DE1665648B1 - Verfahren zur gegenseitigen elektrischen Verbindung von Schaltungen - Google Patents
Verfahren zur gegenseitigen elektrischen Verbindung von SchaltungenInfo
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Description
ι . " - ■ 2
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gegen- Das erfindungsgemäße Verfahren, ,mit dem elek-
seitigen elektrischen Verbindung von Schaltungen. " irische· Verbindungen zwischen elektrischen Schal-
Da die Verbindungen zwischen zwei unter- tungsteüen bzw. aus einem Stück bestehenden Schalschiedlichen
Niveaus innerhalb derMikrosehaltuhgen tungen hergestellt werden, ist zuverlässig und .einfach
mögliche Störungspunkte der Anordnung darstellen, 5 durchzuführen. In diesem Verfahren werden die Ansucht
man diese zu verbessern. Die Verbindungen satzstücke an den Anschlüssen von aus einem Stück
innerhalb des ersten Niveaus, die normalerweise bestehenden Sehaltungselementen oder -geraten beinnerhalb
der Verpackung der Mikroschaltung selbst festigt, wobei sie mit den überzogenen Verbindungsauftreten, werden gewöhnlich nicht vom Benutzer bereichen an den dünne Filme tragenden oder geausgeführt.
Die Verbindungen im zweiten Niveau io druckten Schaltungskörpern in Berührung kommen
sind die Anschlüsse außerhalb der Verpackung, der und im.Überzug, aufgelöst werden; dabei werden zur
Mikroschaltung, die durch eine Hartiötung^Widex-L; iHersteUungder "elektrischen Verbindungen sämtliche
standsschweißung, Elektronenstrahlschweißung, La- Ansätzstücke an ihren passenden Verbindungsbereiserschweißung,
"Thermokompression und einer Bin- chen festgemacht.
dung mit HiHe von Ultraschall vorgenommen werden 15 Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der
können. ~-— ~: - Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
Es ist bekannt, eine Verbindung Zwischen den beschrieben. Es zeigt
aktiven Teilen einer aus, einem Stück bestehenden F i g. 1 eine längentreue Ansicht einer aus einem
Schaltung, z. B. zwischen den Plättchen und den auf Stück bestehenden Schaltung,
einem anderen Körper aufgebrachten Leitern da- 20 Fig. 2 einen Halter zur Ausbildung von Ansatzdurch
herzustellen, daß ein Golddraht mit seinem stücken auf den Anschlußteilen einer solchen Schaleinen
Ende an dem Anschluß des aktiven Gerätes tung, .._.-.- .
und mit seinem anderen Ende an dem Leiter oder Fig. 3 die Montage der Ansatzstücke auf den An-
Endabsehnitt befestigt wird. Diese spezielle Verbin- Schlüssen der Schaltung,
dungsart ist im Hinblick auf das Altern und Vibra- 25 Fig. 4 eine Verbindung der aus einem Stück betionen
nicht zuverlässig, da die Golddrähte brechen stehenden Schaltung mit -.einer einen dünnen Film
oder elektrisch kurzgeschlossen werden können, wenn .tragenden Unterlage oder mit dem Verbindungssie sich lösen. Ein wesentlicher Nachteil dieses be-' bereich- einer gedruckten Schaltungsplatte und
kannten Verfahrens besteht darin, daß ein beträchtr „F;i.g. 5 eine aus einem Stück bestehende Schaltung, licher Raum benötigt wird, wenn der Golddraht zur 3° die mit mehreren Leitern.einer gedruckten Schaltung Herstellung der gewünschten Verbindung fest- aus dünnen Firmen in Verbindung steht,
gemacht wird. In den modernen digitalen "Rechen- ■ " In den Fi grltmd'2" ist perspektivisch bzw. als automaten ist die Konzentration der Schaltungen - Endansicht eine aus einem. Stück bestehende-Schalbeispielsweise ein Erfordernis, das bei "Anwendung 'tang 10 zu sehen, die z.B. nach einem Halbleiterder bekannten Verfahren nicht erreicht werden kann. 35 bearbeitungsverfahren ausgebildet ist. Die verschiede-Fernerhin sind die niedrigen Herstellungskosten und nen Diffusions- und/oder epitaxialen Schichten (nicht eine große Zuverlässigkeit unbedingte Notwendig- gezeigt) snd in der Unterlage eingebettet, so daß nur keiten. Anschlußteile 12 zu sehen sind.-""Diese Teile 12 und
kannten Verfahrens besteht darin, daß ein beträchtr „F;i.g. 5 eine aus einem Stück bestehende Schaltung, licher Raum benötigt wird, wenn der Golddraht zur 3° die mit mehreren Leitern.einer gedruckten Schaltung Herstellung der gewünschten Verbindung fest- aus dünnen Firmen in Verbindung steht,
gemacht wird. In den modernen digitalen "Rechen- ■ " In den Fi grltmd'2" ist perspektivisch bzw. als automaten ist die Konzentration der Schaltungen - Endansicht eine aus einem. Stück bestehende-Schalbeispielsweise ein Erfordernis, das bei "Anwendung 'tang 10 zu sehen, die z.B. nach einem Halbleiterder bekannten Verfahren nicht erreicht werden kann. 35 bearbeitungsverfahren ausgebildet ist. Die verschiede-Fernerhin sind die niedrigen Herstellungskosten und nen Diffusions- und/oder epitaxialen Schichten (nicht eine große Zuverlässigkeit unbedingte Notwendig- gezeigt) snd in der Unterlage eingebettet, so daß nur keiten. Anschlußteile 12 zu sehen sind.-""Diese Teile 12 und
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Leiter 13 sind in üblicher Weise z. B. durch Vakuum-
mehrere Verbindungsstellen zwischen elektrischen 40 aufdampfung aw-einem Material hergestellt, das in
Schaltungen gleichzeitig auf kleinstem, „zur Ver- jder Wärme gegen einen anderen Körper gepreßt oder
fügung stehendem Raum herzustellen. "' - · :A'- mit HMf e von Ultraschall-ah diesen gebunden werden
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch, kann. Andere Verfahren, z. B. das Schweißen, können
daß Ansatzstücke aus Gold an leitende Anschluß- ebenfalls einwandfrei sein. Die Anschlüsse und Leiter
teüeT'emer aus einem Halbleiterblockibestehejlden· :45 bestehe'n in üblicher Weise..aus Gold, Silber, Alu-Schaltung
gebunden und in einem an Verbindungs- minium oder einem anderen leitfähigen Material,
bereichen einer Unterlage angebrachten, flüssigen Mit Hilfe eines Vakuumhalters 14 (F i g. 2), dessen Lot aufgelöst werden, und daß durch Erkalten eine Schenkel 16 vorspringen und erhitzt werden können, mechanisch feste, elektrische Verbindung zwischen-,-_ wird..-eine solche Kraft ausgeübt, daß Kugeln oder dem Halbleiter und der Unterlage herbeigeführt, 5° andere ,Formstücke 13 aus Gold oder einem anderen wird. ■"" ' * '. '" / " Material heiß auf die Anschlußteile 12 gepreßt wer-
bereichen einer Unterlage angebrachten, flüssigen Mit Hilfe eines Vakuumhalters 14 (F i g. 2), dessen Lot aufgelöst werden, und daß durch Erkalten eine Schenkel 16 vorspringen und erhitzt werden können, mechanisch feste, elektrische Verbindung zwischen-,-_ wird..-eine solche Kraft ausgeübt, daß Kugeln oder dem Halbleiter und der Unterlage herbeigeführt, 5° andere ,Formstücke 13 aus Gold oder einem anderen wird. ■"" ' * '. '" / " Material heiß auf die Anschlußteile 12 gepreßt wer-
Um die Verbindung zwischen der Schaltung und den. Um die Kugeln über den Vakuumhalter erder
das Lot tragenden Unterlage oder den-Verbin-—™wärmen~zu-körmen,-kann-eine-beliebige-Anordnung
dungsbereichen einer gedruckten Schaltungsplatte zu-... ^Anwendung finden. An Stelle des. erhitzten Vakuumbewirken,
sind diese TeUe der Schaltungsplatte'oder 55 halters iann'auch" "eine mit Ultraschall arbeitende
Unterlage vorzugsweise aus Kupfer hergestellt. Die Bindevomchtung'-vOTgesehen-sein. Die Kugeln wer-Ansatzstücke
können an den mit Lötzinn versehenen den mit Hilfe eines Vakuums, das von einer Quelle
Verbindungsbereichen der Unterlage oder der ge- (nicht gezeigt) durch Schlitze 20 durchtritt, zum Teil
druckten Schaltungsplatte einen Kontakt herstellen. in Vertiefungen 18 festgehalten. Die Anschlußteile
Die Ansatzstücke aus Gold lösen sich im erhitzten 60 der Schaltung 10 sind dabei auf die Goldkugeln der-Lot
auf, bis sie alle in Berührung mit den Verbin- art ausgerichtet, daß bei einer Abwärtsbewegung des
dungsbereichen verlötet werden. Infolgedessen stellt Vakuumhalters und der fortgesetzten Ausübung des
sich die Schaltung auf eine bestimmte Höhe und eine Druckes die Kugeln entsprechend der geometrischen
vorgegebene Orientierung ein, wobei die zahlreichen Gestalt der Vertiefungen 18 deformiert werden und
Ansatzstücke in den Verbindungsbereichen angelötet 65 sich langgestreckte vorspringende Ansatzstücke 22
sind. Außer der Anwendung von Wärme und Druck bilden, wobei eine Bindung durch Wärme und Druck
kann auch ein Bindungsverfahren mit Hilfe des Ultra- gemäß F i g. 4 entsteht. Diese Bindung führt zu einer
schalls Anwendung finden. . sicheren mechanischen und elektrischen Verbindung
zwischen den Ansatzstücken aus Gold und den Anschlußteilen 12 des Halbleiters 10.
Diese elektrischen Verbindungen sind nicht nur zwischen einem Halbleiterbauelement und einem Gerät
mit dünnen Filmen brauchbar, sondern können auch bei anderen Kombinationen, z. B. zwischen einer
aus einem Stück bestehenden Schaltung in Form eines Halbleiterblockes und einer gedruckten Schaltungsplatte, die durch ein Lichtätz- oder ein Abschirmungsverfahren
mit Seide hergestellt ist, zwischen gedruckten Schaltungsplatten oder zwischen Unterlagen mit
dünnen Filmen angewendet werden.
Die Anschlußteile 12 oder Zwischenstücke, die auch als Verbindungsbereiche 24 einer dünne Filme
tragenden Unterlage 26 bzw. eines gedruckten Schaltungskörpers 26 bezeichnet werden können, sind vorzugsweise
aus Kupfer hergestellt, da Kupfer ein ausgezeichneter Leiter ist, vom Lot gut benetzt wird und
keinen Schaden erleidet, wenn es z. B. mit einem Lot aus Blei und Zinn oder Silber und Kupfer in Berührung
kommt. Langgestreckte Leiter 27 können aus einem beliebigen elektrisch leitenden Material, z. B.
Kupfer, Silber, Aluminium oder Gold bestehen. Die Unterlage 26 wird dann in das flüssige Lot aus Blei
und Zinn, reinem Blei, reinem Zinn oder aus Silber und Kupfer getaucht. Wie man herausgefunden hat,
ist eine eutektische Mischung der Legierung aus Blei und Zinn vorzuziehen, die sich durch den niedrigsten
Schmelzpunkt im Vergleich mit Mischungen in anderen Anteilen auszeichnet. Blei und Zinn selbst
haben einen höheren Schmelzpunkt, als ihn die eutektische Mischung aufweist. Der Vorteil einer
möglichst niedrigen Schmelztemperatur besteht darin, daß die Möglichkeit für Schaden an dem gedruckten
oder dünne Filme tragenden Schaltungskörper weitgehend verringert wird, wenn eine Tauchlötung
stattfindet. Bei diesem Vorgang bildet das Lot Tröpfchen oder Erhebungen 28, die an den kupfernen Anschlußteilen
und an den Leitern der Unterlage haften. Ein besonders vorteilhaftes Ergebnis der Tauchlötung
besteht darin, daß der Film oder die Schicht des Lotes, die an den Leitern oder an den Verbindungsbereichen haftet, die elektrische Leitfähigkeit verbessert.
Nach der Bindung mit Hilfe von Wärme und
Druck wird das Halbleiterbauelement IO umgedreht, so daß die Ansatzstücke 22 aus Gold mit dem geschmolzenen
Gebilde aus dem Blei-Zinn-Lot am Verbindungsbereich des dünnen Films oder der gedruckten
Schaltung in Berührung kommen können. Der Unterlage wird so viel Wärme zugeführt, daß die Gebilde
aus dem Lot ihre Schmelztemperatur überschreiten, die annäherend 183Q=G beträgt. Diese
eutektische Temperatur ist somit nur ein Bruchteil der Schmelztemperatur des Goldes von etwa 1063° G.
Wenn die goldenen Ansatzstücke 22 in das Gebilde 28 aus dem Blei-Zinn-Lot eindringen, löst sich etwas
Gold in diesem Lot auf. Bei der eutektischen Temperatur löst das Lot nur einen Teil seines Eigengewichtes
an Gold auf. Wenn die Temperatur dieses Lotes jedoch größer als die eutektische Temperatur ist, löst
es einen größeren Anteil seines Eigengewichtes an Gold. Wenn das Lot das Gold ausgelöst hat. stellen
sich die Unterlagen selbsttätig auf eine Höhe und in eine Richtung ein, in der die erzeugten Bindungen an
die Zwischenstücke 24 der gedruckten oder dünne Filme tragenden Schaltung anstoßen und mit diesem
verlötet sind.
Anstatt die Unterlage im voraus zu erhitzen, damit die Gebilde aus dem Lot schmelzen, kann das gesamte
Verfahren dadurch in einem einzigen Schritt zusammengefaßt werden, daß die Ansatzstücke aus
Gold im Lötmittel unmittelbar nach dem Tauchlöten aufgelöst werden. Auf diese Weise wird der Vorteil,
daß sich das Lot im flüssigen Zustand befindet, ausgenutzt, um gewisse Probleme einer vorausgehenden
Erwärmung auszuschalten.
Fernerhin ist das Tauchlöten lediglich ein brauchbares
Verfahren, die Leiter und Zwischenstücke zu überziehen. Die Vakuumaufdampfung und andere
Verfahren können ebenso schnell durchgeführt werden.
Claims (9)
1. Verfahren zur gegenseitigen elektrischen Verbindung von Schaltungen, dadurch gekennzeichnet,
daß Ansatzstücke (22) aus Gold an leitende Anschlußteile (12) einer aus
einem Halbleiterblock bestehenden Schaltung (10) gebunden und in einem an Verbindungsbereichen
(24) einer Unterlage (26) angebrachten, flüssigen Lot (28) aufgelöst werden, und daß durch Erkalten
eine mechanisch feste, elektrische Verbindung zwischen dem Halbleiter (10) und der Unterlage
(26) herbeigeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansatzstücke (22) aus Gold
dadurch an die Anschlußteile (12) gebunden werden, daß mit Hilfe eines erhitzten Vakuumhalters
(14) Goidkügelcken (13) gegen die leitenden Anschlußteile (12) gepreßt und dabei unter der Mitwirkung
der Wärme verformt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lot (28) an den Verbindungsbereichen
(24) der Unterlage (26) durch Eintauchen angebracht wird, wobei Tröpfchen
oder Erhebungen (28) zumindest auf diesen Bereichen (24) entstehen, und daß die Ansatzstücke
(22) mit diesen Tröpfchen oder Erhebungen (28) in Berührung gebracht werden und sich ihr Material,
nämlich Gold, in ihnen (28) auflöst.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Lot eine eutektische Blei-Zinn-Legierung
ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Lot eine eutektische Silber-Kupfer-Legierung
ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet,
daß mehr als drei Ansatzstücke (22) verwendet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Bindung der Ansatzstücke (22) aus Gold mit Hilfe von Ultraschall bewirkt
wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Unterlage (26) mit dünnen Filmen versehen ist.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (26) zu einer gedruckten
Schaltuns «ehört.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US465943A US3373481A (en) | 1965-06-22 | 1965-06-22 | Method of electrically interconnecting conductors |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19661665648 Withdrawn DE1665648B1 (de) | 1965-06-22 | 1966-06-07 | Verfahren zur gegenseitigen elektrischen Verbindung von Schaltungen |
Country Status (4)
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---|---|
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GB (1) | GB1109806A (de) |
NL (1) | NL6608667A (de) |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3436818A (en) * | 1965-12-13 | 1969-04-08 | Ibm | Method of fabricating a bonded joint |
US3508209A (en) * | 1966-03-31 | 1970-04-21 | Ibm | Monolithic integrated memory array structure including fabrication and package therefor |
US3447038A (en) * | 1966-08-01 | 1969-05-27 | Us Navy | Method and apparatus for interconnecting microelectronic circuit wafers |
US3470611A (en) * | 1967-04-11 | 1969-10-07 | Corning Glass Works | Semiconductor device assembly method |
US3496419A (en) * | 1967-04-25 | 1970-02-17 | J R Andresen Enterprises Inc | Printed circuit breadboard |
US3484933A (en) * | 1967-05-04 | 1969-12-23 | North American Rockwell | Face bonding technique |
US3539882A (en) * | 1967-05-22 | 1970-11-10 | Solitron Devices | Flip chip thick film device |
US3519896A (en) * | 1969-03-11 | 1970-07-07 | Motorola Inc | Power transistor assembly |
US3803711A (en) * | 1971-02-04 | 1974-04-16 | Texas Instruments Inc | Electrical contact and method of fabrication |
US3706126A (en) * | 1971-02-23 | 1972-12-19 | Western Electric Co | Fusion bonding |
US3921285A (en) * | 1974-07-15 | 1975-11-25 | Ibm | Method for joining microminiature components to a carrying structure |
JPS53149763A (en) * | 1977-06-01 | 1978-12-27 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting method of semiconductor integrate circuit |
US4173768A (en) * | 1978-01-16 | 1979-11-06 | Rca Corporation | Contact for semiconductor devices |
US4179802A (en) * | 1978-03-27 | 1979-12-25 | International Business Machines Corporation | Studded chip attachment process |
US4332341A (en) * | 1979-12-26 | 1982-06-01 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of circuit packages using solid phase solder bonding |
US4705205A (en) * | 1983-06-30 | 1987-11-10 | Raychem Corporation | Chip carrier mounting device |
US4664309A (en) * | 1983-06-30 | 1987-05-12 | Raychem Corporation | Chip mounting device |
US4558812A (en) * | 1984-11-07 | 1985-12-17 | At&T Technologies, Inc. | Method and apparatus for batch solder bumping of chip carriers |
US4581680A (en) * | 1984-12-31 | 1986-04-08 | Gte Communication Systems Corporation | Chip carrier mounting arrangement |
US4661192A (en) * | 1985-08-22 | 1987-04-28 | Motorola, Inc. | Low cost integrated circuit bonding process |
US5829128A (en) * | 1993-11-16 | 1998-11-03 | Formfactor, Inc. | Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices |
US5476211A (en) | 1993-11-16 | 1995-12-19 | Form Factor, Inc. | Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member |
US5917707A (en) | 1993-11-16 | 1999-06-29 | Formfactor, Inc. | Flexible contact structure with an electrically conductive shell |
DE3780630T2 (de) * | 1986-12-17 | 1993-03-18 | Raychem Corp | Verbindung von elektronischen bauteilen untereinander. |
US4955523A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
US5189507A (en) * | 1986-12-17 | 1993-02-23 | Raychem Corporation | Interconnection of electronic components |
JPS63169793A (ja) * | 1987-01-07 | 1988-07-13 | 株式会社村田製作所 | プリント基板へのチツプ部品の取付構造 |
US5170931A (en) * | 1987-03-11 | 1992-12-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate |
US4788767A (en) * | 1987-03-11 | 1988-12-06 | International Business Machines Corporation | Method for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate |
US5159535A (en) * | 1987-03-11 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for mounting a flexible film semiconductor chip carrier on a circuitized substrate |
US5184400A (en) * | 1987-05-21 | 1993-02-09 | Cray Computer Corporation | Method for manufacturing a twisted wire jumper electrical interconnector |
US5045975A (en) * | 1987-05-21 | 1991-09-03 | Cray Computer Corporation | Three dimensionally interconnected module assembly |
US5014419A (en) * | 1987-05-21 | 1991-05-14 | Cray Computer Corporation | Twisted wire jumper electrical interconnector and method of making |
US5195237A (en) * | 1987-05-21 | 1993-03-23 | Cray Computer Corporation | Flying leads for integrated circuits |
US5054192A (en) * | 1987-05-21 | 1991-10-08 | Cray Computer Corporation | Lead bonding of chips to circuit boards and circuit boards to circuit boards |
US5112232A (en) * | 1987-05-21 | 1992-05-12 | Cray Computer Corporation | Twisted wire jumper electrical interconnector |
JPS63304636A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Hitachi Ltd | はんだキヤリア及びその製法並びにこれを用いた半導体装置の実装方法 |
US4831724A (en) * | 1987-08-04 | 1989-05-23 | Western Digital Corporation | Apparatus and method for aligning surface mountable electronic components on printed circuit board pads |
US5014111A (en) * | 1987-12-08 | 1991-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrical contact bump and a package provided with the same |
US5637925A (en) * | 1988-02-05 | 1997-06-10 | Raychem Ltd | Uses of uniaxially electrically conductive articles |
JP2573016B2 (ja) * | 1988-02-27 | 1997-01-16 | アンプ インコーポレーテッド | マイクロ入出力ピンおよびその製造方法 |
US4893403A (en) * | 1988-04-15 | 1990-01-16 | Hewlett-Packard Company | Chip alignment method |
DE3824865A1 (de) * | 1988-07-21 | 1990-01-25 | Productech Gmbh | Herstellen von loetflaechen |
JPH0272642A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Nec Corp | 基板の接続構造および接続方法 |
JP2532615B2 (ja) * | 1988-10-20 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | バンプ形成方法 |
US5255840A (en) * | 1989-12-26 | 1993-10-26 | Praxair Technology, Inc. | Fluxless solder coating and joining |
US5056216A (en) * | 1990-01-26 | 1991-10-15 | Sri International | Method of forming a plurality of solder connections |
KR920022482A (ko) * | 1991-05-09 | 1992-12-19 | 가나이 쯔도무 | 전자부품 탑재모듈 |
JPH08510358A (ja) * | 1993-04-14 | 1996-10-29 | アムコール・エレクトロニクス・インク | 集積回路チップと基板との相互接続 |
US7073254B2 (en) | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
US5820014A (en) * | 1993-11-16 | 1998-10-13 | Form Factor, Inc. | Solder preforms |
US20020053734A1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US7084656B1 (en) | 1993-11-16 | 2006-08-01 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
US7200930B2 (en) * | 1994-11-15 | 2007-04-10 | Formfactor, Inc. | Probe for semiconductor devices |
US5455390A (en) * | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
US6361959B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-03-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic unit forming methods and materials |
US6117694A (en) * | 1994-07-07 | 2000-09-12 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
US5830782A (en) * | 1994-07-07 | 1998-11-03 | Tessera, Inc. | Microelectronic element bonding with deformation of leads in rows |
US5518964A (en) | 1994-07-07 | 1996-05-21 | Tessera, Inc. | Microelectronic mounting with multiple lead deformation and bonding |
US6429112B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-08-06 | Tessera, Inc. | Multi-layer substrates and fabrication processes |
US5798286A (en) | 1995-09-22 | 1998-08-25 | Tessera, Inc. | Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation |
US6828668B2 (en) * | 1994-07-07 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
US5688716A (en) * | 1994-07-07 | 1997-11-18 | Tessera, Inc. | Fan-out semiconductor chip assembly |
US6848173B2 (en) * | 1994-07-07 | 2005-02-01 | Tessera, Inc. | Microelectric packages having deformed bonded leads and methods therefor |
JP2002509639A (ja) * | 1994-11-15 | 2002-03-26 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 超小型電子素子の相互接続要素 |
US5673846A (en) | 1995-08-24 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Solder anchor decal and method |
US5994152A (en) * | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
US8033838B2 (en) | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
US5795818A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-18 | Amkor Technology, Inc. | Integrated circuit chip to substrate interconnection and method |
US6133072A (en) * | 1996-12-13 | 2000-10-17 | Tessera, Inc. | Microelectronic connector with planar elastomer sockets |
JP3065549B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2000-07-17 | 富士通株式会社 | 半導体チップ部品の実装方法 |
DE19823623A1 (de) * | 1998-05-27 | 1999-12-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Kontaktstelle zur Herstellung einer elektrischen Verbindung |
US6325272B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-12-04 | Robotic Vision Systems, Inc. | Apparatus and method for filling a ball grid array |
JP4130508B2 (ja) * | 1999-01-22 | 2008-08-06 | 富士通株式会社 | 半田接合方法及び電子装置の製造方法 |
JP2000323534A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Sony Corp | 半導体素子の実装構造及び実装方法 |
JP3288654B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2002-06-04 | ヒロセ電機株式会社 | 電気コネクタの製造方法 |
EP1275143B1 (de) * | 2000-04-20 | 2007-08-22 | Elwyn Paul Michael Wakefield | Verfahren zur herstellung elektrischer/mechanischer verbindungen |
US6523255B2 (en) * | 2001-06-21 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | Process and structure to repair damaged probes mounted on a space transformer |
US7138583B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-11-21 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for maintaining a separation between contacts |
US9084377B2 (en) * | 2007-03-30 | 2015-07-14 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with mounting features for clearance |
US20090014852A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Hsin-Hui Lee | Flip-Chip Packaging with Stud Bumps |
US8649820B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-02-11 | Blackberry Limited | Universal integrated circuit card apparatus and related methods |
US8936199B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-01-20 | Blackberry Limited | UICC apparatus and related methods |
USD703208S1 (en) | 2012-04-13 | 2014-04-22 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
USD701864S1 (en) | 2012-04-23 | 2014-04-01 | Blackberry Limited | UICC apparatus |
DE102018215672A1 (de) * | 2018-09-14 | 2020-03-19 | Continental Automotive Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplattenanordnung und Leiterplattenanordnung |
US20230268312A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Soft touch eutectic solder pressure pad |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3006067A (en) * | 1956-10-31 | 1961-10-31 | Bell Telephone Labor Inc | Thermo-compression bonding of metal to semiconductors, and the like |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2740193A (en) * | 1953-07-01 | 1956-04-03 | Rca Corp | Method of soldering printed circuits |
US3073006A (en) * | 1958-09-16 | 1963-01-15 | Westinghouse Electric Corp | Method and apparatus for the fabrication of alloyed transistors |
FR1217793A (fr) * | 1958-12-09 | 1960-05-05 | Perfectionnements à la fabrication des éléments semi-conducteurs | |
US3075282A (en) * | 1959-07-24 | 1963-01-29 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor device contact |
NL260810A (de) * | 1961-02-03 | |||
US3271625A (en) * | 1962-08-01 | 1966-09-06 | Signetics Corp | Electronic package assembly |
US3252203A (en) * | 1962-10-05 | 1966-05-24 | Trw Inc | Welding process |
US3303393A (en) * | 1963-12-27 | 1967-02-07 | Ibm | Terminals for microminiaturized devices and methods of connecting same to circuit panels |
US3292240A (en) * | 1963-08-08 | 1966-12-20 | Ibm | Method of fabricating microminiature functional components |
US3286340A (en) * | 1964-02-28 | 1966-11-22 | Philco Corp | Fabrication of semiconductor units |
US3271555A (en) * | 1965-03-29 | 1966-09-06 | Int Resistance Co | Handling and bonding apparatus |
-
1965
- 1965-06-22 US US465943A patent/US3373481A/en not_active Expired - Lifetime
-
1966
- 1966-06-07 DE DE19661665648 patent/DE1665648B1/de not_active Withdrawn
- 1966-06-09 GB GB25819/66A patent/GB1109806A/en not_active Expired
- 1966-06-22 NL NL6608667A patent/NL6608667A/xx unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3006067A (en) * | 1956-10-31 | 1961-10-31 | Bell Telephone Labor Inc | Thermo-compression bonding of metal to semiconductors, and the like |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6608667A (de) | 1966-12-23 |
US3373481A (en) | 1968-03-19 |
GB1109806A (en) | 1968-04-18 |
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---|---|---|
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