DE1614829C3 - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines HalbleiterbauelementesInfo
- Publication number
- DE1614829C3 DE1614829C3 DE1614829A DE1614829A DE1614829C3 DE 1614829 C3 DE1614829 C3 DE 1614829C3 DE 1614829 A DE1614829 A DE 1614829A DE 1614829 A DE1614829 A DE 1614829A DE 1614829 C3 DE1614829 C3 DE 1614829C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- opening
- metal
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 claims 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31608—Deposition of SiO2
- H01L21/31612—Deposition of SiO2 on a silicon body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß die Öffnung in der Maskierungsschicht derart ausgebildet wird, daß der Öffnungsquerschnitt
unmittelbar an der Halbleiteroberfläche größer ist als : an der freien Oberflächenseite der Maskierungsschicht und daß durch diese Öffnung die Metallschicht
so aufgedampft wird, daß ein durch Streuung bedingter, jedoch scharf begrenzter, dünner Metallhof
um den eigentlichen dickeren Teil der Metallschicht entsteht.
Der Erfindung liegen folgende Erkenntnisse zugrunde: Bei der Verwendung einer einschichtigen, bei
der Aufdampfung der gleichrichtenden Metallkontakte unmittelbar an der Halbleiteroberfläche adhäsiv
anliegenden Maske mit einer Öffnung konstanten Querschnitts sind die Sperrdurchbruchsspannungen
derart hergestellter Schottky-Dioden sehr klein. Dampft man dagegen die Metallkontakte durch eine
Lochmaske auf die unbeschichtete Halbleiteroberfläche auf und wird dabei die Lochmaske in einem
bestimmten unvermeidbaren Abstand über der Halbleiteroberfläche angeordnet, so erhält man
Schottky-Dioden, die ohne Zerstörung nur einen maximalen Sperrdurchbruchsstrom von etwa 1 mA aushalten.
Im Gegensatz hierzu ergeben sich bei Anwendung des neuen Verfahrens Schottky-Dioden, die
ohne bleibende Schädigung einen Sperrdurchbruchsstrom aushalten, der ein Vielfaches über dem maximalen
Durchbruchsstrom der Dioden liegt, deren Schottky-Kontakt auf die freie Halbleiteroberfläche
durch eine Metall-Lochmaske aufgedampft wurde. Die Durchbruchsspannung der nach dem im Anspruch
1 beschriebenen Verfahren hergestellten Schottky-Dioden entspricht nahezu der von
Schottky-Dioden, deren Metallkontakte durch eine unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche angeordneten
Maske auf die Halbleiteroberfläche aufgedampft wurden.
Die Maskierungsschicht wird vorteilhafterweise aus zwei übereinander angeordneten, verschiedenartigen
Isolierschichten gebildet. In diese Schichten wird dann eine Öffnung derart eingebracht, daß der
Öffnungsquerschnitt der unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche befindlichen ersten Isolierschicht
größer ist als der der darüber angeordneten zweiten Isolierschicht.
Wird zur Herstellung einer Schottky-Diode beispielsweise eine zweischichtige, unmittelbar auf der
Halbleiteroberfläche angeordnete Maskierungsschicht verwendet, bei der die erste der auf der Halbleiteroberfläche
befindlichen Isolierschicht in der Aufdampföffnung für den Schottky-Kontakt gegenüber
der darüber befindlichen zweiten Isolierschicht unterätzt wird, so erhält man Schottky-Dioden mit
optimalen Kenndaten, d. h. mit hohen Durchbruchsspannungswerten und mit maximalen Durchbruchsströmen,
die bei 50 mA und mehr liegen.
Die Ursache für die günstigen Werte der so hergestellten Schottky-Dioden ist wohl darin zu suchen,
daß durch die Unterätzung in der Aufdampfmaske eine durch Steuung verursachte, jedoch scharf
begrenzte Hofbildung des Schottky-Metallkontaktes zustande kommt.
Die beiden Isolierschichten der auf der Halbleiteroberfläche angeordneten Maskierungsschicht bestehen
vorteilhafterweise aus verschiedenen Substanzen, insbesondere aus solchen Substanzen, deren Lösungsraten
(pro Zeiteinheit) in einem bestimmten Lösungsmittel sehr unterschiedlich sind. Diese Bedingung
wird beispielsweise von den Substanzen Siliziumdioxyd und Siliziumoxyd erfüllt, wenn als Lösungsmittel
gepufferte Flußsäure verwendet wird. Da sich Siliziumdioxyd in Flußsäure etwa 10 mal so
schnell löst wie Siliziumoxyd, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, zur Durchführung des Verfahrens auf
die Halbleiteroberfläche zunächst eine Schicht aus Siliziumdioxyd und auf diese SiO2-Schicht anschließend
eine Schicht aus Siliziumoxyd aufzubringen. In diese Schichten wird schließlich mit Flußsäure eine
Aufdampföffnung eingeätzt.
Die Erfindung soll im weiteren noch an Hand der Figuren an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert
werden.
F i g. 1 zeigt einen Silizium-Halbleiterkörper 1, der aus einer n+-leitenden Substratschicht 2 und einer
auf diesem Substrat angeordneten, epitaktisch herge-'stellten, η-leitenden Schicht 3 besteht. Die Halbleiteroberfläche
wird zunächst einem Reinigungsprozeß unterzogen. Danach wird auf die Halbleiteroberfläche
durch pyrolytische Abscheidung eine isolierende Siliziumdioxydschicht (SiO2) 4 aufgebracht, die
vorteilhafterweise eine Dicke von etwa 0,1 bis 0,5 μΐη
aufweist. Auf diese SiOo-Schicht wird eine weitere Isolierschicht 5 aus Silziumoxyd (SiO) beispielsweise
mit einer Dicke von etwa 0,3 bis 1 μπα aufgedampft.
Die Siliziumoxydschicht wird mit einer Photolackschicht 6 bedeckt, die so belichtet wird, daß in einem
geeigneten Lösungsmittel für Photolacke ein Teil der Lackschicht, beispielsweise ein kreisscheibenförmiger
Teil 7 wieder abgelöst wird. Der so vorbereitete Halbleiterkörper wird nun in gepufferte Flußsäure
getaucht, in der — nach F i g. 2 — der nicht mit Photolack bedeckte Teil der Siliziumoxydschicht 5
abgetragen wird. Ist dieser Teil der SiO.,-Schicht entfernt, so wird der nunmehr freiliegende Teil der Siliziumdioxydschicht
4 sehr rasch abgetragen. Da SiO2 sehr viel schneller als SiO von Flußsäure gelöst wird,
setzt sich der Ätzvorgang auch seitlich unter der SiO-Schicht am Rand der durch die Photo-Lackmaske
begrenzten Öffnung fort. Wird der Ätzvorgang rechtzeitig abgebrochen, so erhält man eine
Maskierungsschicht mit einer Öffnung, die sich zur Halbleiteroberfläche hin erweitert, da die SiO-Schicht
am Öffnungsrand unterätzt wurde.
Durch die Öffnung in der Maskierungsschicht wird ein Metallbelag 8 im Vakuum auf die Halbleiteroberfläche
aufgedampft, der zusammen mit dem n-dotierten Halbleitermaterial einen gleichrichtenden Kontakt
bildet. Hierzu eignen sich beispielsweise die Metalle Gold, Silber, Platin und Palladium. Der sich
hierbei auf der Siliziumoxydschicht niederschlagende Metallbelag wird mit Hilfe einer Klebefolie von der
SiO-Schicht wieder abgezogen (deutsche Patentschrift 1 514924).
Durch die Erweiterung der Öffnung in der Maskierungsschicht zur Halbleiteroberfläche hin, bildet sich
im Bereich der Unterätzung ein durch die Steuung bei der Aufdampfung verursachter dünner Metallhof
9 um den eigentlichen, dickeren Schottky-Kontakt, dessen Querschnitt durch den Öffnungsquerschnitt
in der Siliziumoxydschicht bestimmt wird. Da dieser Metallhof jedoch durch den Querschnitt der
Unterätzung in der SiO-Schicht begrenzt wird, erhält man eine kleine Diodenkapazität und einen sehr kleinen
Sperrstrom. Durch die Ausbildung eines Metall-
hofes um den Schottky-Kontakt ergeben sich für die Schottky-Dioden hohe Durchbruchspannungen.
Wenn der Metallkontakt mit einer Dicke aufgedampft wird, die größer ist als die der Siliziumdioxydschicht
4, ist die gegen äußere Einflüsse empfindliehe Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper 1
und dem Metallkontakt 8 hermetisch durch die Siliziumoxydschicht abgeschlossen. Hierdurch erhält
man in ihren Kenndaten stabile Schottky-Dioden großer Lebensdauer.
Nach dem angegebenen Verfahren können auch auf p-leitendem Halbleitermaterial ein oder mehrere
Metallkontakte mit gleichrichtender Wirkung hergestellt werden. An Stelle der Siliziumoxyd- und Siliziumdioxydschichten
lassen sich auch andere Substanzen verwenden. Wesentlich ist hierbei, daß beim Ätzen
der unmittelbar auf der Halbleiteroberfläche befindlichen ersten Isolierschicht das Halbleitermaterial
nicht, und das Material der zweiten Isolierschicht gleichfalls nicht oder nur unwesentlich von der Ätzlösung
angegriffen werden. Die für die Ausbildung der Maskierungsschicht benötigten Isolierschichten
können durch thermische Oxydation hergestellt, aufgedampft, durch thermische Zersetzung aus der Gasphase,
chemisch oder elektrolytisch auf der Halbleiteroberfläche abgeschieden werden.
. Schottky-Dioden, die so hergestellt sind, daß die Ausbildung eines Metallhofes um den eigentlichen Metallkontakt durch die Ausbildung der Aufdampfmaske zwar ermöglicht, jedoch gleichzeitig scharf begrenzt wird, weisen nicht mehr die bekannte und gefürchtete Uberlastungsempfindlichkeit der früher hergestellten Halbleiteranordnungen mit Schottky-Kontakten auf.
. Schottky-Dioden, die so hergestellt sind, daß die Ausbildung eines Metallhofes um den eigentlichen Metallkontakt durch die Ausbildung der Aufdampfmaske zwar ermöglicht, jedoch gleichzeitig scharf begrenzt wird, weisen nicht mehr die bekannte und gefürchtete Uberlastungsempfindlichkeit der früher hergestellten Halbleiteranordnungen mit Schottky-Kontakten auf.
Sie halten selbst Sperrdurchbruchsströme von 50 mA und mehr ohne Zerstörung aus, so daß durch
das Verfahren das Einsatzgebiet der unkomplizierten Schottky-Dioden erheblich erweitert wurde.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens einem gleichrichtenden
Metall-Halbleiterkontakt, bei dem die Oberfläche eines Halbleiterkörpers mit einer isolierenden
Maskierungsschicht versehen wird und durch eine Öffnung in der Maskierungsschicht auf die
an dieser Stelle freigelegte Halbleiteroberfläche eine mit dem Halbleiterkörper einen gleichrichtenden
Kontakt bildende Metallschicht aufgedampft wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung in der Maskierungsschicht derart
ausgebildet wird, daß der Öffnungsquerschnitt unmittelbar an der Halbleiteroberfläche größer
ist als an der freien Oberflächenseite der Maskierungsschicht und daß durch diese Öffnung dip
Metallschicht so aufgedampft wird, daß ein durch Streuung bedingter, jedoch scharf begrenzter,
dünner Metallhof um den eigentlichen dickeren Teil der Metallschicht entsteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht aus
zwei übereinander angeordneten, verschiedenartigen Isolierschichten gebildet wird, und daß in
diese Isolierschichten die Öffnung derart eingeätzt wird, daß der Öffnungsquerschnitt der unmittelbar
auf der Halbleiteroberfläche befindlichen, ersten Isolierschicht durch Unterätzen größer
wird als der der darüber angeordneten, zweiten Isolierschicht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß für die erste Isolierschicht ein
Material verwendet wird, das in einem Lösungsmittel wesentlich schneller gelöst wird als das
Material der zweiten Isolierschicht.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Isolierschicht aus
Siliziumdioxyd und die zweite Isolierschicht aus Siliziumoxyd besteht, und daß in diese Isolierschichten
unter Verwendung der Photolack-Maskentechnik die Öffnung geätzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Lösungsmittel eine Ätzlösung
aus gepufferter Flußsäure verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Isolierschicht durch Pyrolyse und die zweite,
Isolierschicht durch Aufdampfen im Vakuum hergestellt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Isolierschicht mit einer Dicke von 0,1 bis 0,5 μητ und die zweite Isolierschicht mit einer
Dicke von 0,3 bis 1 um ausgebildet wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß durch
die Öffnung in den Isolierschichten auf einen η-leitenden Halbleiterkörper eine Metallschicht
aus Gold, Silber, Platin oder Palladium aufgedampft wird, und daß der sich hierbei auf der
zweiten Isolierschicht aus Siliziumoxyd niederschlagende
Metallbelag mit Hilfe einer Klebefolie von der Oberfläche der Isolierschicht wieder abgezogen
wird.
9. Verwendung eines Verfahrens nach einem
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit mindestens
ίο einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt, bei
dem die Oberfläche eines Halbleiterkörpers mit einer
■ isolierenden Maskierungsschicht versehen wird und durch eine Öffnung in der Maskierungsschicht auf
die an dieser Stelle freigelegte Halbleiteroberfläche eine mit dem Halbleiterkörper einen gleichrichtenden
Kontakt bildende Metallschicht aufgedampft wird.
Aus der Zeitschrift »Internationale Elektronische Rundschau«, Sonderdruck aus Jg. 20 (1966), Heft 2,
S. 93 und 94, ist bereits ein Verfahren zum Herstellen
so von Schottky-Dioden bekanntgeworden, bei dem auf
einen Halbleiterkörper zunächst eine Oxydschicht aufgebracht wird. Durch eine in diese Oxydschicht
eingeätzte Öffnung wird danach eine Metallschicht aufgedampft, die mit dem Halbleiterkörper einen
gleichrichtenden Metall-Halbleiter-Übergang bildet. Solche Dioden weisen noch zu geringe Durchbruchsspannungen
auf.
Aus der französischen Patentschrift 1 427 365 ist ein Verfahren zum Passivieren von Halbleiteroberflächen
bekannt, bei dem die Halbleiter-Oberfläche zunächst mit einer Siliziumdioxydschicht bedeckt
wird. Diese erste Schicht wird mit einer Bleioxydschicht bedeckt. Die Halbleiteranordnung wird danach
so getempert, daß sich aus den beiden Schichten eine Mischschicht bildet. In den Öffnungen dieser
beiden Schichten werden später ohmsche Kontakte an die Zonen des Halbleiterbauelements angebracht.
Aus der französischen Patentschrift 1 373 468 ist
ferner ein Verfahren zum Herstellen von Metallmasken bekannt. Hierbei wird von einem zweischichtigen
Grundkörper ausgegangen, wobei die beiden Schichten nur in unterschiedlichen Lösungsmitteln lösbar
sind. Zunächst wird in die dickere der beiden Schichten eine Öffnung eingebracht, deren Querschnitt größer
ist als die der herzustellenden Maskenöffnung. Danach wird in die dünne Schicht eine Öffnung eingebracht,
deren Querschnitt dann den gewünschten Maßen entspricht, da der Ätzprozeß bei einer sehr
dünnen Schicht rasch durchgeführt werden kann.
Aus der USA.-Patentschrift 3 290 570 ist es bekannt, daß ein aus mehreren Schichten bestehender
ohmscher Anschlußkontakt an eine Halbleiterzone beim Ätzen die Form eines Pilzes annehmen kann,
da die obere, schwerätzbare Metallschicht in dem Ätzmittel weniger schnell gelöst wird, als die unmittelbar
auf der Halbleiteroberfläche angeordnete Metallschicht. Danach wird beim Ätzen die obere Metallschicht
unterätzt. Dieser Unterätzungseffekt wird bei dem bekannten Verfahren als nachteilig empfunden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
mit einem gleichrichtenden Metall-Halbleiterkontakt anzugeben, durch das Metall-Halbleiter-Übergänge
erzielt werden, die hohe Durchbruchsspannungen aufweisen und gleichzeitig einen hohen
Durchbruchstrom ohne bleibende Schädigung aushalten.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0034153 | 1967-06-22 | ||
DET0035934 | 1968-02-24 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1614829A1 DE1614829A1 (de) | 1972-03-02 |
DE1614829B2 DE1614829B2 (de) | 1973-08-16 |
DE1614829C3 true DE1614829C3 (de) | 1974-04-04 |
Family
ID=26000344
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1614829A Expired DE1614829C3 (de) | 1967-06-22 | 1967-06-22 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3585469A (de) |
DE (1) | DE1614829C3 (de) |
FR (1) | FR1570896A (de) |
GB (1) | GB1201718A (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1265017A (de) * | 1968-08-19 | 1972-03-01 | ||
US3786320A (en) * | 1968-10-04 | 1974-01-15 | Matsushita Electronics Corp | Schottky barrier pressure sensitive semiconductor device with air space around periphery of metal-semiconductor junction |
NL6816449A (de) * | 1968-11-19 | 1970-05-21 | ||
BE756729A (fr) * | 1969-10-04 | 1971-03-01 | Soc Gen Semiconduttori Spa | Procede de production de dispositifs a |
US3699408A (en) * | 1970-01-23 | 1972-10-17 | Nippon Electric Co | Gallium-arsenide schottky barrier type semiconductor device |
JPS4864887A (de) * | 1971-11-26 | 1973-09-07 | ||
US3837907A (en) * | 1972-03-22 | 1974-09-24 | Bell Telephone Labor Inc | Multiple-level metallization for integrated circuits |
US3858231A (en) * | 1973-04-16 | 1974-12-31 | Ibm | Dielectrically isolated schottky barrier structure and method of forming the same |
US3956527A (en) * | 1973-04-16 | 1976-05-11 | Ibm Corporation | Dielectrically isolated Schottky Barrier structure and method of forming the same |
JP4118459B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2008-07-16 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | ショットキーバリアダイオード |
KR20100049334A (ko) * | 2008-11-03 | 2010-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL269131A (de) * | 1960-10-25 | |||
US3265542A (en) * | 1962-03-15 | 1966-08-09 | Philco Corp | Semiconductor device and method for the fabrication thereof |
US3361592A (en) * | 1964-03-16 | 1968-01-02 | Hughes Aircraft Co | Semiconductor device manufacture |
US3432778A (en) * | 1966-12-23 | 1969-03-11 | Texas Instruments Inc | Solid state microstripline attenuator |
-
1967
- 1967-06-22 DE DE1614829A patent/DE1614829C3/de not_active Expired
-
1968
- 1968-06-18 FR FR1570896D patent/FR1570896A/fr not_active Expired
- 1968-06-19 GB GB29276/68A patent/GB1201718A/en not_active Expired
- 1968-06-20 US US738608A patent/US3585469A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1614829A1 (de) | 1972-03-02 |
FR1570896A (de) | 1969-06-13 |
US3585469A (en) | 1971-06-15 |
DE1639449A1 (de) | 1972-03-23 |
DE1614829B2 (de) | 1973-08-16 |
DE1639449B2 (de) | 1972-11-16 |
GB1201718A (en) | 1970-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1696092C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2723944C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus einer strukturierten Schicht und einem Muster | |
DE1282196B (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schutzvorrichtung fuer seine pn-UEbergaenge | |
DE1614829C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
DE2024608C3 (de) | Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines Gegenstandes | |
EP0012220A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Kontakts mit selbstjustierter Schutzringzone | |
DE2636971A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer isolierenden schicht mit ebener oberflaeche auf einem substrat | |
DE2336908C3 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung mit Mehrlagen-Metallisierung | |
DE1231812B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiterbauelementen nach der Mesa-Diffusionstechnik | |
DE1289188B (de) | Metallbasistransistor | |
DE1589076B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen | |
DE1521414C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von nebeneinander liegenden, durch einen engen Zwischenraum voneinander getrennten Metallschichten auf eine Unterlage | |
DE2024822C3 (de) | Verfahren zur Erzeugung von Masken für die Herstellung von Mikrobauelementen | |
DE2105164C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Basis- und Emitterzone und Widerstandsschicht und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2028819A1 (en) | Electro formed raised contact - for electronic esp semiconductor components umfrd with help of temporary mask | |
DE1639449C (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halb leiterbauelementes | |
DE1947026B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten an Halbleiterbauelementen | |
DE2037589C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors | |
DE2253001A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen | |
DE2250989A1 (de) | Verfahren zur bildung einer anordnung monolithisch integrierter halbleiterbauelemente | |
DE1564849C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterkörper | |
DE2610942C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit in einem Halbleiterkörper monolithisch integrierten Halbleiterelementeinheiten | |
DE2455963A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer anordnung, insbesondere einer halbleiteranordnung, mit einem leitermuster auf einem traegerkoerper, (sowie durch dieses verfahren hergestellte anordnung) | |
DE2703473A1 (de) | Schichtstruktur aus isolierendem und leitfaehigem material und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE1954135A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |