DE3809784C1 - - Google Patents
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Description
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren,
die Ausbeute an Trichlorsilan bei der Hydrochlorierung
von Silicium in der Wirbelschicht bei gegebener Reak
tionstemperatur zu erhöhen. Das Verfahren ermöglicht es,
bei einer eingestellten Temperatur im Bereich zwischen
300 und 1200°C Ausbeute-Erhöhungen an Trichlorsilan um
bis zu 45 Prozentpunkte zu erreichen.
Es ist bekannt, daß bei der Hydrochlorierung von Silicium
Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid in unterschied
lichen Anteilen entstehen, je nachdem, unter welchen Be
dingungen die Reaktion durchgeführt wird. Ein wesent
licher Faktor, der den jeweiligen Anteil bestimmt, ist
die Reaktionstemperatur: Niedrige Reaktionstemperaturen
begünstigen die Bildung von Trichlorsilan, während bei
steigenden Reaktionstemperaturen der Anteil an Silicium
tetrachlorid zunimmt, so daß letzteres bei Temperaturen
oberhalb 600°C im allgemeinen in Anteilen über 80% im
erzeugten Chlorsilangemisch anwesend ist.
Es ist wirtschaftlich sinnvoll, bei möglichst hohen Re
aktionstemperaturen zu arbeiten, da dann die Umsetzung
schneller abläuft und damit eine bessere Raum-Zeit-Aus
beute erhalten wird. So wurde beobachtet, daß bei der
Hydrochlorierung von Silicium, d. h. bei der Umsetzung
von Chlorwasserstoff mit Silicium, im Wirbelbett bei
einer Erhöhung der Reaktionstemperatur von 300 auf 500°C
eine Steigerung der Reaktionsgeschwindigkeit um den Fak
tor 7 eintritt. Bei einer Erhöhung der Reaktionstempera
tur von 300 auf 700°C tritt eine entsprechende Steige
rung um den Faktor 22 ein.
Für die Herstellung von Trichlorsilan als Hauptprodukt
wird heute im allgemeinen das Wirbelbettverfahren bei
Temperaturen von 300 bis 400°C angewendet. Bei diesem
Verfahren ist ein guter Wärmeübertrag an die zu kühlende
Reaktorwand gewährleistet, und damit werden lokale Über
hitzungen im Reaktionsbett, die zu einer schlechteren
Selektivität hinsichtlich Trichlorsilan führen, vermie
den. Wird dagegen Siliciumtetrachlorid als Hauptprodukt
angestrebt, so findet die Reaktion in einem Festbett
ofen bei Temperaturen von etwa 1000°C und mehr statt.
Aufgrund der schlechten Wärmeübertragung bei diesem Ver
fahren kann hierbei eine gleichmäßige Temperatur im Re
aktorbett nicht eingehalten werden.
Nachteilig an allen bisherigen Verfahren ist die Tat
sache, daß nur bei relativ niedrigen Reaktionstempera
turen größere Anteile an Trichlorsilan erhalten werden,
wobei eine niedrige Reaktionsgeschwindigkeit und damit
eine weniger günstige Raum-Zeit-Ausbeute in Kauf genom
men werden muß. Außerdem sind die bekannten Verfahren
nicht flexibel in bezug auf die Zusammensetzung des er
zeugten Chlorsilangemisches, wenn die Reaktionstempera
tur nicht in größeren Bereichen geändert wird. Eine Än
derung der Reaktionstemperatur über weite Bereiche zur
Steigerung der Flexibilität in bezug auf den Trichlor
silananteil im Chlorsilangemisch ist jedoch bei den be
kannten Verfahren technisch aufwendig und nicht wirt
schaftlich. Bei einer eventuellen Verbundproduktion von
Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid kommt auch der
Anpassung an eine schwankende Nachfrage nach den einzel
nen Anteilen im Chlorsilangemisch hohe wirtschaftliche
Bedeutung zu.
Zwar wird in der DE-AS 19 42 280 ein Verfahren zur Her
stellung von Chlorsilanen durch Umsetzung von Silicium
mit Chlorwasserstoff beschrieben, bei dem diese Reaktion
in Gegenwart von Wasserstoff durchgeführt wird und so
der Anteil an Trichlorsilan im Chlorsilangemisch gestei
gert werden kann. Allerdings werden Molverhältnisse
Chlorwasserstoff/Wasserstoff von 1 : 1 bis 1 : 50 benö
tigt, um den gewünschten Effekt zu erzielen, wobei mit
steigenden Reaktionstemperaturen größere Mengen an Was
serstoff eingesetzt werden müssen. Das Verfahren hat
deshalb den Nachteil, daß große Volumina gehandhabt wer
den müssen und daß die Abtrennung der Chlorsilane vom
Wasserstoff sehr energieaufwendig ist.
In der DE-OS 33 03 903 wird ein Verfahren zum Herstellen
von Trichlorsilan aus Silicium beschrieben, bei welchem
Silicium mit Chlorwasserstoff, Chlor oder deren Mischun
gen in Gegenwart von Siliciumtetrachlorid bei einer er
höhten Temperatur in Berührung gebracht wird. Dabei kann
der Siliciumtetrachlorid-Dampf als fluidisierendes Medium
für das Silicium dienen. Das beschriebene Verfahren gibt
jedoch auch keine Lehre in bezug auf die Erhöhung der
Ausbeute an Trichlorsilan, insbesondere bei höheren
Temperaturen.
Es bestand deshalb die Aufgabe, ein Verfahren zur Her
stellung von Chlorsilanen aufzufinden, bei dem der An
teil an Trichlorsilan im Reaktionsgemisch auch bei hö
heren Reaktionstemperaturen bei einer eingestellten
Temperatur erhöht wird.
In Erfüllung dieser Aufgabe wurde nun ein Verfahren
zur Erhöhung der Ausbeute an Trichlorsilan bei der Hy
drochlorierung von Silicium in der Wirbelschicht bei
einer eingestellten Reaktionstemperatur des Wirbelbetts
im Temperaturbereich zwischen 300 und 1200°C, gegebe
nenfalls in Gegenwart von zusätzlich dem Wirbelbett zu
geführtem Siliciumtetrachlorid, gefunden, das dadurch
gekennzeichnet ist, daß die Reaktionsgase unmittelbar
nach Verlassen des Wirbelbetts in weniger als 1 Sekunde
auf Temperaturen abgekühlt werden, die
- a) entweder bei maximal 550°C liegen, wenn die Reak tionstemperatur im Wirbelbett über 550°C liegt, oder
- b) mindestens um 100°C niedriger sind als die Reak tionstemperatur im Wirbelbett, wenn letztere bei 550°C oder darunter liegt.
Es ist erfindungsgemäß wesentlich, daß die beanspruchte
Quenchung unmittelbar nach dem Austritt der Reaktions
gase aus dem Wirbelbett erfolgt und daß das aus dem Wir
belbett austretende Chlorsilangemisch so kurz wie nur
möglich den im Wirbelbett herrschenden Temperaturen aus
gesetzt bleibt. Diese Zeitspanne soll maximal 1 Sekunde
betragen; je kürzer sie ist, um so höher ist der Anteil
an Trichlorsilan im erhaltenen Chlorsilangemisch. Das
beanspruchte Verfahren ist deshalb bei hohen Strömungs
geschwindigkeiten des für die Erzeugung und Aufrechter
haltung des Wirbelbetts eingesetzten Gasstromes gut
durchführbar, wobei die Leerrohrgeschwindigkeiten bis
zu 10 m/s betragen können. Solche hohen Leerrohrge
schwindigkeiten lassen sich z. B. in einer expandierten
Wirbelschicht erreichen.
Zur Quenchung können alle üblichen Verfahren benutzt
werden, wie Abkühlung der Reaktionsgase an kalten Wän
den, ggf. in einem sich direkt an das Wirbelbett an
schließenden Zyklon, oder Beimischung von kalten Gasen.
Bevorzugt wird die Abkühlung der Reaktionsgase durch
Einspritzen von flüssigem Siliciumtetrachlorid auf die
Oberfläche des Fließbetts durchgeführt. Dieses Sili
ciumtetrachlorid kann durch Kondensation der Reaktions
gase mit anschließender Auftrennung in eine hauptsäch
lich siliciumtetrachloridhaltige Fraktion gewonnen wer
den.
In der DE-PS 21 61 641 wird zwar auch ein Verfahren zur
Herstellung von Chlorsilanen durch Umsetzung von Ferro
silicium mit Chlorwasserstoff beschrieben, bei dem im
Kopfraum des Reaktors das Reaktionsgas durch Einsprühen
von flüssigem Chlorsilan unter die Sublimationstempera
tur von Eisenchlorid abgekühlt wird. Das Verfahren wird
dort jedoch im Festbett durchgeführt. Diese Arbeits
weise führt aber nicht zu einer nennenswerten Erhöhung
des Trichlorsilananteils, wie aus dem Beispiel in die
ser Patentschrift hervorgeht, bei dem das produzierte
Chlorsilangemisch eine Zusammensetzung von 83% SiCl4,
16,8% SiHCl3 und 0,2% SiH2Cl2 besitzt. Dort werden
nämlich zur Vermeidung von Sinterungen pro kg Chlor
wasserstoff noch 0,9 kg gasförmiges Chlorsilangemisch
hinzugegeben. Wie aus dem vorliegenden Beispiel 5 her
vorgeht, bewirkt ein solcher Zusatz eine leichte Stei
gerung des Trichlorsilananteils. Eine Extrapolation
dieses Beispiels 5 auf Temperaturen von 1300°C zeigt,
daß bei Durchführung der beanspruchten Quenchung der
Trichlorsilananteil über 30% liegen muß. Bei der in
der DE-PS 21 61 641 beschriebenen Verfahrensweise wurde
ein solches Ergebnis nicht erhalten, weil die vorlie
genden erfindungsgemäßen Maßnahmen in einem Festbett
nicht durchführbar sind.
Eine Durchführungsform des beanspruchten Ver
fahrens besteht darin, dem Wirbelbett zusätzlich zu dem
Chlorwasserstoff noch gasförmiges Siliciumtetrachlorid
hinzuzufügen, wodurch die Ausbeute an Trichlorsilan noch
gesteigert wird. Je höher der Zusatz ist, um so höher
wird der Anteil an Trichlorsilan im durch Reaktion erhal
tenen Chlorsilangemisch. Dabei sind Zusätze von 30 bis
50 Volumenprozent durchaus möglich. Die Obergrenze des
Zusatzes wird durch wirtschaftliche Gesichtspunkte be
stimmt.
Die erfindungsgemäße Verfahrensweise läßt sich bei allen
bekannten Wirbelschichtverfahren zur Herstellung von
Chlorsilanen durch Hydrochlorierung von Silicium einset
zen. Unter Silicium soll erfindungsgemäß nicht nur me
tallisches Silicium verstanden werden, sondern auch Le
gierungen oder intermetallische Verbindungen des Sili
ciums mit z. B. Eisen, Kohlenstoff, Phosphor oder Stick
stoff, bei denen der Siliciumgehalt über 50% liegt, wie
z. B. Ferrosilicium. Die Korngröße des Siliciums kann
dabei zwischen 10 und 1000 µm, vorzugsweise zwischen
30 und 800 µm, liegen. Die durchschnittliche Korngröße
beträgt 150 bis 300 µm.
Das entsprechend der erfindungsgemäßen Verfahrensweise
hergestellte Trichlorsilan ist ein wichtiges Ausgangs
produkt zur Herstellung von Organosiliciumverbindungen,
Hydrophobierungsmitteln sowie hochreinem Silicium für
Solarzellen und Halbleiter. Das weiterhin anfallende
Siliciumtetrachlorid dient hauptsächlich als Ausgangs
produkt zur Herstellung von hochdisperser Kieselsäure.
Ein Fließbettreaktor wurde mit metallischem Silicium
staub gefüllt, der einen Siliciumgehalt von 98 Gew.-%
aufwies und dessen Korngröße zwischen 0,05 und 0,5 mm
lag. Bei einer Reaktionstemperatur von 800°C und einem
Absolutdruck von 1,5 bar wurde wasserfreier Chlorwasser
stoff von unten als Wirbelgas und Reaktionspartner durch
einen Verteilerboden geschickt, so daß im Reaktor eine
Leerrohrgeschwindigkeit von 20 cm/s sich einstellte. Der
Umsatz des Chlorwasserstoffs war vollständig.
Über ein Einleitrohr wurde von oben flüssiges SiCl4 von
20°C mit einer Verteilerdüse auf die Wirbelschicht auf
gesprüht, wodurch die Reaktionsgase in weniger als 1 Se
kunde von 800°C auf 400°C abgekühlt wurden. Im durch
Reaktion entstandenen Chlorsilangemisch wurde ein Tri
chlorsilangehalt von 28 Gew.-% festgestellt.
Bei Durchführung der Reaktion mit der Änderung, daß die Reak
tionsgase nicht unmittelbar über der Wirbelschicht abge
kühlt wurden, enthielt das Reaktionsgemisch einen Tri
chlorsilananteil von 16 Gew.-%.
Die Reaktion wurde unter denselben Verhältnissen wie
in Beispiel 1 durchgeführt. Außerdem wurde dem Chlor
wasserstoff vor Eintritt in den Reaktor dampfförmiges
Siliciumtetrachlorid in einer Menge von 0,7 kg pro kg
Chlorwasserstoff zugemischt. Nach der Quenchung auf
400°C wies das entstandene Chlorsilangemisch einen
Trichlorsilananteil von 40 Gew.-% auf. Bei Zumischung
von 1,4 kg Siliziumtetrachlorid pro kg Chlorwasser
stoff wurde nach der Quenchung auf 400°C ein Trichlor
silananteil von 55% in dem durch Reaktion entstandenen
Chlorsilangemisch erhalten.
Vorstehende Arbeitsweise wurde wiederholt, wo
bei pro kg Chlorwasserstoff 0,7 kg dampfförmiges Sili
ciumtetrachlorid zugemischt wurden. Die Reaktionsgase
wurden nicht gequencht. Der Trichlorsilananteil betrug nur
20 Gew.-% in dem durch Reaktion entstandenen Chlor
silangemisch.
Ein Fließbettreaktor wurde mit metallischem Silicium
staub gefüllt, wobei der Siliciumanteil 98% betrug.
Die Korngröße lag zwischen 0,063 und 0,7 mm. Bei einem
Absolutdruck von 1,5 bar und einer Reaktionstemperatur
von 500°C wurde zusammen mit dem Chlorwasserstoff
dampfförmiges Siliciumtetrachlorid in einer Menge von
15 Vol.-%, bezogen auf den Chlorwasserstoff, über einen
Verteilerboden von unten in das Fließbett eingeleitet,
so daß sich eine Leerrohrgeschwindigkeit von 15 cm/s
einstellte. In Höhe der Wirbelschichtoberfläche wurde
über radial angeordnete Einleitrohre Stickstoff von
20°C in einer solchen Menge eingeblasen, daß die aus
der Wirbelschicht austretenden Reaktionsgase innerhalb
von 0,5 Sekunden auf 300°C abgekühlt wurden. Im durch
Reaktion entstandenen Chlorsilangemisch wurde ein Tri
chlorsilananteil von 84 Gew.-% ermittelt. Ohne Quenchung
unter sonst gleichen Bedingungen erhielt man 55 Gew.-%
Trichlorsilan.
Wenn bei sonst gleichen Bedingungen die Reaktionstempe
ratur auf 430°C geändert wurde, erhielt man im entstan
denen Reaktionsgemisch mit Quenchung 99 Gew.-% Trichlor
silan, dagegen ohne Quenchung 75 Gew.-% Trichlorsilan.
Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt
mit dem Unterschied, daß die Leerrohrgeschwindigkeit
40 cm/s betrug und die Reaktionstemperatur bei
1000°C lag. Im durch Reaktion erzeugten Chlorsilan
gemisch wurde nach der Quenchung auf 500°C innerhalb
von 0,2 Sekunden ein Trichlorsilananteil von 24 Gew.-%
erhalten. Ohne Quenchung betrug der Trichlorsilanan
teil 14 Gew.-%.
Die Arbeitsweise des Beispiels 4 wurde mit folgenden
Änderungen wiederholt:
Dem eingesetzten Chlorwasserstoff wurden 0,7 kg SiCl4
pro kg Chlorwasserstoff untergemischt. Nach erfolgter
Quenchung innerhalb 0,1 Sekunden auf 500°C wurden
in dem durch Reaktion erzeugten Chlorsilangemisch
36 Gew.-% Trichlorsilan erhalten. Ohne Quenchung ent
hielt dieses Chlorsilangemisch nur 18 Gew.-% an Tri
chlorsilan.
In einem Reaktor mit sich direkt daran anschließendem
Zyklon wurde unter folgenden Bedingungen mit einem
Siliciumstaub entsprechend Beispiel 1 bei Normaldruck
ein Wirbelbett erzeugt:
Die Leerrohrgeschwindigkeit des eingesetzten Chlor
wasserstoffs betrug 1,4 m/s, und die Temperatur lag
bei 650°C. Das Wirbelbett erstreckte sich über die
gesamte Reaktorlänge von 4 Metern. Die Abkühlung in
nerhalb 0,3 Sekunden erfolgte dadurch, daß der Zy
klon bei Raumtemperatur gehalten wurde. In seinem
Inneren lag die Temperatur bei 500°C.
Das den Zyklon verlassende Chlorsilangemisch hatte
einen Anteil von 60 Gew.-% an Trichlorsilan.
Wenn in dem Zyklon die Gase nicht abgekühlt wurden,
betrug der Trichlorsilananteil des erhaltenen Chlor
silangemisches nur 19 Gew.-%.
Claims (2)
1. Verfahren zur Erhöhung der Ausbeute an Trichlorsilan
bei der Hydrochlorierung von Silicium in der Wirbel
schicht bei einer eingestellten Reaktionstemperatur
des Wirbelbetts im Temperaturbereich zwischen 300
und 1200°C, gegebenenfalls in Gegenwart von zusätz
lich dem Wirbelbett zugeführten Siliciumtetrachlorid,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Reaktionsgase unmittelbar nach Verlassen des Wir
belbetts in weniger als 1 Sekunde auf Temperaturen
abgekühlt werden, die
- a) entweder bei maximal 550°C liegen, wenn die Reaktionstemperatur im Wirbelbett über 550°C liegt, oder
- b) mindestens um 100°C niedriger sind als die Re aktionstemperatur im Wirbelbett, wenn letztere bei 550°C oder darunter liegt.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Abkühlung Siliciumtetrachlorid eingesetzt
wird, wobei das Siliciumtetrachlorid vorzugsweise
in flüssiger Phase auf das Wirbelbett aufgesprüht
wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3809784A DE3809784C1 (de) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | |
US07/467,286 US5063040A (en) | 1988-03-23 | 1990-01-23 | Method for increasing the yield of trichlorosilane in the fluidized-bed hydrochlorination of silicon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US (1) | US5063040A (de) |
DE (1) | DE3809784C1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0355593A2 (de) * | 1988-08-20 | 1990-02-28 | Hüls Aktiengesellschaft | Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid |
EP0921098A1 (de) * | 1997-11-10 | 1999-06-09 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Geschlossener Kreisprozess für die Herstellung von polykristallinem Silicium und pyrogenem Siliciumdioxid |
DE19740923B4 (de) * | 1996-09-19 | 2006-05-24 | Tokuyama Corp., Tokuya | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
EP2394955A4 (de) * | 2009-02-04 | 2015-08-26 | Tokuyama Corp | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silizium |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09194490A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シラン類の製造方法 |
NO321276B1 (no) * | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
DE102004017453A1 (de) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlormonosilan |
JP5601438B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2014-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置 |
WO2008133525A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Norsk Hydro Asa | A process for the recycling of high purity silicon metal |
JP5397580B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2014-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
EP2055674B1 (de) * | 2007-10-23 | 2016-09-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Vorrichtung zur Herstellung von Trichlorosilan und Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
US9067338B2 (en) * | 2008-08-04 | 2015-06-30 | Semlux Technologies, Inc. | Method to convert waste silicon to high purity silicon |
TW201031591A (en) * | 2008-10-30 | 2010-09-01 | Mitsubishi Materials Corp | Process for production of trichlorosilane and method for use thereof |
KR101687833B1 (ko) | 2009-01-20 | 2016-12-19 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 트리클로로실란 제조 장치 및 트리클로로실란 제조 방법 |
JP5633160B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-12-03 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造装置 |
NO334216B1 (no) * | 2010-08-13 | 2014-01-13 | Elkem As | Fremgangsmåte for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
US9796594B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-10-24 | Summit Process Design, Inc. | Process for producing trichlorosilane |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3303903A1 (de) * | 1982-02-16 | 1983-08-25 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE795913A (fr) * | 1972-02-26 | 1973-06-18 | Degussa | Procede de preparation de chlorosilanes |
US4217334A (en) * | 1972-02-26 | 1980-08-12 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Process for the production of chlorosilanes |
US4117094A (en) * | 1977-06-13 | 1978-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Process for silicon and trichlorosilane production |
-
1988
- 1988-03-23 DE DE3809784A patent/DE3809784C1/de not_active Expired
-
1990
- 1990-01-23 US US07/467,286 patent/US5063040A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3303903A1 (de) * | 1982-02-16 | 1983-08-25 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum herstellen von trichlorsilan aus silizium |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0355593A2 (de) * | 1988-08-20 | 1990-02-28 | Hüls Aktiengesellschaft | Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid |
EP0355593A3 (de) * | 1988-08-20 | 1991-04-10 | Hüls Aktiengesellschaft | Verfahren zur Steigerung des Anteils an Siliciumtetrachlorid |
DE19740923B4 (de) * | 1996-09-19 | 2006-05-24 | Tokuyama Corp., Tokuya | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
EP0921098A1 (de) * | 1997-11-10 | 1999-06-09 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Geschlossener Kreisprozess für die Herstellung von polykristallinem Silicium und pyrogenem Siliciumdioxid |
EP2394955A4 (de) * | 2009-02-04 | 2015-08-26 | Tokuyama Corp | Verfahren zur herstellung von polykristallinem silizium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5063040A (en) | 1991-11-05 |
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DE3809784C1 (de) | ||
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