JPH09194490A - シラン類の製造方法 - Google Patents
シラン類の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 直接合成法を用いて、速い生成速度の下で高
選択性、高収率でアルキルハロシラン類を得ることがで
き、特にジアルキルジハロシランを選択性良く製造でき
る（アルキルハロ）シラン類の製造方法を開発する。 【解決手段】 原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備
えた流動層型反応器を用い、該流動層反応器内に金属珪
素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込んだ後、原料ガス供
給管からアルキルハライドを含む原料ガスを導入して直
接合成法により下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n（１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設
し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる設備を
設置すると共に、原料のアルキルハライド含有ガス供給
条件を供給ガス線速と供給ガス密度とを乗じた値が０．
２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの範囲となるように設定す
る。
選択性、高収率でアルキルハロシラン類を得ることがで
き、特にジアルキルジハロシランを選択性良く製造でき
る（アルキルハロ）シラン類の製造方法を開発する。 【解決手段】 原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備
えた流動層型反応器を用い、該流動層反応器内に金属珪
素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込んだ後、原料ガス供
給管からアルキルハライドを含む原料ガスを導入して直
接合成法により下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n（１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設
し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる設備を
設置すると共に、原料のアルキルハライド含有ガス供給
条件を供給ガス線速と供給ガス密度とを乗じた値が０．
２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの範囲となるように設定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属珪素とアルキ
ルハライドとを直接法により反応させ、速い生成速度で
しかも高選択率かつ高収率で高品質の（アルキルハロ）
シラン類を得ることができる（アルキルハロ）シラン類
の製造方法に関する。
ルハライドとを直接法により反応させ、速い生成速度で
しかも高選択率かつ高収率で高品質の（アルキルハロ）
シラン類を得ることができる（アルキルハロ）シラン類
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
アルキルハロシランの合成法に関しては、米国特許第２
３８０９９５号において、ロコウが銅触媒による金属珪
素とアルキルハライドとの直接合成法を開示して以来、
銅触媒の存在下で用いる種々の助触媒に関するもの、銅
触媒とその処理に関するもの、金属珪素に関するもの、
反応装置に関するものなど様々な研究成果が報告されて
いる。
アルキルハロシランの合成法に関しては、米国特許第２
３８０９９５号において、ロコウが銅触媒による金属珪
素とアルキルハライドとの直接合成法を開示して以来、
銅触媒の存在下で用いる種々の助触媒に関するもの、銅
触媒とその処理に関するもの、金属珪素に関するもの、
反応装置に関するものなど様々な研究成果が報告されて
いる。
【０００３】この場合、上記直接合成法は、金属珪素に
銅触媒及び助触媒を添加した触体を活性化した後、これ
にアルキルハライドを導入し、これらを直接気固接触さ
せることによってアルキルハロシランを得る方法であ
り、工業的には流動層型反応器を用いて行なわれる。
銅触媒及び助触媒を添加した触体を活性化した後、これ
にアルキルハライドを導入し、これらを直接気固接触さ
せることによってアルキルハロシランを得る方法であ
り、工業的には流動層型反応器を用いて行なわれる。
【０００４】更に、アルキルハロシランの直接合成法に
て生成するアルキルハロシラン類の中では、ジアルキル
ジハロシランがシリコーン樹脂の原料として数多くの用
途があるため工業的に最も重要であり、最も広範囲に利
用されている。このジアルキルジハロシランの生産性を
向上させるためには、アルキルハロシラン類の生成速度
とジアルキルジハロシランの選択性との両方を向上させ
る必要がある。
て生成するアルキルハロシラン類の中では、ジアルキル
ジハロシランがシリコーン樹脂の原料として数多くの用
途があるため工業的に最も重要であり、最も広範囲に利
用されている。このジアルキルジハロシランの生産性を
向上させるためには、アルキルハロシラン類の生成速度
とジアルキルジハロシランの選択性との両方を向上させ
る必要がある。
【０００５】しかしながら、上記のアルキルハロシラン
類の生成反応は、発熱反応であるために生成速度の上昇
と共に局所的に温度の高い部位が生じ、触体中の触媒粒
子のシンタリング、偏析、触媒の失活、アルキルハライ
ド及びアルキルハロシランの分解、不純物カーボンの蓄
積等の不具合を招くと共に、選択性の悪化、収率の低下
といった問題を生じる。このため、当業者は、ジアルキ
ルジハロシランの選択性維持、反応継続のために遅い生
成速度の下で操業しなければならなかった。
類の生成反応は、発熱反応であるために生成速度の上昇
と共に局所的に温度の高い部位が生じ、触体中の触媒粒
子のシンタリング、偏析、触媒の失活、アルキルハライ
ド及びアルキルハロシランの分解、不純物カーボンの蓄
積等の不具合を招くと共に、選択性の悪化、収率の低下
といった問題を生じる。このため、当業者は、ジアルキ
ルジハロシランの選択性維持、反応継続のために遅い生
成速度の下で操業しなければならなかった。
【０００６】ところで、特公平１−４００３５号公報に
は、アルキルハロシランの直接合成法におけるアルキル
ハライドの導入量は反応器内触体の床を流動化するのに
十分な流量以上であればよいことが記載されている。更
に、特開平１−６６４３９号公報にも同様にアルキルハ
ライドの導入量は、反応器内の触体を流動化するのに十
分なガス量であれば良いことが記載されている。しか
し、反応器内触体が流動化する程度の低い流速では、気
固間伝熱が不十分なため選択性の悪化、収率の低下とい
った問題が生じ、反応の継続運転が困難になるという欠
点があった。
は、アルキルハロシランの直接合成法におけるアルキル
ハライドの導入量は反応器内触体の床を流動化するのに
十分な流量以上であればよいことが記載されている。更
に、特開平１−６６４３９号公報にも同様にアルキルハ
ライドの導入量は、反応器内の触体を流動化するのに十
分なガス量であれば良いことが記載されている。しか
し、反応器内触体が流動化する程度の低い流速では、気
固間伝熱が不十分なため選択性の悪化、収率の低下とい
った問題が生じ、反応の継続運転が困難になるという欠
点があった。
【０００７】一方、特開昭５１−８２１９号公報には、
反応器内へのアルキルハライドを含む原料ガスの導入量
を反応器内空塔線速にして２０〜８０ｃｍ／ｓｅｃとす
ることにより、反応触体の凝集、反応器壁／分散板への
付着が防止されると共に、局所的な発熱が回避され、ジ
アルキルジハロシランの選択性が向上すると記載されて
いる。しかし、流速を向上させると、終末速度を越えた
微粉末が飛沫同伴され、反応器系外に排出されてしま
う。この微粉末は、反応に寄与する表面積が大きいた
め、系外排出により有効反応面積が減少することとな
る。また、粒径の細かい微粉末は、粒子間の伝熱が良好
であり、反応器内温度をより均一にする働きを持ってい
る。従って、微粉末の排出は反応器内温度の偏在を招
き、結果として反応速度の低下、選択性の悪化、収率の
低下といった問題が生じる。
反応器内へのアルキルハライドを含む原料ガスの導入量
を反応器内空塔線速にして２０〜８０ｃｍ／ｓｅｃとす
ることにより、反応触体の凝集、反応器壁／分散板への
付着が防止されると共に、局所的な発熱が回避され、ジ
アルキルジハロシランの選択性が向上すると記載されて
いる。しかし、流速を向上させると、終末速度を越えた
微粉末が飛沫同伴され、反応器系外に排出されてしま
う。この微粉末は、反応に寄与する表面積が大きいた
め、系外排出により有効反応面積が減少することとな
る。また、粒径の細かい微粉末は、粒子間の伝熱が良好
であり、反応器内温度をより均一にする働きを持ってい
る。従って、微粉末の排出は反応器内温度の偏在を招
き、結果として反応速度の低下、選択性の悪化、収率の
低下といった問題が生じる。
【０００８】このように従来の方法はいずれも欠点を有
しており、効率良くアルキルハロシラン類を製造するこ
とができる方法の開発が望まれている。
しており、効率良くアルキルハロシラン類を製造するこ
とができる方法の開発が望まれている。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、速い生成速度の下でしかも高選択性、高収率で高品
質のジアルキルジハロシラン等の（アルキルハロ）シラ
ン類を得ることができる（アルキルハロ）シラン類の製
造方法を提供することを目的とする。
で、速い生成速度の下でしかも高選択性、高収率で高品
質のジアルキルジハロシラン等の（アルキルハロ）シラ
ン類を得ることができる（アルキルハロ）シラン類の製
造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層
型反応器を用い、該流動層反応器内に金属珪素粉末と銅
触媒とを含む触体を仕込んだ後、原料ガス供給管からア
ルキルハライドを含む原料ガスを導入して直接合成法に
より下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層
型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設し、集塵した
触体粉末を再び反応器に循環させると共に、原料のアル
キルハライド含有ガス供給条件を供給ガス線速と供給ガ
ス密度とを乗じた値が０．２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの
範囲となるように設定することにより、上記直接合成法
を用いて、速い生成速度の下でしかも高選択性、高収率
で高品質のジアルキルジハロシラン等の（アルキルハ
ロ）シラン類を得ることができ、特にジアルキルジハロ
シランを選択性良く製造できることを知見し、本発明を
なすに至った。
発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結
果、原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層
型反応器を用い、該流動層反応器内に金属珪素粉末と銅
触媒とを含む触体を仕込んだ後、原料ガス供給管からア
ルキルハライドを含む原料ガスを導入して直接合成法に
より下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層
型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設し、集塵した
触体粉末を再び反応器に循環させると共に、原料のアル
キルハライド含有ガス供給条件を供給ガス線速と供給ガ
ス密度とを乗じた値が０．２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの
範囲となるように設定することにより、上記直接合成法
を用いて、速い生成速度の下でしかも高選択性、高収率
で高品質のジアルキルジハロシラン等の（アルキルハ
ロ）シラン類を得ることができ、特にジアルキルジハロ
シランを選択性良く製造できることを知見し、本発明を
なすに至った。
【００１１】従って、本発明は、原料ガス供給管と生成
ガス送出管とを備えた流動層型反応器を用い、該流動層
反応器内に金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込ん
だ後、原料ガス供給管からアルキルハライドを含む原料
ガスを導入して直接合成法により上記一般式（１）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設
し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させると共
に、原料のアルキルハライド含有ガス供給条件を供給ガ
ス線速と供給ガス密度とを乗じた値が０．２〜２ｋｇ／
ｍ2・ｓｅｃの範囲となるように設定することを特徴と
する（アルキルハロ）シラン類の製造方法を提供する。
ガス送出管とを備えた流動層型反応器を用い、該流動層
反応器内に金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込ん
だ後、原料ガス供給管からアルキルハライドを含む原料
ガスを導入して直接合成法により上記一般式（１）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法におい
て、流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機を連設
し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させると共
に、原料のアルキルハライド含有ガス供給条件を供給ガ
ス線速と供給ガス密度とを乗じた値が０．２〜２ｋｇ／
ｍ2・ｓｅｃの範囲となるように設定することを特徴と
する（アルキルハロ）シラン類の製造方法を提供する。
【００１２】以下、本発明につき更に詳細に説明する
と、本発明の（アルキルハロ）シラン類の製造方法は、
原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層型反
応器内に金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込んだ
後、原料ガス供給管からアルキルハライドを含む原料ガ
スを導入して直接合成法により下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法であ
り、特に前記流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機
を連設し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる
と共に、原料のアルキルハライドガス供給条件を特定条
件に設定するものである。
と、本発明の（アルキルハロ）シラン類の製造方法は、
原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層型反
応器内に金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込んだ
後、原料ガス供給管からアルキルハライドを含む原料ガ
スを導入して直接合成法により下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造する方法であ
り、特に前記流動層型反応器の生成ガス送出管に集塵機
を連設し、集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる
と共に、原料のアルキルハライドガス供給条件を特定条
件に設定するものである。
【００１３】ここで、本発明に使用する金属珪素粉末
は、通常珪素の純度が９７重量％以上、特に純度が９８
重量％以上のものが好ましく使用される。また、金属珪
素粉末の平均粒径は１０〜５００μｍ、特に２０〜１５
０μｍの範囲が好適である。
は、通常珪素の純度が９７重量％以上、特に純度が９８
重量％以上のものが好ましく使用される。また、金属珪
素粉末の平均粒径は１０〜５００μｍ、特に２０〜１５
０μｍの範囲が好適である。
【００１４】また、銅触媒としては、例えば粒状銅粉
末、フレーク状銅等の単体銅、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓ
ｉ、Ｃｕ−Ｓｂ等の銅合金、酸化第一銅、酸化第二銅、
ハロゲン化銅等の銅化合物など種々の形態のものを用い
ることができる。
末、フレーク状銅等の単体銅、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓ
ｉ、Ｃｕ−Ｓｂ等の銅合金、酸化第一銅、酸化第二銅、
ハロゲン化銅等の銅化合物など種々の形態のものを用い
ることができる。
【００１５】これら銅触媒の配合量は、金属珪素粉末１
００部（重量部、以下同様）に対して銅に換算して１〜
１０部、特に２〜８部とすることが好ましい。
００部（重量部、以下同様）に対して銅に換算して１〜
１０部、特に２〜８部とすることが好ましい。
【００１６】また、銅触媒と共に公知の方法に基づいて
亜鉛、アンチモン、錫等の反応促進剤を添加してもよ
い。なお、これら反応促進剤の添加量は、通常量とする
ことができる。
亜鉛、アンチモン、錫等の反応促進剤を添加してもよ
い。なお、これら反応促進剤の添加量は、通常量とする
ことができる。
【００１７】更に、原料として使用するアルキルハライ
ドとしては、具体的に塩化メチル、塩化エチル、臭化メ
チル、臭化エチル等を例示することができるが、この中
では塩化メチルが工業的に最も有用であり、この塩化メ
チルを用いて製造されるジメチルジクロロシランは、多
くのシリコーン樹脂の原料として数多くの用途がある。
ドとしては、具体的に塩化メチル、塩化エチル、臭化メ
チル、臭化エチル等を例示することができるが、この中
では塩化メチルが工業的に最も有用であり、この塩化メ
チルを用いて製造されるジメチルジクロロシランは、多
くのシリコーン樹脂の原料として数多くの用途がある。
【００１８】なお、上記原料のアルキルハライドは、予
め昇温し、ガス化した後、流動層型反応器へ送入するこ
とが望ましい。この場合、アルキルハライドガス単独で
使用しても良いし、不活性ガスとの混合ガスとして使用
しても良い。なお、不活性ガスとしては、例えば窒素ガ
ス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。
め昇温し、ガス化した後、流動層型反応器へ送入するこ
とが望ましい。この場合、アルキルハライドガス単独で
使用しても良いし、不活性ガスとの混合ガスとして使用
しても良い。なお、不活性ガスとしては、例えば窒素ガ
ス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。
【００１９】本発明では、このような原料から下記一般
式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造するものであ
る。
式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
される（アルキルハロ）シラン類を製造するものであ
る。
【００２０】上記式（１）において、Ｒは炭素数１〜４
の低級アルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基が挙げられる。Ｘはハロゲン原子
であり、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙
げられる。
の低級アルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基が挙げられる。Ｘはハロゲン原子
であり、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子等が挙
げられる。
【００２１】次に、本発明方法で用いる製造装置は、原
料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層型反応
器を主体とし、この生成ガス送出管に集塵機を連設し、
集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる設備が設置
されたもので、このような装置を使用することにより、
供給ガスにより飛沫同伴される微粉末が集塵機により捕
捉され、デップレーグ等を介して反応器内に循環するの
で、効率良く（アルキルハロ）シラン類を製造すること
ができる。
料ガス供給管と生成ガス送出管とを備えた流動層型反応
器を主体とし、この生成ガス送出管に集塵機を連設し、
集塵した触体粉末を再び反応器に循環させる設備が設置
されたもので、このような装置を使用することにより、
供給ガスにより飛沫同伴される微粉末が集塵機により捕
捉され、デップレーグ等を介して反応器内に循環するの
で、効率良く（アルキルハロ）シラン類を製造すること
ができる。
【００２２】具体的には、図１に示すような製造装置を
好適に使用することができる。即ち、この製造装置は、
流動層型反応器１を具備するもので、この流動層型反応
器１は原料ガス供給管２及び生成ガス送出管３を備え、
更に、生成ガス供給管３に集塵機としてのサイクロン４
とフィルター５が連結され、このフィルター５にはフィ
ルター洗浄用ガス供給管６と生成ガス排出管７が備えら
ている。また、サイクロン４、フィルター５と流動層型
反応器１の下部との間はそれぞれ回収微粉末送入管８で
連結されている。
好適に使用することができる。即ち、この製造装置は、
流動層型反応器１を具備するもので、この流動層型反応
器１は原料ガス供給管２及び生成ガス送出管３を備え、
更に、生成ガス供給管３に集塵機としてのサイクロン４
とフィルター５が連結され、このフィルター５にはフィ
ルター洗浄用ガス供給管６と生成ガス排出管７が備えら
ている。また、サイクロン４、フィルター５と流動層型
反応器１の下部との間はそれぞれ回収微粉末送入管８で
連結されている。
【００２３】この場合、集塵機としては、集塵効率の高
いもの程好適であり、特に集塵効率９８％以上の集塵能
力を持つものが好ましく使用される。このような集塵機
として具体的には、サイクロンが好適に使用される。
いもの程好適であり、特に集塵効率９８％以上の集塵能
力を持つものが好ましく使用される。このような集塵機
として具体的には、サイクロンが好適に使用される。
【００２４】また、集塵機としてサイクロンを用いる場
合には、サイクロンの後方（下流側）に焼結金属フィル
ター等のフィルターを設置することにより、微粉末の系
外排出による金属珪素のロス等の不利をより軽減するこ
とができ、更に有利である。
合には、サイクロンの後方（下流側）に焼結金属フィル
ター等のフィルターを設置することにより、微粉末の系
外排出による金属珪素のロス等の不利をより軽減するこ
とができ、更に有利である。
【００２５】本発明方法を利用してこの製造装置で（ア
ルキルハロ）シラン類を製造するには、例えば上記金属
珪素粉末と銅触媒を含む触体を流動層型反応器１に仕込
むと共に、原料ガス供給管２から不活性ガスを導入して
触体の流動化を開始する。次いで、流動層型反応器１を
加熱し、触体を所定の温度に加熱した後、一定時間触体
の流動化を継続することにより、触体への触媒活性付与
を行う。その後、原料ガス供給管２からアルキルハライ
ドを流動層型反応器１に導入し、触体との気−固接触反
応により（アルキルハロ）シラン類を製造する。生成ガ
スは生成ガス送出管３から送出され、サイクロン４及び
フィルター５を通って生成ガス排出管から排出される
が、この際、供給ガスにより飛沫同伴される触体微粉末
は、サイクロン４及びフィルター５により捕捉され、デ
ップレーグ等を介して回収微粉末送入管８から流動層型
反応器１内に送入、循環するものである。
ルキルハロ）シラン類を製造するには、例えば上記金属
珪素粉末と銅触媒を含む触体を流動層型反応器１に仕込
むと共に、原料ガス供給管２から不活性ガスを導入して
触体の流動化を開始する。次いで、流動層型反応器１を
加熱し、触体を所定の温度に加熱した後、一定時間触体
の流動化を継続することにより、触体への触媒活性付与
を行う。その後、原料ガス供給管２からアルキルハライ
ドを流動層型反応器１に導入し、触体との気−固接触反
応により（アルキルハロ）シラン類を製造する。生成ガ
スは生成ガス送出管３から送出され、サイクロン４及び
フィルター５を通って生成ガス排出管から排出される
が、この際、供給ガスにより飛沫同伴される触体微粉末
は、サイクロン４及びフィルター５により捕捉され、デ
ップレーグ等を介して回収微粉末送入管８から流動層型
反応器１内に送入、循環するものである。
【００２６】本発明では、原料ガス供給管２から供給さ
れる原料ガスのアルキルハライド含有ガスの供給ガス線
速と供給ガス密度との積を０．２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅ
ｃ、特に０．２５〜１．５ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの範囲と
することが必要である。供給ガス線速と供給ガス密度の
積が０．２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ未満では、速い生成速度
の下で高選択性をあげることができず、２ｋｇ／ｍ2・
ｓｅｃを越えると圧縮機の容量が大きくなり過ぎたり、
集塵機も過大なものとなるため、設備上好ましくない。
また、供給ガス密度は、ガス組成、温度及び圧力により
制御可能であるが、アルキルハロシラン類の直接合成法
における反応温度は公知のとおり２５０〜３５０℃とす
ることが好ましく、この温度範囲内で圧力を調整するこ
とにより供給ガス密度を制御することが好ましい。
れる原料ガスのアルキルハライド含有ガスの供給ガス線
速と供給ガス密度との積を０．２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅ
ｃ、特に０．２５〜１．５ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの範囲と
することが必要である。供給ガス線速と供給ガス密度の
積が０．２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ未満では、速い生成速度
の下で高選択性をあげることができず、２ｋｇ／ｍ2・
ｓｅｃを越えると圧縮機の容量が大きくなり過ぎたり、
集塵機も過大なものとなるため、設備上好ましくない。
また、供給ガス密度は、ガス組成、温度及び圧力により
制御可能であるが、アルキルハロシラン類の直接合成法
における反応温度は公知のとおり２５０〜３５０℃とす
ることが好ましく、この温度範囲内で圧力を調整するこ
とにより供給ガス密度を制御することが好ましい。
【００２７】なお、上記範囲において、供給ガス線速は
０．０５〜１．５ｍ／ｓｅｃ、特に０．１〜０．８ｍ／
ｓｅｃの範囲であることが好ましく、供給ガス密度は
１．１〜１１ｋｇ／ｍ3、特に１．６〜５．４ｋｇ／ｍ3
の範囲であることが好ましい。
０．０５〜１．５ｍ／ｓｅｃ、特に０．１〜０．８ｍ／
ｓｅｃの範囲であることが好ましく、供給ガス密度は
１．１〜１１ｋｇ／ｍ3、特に１．６〜５．４ｋｇ／ｍ3
の範囲であることが好ましい。
【００２８】更に、本発明では、供給ガス中のアルキル
ハライド濃度を管理することにより反応速度を５０〜１
０００ｋｇ／ｔ・ｈｒとすることが望ましく、反応速度
が５０ｋｇ／ｔ・ｈｒ未満では生産上効率が悪くなり、
１０００ｋｇ／ｔ・ｈｒを超えるとアルキルハライドの
分解等により、ジアルキルジハロシランの選択性が低下
する場合がある。
ハライド濃度を管理することにより反応速度を５０〜１
０００ｋｇ／ｔ・ｈｒとすることが望ましく、反応速度
が５０ｋｇ／ｔ・ｈｒ未満では生産上効率が悪くなり、
１０００ｋｇ／ｔ・ｈｒを超えるとアルキルハライドの
分解等により、ジアルキルジハロシランの選択性が低下
する場合がある。
【００２９】
【発明の効果】本発明の（アルキルハロ）シラン類の製
造方法によれば、速い生成速度の下で、しかも高選択
性、高収率で高品質のジアルキルジハロシラン等の（ア
ルキルハロ）シラン類を得ることができる。
造方法によれば、速い生成速度の下で、しかも高選択
性、高収率で高品質のジアルキルジハロシラン等の（ア
ルキルハロ）シラン類を得ることができる。
【００３０】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。また、各例中で標記した語は以下のように定義され
る。 Ｄ：生成有効アルキルハロシラン中のジアルキルジハロ
シランの重量パーセント Ｔ：生成有効アルキルハロシラン中のアルキルトリハロ
シランの重量パーセント
体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるも
のではない。なお、各例中の部はいずれも重量部であ
る。また、各例中で標記した語は以下のように定義され
る。 Ｄ：生成有効アルキルハロシラン中のジアルキルジハロ
シランの重量パーセント Ｔ：生成有効アルキルハロシラン中のアルキルトリハロ
シランの重量パーセント
【００３１】
【数１】
【００３２】〔実施例１〕図１に示したような集塵設備
を有する直径８０ｍｍ、高さ１１５０ｍｍのカーボンス
チール製の流動層型反応器１に原料ガス供給管２から窒
素ガスを導入し、反応器内温度を２８０℃まで上げた。
この流動層型反応器１に平均粒径６０μｍの工業グレー
ドの金属珪素粉を１００部、金属銅粉、金属アンチモン
粉及び金属亜鉛粉よりなる混合物２．７部を仕込み、２
時間放置した後、反応器内に原料ガス供給管２から塩化
メチルと不活性ガスからなる混合ガスを導入し、反応温
度を２９０℃とした。サイクロン４及びフィルター５を
稼働させ、フィルター洗浄用ガス供給管６から窒素ガス
を供給して反応を進めた。
を有する直径８０ｍｍ、高さ１１５０ｍｍのカーボンス
チール製の流動層型反応器１に原料ガス供給管２から窒
素ガスを導入し、反応器内温度を２８０℃まで上げた。
この流動層型反応器１に平均粒径６０μｍの工業グレー
ドの金属珪素粉を１００部、金属銅粉、金属アンチモン
粉及び金属亜鉛粉よりなる混合物２．７部を仕込み、２
時間放置した後、反応器内に原料ガス供給管２から塩化
メチルと不活性ガスからなる混合ガスを導入し、反応温
度を２９０℃とした。サイクロン４及びフィルター５を
稼働させ、フィルター洗浄用ガス供給管６から窒素ガス
を供給して反応を進めた。
【００３３】反応開始後、供給ガス空塔線速（ρ）を
０．１４１ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度（υ）を１．６２
ｋｇ／ｍ3に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密
度の積（ρυ）＝０．２２８ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。ま
た、供給ガス中のアルキルハライド濃度を管理すること
により、反応速度を１３８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。
仕込んだ金属珪素の１０重量％が消費されたところで反
応を停止した。
０．１４１ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度（υ）を１．６２
ｋｇ／ｍ3に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密
度の積（ρυ）＝０．２２８ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。ま
た、供給ガス中のアルキルハライド濃度を管理すること
により、反応速度を１３８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。
仕込んだ金属珪素の１０重量％が消費されたところで反
応を停止した。
【００３４】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシラン（Ｄ）が９１．１重量％、メチルトリ
クロロシラン（Ｔ）が４．５重量％であった。Ｔ／Ｄは
０．０４９４であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシラン（Ｄ）が９１．１重量％、メチルトリ
クロロシラン（Ｔ）が４．５重量％であった。Ｔ／Ｄは
０．０４９４であった。
【００３５】〔実施例２〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０７ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を３．６１ｋｇ／ｍ3に
制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．
２５３ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアル
キルハライド濃度を管理することにより、反応速度を３
００ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素の２
０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０７ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を３．６１ｋｇ／ｍ3に
制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．
２５３ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアル
キルハライド濃度を管理することにより、反応速度を３
００ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素の２
０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００３６】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９０．５重量％、メチルトリクロロ
シランが４．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０５３０
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９０．５重量％、メチルトリクロロ
シランが４．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０５３０
であった。
【００３７】〔実施例３〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．９２ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．２５９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を４８０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．９２ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．２５９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を４８０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００３８】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９１．２重量％、メチルトリクロロ
シランが４．４重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０４８２
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９１．２重量％、メチルトリクロロ
シランが４．４重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０４８２
であった。
【００３９】〔実施例４〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を２．１４ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．２８９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を７２０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を２．１４ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．２８９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を７２０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００４０】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９２．２重量％、メチルトリクロロ
シランが３．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０４１２
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが９２．２重量％、メチルトリクロロ
シランが３．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０４１２
であった。
【００４１】〔比較例１〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０４５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．３１ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．０５９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を２７８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０４５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．３１ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．０５９ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を２７８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００４２】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８５．５重量％、メチルトリクロロ
シランが８．２重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０９６０
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８５．５重量％、メチルトリクロロ
シランが８．２重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０９６０
であった。
【００４３】〔比較例２〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０４５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．８０ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．０８１ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を３０８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０４５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．８０ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．０８１ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を３０８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００４４】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８７．５重量％、メチルトリクロロ
シランが６．９重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７８９
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８７．５重量％、メチルトリクロロ
シランが６．９重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７８９
であった。
【００４５】〔比較例３〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０７ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．３１ｋｇ／ｍ3に
制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．
０９２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアル
キルハライド濃度を管理することにより、反応速度を３
３８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素の２
０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
０７ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．３１ｋｇ／ｍ3に
制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．
０９２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアル
キルハライド濃度を管理することにより、反応速度を３
３８ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素の２
０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００４６】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８７．２重量％、メチルトリクロロ
シランが６．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７８０
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８７．２重量％、メチルトリクロロ
シランが６．８重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７８０
であった。
【００４７】〔比較例４〕実施例１と同様に反応容器内
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．２０ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．１６２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を４２０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
に原料を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．
１３５ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．２０ｋｇ／ｍ3
に制御した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝
０．１６２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中の
アルキルハライド濃度を管理することにより、反応速度
を４２０ｋｇ／ｔ・ｈｒに管理した。仕込んだ金属珪素
の２０重量％が消費されたところで反応を停止した。
【００４８】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８８．５重量％、メチルトリクロロ
シランが６．３重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７１２
であった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８８．５重量％、メチルトリクロロ
シランが６．３重量％であった。Ｔ／Ｄは０．０７１２
であった。
【００４９】〔比較例５〕実施例１の反応器から集塵設
備を取り外す以外は実施例１と同様に反応容器内に原料
を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．１３５
ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．９１ｋｇ／ｍ3に制御
した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．２５
８ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアルキル
ハライド濃度を管理したが、反応速度は８４ｋｇ／ｔ・
ｈｒしか出なかった。仕込んだ金属珪素の２０重量％が
消費されたところで反応を停止した。
備を取り外す以外は実施例１と同様に反応容器内に原料
を供給して反応開始後、供給ガス空塔線速を０．１３５
ｍ／ｓｅｃ、供給ガス密度を１．９１ｋｇ／ｍ3に制御
した（供給ガス空塔線速と供給ガス密度の積＝０．２５
８ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）。また、供給ガス中のアルキル
ハライド濃度を管理したが、反応速度は８４ｋｇ／ｔ・
ｈｒしか出なかった。仕込んだ金属珪素の２０重量％が
消費されたところで反応を停止した。
【００５０】金属珪素２０％消費時における生成物の組
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８４．３重量％、メチルトリクロロ
シランが９．５重量％であった。Ｔ／Ｄは０．１１３で
あった。
成は、生成した有効メチルクロロシランに対してジメチ
ルジクロロシランが８４．３重量％、メチルトリクロロ
シランが９．５重量％であった。Ｔ／Ｄは０．１１３で
あった。
【００５１】上記実施例、比較例の結果は表１に示すと
おりであり、表１の結果より、反応器に集塵設備を備
え、飛散粉を反応器内に循環させることにより、反応性
が著しく向上する上、供給ガス空塔線速と供給ガス密度
の積を本発明範囲内とすることにより、速い反応速度の
下で高選択率でジメチルジクロロシランが得られること
がわかった。
おりであり、表１の結果より、反応器に集塵設備を備
え、飛散粉を反応器内に循環させることにより、反応性
が著しく向上する上、供給ガス空塔線速と供給ガス密度
の積を本発明範囲内とすることにより、速い反応速度の
下で高選択率でジメチルジクロロシランが得られること
がわかった。
【００５２】
【表１】
【図１】本発明方法で使用する製造装置の概略図であ
る。
る。
【図２】実施例及び比較例の製造法における製造条件と
生成物質との関係を示すグラフである。
生成物質との関係を示すグラフである。
１ 流動層型反応器 ２ 原料ガス供給管 ３ 生成ガス送出管 ４ サイクロン ５ フィルター ６ フィルター洗浄用ガス供給管 ７ 生成ガス排出管 ８ 回収微粉末送入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中西 鉄雄 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 佐藤 行徳 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内
Claims (1)
- 【請求項１】 原料ガス供給管と生成ガス送出管とを備
えた流動層型反応器を用い、該流動層型反応器内に金属
珪素粉末と銅触媒とを含む触体を仕込んだ後、原料ガス
供給管からアルキルハライドを含む原料ガスを導入して
直接合成法により下記一般式（１） ＲnＳｉＸ4-n （１） （但し、式中Ｒは炭素数１〜４の低級アルキル基、Ｘは
ハロゲン原子であり、ｎは０〜４の整数である。）で示
されるシラン類を製造する方法において、流動層型反応
器の生成ガス送出管に集塵機を連設し、集塵した触体粉
末を再び反応器に循環させると共に、原料のアルキルハ
ライド含有ガス供給条件を供給ガス線速と供給ガス密度
とを乗じた値が０．２〜２ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃの範囲と
なるように設定することを特徴とするシラン類の製造方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022111A JPH09194490A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | シラン類の製造方法 |
| DE69715054T DE69715054T2 (de) | 1996-01-12 | 1997-01-10 | Herstellung von Silanen |
| US08/781,207 US5712405A (en) | 1996-01-12 | 1997-01-10 | Preparation of silanes |
| EP97300137A EP0784057B1 (en) | 1996-01-12 | 1997-01-10 | Preparation of silanes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022111A JPH09194490A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | シラン類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194490A true JPH09194490A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=12073783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8022111A Pending JPH09194490A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | シラン類の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5712405A (ja) |
| EP (1) | EP0784057B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09194490A (ja) |
| DE (1) | DE69715054T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768018B2 (en) | 2002-11-22 | 2004-07-27 | Shin Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of organohalosilanes |
| JP2005053911A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ge Bayer Silicones Gmbh & Co Kg | クロロシランの製造法 |
| JP2011522821A (ja) * | 2008-06-04 | 2011-08-04 | ダウ・コーニング・コーポレイション | オルガノハロシランおよびハロシランの製造における改良 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3346222B2 (ja) * | 1997-05-13 | 2002-11-18 | 信越化学工業株式会社 | アルキルハロシラン製造用触体の製造方法及びアルキルハロシランの製造方法 |
| US5880307A (en) * | 1998-02-17 | 1999-03-09 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of alkylhalosilanes |
| DE19951773C1 (de) | 1999-10-27 | 2001-03-15 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
| DE10118483C1 (de) * | 2001-04-12 | 2002-04-18 | Wacker Chemie Gmbh | Staubrückführung bei der Direktsynthese von Chlor- und Methylchlorsilanen in Wirbelschicht |
| AU2003236776A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing halosilanes by impinging microwave energy |
| US6717004B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-04-06 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| US20100129281A1 (en) * | 2007-04-25 | 2010-05-27 | Per Bakke | A process for the recycling of high purity silicon metal |
| CN101456877B (zh) * | 2008-12-08 | 2011-05-11 | 江苏宏达新材料股份有限公司 | 一种甲基氯硅烷合成过程中触体的处理方法 |
| NL1039007C2 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-27 | Klaas Gerrit Smit | A process and a reaction apparatus for the gasification of wet biomass. |
| US9249165B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-02-02 | Momentive Performance Materials Inc. | Slurry phase direct synthesis of organohalosilanes from cyclone fines |
| WO2016099833A1 (en) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Dow Corning Corporation | Process for preparing monohydrogentrihalosilanes |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380995A (en) | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US3133109A (en) * | 1960-11-28 | 1964-05-12 | Gen Electric | Silicon compound process and apparatus |
| JPS518219A (en) | 1974-07-11 | 1976-01-23 | Shinetsu Chemical Co | Harogenoshiranruino seizohoho |
| US4500724A (en) | 1983-07-28 | 1985-02-19 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| BR8504396A (pt) * | 1984-09-13 | 1986-07-08 | Union Carbide Corp | Processo direto para a preparacao de siloxanos |
| JPS6466439A (en) | 1987-09-08 | 1989-03-13 | Honda Motor Co Ltd | Air-fuel ratio controlling method of internal combustion engine |
| DE3809784C1 (ja) * | 1988-03-23 | 1989-07-13 | Huels Ag, 4370 Marl, De | |
| DE3841417A1 (de) * | 1988-12-08 | 1990-06-13 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von organosilanen |
| US5312948A (en) * | 1993-10-08 | 1994-05-17 | Dow Corning Corporation | Particle size distribution for fluidized-bed process for making alkylhalosilanes |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8022111A patent/JPH09194490A/ja active Pending
-
1997
- 1997-01-10 EP EP97300137A patent/EP0784057B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-10 US US08/781,207 patent/US5712405A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-10 DE DE69715054T patent/DE69715054T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6768018B2 (en) | 2002-11-22 | 2004-07-27 | Shin Etsu Chemical Co., Ltd. | Preparation of organohalosilanes |
| KR100921315B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2009-10-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 오르가노할로실란의 제조 방법 |
| JP2005053911A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Ge Bayer Silicones Gmbh & Co Kg | クロロシランの製造法 |
| JP2011522821A (ja) * | 2008-06-04 | 2011-08-04 | ダウ・コーニング・コーポレイション | オルガノハロシランおよびハロシランの製造における改良 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0784057B1 (en) | 2002-09-04 |
| US5712405A (en) | 1998-01-27 |
| EP0784057A1 (en) | 1997-07-16 |
| DE69715054D1 (de) | 2002-10-10 |
| DE69715054T2 (de) | 2003-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050330 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050727 |