DE19506745C2 - Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von ProzeßstabilitätInfo
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Description
Diese Erfindung bezieht sich auf Halbleiterfertigung, insbeson
dere auf die Verhinderung der Bildung unerwünschter Filme auf
den Oberflächen von Ätzkammern, die während des Ätzens von Halb
leiterbauelementen einem Plasma ausgesetzt sind.
Um Unzulänglichkeiten von Ätzkammern nach dem Stand der Technik
zu überwinden, werden ein neues Verfahren und eine neue Vorrich
tung zum Ätzen von Halbleiterbauelementen bereitgestellt.
Reaktoren für trockenes Plasmaätzen sind Vakuumkammern, in denen
ein elektrisches Plasma erzeugt wird, um Halbleiterwafer zu ät
zen. Das Ätzen wird üblicherweise durch eine Photoresistmaske
hindurch ausgeführt.
Trockene Ätztechniken werden häufig als reaktives Ionenätzen
oder Plasmaätzen bezeichnet. Trockene Ätzeinrichtungen nach dem
Stand der Technik bilden ein Plasma durch Injizieren von Aus
gangsgasen in ein Gebiet, in dem ein HF-Feld erzeugt wird. Die
Ausgangsgase können Gase umfassen, die Fluor enthalten, zum Bei
spiel CHF₃ oder CF₄.
Das HF-Feld kann durch zwei oder drei interne Elektroden, die an
eine HF-Quelle gekoppelt sind, oder mit Hilfe von externen Elek
troden oder einer Spule erzeugt werden. Die Hochfrequenzanregung
bewirkt, daß sich die Ausgangsgase in ein Plasma umwandeln, das
Ionen und reaktive Spezies erzeugt. Die erzeugten reaktiven Spe
zies diffundieren zu den zu ätzenden Oberflächen, an denen der
Ätzvorgang chemischer Art ist. In ionenunterstützten Prozessen
werden die Halbleiterbauelemente den energiereichen Ionen des
Plasmas ausgesetzt. Die Ionen werden zu dem
Halbleiterbauelement geleitet, an dem die Ionen dann mit den
Substraten kollidieren, was bewirkt, daß Teile der Oberfläche
des Substrates weggeätzt oder abgetragen werden. Die
ionenunterstützten Ätzprozesse beinhalten sowohl chemisches
als auch physikalisches Ätzen.
Während des Ätzprozesses werden Fluorkohlenstoff-Filme auf den
Wänden der Ätzkammer abgeschieden. Die Deposition der
Fluorkohlenstoff-Filme ändert die Impedanz des Systems und
führt mit der Zeit zu einer Abnahme der selbstregulierenden
Vorspannung der Ätzkammer. Dies ändert die
Betriebseigenschaften der Ätzeinrichtung, was den Ätzvorgang
beeinflußt. Außerdem kann der auf den Wänden der Ätzkammer
abgeschiedene Fluorkohlenstoff-Film abblättern und zu einer
Partikelquelle innerhalb der Ätzkammer werden.
Die Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen auf den Wänden der
Ätzkammer wird herkömmlicherweise durch Reinigen der Ätzkammer
unter Verwendung eines O₂-Plasmas und nachfolgendes Rekonditio
nieren der Ätzkammer behandelt. Der Reinigungs- und Alterungs
prozeß der Kammer kann bis zu 30 Prozent der gesamten ver
fügbaren Betriebszeit des Systems erfordern.
US-A-4,430,547 beschreibt eine Ätzkammer, deren Innenwand aus
korrosionsbeständigem Material besteht und mit einer
Heizeinrichtung zum Aufheizen auf ca. 150°C versehen ist. Die
Kammerwand umgibt dabei den Substrathalter.
Aus den Druckschriften JP-A-61 87 861, JP-A-54 162 969 und JP-
A-52 108 67 sind jeweils Beschichtungsmaterialien zur
Innenbeschichtung der Wände von Plasmareaktoren bekannt, die
depositionsresistente Eigenschaften gegenüber dem verwendeten
Ätzgas haben.
Einige Entwürfe nach dem Stand der Technik haben Verfahren
und/oder Vorrichtungen in einem Versuch vorgeschlagen, einige
der durch die Deposition der Fluorkohlenstoff-Filme auf den
Oberflächen innerhalb der Ätzkammer verursachten Probleme zu
eliminieren. In einem System wird zum Beispiel ein zu ätzendes
Substrat innerhalb der Ätzkammer angeordnet und gekühlt,
während die Wände der Kammer auf eine Temperatur von ungefähr
80°C erwärmt werden. Eine Erwärmung der Oberflächen wird
durch Zuführung von heißem Wasser zu einem an den Außenflächen
der trockenen Ätzvorrichtung angebrachten Rohr erreicht. Dies
wird durchgeführt, um das Binden eines Polymerfilmes an die
Wände der Ätzvorrichtung während des Ätzens des Substrates zu
reduzieren.
Dieses Verfahren und/oder diese Vorrichtung reduziert jedoch
die Depositionsrate der Fluorkohlenstoff-Filme auf den
Innenwänden der Kammer nur marginal. Des weiteren resultiert
in Fällen, in denen Einrichtungen mit einem Plasma hoher
Dichte während des Ätzprozesses verwendet werden, eine
teilweise Eliminierung der Depositionsrate um zum Beispiel
10 Prozent bis 20 Prozent durch Erwärmen auf 80°C weiterhin
in einer großen Häufigkeit der Reinigung der Ätzkammer.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die
genannten Nachteile des Standes der Technik zu beseitigen.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und
eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterbauelementen, wobei
die unerwünschte Deposition von Filmen auf den Innenflächen
der Vorrichtung während des Ätzprozesses verhindert wird.
Das Ätzsystem beinhaltet eine Ätzkammer mit einer darin
angeordneten depositionsresistenten Oberfläche bestehend aus
einer Abschirmung, einem Halter zum Halten des zu ätzenden
Bauelementes und einer Heizeinrichtung zum Aufheizen der de
positionsresistenten Oberfläche auf eine Temperatur zwischen
100°C bis 600°C, um die Bildung von Filmen auf den Wänden der
Kammer zu hemmen. Die depositionsresistente Oberfläche in dem
Ätzsystem umgibt den Halter, während sie das Plasma, das zum
Ätzen des Substrates verwendet wird, nicht stört.
Die Erfindung wird am besten beim Lesen der folgenden detail
lierten Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeich
nungen verständlich, in denen durchweg gleiche Bezugszeichen
entsprechende Elemente bezeichnen und in denen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer ersten exemplarischen
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 der er
sten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
in Fig. 1 ist;
Fig. 3a eine schematische Ansicht einer zweiten exemplarischen
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3b eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3b-3b der
zweiten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung in Fig. 3a ist;
Fig. 3c eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3c-3c der
zweiten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung in Fig. 3a ist;
Fig. 4 eine graphische Darstellung ist, welche die Depositions
rate der Filme auf einer erwärmten Oberfläche innerhalb einer
Ätzkammer in Abhängigkeit von der Temperatur jener Oberfläche
bei Verwendung dreier verschiedener Ätzgase zeigt.
Fig. 1 zeigt eine Plasmaätzeinrichtung vom Abwärtsströmungstyp,
die allgemein mit 1 bezeichnet ist. Die Abwärtsströmungs-Plasma
ätzeinrichtung 1 beinhaltet Elektroden 2 zur Erzeugung eines
Plasmas, die einen Gaseinlaß 3 umgeben. Der Gaseinlaß 3 stellt
eine Zuführung von fluorhaltigen Gasen, wie CF₄ und CHF₃, bereit.
Wenn die fluorhaltigen Gase die Elektroden 2 passieren, wird das
Gas in ein Plasma umgewandelt. Eine Düse 4 verteilt das Gas in
die Ätzkammer 9. Der Düse 4 gegenüberliegend und in der Ätzkam
mer 9 angeordnet befindet sich ein Substrathalter 10 zum Halten
von zu ätzenden Substraten 5. Außerdem ist ein Auslaß 6 vorgese
hen, um das Plasma abzuführen.
Die Düse 4 und den Substrathalter 10 umgebend ist in der Ätzkam
mer 9 eine Abschirmung 7 angeordnet, um Wände 15, 16 und 17 der
Ätzkammer 9 zu schützen. Die Abschirmung 7 besteht aus einem
ätzbeständigen Material, das geheizt werden kann. Die Abschir
mung 7 ist mit einer Heizquelle 8 gekoppelt, um die Abschirmung
7 während des Ätzprozesses zu heizen. Die Heizquelle 8 kann zum
Beispiel eine elektrische Heizquelle zum Aufheizen der Abschir
mung 7 unter Verwendung einer Widerstandsheizung oder Heizlampe
beinhalten. Alternativ kann die Heizquelle 8 eine Flüssigkeit
beinhalten, die geheizt wird und die man um die Abschirmung 7
herum oder durch sie hindurch zirkulieren läßt.
Anstelle der Bereitstellung einer externen Heizquelle kann eine
Heizquelle in die Abschirmung eingebaut sein, womit die Notwen
digkeit einer separaten Heizquelle eliminiert ist.
Die Heizquelle 8 beinhaltet ein Steuerungselement zur Steuerung
und Aufrechterhaltung der Temperatur der Abschirmung 7. Es kann
zum Beispiel ein (nicht gezeigter) Meßfühler, wie ein Thermoele
ment, in der Ätzkammer 9 in unmittelbarer Nachbarschaft zur Ab
schirmung 7 angeordnet werden, um die Temperatur der Abschirmung
7 zu bestimmen. Das Steuerungselement innerhalb der externen
Heizquelle 8 stellt die der Abschirmung 7 zugeführte oder die
von derselben erzeugte Wärme in Reaktion auf die von dem Thermo
element empfangenen Temperaturdaten ein, um die Abschirmung 7
auf einer gewünschten Temperatur zu halten.
Das Halten der Abschirmung 7 auf einer bestimmten Temperatur
unter Verwendung eines Rückkopplungssystems, wie dem Steuerungs
element, wird während des Ätzprozesses besonders wichtig. Wäh
rend des Ätzens stellt das erzeugte Plasma eine zusätzliche Wär
mequelle dar, welche die Abschirmung 7 erwärmt. Um die durch das
Plasma erzeugte Wärme zu kompensieren, reduziert das Steuerungs
element die der Abschirmung 7 durch die Heizquelle 8 zugeführte
Wärme. Somit wird eine Regelung zur Aufrechterhaltung der Tempe
ratur der Abschirmung 7 bereitgestellt.
Es kommen viele verschiedene Verfahren und/oder Vorrichtungen
zur Steuerung und Aufrechterhaltung der Temperatur der Abschir
mung 7 in Kombination mit der Heizquelle 8 in Betracht. Diese
können zum Beispiel manuelle oder automatische Steuerungen oder
eine Kombination derselben zur Aufrechterhaltung der gewünschten
Temperatur in der Kammer umfassen. Das Steuerungselement kann
durch Rechner-Hardware und/oder -Software ausgeführt werden.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht von Fig. 1 entlang der
Linie 2-2. In dieser Ansicht wurden die Substrate 5 aus Gründen
der Klarheit aus Fig. 2 weggelassen.
Fig. 2 zeigt den Halter 10, der von der Abschirmung 7, welche
die Wände 15, 16 und 17 der Ätzkammer 9 abschirmt, umgeben ist.
Auf diese Weise verhindert die Abschirmung 7, daß die Wände 15,
16, 17 dem Plasma und den Nebenprodukten des Ätzprozesses ausge
setzt sind, was ansonsten zu einer Filmdeposition auf den Wänden
15, 16 und 17 führt.
Fig. 2 zeigt außerdem die Abschirmung 7 als eine einzige kon
tinuierliche Oberfläche, die innerhalb der Ätzkammer 9 angeord
net ist. Die Abschirmung 7 kann jedoch aus zwei oder mehr ein
zelnen Komponenten gebildet sein, die in der Ätzkammer 9 ange
ordnet sind, um die Oberflächen der Ätzkammer zu schützen. Es
ist bevorzugt, daß die Abschirmung 7 ein möglichst großes Ober
flächengebiet der Wände 15, 16 und 17 schützt, solange die Ab
schirmung 7 das in der Ätzkammer 9 zum Ätzen der Substrate 5
erzeugte Plasma nicht stört. Die Abschirmung 7 sollte zum Bei
spiel die Sichtlinie zwischen dem erzeugten Plasma und den Sub
straten 5 nicht stören.
Außerdem kann die Abschirmung 7 durch eine einzige, mit einer
Abschirmung mit einzelnen Komponenten gekoppelten Heizquelle
gesteuert werden, oder es können zwei oder mehr Heizquellen 8
zum Aufheizen der Abschirmung 7 als ganzes, einzeln oder als
eine Untergruppe vorgesehen sein.
Im Betrieb sind die Substrate 5 innerhalb der Ätzkammer 9 auf
dem Substrathalter 10 angeordnet. Die Abschirmung 7 wird unter
Verwendung der Heizeinrichtung 8, welche die Abschirmung 7 auf
eine ungefähre Temperatur von 300°C für den Fluorkohlenstoff-
Oxid-Ätzverfahrensablauf heizt, auf eine erhöhte Temperatur auf
geheizt. Wenngleich Temperaturen von etwa 300°C bevorzugt sind,
sind Temperaturen im Bereich von 100°C bis 600°C wünschens
wert, da in diesem Bereich signifikante Abnahmen der Deposition
des Fluorkohlenstoffes auf der Abschirmung 7 festzustellen sind.
Nachdem die Abschirmung 7 die gewünschte Temperatur erreicht
hat, wird der Ätzprozeß dadurch eingeleitet, daß man das Gas
durch die Elektroden 2 hindurchströmen läßt, die ein HF-Feld
erzeugen, welches das Gas anregt und bewirkt, daß es in ein
Plasma umgewandelt wird. Die Abschirmung 7 wird während des
Ätzprozesses auf einer erhöhten Temperatur gehalten, so daß
die Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen auf den Wänden 15,
16 und 17 der Ätzkammer 9 und auf der Abschirmung 7 stark
gehemmt wird.
Das Steuerungselement überwacht die Temperatur der Abschirmung
7 und hält sie durch Überwachen der von dem Meßfühler gelie
ferten Temperaturdaten aufrecht. In Reaktion auf die
Temperaturdaten des Meßfühlers wird die der Abschirmung 7
durch die Heizquelle 8 zugeführte Wärmemenge entsprechend
eingestellt, so daß die gewünschte Temperatur der Abschirmung
7 aufrechterhalten wird.
Die Verwendung der auf eine Temperatur von 300°C erwärmten
Abschirmung 7 führt zu einer Vergrößerung des Prozeßfensters
für die Plasmaätzeinrichtung 1. Das Prozeßfenster stellt den
Satz von Randbedingungen dar, unter denen die
Plasmaätzeinrichtung arbeitet. Diese Randbedingungen
beinhalten, ohne jedoch hierauf beschränkt zu sein, die
Zeitdauer, während der die Kammer zum Ätzen betrieben werden
kann, die Arten von Gasgemischen, die verwendet werden können,
und die Leistung, bei der das System betrieben werden kann.
Die Verwendung der Abschirmung 7 reduziert die Ausfallzeit des
Systems für Reinigungsvorgänge, womit die gesamte verfügbare
Betriebszeit der Plasmaätzeinrichtung zum Ätzen erhöht wird.
Dies ist deshalb der Fall, weil eine drastische Reduktion der
Deposition der Fluorkohlenstoff-Filme auf den Wänden 15, 16
und 17 der Ätzkammer bei der Verwendung von auf 300°C
aufgeheizten Abschirmungen festgestellt wird. Somit ist eine
entsprechende Abnahme der Ausfallzeit der Einrichtung zur
Reinigung der Ätzkammer festzustellen.
Außerdem können Fluorkohlenstoff-Gase, die normalerweise nicht
zum Ätzen eingesetzt werden, in Verbindung mit der Abschirmung
7 verwendet werden. Während des Ätzens von Oxiden können zum
Beispiel Gase wie C₂F₄, C₂F₆, C₂F₈ und C₂HF₅ wegen ihrer höheren
Selektivität beim Ätzen der Halbleiterbauelemente verwendet
werden. Diese Gase weisen jedoch den unerwünschten Nebeneffekt
auf, daß sie die Abscheidung großer Mengen von
Fluorkohlenstoff-Filmen auf den freiliegenden Oberflächen der
Ätzkammer verursachen. Um dieses Problem zu überwinden, können
diese Gase in Verbindung mit der Abschirmung 7 verwendet
werden, welche die Bildung der Fluorkohlenstoff-Filme stark
unterbindet.
Eine Ätzkammer kann auch bei erhöhten Leistungspegeln
betrieben werden, bei denen die Anregung des Gases bei höheren
Energiewerten auftritt. Die höheren Leistungspegel stellen
eine höhere Ätzrate bereit, verursachen jedoch ein Anwachsen
der Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen. Die Deposition von
Fluorkohlenstoff-Filmen wird jedoch bei Verwendung einer auf
300°C aufgeheizten Abschirmung signifikant reduziert.
Außerdem wird die inhärente Instabilität bei dem Ätzprozeß
unter Verwendung von Fluorkohlenstoffgasen reduziert, da die
Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen während des
Ätzprozesses stark gehemmt wird. Da die Rate der Bildung von
Fluorkohlenstoff-Filmen auf den Wänden der Ätzkammer
signifikant reduziert ist, wird die Ätzimpedanz während des
Ätzens nicht verändert.
Bei einer alternativen Ausführungsform können die Wände der in
Fig. 1 gezeigten Ätzkammer 9 auf eine erhöhte Temperatur
aufgeheizt werden, ohne eine separate Abschirmungsoberfläche
innerhalb der Kammer anzuordnen. Die Aufheizung der Ätzkammer
9 wird in einer ähnlichen Weise wie bei der ersten
exemplarischen Aus
führungsform durchgeführt, bei welcher die Abschirmung 7 in der
Ätzkammer 9 verwendet wird. Bei dieser Ausführungsform werden
die Wände der Kammer auf 300°C aufgeheizt, was die gleichen er
wünschten Wirkungen erzielt, wie wenn die Abschirmung 7 aufge
heizt wird. Alternativ kann die Abschirmung 7 auf den Wänden 15,
16 und 17 angeordnet werden.
Der Typ von Plasmaätzeinrichtung, bei dem die aufgeheizte Ab
schirmung verwendet werden kann, ist nicht auf Abwärtsströmungs-
Ätzeinrichtungen beschränkt, sondern kann bei einer breiten
Vielzahl von Ätzvorrichtungen verwendet werden, zum Beispiel
Reaktoren mit parallelen Elektroden, Trommelätzeinrichtungen,
zylindrischen Serienätzreaktoren und Magnetronionenätzeinrich
tungen. Außerdem kann eine Plasmaquelle hoher Dichte in Verbin
dung mit einer Resonanzfrequenzvorspannung verwendet werden. Das
Plasma hoher Dichte kann zum Beispiel ein Elektronenresonanz
plasma oder ein Plasma mit gekoppelter Resonanzfrequenz sein.
Eine zweite exemplarische Ausführungsform der vorliegenden Er
findung ist in den Fig. 3a bis 3c gezeigt. Die Ätzeinrichtung
31 mit parallelen Plattenelektroden beinhaltet eine Elektrode
36, die auch als Substrathalter dient. Die zweite Elektrode 33
ist mit Masse verbunden und stellt außerdem die obere Wand der
Ätzkammer 38 dar. Während des Ätzprozesses wird zwischen den
Elektroden 33, 36 oberhalb von Substraten 35 ein Plasma erzeugt.
Eine Abschirmung, die die Komponenten 37, 39 umfaßt, ist in der
Ätzkammer 38 angeordnet, um die Deposition von Fluorkohlenstoff-
Filmen auf den freiliegenden Wänden 40, 41 der Ätzkammer 38 zu
verhindern.
Im Betrieb verhindert die in den Fig. 3a bis 3c gezeigte Aus
führungsform die Bildung von Fluorkohlenstoff-Filmen in einer
ähnlichen Weise wie bei der in Fig. 1 gezeigten ersten exempla
rischen Ausführungsform. Wie bei der ersten exemplarischen Aus
führungsform verwendet diese Ausführungsform eine (nicht gezeig
te) externe Heizquelle zum Heizen der Abschirmung 37, 39. Die
Abschirmungsoberfläche wird vor der Einleitung des Ätzprozesses
auf eine Temperatur von 300°C aufgeheizt.
Die Abschirmung und/oder die Wände der Ätzkammer bei der ersten
und der zweiten exemplarischen Ausführungsform können aus einer
breiten Vielzahl von Materialien aufgebaut sein, zum Beispiel
aus Keramik, Aluminium, Stahl und/oder Quarz. Aluminium ist das
bevorzugte Material, da es leicht maschinell zu bearbeiten ist.
Aluminium ist jedoch gegenüber dem aus einigen der Ausgangsgase,
die während des Ätzprozesses verwendet werden, erzeugten Plasma
reaktiv. Folglich wird Aluminiumoxid oder eine Beschichtung aus
demselben, die auf der Abschirmung oder den Kammerwänden aufge
bracht sind, verwendet, da Aluminiumoxid gegenüber dem Plasma
chemisch inert ist.
Zusätzlich zu den Materialien, die zum Aufbau der Abschirmung
und/oder der Kammerwände verwendet werden, kann eine Schutz
schicht auf den Oberflächen der Abschirmung und/oder der Kammer
wände angebracht werden. Zum Beispiel können Al₂O₃, Sc₂O₃ oder Y₂O₃
als Beschichtungsmaterialien für die freiliegenden Oberflächen
verwendet werden. Diese Materialien werden wegen ihrer Ätzbe
ständigkeit gegenüber dem während des Ätzprozesses erzeugten
Plasma ausgewählt.
Die Kriterien für die Auswahl der obigen Materialien und/oder
Beschichtung basieren auf der Beständigkeit des Materials und/
oder der Beschichtungen gegenüber einem chemischen Angriff der
Spezies, die in dem Plasma durch Anregung des Ausgangsgases wäh
rend des Ätzprozesses erzeugt werden, und der Fähigkeit des Ma
terials und/oder der Beschichtung, die Bildung von Partikeln zu
verhindern, die von der Oberfläche oder dem Material innerhalb
der Ätzkammer abblättern können.
Aluminiumoxid ist zum Beispiel ein wichtiges Beschichtungsmate
rial, da es chemisch inert gegenüber den bei einigen Ätzprozes
ses verwendeten Fluorkohlenstoffgasen ist. Außerdem ist es ein
gutes Material zur Beschichtung von Aluminium, das häufig zum
Aufbau der Ätzkammer verwendet wird.
Die Abschirmung sollte innerhalb der Ätzkammer so angeordnet
sein, daß sie den größten Teil des Oberflächengebiets der Ätz
kammer gegen die Bildung von Fluorkohlenstoff-Filmen abschir
mt, ohne das Ätzen der Halbleiterbauelemente zu stören. Folg
lich beinhaltet bei der in den Fig. 3a bis 3c gezeigten
zweiten exemplarischen Ausführungsform die Abschirmung mehrere
einzelne Komponenten, um eine maximale Abdeckung der
Oberflächen der Ätzkammer zu gewährleisten, ohne das Plasma,
das erzeugt wird, zu stören. Alternativ kann eine einzige
kontinuierliche Abschirmung, wie bei der ersten exemplarischen
Ausführungsform von Fig. 1 gezeigt, für die Abdeckung der
Oberflächen der Ätzkammer geeignet sein.
Obwohl nicht alle Oberflächen der Ätzkammer durch die Abschir
mung abgeschirmt werden müssen, ist es erwünscht, daß die
Oberflächen in größtmöglichem Maße abgeschirmt werden, um die
Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen zu verhindern.
Fig. 4 zeigt die erzielten Ergebnisse, wenn eine innerhalb
einer Ätzkammer angeordnete Oberfläche auf eine erhöhte
Temperatur aufgeheizt wird. Ein Siliciumsubstrat wurde bei
einem Druck von 13.33 N/m² (100 mTorr) geätzt, wobei die
Spitzenspannung während des Ätzprozesses ungefähr -580 V
betrug. Zu Vergleichszwecken wurden drei verschiedene Gase,
die CHF₃ (100%), CHF₃/H₂ (30%) und CHF₃/H₂ (50%) umfassen,
zur Erzeugung des Plasmas verwendet. Die Figur vergleicht die
Depositionsrate von Fluorkohlenstoff-Filmen bei Verwendung der
drei verschiedenen Gase. Wie für die drei verschiedenen Gase
ersichtlich ist, ist die Depositionsrate der
Fluorkohlenstoff-Filme auf der aufgeheizten Oberfläche bei
300°C ausgehend von einer Depositionsrate von ungefähr
10 nm/min bei Raumtemperatur auf nahezu null vermindert.
Außerdem zeigen, wenngleich eine gewisse Reduktion der Deposi
tionsrate bereits unterhalb 100°C erreicht wird, Temperaturen
über 100°C und bis zu 300°C und darüber eine wesentliche
Reduktion der Depositionsrate.
Claims (18)
1. Vorrichtung zur Verhinderung der unerwünschten Deposition
eines Films in einem System zum Ätzen eines Bauelementes
mit einem Plasmastrom, die folgendes umfaßt:
eine Ätzkammer mit einer depositionsresistenten Oberflächeneinrichtung, bestehend aus einer innerhalb der Ätzkammer angeordneten Abschirmung;
Mittel zum Halten des Bauelementes in der Ätzkammer, wobei die Abschirmung die Haltemittel umgibt;
Mittel zum Aufheizen der Abschirmung auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme innerhalb der Ätzkammer zu hemmen.
eine Ätzkammer mit einer depositionsresistenten Oberflächeneinrichtung, bestehend aus einer innerhalb der Ätzkammer angeordneten Abschirmung;
Mittel zum Halten des Bauelementes in der Ätzkammer, wobei die Abschirmung die Haltemittel umgibt;
Mittel zum Aufheizen der Abschirmung auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme innerhalb der Ätzkammer zu hemmen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmung den
Plasmastrom nicht stört.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Abschirmung
auf eine Temperatur zwischen 275°C und 325°C aufgeheizt
wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Abschirmung
auf eine Temperatur von ungefähr 300°C aufgeheizt wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmung auf
den Wänden der Ätzkammer angeordnet ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmung mit
einem Material beschichtet ist, das in dem Plasmastrom
eine niedrige Erosionsrate aufweist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die Abschirmung mit
einem Material beschichtet ist, das aus der Gruppe
ausgewählt ist, die aus Al₂O₃, Y₂O₃ und Sc₂O₃ besteht.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmung ein
Material beinhaltet, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Metallen und Dielektrika besteht.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Abschirmung ein
Material beinhaltet, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Edelstahl, Keramik, Quarz und Aluminium besteht.
10. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Abschirmung dem in
der Ätzkammer erzeugten Plasma gegenüberliegt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ätzkammer entweder
eine oxid-reaktive Ionenätzkammer oder eine
Trockenätzkammer ist, bei der ein Fluorkohlenstoffgasge
misch verwendet wird.
12. Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Quelle für ein
Plasma hoher Dichte mit einer Resonanzfrequenzvorspannung
beinhaltet.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei die Quelle für das
Plasma hoher Dichte entweder ein Elektronenresonanzplasma
oder ein Plasma mit gekoppelter Resonanzfrequenz ist.
14. Verfahren zum Hemmen der Deposition von unerwünschten
Filmen in einer Ätzkammer, das folgende Schritte umfaßt:
Anordnen einer depositionsresistenten Oberfläche in Form einer Abschirmung, die die Haltemittel zum Ätzen eines Bauelements umgibt, in dem Hohlraum der Ätzkammer; und
Aufheizen der depositionsresistenten Oberfläche in der Ätzkammer auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme in der Ätzkammer während des Ätzvorgangs zu verhindern.
Anordnen einer depositionsresistenten Oberfläche in Form einer Abschirmung, die die Haltemittel zum Ätzen eines Bauelements umgibt, in dem Hohlraum der Ätzkammer; und
Aufheizen der depositionsresistenten Oberfläche in der Ätzkammer auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme in der Ätzkammer während des Ätzvorgangs zu verhindern.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die
depositionsresistente Oberfläche auf eine Temperatur
zwischen 275°C und 325°C aufgeheizt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die
depositionsresistente Oberfläche auf eine Temperatur von
ungefähr 300°C aufgeheizt wird.
17. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Ätzkammer ein
Plasma erzeugt und wobei die depositionsresistente
Oberfläche mit einem Material beschichtet ist, das in dem
Plasma eine niedrige Erosionsrate aufweist.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die
depositionsresistente Oberfläche mit einem Material
beschichtet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die
aus Al₂O₃, Y₂O₃ und Sc₂O₃ besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/208,158 US5798016A (en) | 1994-03-08 | 1994-03-08 | Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19506745A1 DE19506745A1 (de) | 1995-09-14 |
DE19506745C2 true DE19506745C2 (de) | 1996-12-19 |
Family
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