DE3809784C1 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3809784C1
DE3809784C1 DE3809784A DE3809784A DE3809784C1 DE 3809784 C1 DE3809784 C1 DE 3809784C1 DE 3809784 A DE3809784 A DE 3809784A DE 3809784 A DE3809784 A DE 3809784A DE 3809784 C1 DE3809784 C1 DE 3809784C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
fluidized bed
reaction
trichlorosilane
silicon
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3809784A
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus 5210 Troisdorf De Ruff
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Huels AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huels AG filed Critical Huels AG
Priority to DE3809784A priority Critical patent/DE3809784C1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3809784C1 publication Critical patent/DE3809784C1/de
Priority to US07/467,286 priority patent/US5063040A/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • C01B33/1071Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10742Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
    • C01B33/10757Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • C01B33/10763Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S423/00Chemistry of inorganic compounds
    • Y10S423/06Temperature control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren, die Ausbeute an Trichlorsilan bei der Hydrochlorierung von Silicium in der Wirbelschicht bei gegebener Reak­ tionstemperatur zu erhöhen. Das Verfahren ermöglicht es, bei einer eingestellten Temperatur im Bereich zwischen 300 und 1200°C Ausbeute-Erhöhungen an Trichlorsilan um bis zu 45 Prozentpunkte zu erreichen.
Es ist bekannt, daß bei der Hydrochlorierung von Silicium Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid in unterschied­ lichen Anteilen entstehen, je nachdem, unter welchen Be­ dingungen die Reaktion durchgeführt wird. Ein wesent­ licher Faktor, der den jeweiligen Anteil bestimmt, ist die Reaktionstemperatur: Niedrige Reaktionstemperaturen begünstigen die Bildung von Trichlorsilan, während bei steigenden Reaktionstemperaturen der Anteil an Silicium­ tetrachlorid zunimmt, so daß letzteres bei Temperaturen oberhalb 600°C im allgemeinen in Anteilen über 80% im erzeugten Chlorsilangemisch anwesend ist.
Es ist wirtschaftlich sinnvoll, bei möglichst hohen Re­ aktionstemperaturen zu arbeiten, da dann die Umsetzung schneller abläuft und damit eine bessere Raum-Zeit-Aus­ beute erhalten wird. So wurde beobachtet, daß bei der Hydrochlorierung von Silicium, d. h. bei der Umsetzung von Chlorwasserstoff mit Silicium, im Wirbelbett bei einer Erhöhung der Reaktionstemperatur von 300 auf 500°C eine Steigerung der Reaktionsgeschwindigkeit um den Fak­ tor 7 eintritt. Bei einer Erhöhung der Reaktionstempera­ tur von 300 auf 700°C tritt eine entsprechende Steige­ rung um den Faktor 22 ein.
Für die Herstellung von Trichlorsilan als Hauptprodukt wird heute im allgemeinen das Wirbelbettverfahren bei Temperaturen von 300 bis 400°C angewendet. Bei diesem Verfahren ist ein guter Wärmeübertrag an die zu kühlende Reaktorwand gewährleistet, und damit werden lokale Über­ hitzungen im Reaktionsbett, die zu einer schlechteren Selektivität hinsichtlich Trichlorsilan führen, vermie­ den. Wird dagegen Siliciumtetrachlorid als Hauptprodukt angestrebt, so findet die Reaktion in einem Festbett­ ofen bei Temperaturen von etwa 1000°C und mehr statt. Aufgrund der schlechten Wärmeübertragung bei diesem Ver­ fahren kann hierbei eine gleichmäßige Temperatur im Re­ aktorbett nicht eingehalten werden.
Nachteilig an allen bisherigen Verfahren ist die Tat­ sache, daß nur bei relativ niedrigen Reaktionstempera­ turen größere Anteile an Trichlorsilan erhalten werden, wobei eine niedrige Reaktionsgeschwindigkeit und damit eine weniger günstige Raum-Zeit-Ausbeute in Kauf genom­ men werden muß. Außerdem sind die bekannten Verfahren nicht flexibel in bezug auf die Zusammensetzung des er­ zeugten Chlorsilangemisches, wenn die Reaktionstempera­ tur nicht in größeren Bereichen geändert wird. Eine Än­ derung der Reaktionstemperatur über weite Bereiche zur Steigerung der Flexibilität in bezug auf den Trichlor­ silananteil im Chlorsilangemisch ist jedoch bei den be­ kannten Verfahren technisch aufwendig und nicht wirt­ schaftlich. Bei einer eventuellen Verbundproduktion von Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid kommt auch der Anpassung an eine schwankende Nachfrage nach den einzel­ nen Anteilen im Chlorsilangemisch hohe wirtschaftliche Bedeutung zu.
Zwar wird in der DE-AS 19 42 280 ein Verfahren zur Her­ stellung von Chlorsilanen durch Umsetzung von Silicium mit Chlorwasserstoff beschrieben, bei dem diese Reaktion in Gegenwart von Wasserstoff durchgeführt wird und so der Anteil an Trichlorsilan im Chlorsilangemisch gestei­ gert werden kann. Allerdings werden Molverhältnisse Chlorwasserstoff/Wasserstoff von 1 : 1 bis 1 : 50 benö­ tigt, um den gewünschten Effekt zu erzielen, wobei mit steigenden Reaktionstemperaturen größere Mengen an Was­ serstoff eingesetzt werden müssen. Das Verfahren hat deshalb den Nachteil, daß große Volumina gehandhabt wer­ den müssen und daß die Abtrennung der Chlorsilane vom Wasserstoff sehr energieaufwendig ist.
In der DE-OS 33 03 903 wird ein Verfahren zum Herstellen von Trichlorsilan aus Silicium beschrieben, bei welchem Silicium mit Chlorwasserstoff, Chlor oder deren Mischun­ gen in Gegenwart von Siliciumtetrachlorid bei einer er­ höhten Temperatur in Berührung gebracht wird. Dabei kann der Siliciumtetrachlorid-Dampf als fluidisierendes Medium für das Silicium dienen. Das beschriebene Verfahren gibt jedoch auch keine Lehre in bezug auf die Erhöhung der Ausbeute an Trichlorsilan, insbesondere bei höheren Temperaturen.
Es bestand deshalb die Aufgabe, ein Verfahren zur Her­ stellung von Chlorsilanen aufzufinden, bei dem der An­ teil an Trichlorsilan im Reaktionsgemisch auch bei hö­ heren Reaktionstemperaturen bei einer eingestellten Temperatur erhöht wird.
In Erfüllung dieser Aufgabe wurde nun ein Verfahren zur Erhöhung der Ausbeute an Trichlorsilan bei der Hy­ drochlorierung von Silicium in der Wirbelschicht bei einer eingestellten Reaktionstemperatur des Wirbelbetts im Temperaturbereich zwischen 300 und 1200°C, gegebe­ nenfalls in Gegenwart von zusätzlich dem Wirbelbett zu­ geführtem Siliciumtetrachlorid, gefunden, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Reaktionsgase unmittelbar nach Verlassen des Wirbelbetts in weniger als 1 Sekunde auf Temperaturen abgekühlt werden, die
  • a) entweder bei maximal 550°C liegen, wenn die Reak­ tionstemperatur im Wirbelbett über 550°C liegt, oder
  • b) mindestens um 100°C niedriger sind als die Reak­ tionstemperatur im Wirbelbett, wenn letztere bei 550°C oder darunter liegt.
Es ist erfindungsgemäß wesentlich, daß die beanspruchte Quenchung unmittelbar nach dem Austritt der Reaktions­ gase aus dem Wirbelbett erfolgt und daß das aus dem Wir­ belbett austretende Chlorsilangemisch so kurz wie nur möglich den im Wirbelbett herrschenden Temperaturen aus­ gesetzt bleibt. Diese Zeitspanne soll maximal 1 Sekunde betragen; je kürzer sie ist, um so höher ist der Anteil an Trichlorsilan im erhaltenen Chlorsilangemisch. Das beanspruchte Verfahren ist deshalb bei hohen Strömungs­ geschwindigkeiten des für die Erzeugung und Aufrechter­ haltung des Wirbelbetts eingesetzten Gasstromes gut durchführbar, wobei die Leerrohrgeschwindigkeiten bis zu 10 m/s betragen können. Solche hohen Leerrohrge­ schwindigkeiten lassen sich z. B. in einer expandierten Wirbelschicht erreichen.
Zur Quenchung können alle üblichen Verfahren benutzt werden, wie Abkühlung der Reaktionsgase an kalten Wän­ den, ggf. in einem sich direkt an das Wirbelbett an­ schließenden Zyklon, oder Beimischung von kalten Gasen. Bevorzugt wird die Abkühlung der Reaktionsgase durch Einspritzen von flüssigem Siliciumtetrachlorid auf die Oberfläche des Fließbetts durchgeführt. Dieses Sili­ ciumtetrachlorid kann durch Kondensation der Reaktions­ gase mit anschließender Auftrennung in eine hauptsäch­ lich siliciumtetrachloridhaltige Fraktion gewonnen wer­ den.
In der DE-PS 21 61 641 wird zwar auch ein Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen durch Umsetzung von Ferro­ silicium mit Chlorwasserstoff beschrieben, bei dem im Kopfraum des Reaktors das Reaktionsgas durch Einsprühen von flüssigem Chlorsilan unter die Sublimationstempera­ tur von Eisenchlorid abgekühlt wird. Das Verfahren wird dort jedoch im Festbett durchgeführt. Diese Arbeits­ weise führt aber nicht zu einer nennenswerten Erhöhung des Trichlorsilananteils, wie aus dem Beispiel in die­ ser Patentschrift hervorgeht, bei dem das produzierte Chlorsilangemisch eine Zusammensetzung von 83% SiCl4, 16,8% SiHCl3 und 0,2% SiH2Cl2 besitzt. Dort werden nämlich zur Vermeidung von Sinterungen pro kg Chlor­ wasserstoff noch 0,9 kg gasförmiges Chlorsilangemisch hinzugegeben. Wie aus dem vorliegenden Beispiel 5 her­ vorgeht, bewirkt ein solcher Zusatz eine leichte Stei­ gerung des Trichlorsilananteils. Eine Extrapolation dieses Beispiels 5 auf Temperaturen von 1300°C zeigt, daß bei Durchführung der beanspruchten Quenchung der Trichlorsilananteil über 30% liegen muß. Bei der in der DE-PS 21 61 641 beschriebenen Verfahrensweise wurde ein solches Ergebnis nicht erhalten, weil die vorlie­ genden erfindungsgemäßen Maßnahmen in einem Festbett nicht durchführbar sind.
Eine Durchführungsform des beanspruchten Ver­ fahrens besteht darin, dem Wirbelbett zusätzlich zu dem Chlorwasserstoff noch gasförmiges Siliciumtetrachlorid hinzuzufügen, wodurch die Ausbeute an Trichlorsilan noch gesteigert wird. Je höher der Zusatz ist, um so höher wird der Anteil an Trichlorsilan im durch Reaktion erhal­ tenen Chlorsilangemisch. Dabei sind Zusätze von 30 bis 50 Volumenprozent durchaus möglich. Die Obergrenze des Zusatzes wird durch wirtschaftliche Gesichtspunkte be­ stimmt.
Die erfindungsgemäße Verfahrensweise läßt sich bei allen bekannten Wirbelschichtverfahren zur Herstellung von Chlorsilanen durch Hydrochlorierung von Silicium einset­ zen. Unter Silicium soll erfindungsgemäß nicht nur me­ tallisches Silicium verstanden werden, sondern auch Le­ gierungen oder intermetallische Verbindungen des Sili­ ciums mit z. B. Eisen, Kohlenstoff, Phosphor oder Stick­ stoff, bei denen der Siliciumgehalt über 50% liegt, wie z. B. Ferrosilicium. Die Korngröße des Siliciums kann dabei zwischen 10 und 1000 µm, vorzugsweise zwischen 30 und 800 µm, liegen. Die durchschnittliche Korngröße beträgt 150 bis 300 µm.
Das entsprechend der erfindungsgemäßen Verfahrensweise hergestellte Trichlorsilan ist ein wichtiges Ausgangs­ produkt zur Herstellung von Organosiliciumverbindungen, Hydrophobierungsmitteln sowie hochreinem Silicium für Solarzellen und Halbleiter. Das weiterhin anfallende Siliciumtetrachlorid dient hauptsächlich als Ausgangs­ produkt zur Herstellung von hochdisperser Kieselsäure.
Beispiel 1
Ein Fließbettreaktor wurde mit metallischem Silicium­ staub gefüllt, der einen Siliciumgehalt von 98 Gew.-% aufwies und dessen Korngröße zwischen 0,05 und 0,5 mm lag. Bei einer Reaktionstemperatur von 800°C und einem Absolutdruck von 1,5 bar wurde wasserfreier Chlorwasser­ stoff von unten als Wirbelgas und Reaktionspartner durch einen Verteilerboden geschickt, so daß im Reaktor eine Leerrohrgeschwindigkeit von 20 cm/s sich einstellte. Der Umsatz des Chlorwasserstoffs war vollständig.
Über ein Einleitrohr wurde von oben flüssiges SiCl4 von 20°C mit einer Verteilerdüse auf die Wirbelschicht auf­ gesprüht, wodurch die Reaktionsgase in weniger als 1 Se­ kunde von 800°C auf 400°C abgekühlt wurden. Im durch Reaktion entstandenen Chlorsilangemisch wurde ein Tri­ chlorsilangehalt von 28 Gew.-% festgestellt.
Bei Durchführung der Reaktion mit der Änderung, daß die Reak­ tionsgase nicht unmittelbar über der Wirbelschicht abge­ kühlt wurden, enthielt das Reaktionsgemisch einen Tri­ chlorsilananteil von 16 Gew.-%.
Beispiel 2
Die Reaktion wurde unter denselben Verhältnissen wie in Beispiel 1 durchgeführt. Außerdem wurde dem Chlor­ wasserstoff vor Eintritt in den Reaktor dampfförmiges Siliciumtetrachlorid in einer Menge von 0,7 kg pro kg Chlorwasserstoff zugemischt. Nach der Quenchung auf 400°C wies das entstandene Chlorsilangemisch einen Trichlorsilananteil von 40 Gew.-% auf. Bei Zumischung von 1,4 kg Siliziumtetrachlorid pro kg Chlorwasser­ stoff wurde nach der Quenchung auf 400°C ein Trichlor­ silananteil von 55% in dem durch Reaktion entstandenen Chlorsilangemisch erhalten.
Vorstehende Arbeitsweise wurde wiederholt, wo­ bei pro kg Chlorwasserstoff 0,7 kg dampfförmiges Sili­ ciumtetrachlorid zugemischt wurden. Die Reaktionsgase wurden nicht gequencht. Der Trichlorsilananteil betrug nur 20 Gew.-% in dem durch Reaktion entstandenen Chlor­ silangemisch.
Beispiel 3
Ein Fließbettreaktor wurde mit metallischem Silicium­ staub gefüllt, wobei der Siliciumanteil 98% betrug. Die Korngröße lag zwischen 0,063 und 0,7 mm. Bei einem Absolutdruck von 1,5 bar und einer Reaktionstemperatur von 500°C wurde zusammen mit dem Chlorwasserstoff dampfförmiges Siliciumtetrachlorid in einer Menge von 15 Vol.-%, bezogen auf den Chlorwasserstoff, über einen Verteilerboden von unten in das Fließbett eingeleitet, so daß sich eine Leerrohrgeschwindigkeit von 15 cm/s einstellte. In Höhe der Wirbelschichtoberfläche wurde über radial angeordnete Einleitrohre Stickstoff von 20°C in einer solchen Menge eingeblasen, daß die aus der Wirbelschicht austretenden Reaktionsgase innerhalb von 0,5 Sekunden auf 300°C abgekühlt wurden. Im durch Reaktion entstandenen Chlorsilangemisch wurde ein Tri­ chlorsilananteil von 84 Gew.-% ermittelt. Ohne Quenchung unter sonst gleichen Bedingungen erhielt man 55 Gew.-% Trichlorsilan.
Wenn bei sonst gleichen Bedingungen die Reaktionstempe­ ratur auf 430°C geändert wurde, erhielt man im entstan­ denen Reaktionsgemisch mit Quenchung 99 Gew.-% Trichlor­ silan, dagegen ohne Quenchung 75 Gew.-% Trichlorsilan.
Beispiel 4
Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß die Leerrohrgeschwindigkeit 40 cm/s betrug und die Reaktionstemperatur bei 1000°C lag. Im durch Reaktion erzeugten Chlorsilan­ gemisch wurde nach der Quenchung auf 500°C innerhalb von 0,2 Sekunden ein Trichlorsilananteil von 24 Gew.-% erhalten. Ohne Quenchung betrug der Trichlorsilanan­ teil 14 Gew.-%.
Beispiel 5
Die Arbeitsweise des Beispiels 4 wurde mit folgenden Änderungen wiederholt:
Dem eingesetzten Chlorwasserstoff wurden 0,7 kg SiCl4 pro kg Chlorwasserstoff untergemischt. Nach erfolgter Quenchung innerhalb 0,1 Sekunden auf 500°C wurden in dem durch Reaktion erzeugten Chlorsilangemisch 36 Gew.-% Trichlorsilan erhalten. Ohne Quenchung ent­ hielt dieses Chlorsilangemisch nur 18 Gew.-% an Tri­ chlorsilan.
Beispiel 6
In einem Reaktor mit sich direkt daran anschließendem Zyklon wurde unter folgenden Bedingungen mit einem Siliciumstaub entsprechend Beispiel 1 bei Normaldruck ein Wirbelbett erzeugt:
Die Leerrohrgeschwindigkeit des eingesetzten Chlor­ wasserstoffs betrug 1,4 m/s, und die Temperatur lag bei 650°C. Das Wirbelbett erstreckte sich über die gesamte Reaktorlänge von 4 Metern. Die Abkühlung in­ nerhalb 0,3 Sekunden erfolgte dadurch, daß der Zy­ klon bei Raumtemperatur gehalten wurde. In seinem Inneren lag die Temperatur bei 500°C.
Das den Zyklon verlassende Chlorsilangemisch hatte einen Anteil von 60 Gew.-% an Trichlorsilan.
Wenn in dem Zyklon die Gase nicht abgekühlt wurden, betrug der Trichlorsilananteil des erhaltenen Chlor­ silangemisches nur 19 Gew.-%.

Claims (2)

1. Verfahren zur Erhöhung der Ausbeute an Trichlorsilan bei der Hydrochlorierung von Silicium in der Wirbel­ schicht bei einer eingestellten Reaktionstemperatur des Wirbelbetts im Temperaturbereich zwischen 300 und 1200°C, gegebenenfalls in Gegenwart von zusätz­ lich dem Wirbelbett zugeführten Siliciumtetrachlorid, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionsgase unmittelbar nach Verlassen des Wir­ belbetts in weniger als 1 Sekunde auf Temperaturen abgekühlt werden, die
  • a) entweder bei maximal 550°C liegen, wenn die Reaktionstemperatur im Wirbelbett über 550°C liegt, oder
  • b) mindestens um 100°C niedriger sind als die Re­ aktionstemperatur im Wirbelbett, wenn letztere bei 550°C oder darunter liegt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Abkühlung Siliciumtetrachlorid eingesetzt wird, wobei das Siliciumtetrachlorid vorzugsweise in flüssiger Phase auf das Wirbelbett aufgesprüht wird.
DE3809784A 1988-03-23 1988-03-23 Expired DE3809784C1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3809784A DE3809784C1 (de) 1988-03-23 1988-03-23
US07/467,286 US5063040A (en) 1988-03-23 1990-01-23 Method for increasing the yield of trichlorosilane in the fluidized-bed hydrochlorination of silicon

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3809784A DE3809784C1 (de) 1988-03-23 1988-03-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3809784C1 true DE3809784C1 (de) 1989-07-13

Family

ID=6350489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3809784A Expired DE3809784C1 (de) 1988-03-23 1988-03-23

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5063040A (de)
DE (1) DE3809784C1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355593A2 (de) * 1988-08-20 1990-02-28 Hüls Aktiengesellschaft Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid
EP0921098A1 (de) * 1997-11-10 1999-06-09 MEMC Electronic Materials, Inc. Geschlossener Kreisprozess für die Herstellung von polykristallinem Silicium und pyrogenem Siliciumdioxid
DE19740923B4 (de) * 1996-09-19 2006-05-24 Tokuyama Corp., Tokuya Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
EP2394955A4 (de) * 2009-02-04 2015-08-26 Tokuyama Corp Verfahren zur herstellung von polykristallinem silizium

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09194490A (ja) * 1996-01-12 1997-07-29 Shin Etsu Chem Co Ltd シラン類の製造方法
NO321276B1 (no) * 2003-07-07 2006-04-18 Elkem Materials Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan
DE102004017453A1 (de) * 2004-04-08 2005-10-27 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan
JP5601438B2 (ja) * 2006-11-07 2014-10-08 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置
WO2008133525A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Norsk Hydro Asa A process for the recycling of high purity silicon metal
JP5397580B2 (ja) * 2007-05-25 2014-01-22 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法
EP2055674B1 (de) * 2007-10-23 2016-09-14 Mitsubishi Materials Corporation Vorrichtung zur Herstellung von Trichlorosilan und Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
US9067338B2 (en) * 2008-08-04 2015-06-30 Semlux Technologies, Inc. Method to convert waste silicon to high purity silicon
TW201031591A (en) * 2008-10-30 2010-09-01 Mitsubishi Materials Corp Process for production of trichlorosilane and method for use thereof
KR101687833B1 (ko) 2009-01-20 2016-12-19 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 트리클로로실란 제조 장치 및 트리클로로실란 제조 방법
JP5633160B2 (ja) * 2009-03-11 2014-12-03 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造装置
NO334216B1 (no) * 2010-08-13 2014-01-13 Elkem As Fremgangsmåte for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan
US9796594B2 (en) 2013-12-10 2017-10-24 Summit Process Design, Inc. Process for producing trichlorosilane

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3303903A1 (de) * 1982-02-16 1983-08-25 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE795913A (fr) * 1972-02-26 1973-06-18 Degussa Procede de preparation de chlorosilanes
US4217334A (en) * 1972-02-26 1980-08-12 Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler Process for the production of chlorosilanes
US4117094A (en) * 1977-06-13 1978-09-26 Texas Instruments Incorporated Process for silicon and trichlorosilane production

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3303903A1 (de) * 1982-02-16 1983-08-25 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0355593A2 (de) * 1988-08-20 1990-02-28 Hüls Aktiengesellschaft Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid
EP0355593A3 (de) * 1988-08-20 1991-04-10 Hüls Aktiengesellschaft Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid
DE19740923B4 (de) * 1996-09-19 2006-05-24 Tokuyama Corp., Tokuya Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
EP0921098A1 (de) * 1997-11-10 1999-06-09 MEMC Electronic Materials, Inc. Geschlossener Kreisprozess für die Herstellung von polykristallinem Silicium und pyrogenem Siliciumdioxid
EP2394955A4 (de) * 2009-02-04 2015-08-26 Tokuyama Corp Verfahren zur herstellung von polykristallinem silizium

Also Published As

Publication number Publication date
US5063040A (en) 1991-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3809784C1 (de)
EP2086879B2 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
EP3606874B1 (de) Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
EP1370490B1 (de) Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
DE102004010055A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium
EP0355337B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Solarsilicium
WO2002022500A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan
DE102011110040B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hochsiedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische
DE1767905A1 (de) Verfahren zur Disproportionierung von Chlorsilanen und Organosilanen
DE2923182A1 (de) Verfahren zur pyrogenen herstellung von feinstteiligem oxid eines matalls und/oder eines metalloids
EP1495033B1 (de) Verfahren zur herstellung von halosilanen unter mikrowellenenergiebeaufschlagung
EP0759438B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dimethyldichlorsilan
DE10049963A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
WO2011020773A1 (de) Katalysator zur hydrodechlorierung von chlorsilanen zu hydrogensilanen und verfahren zur darstellung von hydrogensilanen mit diesem katalysator
EP0410107B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Siliciumdiimid mit geringem Kohlenstoffgehalt
DE3828344C1 (de)
DE4037449A1 (de) Verfahren zur herstellung von kugelfoermigem amorphem siliciumnitrid
DE102012216356A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hochsiedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische
DE4108614C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan aus Siliciumtetrachlorid
DE69104928T2 (de) Silan-Produkte aus der Reaktion von Siliziummonoxid mit Wasserstoffhaliden.
DE4104422A1 (de) Verfahren zur herstellung von trichlorsilan aus siliciumtetrachlorid
DE2533400A1 (de) Verfahren zur herstellung von chlorsilanen
EP1220816B1 (de) Verfahren zur herstellung von hochreinem, granularem silizium bei niedrigem druck
DE4312494A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
DE2546718A1 (de) Verfahren zur herstellung von hochdispersen sio tief 2-alkylprodukten

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of patent without earlier publication of application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DEGUSSA-HUELS AG, 60311 FRANKFURT, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DEGUSSA AG, 40474 DUESSELDORF, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee