DE19506745A1 - Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität

Info

Publication number
DE19506745A1
DE19506745A1 DE19506745A DE19506745A DE19506745A1 DE 19506745 A1 DE19506745 A1 DE 19506745A1 DE 19506745 A DE19506745 A DE 19506745A DE 19506745 A DE19506745 A DE 19506745A DE 19506745 A1 DE19506745 A1 DE 19506745A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
deposition
etching
etching chamber
plasma
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19506745A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19506745C2 (de
Inventor
Gottlieb Stefan Oehrlein
David Vender
Ying Zhang
Marco Haverlag
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE19506745A1 publication Critical patent/DE19506745A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19506745C2 publication Critical patent/DE19506745C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/914—Differential etching apparatus including particular materials of construction

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

Gebiet der Erfindung
Diese Erfindung bezieht sich auf Halbleiterfertigung, insbeson­ dere auf die Verhinderung der Bildung unerwünschter Filme auf den Oberflächen von Ätzkammern, die während des Ätzens von Halb­ leiterbauelementen einem Plasma ausgesetzt sind.
Hintergrund der Erfindung
Um Unzulänglichkeiten von Ätzkammern nach dem Stand der Technik zu überwinden, werden ein neues Verfahren und eine neue Vorrich­ tung zum Ätzen von Halbleiterbauelementen bereitgestellt.
Reaktoren für trockenes Plasmaätzen sind Vakuumkammern, in denen ein elektrisches Plasma erzeugt wird, um Halbleiterwafer zu ät­ zen. Das Ätzen wird üblicherweise durch eine Photoresistmaske hindurch ausgeführt.
Trockene Ätztechniken werden häufig als reaktives Ionenätzen oder Plasmaätzen bezeichnet. Trockene Ätzeinrichtungen nach dem Stand der Technik bilden ein Plasma durch Injizieren von Aus­ gangsgasen in ein Gebiet, in dem ein HF-Feld erzeugt wird. Die Ausgangsgase können Gase umfassen, die Fluor enthalten, zum Bei­ spiel CHF₃ oder CF₄.
Das HF-Feld kann durch zwei oder drei interne Elektroden, die an eine HF-Quelle gekoppelt sind, oder mit Hilfe von externen Elek­ troden oder einer Spule erzeugt werden. Die Hochfrequenzanregung bewirkt, daß sich die Ausgangsgase in ein Plasma umwandeln, das Ionen und reaktive Spezies erzeugt. Die erzeugten reaktiven Spe­ zies diffundieren zu den zu ätzenden Oberflächen, an denen der Ätzvorgang chemischer Art ist. In ionenunterstützten Prozessen werden die Halbleiterbauelemente den energiereichen Ionen des Plasmas ausgesetzt. Die Ionen werden zu dem Halbleiterbauelement geleitet, an dem die Ionen dann mit den Substraten kollidieren, was bewirkt, daß Teile der Oberfläche des Substrates weggeätzt oder abgetragen werden. Die ionenunterstützten Ätzprozesse bein­ halten sowohl chemisches als auch physikalisches Ätzen.
Während des Ätzprozesses werden Fluorkohlenstoff-Filme auf den Wänden der Ätzkammer abgeschieden. Die Deposition der Fluorkoh­ lenstoff-Filme ändert die Impedanz des Systems und führt mit der Zeit zu einer Abnahme der selbstregulierenden Vorspannung der Ätzkammer. Dies ändert die Betriebseigenschaften der Ätzeinrich­ tung, was den Ätzvorgang beeinflußt. Außerdem kann der auf den Wänden der Ätzkammer abgeschiedene Fluorkohlenstoff-Film abblät­ tern und zu einer Partikelquelle innerhalb der Ätzkammer werden.
Die Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen auf den Wänden der Ätzkammer wird herkömmlicherweise durch Reinigen der Ätzkammer unter Verwendung eines O₂-Plasmas und nachfolgendes Rekonditio­ nieren der Ätzkammer behandelt. Der Reinigungs- und Alterungs­ prozeß der Kammer kann bis zu 30 Prozent der gesamten verfügba­ ren Betriebszeit des Systems erfordern.
Einige Entwürfe nach dem Stand der Technik haben Verfahren und/ oder Vorrichtungen in einem Versuch vorgeschlagen, einige der durch die Deposition der Fluorkohlenstoff-Filme auf den Oberflä­ chen innerhalb der Ätzkammer verursachten Probleme zu eliminie­ ren. In einem System wird zum Beispiel ein zu ätzendes Substrat innerhalb der Ätzkammer angeordnet und gekühlt, während die Wän­ de der Kammer auf eine Temperatur von ungefähr 80°C erwärmt werden. Eine Erwärmung der Oberflächen wird durch Zuführung von heißem Wasser zu einem an den Außenflächen der trockenen Ätzvor­ richtung angebrachten Rohr erreicht. Dies wird durchgeführt, um das Binden eines Polymerfilmes an die Wände der Ätzvorrichtung während des Ätzens des Substrates zu reduzieren.
Dieses Verfahren und/oder diese Vorrichtung reduziert jedoch die Depositionsrate der Fluorkohlenstoff-Filme auf den Innenwänden der Kammer nur marginal. Des weiteren resultiert in Fällen, in denen Einrichtungen mit einem Plasma hoher Dichte während des Ätzprozesses verwendet werden, eine teilweise Eliminierung der Depositionsrate um zum Beispiel 10 Prozent bis 20 Prozent durch Erwärmen auf 80°C weiterhin in einer großen Häufigkeit der Rei­ nigung der Ätzkammer.
Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiterbauelementen, wobei die unerwünschte Deposition von Filmen auf den Innenflächen der Vor­ richtung während des Ätzprozesses verhindert wird.
Das Ätzsystem beinhaltet eine Ätzkammer mit einer depositions­ resistenten Oberfläche, einem Halter zum Halten des zu ätzenden Bauelementes und einer Heizeinrichtung zum Aufheizen der deposi­ tionsresistenten Oberfläche auf eine Temperatur zwischen 100°C bis 600°C, um die Bildung von Filmen auf den Wänden der Kammer zu hemmen. Es ist des weiteren möglich, daß die depositionsresi­ stente Oberfläche in dem Ätzsystem den Halter umgibt, während sie das Plasma, das zum Ätzen des Substrates verwendet wird, nicht stört.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung wird am besten beim Lesen der folgenden detail­ lierten Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeich­ nungen verständlich, in denen durchweg gleiche Bezugszeichen entsprechende Elemente bezeichnen und in denen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer ersten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 der er­ sten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in Fig. 1 ist;
Fig. 3a eine schematische Ansicht einer zweiten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 3b eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3b-3b der zweiten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung in Fig. 3a ist;
Fig. 3c eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3c-3c der zweiten exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung in Fig. 3a ist;
Fig. 4 eine graphische Darstellung ist, welche die Depositions­ rate der Filme auf einer erwärmten Oberfläche innerhalb einer Ätzkammer in Abhängigkeit von der Temperatur jener Oberfläche bei Verwendung dreier verschiedener Ätzgase zeigt.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Fig. 1 zeigt eine Plasmaätzeinrichtung vom Abwärtsströmungstyp, die allgemein mit 1 bezeichnet ist. Die Abwärtsströmungs-Plasma­ ätzeinrichtung 1 beinhaltet Elektroden 2 zur Erzeugung eines Plasmas, die einen Gaseinlaß 3 umgeben. Der Gaseinlaß 3 stellt eine Zuführung von fluorhaltigen Gasen, wie CF₄ und CHF₃, bereit. Wenn die fluorhaltigen Gase die Elektroden 2 passieren, wird das Gas in ein Plasma umgewandelt. Eine Düse 4 verteilt das Gas in die Ätzkammer 9. Der Düse 4 gegenüberliegend und in der Ätzkam­ mer 9 angeordnet befindet sich ein Substrathalter 10 zum Halten von zu ätzenden Substraten 5. Außerdem ist ein Auslaß 6 vorgese­ hen, um das Plasma abzuführen.
Die Düse 4 und den Substrathalter 10 umgebend ist in der Ätzkam­ mer 9 eine Abschirmung 7 angeordnet, um Wände 15, 16 und 17 der Ätzkammer 9 zu schützen. Die Abschirmung 7 besteht aus einem ätzbeständigen Material, das geheizt werden kann. Die Abschir­ mung 7 ist mit einer Heizquelle 8 gekoppelt, um die Abschirmung 7 während des Ätzprozesses zu heizen. Die Heizquelle 8 kann zum Beispiel eine elektrische Heizquelle zum Aufheizen der Abschir­ mung 7 unter Verwendung einer Widerstandsheizung oder Heizlampe beinhalten. Alternativ kann die Heizquelle 8 eine Flüssigkeit beinhalten, die geheizt wird und die man um die Abschirmung 7 herum oder durch sie hindurch zirkulieren läßt.
Anstelle der Bereitstellung einer externen Heizquelle kann eine Heizquelle in die Abschirmung eingebaut sein, womit die Notwen­ digkeit einer separaten Heizquelle eliminiert ist.
Die Heizquelle 8 beinhaltet ein Steuerungselement zur Steuerung und Aufrechterhaltung der Temperatur der Abschirmung 7. Es kann zum Beispiel ein (nicht gezeigter) Meßfühler, wie ein Thermoele­ ment, in der Ätzkammer 9 in unmittelbarer Nachbarschaft zur Ab­ schirmung 7 angeordnet werden, um die Temperatur der Abschirmung 7 zu bestimmen. Das Steuerungselement innerhalb der externen Heizquelle 8 stellt die der Abschirmung 7 zugeführte oder die von derselben erzeugte Wärme in Reaktion auf die von dem Thermo­ element empfangenen Temperaturdaten ein, um die Abschirmung 7 auf einer gewünschten Temperatur zu halten.
Das Halten der Abschirmung 7 auf einer bestimmten Temperatur unter Verwendung eines Rückkopplungssystems, wie dem Steuerungs­ element, wird während des Ätzprozesses besonders wichtig. Wäh­ rend des Ätzens stellt das erzeugte Plasma eine zusätzliche Wär­ mequelle dar, welche die Abschirmung 7 erwärmt. Um die durch das Plasma erzeugte Wärme zu kompensieren, reduziert das Steuerungs­ element die der Abschirmung 7 durch die Heizquelle 8 zugeführte Wärme. Somit wird eine Regelung zur Aufrechterhaltung der Tempe­ ratur der Abschirmung 7 bereitgestellt.
Es kommen viele verschiedene Verfahren und/oder Vorrichtungen zur Steuerung und Aufrechterhaltung der Temperatur der Abschir­ mung 7 in Kombination mit der Heizquelle 8 in Betracht. Diese können zum Beispiel manuelle oder automatische Steuerungen oder eine Kombination derselben zur Aufrechterhaltung der gewünschten Temperatur in der Kammer umfassen. Das Steuerungselement kann durch Rechner-Hardware und/oder -Software ausgeführt werden.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht von Fig. 1 entlang der Linie 2-2. In dieser Ansicht wurden die Substrate 5 aus Gründen der Klarheit aus Fig. 2 weggelassen.
Fig. 2 zeigt den Halter 10, der von der Abschirmung 7, welche die Wände 15, 16 und 17 der Ätzkammer 9 abschirmt, umgeben ist. Auf diese Weise verhindert die Abschirmung 7, daß die Wände 15, 16, 17 dem Plasma und den Nebenprodukten des Ätzprozesses ausge­ setzt sind, was ansonsten zu einer Filmdeposition auf den Wänden 15, 16 und 17 führt,
Fig. 2 zeigt außerdem die Abschirmung 7 als eine einzige kon­ tinuierliche Oberfläche, die innerhalb der Ätzkammer 9 angeord­ net ist. Die Abschirmung 7 kann jedoch aus zwei oder mehr ein­ zelnen Komponenten gebildet sein, die in der Ätzkammer 9 ange­ ordnet sind, um die Oberflächen der Ätzkammer zu schützen. Es ist bevorzugt, daß die Abschirmung 7 ein möglichst großes Ober­ flächengebiet der Wände 15, 16 und 17 schützt, solange die Ab­ schirmung 7 das in der Ätzkammer 9 zum Ätzen der Substrate 5 erzeugte Plasma nicht stört. Die Abschirmung 7 sollte zum Bei­ spiel die Sichtlinie zwischen dem erzeugten Plasma und den Sub­ straten 5 nicht stören.
Außerdem kann die Abschirmung 7 durch eine einzige, mit einer Abschirmung mit einzelnen Komponenten gekoppelten Heizquelle gesteuert werden, oder es können zwei oder mehr Heizquellen 8 zum Aufheizen der Abschirmung 7 als ganzes, einzeln oder als eine Untergruppe vorgesehen sein.
Im Betrieb sind die Substrate 5 innerhalb der Ätzkammer 9 auf dem Substrathalter 10 angeordnet. Die Abschirmung 7 wird unter Verwendung der Heizeinrichtung 8, welche die Abschirmung 7 auf eine ungefähre Temperatur von 300°C für den Fluorkohlenstoff- Oxid-Ätzverfahrensablauf heizt, auf eine erhöhte Temperatur auf­ geheizt. Wenngleich Temperaturen von etwa 300°C bevorzugt sind, sind Temperaturen im Bereich von 100°C bis 600°C wünschens­ wert, da in diesem Bereich signifikante Abnahmen der Deposition des Fluorkohlenstoffes auf der Abschirmung 7 festzustellen sind.
Nachdem die Abschirmung 7 die gewünschte Temperatur erreicht hat, wird der Ätzprozeß dadurch eingeleitet, daß man das Gas durch die Elektroden 2 hindurchströmen läßt, die ein HF-Feld erzeugen, welches das Gas anregt und bewirkt, daß es in ein Plasma umgewandelt wird. Die Abschirmung 7 wird während des Ätz­ prozesses auf einer erhöhten Temperatur gehalten, so daß die Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen auf den Wänden 15, 16 und 17 der Ätzkammer 9 und auf der Abschirmung 7 stark gehemmt wird.
Das Steuerungselement überwacht die Temperatur der Abschirmung 7 und hält sie durch Überwachen der von dem Meßfühler gelieferten Temperaturdaten aufrecht. In Reaktion auf die Temperaturdaten des Meßfühlers wird die der Abschirmung 7 durch die Heizquelle 8 zugeführte Wärmemenge entsprechend eingestellt, so daß die ge­ wünschte Temperatur der Abschirmung 7 aufrechterhalten wird.
Die Verwendung der auf eine Temperatur von 300°C erwärmten Ab­ schirmung 7 führt zu einer Vergrößerung des Prozeßfensters für die Plasmaätzeinrichtung 1. Das Prozeßfenster stellt den Satz von Randbedingungen dar, unter denen die Plasmaätzeinrichtung arbeitet. Diese Randbedingungen beinhalten, ohne jedoch hierauf beschränkt zu sein, die Zeitdauer, während der die Kammer zum Ätzen betrieben werden kann, die Arten von Gasgemischen, die verwendet werden können, und die Leistung, bei der das System betrieben werden kann.
Die Verwendung der Abschirmung 7 reduziert die Ausfallzeit des Systems für Reinigungsvorgänge, womit die gesamte verfügbare Betriebs zeit der Plasmaätzeinrichtung zum Ätzen erhöht wird. Dies ist deshalb der Fall, weil eine drastische Reduktion der Deposition der Fluorkohlenstoff-Filme auf den Wänden 15, 16 und 17 der Ätzkammer bei der Verwendung von auf 300°C aufgeheizten Abschirmungen festgestellt wird. Somit ist eine entsprechende Abnahme der Ausfallzeit der Einrichtung zur Reinigung der Ätz­ kammer festzustellen.
Bei Verfahren nach dem Stand der Technik werden auf den Wänden der Ätzkammer abgeschiedene Filme durch Verwendung eines O₂-Plas­ mas und nachfolgendes Rekonditionieren der Ätzkammer entfernt. Dieser Prozeß erfordert 30 Prozent der gesamten verfügbaren Be­ triebszeit des Systems. Die Verwendung der Abschirmung 7 gemäß der exemplarischen Ausführungsform führt jedoch zu einer vermin­ derten Ausfallzeit der Plasmaätzeinrichtung 1.
Außerdem können Fluorkohlenstoff-Gase, die normalerweise nicht zum Ätzen eingesetzt werden, in Verbindung mit der Abschirmung 7 verwendet werden. Während des Ätzens von Oxiden können zum Bei­ spiel Gase wie C₂F₄, C₂F₆, C₂F₈ und C₂HF₅ wegen ihrer höheren Selek­ tivität beim Ätzen der Halbleiterbauelemente verwendet werden. Diese Gase weisen jedoch den unerwünschten Nebeneffekt auf, daß sie die Abscheidung großer Mengen von Fluorkohlenstoff-Filmen auf den freiliegenden Oberflächen der Ätzkammer verursachen. Um dieses Problem zu überwinden, können diese Gase in Verbindung mit der Abschirmung 7 verwendet werden, welche die Bildung der Fluorkohlenstoff-Filme stark unterbindet.
Eine Ätzkammer kann auch bei erhöhten Leistungspegeln betrieben werden, bei denen die Anregung des Gases bei höheren Energiewer­ ten auftritt. Die höheren Leistungspegel stellen eine höhere Ätzrate bereit, verursachen jedoch ein Anwachsen der Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen. Die Deposition von Fluorkohlen­ stoff-Filmen wird jedoch bei Verwendung einer auf 300°C aufge­ heizten Abschirmung signifikant reduziert.
Außerdem wird die inhärente Instabilität bei dem Ätzprozeß unter Verwendung von Fluorkohlenstoffgasen reduziert, da die Deposi­ tion von Fluorkohlenstoff-Filmen während des Ätzprozesses stark gehemmt wird. Da die Rate der Bildung von Fluorkohlenstoff-Fil­ men auf den Wänden der Ätzkammer signifikant reduziert ist, wird die Ätzimpedanz während des Ätzens nicht verändert.
Bei einer alternativen Ausführungsform können die Wände der in Fig. 1 gezeigten Ätzkammer 9 auf eine erhöhte Temperatur aufge­ heizt werden, ohne eine separate Abschirmungsoberfläche inner­ halb der Kammer anzuordnen. Die Aufheizung der Ätzkammer 9 wird in einer ähnlichen Weise wie bei der ersten exemplarischen Aus­ führungsform durchgeführt, bei welcher die Abschirmung 7 in der Ätzkammer 9 verwendet wird. Bei dieser Ausführungsform werden die Wände der Kammer auf 300°C aufgeheizt, was die gleichen er­ wünschten Wirkungen erzielt, wie wenn die Abschirmung 7 aufge­ heizt wird. Alternativ kann die Abschirmung 7 auf den Wänden 15, 16 und 17 angeordnet werden.
Der Typ von Plasmaätzeinrichtung, bei dem die aufgeheizte Ab­ schirmung verwendet werden kann, ist nicht auf Abwärtsströmungs- Ätzeinrichtungen beschränkt, sondern kann bei einer breiten Vielzahl von Ätzvorrichtungen verwendet werden, zum Beispiel Reaktoren mit parallelen Elektroden, Trommelätzeinrichtungen, zylindrischen Serienätzreaktoren und Magnetronionenätzeinrich­ tungen. Außerdem kann eine Plasmaquelle hoher Dichte in Verbin­ dung mit einer Resonanzfrequenzvorspannung verwendet werden. Das Plasma hoher Dichte kann zum Beispiel ein Elektronenresonanz­ plasma oder ein Plasma mit gekoppelter Resonanzfrequenz sein.
Eine zweite exemplarische Ausführungsform der vorliegenden Er­ findung ist in den Fig. 3a bis 3c gezeigt. Die Ätzeinrichtung 31 mit parallelen Plattenelektroden beinhaltet eine Elektrode 36, die auch als Substrathalter dient. Die zweite Elektrode 33 ist mit Masse verbunden und stellt außerdem die obere Wand der Ätzkammer 38 dar. Während des Ätzprozesses wird zwischen den Elektroden 33, 36 oberhalb von Substraten 35 ein Plasma erzeugt.
Eine Abschirmung, die die Komponenten 37, 39 umfaßt, ist in der Ätzkammer 38 angeordnet, um die Deposition von Fluorkohlenstoff- Filmen auf den freiliegenden Wänden 40, 41 der Ätzkammer 38 zu verhindern.
Im Betrieb verhindert die in den Fig. 3a bis 3c gezeigte Aus­ führungsform die Bildung von Fluorkohlenstoff-Filmen in einer ähnlichen Weise wie bei der in Fig. 1 gezeigten ersten exempla­ rischen Ausführungsform. Wie bei der ersten exemplarischen Aus­ führungsform verwendet diese Ausführungsform eine (nicht gezeig­ te) externe Heizquelle zum Heizen der Abschirmung 37, 39. Die Abschirmungsoberfläche wird vor der Einleitung des Ätzprozesses auf eine Temperatur von 300°C aufgeheizt.
Die Abschirmung und/oder die Wände der Ätzkammer bei der ersten und der zweiten exemplarischen Ausführungsform können aus einer breiten Vielzahl von Materialien aufgebaut sein, zum Beispiel aus Keramik, Aluminium, Stahl und/oder Quarz. Aluminium ist das bevorzugte Material, da es leicht maschinell zu bearbeiten ist.
Aluminium ist jedoch gegenüber dem aus einigen der Ausgangsgase, die während des Ätzprozesses verwendet werden, erzeugten Plasma reaktiv. Folglich wird Aluminiumoxid oder eine Beschichtung aus demselben, die auf der Abschirmung oder den Kammerwänden aufge­ bracht sind, verwendet, da Aluminiumoxid gegenüber dem Plasma chemisch inert ist.
Zusätzlich zu den Materialien, die zum Aufbau der Abschirmung und/oder der Kammerwände verwendet werden, kann eine Schutz­ schicht auf den Oberflächen der Abschirmung und/oder der Kammer­ wände angebracht werden. Zum Beispiel können Al₂-O₃, Sc₂O oder Y₂O₃ als Beschichtungsmaterialien für die freiliegenden Oberflächen verwendet werden. Diese Materialien werden wegen ihrer Ätzbe­ ständigkeit gegenüber dem während des Ätzprozesses erzeugten Plasma ausgewählt.
Die Kriterien für die Auswahl der obigen Materialien und/oder Beschichtung basieren auf der Beständigkeit des Materials und/ oder der Beschichtungen gegenüber einem chemischen Angriff der Spezies, die in dem Plasma durch Anregung des Ausgangsgases wäh­ rend des Ätzprozesses erzeugt werden, und der Fähigkeit des Ma­ terials und/oder der Beschichtung, die Bildung von Partikeln zu verhindern, die von der Oberfläche oder dem Material innerhalb der Ätzkammer abblättern können.
Aluminiumoxid ist zum Beispiel ein wichtiges Beschichtungsmate­ rial, da es chemisch inert gegenüber den bei einigen Ätzprozes­ ses verwendeten Fluorkohlenstoffgasen ist. Außerdem ist es ein gutes Material zur Beschichtung von Aluminium, das häufig zum Aufbau der Ätzkammer verwendet wird.
Die Abschirmung sollte innerhalb der Ätzkammer so angeordnet sein, daß sie den größten Teil des Oberflächengebiets der Ätz­ kammer gegen die Bildung von Fluorkohlenstoff-Filmen abschirmt, ohne das Ätzen der Halbleiterbauelemente zu stören. Folglich beinhaltet bei der in den Fig. 3a bis 3c gezeigten zweiten exemplarischen Ausführungsform die Abschirmung mehrere einzelne Komponenten, um eine maximale Abdeckung der Oberflächen der Ätz­ kammer zu gewährleisten, ohne das Plasma, das erzeugt wird, zu stören. Alternativ kann eine einzige kontinuierliche Abschir­ mung, wie bei der ersten exemplarischen Ausführungsform von Fig. 1 gezeigt, für die Abdeckung der Oberflächen der Ätzkammer geeignet sein.
Obwohl nicht alle Oberflächen der Ätzkammer durch die Abschir­ mung abgeschirmt werden müssen, ist es erwünscht, daß die Oberflächen in größtmöglichem Maße abgeschirmt werden, um die Deposition von Fluorkohlenstoff-Filmen zu verhindern.
Fig. 4 zeigt die erzielten Ergebnisse, wenn eine innerhalb ei­ ner Ätzkammer angeordnete Oberfläche auf eine erhöhte Temperatur aufgeheizt wird. Ein Siliciumsubstrat wurde bei einem Druck von 100 mTorr geätzt, wobei die Spitzenspannung während des Ätzpro­ zesses ungefähr -580 V betrug. Zu Vergleichszwecken wurden drei verschiedene Gase, die CHF₃ (100%), CHF₃/H₂ (30%) und CHF₃/H₂ (50%) umfassen, zur Erzeugung des Plasmas verwendet. Die Figur vergleicht die Depositionsrate von Fluorkohlenstoff-Filmen bei Verwendung der drei verschiedenen Gase. Wie für die drei ver­ schiedenen Gase ersichtlich ist, ist die Depositionsrate der Fluorkohlenstoff-Filme auf der aufgeheizten Oberfläche bei 300°C ausgehend von einer Depositionsrate von ungefähr 10 nm/min bei Raumtemperatur auf nahezu null vermindert. Außerdem zeigen, wenngleich eine gewisse Reduktion der Depositionsrate bereits unterhalb 100°C erreicht wird, Temperaturen über 100°C und bis zu 300°C und darüber eine wesentliche Reduktion der Deposi­ tionsrate.
Obwohl die vorliegende Erfindung hierin unter Bezugnahme auf be­ stimmte spezielle Ausführungsformen dargestellt und beschrieben wurde, ist es dennoch nicht beabsichtigt, sie auf die gezeigten Details zu beschränken. Vielmehr können verschiedene Modifika­ tionen in den Details innerhalb des Umfangs und Bereiches von Äquivalenten der Ansprüche und ohne Abweichen vom Inhalt der Erfindung realisiert werden.

Claims (23)

1. Vorrichtung zur Verhinderung der unerwünschten Deposition eines Films in einem System zum Ätzen eines Bauelementes mit einem Plasmastrom, die folgendes umfaßt:
eine Ätzkammer mit einer depositionsresistenten Oberflä­ cheneinrichtung;
Mittel zum Halten des Bauelementes in der Ätzkammer, wobei die depositionsresistente Oberflächeneinrichtung die Halte­ mittel umgibt;
Mittel zum Aufheizen der depositionsresistenten Oberflä­ cheneinrichtung auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme innerhalb der Ätzkammer zu hemmen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung den Plasmastrom nicht stört.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung auf eine Temperatur zwischen 200°C und 400°C aufgeheizt wird.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung auf eine Temperatur zwischen 275°C und 325°C aufgeheizt wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung auf eine Temperatur von ungefähr 300°C aufgeheizt wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung die Wände der Ätzkammer umfaßt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung eine innerhalb der Ätzkammer an­ geordnete Abschirmung beinhaltet.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung auf den Wänden der Ätzkammer an­ geordnet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung mit einem Material beschichtet ist, das in dem Plasmastrom eine niedrige Erosionsrate auf­ weist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung mit einem Material beschichtet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al₂O₃, Y₂O₃ und Sc₂O₃ besteht.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung ein Material beinhaltet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Metallen und Dielektrika besteht.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei die depositionsresi­ stente Oberflächeneinrichtung ein Material beinhaltet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Edelstahl, Keramik, Quarz und Aluminium besteht.
13. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die depositionsresisten­ te Oberflächeneinrichtung dem in der Ätzkammer erzeugten Plasma gegenüberliegt.
14. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ätzkammer entweder eine oxid-reaktive Ionenätzkammer oder eine Trockenätzkam­ mer ist, bei der ein Fluorkohlenstoffgasgemisch verwendet wird.
15. Vorrichtung nach Anspruch 1, die eine Quelle für ein Plasma hoher Dichte mit einer Resonanzfrequenzvorspannung beinhal­ tet.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Quelle für das Plasma hoher Dichte entweder ein Elektronenresonanzplasma oder ein Plasma mit gekoppelter Resonanzfrequenz ist.
17. Verfahren zum Hemmen der Deposition von unerwünschten Fil­ men in einer Ätzkammer, das folgende Schritte umfaßt:
Anordnen einer depositionsresistenten Oberfläche in dem Hohlraum der Ätzkammer; und
Aufheizen der depositionsbeständigen Oberfläche in der Ätz­ kammer auf eine Temperatur zwischen 100°C und 600°C, um die Bildung der Filme in der Ätzkammer während des Ätzvor­ gangs zu verhindern.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die depositionsresistente Oberfläche auf eine Temperatur zwischen 200°C und 400°C aufgeheizt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die depositionsresistente Oberfläche auf eine Temperatur zwischen 275°C und 325°C aufgeheizt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die depositionsresistente Oberfläche auf eine Temperatur von ungefähr 300°C aufge­ heizt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die depositionsresistente Oberfläche die Wand der Ätzkammer darstellt.
22. Verfahren nach Anspruch 17, wobei die Ätzkammer ein Plasma erzeugt und wobei die depositionsresistente Oberfläche mit einem Material beschichtet ist, das in dem Plasma eine nie­ drige Erosionsrate aufweist.
23. Verfahren nach Anspruch 22, wobei die depositionsresistente Oberfläche mit einem Material beschichtet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Al₂O₃, Y₂O₃ und Sc₂O₃ besteht.
DE19506745A 1994-03-08 1995-02-27 Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität Expired - Lifetime DE19506745C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/208,158 US5798016A (en) 1994-03-08 1994-03-08 Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19506745A1 true DE19506745A1 (de) 1995-09-14
DE19506745C2 DE19506745C2 (de) 1996-12-19

Family

ID=22773431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19506745A Expired - Lifetime DE19506745C2 (de) 1994-03-08 1995-02-27 Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5798016A (de)
JP (1) JP3243740B2 (de)
DE (1) DE19506745C2 (de)

Families Citing this family (129)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US5783496A (en) * 1996-03-29 1998-07-21 Lam Research Corporation Methods and apparatus for etching self-aligned contacts
KR100296692B1 (ko) * 1996-09-10 2001-10-24 사토 도리 플라즈마cvd장치
JP3019002B2 (ja) * 1996-09-20 2000-03-13 日本電気株式会社 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US6447937B1 (en) 1997-02-26 2002-09-10 Kyocera Corporation Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6815633B1 (en) 1997-06-26 2004-11-09 Applied Science & Technology, Inc. Inductively-coupled toroidal plasma source
US7569790B2 (en) 1997-06-26 2009-08-04 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US6388226B1 (en) 1997-06-26 2002-05-14 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US6150628A (en) 1997-06-26 2000-11-21 Applied Science And Technology, Inc. Toroidal low-field reactive gas source
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US6379575B1 (en) 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6797188B1 (en) 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
KR100311487B1 (ko) * 1997-12-16 2001-11-15 김영환 산화막식각방법
US6165910A (en) * 1997-12-29 2000-12-26 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
US6133153A (en) * 1998-03-30 2000-10-17 Lam Research Corporation Self-aligned contacts for semiconductor device
US6123791A (en) * 1998-07-29 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Ceramic composition for an apparatus and method for processing a substrate
US6271141B2 (en) 1999-03-23 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming materials over uneven surface topologies, and methods of forming insulative materials over and between conductive lines
US6444083B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6408786B1 (en) 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
US6227140B1 (en) * 1999-09-23 2001-05-08 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having radiant heated ceramic liner
US7780867B1 (en) 1999-10-01 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Edge bevel removal of copper from silicon wafers
JP3510993B2 (ja) * 1999-12-10 2004-03-29 トーカロ株式会社 プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
TW514996B (en) * 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
US6673198B1 (en) 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
US6391146B1 (en) 2000-04-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Erosion resistant gas energizer
US6362110B1 (en) * 2000-03-30 2002-03-26 Lam Research Corporation Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma
TW503449B (en) 2000-04-18 2002-09-21 Ngk Insulators Ltd Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members
JP4790896B2 (ja) * 2000-05-26 2011-10-12 エーユー オプトロニクス コーポレイション トップゲート型ｔｆｔを含むアクティブマトリックスデバイスの製造方法および製造装置
US6450117B1 (en) 2000-08-07 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Directing a flow of gas in a substrate processing chamber
US6716302B2 (en) 2000-11-01 2004-04-06 Applied Materials Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
KR100887014B1 (ko) * 2000-11-01 2009-03-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 확대된 프로세스 윈도우를 갖는 유전체 에칭 챔버
US20040081746A1 (en) * 2000-12-12 2004-04-29 Kosuke Imafuku Method for regenerating container for plasma treatment, member inside container for plasma treatment, method for preparing member inside container for plasma treatment, and apparatus for plasma treatment
US6537429B2 (en) 2000-12-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof
US7128804B2 (en) 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US6613442B2 (en) 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6533910B2 (en) 2000-12-29 2003-03-18 Lam Research Corporation Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6620520B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6790242B2 (en) 2000-12-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6589868B2 (en) * 2001-02-08 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Si seasoning to reduce particles, extend clean frequency, block mobile ions and increase chamber throughput
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
US6942929B2 (en) 2002-01-08 2005-09-13 Nianci Han Process chamber having component with yttrium-aluminum coating
US7371467B2 (en) * 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
KR100443772B1 (ko) * 2002-01-16 2004-08-09 삼성전자주식회사 코팅 처리된 기재
US8067067B2 (en) * 2002-02-14 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus
US6776873B1 (en) * 2002-02-14 2004-08-17 Jennifer Y Sun Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers
US20080213496A1 (en) * 2002-02-14 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings
US7479304B2 (en) * 2002-02-14 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate
US20080264564A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Applied Materials, Inc. Method of reducing the erosion rate of semiconductor processing apparatus exposed to halogen-containing plasmas
US6825051B2 (en) * 2002-05-17 2004-11-30 Asm America, Inc. Plasma etch resistant coating and process
JP2003342739A (ja) * 2002-05-23 2003-12-03 Sony Corp プラズマ化学的気相成長装置
US7311797B2 (en) * 2002-06-27 2007-12-25 Lam Research Corporation Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor
FR2842387B1 (fr) * 2002-07-11 2005-07-08 Cit Alcatel Chemisage chauffant pour reacteur de gravure plasma, procede de gravure pour sa mise en oeuvre
US7204912B2 (en) 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US6837966B2 (en) 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7166166B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7137353B2 (en) 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
KR100772740B1 (ko) 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
JP3894313B2 (ja) * 2002-12-19 2007-03-22 信越化学工業株式会社 フッ化物含有膜、被覆部材及びフッ化物含有膜の形成方法
US6894769B2 (en) * 2002-12-31 2005-05-17 Tokyo Electron Limited Monitoring erosion of system components by optical emission
US6806949B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Monitoring material buildup on system components by optical emission
US20040134427A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Derderian Garo J. Deposition chamber surface enhancement and resulting deposition chambers
JP4671262B2 (ja) * 2003-01-21 2011-04-13 日本碍子株式会社 半導体加熱装置
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
US20040182315A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Tokyo Electron Limited Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system
WO2004095532A2 (en) 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
US7560376B2 (en) 2003-03-31 2009-07-14 Tokyo Electron Limited Method for adjoining adjacent coatings on a processing element
US6784083B1 (en) * 2003-06-03 2004-08-31 Micron Technology, Inc. Method for reducing physisorption during atomic layer deposition
JP2005060827A (ja) 2003-07-29 2005-03-10 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ部材
US7064812B2 (en) * 2003-08-19 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Method of using a sensor gas to determine erosion level of consumable system components
US7329467B2 (en) * 2003-08-22 2008-02-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Ceramic article having corrosion-resistant layer, semiconductor processing apparatus incorporating same, and method for forming same
US7645526B2 (en) * 2003-09-16 2010-01-12 Shin-Etsu Quartz Products, Ltd. Member for plasma etching device and method for manufacture thereof
US7479454B2 (en) * 2003-09-30 2009-01-20 Tokyo Electron Limited Method and processing system for monitoring status of system components
US6974781B2 (en) * 2003-10-20 2005-12-13 Asm International N.V. Reactor precoating for reduced stress and uniform CVD
JP3962722B2 (ja) * 2003-12-24 2007-08-22 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置
US7110110B2 (en) * 2003-12-29 2006-09-19 Tokyo Electron Limited Sensing component used to monitor material buildup and material erosion of consumables by optical emission
US20050199183A1 (en) * 2004-03-09 2005-09-15 Masatsugu Arai Plasma processing apparatus
KR100953707B1 (ko) * 2004-08-24 2010-04-19 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 반도체 프로세싱 부품 및 이를 사용하는 반도체 제조방법
US7552521B2 (en) 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
JP5040119B2 (ja) * 2006-02-22 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 耐環境部材、半導体製造装置及び耐環境部材の製造方法
JP5028755B2 (ja) * 2005-06-23 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 半導体処理装置の表面処理方法
EP2071049A1 (de) 2005-07-29 2009-06-17 Tocalo Co. Ltd. Y2O3-sprühbeschichtetes Element und Herstellungsverfahren dafür
JP4571561B2 (ja) 2005-09-08 2010-10-27 トーカロ株式会社 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法
US7685965B1 (en) * 2006-01-26 2010-03-30 Lam Research Corporation Apparatus for shielding process chamber port
US7648782B2 (en) 2006-03-20 2010-01-19 Tokyo Electron Limited Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus
US7850864B2 (en) 2006-03-20 2010-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma treating apparatus and plasma treating method
WO2007142850A2 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Applied Materials Gas flow control by differential pressure measurements
US8100081B1 (en) * 2006-06-30 2012-01-24 Novellus Systems, Inc. Edge removal of films using externally generated plasma species
JP2007107100A (ja) * 2006-11-30 2007-04-26 Tocalo Co Ltd プラズマ処理容器内複合膜被覆部材およびその製造方法
JP2007119924A (ja) * 2006-11-30 2007-05-17 Tocalo Co Ltd プラズマ処理容器内用高純度溶射皮膜被覆部材およびその製造方法
JP2007126752A (ja) * 2006-12-08 2007-05-24 Tocalo Co Ltd プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
US20080169183A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma Source with Liner for Reducing Metal Contamination
US9732416B1 (en) 2007-04-18 2017-08-15 Novellus Systems, Inc. Wafer chuck with aerodynamic design for turbulence reduction
US10622194B2 (en) 2007-04-27 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US7696117B2 (en) * 2007-04-27 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus which reduce the erosion rate of surfaces exposed to halogen-containing plasmas
TWI483291B (zh) 2007-04-27 2015-05-01 Applied Materials Inc 減小曝露於含鹵素電漿下之表面腐蝕速率的方法與設備
US10242888B2 (en) 2007-04-27 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance
US8367227B2 (en) 2007-08-02 2013-02-05 Applied Materials, Inc. Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity
US8118946B2 (en) * 2007-11-30 2012-02-21 Wesley George Lau Cleaning process residues from substrate processing chamber components
US20090214825A1 (en) * 2008-02-26 2009-08-27 Applied Materials, Inc. Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma
US8419964B2 (en) 2008-08-27 2013-04-16 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for edge bevel removal of copper from silicon wafers
US8172646B2 (en) 2009-02-27 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Magnetically actuated chuck for edge bevel removal
JP5481224B2 (ja) * 2010-02-19 2014-04-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
US20140356985A1 (en) 2013-06-03 2014-12-04 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly
US9790581B2 (en) 2014-06-25 2017-10-17 Fm Industries, Inc. Emissivity controlled coatings for semiconductor chamber components
US10388492B2 (en) 2016-04-14 2019-08-20 Fm Industries, Inc. Coated semiconductor processing members having chlorine and fluorine plasma erosion resistance and complex oxide coatings therefor
US20220204410A1 (en) 2019-04-05 2022-06-30 Heraeus Conamic North America Llc Controlled porosity yttrium oxide for etch applications
WO2021141676A2 (en) 2019-11-18 2021-07-15 Heraeus Conamic North America Llc Plasma resistant yttrium aluminum oxide body
US10925146B1 (en) 2019-12-17 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ion source chamber with embedded heater
KR20230079382A (ko) 2020-10-03 2023-06-07 헤레우스 코나믹 노스 아메리카 엘엘씨 큰 치수의 소결 세라믹체의 제조를 위한 장치
WO2022072705A2 (en) 2020-10-03 2022-04-07 Heraeus Conamic North America Llc Sintered ceramic body of large dimension and method of making
JP2023544015A (ja) 2020-10-03 2023-10-19 ヘレーウス コナミック ノース アメリカ エルエルシー 大寸法の焼結された酸化イットリウム体
EP4228894A1 (de) 2020-10-15 2023-08-23 Heraeus Conamic North America LLC Keramischer mehrschichtsinterkörper und verfahren zu seiner herstellung
US20240059616A1 (en) 2020-12-18 2024-02-22 Heraeus Conamic North America Llc Plasma resistant yttrium aluminum oxide chamber components
US20240101486A1 (en) 2020-12-18 2024-03-28 Heraeus Conamic North America Llc Multilayer sintered ceramic body
JP2024522113A (ja) 2021-07-07 2024-06-11 ヘレーウス コナミック ノース アメリカ エルエルシー 耐プラズマ性材料のためのイットリア－ジルコニア焼結セラミック
WO2023039357A1 (en) 2021-09-10 2023-03-16 Heraeus Conamic North America Llc Uv-activated red ceramic bodies comprising yag for use in semiconductor processing chambers
WO2023122597A1 (en) 2021-12-23 2023-06-29 Heraeus Conamic North America Llc Multilayer sintered ceramic body and method of making
EP4215360A1 (de) 2022-01-24 2023-07-26 Heraeus Conamic North America LLC Mehrschichtiger gesinterter keramischer körper und verfahren zu seiner herstellung
TW202340123A (zh) 2022-03-31 2023-10-16 美商賀利氏科納米北美有限責任公司 陶瓷之高頻率拋光
EP4269024A1 (de) 2022-04-29 2023-11-01 Heraeus Conamic North America LLC Hochfrequenzpolieren von keramik
WO2024019940A2 (en) 2022-07-21 2024-01-25 Heraeus Conamic North America Llc Process for sintering large diameter yag layers substantially free of unreacted yttrium oxide and yttrium rich phases

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4430547A (en) * 1980-10-09 1984-02-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Cleaning device for a plasma etching system

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE322095C (de) * 1915-03-05 1920-06-19 Typograph G M B H Ablegevorrichtung fuer Matrizensetzmaschinen
JPS5372541A (en) * 1976-12-10 1978-06-28 Nec Corp Interruption control system
JPS5713738A (en) * 1980-06-27 1982-01-23 Mitsubishi Electric Corp Vapor-phase growing apparatus
US4419201A (en) * 1981-08-24 1983-12-06 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPH0770514B2 (ja) * 1985-06-18 1995-07-31 松下電器産業株式会社 ドライエツチング方法
JPS6230329A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Toshiba Corp ドライエツチング装置
JPS6239329A (ja) * 1985-08-14 1987-02-20 Touyoushiya:Kk 流体式無段変速機搭載トラクタ−における操作用ペダルの中立復帰機構
JPS635526A (ja) * 1986-06-25 1988-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング装置
US5215619A (en) * 1986-12-19 1993-06-01 Applied Materials, Inc. Magnetic field-enhanced plasma etch reactor
JPS63169029A (ja) * 1987-01-07 1988-07-13 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JPS63312642A (ja) * 1987-06-16 1988-12-21 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置
JPH01165120A (ja) * 1987-12-22 1989-06-29 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
JPH0216730A (ja) * 1988-07-05 1990-01-19 Mitsubishi Electric Corp エツチング装置
US4859304A (en) * 1988-07-18 1989-08-22 Micron Technology, Inc. Temperature controlled anode for plasma dry etchers for etching semiconductor
JPH0350723A (ja) * 1989-07-18 1991-03-05 Nec Corp プラズマエッチング装置
US5039376A (en) * 1989-09-19 1991-08-13 Stefan Zukotynski Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning, or deposition of materials by D.C. glow discharge
US4971653A (en) * 1990-03-14 1990-11-20 Matrix Integrated Systems Temperature controlled chuck for elevated temperature etch processing
JPH03285087A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Oki Electric Ind Co Ltd ドライエッチング装置
JPH04316327A (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 Toshiba Corp ドライエッチング装置及びチャンバの洗浄方法
JP3044824B2 (ja) * 1991-04-27 2000-05-22 ソニー株式会社 ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
JPH05243167A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH05283368A (ja) * 1992-03-31 1993-10-29 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマエッチング装置
JPH06124918A (ja) * 1992-10-14 1994-05-06 Matsushita Electron Corp 半導体製造装置
US5366585A (en) * 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4430547A (en) * 1980-10-09 1984-02-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Cleaning device for a plasma etching system

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 52-10867A (in Pat. Abstr. of JP, C-13, Vol. 1/No. 53, od. Derwent Abstr. Nr. 77-17322Y/10) *
JP 54-162969A (in Pat. Abstr. of JP, E-173, Vol. 4/ No. 24, od. Derwent Abstr. Nr. 80-10225C/06) *
JP 61-87861A (in Pat. Abstr. of Jap., C-371, Vol. 10/ No. 262, od. Derwent Abstr.,Nr. 86-153546/24) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19506745C2 (de) 1996-12-19
JPH0837180A (ja) 1996-02-06
JP3243740B2 (ja) 2002-01-07
US5637237A (en) 1997-06-10
US5798016A (en) 1998-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19506745C2 (de) Verfahren und Vorrichtung für reaktives Heisswand-Ionenätzen unter Verwendung einer dielektrischen oder metallischen Abschirmung mit Temperatursteuerung zur Erzielung von Prozeßstabilität
DE69727624T2 (de) Induktiv gekoppelter HDP-CVD-Reaktor
DE69628358T2 (de) Plasmaätzmethode
DE69631100T4 (de) Ätzung von Nitridkristallen
DE69835479T2 (de) Abscheidung von einem fluorierten Siliziumglas
DE69535114T2 (de) Kammer für CVD-Behandlungen
DE69627241T2 (de) Plasmabearbeitungsgerät
DE60130092T2 (de) Verfahren zum Erwärmen von Plättchen
DE2110289C3 (de) Verfahren zum Niederschlagen von Halbleitermaterial und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE69909248T2 (de) Verfahren zur verminderung der erosion einer maske während eines plasmaätzens
DE3103177C2 (de)
DE102009001972A1 (de) Plasmaätzverfahren und computerlesbares Speicherungsmedium
DE69820041T2 (de) Verfahren und geraet zur ueberwachung von niederschlaege auf der innenoberflaeche einer plasmabarbeitungskammer
DE2251571A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen von beschichtungen auf substraten
CH687987A5 (de) Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer.
DE102011013571A1 (de) Plasmaätzverfahren und Plasmaätzvorrichtung
DE112007002459T5 (de) Plasmafilmbildungsvorrichtung und Plasmafilmbildungsverfahren
DE1621390A1 (de) Abscheidung isolierender Duennschichten
DE3633386A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von substraten im vakuum
DE102006055895A1 (de) Ätzbeständiges Heizgerät und Zusammenbau desselben
DE4105103C2 (de)
EP0328757B1 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus oxydischem Hochtemperatur-Supraleiter
DE69723106T2 (de) Bestrahlung/halogenbehandlung zum trockenätzen eines oxids
DE10100424A1 (de) Korrosions- und abnutzungsbeständige, dünne Diamantfilmbeschichtung, Herstellungsverfahren und Anwendungen dafür
DE112004001026T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Materialien mit einstellbaren Eigenschaften und Ätzcharakteristiken

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8330 Complete renunciation