DE1521414A1 - Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden,durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage und unter Anwendung dieses Verfahrens hergestellter Gegenstand - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden,durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage und unter Anwendung dieses Verfahrens hergestellter Gegenstand

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DE1521414A1
DE1521414A1 DE19651521414 DE1521414A DE1521414A1 DE 1521414 A1 DE1521414 A1 DE 1521414A1 DE 19651521414 DE19651521414 DE 19651521414 DE 1521414 A DE1521414 A DE 1521414A DE 1521414 A1 DE1521414 A1 DE 1521414A1
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Description

"Verfahren zua Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen ^wischenrauji voneinander getrennten Hetallschichten auf eine Unterlage und unter Anwendung dieses Verfahren» hergestellter Gegenstand."
üie Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden» durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Meta11schichten auf eine Unterlage au· einem anderen Werkstoff als der der Schichten und betrifft weiterhin einen unter Anwendung dieses Verfahrens hergestellten Gegenstand, *o in dieser Beschreibung über einen anderen rferkatoff als der der schichten gesprochen wird, handelt es sich dabei nicht um einen Werkstoff, der nur hinsichtlich kleinerer Zusätze von Verunreinigungen vom Material einer oder beider schichten verschieden ist* i>as Aufbringen Mieter durch «inen engen Zwischenraum voneinander getrennten Schic: ten wird a.-i. in der Halbleitertechnik für viele Zwecke angewendet, ingbesonder· dann, wenn Mikroainiaturlaation ein wichtiger Gegenstand ist. A*ie Abmessungen der Zwischenräume sind oft für die Wirkung der Halbleitervorrichtung mitbestimmend, üei Photos·11en *.B. ist aie breite des Zwischenrautaes «wischen clen beiden al· Elektroden dienenden Metallsohiohten für dl« ÜapfindUohkeit mitbestimmend, während r.i. bei Feldeffekttransistoren die
■me . ,
xireit· dieses Zwischenraumes swlscb*n der Zu- und Abführungselektrode fttr den Verstirkongsgrad und den Jrequenibereioh mitbeetimeend ist. Auch für die gegenseitig« elektrische Isolierung sw«iwr Metallechichten sind Ott •olohe Kleinen ^wischenrluee erwflnsoht,s.t>. bei «'eldeffekttraneietoren, bei denen die oteuerelektrodeneohioht «wischen der *u- und ABfahrunf·- elektrodenachicht auf eine Trlgerseite aufgebracht und durch einen Zwischenraum von den anderen elektroden getrennt werden muse. ο·ϊ üoohfrequenztransistoren mit nebeneinander liegenden üetallkontaktschichten für die Basis- und Emitterelektrode ist es für tinen geringen basiswiderstand wichtig. 4*·· die 4»tallkontaktsohicht für die Basiselektrode .<
90984170715 bad OBiGtNAL
%- 152UU
möglichst nahe dem fcraitter-Baais-Jebergang liegt, während ββ für eine gutwirkende Emitterelektrode vorteilhaft ist» dass die Metallkontaktsohicht der Emitterelektrode möglichst die ganze Oberfläche der Emitterzone iee Halbleiters bedeckt, besteht in den obenerwähnten /allen einerseits das ^estreben nach einem möglichst schmalen Zwischenraum zwischen ien Metallschichten, andererseits musd der Zwischenraum groea genug sein, um /iurzscnluas zwischen den Schichten zu verhüten» Auch aus diesem Grunde ist es von Bedeutung, daaa der Abstand zwischen den Metallschichten über die ganze Län£e des engen Zwischenraumes möglichst konstant ist.
JSs ist Üblich, solche häufig verwickelte Formen darstellenden Metallschichten durch Aufdampfen oder durch Anwendung photographischsr oder galvanischer Techniken unter Zuhilfenahme Ortlicher Maskierungen aufzubringen· Xn der Praxis wird im allgemeinen jede Metallschicht getrennt aufgebracht» wobei zweimal maskiert werden muss* Um sehr kleinen*Zwischenräume zwischen zwei Metallsohichten, insbesondere kleiner als 10 Mikron, ζ»ύ, wnige Mikron, zu erzielen» ist eine besonders genaue Anpassung der beiden Masken aneinander und eine sehr genaue Anordnung der sweiten Maske gegenüber der ersten erforderlich, wodurch dieses Verfahren we is.
Die Erfindung bezweckt, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art zu schaffen, welches die obenerwähnten Naohteile nicht aufweist. Das Verfahren der eingangs erwähnten Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterlage zunächst eine der beiden Metall· schichten aufgebracht wird, die ansohlieesend ge ma'as der endgültig herzustellenden Form dieser Schicht mit einem ätzbeständigen waskierungsaaterial bedeokt wird, worauf die 8chioht einer Aetzbehandlung unterworfen wird» wobei die etwa nicht-maskierten Sohichtteile entfernt werden, und die Aetzbehandlung so lange fortgesetzt wird, dass am ifeskierungsrand entlang ein schmaler streifen der Schicht unter dem Maskierungsmaterial gleichfalls entfernt wird, worauf unter ^eegeweadhetMMig der Schattenwirkung de·
909841/0715
BAD ORIGINAL
-5- 152UU
Mask ie rundmaterial β die zweite Metallschicht auf wenigstens einen neben diesem Hand liegenden Überflächenteil der Jnteilage aufgebracht wird, der nicht vom Maskierungeaaterial überdeckt wird. Die Unterlage kann aus einem Halbleitermaterial, auch aber aus einen anderen Material, z.B. einem Isoliermaterial, bestehen, ^ur Herstellung einer Halbleitervorrichtung iet in letzteres ialle nach dem Aufbringen der beiden Schichten ein Halbleitermaterial verwendbar.
Jie Erfindung beschränkt sich nicht auf die Herstellung von
Üaloleite'rvorrichtungen. tiine weitere Anwendungamöglichkeit ist z.u. die Herstellung sehr schmaler optischer Spalte, indem nach dem Verfahren der Erfindung zwei Metallschichten auf einen durchsichtigen träger, z.B. aus (ila8, aufgebracht werden.
In der/gedruckten ^etga ee Schaltune ewi ist es häufig erwünscht, sehr schoale Metallstreifen auf einen Trüger aufaubringtn, welche gegebenenfalls von verwickelter r'orm eind. Nach den Verfahren geaiss der Erfindung lassen eich zu diesem «ciweck fhotomasken mit einem Spalt von für die Üedrahtung gewünschter Fora und Breite zwischen zwei auf eine durchsichtige Unterlage aufgebrachten Metallschichten herstellen. Mit UiIfβ einer eolohen Photomasks können unter Anwendung bekannter photograjWacher Techniken, z.B. dux-ah Verwendung eines photoenpfindlichen Lacks (photoresist, sehr aoheale Metallstreifen konstanter Breite auf eine Unterlage aufgebracht werden.
£.a wird noch beaerkt, lass es an eich bekannt ist, auf einen HalbieittfrKÖrper eine Uieichtrichterelektrode durch dae Aufschmelzen einer Kugel anzubringen, anachiiessend ait uilfe eiaes elektrolytischen AtitzvorgangB, bei 4«s der aul sohmelzkugel eine geei„Tnete Vorspannung gegeben wird, unterhalt der Kugel eine Nut im Halbleittiricörper zu ätzen, worauf «in Metali au.geaaxpft wird. Dabei ist die Aufechaielzkugel als Schattengeber wirssa.u, jo dae» die auf die tia^bliiterobtrflache aufgedaopfte
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Schient nicht in die Nut unter tier Aufschmelzkugel reicht und daher aicht den pn-Ueberfcang icurzeciuiesst. Statt durch nine ulektrolytische Aetzbehundlung lä'aat &ich die Kut auch durch chemisches Aetüen bilden, wobei IaS Ualbieiterma c#rial beim pn-Uebergang stärker weggeätzt wird ali das übrige Material 'Ie= halbleiterkörpern. Jf'iir die Herstellung von -loch- ; reCjuenztxar.siBtoien, bei denen statt einer aufgeschmolzenen Kugel eine dünne aletalliichicht verwendet *ird, wäre dieses /erfuhren iiu allgemeinen weniger geeignet, da dao zweite aufgedampfte Metali in die erste Metallschicht und möglicherweise sogar i«i den Ueb^rtjang zwischen dieser Schicht und dem Halbleitermaterial eindringen kann, wodurch die Eigenscnuften aieses Uttbtirpjangs ungünstig beeinflusst weraen können, nusaeräeia ist es nach dem Aufbringen der Schichten häufig erwünscht, zur Erzielung eines gut haftenden Kontakte· von geringem Uebergan^'swiderstand mit der Unterlag· eine Heilbehandlung durchzuführen, wobei aber das Material der ersten aufgebrachten ochicht schmelzen und der Kontakt alt der Jnterlage durch das auf dl· erste Schicht aufgedampfte Material der «weiten Schicht vergiftet werden Kenn, «•iterhin wird eine solche Metallschicht bei Transistoren mit einer ä'uesarst dünnen Basiszone angewendet· Das Aetzen einer Nut, wie es bei Anwendung einer Aufschaelxkugel vorgeschlagen wurde, ist in solchen Fällen schwer durchführbar ohne die Gefahr eine« Durchätzens der Basiszone bis zur Kollektorzone· Beiz elektrolytischen Aetzen nuss überdies der Aufschmelzkugel eine Vorspannung gegeben werden, wozu an der iugei ein elektrischer Anschluss angebracht werden muss. 3ei Transistoren sehr hoher Frequenz ait metallisch leitenden ilektrodenachichten «erden -wnitterelektrolen mit wenigstens in der Breite sehr kleinen Abmessungen angestrebt. Das Anbringen eines vorläufigen Anschlusses an einer aolchen Schicht ist aber verwickelt, während das Anbringen eines bleibenden riontaktea hinderlich ist beim Aufdampfen einer zweiten Schicht, wobei sogar die rr.it dieser Metallschicht zu versehenden UberfLachen teile atellenweise^gescnattet werden können.
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Weiterhin wurde ein Verfahren zur Herstellung eines npn-Typ Tranaistore fur hohe Frequenzen vorgeschlagen, wob·! von einem n-leitenden Siliziumkörper ausgegangen wird, in dem durch Diffusion eines Donators und eines Akzeptors untereinander liegende Emitter- und Basiszonen gebildet sind» Auf der Emitterzone wird eine SiO -Haut gebildet, welche auf photographischei tfege wieder teilweise weggeätzt wird. Die η-leitende twuitterzon· wird anacnliessend unter Verwendung der verbleibenden Oxydhaut als Maskierung weggeätzt, wobei nicht nur die neben dieser Maskierung liegenden Teile, sondern aach ein Streifen unter der Oxyde«skierung und zwar an deren Rand entlang entfernt werden. Anechlieseend wird eine metallische Basiskontaktschicht unter Gebrauchniachung der Schattenwirkung der öiU -Haut aufgedampft, wodurch die verbleibende Emitterzone und deren Uebergang mit der Basiszone nicht bedeckt werden, der dasiskontakt aber dennoch nahe am pn-Uebergang zu liegen ko-amt. Unter Anwendung einer zweiten Maskierung und völliger oder teilwfiaer intternung der verbleibenden Oxydhaut wird ein Teil der verbleibenlen .emitterzone Bit einer aufgedampften metallischen Suitterkontaktschicht bedeckt. Obwohl die BaBiskontaktschicht auf diese #eise nahe am pn-Ueberganrf zwischen der ^üitterelektrode und der Basiselektrode angebracht werden kann, werden die vorstehend bereits besprochenen Nachteile der Anwendung einer zweiten Maskierung nicht beseitigt. Weiterhin besteht auoh hierbei der Nachteil, dass das Halbleitermaterial selbst weggeätzt werden aus». Dabei tritt die Schwierigkeit auf, dass einerseits das Unterä'taen soweit fortgesetzt werden muss, dass der auf geringer Tiefe liegende pn-üfctrgmng^kn aer .stelle, wo er nach dem Aetzen frei wird, von der maskierenden öiliziumoxydschicht ausreichend überschattet werden muss, und andererseits die sehr dünne ßaeiaschicht nicht durchgeätzt werden darf.
In der Halbleitertechnik werden häufig äuaserst dünne Metallschichten, z.d. dünner als 1 Mikron, verwendet. Diese lassen eich bei Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung ohne Gefahr vor nennenswerte«
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Angriff der Unterlage leicht wegätzen. I»ie Maskierung bleiDt dabei an ihrem Hand entlang in sehr geringe» Abstand von der Unterlage.
Ua das Material der ersten Metallschicht von lem ler Unterlage verschieden ist, läset sich ein Aetzaittel wählen, das die Unterlage praktisch nicht oder wenigstens in viel geringeres Masse angreift, als das Material dieser .Metallschicht. Bei gegebener Materialwahl für die Metallschicht und die Unterlage gibt es unter den bekannten Aetzmitteln im allgemeinen ausreichende Möglichkeiten, ein solches selektiv wircsambs netzmittel finden und anwenden zu können. Gewünachtenfalls kann neben der verbleibenden ersten ^-callechicht eine uberflächenzone der Unterlage durch die Mahl eines Aetzmittels weggeätzt «erden, das auf die üeiden Materialien einwirkt, z.U. falls die Unterlage aus Halbleitermaterial mit girier oberflächenzorie eines Leitungstypa entgegengesetzt zu dem des angrenzenden darunter liegenden Hai blei terseteriaIe besteht« Vorzugsweise wird aber in diesem Falle zunächst ein Aetzmittel verwendet, welches das -laterial der Metallschicht selektiv lösen kann, und anschliessend wird ein Jiaterial verwendet, welches das Material der Unterlage wegätzen kann. Nach dem wegätzen der aletal 1 schient unter einer xtandzone der Maaki rung bei der ersten Aetzbehandlung kann nämlich das zweite Aetzmittel 'unmittelbar auf den von der Maskierung Überschatteten oberfifichenteil der Unterlage einwirken. Hierdurch braucht man praktisch icein Material der unter der dünnen 2one liegenden Zone wegzuätzen und dennoch kann erreicht werden, dass die Stolle, an der nach dem Aetzen der ρ..-Uebergang freigelegt ist, ausreichend von der Maskierung überschattet wira.
Die Stsbeständige Maskierung kann auf photograph!achem >>ege angeordnet werden. Man kann dazu einen ätzbeatändigen uacl< wählen, aer die eigenschaft besitzt, von einem bestimmten Lösungsmittel (jelöat werden zu köunen, jedoch nach Bestrahlung, z.B. mit ultraviolett, in diesem Lösungsmittel unlöslich zu jem. mti kann aujh einen atzoeatäniiijeu ^ck wählen,
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er in exnea bestiiMuten ^ösungiiiiittel unlöslich ist, aber nach Bestrahlung, z.B. mit Ultraviolett, in liesem Lösungsmittel löslich wirJ. Beile Arten dieses photoempf ma liehen Lacks, manchmal ale ''photoresist" tit? zeichnet, sind bekannt und käuflich erwerblich.
Die Zusammensetzungen der beiden Metallschichten können
entsprechend den gewünschten Eigenschaften der herzustellenden Vorrichtung gewählt werde::} sie können einander gleich oder verscnieden sein. #as die Durchführbarkeit des Verfahrens zua genauen Aufbringen der beiden schienten anbelangt, sind die meisten Metalle und Legierungen brauchbar. Hinsichtlich der katerialwahl für die zweite Schicht wird vorzugsweiße ejr aufdampfbarea Material benutzt, obwoni auch hier die «nweiidunf. nr-^-jtn Verfpiiren tuägiich ist» **ü. i ifHpjjtiti' ( 'rr /ufutreicben von VerKin ί·..·;*£θΐ« von Metallen, gegebenenfalls in farn von Sue pen β ion en, die in Ht Meta 5 le aer schicht umgesetzt werden können, z.B. durch Erhitzung. für die katerialwahl dar ersten Schicht iat ea nur erforderlich, dass die ochioht weggefitzt werden kann· oogar ein Edelmetall wie Gold lä'ast sich durch Aetzan entfernen, wobei man nicht auf Anwendung des auch auf viele andere Uaterialien atark einwirkenden Künigawaseers (ein Gemisch konzentrierter -.al ζ aSure und konzentrierter »Salpetersäure) beschränkt ist, sondern z.ü. ein selektiveres Aetaeittel, wie eine wässrige Lösung von Kaliumcyanid und tfaeaerstoffperoxyd, verwenden kann. Letztere i<öeung eignet sich z.B. auch ziLji Aetzen von öilber und Kupfer, üupi'er, oilber und liold sind z.B. ^eeitjiete ilektroienmattfrialien fUr Halbleitervorrichtur.gen nit einem Halbleitermaterial aus iLadmiumsulpnid, ias von letzteren Aetzmittel praictisch nicht angegriffen wird. &adaiiuasuiphid wird unter anderes in fhotozellen und Feldeffekttransistoren verwendet, wie oben bereits erwä'hnt, sind bei solchen Vorrichtungen durch einen engen wwischenraum mit konstanter breite getrennte Metalldchichten besonders nützlich*
Für die Herstellung von Haloleitervorrichtungen kann eint der
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Metal!schichten aus einem Material bestehen, daa nach einer geeigneten *finnebehand lung, der im angrenzenden Halbleitermaterial einer oder mehrere Donatoren bzw. Akzeptoren aus dem Material dieser schicht, z.B. duroh Legieren und «iederkrietallieieren des Halbleitermaterials, durch diffusion oder durch beide eingebaut wird, bzw. werden, im Halbleitermaterial stellenweise einen .ueitungatyp entgegengesetzt zu dem des an der anderen Metallschicht angrenzenden Halbleiteroateriala induzieren kann.
Angrenzend an der zueretgenannten der beiden Meta11schichten kann ursprünglich ein Halbleitermaterial von gleichem Leitungstyp wie der de· an der anderen Metallschicht angrinsenden Materials vorhanden sein* Duroh •ine geeignete wärmebehandlung wird dabei ein« an,der zuerst genannten Metallschicht grenzende Zone des Halbleitermaterial· gebildet, deren Leitungetyp dem des ursprünglich an dieser Metallschicht angrenzenden UaIb* leitermaterial· entgegengesetzt ist. Dabei entsteht ein pn-Uebergang, der im schmalen Zwischenraum zwischen den beiden Metallschichten an die Oberfläche tritt. Auf diese weise können z.i>. an einer Basiszone eines Transistors ein JSmitter- und ein äaaiskontakt angebracht werden* Falls TOr .eru aufbringen, der zuerstgenannten Metallschicht bereits ein pn-debergan«: frei wird, und dieser als ofaiasoher Kontakt an einem der beiden i'eile de· Halbleiterkörper· beiderseits des pn-Jeberganga beatinat ist, darf di· betreffende Metallschioht beiai Aufbringen den pn-Uebergang überdecken, da durch Anwendung der erforderlichen Wärmebehandlung eine dünne Zone entsteht» die mit der nebenliegenden ^one de· halbleiter· einen pn-Uebergang bildet· wordurch Kurzschluss des pn-Uwbergange verhütet wird. Hie zum Aufbringen der beiden Metallachichten verwendete Maskierung bracht daher nioht notwendigerweise sehr sorgfältig der ursprünglichen i-a^e des pn-Udbergangs angepasst zu werden.
Jbei den im vorherigen Absatz beschriebenen f'ä'ilen ist es na türgemäss auch uöglich, dass für Leide Metallschichten «iaterialien verwendet
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werden, die bei geeigneter !wärmebehandlung im angrenzenden Halbleitermaterial bestimmte Leitungstype induzieren können, und zwar vorzugsweise derart, dass das Material der einen Schicht einen Leitungstrp induziert, der dem vom Material der anderen Schicht induzierten Leitungatyp entgegengesetzt iat. Werden dabei in einer der beiden ochichten ein oder mehrere Donatoren angewendet, .-o werden in der anderen öchicht ein odar mehrere Akzeptoren angewendet.
Die Erfindung wird an Hand eines AuafUhrungsbaispiela und dar beiliegenden Zeichnungen naher erläutert, in danan Herstellungsatadian ein·· npn-Transistors und eines Feldeffekttransistors »cheaatisch dargaatallt sind.
Die Figuren 2 und 7 zeigen dabei «inen Teil einer Draufsicht und die Figuren 1,3 bis 6 und 8 einen Teil eines senkrechten öchnitta durch den npn-Transistor in seinen verschiedenen Herstellungsstadian gemles den Linien I-I und VIII-VIII der Figuren 2 bzw. 7. Die Figuren 12, 16 und 19 zeigen eine Draufsicht und die Figuren 9 bis 11, 15 bis 15, 17 und 18 einen Teil eines senkrechten Schnittes einer Reihe von Feldeffekttransistor·» in verschiedenen Herstallungsstadien gemüse den Linien X-X, XV-XV und XVIII-XVIII der Figuren 12,~1o bzw. 19. Deutlichkeitshalber sind in dan senkrechten Schnitten die senkrechten Abmessungen übertrieben gross gegenüber dan horizontalen Abmessungen gezeichnet.
I Ke wird von einem einkrlstallischen Germa-
niumkSrper 1 Bit einer Lfinge von 10 um, einer Breite von 10 am und einer Dicke von 1^0 tfikron ausgegangen zwecks Herstellung mehrerer Transistoren aus diesem Körper. Der Körper besteht im wesentlichen aus einem mit Antimon dotierten η-Typ Material 2 mit einem spezifischen Widerstand von etwa 2 Chm-cm. Durch das üindiffundieren von Indium und Arsen sind auf einer ueite dieses Körpers untereinander liegende <5onen von gegenseitig entgegengesetzter Leitun.;aart »rebildet, und zwar eine p-leitende ^one 3
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.mit einer Stärice von 1,0 μ, die am ursprünglichen η-Typ Material 2 angrenzt, und eine an der Oberfläche des Germaniumkörpers liegende η-leitende ^on« mit einer Stärke von 0,4 μ (siehe i\$. 1). ium Bilden dieser ^ one η wird zunächst Indium 70 Minuten lang bei einer Temperatur von 8100G einiiffundiert. Die entstandene p-leitende Schicht wird anschliessend von der nichtdargestellten Unterseite des Körpers durch Aetzen entfernt, wobei die Oberseite vorher mit einem ätzbeständigen tack: bedeckt wurde. Nach der Aetzbehanilung und tintfernung des Lacks wird 5 Minuten lang Arsen eindiffundiert, *obei der Ger^aniumkBrper auf o50°C erhitzt und bei 44O0C mit Areendampf gesättigter Wasserstoff lings dee Germaniumkörpere geleitet wird.
ijabei wird ausaerdea an der nicht-dargestellten Untereeite eine η-leitende ^one nit einen reduzierten spezifischen Widerstand gebildet* Auf die deite des Halbleiterkörpers 1 mit den n- und p-leitende« 5 und 4 wird eine dünne Silberschicht 5 sit einer Sta'rke von 0,2 μ
im Vakuum aufgedampft, wobei der Halbleiterkörper auf eine Temperatur von etwa 40O0C erhitzt wird.
Nach dem Aufbringen des a'tzbestSndigen Lacks {,"Apiezon"-Lack) auf die Unterseite des körpers wird auf die Silberschicht 5 «in photoempfindlicher Lack aufgebracht, der die Eigenschaft hat, in einem bestimmten Lösungsmittel nur nach Beleuchtung in Lösung zu gehen. In diesem Falle wird der unter dem Namen "Ka^Ie Kopierlack" käuflich erwerbliche photoempfindliche Lack verwendet. JJieser Lack ist in verdünnter <£a Ii lauge unlöslich, wird darin aber nach Beleuchtung lait Jltraviolettatrahlurig löslich.
fach ihrem Aufbringen wird diese photoempfindliche Lacicschicht mit Hilf« einer photographischen Uaeke stellenweise beleuchtet, so das» kreisförmige Teile 6 der photoempfindlichen Schicht, mit Ausnahme eines innerhalb jedes Teiles c liegenden etwa halbkreisförmigen Teiles 7»
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löslich werden (siehe Fi,?. t). Die kreisförnigen 'i'eile haben einen Durchmesser von 55 μ· ^r halbkreisförmige Teil hat einen Kadius von etwa 17 μ· ^er kürzeste Abstand zwischen des Umriss des Halbkreises und des des ganzen Kreises beträgt etwa 10 μ. Die kreisförmigen feile sind in Heihen parallel zur Länge des Halbleiterkörperβ und in eines gegenseitigen Abstand von Ot75 mm angeordnet.
Die Lackschicht wird dann ait einer wässrigen Lösung von 2 Gew.ρ KuH behandelt« wobei die beleuchteten Teile in lösung gehen, so dass die oilberschicht 5 dort frei wird, wihrend die unbeleuchteten Teile β der photoempfindlichen Schicht das darunter liegende oilber unverändert Überdecken (siehe J?ig. 1).
i>er λ'ι per wir*"- o, ^n mit äalpetereear« und z*hj bur üeaieoh von 2 VoluE«-nteileii r ■ iX-i.triei ter -»alpete.» sa'ure (' |> und 1 Volumenteil *asier bestehender salpetersäure behende]t. BIe Jauer der üetzbehandlung beträft 2 Sek. Dabei werden nicnt nur die unbedeckten ieile aer Silberschicht 5 entfernt, aber wn den Üändern der verbleibenden Teile β der Lack schicht her wirkt das Aetzmittel auf die unter dieser Laokschioht liegenden Ieile-der silberschicht lj ein, wodQrch dieje schicht von unier den Randzonen 9 der Lacksohichtteile β entfernt wird (siehe Fig. 3). Di· breite der rt*>ndzonen '·), unter denen das Silber entfernt wurde, ist na türgeui'as von der Dauer der Aetzbehandlung abhängig. Bei einer Aetzbehandlung von etwa 2 ό«κ. hatten die nandzonen 9 eine breite von 2 u, die a« ganzen fland jedee Teiles 8 entlang praktisch konstant ist. Jas verwendete Aetsoittel hat eine nur geringe Aetzwirkung auf das Germanium des Körpers, wordurch die ceiden durch Diffusion von Verunreinigungen erzielten ^onen 3 und 4, trotz ihrer geringen Jxcke, stellenweise nicht durchgeätzt sind, obwohl axe Aetzbehandlung lange benug dauerte, ua .von den «Ändern der Maskierung3teile 6 her die unter üieden Teilen liegende aiiberschicht über eine Breite von 2 u zu entfernen.
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An der Stelle, wo ursprünglich dia halbkreisförmigen Oberflächenteil« 7 des photoeuipfindlicnen Lac.<s unbeleuchtet geblieben sind, verbleiben dann halbkreisförmige Teile 10 aer Silberschicht mit einem etwas kleineren rtadius. Diese sind filf die ftaittcrfcoritaktschiohten der herzustellenden Translatoren bestimmt.
Um einen kleinen Emitter- und einen ihn umgebenden metallisch leitenden Basieanacnluea mit der für die Basiselektrode bestimmten p-leitenden bon« 3 zu erzielen, wird eine zweite Aetzbehandlung mit einer au* «in·· Gemisch von 1 Volumenteil konzentrierter Fluorwasserstoffsäure ($0 Oew.jfc 1 Volumenteil rfaeserstoffperoxyd (jO Gew./ί) und 5 Volumenteilen wasser bestehenden Aetzflüssigkeit durchgeführt· itt*··* Aetzmittel wirkt auf 4·· Germanium ein, wShrend dip Einwirkung auf das Silber kaum merklich ist. wiese Aetzbehandlung erfolgt so kurzzeitig· dass die η-leitende ^one 4 stellenweise Über etwas weniger ala ihre Geaaatdicke entfernt wird. Dauer der Aetzbehandlung beträgt etwa 6 Sek. Auch hier üben die teile 8 auf die darunter liegenden Teile eine Ma ekele runge wirkung aus» jedoch nur insoweit sie noch mit dem darunter liegenden Silber in iContakt sind. Das Aetzaittel hat aber unmittelbar Zutritt zur Geraaniuaoberfliehe» die von den Kandzonen 9 überschattet wird und nicht mit oilber bedeckt iet. Von der garnen, mit den silber nicht überdeokten OberfÜchenfront her kann ' soBit das Aetzaittel unmittelbar auf die Germaniumoberfläche einwirken*
Mach Spülen ait deaioniaiertem Wasser, Trocknen und eintfernunf der Lacksohicht vor der Unterseite des Körpers 1 wird zunächst Indiua bis aui' ein· ächichtatä'rke von 0,04 μ und ansohiieseend Aluminium bis auf «int SchichtstMrke von 0,4 μ auf die Oberseite des Germaniumkörpers aufgedampft, wobei der körper nicnt erhitzt wird, infolge der ochatteriVrirkung der Lack* sohichtteile θ wird die Halbleiteroberfläche praktisch nur an jenen stellen mit dem Indium und Aluminium bedeckt, die nicht von den ochichtteilen 6 einschliesslich der ivandzonen 9 überschattet werden (siehe Fig. 4)· ^a
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ist möglich, dass die itandzonen 9 der dünnen Lackschicht etwas durchbiegen, wie in /ig. 4 dargestellt, gegebenenfalls bis auf die nach der zweiten Aetzbehandlung frei gewordenen tiefer liegenden Oberflächenteile, wodurch die auf die Halbleiteroberfläche aufgedampften dünnen Metallschichten 11 aus Aluminium und Indiua sohlrfer begrenzt werden«
Nach dem Aufdampfen wird der verbleibende photoempfindliche Lack 8 mit Azeton entfernt, wobei gegebenenfalls darauf niedergeschlagen·· Indium und Aluminium (nioht dargestellt; sich von der Unterlage löst. Das Ganze wird anachlieaaend 4 Minuten lang bei einer Temperatur von etwa 635 ύ erhitzt. i)ai Indium und das Aluminium bilden dabei eine geschmolzene Legierung mit dem viermaniua der Unterlage, wobei die Aluminium-Indium-Geraanlum-oohaelze eine &lndrlngtiefe hat, die gering ist gegenüber der iiicke der p-le it enden Zone 3t wa'nrend dennoch ein etwa darunter liegender ä«at der η-leitenden lon· 4 vBllig in die schmelze aufgenommen wird. JJie angewendete Temperatur liegt unterhalb der eutektisohen Schmelztemperatur Ton Silber-Germanium (657°c),so das· keine Gefahr de· - oftreten* einer ailber-Geroanium-ichmelze besteht, welche die dünne η-leitende *one 4 15sen könnte. Allerdings werden durch die Erhitzung die Haftung der ^silberschicht am Germanium und der elektrische Kontakt «wischen dem silber und der Zone 4 verbessert«
Sollte die Legierungsschmelze seitlich an der η-leitenden ^one 4 angrenzen, so ist die Jonatorjconzentration an dieser Grenze aber so gering, aaas die iftirohaohlagspannung in der Verrichtung zwischen diener -.one und der nach Abkühlung aua der «egierungasohmelae rekristallisieren ο one et«· 1 Volt beträft. Wäre aber die zweite Aetzbehandlung so lange fortgezetzt, dass aie η-leitende ώοηβ 4 stellenweise bis zur darunter liegenden p-leitenden ^one 3 entfernt ist, so 1st ein Kontakt zwischen der Aluminium enthaltenden Legierungssoh-jelie und der n-leitenden Zone 4 unwahrscheinlich, da die itandaone 9 de· photoempfindlichen Laoks praktisch keine iUakierune*·*
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«iricung auf die zweite Aetzbenandlung, wohl aber eine beim Aufdampfen der schicht 11 ausübt·
ifach Abkühlung sind- gut haftende metallisch leitende .lontalctschichten mit den uonen 3 und 4 gebildet (siehe J?ig. 5). Jie unter den SilberKontalctachichten 10 11βώ-βηαβη feile 12 der n-ieitenden -one 4 bilden die Emitterzonen und die auflegierten Äetallachichten 11 uie Baaie^ontäktschichten der herzustellenden Translatoren.
Zur rierabsetsung der Kapazitlt des Basis-Kollektor-Uebergangs der herzustellenden Transistoren wird die p-leitende 4one 3 und ihr Uebergang mit dem η-leitenden Material 2 des Körper« auf die unter den Kontakctelektroden 11 und den Üaittersonen 12 liegenden Teil« beschränkt. Dazu wird wieder die Unterseite alt "Aplezon"-l*ok bedeckt, und eine aus "Kelle Kopierlack" bestehende photoempfindlich« Lackschicht auf die mit den metallisch leitenden Jebionten 5 und 11 versehene Seite des Halbleiter* körpers 1 aufgebracht und alt Hilfe einer photographischen Maske werden slatliche Öberflfehentelle, mit Ausnahme der kreisförmigen Teile U» welche die Elektroden 11 und die von diesen feilen umschlossenen Emitterelektroden bedecken, mit OltraYiolettatrahlung beleuchtet, worauf die belichteten Teile des Lacks mit verdünnter Kalilauge (2 Sew.y& KOH) gelöst werden, wobei die unbelWchtet gebliebenen Teile U zurUokbleiben.
Anschliessead wird der Körper mit einem äilbera'tzmittel der oben bereits angegebenen Aisamaensetzung behandelt, wobei die nicht mit den Lackteilen 14 bedeckten Teile der Silberschicht 5 entfernt werden. Anschliessend wird der Körper mit einer aus 10 Volumenteilen konzentrierter Fluorwasserstoffsäure (^O Sew.j» Uf), 10 Volumenteilen konzentrierter Salpetersäure (65 Gew.jt Uni).), 1 volumenteil Aethylalkohol and 15 Voluaenteilen Wasser bestehenden iiOsung behandelt* line 3 Sekunden dauernde Behandlung genügt, um zu sichern, dass die unmasklerten Teile der ^onen und 3 und 41· ftrunter liegenden Teile des pn-Uebergangs zwisohen der ^one
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und dem η-leitenden Teil 2 des Germaniumkörpers entfernt eind (siehe Fig. 6). Die verbleibenden Teile 1;) der p-leitenden ->one 5 bilden dann die Basiszonen der Transistoren.
Nach entfernung des Lacks von. der Ober- und Unterseite des GeroaniumkÖrpers wird der iörper in an sich bekannter tfeise in getrennte Transistoren geteilt, die je an der nicht dargestellten iCollektorseite mit Hilfe von Gold auf einem «ückelzapfen montiert werden. Bei jedes Transistor werden dann die Silberkontaktschicht 10 und die Indium-Aluminium-Kontaktschicht 1ixQit einem aus einem 7 μ dicken Golddraht 15 bzw. 16 bestehenden Anschluss in an sich bekannter Weise durch Druckschweiseen (pressure bonding) verbunden (siehe die Fig. 7 und θ).
i)ie auf diese «eise hergestellten Transistoren haben für niedrige Frequenzen einen •stromversta'rkungegrad α* von etwa 20. Die Kollektorkapaiität bei einer Kollektorspannung von 10 Volt betrügt 0,15 pF. FUr'Signalfrequenzen von 600 4Hx bei einer Kollektorspannung von 10 Volt und einem Eaitterstroa von 2 m«Aup· betrügt die anergieverstärkung etwa 12 dB.
Ls wird noch bemerkt, dass für die zweite photographische Maskierung keine aussergewöflnlich hohen Anforderungen hinsiohtlioh der Anpassung an die erste photographische Maskierung gestellt zu werden brauchen. Es ist zulässig, dass die ^lektrodenschicht 11 nicht völlig bis zum Aussenrand uit der zweiten Maskierung 14 überdeckt ist, da die Entfernung einer Kleinen Handζone bei der Aetzbehandlung auf die Eigenschaften des herzustellenden Transistors wenig Einfluss hat. Sollte die zweite frlassierung U die die Schicht 11 umgebende oilberachicht 5 (siehe Fig. 5) über eine dünne riandzone überdecken, so wird beim Wegätzen des freiliegenden Silters iurcn Unterätzen auch diese dünne Kandzone entfernt.
weiterhin wird bemerkt, dass kleine Unregelmäßigkeiten in der form der ersten «tastcierun^ θ (siehe «'ig. 4) und demnach der Emitter-
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eletctrodenachicht 10 zulä'asig sind, da die Form der zweiten metallisch leitenden tiletctrodenachicht 11 derselben Maskierung angepasst und dtr Abstana zwischen den beiden Schichten unabhängig von der i'orm der Maskierung konstant ist.
-lan kann das Abätzen des Materials der η-leitenden Zone 4 auch ein weni»- la'nger vornehmen und an ateHe von Indium und Aluminium wieder oilber aufdampfen, so dass sowohl die suerst angebrachte Metallschicht für den cimitterkontakt als die nachher angebrachte ketallschicht für dtn Jasiskontakt aus Silber bestehen« oilber kann nämlich sowohl ait niedrigohmschem η-Tyρ als mit niedri^ohmschem p-Typ Germanium ohraeche kontakte bilden. Sicherheitshalber kann vor dem Aufdampfen des oilbers für den uasiskontakt zuerst ein wenig Indium aufgedampft werden. aalaJri^L II
Auf eine äeite einer Glasplatte wird eine Aluminiumschicht in der otfirke von etwa 0,1 μ aufgetragen (siehe Fig. 9; und ansohliessend die dchicht 22 mit einer photoeepfindllohen Lackachicht 25 in der ütÄrke von etwa 1 u bedeckt} der hierfür verwendete l«ok ist wieder der vorerwähnte, unter dem Namen "Xalle-Kopierlack" kluflich erwerbliche photoempfindliche Lack ^aiehe Fig. 10). Durch JelWchtung mit Ultraviolettstrahlung unter Anwendung einer geeigneten optischen Maskierung und Behandlung mit einer wässrigen ±.ösurig von 2 Gew./i XÜti, wobei die belichteten Feile der schicht 23 in Lösung gehen, bleibt ein unbeli«shteter Leckteil isiehe i^ir. 11,) zurück mit der in Fig. 12 dargestellten /orm, welcher Lackteil aus einem breiten aich zum Hand der Glasplatte 21 erstreckenden Streifen 2b und einem karauenföraigen Teil 21 besteht, dessen «ahn· je zwei Drei te Teile 21 und 28 und einen dazwiacnen liegenden schmalen Streifen <?9 besitzen. Die schmalen streifen 29 haben öi.ie ^ange von 2,3 am und eine ure!te von 10 μ. Juich die behandlung mit der verdünnten Kalilauge kt'rmen die frei gewordenen Oberflächenteil» der schicht :>2 etwas angegriffen
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werdenι was aber in dieses Falle suilssig ist. Maoh taschen alt desionisierten Wasser wird das «anae einer Aetzbehandlung für Aluminium unterzogen. Dazu wird die Platte in eine wSserige Lösung von ürthophosphorsfittr· eingetaucht« die durch Mischen von gleichen voluaenteilen Wasser und Konzentrierter fhosphoralure (85 Gew.jfr U-PG.) erhalten ist. Die Aetabehandlung wird 60 Minuten lang bei Zimmertemperatur (2O0C) durchgeführt, worauf die Glasplatte 21 aus der Aetsflüssigkeit herausgenommen und sofort mit desionisiertea wasser gespült wird. Nioht nur ist das nicht von der maskierenden tackschicht 24 bedeckte Aluminium infolge der Aet»behandlung verschwunden, sondern auch ist vom Band der Maskierung her ein unter der Maskierung 24 liegender rtandteil 31 mit einer Breite von 0,5 μ gleichfalls weggefitzt, so das· die entstandene Fora 54 der Aluainiuasohioht et*·· schmaler ist als die Fora 24 der photoeapfindlichen Laokschicht (siehe *"ig- 13)· Äachdea das Gans· bei 500C getrocknet «orden ist, wird sua zweiten Mal ein· Aufdaapfung vorgenomaen, wobei 1unionst etwas Chroa und anschliessend QoId bis zu einer SchichtstJCrtce von etwa 0,1 μ aufgedampft wird. Mit Hilfe des Chroms ergibt sich eine bessere Haftung des Goldes an der Glasoberfllohe. Durch Anwendung einer geeigneten Aufdaapfmaske werden einige voneinander getrennte rechteckige Goldeohichten 32 von 4 am χ 2 «a erzielt, die sich Über die schmalen Laokstreifen 29 erstrecken (siehe r'ig. 14;. Die Goldschiohten 52 bestehen je aus zwei Teilen praktisch viereckiger Fora 40 und 41, die an der gläsernen Unterlage 21 gehaftet sind, während ein dazwischen liegender Teil 42 auf den Lackatrelfen 29 aufgebracht ist. ^ie Teile 40 und 4I sind durch den schmalen unterfitsten Streifen 31 vom Aluminium 34 getrennt.
Mittels einer ^Spritzpistole wird Azeton Über die Glasplatte gespritzt, wobei die verbleibende Lecksohioht 24 gelöst und auch da· darauf aufgebrachte Gold 42 entfernt wird, so dass nur das auf das Glas aufgebrachte kletall zurückbleibt (siehe dl· Fig. 15 und 16)· Die Fora der
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übriggebliebenen Aluminiuraschicht 34 besteht dann aus einem dtreifen }5 und einem kamuenförmigen Teil Jo, dessen Zähne je aus zwei breiten Teilen 57 und 3& und einem dazwischen liegenden schmalen Streifen 39 feit einer Lange von 2,5 mm und einer Breite von 9 μ bestehen. Beiderseits der schmalen otreifen 39 befinden sich die praktisch völlig aus UoId bestehenden ochicntteilen 40 und 41» die je vom zwischenliegenden Streifen 39 durch einen infolge des Un tera't ζ vorgänge erzielten schmalen ^wieohenraua von 0,5 * Breite getrennt sind.
ijas Aluminium wird darauf einer anodischen Oxydationsbehandlung unterzogen, wobei ein clektrolytbad verwendet wird, das aus einer Lösung von 7,5 £ Borax und 30 g Borsäure pro Liter «fässer oesteht. Am Streifen 35-ist ein Klemmenkontakt befestigt, der bei· eintauchen der Ulaaplatte den flüssigkeitspegel überragt« In der Höhe des flüssigkeitspegel wurde der Streifen 35 vorher mit eine« isolierenden ftatbestindigen Laek bedeckt. Der mit Metallschichten veraehenen Seite der in das SlektroV* eingetauchten ' Glasplatte gegenüber ist eine Platinelektrode in da.a Elektrolyt eingetaucht» tiese Elektrode wird als Kathode und die Aluminiumsehicht 34 als Anode gescheitet, wobei eine Anodenspannung von 30 tfolt gegenüber der Kathode verwendet wird. Mach etwa einer halben stunde ist die Stromstä'rke auf 1 μΑ A»p, abgefallen. Die elektroIytische Behandlung wird dann beendet, die ulaaplatte herausgenommen, mit deüionisiertem «asser gespült, getrocknet, wieder mit Ieopropylalicohol gespült und getrocknet. i>uruh die anoaische behandlung der dem Elektrolyt ausgesetzten Oberflächenteile des Aluminiums ist auf diesen i'eilen eii^e Aluminiumoxydsohicht 5C entstanden !siehe
nnschlieasend wird Kadiaiumaelenid (CdSe) aufgedampft, wobei Horch Verwendung einer geeigneten Joaske einige viereckige öchichten 51 due diesem Material mit den Abmessungen 2 mm χ 2 mm und mit einer öta'rke von etwa 0,2 μ gebildet werden, die je einen l'eil der ««oldachichtfen 40
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und 41 und den dazwischen liegenden .Teil des schaalen streif ens 39 bedejicen {siehe die /io. 1Ö und 19). «Jthrend des Aufdampfens wird die vilaaplatte auf 100 C erhitzt. Mach den. Aufdampfen wird das Ganze nooh wenige Minuten auf 50O0C nacherhitzt.
Auf diese *eise sind aehrere Feldeffekttransistoren gebildet, bei denen die Uoldschiohten 60"und 61 die Eingangs- bzw. die Ausgangs» elektroden und die Aluainiuaetreifen 39 die Jteuerelektroden bilden, die aurch die &luuiniuaoxydscnicht $0 voa halbleitenden Kadmiuaselenid isoliert sind, i/ie ^freiliegenden l'eile 60 und o1 der Goldschichten 40 bzw. 4I können zum Herstellen elektrischer Anschlüsse an die Ein- und Ausgangeelektrode benutzt werden, während die breiteren Streifenteile 37 und/oder 38 für elektrische Anschluss an die iSteuerelektrode dienen können. Die so hergestellten Feldeffekttransistoren sind auch bei hohen Frequenzen von 30 - 40 MHz gut verwendbar, und bei einer konstanten spannung von 6 Volt an der £in- und Auagangselektrode and' einer wechselnden Steuerspannung zwischen 1 und 7 Volt an der Steuerelektrode betrügt die Steilheit der Strom- äpannungs-Charakteristik einige a tii peei.
Mach den letzten Beispiel wird zunlohst die Aluainiuaschioht, dann die Mtzbestfindige äohioht in der gewünschten Fora, und darauf das Gold aufgebracht. Es 1st einleuchtend, dass auch zunächst dss Gold aufgebracht und alt'einer ftzbestandigen Schicht der gewünsohten Fora zua Bilden der Ün- und Ausgangselektroden bedeckt werden kann, worauf z.B. eine Aet!behandlung mit einer Lösung von KCN und H2O2 in Wasser durchgeführt werden kann, welche lang genug fortgesetzt werden kann, ua die Unterätzung ia gewünsohten Masse zu erzielen, und schliesslich das Aluadniua aufgedampft werden kann.
Weiterhin kenn statt der Herstellung einer Isolierschicht für die Steuerelektrode durch Oxydation von Aluminium auch auf andere Weise eine Isolierschicht auf das Stauerelektrodenaaterisl aufgebracht werden,
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z.B. durch Aufdampfen, gegebenenfalls vor das Anbringen der a'tzbeatändigen 4aa<ierung. Jedoch dia obenbeschriebene Juaterialwahl bietet den Vorteilt daaa eine äuseerst dünne, jedoch vollkommen dichte Isolierhaut zwischen der steuerelektrode und dem Halbleitermaterial erzielbar ist. weiterhin 1st ea grundsätzlich möglich, unter Anwendung der Erfindung Feldeffekttransistor« herzustellen, bei denen atmtliohe,Elektroden auf dem Halbleitermaterial angebracht »erden, vorausgesetzt, daaa zwischen der Steuerelektrode und dem aaibleitermaterial eine Isolierschicht gebildet wird. Man kann z.3. auf eine Glasplatte zunächst eine Kadmiumsulfidachicht aufbringen und diese den erforderlichen Kachbehandlungen unterziehen, anschlieasend Gold aufdampfen und dann die üoldschicht in der mit einer fitzbestandigen Maskierungsachicht gewünschten form der &in- und Ausgangselektrode bedecken, worauf mit einer wässrigen läsung von KCW und H„02 das Cold von den nicht-oaekierten ober· flKchenteilen weggeätzt wird, wobei die Unterlage praktisch nioht angegriffen wird und die Aettbehandlung bis zum gewünschten Masse de· Untera'tzens forgeaetzt wirdj und sohlieselioh können dann das Iaoliermaterial und das dteuerelektrodenmaterial aufgedampft werden*
In den oben beschriebenen Beispielen werden beide Schichten durch Aufdampfen aufgebracht« Die weise des Auf bringen β der ersten öohich.t ist für die Erfindung nicht wesentlich und dieses Aufbringen kann auf verschiedene weisen erfolgen, z.B. auf galvanischem #ege, durch Ausscheiden auf chemischem Wege aus einer Salzlösung des Metalles, sogenannt "electroless", Aufspritzen und auf sonstige bekannte Weisen.
oeim Aufbringen der zweiten Schicht muss bei der wahl der Aufbringweiae der deJingung Rechnung getragen werden, dass die unterftzte iiandzone der .OasKierung eine effektive üchattenwirkung aueüben kann. Man 1st dabei im allgemeinen auf gerichtete Aufbringverfahren, wie Aufspritzen oder Aufdampfen, angewiesen, ^s iat aber auch möglich, bei Verwendung eines thermoplastischen Luolt·, wie dos in dwn vorhergehenden Beispielen
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verwendeten "Kalle Kopierlacka", vor dem Aufbringen der zweiten Jchioht den Lack, durch Erhitzung derart zu plastifizieren! dass die frei von der oberfläche liegenden Kandzonen der Maskierung nicht nur etwas durchbiegen, sondern sogar an der Oberfläche der Unterlage festkleben. In letzteren r'alle kann die zweite ocnicht sowohl durch Aufdampfen oder Aufspritzen als auch auf galvanischem «ege oder durch einen chemischen Vorgang aus einer Lösung niedergeschlagen werden, wobei die ganze
MasKierung^sschicht, einschliesslich ihrer xiandzonen, den Niederschlag auf die unter der Maskierung liegenden Überflächenteile verhindern*
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Claims (1)

  1. T52UH
    1. Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch
    • inen engen «wischenraum voneinander getrennten Metal !.schichten auf eine Unterlag· aus einem anderen Merkstoff als der der -schichten, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Unterlage zuerat eine der beiden Ueta11-sohichten aufgebracht wird, die anschlieeaend gemfiss der endgültig herzustellenden Form dieser Schicht mit einem Itibeatändigen haskierungsmaterial bedeckt wird, worauf die schicht einer Aetzbehandlung unterworfen wird, wobei die etwa nicht-iaaskierten ochichtteile entfernt werden, und die Aetzbehandlung so lange fortgesetzt wird, dass am Via sk ie rungar and entlang ein echmaler streifen der Jchicht unter dem Masicierungaaaterial gleichfalls entfernt wird,* worauf unter uebrauohmachung der Jchatten- «irkung des Maskieruncsmateriaid die zweite Metallschicht auf «enigster*· einen neben diesem »nd liegenden Oberflächenteil der Unterlage aufgebracht wird, der nicht vom Uaskierangsmaterial überdeckt, wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass «In Aetzmittel verwendet wird, weichen da« Material der Unterlage nicht oder in geringerem Masse angreift uls das Juatarial der zuerst aufgebrachten Metallschicht.
    3» Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterlage wenigstens an der mit den beiden Metallschichten zu oedeckenden Oberfläch· aus einem Isoliermaterial besteht.
    4· Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die
    Unterlage wenigstens an der mit den beiden Metallschichten zu bedeckenden
    Oberfläche aus einera durchsichtigen Material oesteht.
    5· Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Anbringen der fceta11schichten ein Halbleitermaterial aufgebracht
    6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dsduroh gekennzeichnet, da*·
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    die Unterlage wenigstens an der Bit den Metallschichten zu bedeckenden Oberfläche aus eines Halbleitermaterial besteht.
    7« Verfahren nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, dass die Unterlage an dar mit den Metallschichten zu bedeckenden Oberfläche eine dünne <ione alt eines Lei tongs typ enthält, der dea Leitungstyp des darunter liegenden angrenzenden Halbleitermaterials entgegengesetzt ist« b. Verfahren nach Anspruch 7ι dadurch gekennzeichnet, dass die unterlage von der mit den Metallschichten zu bedeckenden Oberfläche her mehrere untereinander liegende dlinne ^onen mit abwechselnd verschiedenea Leitungstyp enthalt«
    9« Verfahren nach Anspruch J oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Aetzbehandlung der xuerat aufgebrachten Schicht eine zweite Aetzbehandlung alt einea Aetzaittel durchgeführt wird, das ätzend auf das Halbleitermaterial einwirkt, und bei dieser zweiten Aetzbehandlung das Halbleitermaterial der an der Oberfläche liegenden ^one von gegebenes Leitungstyp an den stellen, an denen sie nicht von der zuerst aufgebrachten Metallschicht bedeckt wird, wenigstens nahezu über die ganze Dicke dieser Zone entfernt wird, worauf das Material der zweiten Metallscnicht aufgedampft wird.
    10. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 6 bis 9f dadurch r-etcennzeichnet, dass die Materialien der beiden Metallschichten derart gewählt werden, dass das »laterial der einen ochicht einen ohmschen Kontakt und das Material der anderen ochicht einen gleichrichtenden Kontakt mit Jen an der Oberflach, der verwendeten Unterlage liegenden Material ri λ den kann·
    11. Verfahren nach wenigstens einei^ der Ansprüche ο bis 10, dadurch gaiiennzeichnet. dass das Halbleitermaterial aus oixiziun oier Germanium besteht, und wenigstens eine der Metallsciuchten Aluminium enthält«
    12. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche & bis 11, dadurch
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    gekennzeichnet, das· das Halbleitermaterial aua Silizium oder Germanium und eine der beiden Hetallechichten aus Silber besteht.
    13* Verfahren nach den Ansprüchen 11 und 12, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der beiden Metallsohichten auf die halbleitend·
    Unterlage das Uanze auf eine Temperatur über der eutektischen Temperatur
    des Aluminium enthaltenden Materials und des Halbleitermaterial und unter der eutektieohen Temperatur von Silber und des Halbleitermaterials erhitst
    14· Verfahren nach Anspruch 12 oder 1}, dadurch gekennzeichnet, das· die .Silberschicht zuerst aufgebracht und als Aetzmittel Salpetersäure verwendet wird·
    15· Segenstand mit twei auf eine Unterlag« aufgebrachten, neben· einander liegenden und durch einen engen Zwischenraum voneinander
    getrennten ttetallsohiohten, der unter Anwendung eine· Verfahrens* nach wenigstens eines der vorhergehenden Ansprüche hergestellt 1st·
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DE1521414A 1964-04-21 1965-04-15 Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage Expired DE1521414C3 (de)

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Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977