische Analyse), errech
net werden. Wenn das Silicium durch ESCA gemessen wird, dann
liegt das obige Peak-Verhältnis (Peak-Höhe von Siliciumoxid/
Peak-Höhe von Silicium) im allgemeinen im Bereich von 0,2
bis 3. Der obige Wert bedeutet, daß 17 bis 75 Gew.-% des
elementaren Siliciums auf der Oberfläche des Siliciums in
Form eines Oxids vorliegen. Dieses Siliciumoxid muß von der
Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums entfernt werden, da es
die Umsetzung zwischen dem Silicium und dem Chlorwasserstoff
beeinträchtigt.
Erfindungsgemäß ist der Effekt insbesondere dann erkennbar,
wenn Silicium eingesetzt wird, das auf seiner Oberfläche ei
ne große Menge von Siliciumoxid enthält. Beispielsweise ist
der erfindungsgemäße Effekt besonders groß, wenn ein Silici
um verwendet wird, das ein Peak-Verhältnis (Peak-Höhe von
Siliciumoxid/Peak-Höhe von Silicium) von 0,8 bis 3, bestimmt
durch ESCA-Analyse, aufweist.
Jeder beliebige Chlorwasserstoff kann erfindungsgemäß ohne
Einschränkungen verwendet werden. Der Chlorwasserstoff kann
direkt oder nach Verdünnung mit einem gegenüber der Reaktion
inaktiven Gas verwendet werden. Beispiele für gegenüber der
Reaktion inerte Gase sind Wasserstoffgas, Stickstoffgas, He
liumgas, Neongas, Argongas und dgl. Die Konzentration des
Chlorwasserstoffs im Falle der Verdünnung ist vorzugsweise
so hoch, daß die Reaktion zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff effektiv abläuft. Bei dem Verfahren (A)
wird eine später beschriebene Silanverbindung in der Gaspha
se während der Umsetzung zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff vorliegen gelassen bzw. die Umsetzung zwi
schen dem Silicium und Chlorwasserstoff wird in Gegenwart
der nachstehend beschriebenen Silanverbindung durchgeführt.
In diesem Fall ist die Konzentration von Chlorwasserstoff
vorzugsweise 20 bis 85 Vol.-%, bezogen auf das Volumen des
Mischgases aus Chlorwasserstoff und einem Verdünnungsmittel
gas.
Die Zuführungsgeschwindigkeit von Chlorwasserstoff steht mit
der Reaktionsgeschwindigkeit und der Raumgeschwindigkeit von
Chlorwasserstoff in den Reaktor im Zusammenhang und beträgt
vorzugsweise 0,5 bis 50 cm/s, obgleich sie von der einge
stellten Reaktionstemperatur abhängt.
Die erfindungsgemäß verwendete Silanverbindung ist minde
stens eine Verbindung, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend
aus Dichlorsilan, Monochlorsilan und Monosilan. Alle bekann
ten Silanverbindungen können als solche Silanverbindung ohne
Einschränkung verwendet werden. Diese Silanverbindungen ha
ben eine hohe Reaktivität mit Siliciumoxid auf der Oberflä
che des Rohmaterial-Siliciums. Als Ergebnis kann die Silici
umoxidschicht auf der Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums
rasch entfernt werden und daher kann erfindungsgemäß die Re
aktivität von Silicium mit Chlorwasserstoff gesteigert wer
den.
Diese Silanverbindungen können direkt eingesetzt werden oder
nach Verdünnung mit einem gegenüber der Reaktion inerten
Gas. Die oben beschriebenen Verdünnungsmittelgase für Chlor
wasserstoff können als gegenüber der Reaktion inerte Gase
verwendet werden. Die Konzentration der Silanverbindung in
der Gasphase beträgt vorzugsweise 1 Vol.-% oder mehr, mehr
bevorzugt 2 Vol.-% oder mehr, um die Siliciumoxidschicht auf
der Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums zu entfernen. Da
selbst bei einer Erhöhung der Konzentration der Silanverbin
dung auf mehr als 20 Vol.-% kein weiterer Effekt erzielt
werden kann, wird vorteilhafterweise eine Konzentration von
20 Vol.-% oder weniger, mehr bevorzugt 10 Vol.-% oder weni
ger, zur wirksamen Verwertung der Silanverbindung angewandt.
Da es sein kann, daß die Silanverbindung durch Umsetzung mit
in der Atmosphäre enthaltenem Wasser Siliciumoxid erzeugt,
kann angenommen werden, daß eine Verminderung der Ausbeute
des angestrebten Siliciumtrichlorids oder eine Verminderung
des Gebrauchseffekts der Silanverbindung bei der erfindungs
gemäßen Umsetzung bei Verwendung der Silanverbindung er
folgt. Daher werden die Silanverbindung, der Chlorwasser
stoff und die Gase zur Verdünnung der Silanverbindung und
des Chlorwasserstoffs vorzugsweise genügend getrocknet, und
sie haben beispielsweise einen Wassergehalt von 3000 ppm
oder weniger.
Erfindungsgemäß kann die Silanverbindung während des gesam
ten Zeitraums der Umsetzung zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff vorliegen gelassen werden oder nur während
eines Teils des Reaktionszeitraums. Insbesondere kann wie
folgt vorgegangen werden:
- (1) Die Silanverbindung kann während des gesamten Zeitraums der Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlorwasser stoff vorliegen gelassen werden;
- (2) die Silanverbindung kann zumindest zum Beginn der Reak tion vorliegen gelassen werden;
- (3) die Silanverbindung kann während eines Zeitraums vom Be ginn der Reaktion bis zum Zeitpunkt, wenn die Konzentra tion von Siliciumtrichlorid in der Gaszusammensetzung am Reaktorauslaß den maximalen Wert erreicht hat, vorhanden sein gelassen werden, in dem Fall, daß Chlorwasserstoff kontinuierlich in den Reaktor eingeführt und mit Silici um umgesetzt wird; oder
- (4) die Silanverbindung kann in dem Reaktionssystem minde stens zum Zeitpunkt der Einleitung in dem Fall vorhanden gelassen werden, daß die Reaktion in der Weise durchge führt wird, daß Silicium in den Reaktor intermittierend während der Reaktion eingespeist wird.
Die Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlorwasserstoff
wird vorteilhafterweise in Gegenwart eines Katalysators
durchgeführt. Es können alle beliebigen Katalysatoren ohne
Einschränkung eingesetzt werden, wenn sie eine katalytische
Aktivität zur Erzeugung von Siliciumtrichlorid aus Silicium
und Chlorwasserstoff haben. Bevorzugte Beispiele für den Ka
talysator sind Elemente der Gruppe VIII, wie Eisen, Kobalt,
Nickel, Vanadin und Platin und die Chloridverbindungen davon
sowie Metalle, wie Aluminium, Kupfer und Titan und die Chlo
ride davon und dgl.
Die Menge des verwendeten Katalysators beträgt 0,05 bis 40
Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 5 Gew.-%, bezogen auf die Menge
des Siliciums, ausgedrückt als elementares Metall, das in
dem Katalysator enthalten ist. Der Katalysator kann dadurch
vorhanden sein gelassen werden, daß er dem Reaktionssystem
zugesetzt wird. Wenn eine katalytische Komponente, wie eine
Eisenverbindung, als Verunreinigung in dem Rohmaterial-Sili
cium enthalten ist, dann kann sie wirksam als Katalysator
verwendet werden. Naturgemäß kann ein weiterer Katalysator
zu dem Reaktionssystem gegeben werden, um die Reaktivität
des Siliciums gegenüber dem Chlorwasserstoff zu erhöhen,
selbst dann, wenn ein Rohmaterial-Silicium verwendet wird,
das eine katalytische Komponente als Verunreinigung enthält.
Die Reaktionstemperatur ist vorzugsweise 250 bis 500°C, mehr
bevorzugt 250 bis 400°C, im Hinblick auf die Reaktionskon
trolle und das Reaktormaterial, da die Selektivität der Er
zeugung von Siliciumtrichlorid dazu neigt, sich zu vermin
dern, wenn die Reaktionstemperatur ansteigt und die Reaktion
eine exotherme Reaktion ist.
Da das erfindungsgemäß hergestellte Siliciumtrichlorid eine
H-Si-Bindung im Molekül hat, hat es, wie die obige Silanver
bindung, eine höhere Reaktivität gegenüber der Oxidschicht
auf der Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums als Chlorwas
serstoff. Die Reaktivität ist daher erheblich niedriger als
diejenige der Silanverbindung. Daher wird bei dem herkömmli
chen Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Silici
umtrichlorid unter Verwendung eines Wirbelschichtbett-
Reaktors selbst dann, wenn eine Aktivierungsbehandlung zur
Entfernung der Oxidschicht auf der Oberfläche des Rohmateri
al-Siliciums bei hoher Temperatur am Beginn der Reaktion
durchgeführt wird und wenn dann die Reaktion zwischen dem
Silicium und dem Chlorwasserstoff durch Erniedrigung der Re
aktionstemperatur durchgeführt wird, die Aktivität zur Her
stellung von Siliciumtrichlorid sofort nach neu erfolgender
Zugabe des Rohmaterial-Siliciums während der Reaktion ver
mindert. Die verminderte Aktivität kann nicht vollständig
durch das Siliciumtrichlorid ausgeglichen werden, das als
Produkt in dem Reaktor vorliegt. Daher kann eine anfängliche
stetige Aktivität nicht erhalten werden, nachdem das Rohma
terial-Silicium während der Umsetzung bei dem herkömmlichen
Verfahren eingeleitet worden ist. Erfindungsgemäß ist aber,
wenn Siliciumtrichlorid in Gegenwart der oben beschriebenen
speziellen Silanverbindung kontinuierlich hergestellt wird,
die Silanverbindung extrem wirksam, um die Aktivität zur
Herstellung von Siliciumtrichlorid sofort wiederherzustel
len, sogar dann, nach neuer Einführung des Rohmaterial-
Siliciums während der Reaktion.
Wenn Siliciumtrichlorid aus Silicium und Chlorwasserstoff
hergestellt werden soll, dann kann in manchen Fällen je nach
dem Typ des Rohmaterial-Siliciums und den Reaktionsbedingun
gen Dichlorsilan als Nebenprodukt gebildet werden. Jedoch
ist bei Verwendung von Silicium, das durch Metallurgie her
gestellt worden ist, oder von Ferrosilicium als Reaktionsma
terial die Menge von als Nebenprodukt gebildeten Dichlorsi
lan extrem klein, und sie beeinträchtigt den erfindungsgemä
ßen Effekt nicht.
Erfindungsgemäß können alle bekannten Festbett- und Wirbel
schichtbett-Reaktoren ohne Einschränkung als Reaktor für die
Umsetzung zwischen dem Silicium und dem Chlorwasserstoff
verwendet werden. Wenn die Reaktion zwischen dem Silicium
und dem Chlorwasserstoff zur kontinuierlichen Erzeugung von
Siliciumtrichlorid weitergeführt wird, dann muß festes Sili
cium in den Reaktor kontinuierlich oder intermittierend ein
geführt werden, um mit dem Chlorwasserstoffgas in Kontakt
gebracht zu werden. In diesem Fall wird vorzugsweise ein
Wirbelschichtbett-Reaktor verwendet, damit der obige Kataly
sator, das Silicium und der Chlorwasserstoff miteinander
wirksamer in Kontakt kommen können. Da die Reaktion eine
exotherme Reaktion ist, ist die Verwendung eines Wirbel
schichtbett-Reaktors weiterhin vorteilhaft, um den Effekt
der Abführung der Reaktionswärme zu verbessern.
Die Reaktion kann auch in einem rohrförmigen Reaktor durch
geführt werden, der mit Silicium gefüllt ist, während ein
Reaktionsgas, das eine Silanverbindung und Chlorwasserstoff
enthält, in den Reaktor eingeführt wird. In diesem Falle
reagieren die Silanverbindung und die Oxidschicht auf der
Oberfläche des Siliciums miteinander in der Stufe, in der
das Reaktionsgas durch das Rohr hindurchgeht. Als Ergebnis
kann selbst bei Zuführung ein 1 Vol.-% oder mehr Silanver
bindung enthaltenden Reaktionsgases, der Gehalt der Silan
verbindung kleiner als 1 Vol.-% auf dem Weg des rohrförmigen
Reaktors in manchen Fällen werden. Jedoch wird aber selbst
in diesem Fall beim Fortschreiten der Reaktion die Oxid
schicht erfolgreich von der Oberfläche des in die Stromauf
wärtsseite des Rohrs eingebrachten Rohmaterial-Siliciums
entfernt, und im Ergebnis fließt allmählich ein 1 Vol.-%
oder mehr Silanverbindung enthaltendes Reaktionsgas in die
Stromabwärtsseite des Rohrs hinein. Daher kann das erfin
dungsgemäße Verfahren ohne Probleme durchgeführt werden.
Nachstehend wird eine Beschreibung des erfindungsgemäßen
Verfahrens zur Herstellung von Siliciumtrichlorid gemäß dem
Verfahren (B) angegeben. Bei diesem Verfahren wird Silicium
mit Chlorwasserstoff umgesetzt, nachdem eine Silanverbindung
mit dem Silicium in Kontakt gebracht worden ist. Bei diesem
Verfahren kann die Silanverbindung mit dem Silicium auf die
folgende Art und Weise in Kontakt gebracht werden:
- (1) Die Silanverbindung wird in einen Behälter eingebracht, der mit Silicium gefüllt ist, und die beiden Substanzen werden miteinander nach einem absatzweise geführten Ver fahren in Kontakt gebracht;
- (2) die Silanverbindung wird kontinuierlich oder intermit tierend in einen mit Silicium gefüllten Behälter einge führt, und diese Substanzen werden miteinander in einem Fließsystem in Kontakt gebracht; und
- (3) die Silanverbindung wird in einen Wirbelschichtbett- Reaktor eingeführt, in dem Siliciumteilchen mittels ei nes Gases fluidisiert worden sind, das sich mit dem Si licium und der Silanverbindung nicht umsetzt.
Das Silicium und die Silanverbindungen, wie im Zusammenhang
mit dem Verfahren (A) beschrieben, können so wie sie sind,
eingesetzt werden. Obgleich die Bedingungen für die Kontak
tierung der Silanverbindung mit Silicium keinen besonderen
Beschränkungen unterworfen sind, werden vorzugsweise die
oben beschriebenen Bedingungen für die Umsetzung zwischen
Chlorwasserstoff und Silicium direkt angewendet, um das Si
liciumoxid auf der Oberfläche des Rohmaterial-Siliciums
wirksam zu entfernen. D.h., die Kontakttemperatur ist vor
zugsweise 200 bis 500°C, mehr bevorzugt 250 bis 400°C. Die
Kontaktzeit variiert entsprechend den Beschickungsmengen von
Silicium und der Silanverbindung, und sie können daher nicht
definitiv bestimmt werden. Eine Menge entsprechend der
5- bis 10fachen Menge des auf der Oberfläche des Siliciums vor
handenen Siliciumoxids, gemessen durch ESCA, ist als Gesamt
menge der Silanverbindung genügend. Wenn eine derartige Men
ge der Silanverbindung mit Silicium bei einem absatzweise
geführten Verfahren kontaktiert wird, dann ist im allgemei
nen eine Kontaktzeit im Bereich von 5 bis 30 min ausrei
chend.
Nach der Kontaktierung der Silanverbindung mit dem Silicium
wird die Silanverbindung entfernt, und Chlorwasserstoff wird
eingeführt, um die Reaktion zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff durchzuführen. Im Falle, daß die Silanver
bindung nach der Kontaktierung mit Silicium nicht entfernt
wird, ist die Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlor
wasserstoff die gleiche wie bei dem oben beschriebenen Ver
fahren (A).
Das Rohmaterial-Silicium, dessen Siliciumoxidschicht auf der
Oberfläche durch Kontaktierung mit der Silanverbindung ent
fernt worden ist, setzt sich aufgrund seiner hohen chemi
schen Reaktionsfähigkeit leicht mit Chlorwasserstoff um.
Weiterhin wird jedoch, da es sich leicht mit Luftsauerstoff
umsetzt, die Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlor
wasserstoff gehindert. Es ist daher zweckmäßig nach der Kon
taktierung des Rohmaterial-Siliciums mit der Silanverbin
dung, daß das Silicium rasch mit Chlorwasserstoff umgesetzt
wird, ohne daß es mit Sauerstoff kontaktiert wird. Es wird
im allgemeinen bevorzugt, daß die Umsetzung zwischen Silici
um und Chlorwasserstoff in einem Behälter weitergeführt
wird, ohne daß Silicium aus dem Behälter entfernt wird,
nachdem das Silicium mit der Silanverbindung in dem Behälter
kontaktiert worden ist.
Das oben beschriebene Verfahren (A) kann auch für die Reak
tion zwischen dem Silicium und dem Chlorwasserstoff, nachdem
die Silanverbindung mit Silicium kontaktiert worden ist, an
gewendet werden.
Bei Verwendung einer Alkalimetallverbindung zusätzlich zu
dem obigen Katalysator zum Zeitpunkt der Reaktion zwischen
dem Silicium und dem Chlorwasserstoff bei dem erfindungsge
mäßen Verfahren wird die Herstellung von Siliciumtetrachlo
rid-Nebenprodukt unterdrückt und das angestrebte Silicium
trichlorid kann mit hoher Selektivität erhalten werden.
Die Alkalimetallverbindung hat nicht die gleiche katalyti
sche Funktion wie der Katalysator, wie beispielsweise die
Eisenverbindung, bei der Reaktion zwischen Silicium und
Chlorwasserstoff. Bei alleiniger Verwendung zeigt sie kaum
eine eigene Reaktivität. Wenn aber die Alkalimetallverbin
dung in Kombination mit dem Katalysator bei der Umsetzung
zwischen Silicium und Chlorwasserstoff verwendet wird, dann
zeigt sie eine sekundäre katalytische Funktion, um eine Ne
benreaktion zur Herstellung von Siliciumtetrachlorid zu un
terdrücken, und Siliciumtrichlorid wird mit hoher Selektivi
tät hergestellt. Als Ergebnis kann erfindungsgemäß Silicium
trichlorid mit höchster Effizienz aufgrund der obigen Ver
hältnisse hergestellt werden.
Erfindungsgemäß ist die Alkalimetallverbindung eine Ver
bindung eines Elements, ausgewählt aus Elementen der Gruppe
I des Periodensystems. Beispiele sind Lithium, Natrium, Ka
lium, Ribidium, Cäsium und dgl. Die Verbindungen dieser Ele
mente können auch als Gemisch eingesetzt werden.
Jede beliebige Form der Alkalimetallverbindung kann ohne be
sondere Einschränkungen eingesetzt werden. Vorzugsweise wird
sie aber in der Form eines Salzes, wie des Chlorids, Sul
fats, Nitrats oder dgl., im Hinblick auf die leichte Hand
habbarkeit eingesetzt. Illustrative Beispiele für die Alka
limetallverbindung sind Lithiumchlorid, Natriumchlorid, Ka
liumchlorid, Cäsiumchlorid, Natriumsulfat, Kaliumsulfat, Na
triumnitrat, Kaliumnitrat und dgl.
Obgleich erfindungsgemäß die Menge der in dem Reaktionssy
stem vorhandenen Alkalimetallverbindung keinen besonderen
Begrenzungen unterworfen ist, beträgt sie aber gewöhnlich
0,01 bis 5 Gew.-%, vorzugsweise 0,1 bis 3 Gew.-%, ausge
drückt als elementares Alkalimetall, bezogen auf die Menge
des Siliciums, wenn die hohe Selektivität zur Herstellung
von Siliciumtrichlorid in Betracht gezogen wird. Die Verwen
dung einer überschüssigen Menge der Alkalimetallverbindung
ist nicht zweckmäßig, da in diesem Falle zwar keine Hemmung
der Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlorwasserstoff
gesehen wird, aber auch kein Effekt der weiteren Verbesse
rung der Selektivität zur Herstellung von Siliciumtrichlorid
festgestellt wird.
Erfindungsgemäß wird es bei der Zugabe der Alkalimetallver
bindung in das Reaktionssystem im allgemeinen bevorzugt, daß
die Alkalimetallverbindung mit dem Silicium im voraus ver
mischt wird und daß das resultierende Gemisch in das Reakti
onssystem eingespeist wird. Im Falle der kontinuierlichen
Herstellung von Siliciumtrichlorid oder der Verwendung eines
Wirbelschichtbett-Reaktors wird ein Teil der Alkalimetall
verbindung oder des Katalysators zusammen mit dem Reaktions
produktgas, wie Siliciumtrichlorid, aus dem Reaktionssystem
ausgetragen, wenn der Reaktionsrückstand von Silicium aus
dem Reaktionssystem entfernt wird. Daher neigt der Gehalt
der Alkalimetallverbindung oder des Katalysators in dem Re
aktionssystem dazu, allmählich abzunehmen. Daher wird es be
vorzugt, wenn das Ausgangsmaterial-Silicium in das Reakti
onsgefäß eingespeist wird, daß die Alkalimetallverbindung
oder der Katalysator mit dem Silicium im voraus vermischt
wird, um in richtiger Weise die Mengen dieser Komponenten im
Reaktionssystem innerhalb der obigen Bereiche zu kontrollie
ren.
Erfindungsgemäß kann durch Umsetzung von Silicium mit Chlor
wasserstoff in Gegenwart einer Silanverbindung aus der Grup
pe Dichlorsilan, Monochlorsilan und Monosilan die Reaktivi
tät der Oberfläche des Siliciums gesteigert werden, wodurch
es ermöglicht wird, daß die Umsetzung zwischen dem Silicium
und dem Chlorwasserstoff bei niedriger Reaktionstemperatur
durchgeführt werden kann. Als Ergebnis wird die Selektivität
zur Erzeugung des gewünschten Siliciumtrichlorids verbes
sert, wodurch es ermöglicht wird, die Produktivität von Si
liciumtrichlorid zu erhöhen.
Weiterhin kann die Erfindung den Effekt mit sich bringen,
daß Siliciumtrichlorid stabil hergestellt werden kann, indem
eine Umwandlungsreaktion zum Zeitpunkt der Einspeisung des
Rohmaterial-Siliciums in den Reaktor und die nachfolgenden
Schwankungen der Ausbeute oder der Umwandlung unterdrückt
werden können.
Weiterhin kann erfindungsgemäß, indem ein Katalysator wie
eine Eisenverbindung und eine Alkalimetallverbindung in dem
Reaktionssystem der Umsetzung zwischen Silicium und Chlor
wasserstoff gemeinsam vorhanden gelassen werden, eine Neben
reaktion zur Herstellung von Siliciumtrichlorid, die mit
steigendem Katalysatorgehalt im Reaktionssystem und einer
Akkumulierung der Reaktionswärme fortschreitet, unterdrückt
werden, ohne daß die Umsetzung zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff gehemmt wird, und die Selektivität zur Er
zeugung von Siliciumtrichlorid (Produktionsgeschwindigkeit)
kann gesteigert werden.
Da es weiterhin erfindungsgemäß nicht erforderlich ist, die
Konzentration des Katalysators, wie Eisen, in dem Reaktions
system innerhalb eines speziellen Bereichs genau zum Zwecke
der Unterdrückung der Erzeugung von Siliciumtetrachlorid
einzustellen und weil der zulässige Kontrollbereich der Re
aktionstemperatur aufgrund der Unterdrückung der Erzeugung
von Siliciumtetrachlorid verbreitert wird, stabil Silicium
trichlorid hergestellt werden.
Die Erfindung wird in den Beispielen erläutert.
Nach dem Einbringen von 1 g Silicium in einen Quarzglas-
Rohrreaktor mit einem Innendurchmesser von 4 mm und dem Hal
ten des Reaktors bei 350°C wurde kontinuierlich in den Reak
tor ein Mischgas aus 20 ml/min Chlorwasserstoffgas,
20 ml/min Stickstoffgas und 1,0 ml/min Dichlorsilangas ein
geführt. Die Gaszusammensetzung am Reaktorauslaß wurde durch
Gaschromatographie analysiert. Die Reaktionsumwandlung (%)
wurde von der Verminderung der Menge des Chlorwasserstoffga
ses errechnet. Das Verhältnis von Siliciumtrichlorid zu der
Gesamtmenge von erzeugtem Siliciumtrichlorid und Silicium
tetrachlorid wurde als Selektivität zu Siliciumtrichlorid
(%) errechnet. Bei der Errechnung der Selektivität zu Sili
ciumtrichlorid wurde die Menge des erzeugten Silicium
trichlorids von einer Verminderung der Dichlorsilanmenge am
Reaktorauslaß korrigiert, da ein Teil des zugeführten
Dichlorsilans in Siliciumtrichlorid umgewandelt worden war.
Zu dem Punkt, bei dem keine Bildung von Siliciumtrichlorid
und Siliciumtetrachlorid mehr beobachtet wurde, wurde die
Zufuhr des Reaktionsgases, wie Chlorwasserstoff und dgl.,
unterbrochen. Die Temperatur wurde erniedrigt, und der Reak
tionsrückstand wurde aus dem Reaktor herausgenommen und ge
wogen. Die Umwandlung (%) von Silicium wurde aus der in den
Reaktor eingegebenen Siliciummenge errechnet.
Als Ergebnis erreichte, 10 min nach dem Beginn der Zuführung
eines Mischgases aus Chlorwasserstoff, Dichlorsilan und
Stickstoff in den Reaktor die Gaszusammensetzung, enthaltend
Siliciumtrichlorid und dgl., am Reaktorauslaß einen fast
stetigen Zustand. Zu diesem Zeitpunkt war die Reaktionsum
wandlung 100%. Die Selektivität zu Siliciumtrichlorid war
87%, und die Umwandlung von Silicium war 94%. Während der
Reaktion war immer der Gehalt von Dichlorsilan am Reaktor
auslaß nicht weniger als 2 Vol.-% der Gaszusammensetzung am
Auslaß.
Das in diesem Beispiel verwendete Silicium enthielt 0,3
Gew.-% Eisenmetall. Das Peak-Verhältnis von Siliciumoxid auf
der Oberfläche zu Silicium, gemessen durch ESCA, betrug 2,0.
Dieser Wert bedeutet, daß 67% der Elemente auf der Oberflä
che des Siliciums in Oxide umgewandelt worden waren. Der
mittlere Teilchendurchmesser des Siliciums, gemessen nach
der Blaine-Permeabilitätsmethode, betrug 54 µm.
Die Verfahrensweise des Beispiels 1 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß kein Dichlorsilan dem Reaktionsgemisch zuge
setzt wurde, das in den mit Silicium gefüllten Reaktor ein
geleitet wurde. Es wurde ein Mischgas aus 20 ml/min Chlor
wasserstoffgas und 20 ml/min Stickstoffgas verwendet. Bei
der Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff
wurde keinerlei Erzeugung von Siliciumtrichlorid und Silici
umtetrachlorid bei einer Reaktionstemperatur von 350°C in
nerhalb von 30 min vom Start der Zuführung eines Mischgases
aus Chlorwasserstoffgas und Stickstoffgas in den Reaktor be
obachtet.
Danach wurde, während ein Mischgas aus Chlorwasserstoffgas
und Stickstoffgas in den mit Silicium gefüllten Reaktor ein
geleitet wurde, die Reaktionstemperatur stufenweise von
360°C um jeweils 10°C zu einem Zeitpunkt erhöht, und der Re
aktor wurde bei jeder Temperatur 30 min lang gehalten, wäh
rend die Gaszusammensetzung am Auslaß des Reaktors analy
siert wurde. Als Ergebnis wurde eine Bildung von Silicium
trichlorid und dgl. bei 380°C beobachtet. Die Reaktionsum
wandlung war 100%. Die Selektivität zu Siliciumtrichlorid
war 75%. Die Umwandlung von Silicium war 79%. Der Gehalt
an Dichlorsilan am Reaktorauslaß während der Reaktion betrug
0,05 Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß.
Nach dem Einbringen von Silicium in den Reaktor und Halten
des Reaktors bei 350°C wurde eine Kontaktreaktion in der
gleichen Weise wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme durchge
führt, daß ein Mischgas aus 1,0 ml/min Dichlorsilangas und
20 ml/min Stickstoffgas in den Reaktor kontinuierlich einge
leitet wurde. Nach 10 min wurde ein Mischgas aus 20 ml/min
Chlorwasserstoffgas und 20 ml/min Stickstoffgas, das kein
Dichlorsilan enthielt, anstelle des obigen Mischgases zuge
führt. Bei der Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlor
wasserstoff erreichte die Gaszusammensetzung, umfassend Si
liciumtrichlorid und dgl., am Reaktorauslaß eine fast steti
gen Zustand 5 min nach dem Beginn der Zuführung des Mischga
ses aus Chlorwasserstoff und Stickstoff in den Reaktor. Die
Reaktionsumwandlung war 100%. Die Selektivität zu Silicium
trichlorid war 87%, und die Umwandlung von Silicium war
95%. Der Gehalt an Dichlorsilan am Reaktorauslaß war 0,05
Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß.
Ein Mischgas aus Chlorwasserstoff, Stickstoff und Dichlorsi
lan wurde in den Reaktor eingeführt, um eine Kontaktreaktion
zwischen Silicium und Chlorwasserstoff in der gleichen Weise
wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme durchzuführen, daß das in
den Reaktor eingeführte Silicium durch Silicium mit einem
Peak-Verhältnis (Peak-Höhe von Siliciumoxid)/(Peak-Höhe von
Silicium), gemessen durch ESCA, von 0,5 (dies bedeutet, daß
33% des elementaren Siliciums auf der Oberfläche in Form
von Oxiden vorlagen), das 0,15 Gew.-% Eisenmetall enthielt
und das einen mittleren Teilchendurchmesser von 38 µm hatte,
ersetzt wurde.
5 min nach dem Beginn der Zuführung des Mischgases aus
Chlorwasserstoff, Stickstoff und Dichlorsilan in den Reaktor
erreichte die Gaszusammensetzung, umfassend Siliciumtrichlo
rid und dgl., am Reaktorauslaß einen fast stetigen Zustand.
Die Reaktionsumwandlung war 100%. Die Selektivität zu Sili
ciumtrichlorid war 86%, und die Umwandlung von Silicium war
95%. Während der Reaktion war der Gehalt an Dichlorsilan am
Reaktorauslaß nicht weniger als 2 Vol.-% der Gaszusammenset
zung am Auslaß.
Die Verfahrensweise des Beispiels 3 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß kein Dichlorsilan zu dem Reaktionsgas gege
ben wurde, das in den mit Silicium gefüllten Reaktor einge
leitet wurde und daß ein Mischgas aus 20 ml/min Chlorwasser
stoffgas und 20 ml/min Stickstoffgas eingesetzt wurde. Bei
der Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff
wurde 5 min nach dem Beginn der Zuführung des Mischgases aus
Chlorwasserstoffgas und Stickstoffgas in den Reaktor allmäh
lich die Bildung von Siliciumtrichlorid und Siliciumtetra
chlorid bei einer Reaktionstemperatur von 350°C beobachtet.
Die Gaszusammensetzung, umfassend Siliciumtrichlorid und
dgl., am Reaktorauslaß erreichte nach 30 min einen fast ste
tigen Zustand. Die Reaktionsumwandlung war 100%. Die Selek
tivität zu Siliciumtrichlorid war 86%, und die Umwandlung
von Silicium war 95%. Während der Reaktion betrug der Ge
halt an Dichlorsilan am Reaktorauslaß 0,05 Vol.-% der Gaszu
sammensetzung am Auslaß.
250 g des in Beispiel 1 verwendeten Siliciums wurden in ei
nen Edelstahl-Wirbelschichtbett-Reaktor mit einem Innen
durchmesser von 50 mm und einer Höhe von 1000 mm eingege
ben. Die Reaktortemperatur wurde auf 350°C erhöht, während
ein Mischgas aus 2500 ml/min Chlorwasserstoffgas, 2500
ml/min Stickstoffgas und 125 ml/min Dichlorsilangas in den
Reaktor kontinuierlich eingeführt wurde. Als die Reaktortem
peratur 350°C erreicht hatte, betrug die Reaktionsumwandlung
100%, und die Selektivität zu Siliciumtrichlorid war 88%.
Nachdem bestätigt worden war, daß die Reaktionsumwandlung
und die Selektivität zu Siliciumtrichlorid 100% bzw. 88%
betrug, wurde 1 h, nachdem die Reaktortemperatur 350°C er
reicht hatte und die Reaktion einen stetigen Zustand er
reicht hatte, Silicium in den Reaktor kontinuierlich mit ei
ner Geschwindigkeit von 60 g/h eingeleitet. Die Reaktionsum
wandlung und die Selektivität zu Siliciumtrichlorid waren
100% bzw. 88% 5 h nach dem Beginn der kontinuierlichen Zu
führung von Silicium.
Die Verfahrensweise des Beispiels 4 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß kein Dichlorsilan zu dem Reaktionsgemisch,
das in den mit Silicium gefüllten Reaktor eingeführt wurde,
gegeben wurde, und daß ein Mischgas aus 2500 ml/min Chlor
wasserstoffgas und 2500 ml/min Stickstoffgas verwendet wur
de. Die Reaktionstemperatur wurde wie in Beispiel 4 auf
350°C erhöht. Da selbst 1 h, nachdem die Reaktortemperatur
350°C erreicht hatte, kaum eine Bildung von Siliciumtrichlo
rid beobachtet wurde, wurde die Reaktortemperatur auf 380°C
erhöht, während ein Mischgas aus Chlorwasserstoffgas und
Stickstoffgas in den Reaktor eingeführt wurde.
Bei einer Reaktortemperatur von 380°C war die Reaktionsum
wandlung nach 1 h 100%, und die Selektivität zu Silicium
trichlorid war 76%. Dann wurde die Reaktortemperatur auf
350°C abgesenkt. Bei der auf 350°C abgesenkten Reaktortempe
ratur war die Reaktionsumwandlung 100%, und die Selektivi
tät zu Siliciumtrichlorid war 87%.
Sodann wurde Silicium kontinuierlich in den Reaktor mit ei
ner Geschwindigkeit von 60 g/h wie in Beispiel 4 eingelei
tet. Bei einer Reaktortemperatur von 350°C verminderten sich
die Mengen von Siliciumtrichlorid und Siliciumtetrachlorid 3
h nach dem Beginn der kontinuierlichen Zuführung von Silici
um. Nach 5 h wurde kaum eine Bildung von Siliciumtrichlorid
und Siliciumtetrachlorid beobachtet.
Die Verfahrensweise des Beispiels 4 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß 125 ml/min Monosilangas anstelle von Di
chlorsilan zu dem Reaktorgas zugesetzt wurden, das in den
Wirbelschichtbett-Reaktor eingeführt wurde. 5 h nach dem Be
ginn der kontinuierlichen Zuführung von Silicium betrug die
Reaktionsumwandlung 100%. Die Selektivität zu Siliciumtri
chlorid war 86%, und die Umwandlung von Silicium war 95%.
Während der Reaktion war der Gehalt an Monosilan am Reaktor
auslaß nicht weniger als 2 Vol.-% der Gaszusammensetzung am
Auslaß.
Die Verfahrensweise des Beispiels 4 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß anstelle von Dichlorsilan 125 ml/min Mono
chlorsilangas zu dem Reaktionsgas gegeben wurden, das in den
Wirbelschichtbett-Reaktor eingeleitet wurde. 5 h nach dem
Beginn der kontinuierlichen Zuführung von Silicium war die
Reaktionsumwandlung 100%. Die Selektivität zu Siliciumtri
chlorid war 85%, und die Umwandlung von Silicium war 95%.
Während der Reaktion war der Gehalt an Monochlorsilan am Re
aktorauslaß nicht weniger als 2 Vol.-% der Gaszusammenset
zung am Auslaß.
Ein Mischgas aus 2500 ml/min Chlorwasserstoffgas, 2500 ml/
min Stickstoffgas und 125 ml/min Dichlorsilangas wurde in
den Reaktor kontinuierlich wie in Beispiel 4 mit der Ausnah
me eingeleitet, daß die Reaktionstemperatur auf 330°C einge
stellt wurde. 5 h nach dem Beginn der kontinuierlichen Zu
führung von Silicium war die Reaktionsumwandlung 100%. Die
Selektivität zu Siliciumtrichlorid war 89%, und die Umwand
lung von Silicium war 92%. Während der Reaktion war der Ge
halt an Dichlorsilan am Reaktorauslaß nicht weniger als 2
Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß.
Die Verfahrensweise des Beispiels 4 wurde mit der Ausnahme
wiederholt, daß die Menge des dem Reaktionsgas für die Ein
führung in den Reaktor zugesetzten Dichlorsilans wie folgt
abgeändert wurde.
Beim Vermischen von 62,5 ml/min Dichlorsilan mit 2500
ml/min Chlorwasserstoffgas und 2500 ml/min Stickstoffgas
betrug die Reaktionsumwandlung 100%. Die Selektivität zu
Siliciumtrichlorid war 86%, und die Umwandlung von Silicium
war 91%. Der Gehalt an Dichlorsilan am Reaktorauslaß wäh
rend der Reaktion war nie weniger als 1 Vol.-% der Gaszusam
mensetzung am Auslaß.
Beim Vermischen von 500 ml/min Dichlorsilan mit 2500 ml/min
Chlorwasserstoffgas und 2500 ml/min Stickstoffgas war die
Reaktionsumwandlung 100%. Die Selektivität zu Siliciumtri
chlorid war 87%, und die Umwandlung von Silicium war 96%.
Der Reaktor wurde bei 350°C gehalten, und dann wurde ein
Mischgas aus 20 ml/min Chlorwasserstoffgas, 20 ml/min Stick
stoffgas und 1,0 ml/min Dichlorsilangas kontinuierlich in
den Reaktor wie in Beispiel 1 mit der Ausnahme eingeleitet,
daß 1 g Silicium und 25 mg Natriumchlorid als Alkalimetall
verbindung (ausgedrückt als Element, etwa 1 Gew.-% Silicium
Äquivalent) zugemischt wurden. Dann wurde das Reaktionsge
misch in einen Quarzglas-Rohrreaktor eingeleitet. Die Reak
tion erreichte 10 min nach dem Beginn der Zuführung des
Mischgases aus Chlorwasserstoff und Stickstoff in den Reak
tor einen fast stetigen Zustand. Die Reaktionsumwandlung war
100%, und die Selektivität zu Siliciumtrichlorid war 94%.
Der Gehalt an Monosilan am Reaktorauslaß während der Reakti
on war immer nicht weniger als 2 Vol.-% der Gaszusammenset
zung am Auslaß.
Es wurde eine Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlor
wasserstoff in der gleichen Weise wie in Beispiel 9 mit der
Ausnahme durchgeführt, daß 225 mg Eisen(III)chlorid (aus
gedrückt als Element, 10 Gew.-% Silicium Äquivalent) zu dem
Silicium gegeben wurden und daß die in Tabelle 1 gezeigte
Alkalimetallverbindung zu dem Silicium in den Mengen, ausge
drückt als Element der Tabelle 1, zugesetzt wurde. 10 min
nach dem Beginn der Zuführung des Gemisches aus Chlorwasser
stoff und Stickstoff in den Reaktor erreichte die Reaktion
einen fast stetigen Zustand. Die Ergebnisse sind in Tabelle
1 zusammengestellt. Da die Reaktionsumwandlung von Chlorwas
serstoff fast 100% war, ist in Tabelle 1 nur die Selektivi
tät zu Siliciumtrichlorid gezeigt. Die Menge von Dichlorsi
lan am Reaktorauslaß während der Reaktion war nie weniger
als 2 Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß. Weiterhin
wurde die Reaktion in der gleichen Weise, wie oben beschrie
ben, mit der Ausnahme durchgeführt, daß keine Alkalimetall
verbindung zugesetzt wurde. Das Ergebnis ist als Beispiel 19
in Tabelle 1 angegeben.
Eine Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff
wurde durchgeführt, indem die in Tabelle 2 angegebene Alka
limetallverbindung zu Silicium in der in Tabelle 2 angegebe
nen Menge, ausgedrückt als Element, in der gleichen Weise
wie in Beispiel 9 mit der Ausnahme zugesetzt wurde, daß die
Reaktionstemperatur auf 400°C erhöht wurde. Die Reaktion er
reichte einen fast stetigen Zustand 10 min nach dem Beginn
der Zuführung des Mischgases aus Chlorwasserstoff und Stick
stoff in den Reaktor. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 zu
sammengestellt. Da die Reaktionsumwandlung von Chlorwasser
stoff fast 100% war, ist in Tabelle 2 nur die Selektivität
zu Siliciumtrichlorid angegeben. Der Gehalt an Dichlorsilan
am Reaktorauslaß während der Reaktion war nie weniger als 2
Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß.
Weiterhin wurde die Reaktion bei 400°C in der oben beschrie
benen Weise mit der Ausnahme durchgeführt, daß keine Alkali
metallverbindung zugesetzt wurde. Das Ergebnis ist als Bei
spiel 27 in Tabelle 2 angegeben.
Eine Kontaktreaktion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff
wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 9 mit der Aus
nahme durchgeführt, daß hochreines Silicium mit einer Rein
heit von nicht geringer als 99,999% und einem mittleren
Teilchendurchmesser von 86 µm anstelle des Siliciums (Gehalt
an Eisenmetall 0,15 Gew.-%) verwendet wurde und daß Nickel
metallpulver als katalytische Komponente und Natriumchlorid
als Alkalimetallverbindung zu dem Silicium in einer Menge
von 0,2 Gew.-%, ausgedrückt als Element, gegeben wurden. Als
Ergebnis war die Reaktionsumwandlung 100%, und die Selekti
vität zu Siliciumtrichlorid war 82%.
Die Reaktion erreichte einen fast stetigen Zustand 10 min
nach dem Beginn der Zuführung des Mischgases aus Chlorwas
serstoff und Stickstoff in den Reaktor. Der Gehalt an Di
chlorsilan am Reaktorauslaß während der Reaktion war nie we
niger als 2 Vol.-% der Gaszusammensetzung am Auslaß.
Eine Reaktion wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 28
mit der Ausnahme durchgeführt, daß keine Alkalimetallverbin
dung zugesetzt wurde. Als Ergebnis war die Reaktionsumwand
lung 100%, und die Selektivität zu Siliciumtrichlorid war
70%.
Claims (14)
1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumtrichlorid durch
Umsetzung von Silicium mit Chlorwasserstoff, umfassend die
Kontaktierung von mindestens einer Silanverbindung, ausge
wählt aus der Gruppe, bestehend aus Dichlorsilan, Monochlor
silan und Monosilan mit Silicium während oder vor der Reak
tion zwischen Silicium und Chlorwasserstoff.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß Silicium und Chlorwasserstoff mit
einander in einer Atmosphäre, die 1 bis 20 Vol.-% Silanver
bindung enthält, umgesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Silanverbindung während des ge
samten Zeitraums der Umsetzung zwischen dem Silicium und dem
Chlorwasserstoff vorhanden sein gelassen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Silanverbindung mindestens zum
Beginn der Reaktion zwischen dem Silicium und dem Chlorwas
serstoff vorhanden sein gelassen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Reaktion zwischen Silicium und
dem Chlorwasserstoff in der Weise durchgeführt wird, daß
Chlorwasserstoff kontinuierlich in eine Reaktor eingeführt
wird und daß die Silanverbindung in dem Reaktionssystem wäh
rend eines Zeitraums vom Beginn der Reaktion bis zu einem
Zeitpunkt, bei dem die Konzentration von Siliciumtrichlorid
in der Gaszusammensetzung am Auslaß des Reaktors den maxima
len Wert erreicht, vorhanden sein gelassen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Reaktion zwischen dem Silicium
und dem Chlorwasserstoff in der Weise durchgeführt wird, daß
Silicium intermittierend in einen Reaktor während der Reak
tion eingeführt wird und daß die Silanverbindung in dem Re
aktionssystem zumindest zu der Zeit der Einführung vorhanden
sein gelassen wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Reaktion zwischen Silicium und
dem Chlorwasserstoff in Gegenwart eines Katalysators durch
geführt wird, der eine katalytische Aktivität zur Herstel
lung von Siliciumtrichlorid aus Silicium und Chlorwasser
stoff hat.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Reaktion zwischen dem Silicium
und dem Chlorwasserstoff in Kogegenwart eines Katalysators
mit katalytischer Aktivität zur Herstellung von Silicium
trichlorid aus Silicium und Chlorwasserstoff und einer Alka
limetallverbindung durchgeführt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Katalysator mit einer katalyti
schen Aktivität zur Herstellung von Siliciumtrichlorid aus
Silicium und Chlorwasserstoff ein Element der Gruppe VIII
des Periodensystems oder eine Verbindung davon ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Element der Gruppe VIII des Pe
riodensystems oder die Verbindung davon Eisen, Nickel, Ko
balt, Palladium, Platin oder ein Chlorid davon ist.
11. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Alkalimetallverbindung ein Alka
limetallchlorid, Alkalimetallsulfat oder Alkalimetallnitrat
ist.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Alkalimetallverbindung Lithium
chlorid, Natriumchlorid, Kaliumchlorid, Cäsiumchlorid, Rubi
diumchlorid, Natriumsulfat oder Natriumnitrat ist.
13. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Katalysator mit einer katalyti
schen Aktivität für die Herstellung von Siliciumtrichlorid
aus Silicium und Chlorwasserstoff in einer Menge von 0,05
bis 40 Gew.-%, ausgedrückt als Element der Gruppe VIII, be
zogen auf die Menge von Silicium, vorhanden sein gelassen
wird.
14. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Alkalimetallverbindung in einer
Menge von 0,01 bis 5 Gew.-%, ausgedrückt als Alkalimetall,
bezogen auf die Menge von Silicium, vorhanden sein gelassen
wird.
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