DE19716690A1 - Wärmebehandlungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben - Google Patents
Wärmebehandlungsvorrichtung für HalbleiterkristallscheibenInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 55
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 235000010678 Paulownia tomentosa Nutrition 0.000 description 2
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
Diese Erfindung betrifft allgemein eine Behandlung von Halb
leiterkristallscheiben [semiconductor wafers] und ins
besondere eine Vorrichtung zur gleichzeitigen Wärmebehandlung
einer Mehrzahl von Halbleiterkristallscheiben.
Im allgemeinen werden bei dem im Chargenbetrieb durchge
führten Doped-Poly-Verfahren drei Kristallscheiben pro Charge
jeweils von beiden Enden und der Mitte als Probe, die als
Kontrollkristallscheiben bezeichnet werden, für eine Wärme
behandlung entnommen, um den Widerstand nach jeder Behandlung
zu messen.
Es gab keine spezielle Wärmebehandlungsvorrichtung für Halb
leiterkristallscheiben, und es wurde die bei einem Diffu
sionsverfahren verwendete Apparatur verwendet. Gemäß Fig. 1,
die die herkömmliche Wärmebehandlungsvorrichtung zeigt, ist
ein vorderer Verschluß 3 auf einer Seite einer Wärmebehand
lungseinheit 1 angeordnet, um eine Kristallscheiben enthal
tende Kassette in eine Kassettenstation 2 einzulegen (die
Kassette ist in Fig. 1 nicht dargestellt). Die Kassette, die
in die Kassettenstation 2 eingelegt ist, wird durch eine
Autokassetten-Ladeeinrichtung 4 zu einem oberen Kassettenende
5 hinaufbewegt und dort gehalten.
Die Kassette am oberen Kassettenende 5 wird durch die Auto
kassetten-Ladeeinrichtung 4 zu einem unteren Kassettenende 6
nach unten bewegt. Eine Kristallscheiben-Transporteinrichtung
7 nimmt Kristallscheiben aus der Kassette heraus, die in das
unteren Kassettenende 6 eingebracht ist, und befördert sie
dann zu einem Schiffchen 8. Das Kristallscheiben enthaltende
Schiffchen 8 wird durch einen Schiffchenaufzug 9 in eine
Heizkammer 10 bewegt.
Wenn die Wärmebehandlung an den Kristallscheiben beendet ist,
kommt das Schiffchen 8 mittels des Schiffchenaufzugs 9 aus
der Heizkammer 10 heraus und nach unten. Deshalb werden die
Kristallscheiben durch die Kristallscheiben-Transporteinrich
tung 7 aus dem Schiffchen 8 zur Kassette am unteren Kasset
tenende 6 befördert, und die Kassette wird durch die Autokas
setten-Ladeeinrichtung 4 zum oberen Kassettenende 5 nach oben
bewegt.
Da die herkömmliche Wärmebehandlungsvorrichtung einen derar
tigen komplizierten Aufbau aufweist, ist wie oben beschrieben
diese eine Betriebszykluszeit ziemlich lang.
Außerdem behandelt die herkömmliche Wärmvorrichtung nur drei
Kristallscheiben in einem Zyklus, und die Begrenzung der
Anzahl von in einem Zyklus behandelten Kristallscheiben trägt
auch zur langen Durchlaufzeit bei. Selbst wenn man die Anzahl
von in einem Zyklus behandelten Kontrollkristallscheiben
erhöht, sollten sie zurückgehalten werden, bis sich eine
angemessene Menge von Kristallscheiben angesammelt hat.
Deshalb ist die herkömmliche Wärmebehandlungsvorrichtung
aufgrund ihres komplizierten Aufbaus und ihrer Betriebseigen
schaften eine derart unzulängliche und zeitraubende Vorrich
tung. Demgemäß beeinflußt die lange Durchlaufzeit auch nach
folgende Verfahrensschritte und verzögert schließlich das
Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelemente selbst.
Demgemäß ist die vorliegende Erfindung auf eine Wärmebehand
lungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben gerichtet,
die im wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund
von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik
beseitigt.
Ein Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine
Wärmebehandlungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben
bereitzustellen, mittels welcher die Wärmebehandlung so
wirkungsvoll durchgeführt wird, daß durch seine Einfachheit
die Betriebskosten verringert werden.
Es ist ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, eine
Wärmebehandlungsvorrichtung für eine Wärmebehandlung von
Kristallscheiben bereitzustellen, mittels welcher nachfol
gende Verfahrensschritte schnell fortschreiten können, wo
durch die Wärmebehandlungszykluszeit verkürzt wird.
Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der
folgenden Beschreibung ausgeführt und sind zum Teil aus der
Beschreibung ersichtlich oder können durch die Praxis der
Erfindung erfahren werden. Die Ziele und andere Vorteile der
Erfindung werden durch den Aufbau verwirklicht und erreicht,
der insbesondere in der Beschreibung und den Ansprüchen sowie
in den beigefügten Zeichnungen erklärt ist.
Um diese und andere Vorteile zu erreichen, und in Überein
stimmung mit dem Ziel der vorliegenden Erfindung, umfaßt die
Wärmebehandlungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben:
einen Tisch, auf dem sich eine Heizkammer, eine Wartekammer
und eine Kassettenstation befinden; ein Schiffchen mit im
Inneren geladen Kristallscheiben, das in die Heizkammer
eingebracht wird; eine Schiffchen-Transporteinrichtung zum
Befördern des Schiffchens, während es sich zwischen der
Wartekammer und der Heizkammer bewegt; einen Kristallschei
ben-Ladeteil zum Befördern der in eine Kassette geladenen
Kristallscheiben zum Schiffchen; und einen Kristall
scheiben-Entladeteil zum Befördern der in das Schiffchen geladenen
Kristallscheiben zur Kassette.
Vorzugsweise ist eine Kammertür zwischen der Heizkammer und
der Wartekammer angebracht, ist eine Vordertür zwischen der
Wartekammer und der Kassettenstation angebracht, und sind
einige Schalter und ein Monitor auf der Kassettenstation
angebracht.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine herkömm
liche Wärmebehandlungsvorrichtung zeigt.
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine erfindungs
gemäße Wärmebehandlungsvorrichtung zeigt.
Fig. 3 ist eine Vorderseitenansicht, die einen Kristallschei
ben-Ladeteil bei der erfindungsgemäßen Wärmebehandlungsvor
richtung zeigt.
Fig. 4 ist eine Vorderseitenansicht, die eine
Schiffchen-Transporteinrichtung bei der erfindungsgemäßen Wärmebehand
lungsvorrichtung zeigt.
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Kristall
scheiben-Entladeteil bei der erfindungsgemäßen Wärmebehand
lungsvorrichtung zeigt.
Die Fig. 6 und 7 sind perspektivische Ansichten, die
Betriebszustände der erfindungsgemäßen Wärmebehandlungsvor
richtung zeigen.
Die vorliegende Erfindung wird nun im folgenden ausführlicher
mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in
denen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt
sind.
Nunmehr Bezug nehmend auf Fig. 2, ist dort eine perspekti
vische Ansicht der erfindungsgemäßen Wärmebehandlungsvorrich
tung dargestellt.
Auf einem Tisch 21 befinden sich nebeneinander eine Heizkam
mer 22, eine Wartekammer 23 und eine Kassettenstation 24. Ein
Schiffchen 25, das mit eingeladenen Kristallscheiben in die
Heizkammer 22 eingebracht wird, ist in der Wartekammer 23
angeordnet. Eine Kristallscheiben enthaltende Kassette 26,
die getempert werden, ist auf der Kassettenstation 24 ange
ordnet.
Ein Kristallscheiben-Ladeteil 30, der auf der Kassettensta
tion 24 angebracht ist, befördert Kristallscheiben aus der
Kassette 26 auf der Kassettenstation 24 in das Schiffchen 25
in der Wartekammer 23. Eine in der Wartekammer 23 angebrachte
Schiffchen-Transporteinrichtung 40 bringt das Schiffchen 25
aus der Wartekammer 23 in die Heizkammer 22 oder umgekehrt.
Ein in der Wartekammer 23 angebrachter Kristall
scheiben-Entladeteil 50 stößt Kristallscheiben aus dem Schiffchen 25
aus und lädt sie in die Kassette 26 auf der Kassettenstation
24.
Wie in Fig. 3 gezeigt, besteht der Kristallscheiben-Ladeteil
30 aus einem von einem Untersetzungsmotor 31 angetriebenen
Paar Seilscheiben 32 und 33 und einem die beiden verbindenden
Drahtseil 34, wobei ein Beladeschieber 35 auf dem Drahtseil
34 befestigt ist, so daß er sich vor und zurück bewegt.
Wie in Fig. 4 gezeigt, besteht die Schiffchen-Transportein
richtung 40 aus einem von einem Untersetzungsmotor 41 ange
triebenen Paar Seilscheiben und einem die beiden verbindenden
Drahtseil 44, wobei eine Schiffchenführung 45 auf dem Draht
seil 44 befestigt ist, so daß sie sich in Übereinstimmung mit
der Bewegung des Drahtseils 44 vor und zurück bewegt.
Wie in Fig. 5 gezeigt, die den Kristallscheiben-Entladeteil 50
darstellt, ist eine erste Schraubenspindel 52 auf einer
Seite der Basis 51 angebracht, und ein Paar erste Führungs
stangen 53 ist entsprechend der Kristallscheiben-Transport
richtung auf beiden Seite der Basis 51 angebracht. Ein hori
zontaler Rahmen 54 ist im rechten Winkel zur ersten Schrau
benspindel 52 und zu den ersten Führungsstangen 53 ange
bracht, so daß er sich von einem ersten Untersetzungsmotor 55
angetrieben vor und zurück bewegt. Eine zweite Schrauben
spindel 56 und eine zweite Führungsstange 57 sind neben
einander auf einer Seite des horizontalen Rahmens 54 angeord
net, und ein Entladeschieber 58 ist auf der zweiten Schrau
benspindel 56 und der zweiten Führungsstange 57 angebracht,
so daß er sich von einem zweiten Untersetzungsmotor 59 ange
trieben quer zur Kristallscheibentransportrichtung (Doppel
pfeil in Fig. 7) vor und zurück bewegt.
Der Entladeschieber 58 besteht aus einem vertikalen Teil 58a
und einem horizontalen Teil 58b quer zu der zweiten Schrau
benspindel 56 und der zweiten Führungsstange 57 und schiebt
die Kristallscheiben aus dem Schiffchen 25 heraus, wenn die
Kristallscheiben entladen werden. Vorzugsweise ist eine
Kammertür 27 zwischen der Heizkammer 22 und der Wartekammer
23 angebracht, und eine Vordertür 28 ist zwischen der Warte
kammer 23 und der Kassettenstation 24 angebracht, so daß
beide in Übereinstimmung mit einem Kristallscheibentransport
geöffnet/geschlossen werden. Weiter sind auf der Kassetten
station 24 einige Schalter 24a und ein Monitor 24b angeord
net.
Entsprechend den Kristallscheiben, die jeden Verfahrens
schritt des Herstellungsverfahrens für Halbleiterbauelemente
chargenweise durchlaufen, werden drei Kristallscheiben pro
Charge, die als Kontrollkristallscheiben bezeichnet werden,
als Proben genommen, und 9-15 Kontrollkristallscheiben aus
3-5 Chargen werden für einen Betriebszyklus in die Kassette 26
auf der Kassettenstation 24 geladen.
Bezug nehmend auf Fig. 2 wird bei Betriebsbeginn die Vorder
tür 28 geöffnet, die in der Kassette 26 gespeicherten Kri
stallscheiben werden durch den von dem Untersetzungsmotor 31
angetriebenen Beladeschieber 35 zu dem auf der Schiffchen
führung 45 der Wartekammer 23 liegenden Schiffchen 25 beför
dert, und dann wird der Beladeschieber 35 durch die umge
kehrte Drehung des Untersetzungsmotors 31 wieder zurück auf
seinen Platz befördert, und die Vordertür 28 wird geschlos
sen.
Anschließend wird die Kammertür 27 geöffnet, und das Kri
stallscheiben enthaltende Schiffchen 25 wird durch eine von
einem Untersetzungsmotor angetriebene Schiffchenführung 45
auf eine Platte 29 der Heizkammer 22 eingebracht.
Die Schiffchenführung 45 wird durch die rückwärtige Drehung
des Untersetzungsmotors 41 zur Wartekammer 23 zurückgeführt.
Die Kammertür 27 wird geschlossen, und die Kristallscheiben
des Schiffchens 25 werden im Innern der Heizkammer 22 getem
pert.
Die Heizkammer ist für 9-15 Stück Kristallscheiben pro Zyklus
ausgelegt, so daß es nicht lange dauert, um eine Wärmebehand
lung an den Kristallscheiben durchzuführen.
Nachdem das Kristallscheibentemperverfahren beendet ist, wird
die Kammertür 27 geöffnet, die von dem Untersetzungsmotor 41
angetriebene Schiffchenführung 45 der Schiffchen-Transport
einrichtung 40 entnimmt das Schiffchen 25 aus der Heizkammer
22 in die Wartekammer 23, und die Kammertür 27 wird geschlos
sen. Dann wird die Vordertür 28 geöffnet, und der Entlade
schieber 58 des Kristallscheiben-Entladeteils 50 wird von dem
zweiten Untersetzungsmotor 59 quer zur Kristallscheibentrans
portrichtung nach vorne bis zu der Linie bewegt, wo sich das
Schiffchen 25 vorbeibewegt, wie in Fig. 7 gezeigt.
Der Rahmen 54 wird vom ersten Untersetzungsmotor 55 in Rich
tung auf das Schiffchen 25 bewegt, so daß der auf dem hori
zontalen Rahmen 54 befestigte Entladeschieber 58 die Kri
stallscheiben, die in der Heizkammer 22 getempert worden
sind, in die Kassette 26 der Kassettenstation 24 drückt.
Deshalb ist die Wärmebehandlung beendet, der Entladeschieber
befindet sich wieder auf dem ursprünglichen Platz, und nun
ist die Wärmebehandlungsvorrichtung für neue Kontrollkri
stallscheiben bereit.
Außerdem wird die Wärmebehandlungsvorrichtung automatisch
betrieben, oder eine Handbedienung steht auch durch einige
auf der Kassettenstation 24 angebrachte Schalter 24a zur
Verfügung, und alle Verfahrensschritte werden durch einen
Monitor 24b beobachtet, der auf der Kassettenstation 24
angeordnet ist.
Die erfindungsgemäße Wärmebehandlungsvorrichtung weist einen
einfachen und wirkungsvollen Betriebsaufbau auf, wie oben
beschrieben, so daß sie die Behandlungszykluszeit und die
Kosten für den Wärmebehandlungsvorgang verringert. Deshalb
wird die Wärmebehandlung schnell durchgeführt, was zu dem
schnellen und wirkungsvollen Herstellungsverfahren für Halb
leiterbauelemente selbst beiträgt.
Es ist für den Fachmann ersichtlich, daß verschiedene Abwand
lungen und Änderungen in der erfindungsgemäßen Wärmebehand
lungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben vorgenommen
werden können, ohne vom Geist oder Umfang der Erfindung
abzuweichen. Folglich ist es beabsichtigt, daß die vorlie
gende Erfindung die Abwandlungen und Änderungen dieser Erfin
dung abdeckt, vorausgesetzt, daß sie in den Bereich der
beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
Claims (7)
1. Wärmebehandlungsvorrichtung für eine Wärmebehandlung von
Halbleiterkristallscheiben im Chargenbetrieb, umfassend:
einen Tisch, auf dem sich nebeneinander eine Heizkammer, eine Wartekammer und eine Kassettenstation befinden;
ein Schiffchen mit im Innern geladenen Kristallscheiben, das in die Heizkammer hineingenommen wird;
eine Schiffchen-Transporteinrichtung zum Befördern des Schiffchens während es sich zwischen der Wartekammer und der Heizkammer bewegt;
einen Kristallscheiben-Ladeteil zum Befördern der in eine Kassette geladenen Kristallscheiben zum Schiffchen; und
einen Kristallscheiben-Entladeteil zum Befördern der in das Schiffchen geladenen Kristallscheiben zur Kassette.
einen Tisch, auf dem sich nebeneinander eine Heizkammer, eine Wartekammer und eine Kassettenstation befinden;
ein Schiffchen mit im Innern geladenen Kristallscheiben, das in die Heizkammer hineingenommen wird;
eine Schiffchen-Transporteinrichtung zum Befördern des Schiffchens während es sich zwischen der Wartekammer und der Heizkammer bewegt;
einen Kristallscheiben-Ladeteil zum Befördern der in eine Kassette geladenen Kristallscheiben zum Schiffchen; und
einen Kristallscheiben-Entladeteil zum Befördern der in das Schiffchen geladenen Kristallscheiben zur Kassette.
2. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der
eine Kammertür zwischen der Heizkammer und der Wartekammer
angebracht ist und eine Vordertür zwischen der Wartekammer
und der Kassettenstation angebracht ist.
3. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der zum
Beobachten des Vorgangs auf der Kassettenstation einige
Schalter und ein Monitor angebracht sind.
4. Wärmebehandlungsvorrichtung für eine schnelle Wärmebe
handlung nach Anspruch 1, bei der der Kristallscheiben-Lade
teil umfaßt:
ein Paar Seilscheiben, die durch ein Drahtseil verbunden sind;
einen Untersetzungsmotor, der die Scheiben mit normaler oder umgekehrter Drehung antreibt; und
einen Beladeschieber, der an dem Drahtseil befestigt ist, um sich zum Laden von Kristallscheiben in Überein stimmung mit der Drehrichtung des Untersetzungsmotors vor und zurück zu bewegen.
ein Paar Seilscheiben, die durch ein Drahtseil verbunden sind;
einen Untersetzungsmotor, der die Scheiben mit normaler oder umgekehrter Drehung antreibt; und
einen Beladeschieber, der an dem Drahtseil befestigt ist, um sich zum Laden von Kristallscheiben in Überein stimmung mit der Drehrichtung des Untersetzungsmotors vor und zurück zu bewegen.
5. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die
Schiffchentransporteinrichtung umfaßt:
ein Paar Seilscheiben, die durch ein Drahtseil verbunden sind;
einen Untersetzungsmotor, der die Scheiben mit normaler oder umgekehrter Drehung antreibt; und
eine Schiffchenführung, die an dem Drahtseil befestigt ist, um sich zum Bewegen des Schiffchens in Übereinstimmung mit der Drehrichtung des Untersetzungsmotors vor und zurück zu bewegen.
ein Paar Seilscheiben, die durch ein Drahtseil verbunden sind;
einen Untersetzungsmotor, der die Scheiben mit normaler oder umgekehrter Drehung antreibt; und
eine Schiffchenführung, die an dem Drahtseil befestigt ist, um sich zum Bewegen des Schiffchens in Übereinstimmung mit der Drehrichtung des Untersetzungsmotors vor und zurück zu bewegen.
6. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 1, bei der der
Kristallscheiben-Entladeteil umfaßt:
eine Basis;
eine erste Schraubenspindel und ein Paar erste Führungs stangen, die auf beiden Enden der Basis entsprechend der Kristallscheibentransportrichtung angebracht sind;
einen horizontaler Rahmen, der auf der ersten Schrauben spindel und den ersten Führungsstangen angebracht ist;
einen ersten Untersetzungsmotor zum Antreiben des Rah mens vor und zurück;
eine zweite Schraubenspindel und eine zweite Führungs stange, die quer zur Kristallscheibentransportrichtung an dem horizontalen Rahmen angebracht sind;
einen Entladeschieber, der auf der zweiten Schrauben spindel und der zweiten Führungsstange zum Entladen der Kristallscheiben angebracht ist; und
einen zweiten Untersetzungsmotor zum Bewegen des Ent ladeschiebers vor und zurück quer zur Kristallscheiben transportrichtung.
eine Basis;
eine erste Schraubenspindel und ein Paar erste Führungs stangen, die auf beiden Enden der Basis entsprechend der Kristallscheibentransportrichtung angebracht sind;
einen horizontaler Rahmen, der auf der ersten Schrauben spindel und den ersten Führungsstangen angebracht ist;
einen ersten Untersetzungsmotor zum Antreiben des Rah mens vor und zurück;
eine zweite Schraubenspindel und eine zweite Führungs stange, die quer zur Kristallscheibentransportrichtung an dem horizontalen Rahmen angebracht sind;
einen Entladeschieber, der auf der zweiten Schrauben spindel und der zweiten Führungsstange zum Entladen der Kristallscheiben angebracht ist; und
einen zweiten Untersetzungsmotor zum Bewegen des Ent ladeschiebers vor und zurück quer zur Kristallscheiben transportrichtung.
7. Wärmebehandlungsvorrichtung nach Anspruch 6, bei der der
Entladeschieber aus einem horizontalen Teil und einem verti
kalen Teil quer zum horizontalen Rahmen zum Zwecke einer
leichten Bewegung besteht, wenn die Kristallscheiben entladen
werden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960038477A KR100203782B1 (ko) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 반도체 웨이퍼 열처리장치 |
KR96-38477 | 1996-09-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19716690A1 true DE19716690A1 (de) | 1998-03-12 |
DE19716690B4 DE19716690B4 (de) | 2004-05-06 |
Family
ID=19472868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19716690A Expired - Fee Related DE19716690B4 (de) | 1996-09-05 | 1997-04-21 | Wärmebehandlungsvorrichtung für Halbleiterkristallscheiben |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5899690A (de) |
JP (1) | JP2828435B2 (de) |
KR (1) | KR100203782B1 (de) |
CN (1) | CN1089487C (de) |
DE (1) | DE19716690B4 (de) |
GB (1) | GB2317052B (de) |
TW (1) | TW497179B (de) |
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-
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- 1997-04-04 JP JP9086690A patent/JP2828435B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-09 TW TW086104500A patent/TW497179B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-04-21 DE DE19716690A patent/DE19716690B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-03 CN CN97111265A patent/CN1089487C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-19 GB GB9710200A patent/GB2317052B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-04 US US08/923,465 patent/US5899690A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9710200D0 (en) | 1997-07-09 |
CN1175790A (zh) | 1998-03-11 |
DE19716690B4 (de) | 2004-05-06 |
GB2317052B (en) | 1998-10-21 |
TW497179B (en) | 2002-08-01 |
CN1089487C (zh) | 2002-08-21 |
JP2828435B2 (ja) | 1998-11-25 |
KR19980020123A (ko) | 1998-06-25 |
US5899690A (en) | 1999-05-04 |
GB2317052A (en) | 1998-03-11 |
JPH1092906A (ja) | 1998-04-10 |
KR100203782B1 (ko) | 1999-06-15 |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |