JP3243740B2 - 工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング - Google Patents

工程の安定性を得るために温度制御を行うホット・ウォール反応性イオン・エッチング

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造に関するも
のであり、特に、半導体デバイスのエッチング中にプラ
ズマに露出されるエッチング・チェンバ表面上の、好ま
しくない皮膜の形成防止に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術によるエッチング・チェンバ
の欠点を改善するため、半導体デバイスのエッチングの
方法およびデバイスを提供する。
【０００３】プラズマ乾式エッチ・リアクタは、半導体
ウエーハをエッチングするために電気的プラズマが形成
される真空室である。エッチングは通常フォトレジスト
・マスクを通して行われる。
【０００４】乾式エッチング技術は、反応性イオン・エ
ッチングまたはプラズマ・エッチングと呼ばれることも
ある。従来の技術による乾式エッチング・デバイスは、
高周波電界が形成される区域に前駆物質ガスを注入する
ことによりプラズマを形成する。前駆物質ガスはフッ素
を含有する気体、たとえばＣＨＦ3またはＣＦ4を含むも
のでよい。
【０００５】高周波電界は、高周波電源に接続した２ま
たは３本の内部電極、または外部電極もしくはコイルに
より発生させることができる。高周波励起により、前駆
物質ガスがイオンおよび反応性の基を発生させるプラズ
マに変化する。発生した反応性の基は、エッチングされ
る表面に拡散し、化学的にエッチングが行われる。イオ
ン援用法では、半導体デバイスはプラズマの活性イオン
に露出される。イオンは半導体デバイスに向けられ、こ
こでイオンは基板に衝突して、基板の表面の一部がエッ
チングにより除去される。イオン援用法は、化学および
物理エッチングの両方に関係する。
【０００６】エッチング工程の間に、フルオローカーボ
ン（ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ）皮膜がエッチング・チ
ェンバの壁面に付着する。フルオローカーボン皮膜の付
着により、デバイスのインピーダンスが変化し、時間が
経過するとともにエッチング・チェンバの自己バイアス
電圧が減少する。これによりエッチング・デバイスの動
作特性が変化し、エッチング工程に影響を与える。さら
に、エッチング・チェンバの壁面に付着したフルオロー
カーボン皮膜が剥離して、エッチング・チェンバ内の粒
子源となる。
【０００７】エッチング・チェンバの壁面へのフルオロ
ーカーボン皮膜の付着は、従来はＯ2プラズマを使用し
てエッチング・チェンバを洗浄した後、エッチング・チ
ェンバを再コンディショニングすることにより処理され
ていた。チェンバの洗浄およびシーズニング工程は、デ
バイスの総運転時間の３０％までの時間を要することが
ある。
【０００８】従来の技術による設計では、エッチング・
チェンバの表面へのフルオローカーボン皮膜の付着によ
り生じる問題を部分的に解決するエッチング方法または
デバイスを提供するものであった。たとえば、ある種の
エッチンク・デバイスでは、エッチングすべき基板をエ
ッチング・チェンバ内に置き、チェンバが約８０℃の温
度に加熱される間、基板が冷却される。エッチング・チ
ェンバの加熱は、乾式エッチング・デバイスの外表面に
取り付けられたパイプに熱水を供給することにより行
う。これは、基板がエッチングされる間に、重合体皮膜
がエッチング・デバイスの壁面に接着するのを減少させ
るために行う。
【０００９】しかし、この方法および（または）デバイ
スは、チェンバの内壁へのフルオローカーボン皮膜の付
着速度をわずかに減少させるに過ぎない。さらに、エッ
チング工程中に高密度プラズマ・デバイスを使用する場
合、８０℃に加熱することにより、たとえば１０ないし
２０％付着速度を部分的に減少させたとしても、エッチ
ング・チェンバは依然頻繁に洗浄しなければならない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、エッ
チング工程の間に、好ましくない皮膜がデバイスの内壁
に付着するのを防止する、半導体デバイスをエッチング
する方法およびデバイスを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング・デ
バイスは、耐付着表面を有するエッチング・チェンバ
と、エッチングすべきデバイスのホルダと、耐付着表面
を１００℃ないし６００℃の温度に加熱して、チェンバ
壁面への皮膜形成を阻止するヒータとを有する。このエ
ッチング・デバイスはさらに、ホルダを包囲し、しかも
基板のエッチングに使用するプラズマを妨害しない耐付
着表面を有するものであってもよい。
【００１２】
【実施例】図１に、ダウンストリーム型プラズマ・エッ
チング・デバイス１を示す。このダウンストリーム型プ
ラズマ・エッチング・デバイス１は、ガス入口３を包囲
するプラズマ発生のための電極２を有する。ガス入口３
は、ＣＦ4およびＣＨＦ3などのフッ素を含有するガスを
供給する。フッ素を含有するガスが電極２を通過する
と、ガスはプラズマに変換される。ノズル４は、ガスを
エッチング・チェンバ９内に拡散させる。ノズル４と反
対側に、エッチング・チェンバ９内には、エッチングさ
れる基板５を保持するホルダ１０がある。出口６も、プ
ラズマを排気するために設けられている。
【００１３】エッチング・チェンバ９内に、ノズル４と
ホルダ１０とを包囲する、エッチング・チェンバ９の壁
面１５、１６および１７を保護するためのライナ７があ
る。ライナ７は、加熱することができる耐エッチング性
の材料である。ライナ７は、エッチング工程中にライナ
７を加熱するために熱源８に接続している。熱源８は、
たとえば、抵抗加熱を利用してライナ７を加熱するため
の電熱源でも、加熱用電球でもよい。代替方法として、
熱源８は、ライナ７中または周囲を循環する加熱された
液体を含むものでもよい。
【００１４】外部熱源を設ける代わりに、熱源をライナ
中に設けることにより、別の熱源の必要性を除去するこ
とも可能である。
【００１５】熱源８は、ライナ７の温度を制御し、保持
する制御エレメントを有する。たとえば、ライナ７の温
度を測定するため、熱電対などのプローブ（図示されて
いない）を、エッチング・チェンバ９内のライナ７の近
くに置くことができる。外部熱源８内の制御エレメント
が、ライナ７を所期の温度に保持するため、熱電対から
受けた温度データに反応して、ライナ７に供給され、ま
たはライナ７が発生する熱を調節する。
【００１６】制御エレメントなどのフィードバック・デ
バイスを使用して、ライナ７を特定の温度に保持するこ
とは、エッチング工程中特に重要である。エッチング中
に、発生するプラズマがライナ７をさらに加熱する熱源
となる。プラズマが発生する熱を相殺するため、制御エ
レメントは熱源８がライナ７に供給する熱を減少させ
る。このようにして、ライナ７の温度を維持するための
フィードバック制御が行われる。
【００１７】熱源８と組み合わせてライナ７の温度を制
御し、維持するための多数の方法および（または）デバ
イスが考えられる。これらには、たとえば、チェンバ内
の所期の温度を維持するために、手動、自動、または手
動と自動の組合せなどが含まれる。制御エレメントは、
コンピュータのハードウェアおよび（または）ソフトウ
ェアにより実行される。
【００１８】図２は、図１の線ＡＡに沿った断面を示
す。この図では、分かりやすくするために基板５を省略
してある。
【００１９】図２には、エッチング・チェンバ９の壁面
１５、１６および１７を遮閉するライナ７により包囲さ
れたホルダ１０を示す。このようにして、ライナ７は壁
面１５、１６および１７が、壁面１５、１６および１７
の上に皮膜を付着させる原因となるプラズマ、およびエ
ッチング工程の副産物に露出されるのを防止する。
【００２０】図２には、ライナ７がエッチング・チェン
バ９の中に置かれたひとつの連続した表面としても示さ
れている。しかし、ライナ７は、エッチング・チェンバ
の表面を保護するために、エッチング・チェンバ９中に
置かれた２個以上の個別の部品から形成してもよい。ラ
イナ７は、基板５をエッチングするためにエッチング・
チェンバ９中で形成されたプラズマを妨害しない限り、
壁面１５、１６および１７の面積をなるべく広く保護す
ることが好ましい。たとえば、ライナ７は、発生したプ
ラズマと基板５とを結ぶ直線を妨害しないようにする。
【００２１】さらに、ライナ７は、個別の部品を有する
ライナに結合した１個の熱源、または２個以上の熱源８
を、ライナ７を全体として、または個別に、またはサブ
セット・グループとして加熱するために設けることがで
きる。
【００２２】操作中は、基板５はエッチング・チェンバ
９の基板ホルダ１０の上に置かれる。ライナ７は、ライ
ナ７をフルオローカーボン酸化物のエッチング処理のた
めに約３００℃の温度まで加熱するヒータ８を使用して
加熱する。約３００℃の温度が好ましいが、温度は１０
０ないし６００℃の範囲とすることができる。これは、
この範囲では、ライナ７上へのフルオローカーボンの付
着が顕著に減少するためである。
【００２３】ライナ７が所期の温度に達した後、ガスを
励起してプラズマに変化させる高周波電界を発生させる
電極２を通過させることにより開始する。エッチング工
程の間、ライナ７は高温に保ち、エッチング・チェンバ
９の壁面１５、１６および１７、ならびにライナ７への
フルオローカーボンの付着を著しく妨害する。
【００２４】制御エレメントは、プローブから得られる
温度データを監視することにより、ライナ７の温度を監
視し、維持する。プローブからの温度データに反応し
て、熱源８からライナ７に供給される熱量が調節され、
ライナ７が所期の温度に保たれる。
【００２５】３００℃に加熱したライナ７を使用するこ
とにより、プラズマ・エッチング・デバイス１のプロセ
ス・ウィンドウの幅が広くなる。プロセス・ウィンドウ
とは、プラズマ・エッチング・デバイスが作動する場合
の一連の制約のことをいう。これらの制約には、チェン
バをエッチングのために使用する時間、使用可能な混合
ガスの種類、デバイスを運転することができる電力など
があるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】ライナ７を使用することにより、デバイス
の洗浄のための停止時間が短縮し、プラズマ・エッチン
グ・デバイスのエッチングのために使用できる全体時間
が増大する。このことは、３００℃に加熱したライナを
使用することにより、エッチング・チェンバの壁面１
５、１６および１７へのフルオローカーボン皮膜の付着
を著しく減少させることができるためである。これに伴
って、エッチング・チェンバの洗浄のためのデバイスの
停止時間を減少させることができる。
【００２７】従来の技術による方法では、エッチング・
チェンバの壁面に付着した皮膜は、Ｏ2プラズマを使用
して除去した後、エッチング・チェンバを再コンディシ
ョニングしていた。この工程には、デバイスの全運転時
間の３０％を必要とする。しかし、本実施例のライナ７
を使用することにより、プラズマ・エッチング・デバイ
ス１の停止時間が短縮する。
【００２８】さらに、通常はエッチングには使用しない
フルオローカーボン皮膜を、ライナ７とともに使用する
ことができる。たとえば、酸化物のエッチングの間に、
半導体デバイスのエッチングの選択性が高いために、Ｃ
2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｆ8、Ｃ2ＨＦ5などのエッチング・ガ
スを、使用することができる。しかし、これらのガス
は、エッチング・チェンバの露出した表面上に、大量の
フルオローカーボン皮膜が付着するという好ましくない
問題がある。この問題を解決するため、フルオローカー
ボン皮膜の生成を抑制するライナ７と併用することがで
きる。
【００２９】また、ひとつのエッチング・チェンバは、
ガスの励起が高エネルギー・レベルで生じる増大した電
力レベルで運転することができる。電力レベルを高くす
るほど、エッチング速度が高くなるが、フルオローカー
ボン皮膜の付着も増大する。しかし、フルオローカーボ
ン皮膜の付着は、３００℃に加熱したライナを使用する
ことにより著しく減少する。
【００３０】さらに、このエッチング工程中にフルオロ
ーカーボン皮膜の付着が大幅に妨害されるため、フルオ
ローカーボンガスを使用するエッチング工程に固有の不
安定性は減少する。エッチング・チェンバの壁面上のフ
ルオローカーボン皮膜の生成速度は大幅に減少するた
め、エッチング中にエッチングの妨害を増加させること
はない。
【００３１】代替実施例では、分離されたライナ表面を
配置することなく、図１に示すエッチング・チェンバ９
の壁面を、高温に加熱することができる。エッチング・
チェンバ９の加熱は、エッチング・チェンバ９中にライ
ナ７を使用する第１の実施例と同様の方法で行うことが
できる。この実施例では、チェンバの壁面を３００℃に
加熱することにより、ライナ７を加熱した場合と同様の
好ましい効果が得られる。また、ライナ７を壁面１５、
１６および１７の上に設けることもできる。
【００３２】加熱したライナを使用することのできるプ
ラズマ・エッチング・デバイスは、ダウンストリーム・
エッチング・デバイスに限定されず、たとえば、並列電
極反応デバイス、バレル・エッチング・デバイス、円筒
バッチ式エッチ反応デバイス、マグネトロン・イオン・
エッチング・デバイスなど、各種のエッチング・デバイ
スを使用することができる。さらに、高密度プラズマ
源、たとえば電子サイクロトロン共鳴プラズマ源、を使
用することもできる。
【００３３】本発明の第２の実施例を図３ないし図５に
示す。平行板電極エッチング・デバイス３１は、基板ホ
ルダとしても機能する電極３６を有する。第２の電極３
３は接地され、エッチング・チェンバ３８の上部壁面で
もある。プラズマは、エッチング工程中に基板３５の上
の電極３３および３６の間で発生する。
【００３４】部品３７、３９からなるライナをエッチン
グ・チェンバ３８内に設け、エッチング・チェンバ３８
の露出した壁面４０、４１のフルオローカーボン皮膜の
付着を防止する。
【００３５】運転中には、図３ないし図５に示す実施例
は、図１に示す第１の実施例と同様に、フルオローカー
ボン皮膜の形成を防止する。第１の実施例と同様に、こ
の実施例は、ライナ３７、３９の加熱に外部熱源（図示
されていない）を使用する。ライナの表面は、エッチン
グ工程開始前に３００℃に加熱される。
【００３６】第１および第２の実施例の、ライナおよび
（または）エッチング・チェンバの壁面は、たとえば、
セラミック、アルミニウム、鋼鉄および（または）石英
など、各種の材料で製作することができる。アルミニウ
ムは機械加工が容易なため、好ましい材料である。しか
し、アルミニウムはエッチング工程中に使用する一部の
前駆物質ガスから発生するプラズマと反応性がある。そ
こで、酸化アルミニウムはプラズマに対して不活性であ
るため、ライナまたはチェンバの壁面に設けた酸化アル
ミニウムまたはそのコーティングを使用する。
【００３７】ライナおよび（または）チェンバの壁面を
構成するために使用する材料に加えて、ライナ表面およ
び（または）チェンバの壁面保護コーティングを塗布す
ることができる。たとえば、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3または
Ｙ2Ｏ3を、露出した表面のコーティング材料として使用
することができる。これらの材料は、エッチング工程中
に発生するプラズマに対して耐エッチング性を有するた
めに選択される。
【００３８】上記材料および（または）コーティングの
選択は、エッチング工程中の前駆物質ガスの励起により
プラズマ中に生成する基による化学的浸食に耐える材料
および（または）コーティング、ならびにエッチング・
チェンバ内の表面もしくは材料を剥離させる粒子の生成
を防止する能力のある材料および（または）コーティン
グに基づいて行う。
【００３９】たとえば、酸化アルミニウムは、一部のエ
ッチング工程で使用するフルオローカーボンに化学的に
不活性であるため、重要なコーティング材料である。さ
らに、エッチング・チェンバを製作するのに使用される
ことが多いアルミニウムをコーティングするための良好
な材料である。
【００４０】ライナは、半導体デバイスのエッチングを
妨害することなく、エッチング・チェンバの表面積の大
部分を、フルオローカーボン皮膜の形成から遮閉するた
めに、エッチング・チェンバ内に設けるべきである。そ
こで、図３ないし図５に示す第２の実施例では、ライナ
は、発生するプラズマを妨害することなく、エッチング
・チェンバの表面を確実に最大に被覆するため、いくつ
かの個別の部品で構成される。代替方法として、図１の
第１の実施例に示すように、エッチング・チェンバの表
面を被覆するために、ひとつの連続したライナが適切で
ある。
【００４１】エッチング・チェンバの表面全体をライナ
で被覆する必要はないが、フルオローカーボン皮膜の付
着を防止するため、できるだけ大きい範囲を遮閉するこ
とが望ましい。
【００４２】図６は、エッチング・チェンバ内に設けた
表面を高温に加熱して得られた結果を示す。シリコン基
板を圧力１００ミリトル、エッチング工程中のピーク電
圧を約−５８０Ｖでエッチングする。比較のため、ＣＨ
Ｆ3（１００％）、ＣＨＦ3／Ｈ2（３０％）およびＣＨ
Ｆ3／Ｈ2（５０％）の３種類のガスをプラズマ発生のた
めに使用した。図は、これら３種類のガスを使用して、
フルオローカーボン皮膜の付着速度を比較したものであ
る。これら３種類のガスで見られるように、加熱した表
面でのフルオローカーボン皮膜の付着速度は、室温で約
１０ｎｍ／分であるのに対して、３００℃ではほとんど
０であった。さらに、１００℃未満では付着速度の減少
がわずかにあるものの、１００℃以上３００℃までまた
はそれを超えると、付着速度がかなり減少する。
【００４３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【００４４】（１）耐付着表面手段を有するエッチング
・チェンバと、上記エッチング・チェンバ内にあり、上
記耐付着表面手段に包囲された、デバイスを保持する手
段と、上記エッチング・チェンバ内の皮膜形成を阻止す
るために、上記耐付着表面手段を１００℃ないし６００
℃の温度に加熱するための手段と、を具備する 好まし
くない皮膜の付着を防止するプラズマ・エッチング・デ
バイス。 （２）上記耐付着表面手段が、プラズマ流を妨害しない
ことを特徴とする、上記（１）に記載の装置。 （３）上記耐付着表面手段を、２００℃ないし４００
℃、又は２７５℃ないし３２５℃、又は約３００℃に加
熱することを特徴とする、上記（１）に記載の装置。 （４）上記耐付着表面手段が、エッチング・チェンバの
側壁からなることを特徴とする、上記（１）に記載の装
置。 （５）上記耐付着表面手段が、エッチング・チェンバ内
のライナからなることを特徴とする、上記（１）に記載
の装置。 （６）上記耐付着表面手段が、エッチング・チェンバの
側壁上に置かれたことを特徴とする、上記（１）に記載
の装置。 （７）上記耐付着表面手段が、プラズマ流の中での侵食
率の低い材料でコーティングされることを特徴とする、
上記（１）に記載の装置。 （８）上記耐付着表面手段が、Ａｌ２O３、Ｙ２O３およ
びＳｃ２O３からなるグループから選択した材料でコー
ティングされることを特徴とする、上記（７）に記載の
装置。 （９）上記耐付着表面手段が、金属および誘電体からな
るグループから選択した材料からなることを特徴とす
る、上記（１）に記載の装置。 （１０）上記耐付着表面手段が、ステンレス・スチー
ル、セラミック、石英およびアルミニウムからなるグル
ープから選択した材料からなることを特徴とする、上記
（９）に記載の装置。 （１１）上記耐付着表面手段が、エッチング・チェンバ
で発生するプラズマに面することを特徴とする、上記
（１）に記載の装置。 （１２）エッチング・チェンバが、フルオローカーボン
を使用する酸化物反応性イオン・エッチング・チェンバ
および乾式エッチング・チェンバのうちの１つであるこ
とを特徴とする上記（１）に記載の装置。 （１３）エッチング・チェンバが電子サイクロトロン共
鳴プラズマ源を含むことを特徴とする、上記（１）に記
載の装置。 （１４）エッチング・チェンバ内に好ましくない皮膜が
付着するのを阻止する方法において、エッチング・チェ
ンバの空洞内に耐付着面を置き、エッチング・チェンバ
中の上記耐付着表面を、１００℃ないし６００℃の温度
に加熱して、エッチング中に上記エッチング・チェンバ
内に皮膜が形成するのを阻止する工程を有する方法。 （１５）上記耐付着表面を、２００℃ないし４００℃、
又は２７５℃ないし３２５℃、又は約３００℃に加熱す
ることを特徴とする、上記（１４）に記載の方法。 （１６）上記耐付着表面が、エッチング・チェンバの側
壁であることを特徴とする、上記（１４）に記載の方
法。 （１７）上記エッチング・チェンバがプラズマを発生
し、上記耐付着表面がプラズマ流の中での侵食率の低い
材料でコーティングされることを特徴とする、上記（１
４）に記載の方法。 （１８）上記耐付着表面が、Ａｌ２O３、Ｙ２O３および
Ｓｃ２O３からなるグループから選択した材料でコーテ
ィングされることを特徴とする、上記（１７）に記載の
方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す略図である。
【図２】図１に示す本発明の第１の実施例の、線ＡＡに
沿った断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す略図である。
【図４】図３に示す本発明の第２の実施例の、線ＡＡに
沿った断面図である。
【図５】図３に示す本発明の第２の実施例の、線ＢＢに
沿った断面図である。
【図６】３種類のエッチング・ガスを使用した場合の、
エッチング・チェンバ内の加熱表面上の皮膜の付着速度
と、その表面の温度との関係を示す図である。
【符号の説明】
１ プラズマ・エッチング・デバイス ２ 電極 ３ ガス入口 ４ ノズル ５ 基板 ６ プラズマ出口 ７ ライナ ８ 熱源 ９ エッチング・チェンバ １０ 基板ホルダ １５ チェンバ壁面 １６ チェンバ壁面 １７ チェンバ壁面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゴットリーブ・シュテファン・エールラ イン アメリカ合衆国10598 ニューヨーク州 ヨークタウン・ハイツ リッジ・ストリ ート 2614 (72)発明者 デビッド・ヴェンダー オランダ5652 エヌ・ジェイ エインド ホーフェン ヨハネス・ブイスラーン 157 (72)発明者 イン・チャン アメリカ合衆国94954 ペタルマ ペン ブリッジ・ストリート 1806 (72)発明者 マルコ・ハーウェルラーハ オランダ5627 シー・エス エインドホ ーフェン ヴァウクルセパド ５ (56)参考文献 特開 平４−256316（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−40227（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−120368（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−243167（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−16730（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−316327（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−289634（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−156634（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−4530（ＪＰ，Ａ)

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】エッチング雰囲気に露出される表面を内部
    にまたは内面に有するエッチング・チェンバと、 前記エッチング・チェンバ内へ外部から供給されるフル
    オロカーボン・ガスからプラズマを発生するための手段
    と、 前記表面を加熱するための手段と、 前記表面の温度を検知するための手段と、 前記エッチング・チェンバ内に配置された基板表面層の
    プラズマ・エッチング処理の間中、２７５℃ないし３２
    ５℃間の温度であって、前記表面の温度上昇につれて減
    少関係を示すフルオロカーボン皮膜の付着速度の減少が
    実質的に止まる時点に対応する温度に前記表面の温度を
    維持するための、前記加熱手段および検知手段に関連す
    る加熱制御手段と、 より成る、プラズマ・エッチング処理中にフルオロカー
    ボン皮膜の付着を阻止するプラズマ・エッチング装置。
  2. 【請求項２】前記表面を実質的に３００℃に加熱し維持
    することを特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】前記表面が前記エッチング・チェンバの内
    壁またはエッチング・チェンバ内に配設されたライナ表
    面からなることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  4. 【請求項４】前記表面がＡｌ２O３,Ｙ２O３ またはＳｃ
    ２O３の材料の耐食性保護皮膜で被覆されていることを
    特徴とする請求項１に記載の装置。
  5. 【請求項５】エッチング雰囲気に露出される表面を内部
    にまたは内面に有するエッチング・チェンバと、 前記エッチング・チェンバ内へフッ素含有エッチング・
    ガスを導入するための手段と、 前記エッチング・ガスから高密度のプラズマを発生する
    ための電子サイクロトロン共鳴プラズマ発生手段と、 前記表面を加熱するための手段と、 前記表面の温度を検知するための手段と、 前記エッチング・チェンバ内に配置された絶縁性の基板
    表面層のプラズマ・エッチング処理の間中、２７５℃な
    いし３２５℃間の温度であって、前記表面の温度上昇に
    つれて減少関係を示すフッ素含有ポリマー皮膜の付着速
    度の減少が実質的に止まる時点に対応する温度に前記表
    面の温度を維持するための、前記加熱手段および検知手
    段に関連する加熱制御手段と、 より成る、プラズマ・エッチング処理中にポリマー皮膜
    の付着を阻止するプラズマ・エッチング装置。
  6. 【請求項６】エッチング雰囲気に露出される表面を内部
    にまたは内面に有するエッチング・チェンバと、 前記表面を被覆しているＹ２O３材料またはＳｃ２0３材
    料の耐食性保護皮膜と、 前記エッチング・チェンバ内へエッチング・ガスを導入
    するための手段と、 前記エッチング・ガスからプラズマを発生するためのプ
    ラズマ発生手段と、 所定基板のプラズマ・エッチングの間中、前記保護皮膜
    上に前記エッチング・ガス成分含有のポリマー皮膜が付
    着するのを実質的に阻止するように前記保護皮膜を２０
    ０℃ないし３２５℃間の所定温度に加熱し維持するため
    の手段と、 より成る、ポリマー皮膜の付着を阻止するプラズマ・エ
    ッチング装置。
  7. 【請求項７】前記表面が前記エッチング・チェンバの内
    壁または前記エッチング・チェンバの内部に配設された
    ライナの表面であることを特徴とする請求項６に記載の
    装置。
  8. 【請求項８】エッチングすべき表面層を含む基板をプラ
    ズマ・エッチング・チェンバ内に配置し、該チェンバ内
    にフルオロカーボン・ガスを含むプラズマ・エッチング
    雰囲気を確立して前記基板をエッチング処理する間中、
    前記チェンバの内壁上または内部に設けたライナ表面上
    にフルオロカーボン皮膜が付着するのを阻止するための
    方法であって、 前記チェンバ内にプラスマ・エッチング雰囲気を確立す
    ると共に前記チェンバ内壁または前記ライナを加熱する
    工程と、 前記基板表面層のプラズマ・エッチング処理の間中、２
    ７５℃ないし３２５℃間の温度であって、前記チェンバ
    内壁上または前記ライナ表面の温度上昇につれて減少関
    係を示すフルオロカーボン皮膜の付着速度の減少が実質
    的に止まる時点に対応する温度に前記チェンバ内壁また
    は前記ライナ表面の温度を維持する工程と、 を含む方法。
  9. 【請求項９】前記エッチングすべき表面層が酸化物層で
    あることを特徴とする請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記チェンバの内壁または前記ライナ表
    面が、Ａｌ２O３,Ｙ２O３ またはＳｃ２O３の材料で被
    覆されていることを特徴とする請求項８に記載の方法。
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