DE1226715B - Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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Karl-Heinz Boettcher
Dipl-Phys Bernhard Voss
Frits Weil
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Philips Intellectual Property and Standards GmbH
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2188307A1 (enExample) * 1972-06-13 1974-01-18 Licentia Gmbh
FR2452786A1 (fr) * 1979-03-30 1980-10-24 Silicium Semiconducteur Ssc Procede de montage par soudage d'une pastille semi-conductrice sur un radiateur et dispositif obtenu
DE19546285A1 (de) * 1995-12-12 1997-06-19 Telefunken Microelectron Elektronisches Modul
EP2854172A2 (de) 2013-09-30 2015-04-01 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Lotverbindung
DE102015114522A1 (de) * 2015-08-31 2017-03-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners auf einen zweiten Lötpartner unter Verwendung von Abstandhaltern

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865489C (de) * 1950-10-06 1953-02-02 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen
DE1002087B (de) * 1954-12-16 1957-02-07 Siemens Ag Gehaeuse fuer Richtleiter, Transistoren od. dgl.
DE1044281B (de) * 1955-08-10 1958-11-20 Ibm Deutschland Halbleiteranordnung mit Waermeableiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
FR1213484A (fr) * 1958-08-04 1960-04-01 Thomson Houston Comp Francaise Milieu conducteur non isotrope pour flux thermique intense

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE865489C (de) * 1950-10-06 1953-02-02 Gen Electric Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen
DE1002087B (de) * 1954-12-16 1957-02-07 Siemens Ag Gehaeuse fuer Richtleiter, Transistoren od. dgl.
DE1044281B (de) * 1955-08-10 1958-11-20 Ibm Deutschland Halbleiteranordnung mit Waermeableiter und Verfahren zu ihrer Herstellung
FR1213484A (fr) * 1958-08-04 1960-04-01 Thomson Houston Comp Francaise Milieu conducteur non isotrope pour flux thermique intense

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2188307A1 (enExample) * 1972-06-13 1974-01-18 Licentia Gmbh
FR2452786A1 (fr) * 1979-03-30 1980-10-24 Silicium Semiconducteur Ssc Procede de montage par soudage d'une pastille semi-conductrice sur un radiateur et dispositif obtenu
DE19546285A1 (de) * 1995-12-12 1997-06-19 Telefunken Microelectron Elektronisches Modul
EP2854172A2 (de) 2013-09-30 2015-04-01 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung mit einer Lotverbindung
DE102015114522A1 (de) * 2015-08-31 2017-03-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners auf einen zweiten Lötpartner unter Verwendung von Abstandhaltern
DE102015114522B4 (de) * 2015-08-31 2017-07-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Auflöten eines ersten Lötpartners auf einen zweiten Lötpartner unter Verwendung von Abstandhaltern

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