JPH10139786A - ビニルトリクロロシランの製法 - Google Patents
ビニルトリクロロシランの製法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビニルトリクロロシランの製法
【解決手段】 高い温度で塩化ビニルとトリクロロシラ
ンとを反応させることによりビニルトリクロロシランを
製造する場合に、この反応を400〜850℃で、好ま
しくは550〜800℃で流動層中で実施する。
ンとを反応させることによりビニルトリクロロシランを
製造する場合に、この反応を400〜850℃で、好ま
しくは550〜800℃で流動層中で実施する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、塩化ビニルとトリ
クロロシラン(シリコクロロホルムとも称される)との
反応によりビニルトリクロロシランを連続的に製造する
方法に関する。
クロロシラン(シリコクロロホルムとも称される)との
反応によりビニルトリクロロシランを連続的に製造する
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ビニルトリクロロシランは一連の重要な
官能化されたオルガノシランの製造のための重要な出発
化合物である。例えば、これからビニルアルコキシシラ
ンが製造され、これ自体は特にポリエチレンのシラン被
覆のために使用される。
官能化されたオルガノシランの製造のための重要な出発
化合物である。例えば、これからビニルアルコキシシラ
ンが製造され、これ自体は特にポリエチレンのシラン被
覆のために使用される。
【0003】欧州特許EP 0438666B1及びE
P 0456901B1明細書中には、その中に軸対照
に配置された回転する排出装置を有する環状スリットを
有する反応器(Ringspaltreaktor)の構造及びその操作
に関する原理が記載されている。このような反応器中で
は、ビニルトリクロロシランが、高められた温度でのト
リクロロシランと塩化ビニルとの反応により、次の反応
式に従って大工業的に製造されうる: CH2=CHCl+HSiCl3 −> CH2=CH
−SiCl3+HCl この場合に、著しく過剰のトリクロロシラン(塩化ビニ
ル:トリクロロシランの比1:4〜1:6、塩化ビニル
の化学量論的量の約2〜3倍に相当)が好適であること
が立証されている。しかしながら、この方法は、ビニル
トリクロロシランそのものを、反応した塩化ビニルに対
して約0.7の選択率でのみ生じる。所望のビニルトリ
クロロシランと共に、著しい量のテトラクロロシラン及
びエチルトリクロロシラン及び他の種々の高沸点物又は
低沸点物が得られる。この環状スリットを有する反応炉
中では、出発物質が短い予備加熱区間内で迅速に反応温
度まで加熱され、これが反応空間の良好な利用及び殆ど
断熱的な反応を可能にする。しかしながら、この操作法
は、珪素及びカーボンブラックの形での炭素の沈澱下で
の自然の分解反応を促進する。従って、これは、妨害を
受けやすく、簡単に操作安定に制御することができな
い。
P 0456901B1明細書中には、その中に軸対照
に配置された回転する排出装置を有する環状スリットを
有する反応器(Ringspaltreaktor)の構造及びその操作
に関する原理が記載されている。このような反応器中で
は、ビニルトリクロロシランが、高められた温度でのト
リクロロシランと塩化ビニルとの反応により、次の反応
式に従って大工業的に製造されうる: CH2=CHCl+HSiCl3 −> CH2=CH
−SiCl3+HCl この場合に、著しく過剰のトリクロロシラン(塩化ビニ
ル:トリクロロシランの比1:4〜1:6、塩化ビニル
の化学量論的量の約2〜3倍に相当)が好適であること
が立証されている。しかしながら、この方法は、ビニル
トリクロロシランそのものを、反応した塩化ビニルに対
して約0.7の選択率でのみ生じる。所望のビニルトリ
クロロシランと共に、著しい量のテトラクロロシラン及
びエチルトリクロロシラン及び他の種々の高沸点物又は
低沸点物が得られる。この環状スリットを有する反応炉
中では、出発物質が短い予備加熱区間内で迅速に反応温
度まで加熱され、これが反応空間の良好な利用及び殆ど
断熱的な反応を可能にする。しかしながら、この操作法
は、珪素及びカーボンブラックの形での炭素の沈澱下で
の自然の分解反応を促進する。従って、これは、妨害を
受けやすく、簡単に操作安定に制御することができな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、良好な収率
を生じ、簡単な方法で制御でき、作業安全で、かつ妨害
を受けない、塩化ビニルとトリクロロシランとの反応に
よるビニルトリクロロシランの経済的な製法を提供する
ことを課題としている。
を生じ、簡単な方法で制御でき、作業安全で、かつ妨害
を受けない、塩化ビニルとトリクロロシランとの反応に
よるビニルトリクロロシランの経済的な製法を提供する
ことを課題としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題の解決として、
意外にも、高めた温度での塩化ビニルとトリクロロシラ
ンとの反応により、この反応を400〜800℃で、流
動層中で実施する際に、ビニルトリクロロシランが有利
に製造できることを発見した。
意外にも、高めた温度での塩化ビニルとトリクロロシラ
ンとの反応により、この反応を400〜800℃で、流
動層中で実施する際に、ビニルトリクロロシランが有利
に製造できることを発見した。
【0006】本発明による方法は、塩化ビニルに対して
約0.5までの変換率で、環状スリットを有する反応器
中での公知の方法におけるよりも意想外に良好な、即ち
約0.9までの選択率でビニルトリクロロシランを生じ
る。流動層中での作業法は環状スリットを有する反応炉
に比べて強い逆混合の故に、ビニルトリクロロシランの
高沸点オリゴマーの形成を増加し、これに伴い選択率を
低めると予想されていた。良好な空時収率の際のこの良
好な選択率は、更に、環状スリットを有する反応炉中で
のこの方法が必要とするよりも少ない過剰のトリクロロ
シランで得られる。本発明による方法は、定常状態で長
時間にわたっても実際に調節性の処置をすることなしに
支障なく操業することができる。カーボンブラックの形
の炭素及び珪素の煩雑な分離は実際に完全に差し止めら
れる。
約0.5までの変換率で、環状スリットを有する反応器
中での公知の方法におけるよりも意想外に良好な、即ち
約0.9までの選択率でビニルトリクロロシランを生じ
る。流動層中での作業法は環状スリットを有する反応炉
に比べて強い逆混合の故に、ビニルトリクロロシランの
高沸点オリゴマーの形成を増加し、これに伴い選択率を
低めると予想されていた。良好な空時収率の際のこの良
好な選択率は、更に、環状スリットを有する反応炉中で
のこの方法が必要とするよりも少ない過剰のトリクロロ
シランで得られる。本発明による方法は、定常状態で長
時間にわたっても実際に調節性の処置をすることなしに
支障なく操業することができる。カーボンブラックの形
の炭素及び珪素の煩雑な分離は実際に完全に差し止めら
れる。
【0007】この方法のためには、1,2−ジクロロエ
タンの脱ハロゲン化により大規模に得られるような9
9.95〜99.99%の純度の工業的に純粋な塩化ビニ
ル及び珪素と塩素もしくは塩化水素から製造され、特に
僅かな量のジクロロシラン及びテトラクロロシランを含
有する96.0〜99.0%の純度のトリクロロシランが
好適である。これらの双方の出発物質を化学量論的な量
で、又は例えば3倍のモル量(約6倍の重量に相当す
る)までの過剰のトリクロロシランを用いることができ
る。
タンの脱ハロゲン化により大規模に得られるような9
9.95〜99.99%の純度の工業的に純粋な塩化ビニ
ル及び珪素と塩素もしくは塩化水素から製造され、特に
僅かな量のジクロロシラン及びテトラクロロシランを含
有する96.0〜99.0%の純度のトリクロロシランが
好適である。これらの双方の出発物質を化学量論的な量
で、又は例えば3倍のモル量(約6倍の重量に相当す
る)までの過剰のトリクロロシランを用いることができ
る。
【0008】流動層中の反応温度は、550〜800℃
が有利であり、一般に大気圧下で操作する。平均滞留時
間、即ち物質流が平均してこの流動層中に滞在している
時間は、実質的には流動層中の温度に依存するが、一連
の他の方法パラメータにも依存し、一般には0.1〜0.
2秒である。本発明によるこの方法は、相応して高い空
時収率により優れている。その他の所定の方法条件のた
めの最適な滞留時間は、方向付けられた実験により困難
なく確かめることができる。
が有利であり、一般に大気圧下で操作する。平均滞留時
間、即ち物質流が平均してこの流動層中に滞在している
時間は、実質的には流動層中の温度に依存するが、一連
の他の方法パラメータにも依存し、一般には0.1〜0.
2秒である。本発明によるこの方法は、相応して高い空
時収率により優れている。その他の所定の方法条件のた
めの最適な滞留時間は、方向付けられた実験により困難
なく確かめることができる。
【0009】この流動層のための流動粒体(Wirbelgut)
としては、方法条件下に固体で、出発物質及びビニルト
リクロロシランに対して不活性である、適当な粒径の任
意の無機粒状物質が好適である。好適な物質としては、
例えば窒化ケイ素及び殊に炭化ケイ素が挙げられる。こ
の流動粒体は、80〜800μm、好ましくは200〜
800の粒度分布及び400〜600μm、好ましくは
450〜550μmの平均粒径を有するのが有利であ
る。この流動粒体は静止状態では一般に、装置の容量に
応じて数cm〜30cmである層厚で存在する。
としては、方法条件下に固体で、出発物質及びビニルト
リクロロシランに対して不活性である、適当な粒径の任
意の無機粒状物質が好適である。好適な物質としては、
例えば窒化ケイ素及び殊に炭化ケイ素が挙げられる。こ
の流動粒体は、80〜800μm、好ましくは200〜
800の粒度分布及び400〜600μm、好ましくは
450〜550μmの平均粒径を有するのが有利であ
る。この流動粒体は静止状態では一般に、装置の容量に
応じて数cm〜30cmである層厚で存在する。
【0010】この流動粒体の至適粒度は、反応器形状及
び反応器装入度、即ち装入量に依存する。図1の図表
で、ガス−空管速度(Superficial gas velocity:流量
[m2/s]/空管の断面積[m2])と関連している
流動層の粒度分布の達成限界を示す。左の曲線は、当該
ガス−空管速度での反応条件下に流動層から排出される
かあるいはその中に残留する微細物体粒子の間の限界を
示している。右の曲線は、当該ガス−空管速度でなお流
動されるかあるいはもはや緩解されない粗大粒子の間の
限界を示している。
び反応器装入度、即ち装入量に依存する。図1の図表
で、ガス−空管速度(Superficial gas velocity:流量
[m2/s]/空管の断面積[m2])と関連している
流動層の粒度分布の達成限界を示す。左の曲線は、当該
ガス−空管速度での反応条件下に流動層から排出される
かあるいはその中に残留する微細物体粒子の間の限界を
示している。右の曲線は、当該ガス−空管速度でなお流
動されるかあるいはもはや緩解されない粗大粒子の間の
限界を示している。
【0011】室温及び大気圧でガス状である出発物質
(塩化ビニル)又は31.8℃で沸騰するもの(トリク
ロロシラン)を、蒸気状で、この加熱された流動層中に
下から導入するのが有利である。良好に流動された層の
高さは、一般に、静止状態の層の高さの約3〜8倍であ
る。導入される蒸気状の出発混合物の量は、場合によっ
てはこの層を良好に流動させるためには充分でない。従
って、不活性ガス、例えば窒素を蒸気状の出発物質と一
緒に又はそれとは別に、かつ場合によっては予め加熱し
て、下からこの流動層中に導入するのが好適である。最
適な不活性ガス量は、予備実験により困難なく確かめる
ことができ、一般に0.4〜1.2モル/塩化ビニル(モ
ル)になる。
(塩化ビニル)又は31.8℃で沸騰するもの(トリク
ロロシラン)を、蒸気状で、この加熱された流動層中に
下から導入するのが有利である。良好に流動された層の
高さは、一般に、静止状態の層の高さの約3〜8倍であ
る。導入される蒸気状の出発混合物の量は、場合によっ
てはこの層を良好に流動させるためには充分でない。従
って、不活性ガス、例えば窒素を蒸気状の出発物質と一
緒に又はそれとは別に、かつ場合によっては予め加熱し
て、下からこの流動層中に導入するのが好適である。最
適な不活性ガス量は、予備実験により困難なく確かめる
ことができ、一般に0.4〜1.2モル/塩化ビニル(モ
ル)になる。
【0012】本発明の方法を実施するための装置を添付
の図2に示す。反応器1は、上部に流動粒体の粗大物体
分2をその微細物体分3から分離するための拡張部を有
する円筒状の断面の垂直に立っている容器である。この
拡張により、ガス状の反応混合物の流動速度及び相応し
て付随する流動粒体の粒子の量が減少される、流動粒体
の静止層は、反応器1の下端の、その孔幅あるいはその
目幅が流動粒体の平均粒径より小さく、有利には最小の
流動粒体の粒子よりも小さい篩板又は網ネット4により
保持される。この反応器は電気的加熱コイルにより加熱
され、通常の温度調節用の装置を有しているのが有利で
ある。出発物質、塩化ビニル5及びトリクロロシラン6
は、反応器1に蒸気状で、場合によっては窒素7と混合
して篩板又は網ネット4の下に供給される。排出される
流動粒体の補償のために、新しい分8が機械的促進装置
9を介して、又は流動粒体で負荷された不活性ガス流
(図示されていない)を用いて気学的に流動層中に導入
される。
の図2に示す。反応器1は、上部に流動粒体の粗大物体
分2をその微細物体分3から分離するための拡張部を有
する円筒状の断面の垂直に立っている容器である。この
拡張により、ガス状の反応混合物の流動速度及び相応し
て付随する流動粒体の粒子の量が減少される、流動粒体
の静止層は、反応器1の下端の、その孔幅あるいはその
目幅が流動粒体の平均粒径より小さく、有利には最小の
流動粒体の粒子よりも小さい篩板又は網ネット4により
保持される。この反応器は電気的加熱コイルにより加熱
され、通常の温度調節用の装置を有しているのが有利で
ある。出発物質、塩化ビニル5及びトリクロロシラン6
は、反応器1に蒸気状で、場合によっては窒素7と混合
して篩板又は網ネット4の下に供給される。排出される
流動粒体の補償のために、新しい分8が機械的促進装置
9を介して、又は流動粒体で負荷された不活性ガス流
(図示されていない)を用いて気学的に流動層中に導入
される。
【0013】反応器1の上部から出るガス状粗生成物と
付随している流動粒体からなる物質流10をサイクロン
11中に導入し、この中で付随導入された流動粒体の大
部分は、ガス状粗生成物から分離される。分離された流
動粒体は、戻し導管12を経て反応器1中に、篩板又は
網ネット4のすぐ上に戻される。導管13中のガス状粗
生成物は、場合によってはなおダスト状の固体物質分を
含有し、水冷される冷却器14中で、高沸点フラクシヨ
ン15(ビニルトリクロロシランの主要分と他の高沸点
物並びにダスト状の固体物質分を含有する)と重量減少
した生成物流16とに分けられ、この16は、塩水冷却
される冷却器17中に導かれる。そこで、主として反応
しなかった出発物質及び少量のビニルトリクロロシラン
より成る低沸点フラクシヨン18は、液状で分離され
る。残りのガス19は、例えば慣用の水洗による塩化水
素の分離の後に、廃ガスとして排出される。
付随している流動粒体からなる物質流10をサイクロン
11中に導入し、この中で付随導入された流動粒体の大
部分は、ガス状粗生成物から分離される。分離された流
動粒体は、戻し導管12を経て反応器1中に、篩板又は
網ネット4のすぐ上に戻される。導管13中のガス状粗
生成物は、場合によってはなおダスト状の固体物質分を
含有し、水冷される冷却器14中で、高沸点フラクシヨ
ン15(ビニルトリクロロシランの主要分と他の高沸点
物並びにダスト状の固体物質分を含有する)と重量減少
した生成物流16とに分けられ、この16は、塩水冷却
される冷却器17中に導かれる。そこで、主として反応
しなかった出発物質及び少量のビニルトリクロロシラン
より成る低沸点フラクシヨン18は、液状で分離され
る。残りのガス19は、例えば慣用の水洗による塩化水
素の分離の後に、廃ガスとして排出される。
【0014】一様に高い選択率で変換率を改善するため
に、本発明によるこの方法は、2個以上の前後に接続さ
れた流動層からなるカスケード中でも実施することがで
きる。
に、本発明によるこの方法は、2個以上の前後に接続さ
れた流動層からなるカスケード中でも実施することがで
きる。
【0015】
【実施例】次の実施例で本発明の方法を詳述するが、そ
の使用分野はこれのみに限定されるものではない。
の使用分野はこれのみに限定されるものではない。
【0016】例1 実質的に図2に相当する実験装置中で、塩化ビニル及び
トリクロロシランを第1表に記載の装入量で反応させて
ビニルトリクロロシランにする。反応器1は、長さ30
cm、内径16mm及び壁厚2.6mmの不銹鋼1.45
71製の管よりなる。この反応器1は、外から電気的に
加熱される。この反応器1の下部のデヒューザー類似の
ガス導入管(図示されていない)が、充分な物質装入量
の際に、出発物質塩化ビニル5とトリクロロシラン6と
をそれらが不銹鋼ネット4を通って流動層2中に入る前
に良好に混合するために役立っている。第1表中に記載
の量の窒素7を、トリクロロシラン6と一緒に反応器1
中に導入する。ガス導入接続管は、出発物質が流動層中
に入った後に初めて反応温度まで加熱されることを確保
し、不銹鋼ネット4の栓塞を予防するために空気で冷却
される。
トリクロロシランを第1表に記載の装入量で反応させて
ビニルトリクロロシランにする。反応器1は、長さ30
cm、内径16mm及び壁厚2.6mmの不銹鋼1.45
71製の管よりなる。この反応器1は、外から電気的に
加熱される。この反応器1の下部のデヒューザー類似の
ガス導入管(図示されていない)が、充分な物質装入量
の際に、出発物質塩化ビニル5とトリクロロシラン6と
をそれらが不銹鋼ネット4を通って流動層2中に入る前
に良好に混合するために役立っている。第1表中に記載
の量の窒素7を、トリクロロシラン6と一緒に反応器1
中に導入する。ガス導入接続管は、出発物質が流動層中
に入った後に初めて反応温度まで加熱されることを確保
し、不銹鋼ネット4の栓塞を予防するために空気で冷却
される。
【0017】流動粒体としては、粒径400〜500μ
m又は500〜630μmの炭化珪素が使用される。こ
の平均粒径は、相応して450又は565μmである。
不銹鋼ネット4は、300μmの目幅を有する。静止し
ている流動粒体層の高さは、第1表に記載のように4又
は8cmである。導管13中のガス状粗生成物を空気で
急速に冷却して引き続く反応を抑制する。
m又は500〜630μmの炭化珪素が使用される。こ
の平均粒径は、相応して450又は565μmである。
不銹鋼ネット4は、300μmの目幅を有する。静止し
ている流動粒体層の高さは、第1表に記載のように4又
は8cmである。導管13中のガス状粗生成物を空気で
急速に冷却して引き続く反応を抑制する。
【0018】この実験では、出発物質の装入量、窒素と
出発物質との比、温度、静止している流動粒体の層の高
さ及び粒子フラクシヨンを、第1表に記載のように変動
させた。生成物流の組成をガスクロマトグラフィ分析に
より測定した。得られた変換率及び選択率を第2表にま
とめた。
出発物質との比、温度、静止している流動粒体の層の高
さ及び粒子フラクシヨンを、第1表に記載のように変動
させた。生成物流の組成をガスクロマトグラフィ分析に
より測定した。得られた変換率及び選択率を第2表にま
とめた。
【0019】表及び図中で使用されている記号は次のも
のを意味する: dp 粒体の平均直径 H゜ 静止している流動粒体の層の高さ VC 塩化ビニル TCS トリクロロシラン N2 窒素 VTC ビニルトリクロロシラン TET テトラクロロシラン UK1 未知成分1 UK2 未知成分2 ETCS エチルトリクロロシラン HS 高沸点物 LS 低沸点物
のを意味する: dp 粒体の平均直径 H゜ 静止している流動粒体の層の高さ VC 塩化ビニル TCS トリクロロシラン N2 窒素 VTC ビニルトリクロロシラン TET テトラクロロシラン UK1 未知成分1 UK2 未知成分2 ETCS エチルトリクロロシラン HS 高沸点物 LS 低沸点物
【0020】
【表1】
【0021】
【表2】
【0022】例2 ビニルトリクロロシランを、工業的規模で、0.60m
の直径を有する流動層反応器中に導びく。静止している
流動粒体の高さは、0.30mである。
の直径を有する流動層反応器中に導びく。静止している
流動粒体の高さは、0.30mである。
【0023】この反応器にVC及びTCSを1:3.5
の重量比で装入する。温度は700℃、圧力は1バー
ル、ガス−空管速度は0.74m/sであり、膨張され
た流動層の高さは約2mである。この条件下に、排出の
ための流動粒体の粒度限界は、120μmであり、緩解
して流動層にするのためのそれは400μmである。
の重量比で装入する。温度は700℃、圧力は1バー
ル、ガス−空管速度は0.74m/sであり、膨張され
た流動層の高さは約2mである。この条件下に、排出の
ための流動粒体の粒度限界は、120μmであり、緩解
して流動層にするのためのそれは400μmである。
【0024】VCに対して計算した50%の変換率及び
80%のVTCの選択率で、反応器の処理能はVTC1
55t/月である。
80%のVTCの選択率で、反応器の処理能はVTC1
55t/月である。
【図面の簡単な説明】
【図1】流動層中の流動粒体の粒度分布の限界とガス−
空管速度との関係を示す図
空管速度との関係を示す図
【図2】本発明の方法を実施するための装置
1 反応器、 4 篩板、 11 サイクロン、 14
冷却器、 15 高沸点フラクシヨン、 17 冷却
器、 18 低沸点フラクシヨン
冷却器、 15 高沸点フラクシヨン、 17 冷却
器、 18 低沸点フラクシヨン
Claims (8)
- 【請求項1】 塩化ビニルとトリクロロシランとを高い
温度で反応させることによりビニルトリクロロシランを
製造する場合に、この反応を流動層中で400〜850
℃で実施することを特徴とする、ビニルトリクロロシラ
ンの製法。 - 【請求項2】 反応を550〜800℃で実施する、請
求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 流動層の流動粒体は80〜800μmの
範囲の粒度分布を有する、請求項1又は2に記載の方
法。 - 【請求項4】 流動粒体は炭化珪素から成っている、請
求項3に記載の方法。 - 【請求項5】 塩化ビニルとトリクロロシランとの重量
比は1:2〜1:4である、請求項1から4のいずれか
1項に記載の方法。 - 【請求項6】 流動粒体の流動性を促進するために、ガ
ス状出発物質と共に不活性ガスを流動層中に導入する、
請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項7】 流動層中の平均滞留時間は0.1〜0.2
秒である、請求項1から6のいずれか1項に記載の方
法。 - 【請求項8】 反応を、前後に接続された流動層のカス
ケード中で実施する、請求項1から7のいずれか1項に
記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19645700 | 1996-11-06 | ||
DE19727576A DE19727576A1 (de) | 1996-11-06 | 1997-06-28 | Verfahren zur Herstellung von Vinyltrichlorsilan |
DE19645700.9 | 1997-06-28 | ||
DE19727576.1 | 1997-06-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10139786A true JPH10139786A (ja) | 1998-05-26 |
Family
ID=26031023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9302746A Abandoned JPH10139786A (ja) | 1996-11-06 | 1997-11-05 | ビニルトリクロロシランの製法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5808128A (ja) |
EP (1) | EP0841342B1 (ja) |
JP (1) | JPH10139786A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6306926B1 (en) * | 1998-10-07 | 2001-10-23 | 3M Innovative Properties Company | Radiopaque cationically polymerizable compositions comprising a radiopacifying filler, and method for polymerizing same |
DE19918114C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE19918115C2 (de) * | 1999-04-22 | 2002-01-03 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Vinylchlorsilanen |
DE102012212915A1 (de) * | 2012-07-24 | 2014-05-15 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Alkenylhalogensilanen und dafür geeigneter Reaktor |
DE102012212913A1 (de) | 2012-07-24 | 2014-05-15 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Alkenylhalogensilanen und dafür geeigneter Reaktor |
US20220401907A1 (en) * | 2019-10-01 | 2022-12-22 | Dow Silicones Corporation | Thermal condensation reactor |
CN114478614A (zh) * | 2022-03-11 | 2022-05-13 | 新疆晶硕新材料有限公司 | 乙烯基氯硅烷的制备方法和装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE530407A (ja) * | 1953-07-17 | |||
US3706776A (en) * | 1970-01-20 | 1972-12-19 | Dynamit Nobel Ag | Process for the manufacture of vinyl trichlorosilane |
US3666782A (en) * | 1970-09-30 | 1972-05-30 | Union Carbide Corp | Process for producing vinylchlorosilanes |
DE4001820A1 (de) * | 1990-01-23 | 1991-07-25 | Huels Chemische Werke Ag | Reaktor zur herstellung von vinylchlorsilanen durch umsetzung von vinylchlorid mit chlorsilanen bei erhoehter temperatur |
DE4016021A1 (de) * | 1990-05-18 | 1991-11-21 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur herstellung von vinyltrichlorsilan |
-
1997
- 1997-09-18 EP EP97116213A patent/EP0841342B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-15 US US08/950,440 patent/US5808128A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-05 JP JP9302746A patent/JPH10139786A/ja not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0841342A1 (de) | 1998-05-13 |
US5808128A (en) | 1998-09-15 |
EP0841342B1 (de) | 2001-11-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041101 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050711 |