SU833494A1 - Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА - Google Patents
Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА Download PDFInfo
- Publication number
- SU833494A1 SU833494A1 SU792794636A SU2794636A SU833494A1 SU 833494 A1 SU833494 A1 SU 833494A1 SU 792794636 A SU792794636 A SU 792794636A SU 2794636 A SU2794636 A SU 2794636A SU 833494 A1 SU833494 A1 SU 833494A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tetrachlorosilane
- producing trichlorosilane
- condensate
- silicon
- trichlorosilane
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИХЛОРСИЛАНА И ТЕТРАХЛОРСИЛАНА
Порошкообразную кремнемедную массу, приготовленную сплавлением моносиланового кремни с 5 мае. % меди загружают в вертикальный кварцевый реактор малого диаметра (30 мм) и большой высоты (1500 мм).
В нижней части реактора находитс шарик на конусообразной притертой поверхности , который используетс в качестве газораспределител . Псевдоожижение кремнемедного порошка осушествл ют подачей с частотой 2-3 импульса в секунду предварительно осушенного хлорис -ого водорода со скоростью 30-60 л/ч при высокой температуре (550-700°С) В результате реакции
2Si + 7HCI - SiHCU + 35101, + ЗН 2
образуетс преимушественно тетрахлорсилан , так как применение пульсируюшей юдачи хлористого водорода ведет к увели ению степени преврашени газообразного реагента и, соответственно, повышению степени хлорировани рабочей поверхности кремни .
Применение более низких или более вь1соких частот импульсов реакционного газа приводит к менее интенсивному перемешиванию частиц кремнемедного порошка, что существенно понижает выход тетрахлорсилана и производительность процесса.
Получаемый продукт в виде конденсата собирают в отборники. Конденсат представл ет собой смесь тетрахлорсилана и трихлорсилана . После разделени этой смеси параллельно с тетрахлорсиланом получают трихлорсилан высокой чистоты, который также используетс в качестве источника кремни в микроэлектронике.
Пример 1. В кварцевый реактор загружают порошкообразную кремнемедную массу (Si + 57oCu, размер частиц 40-70 мкм) Пульсируюшей подачей осушенного хлористого водорода с частотой 2 импульса в секунду, и со скоростью 30 л/ч осуществл ют псевдоо Сижение кремнемедной массы. В результате реакции в течение часа образуетс конденсат в количестве 25 г, с содержащий тетрахлорсилана. Производительность процесса 1,85 кг тет.рахлорсилана с 1 кг кремни .
Пример 2. В кварцевый реактор загружают порошкообразную кремнемедную массу (Si + 5%Cu, размер частиц 40-70 мкм). Пульсирующей подачей осушенного хлористого водорода с частотой 3 импульса
в секунду со скоростью 50 л/ч осуществл ют псевдоожижение кремнемедной массы. В результате реакции
2Si + 7НС1 -г SiHCl 3 + 3SiCI 4 + ЗН 2
в течение часа образуетс конденсат в количестве 45 г, в котором содержитс 86/отетрахлорсилана . Производительность процесса 2,53 кг тетрахлорсилана с 1 кг кремни . Использование предлагаемого способа позвол ет увеличить выход тетрахлорсилана с 28% до 85% в конденсате и повысить производительность процесса в 2-3 раза.
Claims (2)
1.Патент ФРГ № 2623230, кл. С 01 В 33/04, 1976.
2.Авторское свидетельство СССР
№ 120510, кл. С 01 В 33/04, 1958 (прототип ).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792794636A SU833494A1 (ru) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792794636A SU833494A1 (ru) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU833494A1 true SU833494A1 (ru) | 1981-05-30 |
Family
ID=20839951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792794636A SU833494A1 (ru) | 1979-07-11 | 1979-07-11 | Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU833494A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5871705A (en) * | 1996-09-19 | 1999-02-16 | Tokuyama Corporation | Process for producing trichlorosilane |
-
1979
- 1979-07-11 SU SU792794636A patent/SU833494A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5871705A (en) * | 1996-09-19 | 1999-02-16 | Tokuyama Corporation | Process for producing trichlorosilane |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1294755C (en) | Polysilicon produced by a fluid bed process | |
JP3122643B2 (ja) | 高純度シリコン粒体の製造方法 | |
US3012862A (en) | Silicon production | |
JP4532105B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
US20170159174A1 (en) | Reactor For Producing Polycrystalline Silicon and Method For Removing A Silicon-Containing Layer On A Component Of Such A Reactor | |
EP1990314A3 (de) | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat | |
JPH0264006A (ja) | 太陽のシリコンの製造方法 | |
SU833494A1 (ru) | Способ получени трихлорсилана и тет-РАХлОРСилАНА | |
JPH01188414A (ja) | 多結晶シリコンの製造におけるポリマーのトリクロロシラン転化方法 | |
JPH01119505A (ja) | 粉末状窒化珪素の製法 | |
EP0077138A2 (en) | Production process of silion tetrachloride | |
GB1498266A (en) | Method of silicon production | |
JPH10139786A (ja) | ビニルトリクロロシランの製法 | |
SU865790A1 (ru) | Способ получени дихлорсилана | |
JPS63170210A (ja) | クロルシランの製造方法 | |
JPH02172811A (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
JPH0336764B2 (ru) | ||
CN115432677B (zh) | 一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法 | |
JP3026099B2 (ja) | 非晶質球状シリカ微粉末の製造方法及びその装置 | |
JPS57140308A (en) | Manufacture of granular silicon | |
JPS61186215A (ja) | 球状シリカの製造方法 | |
JPH0343205B2 (ru) | ||
SU810708A1 (ru) | Способ приготовлени порошкообразнойКОНТАКТНОй МАССы дл пР МОгО СиНТЕзАОРгАНОгАлОгЕНСилАНОВ | |
JPS5742524A (en) | Preparation of silicon tetrachloride | |
SU138624A1 (ru) | Способ получени этилдихлорсилана пр мым синтезом этилхлорсиланов |