DE112016004412T5

DE112016004412T5 - Prüfsystem

Info

Publication number: DE112016004412T5
Application number: DE112016004412.7T
Authority: DE
Inventors: Nobuyuki Takita; Yoichi Sakamoto
Original assignee: Sintokogio Ltd
Current assignee: Sintokogio Ltd
Priority date: 2015-09-29
Filing date: 2016-08-29
Publication date: 2018-08-02
Also published as: CN108139443B; WO2017056390A1; TW201721160A; JP6512052B2; CN108139443A; AT526306B1; US20180348292A1; JP2017067555A; TWI702407B; US10816590B2

Abstract

Ein Prüfsystem ist ein Prüfsystem zur Durchführung einer Prüfung, die eine statische Kenngrößenprüfung einer zu prüfenden Vorrichtung aufweist, wobei das Prüfsystem aufweist: eine Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten, die zur Messung der statischen Kenngrößenprüfung verwendet werden; und eine Wechseleinheit, die so konfiguriert ist, dass sie bestimmte Einheiten der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten anbringen und trennen kann, wobei die bestimmten Einheiten entsprechend einem Messgegenstand selektiv verwendet werden.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Prüfsystem.
Hintergrund der Erfindung
Herkömmlicherweise gibt es ein Prüfgerät zur Prüfung eines Leistungshalbleitermoduls wie ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT). Zum Beispiel ist ein Halbleiterprüfgerät, das die Qualität einer zu prüfenden Vorrichtung (DUT) bestimmt, in PTL 1 beschrieben.
Zitatliste
Patentliteratur
PTL 1: Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung Nr. 2009-92562
Darstellung der Erfindung
Technisches Problem
Prüfgegenstände und Prüfinhalt des DUT können entsprechend geforderter Spezifikationen eines Nutzers variieren. Zum Beispiel gibt es Messungen, die eine Spannungsversorgung, Messungen, die eine Stromversorgung und Messungen, die eine Spannungs- und eine Stromversorgung in einer statischen Kenngrößenprüfung erfordern. Das in Patentliteratur 1 beschriebene Halbleiterprüfgerät kann die geforderten Spezifikationen nicht flexibel bearbeiten. Vor allem da das in Patentliteratur 1 beschriebene Halbleiterprüfgerät eigens entworfen werden muss, um eine Konfiguration zu bilden, die notwendig und ausreichend für die Prüfgegenstände und den Prüfinhalt des DUT, die in den geforderten Spezifikationen enthalten sind, ist, wird die Zeit, die zur Bereitstellung des Halbleiterprüfgeräts erforderlich ist, lang.
Im vorliegenden technischen Gebiet ist ein Prüfsystem erwünscht, das fähig ist, einen Fall, in dem von jedem Nutzer geforderte Prüfgegenstände verschieden sind, flexibel zu bearbeiten.
Lösung des Problems
Ein Prüfsystem gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Prüfsystem zur Durchführung einer Prüfung, die eine statische Kenngrößenprüfung einer zu prüfenden Vorrichtung aufweist. Das Prüfsystem weist auf: eine Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten, die zur Messung der statischen Kenngrößenprüfung verwendet werden; und eine Wechseleinheit, die so konfiguriert ist, dass sie bestimmte Einheiten der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten anbringen und trennen kann, wobei die bestimmten Einheiten entsprechend einem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung selektiv verwendet werden.
In dem Prüfsystem können die bestimmten Einheiten, die entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung selektiv verwendet werden, angebracht und getrennt werden. Daher können beispielsweise entsprechend einem geforderten Prüfgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung erforderliche bestimmte Einheiten an der Wechseleinheit angebracht werden und nicht erforderliche bestimmte Einheiten von der Wechseleinheit entfernt werden. Somit muss das Prüfsystem nicht eigens entworfen werden, selbst wenn ein durch jeden Nutzer geforderter Prüfgegenstand variiert, und das Prüfsystem, das geforderte Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens und Trennens der bestimmten Einheiten bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
In einer Ausführungsform können die bestimmten Einheiten aufweisen: eine erste Spannungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie eine erste Spannung an die zu prüfende Vorrichtung anlegt; eine zweite Spannungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie eine zweite Spannung, die kleiner als die erste Spannung ist, an die zu prüfende Vorrichtung anlegt; und eine Stromquelleneinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Strom an die zu prüfende Vorrichtung liefert. Die erste Spannungseinheit, die zweite Spannungseinheit und die Stromquelleneinheit können entsprechend einem geforderten Messgegenstand an der Wechseleinheit angebracht werden. In der statischen Kenngrößenprüfung gibt es Messungen, die eine Spannungsversorgung, Messungen, die eine Stromversorgung und Messungen, die eine Spannungs- und eine Stromversorgung erfordern. Daher können entsprechend dem geforderten Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung erforderliche Einheiten unter der ersten Spannungseinheit, der zweiten Spannungseinheit und der Stromquelleneinheit an der Wechseleinheit angebracht werden und nicht erforderliche bestimmte Einheiten von der Wechseleinheit entfernt werden. Somit muss das Prüfsystem nicht eigens entworfen werden, selbst wenn ein durch jeden Nutzer geforderter Prüfgegenstand variiert, und das Prüfsystem, das geforderte Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens und Trennens der ersten Spannungseinheit, der zweiten Spannungseinheit und der Stromquelleneinheit bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
In einer Ausführungsform kann die Stromquelleneinheit eine Vielzahl von Stromquellenuntereinheiten aufweisen, die so konfiguriert ist, dass sie einen Strom einer ersten Strommenge an die zu prüfende Vorrichtung liefert. Wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Stromquelleneinheit erfordert, kann eine erforderliche Zahl an Stromquellenuntereinheiten unter der Vielzahl von Stromquellenuntereinheiten entsprechend einer Strommenge, die für den Messgegenstand erforderlich ist, an der Wechseleinheit angebracht werden. Der Betrag des erforderlichen Stroms kann entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung variieren. Daher, wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Stromquelleneinheit erfordert, muss die Stromquelleneinheit entsprechend der Strommenge, die für die geforderte Messung erforderlich ist, nicht eigens entworfen werden, und das Prüfsystem, das die geforderten Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens der erforderlichen Zahl an Stromquellenuntereinheiten bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
In einer Ausführungsform kann das Prüfsystem ferner eine Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten zur Durchführung einer dynamischen Kenngrößenprüfung der zu prüfenden Vorrichtung aufweisen. In diesem Fall kann die dynamische Kenngrößenprüfung zusätzlich zu der statischen Kenngrößenprüfung durchgeführt werden.
In einer Ausführungsform kann jede Einheit der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten und der Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten an einer Position, die näher an der zu prüfenden Vorrichtung liegt, angeordnet sein, wenn ein Maß an Beeinflussung einer Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung durch ein Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird, höher ist. In diesem Fall, da die Einheit, die ein Signal mit einem hohen Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung überträgt und empfängt, nahe an der zu prüfenden Vorrichtung angeordnet ist, kann die Länge der Verkabelung zwischen der Einheit und der zu prüfenden Vorrichtung kurz sein. Deswegen können Induktivitätskomponenten der Verkabelung zur Übertragung des Signals mit einem hohen Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung unterdrückt werden und die Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung kann verbessert werden.
In einer Ausführungsform kann das Prüfsystem ferner ein erstes Gehäuse, ein zweites Gehäuse und ein drittes Gehäuse aufweisen. Das erste Gehäuse, das zweite Gehäuse und das dritte Gehäuse können derart angeordnet sein, dass ein Abstand von der zu prüfenden Vorrichtung in der Reihenfolge des ersten Gehäuses, des zweiten Gehäuses und des dritten Gehäuses zunimmt. Die jede Einheit kann sich in einem von dem ersten Gehäuse, dem zweiten Gehäuse und dem dritten Gehäuse entsprechend dem Maß an Beeinflussung befinden. Wenn sich zum Beispiel alle Einheiten in einem Gehäuse, das nahe an der zu prüfenden Vorrichtung angeordnet ist, befinden, ist das Gehäuse vergrößert und die Anordnung bei der Verwendung des Prüfsystems ist begrenzt. Andererseits können die Einheiten entsprechend der Maße an Beeinflussung der Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung durch die Signale, die durch die Einheiten übertragen und empfangen werden, verteilt sein und sich in dem ersten Gehäuse, dem zweiten Gehäuse und dem dritten Gehäuse befinden, um auf diese Weise das erste Gehäuse, das nahe der zu prüfenden Vorrichtung angeordnet ist, zu verkleinern, während die Abnahme der Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung unterdrückt wird. Folglich kann ein Freiheitsgrad der Anordnung bei der Verwendung des Prüfsystems verbessert werden.
In einer Ausführungsform kann sich die Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten in dem zweiten Gehäuse befinden. Da die statische Kenngrößenprüfung verglichen mit der dynamischen Kenngrößenprüfung weniger wahrscheinlich durch die Induktivitätskomponenten beeinträchtigt wird, können die statischen Kenngrößeneinheiten an einer Position, die etwas entfernt von der zu prüfenden Vorrichtung liegt, angeordnet sein. Auf diese Weise kann die Zahl an Einheiten, die sich in dem ersten Gehäuse befinden, reduziert werden. Somit kann das erste Gehäuse verkleinert werden, ohne die Messgenauigkeit zu reduzieren.
In einer Ausführungsform kann die Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten aufweisen: einen dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis zur Durchführung der dynamischen Kenngrößenprüfung; eine dynamische Kenngrößensteuerung, die so konfiguriert ist, dass sie den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis und die zu prüfende Vorrichtung entsprechend einer voreingestellten Messstruktur der dynamischen Kenngrößenprüfung steuert; und eine Abfangvorrichtung, die so konfiguriert ist, dass sie den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis und die zu prüfende Vorrichtung steuert, wenn ein anormaler Zustand in der dynamischen Kenngrößenprüfung festgestellt wird. Die Abfangvorrichtung kann an einer Position, die näher an der zu prüfenden Vorrichtung als die dynamische Kenngrößensteuerung liegt, angeordnet sein. In diesem Fall kann die Verkabelung zwischen der Abfangvorrichtung und der zu prüfenden Vorrichtung kurz sein und die Steuerung in dem anormalen Zustand kann schneller durchgeführt werden als die Steuerung eines normalen Zustands.
In einer Ausführungsform kann das Prüfsystem ferner ein Schnittstellensubstrat zum Absorbieren einer physikalischen Differenz entsprechend einem Typ der zu prüfenden Vorrichtung aufweisen. Das Schnittstellensubstrat kann Sonden, die elektrisch mit Elektroden der zu prüfenden Vorrichtung verbunden sind, aufweisen und die Zahl und die Anordnung der Sonden kann entsprechend dem Typ der zu prüfenden Vorrichtung festgelegt werden. Gemäß der Konfiguration, da das Schnittstellensubstrat entsprechend dem Typ der zu prüfenden Vorrichtung verwendet wird, ist es unnötig, das Prüfsystem für jeden der verschiedenen Typen der zu prüfenden Vorrichtung zu entwerfen. Das heißt der Teil des Prüfsystems bis auf das Schnittstellensubstrat kann ungeachtet des Typs der zu prüfenden Vorrichtung geteilt werden.
In einer Ausführungsform kann die zu prüfende Vorrichtung ein Leistungshalbleitermodul sein. In diesem Fall muss das Prüfsystem eines Leistungshalbleitermoduls nicht eigens entworfen werden, selbst wenn ein durch jeden Nutzer geforderter Prüfgegenstand variiert, und das Prüfsystem des Leistungshalbleitermoduls, das geforderte Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens und Trennens der bestimmten Einheiten bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
Vorteilhafte Effekte der Erfindung
Gemäß jedem Aspekt und jeder Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Leistungshalbleiter-Prüfsystem bereitgestellt werden, das fähig ist, einen Fall, in dem durch jeden Nutzer geforderte Prüfgegenstände verschieden sind, flexibel zu bearbeiten.
Figurenliste

[1] 1 ist eine Außenansicht, die schematisch ein Leistungshalbleiter-Prüfsystem gemäß einer Ausführungsform zeigt.
[2] 2 ist ein Konfigurationsdiagramm, das schematisch das Leistungshalbleiter-Prüfsystem aus 1 zeigt.
[3] 3 ist ein Diagramm, das ein Konfigurationsbeispiel eines ersten Geräts, das in dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem aus 1 enthalten ist, zeigt.
[4] 4 ist ein Diagramm zur Beschreibung von Funktionen eines DIB, das in dem ersten Gerät aus 1 enthalten ist.
[5] 5 ist ein Beispiel eines Schaltkreisdiagramms eines dynamischen Kenngrößenmessschaltkreises und einer Kondensatorbank, die in dem ersten Gerät aus 1 enthalten sind.
[6] 6 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm einer Wechseleinheit, die in einem zweiten Gerät aus 1 enthalten ist.
[7] 7 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm einer Hauptplatine für Spannung, die in der Wechseleinheit aus 6 enthalten ist.
[8] 8 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm einer Hauptplatine für Strom, die in der Wechseleinheit aus 6 enthalten ist.
[9] 9 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm von bestimmten Einheiten, die an der Wechseleinheit aus 6 angebracht und von ihr getrennt werden können.
[10] 10 ist ein Diagramm zur Beschreibung einer Verbindung der Hauptplatine aus 8 und der bestimmten Einheiten aus 9.
[11] 11 ist ein Diagramm, das Einheiten, die für jede Messung verwendet werden, zeigt.
[12] 12 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Anordnung des Leistungshalbleiter-Prüfsystems aus 1 zeigt.
[13] 13 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Verkabelung eines P-Ausgangsanschlusses und eines N-Ausgangsanschlusses zeigt.
[14] 14 ist ein Diagramm, das schematisch ein Beispiel der Kondensatorbank, die in dem ersten Gerät aus 1 enthalten ist, zeigt.
[15] 15 ist ein Diagramm, das schematisch ein weiteres Beispiel der Kondensatorbank, die in dem ersten Gerät aus 1 enthalten ist, zeigt.

Beschreibung der Ausführungsformen
Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben werden. Es sei darauf hingewiesen, dass in der Beschreibung der Zeichnungen gleiche oder äquivalente Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen sind und auf eine überlappende Beschreibung verzichtet wird.
1 ist eine Außenansicht, die schematisch ein Leistungshalbleiter-Prüfsystem gemäß einer Ausführungsform zeigt. 2 ist ein Konfigurationsdiagramm, das schematisch das Leistungshalbleiter-Prüfsystem aus 1 zeigt. Ein Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1, das in den 1 und 2 gezeigt ist, ist ein Prüfsystem zur Durchführung verschiedener Prüfungen, die eine statische Kenngrößenprüfung (DC: Gleichstrom) und eine dynamische Kenngrößenprüfung (AC: Wechselstrom) eines DUT 2 aufweist. Das DUT 2 ist eine zu prüfende Vorrichtung und ist zum Beispiel ein Leistungshalbleitermodul, das einen Satz von zwei Halbleiterelementen, die elektrisch in Reihe verbunden sind, aufweist. Das DUT 2 ist zum Beispiel ein Leistungshalbleitermodul eines 2-in-1-Typs, eines 4-in-1-Typs, eines 6-in-1-Typs, eines 8-in-1-Typs oder dergleichen. Ein Beispiel des Halbleiterelements, das in dem DUT 2 enthalten ist, weist einen IGBT auf. Das DUT 2 weist einen P-Anschluss, einen N-Anschluss, einen O-Anschluss und einen Steueranschluss (Elektrode) auf.
In der statischen Kenngrößenprüfung können Kenngrößen wie ein Kollektor-Ausschaltstrom Ices, eine Gate-Emitter-Schwellenspannung Vge (th), ein Gate-Emitter-Leckstrom Iges und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce (sat) gemessen werden. In der dynamischen Kenngrößenprüfung werden Schaltmessung, Kurzschlussfähigkeitsmessung (SC-Messung) und dergleichen durchgeführt. Insbesondere können Kenngrößen wie eine gesamte Gate-Ladung Qg, eine Einschalt-Verzögerungszeit td (on), eine Einschalt-Anstiegszeit tr, eine Ausschalt-Verzögerungszeit td (off), eine Ausschalt-Abfallzeit tf, eine Sperrverzögerungszeit trr, eine Sperrverzögerugsladung Qrr und eine Emitter-Kollektor-Spannung Vec gemessen werden. Diese Messgegenstände werden entsprechend geforderter Spezifikationen eines Nutzers geeignet ausgewählt.
Das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 weist eine Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten, die zur Messung in der statischen Kenngrößenprüfung verwendet werden und eine Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten, die zur Messung in der dynamischen Kenngrößenprüfung verwendet werden, auf. Die Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten weist einen statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21, eine Gate-Servoeinrichtung 22, einen Hochstrommessschaltkreis 23, eine Triggermatrix 25, Hochspannungseinheiten 71, Niederspannungseinheiten 72 und eine Hochstromquelleneinheit 73, die später beschrieben wird, auf. Die Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten weist einen dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, eine Kondensatorbank 15, einen Ansteuerungstreiber 16, Stromsensoren 17, Spannungssensoren 18, eine Abfangvorrichtung 26, einen Digitalisierer 27, ein Ladungs-Netzteil 32 und eine dynamische Kenngrößensteuerung 33, die später beschrieben wird, auf.
Jede Einheit der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten und der Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten ist entsprechend einem Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch ein Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird, angeordnet. Jede Einheit ist zum Beispiel an einer Position, die weiter von dem DUT 2 entfernt liegt, angeordnet, wenn das Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch das Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird geringer ist und ist an einer Position, die näher an dem DUT 2 liegt, angeordnet, wenn das Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch das Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird höher ist. Das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 weist ein erstes Gerät 10, ein zweites Gerät 20 und ein drittes Gerät 30 auf. In dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 sind die in 2 gezeigten Einheiten entsprechend einem Management-Level auf das erste Gerät 10, das zweite Gerät 20 und das dritte Gerät 30 verteilt. Das erste Gerät 10, das zweite Gerät 20 und das dritte Gerät 30 sind derart angeordnet, dass der Abstand von dem DUT 2 in der Reihenfolge des ersten Geräts 10, des zweiten Geräts 20 und des dritten Geräts 30 zunimmt. Einheiten eines Management-Levels Lv1 sind in dem ersten Gerät 10 angeordnet. Einheiten eines Management-Levels Lv2 sind in dem zweiten Gerät 20 angeordnet. Einheiten eines Management-Levels Lv3 sind in dem dritten Gerät 30 angeordnet.
Das Management-Level ist ein Standard, das die Genauigkeit angibt, die für das Signal, das durch jede Einheit übertragen und empfangen wird, erforderlich ist und wird entsprechend dem Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch das Signal voreingestellt. Das Management-Level Lv1 ist ein Induktivitäts-Management-Level. Insbesondere sind eine hohe Geschwindigkeit und eine hohe Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv1 übertragen und empfangen werden, erforderlich. Das Management-Level Lv2 ist ein Rausch-Management-Level. Insbesondere ist die erforderliche Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv2 übertragen und empfangen werden, geringer als die erforderliche Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv1 übertragen und empfangen werden, und höher als die erforderliche Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels 3 übertragen und empfangen werden. Ein Beispiel der Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv2 übertragen und empfangen werden, weist ein geringes Analogsignal auf. Das Management-Level Lv3 ist ein normales Management-Level. Insbesondere ist die erforderliche Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv3 übertragen und empfangen werden, geringer als die erforderliche Genauigkeit für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels Lv1 und des Management-Levels Lv2 übertragen und empfangen werden und eine Genauigkeit in einem Maß, sodass kein Übertragungsfehler verursacht wird, ist erforderlich. Beispiele für die Signale, die durch die Einheiten des Management-Levels 3 übertragen und empfangen werden, weisen ein Digitalsignal und ein Signal, das keine Genauigkeit erfordert, auf. Daher nimmt die erforderliche Genauigkeit in der Reihenfolge des Management-Levels Lv3, des Management-Levels Lv2 und des Management-Levels Lv1 zu.
Das erste Gerät 10 wird in Bezug auf die 3 bis 5 zusätzlich zu den 1 und 2 im Detail beschrieben werden. 3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Konfiguration des ersten Geräts 10 zeigt. 4 ist ein Diagramm zur Beschreibung von Funktionen eines DIB, das in dem ersten Gerät 10 enthalten ist, wobei (a) von 4 ein Diagramm zur Beschreibung einer Funktion des DIB ist, wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 2-in-1-Typs ist und wobei (b) von 4 ein Diagramm zur Beschreibung einer Funktion des DIB ist, wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 6-in-1-Typs ist. 5 ist ein Beispiel eines Schaltkreisdiagramms eines dynamischen Kenngrößenmessschaltkreises und einer Kondensatorbank, die in dem ersten Gerät 10 enthalten sind. Wie in den 1 bis 3 gezeigt ist, weist das erste Gerät 10 ein DIB (Gerät-Schnittstellenplatte) 11 (Schnittstellensubstrat) und einen Prüfkopf 12 auf.
Das DIB 11 ist eine Einheit zum Absorbieren einer physikalischen Differenz entsprechend dem Typ des DUT 2. Das DIB 11 stellt eine Schnittstelle zwischen dem DUT 2 und dem Prüfkopf 12 bereit. Das DIB 11 ist für jeden Typ des DUT 2 hergestellt. Das DIB 11 ist durch Stützelemente 13 auf dem Prüfkopf 12 angeordnet. Das DIB 11 weist ein Substrat 61, Sonden 62 und Kontaktabschnitte 63 auf. Die Zahl und die Anordnung der Sonden 62 werden entsprechend dem Typ des DUT 2 eingestellt. In diesem Beispiel sind die Sonden 62 mit dem P-Anschluss, dem N-Anschluss, dem O-Anschluss und dem Steuerungsanschluss des DUT 2 elektrisch verbunden. Die Kontaktabschnitte 63 sind mit Anschlüssen des Prüfkopfs 12 elektrisch verbunden. Die Kontaktabschnitte 63 sind dieselben, unabhängig von dem Typ des DUT 2. Es sei darauf hingewiesen, dass, obwohl hier das Leistungshalbleitermodul als das DUT 2 beschrieben wird, das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 ein Prüfsystem für ein Halbleiterelement sein kann, wenn das DIB 11 und der dynamische Kenngrößenmessschaltkreis 14 aus 2 einem einzelnen Halbleiterelement entsprechen. In anderen Worten kann das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 ebenso auf ein Prüfsystem angewandt werden, das so konfiguriert ist, dass es Prüfungen (statische Kenngrößen- und dynamische Kenngrößenprüfungen) des Halbleiterelements durchführt.
In 3 und (a) von 4 ist das DIB 11, wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 2-in-1-Typs ist, abgebildet. In diesem Fall weist das DUT 2 Transistoren Qdp und Qdn und Dioden Ddp und Ddn auf. Die Transistoren Qdp und Qdn sind IGBTs. Ein Emitter des Transistors Qdp und ein Kollektor des Transistors Qdn sind elektrisch miteinander verbunden. Kathoden der Dioden Ddp und Ddn sind elektrisch mit Kollektoren der Transistoren Qdp beziehungsweise Qdn verbunden und Anoden der Dioden Ddp und Ddn sind elektrisch mit Emittern der Transistoren Qdp beziehungsweise Qdn verbunden. Das heißt die Transistoren Qdp und Qdn sind elektrisch in Reihe in dieselbe Richtung verbunden, die Diode Ddp ist eine Freilaufdiode, die elektrisch parallel mit dem Transistor Qdp verbunden ist und die Diode Ddn ist eine Freilaufdiode, die elektrisch parallel mit dem Transistor Qdn verbunden ist. Das DUT 2 weist den P-Anschluss, den O-Anschluss und den N-Anschluss auf. Der P-Anschluss ist elektrisch mit dem Kollektor des Transistors Qdp und der Kathode der Diode Ddp verbunden, der N-Anschluss ist elektrisch mit dem Emitter des Transistors Qdn und der Anode der Diode Ddn verbunden und der O-Anschluss ist elektrisch mit dem Emitter des Transistors Qdp, dem Kollektor des Transistors Qdn, der Anode der Diode Ddp und der Kathode der Diode Ddn verbunden. Das heißt, der O-Anschluss ist elektrisch mit einem Verbindungsabschnitt Cd (siehe 5) zum elektrischen Verbinden der Transistoren Qdp und Qdn verbunden.
Die Sonden 62 weisen eine Sonde 62p, eine Sonde 62n, eine Sonde 62o und Sonden 62g auf. Die Sonden 62g weisen eine Sonde 62gp und eine Sonde 62gn auf. Ein vorderes Ende der Sonde 62p ist mit dem P-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62p elektrisch mit dem P-Anschluss des DUT 2 verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62n ist mit dem N-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62n elektrisch mit dem N-Anschluss des DUT 2 verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62o ist mit dem O-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62o elektrisch mit dem O-Anschluss des DUT 2 verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gp ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdp des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gp elektrisch mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdp des DUT 2 verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gn ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdn des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gn elektrisch mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdn des DUT 2 verbunden ist.
Die Kontaktabschnitte 63 weisen einen Kontaktabschnitt 63p, einen Kontaktabschnitt 63n, einen Kontaktabschnitt 63o und einen Kontaktabschnitt 63g auf. Die Kontaktabschnitte 63g weisen einen Kontaktabschnitt 63gp und einen Kontaktabschnitt 63gn auf. Der Kontaktabschnitt 63p ist mit einem P-Ausgangsanschluss Tp des Prüfkopfs 12 in Kontakt. Der Kontaktabschnitt 63n ist mit einem N-Ausgangsanschluss Tn des Prüfkopfs 12 in Kontakt. Der Kontaktabschnitt 63o ist mit einem O-Ausgangsanschluss To des Prüfkopfs 12 in Kontakt. Die Kontaktabschnitte 63g kommen mit Steuerungsausgangsanschlüssen Tg des Prüfkopfs 12 in Kontakt.
Das Substrat 61 ist ein plattenartiges Element und weist eine Hauptoberfläche 61a und eine hintere Oberfläche 61b, die eine Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der Hauptoberfläche 61a ist, auf. Das DUT 2 ist auf der Hauptoberfläche 61a angeordnet. Auf der Hauptoberfläche 61a werden die Sonden 62p, 62n, 62o, 62gp und 62gn bereitgestellt, um in eine Normalachsenrichtung der Hauptoberfläche 61a hervorzustehen. Die Sonden 62p, 62n, 62o, 62gp und 62gn sind an Positionen angeordnet, die mit dem P-Anschluss, dem N-Anschluss, dem O-Anschluss, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdp beziehungsweise dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdn des DUT 2 in Kontakt kommen, wenn das DUT 2 auf der Hauptoberfläche 61a angeordnet wird. Die Kontaktabschnitte 63p, 63n, 63o und 63g werden auf der hinteren Oberfläche 61b bereitgestellt. Die Kontaktabschnitte 63p, 63n, 63o und 63g sind an Positionen angeordnet, die mit dem P-Ausgangsanschluss Tp, dem N-Ausgangsanschluss Tn, dem O-Ausgangsanschluss To beziehungsweise den Steuerungsausgangsanschlüssen des Prüfkopfs 12 in Kontakt kommen, wenn das DIB 11 an einer vorbestimmten Position auf dem Prüfkopf 12 angeordnet wird.
Das Substrat 61 weist eine Auswahlschaltung 64 und eine Verkabelung zur elektrischen Verbindung der Anschlüsse der Halbleiterelemente, die in dem DUT 2 enthalten sind, mit den Ausgangsanschlüssen des Prüfkopfs 12 auf. Insbesondere weist das Substrat 61 eine Verkabelung zur elektrischen Verbindung der Sonde 62p mit dem Kontaktabschnitt 63p und eine Verkabelung zur elektrischen Verbindung der Sonde 62n mit dem Kontaktabschnitt 63n auf. Die Auswahlschaltung 64 ist eine Schaltung zur Auswahl eines Satzes von zu prüfenden Halbleiterelementen unter der Vielzahl von Sätzen von Halbleiterelementen, die in dem DUT 2 enthalten sind. Insbesondere wählt die Auswahlschaltung 64 O-Anschlüsse und Steuerungsanschlüsse aus dem Satz von den Halbleiterelementen aus, die in dem DUT 2 geprüft werden sollen. Die Auswahlschalung 64 weist zum Beispiel einen Schalter wie ein Relais auf.
Wie in (a) von 4 gezeigt ist, da ein Satz von Halbleiterelementen nicht ausgewählt werden muss wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 2-in-1-Typs ist, verbindet die Auswahlschaltung 64 die Sonde 62o elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63o, verbindet die Sonde 62gp elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gp und verbindet die Sonde 62gn elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gn.
In (b) von 4 ist das DIB 11 gezeigt, wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 6-in-1-Typs ist. In diesem Fall weist das DUT 2 Sätze von den Transistoren Qdp und Qdn und den Dioden Ddp und Ddn des 2-in-1-Typs parallel für drei Phasen (U-, V- und W-Phasen) auf. Genauer gesagt weist das DUT 2 Transistoren Qdpu und Qdnu und Dioden Ddpu und Ddnu für die U-Phase auf, weist Transistoren Qdpv und Qdnv und Dioden Ddpv und Ddnv für die V-Phase auf und weist Transistoren Qdpw und Qdnw und Dioden Ddpw und Ddnw für die W-Phase auf. Das DUT 2 weist einen P-Anschluss, einen U-Anschluss, einen V-Anschluss, einen W-Anschluss und einen N-Anschluss auf. Der P-Anschluss ist mit Kollektoren der Transistoren Qdpu, Qdpv und Qdpw elektrisch verbunden und der N-Anschluss ist mit Emittern der Transistoren Qdnu, Qdnv und Qdnw elektrisch verbunden. Der U-Anschluss ist mit einem Emitter des Transistors Qdpu und einem Kollektor des Transistors Qdnu elektrisch verbunden, der V-Anschluss ist mit einem Emitter des Transistors Qdpv und einem Kollektor des Transistors Qdnv elektrisch verbunden und der W-Anschluss ist mit einem Emitter des Transistors Qdpw und einem Kollektor des Transistors Qdnw elektrisch verbunden.
In dem DIB 11 für das Leistungshalbleitermodul des 6-in-1-Typs sind im Vergleich zu dem DIB 11 für das Leistungshalbleitermodul des 2-in-1-Typs die Anordnung und die Zahl an Sonden 62 verschieden. Es ist insbesondere verschieden, dass die Sonden 62o eine Sonde 62ou, eine Sonde 62ov und eine Sonde 62ow aufweisen und, dass die Sonden 62g eine Sonde 62gpu, eine Sonde 62gnu, eine Sonde 62gpv, eine Sonde 62gnv, eine Sonde 62gpw und eine Sonde 62gnw aufweisen.
Ein vorderes Ende der Sonde 62ou ist mit dem U-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62ou mit dem U-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62ov ist mit dem V-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62ov mit dem V-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62ow ist mit dem W-Anschluss des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62ow mit dem W-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gpu ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpu des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gpu mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpu des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gnu ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnu des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gnu mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnu des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gpv ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpv des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gpv mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpv des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gnv ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnv des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gnv mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnv des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gpw ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpw des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gpw mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpw des DUT 2 elektrisch verbunden ist. Ein vorderes Ende der Sonde 62gnw ist mit einem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnw des DUT 2 in Kontakt, sodass die Sonde 62gnw mit dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnw des DUT 2 elektrisch verbunden ist.
Die Soden 62ou, 62ov, 62ow, 62gpu, 62gnu, 62gpv, 62gnv, 62gpw und 62gnw sind an Positionen angeordnet, die mit dem U-Anschluss, dem V-Anschluss, dem W-Anschluss, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpu, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnu, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpv, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnv, dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdpw beziehungsweise dem Steuerungsanschluss für den Transistor Qdnw des DUT 2 in Kontakt kommen, wenn das DUT 2 auf der Hauptoberfläche 61a angeordnet ist.
Wenn das DUT 2 ein Leistungshalbleitermodul des 6-in-1-Typs ist, muss ein Satz von Halbleiterelementen von den drei Sätzen von Halbleiterelementen ausgewählt werden. Deswegen verbindet die Auswahlschaltung 64 eine der Sonden 62ou, 62ov und 62ow elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63o, verbindet eine der Sonden 62gpu, 62gpv und 62gpw elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gp und verbindet eine der Sonden 62gnu, 62gnv und 62gnw elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gn. Insbesondere wenn die Auswahlschaltung 64 die U-Phase auswählt, verbindet die Auswahlschaltung 64 die Sonde 62ou elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63o, verbindet die Sonde 62gpu elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gp und verbindet die Sonde 62gnu elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gn. Wenn die Auswahlschaltung 64 die V-Phase auswählt, verbindet die Auswahlschaltung 64 die Sonde 62ov elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63o, verbindet die Sonde 62gpv elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gp und verbindet die Sonde 62gnv elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gn. Wenn die Auswahlschaltung 64 die W-Phase auswählt, verbindet die Auswahlschaltung 64 die Sonde 62ow elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63o, verbindet die Sonde 62gpw elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gp und verbindet die Sonde 62gnw elektrisch mit dem Kontaktabschnitt 63gn.
Wie oben beschrieben wurde, macht es eine Änderung der Zahl und der Anordnung der Sonden 62 entsprechend dem Typ des DUT 2 in dem DIB 11 nicht erforderlich, Teile bis auf das DIB 11 des Leistungshalbleiter-Prüfsystems zu wechseln. Das heißt, da das DIB 11 die Differenz in der physischen Form des DUT 2 je nach Typ des DUT 2 absorbiert, haben der Prüfkopf 12, das zweite Gerät 20 und das dritte Gerät 30 im Wesentlichen gemeinsame Konfigurationen, unabhängig von dem Typ des DUT 2. In der folgenden Beschreibung wird das Leistungshalbleitermodul des 2-in-1-Typs als das DUT 2 verwendet werden.
Obwohl in der obigen Beschreibung nicht geschildert, weisen die Sonden 62 eine Sonde 62p, eine Sonde 62n und eine Sonde 62o für die dynamische Kenngrößenprüfung und eine Sonde 62p, eine Sonde 62n und eine Sonde 62o für die statische Kenngrößenprüfung auf und die Sonden kommen jeweils mit den Anschlüssen des DUT 2 in Kontakt. Außerdem weist das DIB 11 eine Trennschaltung, die nicht gezeigt ist, auf. Die Trennschaltung ist eine Schaltung zur elektrischen Trennung der Sonde 62p, der Sonde 62n und der Sonde 62o für die statische Kenngrößenprüfung von dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21. Wenn die Messung der statischen Kenngrößenprüfung durchgeführt werden soll, verbindet die Trennschaltung die Sonde 62p, die Sonde 62n und die Sonde 62o für die statische Kenngrößenprüfung elektrisch mit dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 und wenn die Messung der dynamischen Kenngrößenprüfung durchgeführt werden soll, trennt die Trennschaltung die Sonde 62p, die Sonde 62n und die Sonde 62o für die statische Kenngrößenprüfung elektrisch von dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21. Es sei darauf hingewiesen, dass die Sonden 62g in der dynamischen Kenngrößenprüfung und der statischen Kenngrößenprüfung gemeinsam verwendet werden.
Der Prüfkopf 12 weist den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, die Kondensatorbank 15, den Ansteuerungstreiber 16, die Stromsensoren 17, die Spannungssensoren 18 und ein Gehäuse 19 (erstes Gehäuse) auf. In dem Prüfkopf 12 befinden sich der dynamische Kenngrößenmessschaltkreis 14, die Kondensatorbank 15, der Ansteuerungstreiber 16, die Stromsensoren 17 und die Spannungssensoren 18 in dem Gehäuse 19. Das Gehäuse 19 ist kastenförmig und der P-Ausgangsanschluss Tp, der N-Ausgangsanschluss Tn, der O-Ausgangsanschluss To und der Steuerungsausgangsanschluss Tg sind so bereitgestellt, dass sie von einer Oberseite des Gehäuses 19 hervorstehen.
Der dynamische Kenngrößenmessschaltkreis 14 ist ein Schaltkreis zur Durchführung der dynamischen Kenngrößenprüfung des DUT 2. Die Kondensatorbank 15 ist ein Netzteil, das so konfiguriert ist, dass es einen Strom für die dynamische Kenngrößenprüfung an den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14 liefert. 5 zeigt den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14 und die Kondensatorbank 15 wenn das DUT 2 ein Leistungshalbeitermodul des 2-in-1-Typs ist. Wie in 5 gezeigt ist, weist der dynamische Kenngrößenmessschaltkreis 14 eine Auswahlschaltung 41, eine Überstromschutzschaltung 42, einen Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43, eine Auswahlschaltung 44 und einen Reaktor L auf. Die Kondensatorbank 15 weist einen Kondensator 51 und einen Hauptschalterabschnitt 52 auf.
Ein Folienkondensator mit exzellenten Frequenzcharakteristiken wird zum Beispiel als Kondensator 51 verwendet. Wenn gespeicherte Energie (Ladung) abnimmt, wird der Kondensator 51 mit dem Ladungs-Netzteil 32 verbunden und durch das Ladungs-Netzteil 32 geladen.
Der Hauptschalterabschnitt 52 ist ein Schaltkreis, der so konfiguriert ist, dass er zwischen der Zufuhr und der Blockierung von Strom von dem Kondensator 51 an das DUT 2 (der Transistor Qdp oder der Transistor Qdn) umschaltet. Der Hauptschalterabschnitt 52 weist einen Transistor Qp und eine Diode Dp auf. Der Transistor Qp ist ein IGBT. Eine Kathode der Diode Dp ist mit einem Kollektor des Transistors Qp elektrisch verbunden und eine Anode der Diode Dp ist mit einem Emitter des Transistors Qp elektrisch verbunden. Deswegen ist die Diode Dp eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qp elektrisch parallel verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Qp ist mit einem +-Anschluss (positiver Anschluss) des Kondensators 51 elektrisch verbunden und der Emitter des Transistors Qp ist mit einem Kollektor eines Transistors Qhp, einer Kathode einer Diode Dhp, einem Ende eines Schalters SWp und dem P-Anschluss des DUT 2, der später beschrieben wird, elektrisch verbunden.
Die Auswahlschaltung 41 ist eine Schaltung zur Auswahl von einem der Transistoren Qdp und Qdn, die in dem DUT 2 enthalten sind, als ein Ziel der Schaltmessung. Die Auswahlschaltung 41 weist Transistoren Qhp und Qhn und Dioden Dhp und Dhn auf. Die Transistoren Qhp und Qhn sind IGBTs. Kathoden der Dioden Dhp und Dhn sind mit Kollektoren der Transistoren Qhp beziehungsweise Qhn elektrisch verbunden und Anoden der Dioden Dhp und Dhn sind mit Emittern der Transistoren Qhp beziehungsweise Qhn elektrisch verbunden. Deswegen ist die Diode Dhp eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qhp elektrisch parallel verbunden ist und die Diode Dhn eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qhn elektrisch parallel verbunden ist. Der Emitter des Transistors Qhp und der Kollektor des Transistors Qhn sind elektrisch miteinander verbunden und sind mit einem Kollektor eines Transistors Qcf und einer Kathode einer Diode Dcf, die später beschrieben wird, elektrisch verbunden. Das heißt die Transistoren Qhp und Qhn sind elektrisch in Reihe in dieselbe Richtung verbunden und ein Verbindungsabschnitt Cs, der die Transistoren Qhp und Qhn elektrisch verbindet, ist mit dem O-Anschluss des DUT 2 durch den Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 und den Reaktor L elektrisch verbunden. Der Kollektor des Transistors Qhp ist mit dem Emitter des Transistors Qp, der Anode der Diode Dp, dem einen Ende des Schalters SWp und dem P-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden. Der Emitter des Transistors Qhn ist mit einem -- Anschluss (negativer Anschluss) des Kondensators 51, einem anderen Ende des Schalters SWn und dem N-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden.
Die Überstromschutzschaltung 42 ist eine Schaltung zum Verbrauch von Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist. Die Überstromschutzschaltung 42 wird elektrisch parallel mit dem Reaktor L bereitgestellt. Die Überstromschutzschaltung 42 weist Transistoren Qif und Qir und Dioden Dif und Dir auf. Die Transistoren Qif und Qir sind IGBTs. Kathoden der Dioden Dif und Dir sind mit Kollektoren der Transistoren Qif beziehungsweise Qir elektrisch verbunden und Anoden der Dioden Dif und Dir sind mit Emittern der Transistoren Qif beziehungsweise Qir elektrisch verbunden. Deshalb ist die Diode Dif eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qif elektrisch parallel verbunden ist und die Diode Dir eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qir elektrisch parallel verbunden ist. Der Emitter des Transistors Qif und der Emitter des Transistors Qir sind elektrisch miteinander verbunden. Das heißt die Transistoren Qif und Qir sind elektrisch in Reihe in entgegengesetzte Richtungen verbunden. Der Kollektor des Transistors Qif ist mit einem Kollektor des Transistors Qcr, einer Kathode der Diode Dcr und einem Ende des Reaktors L, der später beschrieben wird, elektrisch verbunden. Der Kollektor des Transistors Qir ist mit einem anderen Ende des Reaktors L, dem anderen Ende des Schalters SWp, einem Ende des Schalters SWn und dem O-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden.
Der Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 ist ein Schaltkreis, um zu bewirken, dass die Überstromschutzschaltung 42 die in dem Reaktor L gespeicherte Energie mit einer hohen Geschwindigkeit verbraucht. Der Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 wird elektrisch in Reihe mit dem Reaktor L bereitgestellt. Der Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 weist die Transistoren Qcf und Qcr und die Dioden Dcf und Dcr auf. Die Transistoren Qcf und Qcr sind IGBTs. Die Kathoden der Dioden Dcf und Dcr sind mit den Kollektoren der Transistoren Qcf beziehungsweise Qcr elektrisch verbunden und Anoden der Dioden Dcf und Dcr sind mit Emittern der Transistoren Qcf beziehungsweise Qcr elektrisch verbunden. Deshalb ist die Diode Dcf eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qcf elektrisch parallel verbunden ist und die Diode Dcr eine Freilaufdiode, die mit dem Transistor Qcr elektrisch parallel verbunden ist. Der Emitter des Transistors Qcf und der Emitter des Transistors Qcr sind elektrisch miteinander verbunden. Das heißt die Transistoren Qcf und Qcr sind elektrisch in Reihe in entgegengesetzte Richtungen verbunden. Der Kollektor des Transistors Qcf ist mit dem Emitter des Transistors Qhp, dem Kollektor des Transistors Qhn, der Anode der Diode Dhp und der Kathode der Diode Dhn elektrisch verbunden. Der Kollektor des Transistors Qcr ist mit dem Kollektor des Transistors Qif, der Kathode der Diode Dif und dem einen Ende des Reaktors L elektrisch verbunden.
Die Auswahlschaltung 44 ist eine Schaltung zur Auswahl von einem der Transistoren Qdp und Qdn, die in dem DUT 2 enthalten sind, als ein Ziel der Kurzschlussfähigkeitsmessung. Die Auswahlschaltung 44 weist die Schalter SWp und SWn auf. Die Schalter SWp und SWn sind Relais. Das eine Ende des Schalters SWp ist mit dem Emitter des Transistors Qp, der Anode der Diode Dp, dem Kollektor des Transistors Qhp, der Kathode der Diode Dhp und dem P-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden. Das andere Ende des Schalters SWp und das eine Ende des Schalters SWn sind elektrisch miteinander verbunden und sind mit dem anderen Ende des Reaktors L, dem Kollektor des Transistors Qir, der Kathode der Diode Dir und dem O-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden. Das andere Ende des Schalters SWn ist mit dem --Anschluss des Kondensators 51, dem Emitter des Transistors Qhn, der Anode der Diode Dhn und dem N-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden.
Der Reaktor L ist eine Last der dynamischen Kenngrößenprüfung. Das heißt der Reaktor L ist eine Last der Transistoren Qdp und Qdn. Das eine Ende des Reaktors L ist mit dem Kollektor des Transistors Qcr und der Kathode der Diode Dcr elektrisch verbunden und das andere Ende des Reaktors L ist mit dem O-Anschluss des DUT 2 elektrisch verbunden.
Der Ansteuerungstreiber 16 schaltet einen Ein-Zustand (leitender Zustand) und einen Aus-Zustand (Sperrzustand) der Transistoren Qp, Qhp, Qhn, Qif, Qir, Qcf, Qcr, Qdp und Qdn und der Schalter SWp und SWn. Der Ansteuerungstreiber 16 gibt ein Gate-Signal an jeden der Transistoren Qp, Qhp, Qhn, Qif, Qir, Qcf, Qcr, Qdp und Qdn entsprechend einer Anweisung von der Abfangvorrichtung 26 oder der dynamischen Kenngrößensteuerung 33 aus, um dadurch den Ein-Zustand und den Aus-Zustand von jedem Transistor zu schalten. Der Ansteuerungstreiber 16 gibt ein Relais-Signal an jeden der Schalter SWp und SWn entsprechend einer Anweisung von der Abfangvorrichtung 26 oder der dynamischen Kenngrößensteuerung 33 aus, um dadurch den Ein-Zustand und den Aus-Zustand von jedem Schalter zu schalten. Es sei darauf hingewiesen, dass der Ein-Zustand des Transistors bedeutet, dass der Kollektor und der Emitter in einem elektrisch leitenden Zustand sind und der Aus-Zustand des Transistors bedeutet, dass der Kollektor und der Emitter in einem elektrischen Sperrzustand sind. Wenn der Transistor ein IGBT ist, werden der Ein-Zustand und der Aus-Zustand durch eine Gate-Emitter-Spannung geschaltet.
Die Stromsensoren 17 sind Sensoren, die so konfiguriert sind, dass sie Stromwerte von Strömen, die im P-Anschluss und im N-Anschluss des DUT 2 fließen, detektieren. Die Stromsensoren 17 werden an dem P-Ausgangsanschluss Tp und dem N-Ausgangsanschluss Tn bereitgestellt. Die Stromsensoren 17 geben die detektierten Stromwerte an die Abfangvorrichtung 26 und den Digitalisierer 27 aus. Die Spannungssensoren 18 sind Sensoren, die so konfiguriert sind, dass sie Spannungswerte von Spannungen des P-Anschlusses und des N-Anschlusses des DUT 2 detektieren. Die Spannungssensoren 18 werden an dem P-Ausgangsanschluss Tp und dem N-Ausgangsanschluss Tn bereitgestellt. Die Spannungssensoren 18 geben die detektierten Spannungswerte an die Abfangvorrichtung 26 und den Digitalisierer 27 aus. Die Stromsensoren 17 und die Spannungssensoren 18 kommunizieren mit den Abfangvorrichtungen 26 und den Digitalisierern 27 über Analogspannungen.
Als nächstes wird das zweite Gerät 20 in Bezug auf die 1 und 2 im Detail beschrieben werden. Das zweite Gerät 20 weist den statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21, die Gate-Servoeinrichtung 22, den Hochstrommessschaltkreis 23, eine Wechseleinheit 24, die Triggermatrix 25, die Abfangvorrichtung 26, den Digitalisierer 27 und ein Gehäuse 28 (zweites Gehäuse) auf. In dem zweiten Gerät 20 befinden sich der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21, die Gate-Servoeinrichtung 22, der Hochstrommessschaltkreis 23, die Wechseleinheit 24, die Triggermatrix 25, die Abfangvorrichtung 26 und der Digitalisierer 27 in dem Gehäuse 28. Das Gehäuse 28 ist kastenförmig.
Der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21 ist ein Schaltkreis zur Durchführung der statischen Kenngrößenprüfung des DUT 2. Der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21 weist zum Beispiel einen Relais-Matrix-Schaltkreis und einen Schaltkreis, der passive Elemente wie ein Widerstandselement, einen Kondensator und einen Reaktor aufweist, auf. Der Relais-Matrix-Schaltkreis ist ein Schaltkreis, um zu bestimmen, wie jede Einheit der Hochspannungseinheiten 71 und der Niederspannungseinheiten 72 mit jedem Anschluss des DUT 2 verbunden wird. Der Schaltkreis, der die passiven Elemente aufweist, ist ein Schaltkreis zum Klemmen eines Gates und zur Stabilisierung der statischen Kenngrößenmessung.
Die Gate-Servoeinrichtung 22 ist eine Einheit, die zur Messung einer Gate-Emitter-Schwellenspannung Vge (th) in der statischen Kenngrößenprüfung verwendet wird. Die Gate-Servoeinrichtung 22 weist zum Beispiel einen Operationsverstärker und eine Vielzahl von Widerstandselementen auf. Die Gate-Servoeinrichtung 22 stellt eine Gate-Spannung des Elements, das von den Transistoren Qdp und Qdn des DUT 2 gemessen werden soll, ein, um dadurch eine Steuerung derart durchzuführen, dass ein Kollektor-Strom des Elements, das gemessen werden soll, ein vorbestimmter Strom wird. Die Gate-Servoeinrichtung 22 ist als ein Substrat angebracht, das an den statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 angebracht und von ihm getrennt werden kann.
Der Hochstrommessschaltkreis 23 ist ein Schaltkreis zur Durchführung einer Messung, die in der statischen Kenngrößenprüfung einen hohen Strom (zum Beispiel etwa 800 A) erfordert. Der Hochstrommessschaltkreis 23 wird zum Beispiel zur Messung einer Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce (sat) der statischen Kenngrößenprüfung und einer Emitter-Kollektor-Spannung Vec der dynamischen Kenngrößenprüfung verwendet. Der Hochstrommessschaltkreis 23 hat zum Beispiel eine Schaltkreiskonfiguration ähnlich dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 und weist einen Relais-Matrix-Schaltkreis auf und einen Schaltkreis, der passive Elemente wie ein Widerstandselement, einen Kondensator und einen Reaktor aufweist. In dem Hochstrommessschaltkreis 23 ist der Relais-Matrix-Schaltkreis ein Schaltkreis, um zu bestimmen, wie die Hochstromquelleneinheit 73 mit jedem Anschluss des DUT 2 verbunden wird. Der Hochstrommessschaltkreis 23 weist zum Beispiel eine Vielzahl von Schaltern auf und der Hochstrommessschaltkreis 23 schaltet den Ein-Zustand und den Aus-Zustand der Schalter, um dadurch einen der Transistoren Qdn und Qdp des DUT 2 als ein Messungsziel auszuwählen.
Die Wechseleinheit 24 ist so konfiguriert, dass sie bestimmte Einheiten, die entsprechend einem Messgegenstand selektiv verwendet werden, unter einer Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten anbringen und trennen kann. Beispiele der bestimmten Einheiten, die angebracht und getrennt werden können, umfassen die Hochspannungseinheiten 71 (erste Spannungseinheiten), die Niederspannungseinheiten 72 (zweite Spannungseinheiten) und die Hochstromquelleneinheit 73 (Stromquelleneinheit). Das heißt die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72 und die Hochstromquelleneinheit 73 sind an der Wechseleinheit 24 entsprechend einem geforderten Messgegenstand angebracht. Die Hochspannungseinheiten 71 legen eine erste Spannung an das Messungsziel des DUT 2 an. Die erste Spannung ist zum Beispiel eine Hochspannung von etwa 1500 V. Die Niederspannungseinheiten 72 legen eine zweite Spannung, die kleiner als die erste Spannung ist, an das Messungsziel des DUT 2 an. Die zweite Spannung ist zum Beispiel eine Niederspannung von etwa 150 V. Es sei darauf hingewiesen, dass die Hochspannungseinheiten 71 und die Niederspannungseinheiten 72 einen Strom von etwa 0,1 A an das Messungsziel des DUT 2 liefern. Die Hochstromquelleneinheit 73 liefert einen Strom an das Messungsziel des DUT 2. Die Hochstromquelleneinheit 73 liefert zum Beispiel einen Strom von etwa 500 A und eine Spannung von etwa 10 V. Eine bestimmte Konfiguration der Wechseleinheit 24 wird später beschrieben werden.
Die Triggermatrix 25 ist so konfiguriert, dass sie einen Trigger, der von einer Einheit emittiert wird, empfängt und ein Ausgabeziel des empfangenen Triggers steuert. Die Triggermatrix 25 ist, zum Beispiel durch Lichtwellenleiter, verbunden mit und kommunikationsfähig mit dem dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21, dem Hochstrommessschaltkreis 23, dem Ladungs-Netzteil 32, der dynamischen Kenngrößensteuerung 33, den Hochspannungseinheiten 71, den Niederspannungseinheiten 72 und der Hochstromquelleneinheit 73. Die Triggermatrix 25 empfängt einen Trigger von diesen Einheiten und gibt den Trigger an Einheiten des Ausgabeziels aus. Die Triggermatrix 25 bestimmt die Einheiten des Ausgabeziels entsprechend einer Matrix, die im Voraus durch eine integrierte Steuerung 31 eingestellt wurde, und gibt den Trigger an die Einheiten des Ausgabeziels aus. Die Triggermatrix 25 verteilt einen Synchronisationsimpuls zur Synchronisation der Einheiten mit allen Einheiten, die mit der Triggermatrix 25 verbunden und kommunikationsfähig sind.
Wenn die Abfangvorrichtung 26 einen anormalen Zustand in der dynamischen Kenngrößenprüfung detektiert, steuert die Abfangvorrichtung 26 den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, die Kondensatorbank 15 und das DUT 2. Die Abfangvorrichtung 26 beauftragt den Ansteuerungstreiber 16 den Ein-Zustand und den Aus-Zustand der Transistoren, die in dem dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, der Kondensatorbank 15 und dem DUT 2 enthalten sind, zu schalten. Die Abfangvorrichtung 26 bestimmt zum Beispiel, ob der Stromwert, der von dem Stromsensor 17 detektiert wird, einen Überstromschwellwert überschreitet und die Abfangvorrichtung 26 detektiert einen Überstrom (anormaler Zustand), wenn der Stromwert, der von dem Stromsensor 17 detektiert wird, den Überstromschwellwert überschreitet. Der Überstromschwellwert ist ein voreingestellter Wert zur Detektion des Überstroms. Wenn die Abfangvorrichtung 26 den Überstrom detektiert, beauftragt die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16, ein Überstromschutzverfahren auszuführen. Die Abfangvorrichtung 26 betreibt die Überstromschutzschaltung 42 im Überstromschutzverfahren. Das Überstromschutzverfahren wird später beschrieben werden.
Der Digitalisierer 27 wird in der dynamischen Kenngrößenprüfung verwendet und der Digitalisierer 27 ist so konfiguriert, dass er den Stromwert, der von dem Stromsensor 17 detektiert wird, und den Spannungswert, der von dem Spannungssensor 18 detektiert wird, abtastet und den Stromwert und den Spannungswert in Digitalwerte umwandelt. Der Digitalisierer 27 gibt den Stromwert und den Spannungswert, die in die Digitalwerte umgewandelt wurden, an die integrierte Steuerung 31 aus. Der Digitalisierer 27 und die integrierte Steuerung 31 sind zum Beispiel durch einen Lichtwellenleiter verbunden und der Digitalisierer 27 und die integrierte Steuerung 31 übertragen und empfangen Daten durch optische Kommunikation.
Als nächstes wird das dritte Gerät 30 in Bezug auf 1 und 2 im Detail beschrieben werden. Das dritte Gerät 30 weist die integrierte Steuerung 31, das Ladungs-Netzteil 32, die dynamische Kenngrößensteuerung 33 und Gehäuse 34 (dritte Gehäuse) auf. Die Gehäuse 34 weisen ein Gehäuse 34a und ein Gehäuse 34b auf. In dem dritten Gerät 30 befindet sich das Ladungs-Netzteil 32 in dem Gehäuse 34a und die integrierte Steuerung 31 und die dynamische Kenngrößensteuerung 33 befinden sich in dem Gehäuse 34b. Das Gehäuse 34a und das Gehäuse 34b sind kastenförmig. Das Gehäuse 34a und das Gehäuse 34b können integriert sein.
Die integrierte Steuerung 31 ist ein Steuerungsgerät zur Steuerung des gesamten Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1. Die integrierte Steuerung 31 gibt an jede Einheit ein Befehl oder dergleichen zur Steuerung jeder Einheit aus. Die integrierte Steuerung 31 ist zum Beispiel durch die Installation eines Steuerungsprogramms (Software) des Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1 auf einem universellen Personal Computer realisiert. Die integrierte Steuerung 31 ist, zum Beispiel durch ein LAN (lokales Netzwerk), verbunden mit und kommunikationsfähig mit jedem von dem dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21, der Triggermatrix 25, dem Ladungs-Netzteil 32, der dynamischen Kenngrößensteuerung 33, den Hochspannungseinheiten 71, den Niederspannungseinheiten 72 und der Hochstromquelleneinheit 73. Es sei darauf hingewiesen, dass in 2 die Abbildung der Verbindung zwischen der integrierten Steuerung 31 und dem dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14 und zwischen der integrierten Steuerung 31 und dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 weggelassen ist. In diesem Fall wird eine Einheitsdefinitionsdatei in der integrierten Steuerung 31 entsprechend der Einheit, die mit dem LAN verbunden ist, eingestellt. Die Einheitsdefinitionsdatei ist eine Datei, die eine IP-Adresse (Internetprotokoll), eine Funktion, ein Befehl und dergleichen der Einheit definiert. Auf diese Weise erkennt die integrierte Steuerung 31 die Einheit, die mit dem LAN verbunden ist.
Das Ladungs-Netzteil 32 ist ein Netzteil zum Aufladen und Entladen des Kondensators 51 der Kondensatorbank 15. Das Ladungs-Netzteil 32 ist zum Beispiel ein Hochspannungs-Netzteil. Das Ladungs-Netzteil 32 lädt den Kondensator 51 zur Durchführung der dynamischen Kenngrößenprüfung auf. Das Ladungs-Netzteil 32 entlädt den Kondensator 51 nach Ablauf der dynamischen Kenngrößenprüfung.
Die dynamische Kenngrößensteuerung 33 ist so konfiguriert, dass sie den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis 14, die Kondensatorbank 15 und das DUT 2 entsprechend einer voreingestellten Messstruktur der dynamischen Kenngrößenprüfung steuert. Die dynamische Kenngrößensteuerung 33 beauftragt den Ansteuerungstreiber 16 den Ein-Zustand und den Aus-Zustand der Transistoren Qp, Qhp, Qhn, Qif, Qir, Qcf, Qcr, Qdp und Qdn und der Schalter SWp und SWn entsprechend der voreingestellten Messstruktur der dynamischen Kenngrößenprüfung zu schalten. Es sei darauf hingewiesen, dass die dynamische Kenngrößensteuerung 33 durch ein optisches Signal durch die Abfangvorrichtung 26 mit dem Ansteuerungstreiber 16 verbunden ist.
Als nächstes wird ein Beispiel des Überstromschutzverfahrens durch die Abfangvorrichtung 26 in Bezug auf 5 beschrieben werden. Zum Beispiel beauftragt die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16, die Überstromschutzschaltung 42 als Reaktion auf die Detektion eines Überstroms in dem N-Ausgangsanschluss Tn, der durch die Tatsache verursacht wird, dass der Transistor Qdn des DUT 2 in der Schaltmessung des Transistors Qdn (dies wird in manchen Fällen als „N-seitige Schaltmessung“ bezeichnet werden) nicht in den Aus-Zustand übergeht, zu betreiben. Insbesondere beauftragt die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16, die Transistoren Qcf, Qcr, Qir und Qdn in den Ein-Zustand zu versetzen und die anderen Transistoren in den Aus-Zustand zu versetzen. In diesem Fall wird ein Strompfad gebildet, der durch den Transistor Qcf, den Transistor Qcr, den Reaktor L, den Transistor Qdn und die Diode Dhn in dieser Reihenfolge verläuft und ein Strompfad wird gebildet, der durch den Reaktor L, den Transistor Qir und die Diode Dif in dieser Reihenfolge verläuft. Auf diese Weise fließt die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist wenn der Überstrom auftritt, in jeden Strompfad. In jedem Strompfad wird die Energie durch die Widerstandskomponenten und dergleichen wie Transistoren und Dioden verbraucht und die Strommenge wird 0. Auf diese Weise verbraucht die Überstromschutzschaltung 42 die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist wenn der Überstrom auftritt und ein weiterer Fluss von Überstrom in dem DUT 2 wird in der N-seitigen Schaltmessung verhindert.
Ebenso beauftragt die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16, die Überstromschutzschaltung 42 als Reaktion auf die Detektion eines Überstroms in dem P-Ausgangsanschluss Tp, der durch die Tatsache verursacht wird, dass der Transistor Qdp des DUT 2 in der Schaltmessung des Transistors Qdp (dies wird in manchen Fällen als „P-seitige Schaltmessung“ bezeichnet werden) nicht in den Aus-Zustand übergeht, zu betreiben. Insbesondere beauftragt die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16, die Transistoren Qcf, Qcr, Qir und Qdp in den Ein-Zustand zu versetzen und die anderen Transistoren in den Aus-Zustand zu versetzen. In diesem Fall wird ein Strompfad gebildet, der durch den Reaktor L, den Transistor Qcr, den Transistor Qcf, die Diode Dhp und den Transistor Qdp in dieser Reihenfolge verläuft und ein Strompfad wird gebildet, der durch den Reaktor L, den Transistor Qif und die Diode Dir in dieser Reihenfolge verläuft. Auf diese Weise fließt die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt, in jeden Strompfad. In jedem Strompfad wird die Energie durch die Widerstandskomponenten und dergleichen wie Transistoren und Dioden verbraucht und die Strommenge wird 0. Auf diese Weise verbraucht die Überstromschutzschaltung 42 die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt und ein weiterer Fluss von Überstrom in dem DUT 2 wird in der P-seitigen Schaltmessung verhindert.
Wenn eine schnellere Unterbrechung des Überstroms in der N-seitigen Schaltmessung erforderlich ist, kann die Abfangvorrichtung 26 ebenso den Ansteuerungstreiber 16 beauftragen, zusätzlich zu der Überstromschutzschaltung 42 den Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 als Reaktion auf die Detektion des Überstroms in dem N-Ausgangsanschluss Tn zu betreiben. Insbesondere kann die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16 beauftragen, die Transistoren Qir und Qdn in den Ein-Zustand zu versetzen und die anderen Transistoren in den Aus-Zustand zu versetzen. In diesem Fall wird nur der Strompfad, der durch den Reaktor L, den Transistor Qir und die Diode Dif in dieser Reihenfolge verläuft, gebildet. Auf diese Weise fließt die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt, in den Strompfad. In dem Strompfad wird die Energie durch die Widerstandskomponenten und dergleichen wie Transistoren und Dioden verbraucht und die Strommenge wird 0. Auf diese Weise verbraucht die Überstromschutzschaltung 42 die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt und ein weiterer Fluss von Überstrom in dem DUT 2 wird in der N-seitigen Schaltmessung verhindert.
Ebenso kann, wenn eine schnellere Unterbrechung des Überstroms in der P-seitigen Schaltmessung erforderlich ist, die Abfangvorrichtung 26 ebenso den Ansteuerungstreiber 16 beauftragen, zusätzlich zu der Überstromschutzschaltung 42 den Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 als Reaktion auf die Detektion des Überstroms in dem P-Ausgangsanschluss Tp zu betreiben. Insbesondere kann die Abfangvorrichtung 26 den Ansteuerungstreiber 16 beauftragen, die Transistoren Qif und Qdp in den Ein-Zustand zu versetzen und die anderen Transistoren in den Aus-Zustand zu versetzen. In diesem Fall wird nur der Strompfad, der durch den Reaktor L, den Transistor Qif und die Diode Dir in dieser Reihenfolge verläuft, gebildet. Auf diese Weise fließt die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt, in den Strompfad. In dem Strompfad wird die Energie durch die Widerstandskomponenten und dergleichen wie Transistoren und Dioden verbraucht und die Strommenge wird 0. Auf diese Weise verbraucht die Überstromschutzschaltung 42 die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, wenn der Überstrom auftritt und ein weiterer Fluss von Überstrom in dem DUT 2 wird in der P-seitigen Schaltmessung verhindert.
Es sei darauf hingewiesen, dass, verglichen mit dem Fall, in dem der Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 nicht betrieben wird, der Widerstandswert, der zu dem Verbrauch des Überstroms beiträgt, groß ist, wenn der Hochgeschwindigkeits-Abschaltkreis 43 betrieben wird. Deshalb wird die Energie, die in dem Reaktor L gespeichert ist, in einer kurzen Zeit verbraucht. Deshalb wird ein weiterer Fluss von Überstrom in dem DUT 2 mit größerer Sicherheit in der Schaltmessung verhindert.
Als nächstes wird eine bestimmte Konfiguration der Wechseleinheit 24 in Bezug auf die 6 bis 10 beschrieben werden. 6 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm der Wechseleinheit 24. 7 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm einer Hauptplatine für Spannung, die in der Wechseleinheit 24 enthalten ist. 8 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm einer Hauptplatine für Strom, die in der Wechseleinheit 24 enthalten ist. 9 ist ein schematisches Konfigurationsdiagramm von bestimmten Einheiten, die an der Wechseleinheit 24 angebracht und von ihr getrennt werden können, wobei (a) von 9 eine Draufsicht der bestimmten Einheiten ist und (b) von 9 eine Seitenansicht der bestimmten Einheiten ist. 10 ist ein Diagramm zur Beschreibung einer Verbindung der Hauptplatine aus 8 und der bestimmten Einheiten aus 9.
Wie in 6 gezeigt ist, weist die Wechseleinheit 24 eine Hauptplatine MB1 und eine Hauptplatine MB2 auf. Die Hauptplatine MB1 ist eine Hauptplatine für Spannung. Die Hauptplatine MB2 ist eine Hauptplatine für Strom. Die Hauptplatine MB1 und die Hauptplatine MB2 erstrecken sich in eine Richtung X und sind in einer Richtung Y, die die Richtung X schneidet, parallel zueinander angeordnet. Die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72 und eine Zwischenspannungseinheit 74 können an die Hauptplatine MB1 angebracht und von ihr getrennt werden. Die Zwischenspannungseinheit 74 ist eine Einheit zum Anlegen einer Spannung von etwa 1500 V an die Hochspannungseinheiten 71 und zum Anlegen einer Spannung von etwa 150 V an die Niederspannungseinheiten 72. Die Zwischenspannungseinheit 74 ist keine Einheit, die mit der Messung in direktem Zusammenhang steht und wird in Unterordnung unter den Hochspannungseinheiten 71 und den Niederspannungseinheiten 72 verwendet.
Die Hochstromquelleneinheit 73 kann an die Hauptplatine MB2 angebracht und von ihr getrennt werden. Die Hochstromquelleneinheit 73 weist einen Hochstrommaster 75 und eine Vielzahl von Hochstromverstärkern 76 (eine Vielzahl von Stromquellenuntereinheiten) auf. Der Hochstrommaster 75 ist so konfiguriert, dass er eine Messung des DUT 2, die die Hochstromquelleneinheit 73 erfordert, steuert. Der Hochstrommaster 75 kann einen Strom von zum Beispiel etwa 1 A liefern. Die Hochstromverstärker 76 werden entsprechend der Strommenge, die für die Messung erforderlich ist, geeignet verwendet und können einen Strom einer ersten Strommenge liefern. Die erste Strommenge beträgt zum Beispiel etwa 125 A. Der Hochstrommaster 75 überträgt einen Strombefehl an jeden Hochstromverstärker 76 zum Beispiel zu einem Zeitpunkt, der durch die integrierte Steuerung 31 bestimmt wird. Jeder Hochstromverstärker 76 empfängt den Strombefehl, der von dem Hochstrommaster 75 übertragen wird, und liefert einen Strom entsprechend dem Strombefehl. Der Hochstrommaster 75 misst ebenfalls die Spannung und den Strom zu einem Zeitpunkt, der durch die integrierte Steuerung 31 bestimmt wird.
Wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Hochstromquelleneinheit 73 erfordert, sind ein Hochstrommaster 75 und ein Hochstromverstärker 76 immer an der Wechseleinheit 24 angebracht. Eine erforderliche Zahl (zum Beispiel eins bis vier) an Hochstromverstärkern 76 unter der Vielzahl von Hochstromverstärkern 76 sind entsprechend der Strommenge, die für die Messung erforderlich ist, an der Wechseleinheit 24 angebracht. Es sei darauf hingewiesen, dass wenn die Strommenge, die für die Messung erforderlich ist, die Strommenge, die von einem Hochstrommaster 75 und vier Hochstromverstärkern 76 (etwa 500 A in diesem Beispiel) geliefert werden kann, überschreitet, eine weitere Hauptplatine MB2 zusätzlich zu der Wechseleinheit 24 hinzugefügt werden kann. Durch das Anbringen einer erforderlichen Zahl an Hochstromverstärkern 76 an der hinzugefügten Hauptplatine MB2, kann die Hochstromquelleneinheit 73 die Strommenge, die für die Messung erforderlich ist, liefern.
Wie in 7 gezeigt ist, weist die Hauptplatine MB1 auf: einen Verbinder CN1, der mit dem Netzteil des zweiten Geräts 20 elektrisch verbunden ist; eine Vielzahl von Verbindern CN2, die mit dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 elektrisch verbunden sind; und eine Vielzahl von Verbindern CN3 zur elektrischen Verbindung mit jeder bestimmten Einheit. Der Verbinder CN1, die Verbinder CN2 und die Verbinder CN3 werden auf einer Oberfläche MB1a auf einer Seite der Hauptplatine MB1 bereitgestellt. Der Verbinder CN1 und die Verbinder CN2 sind in der Richtung Y an einem Ende der Hauptplatine MB1 in der Richtung X angeordnet. Eine Versorgungsspannung zur Steuerung wird an die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72 und die Zwischenspannungseinheiten 74, die durch den Verbinder CN1 an der Hauptplatine MB1 angebracht sind, angelegt. Die Hochspannungseinheiten 71 und die Niederspannungseinheiten 72, die an der Hauptplatine MB1 angebracht sind, sind durch die Verbinder CN2 mit dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 elektrisch verbunden. Die Verbinder CN3 zur Verbindung mit jeder bestimmten Einheit und Führungsmechanismen G (siehe 10) bilden Steckplätze. Insbesondere weist die Hauptplatine MB1 Steckplätze SL1 bis SL5 auf, die das Anbringen und Trennen der bestimmten Einheiten ermöglichen. Die Steckplätze SL1 bis SL5 sind nacheinander in der Richtung X angeordnet. Die Steckplätze SL1 und SL2 sind Steckplätze für die Hochspannungseinheiten 71. Der Steckplatz SL3 ist ein Steckplatz für die Zwischenspannungseinheit 74. Die Steckplätze SL4 und SL5 sind Steckplätze für die Niederspannungseinheiten 72.
Die Verbinder CN3 weisen Verbinder CN31, Verbinder CN32, Verbinder CN33, Verbinder CN34 und Verbinder CN35 auf. Die Verbinder CN31 sind Verbinder zur Versorgung jeder bestimmten Einheit mit der Versorgungsspannung, die durch den Verbinder CN1 angelegt wird. Die Verbinder CN32 sind Verbinder zum Zuführen der Spannung von der Zwischenspannungseinheit 74 zu den Hochspannungseinheiten 71. Die Verbinder CN33 sind Verbinder zum Zuführen der Spannung von der Zwischenspannungseinheit 74 zu den Niederspannungseinheiten 72. Die Verbinder CN34 sind Verbinder zur elektrischen Verbindung des statischen Kenngrößenmessschaltkreises 21 und der Hochspannungseinheiten 71 durch die Verbinder CN2. Die Verbinder CN35 sind Verbinder zur elektrischen Verbindung des statischen Kenngrößenmessschaltkreises 21 und der Niederspannungseinheiten 72 durch die Verbinder CN2. Die Steckplätze SL1 und SL2 werden durch die Verbinder CN31, CN32 und CN34 gebildet, der Steckplatz SL3 wird durch die Verbinder CN31, CN32 und CN33 gebildet und die Steckplätze SL4 und SL5 werden durch die Verbinder CN31, CN33 und CN35 gebildet.
Wie in 8 gezeigt ist, weist die Hauptplatine MB2 auf: einen Verbinder CN4, der mit dem Netzteil des zweiten Geräts 20 elektrisch verbunden ist; einen Verbinder CN5, der mit dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 elektrisch verbunden ist; und eine Vielzahl von Verbindern CN6 zur Verbindung jeder bestimmten Einheit. Der Verbinder CN4, der Verbinder CN5 und die Verbinder CN6 werden auf einer Oberfläche MB2a auf einer Seite der Hauptplatine MB2 bereitgestellt. Der Verbinder CN4 und der Verbinder CN5 sind in der Richtung Y an einem Ende der Hauptplatine MB2 in der Richtung X angeordnet. Die Versorgungsspannung zur Steuerung wird an den Hochstrommaster 75 und die Hochstromverstärker 76, die durch den Verbinder CN4 an der Hauptplatine MB2 angebracht sind, angelegt. Der Hochstrommaster 75 und die Hochstromverstärker 76, die an der Hauptplatine MB2 angebracht sind, sind durch den Verbinder CN5 mit dem Hochstrommessschaltkreis 23 elektrisch verbunden. Die Verbinder CN6 zur Verbindung jeder bestimmten Einheit und die Führungsmechanismen G (siehe 10) bilden Steckplätze. Insbesondere weist die Hauptplatine MB2 Steckplätze SL6 bis SL10 auf, die das Anbringen und Trennen der bestimmten Einheiten ermöglichen. Die Steckplätze SL6 bis SL10 sind nacheinander in der Richtung X angeordnet. Der Steckplatz SL6 ist ein Steckplatz für den Hochstrommaster 75. Die Steckplätze SL7 bis SL10 sind Steckplätze für die Hochstromverstärker 76.
Die Verbinder CN6 weisen einen Verbinder CN61, einen Verbinder CN62, Verbinder CN63, Verbinder CN64 und Verbinder CN65 auf. Der Verbinder CN61 ist ein Verbinder zur Versorgung des Hochstrommasters 75 mit der Versorgungsspannung, die durch den Verbinder CN4 angelegt wird. Der Verbinder CN62 ist ein Verbinder zur elektrischen Verbindung des Hochstrommessschaltkreises 23 und des Hochstrommasters 75 durch den Verbinder CN5. Die Verbinder CN63 sind Verbinder zur Versorgung der Hochstromverstärker 76 mit der Versorgungsspannung, die durch den Verbinder CN4 angelegt wird, und zur elektrischen Verbindung des Hochstrommessschaltkreises 23 und der Hochstromverstärker 76 durch den Verbinder CN5. Die Verbinder CN64 und die Verbinder CN65 sind Verbinder für den Stromausgang von den Hochstromverstärkern 76. Die Verbinder CN64 sind +-Ausgang-Verbinder und die Verbinder CN65 sind --Ausgang-Verbinder. Der Steckplatz SL6 wird durch die Verbinder CN61 und CN62 gebildet und die Steckplätze SL7 bis 10 werden durch die Verbinder CN63, CN64 und CN65 gebildet. Es sei darauf hingewiesen, dass die Hauptplatine MB2 auf einer Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der Oberfläche MB2a auf einer Seite einen nicht gezeigten Verbinder, der mit einem externen Niederspannungsnetzteil verbunden ist, aufweist.
Die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72, die Zwischenspannungseinheiten 74, der Hochstrommaster 75 und die Hochstromverstärker 76 haben alle ähnliche Konfigurationen. Hier wird ein Beispiel des Hochstrommasters 75 verwendet werden, um die Konfiguration der bestimmten Einheiten und die Verbindung der bestimmten Einheiten und der Hauptplatinen in Bezug auf die 9 und 10 zu beschreiben. Wie in 9 gezeigt ist, weist der Hochstrommaster 75 ein Steuerungssubstrat 81, ein Leistungssubstrat 82, einen Verbinder 83, einen Verbinder 84 und Verbinder 85 auf. Das Steuerungssubstrat 81 ist ein Substrat zur Steuerung des Leistungssubstrats 82, um eine gewünschte Spannung und einen gewünschten Strom zu erhalten. Es sei darauf hingewiesen, dass das Steuerungssubstrat 81 an einem Endabschnitt des Steuerungssubstrats 81 auf der gegenüberliegenden Seite der Hauptplatine MB2 einen Verbinder (zum Beispiel einen LAN-Verbinder) zur Verbindung und Kommunikation mit der integrierten Steuerung 31 und einen Verbinder (zum Beispiel einen Verbinder zur optischen Kommunikation) zur Verbindung und Kommunikation mit der Triggermatrix 25 aufweist. Das Steuerungssubstrat 81 wird von den Hochspannungseinheiten 71, den Niederspannungseinheiten 72, den Zwischenspannungseinheiten 74, dem Hochstrommaster 75 und den Spannungsverstärkern 76 gemeinsam genutzt. Das Leistungssubstrat 82 der Hochspannungseinheiten 71 und der Niederspannungseinheiten 72 führt eine Energieumwandlung zur Umwandlung der konstanten Spannung, die durch die Zwischenspannungseinheit 74 erzeugt wird, in die gewünschte Spannung und den gewünschten Strom durch. Das Leistungssubstrat 82 der Hochstromquelleneinheit 73 führt eine Energieumwandlung zur Umwandlung der Versorgungsspannung des zweiten Geräts 20 in die gewünschte Spannung und den gewünschten Strom durch.
Der Verbinder 83 ist ein Verbinder zur Verbindung des Hochstrommasters 75 mit dem Verbinder CN61 der Hauptplatine MB2. Der Verbinder 84 ist ein Verbinder zur Verbindung des Hochstrommasters 75 mit dem Verbinder CN62 der Hauptplatine MB2. Der Verbinder 83 und der Verbinder 84 werden an einem Ende 82a des Leistungssubstrats 82 bereitgestellt und sind entlang einer Kante des einen Endes 82a des Leistungssubstrats 82 angeordnet. Die Verbinder 85 sind Verbinder zur elektrischen Verbindung des Steuerungssubstrats 81 und des Leistungssubstrats 82. Eine Hauptoberfläche auf einer Seite des Steuerungssubstrats 81 und eine Hauptoberfläche auf einer Seite des Leistungssubstrats 82 sind über den Verbinder 85 einander zugewandt und das Steuerungssubstrat 81 und das Leistungssubstrat 82 sind derart angeordnet, dass das Steuerungssubstrat 81 und das Leistungssubstrat 82 überlappen.
Wie in 10 gezeigt ist, weist die Wechseleinheit 24 die Führungsmechanismen G auf. Die Führungsmechanismen G sind ein Paar von Elementen, die sich in eine Richtung Z, die die Oberfläche MB2a auf einer Seite der Hauptplatine MB2 schneidet, erstrecken. Die Führungsmechanismen G halten beide Enden des Leistungssubstrats 82 des Hochstrommasters 75 derart in der Erstreckungsrichtung, dass die beiden Enden gleiten können. Die Tätigkeit der Befestigung des Hochstrommasters 75 an der Hauptplatine MB2 wird durchgeführt, indem der Hochstrommaster 75 entlang der Führungsmechanismen G in den Steckplatz SL6 eingesetzt wird. In diesem Fall wird der Hochstrommaster 75 in einem Zustand in den Steckplatz SL6 eingesetzt, in dem das eine Ende 82a des Leistungssubstrats 82 der Oberfläche MB2a auf einer Seite der Hauptplatine MB2 zugewandt ist. Der Hochstrommaster 75 wird entlang der Führungsmechanismen G eingesetzt, bis der Verbinder 83 und der Verbinder 84 an den Verbinder CN61 beziehungsweise den Verbinder CN62 der Hauptplatine MB2 angebracht sind. Andererseits wird die Tätigkeit des Trennens des Hochstrommasters 75 von der Hauptplatine MB2 durchgeführt, indem der Hochstrommaster 75 aus dem Steckplatz SL6 entlang der Führungsmechanismen G herausgezogen wird.
11 ist ein Diagramm, das die Einheiten zeigt, die für jede Messung verwendet werden. 11 bildet einen Teil der statischen Kenngrößenprüfung und der dynamischen Kenngrößenprüfung ab, die von dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 durchgeführt werden können. Wie in 11 gezeigt ist, werden die integrierte Steuerung 31 und die Triggermatrix 25 für alle Messungen verwendet. In jeder Messung der dynamischen Kenngrößenprüfung werden der Prüfkopf 12, der dynamische Kenngrößenmessschaltkreis 14, die Kondensatorbank 15, der Ansteuerungstreiber 16, die Stromsensoren 17, die Spannungssensoren 18, die Abfangvorrichtung 26, der Digitalisierer 27, das Ladungs-Netzteil 32 und die dynamische Kenngrößensteuerung 33 zusätzlich zu der integrierten Steuerung 31 und der Triggermatrix 25 verwendet. Der Hochstrommessschaltkreis 23 wird ferner für die Messung der Emitter-Kollektor-Spannung Vec verwendet.
Andererseits variieren die Einheiten, die für jede Messung verwendet werden, in der statischen Kenngrößenprüfung. Zum Beispiel werden der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21 und die Hochspannungseinheiten 71 zusätzlich zu der integrierten Steuerung 31 und der Triggermatrix 25 für die Messung des Kollektor-Ausschaltstroms Ices verwendet. Für die Messung der Gate-Emitter-Schwellenspannung Vge (th) werden der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21, die Gate-Servoeinrichtung 22, die Niederspannungseinheiten 72 und die Hochstromquelleneinheit 73 zusätzlich zu der integrierten Steuerung 31 und der Triggermatrix 25 verwendet. Für die Messung des Gate-Emitter-Leckstroms Iges werden der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21 und die Niederspannungseinheiten 72 zusätzlich zu der integrierten Steuerung 31 und der Triggermatrix 25 verwendet. Für die Messung der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce (sat) werden der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21, der Hochstrommessschaltkreis 23, die Niederspannungseinheiten 72 und die Hochstromquelleneinheit 73 zusätzlich zu der integrierten Steuerung 31 und der Triggermatrix 25 verwendet.
In dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 können die bestimmten Einheiten (die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72 und die Hochstromquelleneinheit 73), die entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung selektiv verwendet werden, an der Wechseleinheit 24 angebracht und von ihr getrennt werden. Deshalb können, entsprechend dem geforderten Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung, erforderliche bestimmte Einheiten an der Wechseleinheit 24 angebracht werden und nicht erforderliche bestimmte Einheiten von der Wechseleinheit 24 getrennt werden. Die Gate-Servoeinrichtung 22 kann an den statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 angebracht und von ihm getrennt werden. Deshalb wird die Gate-Servoeinrichtung 22, entsprechend dem geforderten Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung, an den statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 angebracht oder die Gate-Servoeinrichtung 22 wird von dem statischen Kenngrößenmessschaltkreis 21 getrennt. Somit muss das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 nicht eigens entworfen werden, selbst wenn ein durch jeden Nutzer geforderter Prüfgegenstand (Messgegenstand) variiert, und das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1, das geforderte Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens und Trennens der bestimmten Einheiten und der Gate-Servoeinrichtung 22 bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
Außerdem kann der Betrag des erforderlichen Stroms entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung und der geforderten Spezifikationen des Nutzers variieren. Wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Hochstromquelleneinheit 73 erfordert, werden ein Hochstrommaster 75 und ein Hochstromverstärker 76 an der Wechseleinheit 24 angebracht. Wenn die erste Strommenge, die durch den einen Hochstromverstärker 76 geliefert werden kann, kleiner als die Strommenge ist, die für die Messung erforderlich ist, wird eine erforderliche Zahl an Hochstromverstärkern 76 zusätzlich an der Wechseleinheit 24 angebracht. Auf diese Weise muss die Hochstromquelleneinheit 73 entsprechend der Strommenge, die für die geforderte Messung erforderlich ist, nicht eigens entworfen werden, und das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1, das die geforderten Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens der erforderlichen Zahl an Hochstromverstärkern 76 bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
Außerdem kann der Betrag der erforderlichen Spannung entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung und der geforderten Spezifikationen des Nutzers variieren. Wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Hochspannungseinheiten 71 erfordert, wird eine erforderliche Zahl an Hochspannungseinheiten 71 entsprechend dem Spannungswert, der für die Messung erforderlich ist, an der Wechseleinheit 24 angebracht. Ebenso wird eine erforderliche Zahl an Niederspannungseinheiten 72 entsprechend dem Spannungswert, der für die Messung erforderlich ist, an der Wechseleinheit 24 angebracht, wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Niederspannungseinheiten 72 erfordert. Auf diese Weise müssen die Hochspannungseinheiten 71 und die Niederspannungseinheiten 72 entsprechend dem Spannungswert, der für die geforderte Messung erforderlich ist, nicht eigens entworfen werden, und das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1, das die geforderten Spezifikationen durch die einfache Tätigkeit des Anbringens der erforderlichen Zahl an Hochspannungseinheiten 71 und Niederspannungseinheiten 72 bearbeiten kann, kann bereitgestellt werden.
Auf diese Weise werden erforderliche Einheiten entsprechend der geforderten Spezifikationen an der Wechseleinheit 24 angebracht und nicht erforderliche Einheiten von der Wechseleinheit 24 getrennt. In diesem Fall wird die Einheitsdefinitionsdatei entsprechend der Einheiten, die an der Wechseleinheit 24 angebracht und von ihr getrennt werden, in der integrierten Steuerung 31 hinzugefügt und gelöscht. Die integrierte Steuerung 31 detektiert einen Systemkonfigurationsfehler wenn die Einheit, die von der Einheitsdefinitionsdatei bestimmt wird, nicht in der IP-Adresse, die in der Einheitsdefinitionsdatei enthalten ist, existiert. Auf diese Weise kann die integrierte Steuerung 31 die Einheit, die an der Wechseleinheit 24 angebracht ist, erkennen. Es sei darauf hingewiesen, dass die IP-Adresse in der Hochstromquelleneinheit 73 dem Hochstrommaster 75 zugeordnet werden kann und die IP-Adresse nicht den Hochstromverstärkern 76 zugeordnet werden kann. Das heißt eine IP-Adresse kann für die gesamte Hochstromquelleneinheit 73 zugeordnet werden.
Jede Einheit der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten und der Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten ist an einer Position, die näher an dem DUT 2 liegt, angeordnet, wenn das Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch das Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird höher ist. In diesem Fall ist die Einheit, die ein Signal mit einem hohen Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 überträgt und empfängt, nahe an dem DUT 2 angeordnet und die Länge der Verkabelung zwischen der Einheit und dem DUT 2 kann kurz sein. In anderen Worten ist jede Einheit derart angeordnet, dass, je höher das Maß an Beeinflussung ist, desto kürzer die Länge der Verkabelung zwischen der Einheit und dem DUT 2 ist. Deshalb können Induktivitätskomponenten der Verkabelung zur Übertragung eines Signals mit einem hohen Maß an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 reduziert werden und die Messgenauigkeit des DUT 2 kann verbessert werden.
In dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 der Ausführungsformen sind die Einheiten der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten und der Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten entsprechend dem Management-Level Lv auf das erste Gerät 10, das zweite Gerät 20 und das dritte Gerät 30 verteilt. Das heißt jede Einheit befindet sich in einem von dem Gehäuse 19, dem Gehäuse 28 und den Gehäusen 34. Der Abstand von dem DUT 2 (Verkabelungslänge von dem DUT 2) beträgt für die Einheiten des Management-Levels Lv1 zum Beispiel etwa 10 bis 100 mm, der Abstand von dem DUT 2 (Verkabelungslänge von dem DUT 2) beträgt für die Einheiten des Management-Levels Lv2 zum Beispiel etwa 10 bis 100 cm und der Abstand von dem DUT 2 (Verkabelungslänge von dem DUT 2) beträgt für die Einheiten des Management-Levels Lv3 zum Beispiel etwa 10 bis 100 m. Deshalb sind das erste Gerät 10, das zweite Gerät 20 und das dritte Gerät 30 derart angeordnet, dass der Abstand von dem DUT 2 in der Reihenfolge des ersten Geräts 10, des zweiten Geräts 20 und des dritten Geräts 30 zunimmt. In anderen Worten ist das zweite Gerät 20 an einer Position, die weiter von dem DUT 2 entfernt liegt als das erste Gerät 10, angeordnet. Das dritte Gerät 30 ist an einer Position, die weiter von dem DUT 2 entfernt liegt als das zweite Gerät 20, angeordnet. Deshalb sind das Gehäuse 19, das Gehäuse 28 und die Gehäuse 34 derart angeordnet, dass der Abstand von dem DUT 2 in der Reihenfolge des Gehäuses 19, des Gehäuses 28 und der Gehäuse 34 zunimmt.
Wenn sich zum Beispiel alle Einheiten in dem Gehäuse 19, das nahe an dem DUT 2 angeordnet ist, befinden, ist das Gehäuse 19 vergrößert und die Anordnung bei der Verwendung des Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1 ist begrenzt. Andererseits kann jede Einheit verteilt sein und sich entsprechend den Maßen an Beeinflussung der Messgenauigkeit des DUT 2 durch die Signale, die von der Einheit übertragen und empfangen werden, in dem Gehäuse 19, dem Gehäuse 28 und den Gehäusen 34 befinden, um dadurch das Gehäuse 19, das nahe dem DUT 2 angeordnet ist, zu verkleinern, während die Abnahme in der Messgenauigkeit des DUT 2 unterdrückt wird.
Wie in 12 gezeigt ist, kann das Gehäuse 19 (erstes Gerät 10) zum Beispiel zwischen einem Paar von Fördereinrichtungen 3 zur Förderung des DUT 2 angeordnet sein, das Gehäuse 28 (zweites Gerät 20) kann nahe einer Förderlinie, die von dem Paar von Fördereinrichtungen 3 gebildet wird, angeordnet sein und die Gehäuse 34 (drittes Gerät 30) können an einer Position weg von der Förderlinie angeordnet sein. Auf diese Weise, indem das verkleinerte erste Gerät 10 auf der Förderlinie des DUT 2 angeordnet wird, wird es ermöglicht, die Bewegungsstrecke des DUT 2 bei der Lieferung des DUT 2 von der Fördereinrichtung 3, die stromaufwärts der Förderlinie angeordnet ist, an das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 und bei dem Ausstoß des DUT 2 von dem Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 an die Fördereinrichtung 3, die stromabwärts der Förderlinie angeordnet ist, zu verkürzen. Das heißt, wenn das erste Gerät 10 vergrößert ist, muss das Förderintervall des DUT 2 vergrößert werden und die Förderlinie wird groß. Jedoch kann das Förderintervall des DUT 2 durch Verkleinerung des ersten Geräts 10 reduziert werden und die Förderlinie kann verkleinert werden. Deshalb ist es nicht erforderlich, einen Roboter zum Transfer oder dergleichen bereitzustellen, um die Vergrößerung der Förderlinie zu vermeiden. Somit kann die Prüfung des DUT 2 effizient sein. Auf diese Weise kann der Freiheitsgrad der Anordnung bei der Verwendung des Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1 verbessert werden.
Indem außerdem die Abfangvorrichtung 26 nahe der Stromsensoren 17 und der Spannungssensoren 18 angeordnet ist, kann die Verkabelung zwischen den Stromsensoren 17 und der Abfangvorrichtung 26 und zwischen den Spannungssensoren 18 und der Abfangvorrichtung kurz sein und die Detektionsgenauigkeit eines anormalen Zustands kann verbessert werden. Da die dynamische Kenngrößensteuerung 33 und der Ansteuerungstreiber 16 durch die Abfangvorrichtung 26 durch ein optisches Signal verbunden sind, ist eine Hochgeschwindigkeits-Steuerung möglich, selbst wenn die dynamische Kenngrößensteuerung 33 weiter von dem Ansteuerungstreiber 16 entfernt liegt als die Abfangvorrichtung 26. Indem außerdem der Digitalisierer 27 nahe der Stromsensoren 17 und der Spannungssensoren 18 angeordnet ist, kann die Verkabelung zwischen den Stromsensoren und dem Digitalisierer 27 und zwischen den Spannungssensoren und dem Digitalisierer 27 kurz sein und die Messgenauigkeit kann verbessert werden.
Die Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten (der statische Kenngrößenmessschaltkreis 21, die Gate-Servoeinrichtung 22, der Hochstrommessschaltkreis 23, die Triggermatrix 25, die Hochspannungseinheiten 71, die Niederspannungseinheiten 72 und die Hochstromquelleneinheit 73) befindet sich in dem Gehäuse 28. Da die statische Kenngrößenprüfung verglichen mit der dynamischen Kenngrößenprüfung weniger wahrscheinlich durch die Induktivitätskomponenten beeinträchtigt wird, können die statischen Kenngrößeneinheiten an Positionen etwas weg von dem DUT 2 angebracht werden. Auf diese Weise kann die Zahl an Einheiten, die sich in dem Gehäuse 19 befinden, verringert werden. Somit kann das Gehäuse 19 verkleinert werden, ohne die Messgenauigkeit des DUT 2 zu reduzieren.
Indem das DIB 11 entsprechend dem Typ des DUT 2, das geprüft werden soll, verwendet wird, ist es nicht erforderlich, das Leistungshalbleiter-Prüfsystem 1 für jeden der verschiedenen Typen des DUT 2 zu entwerfen. Das heißt der Teil des Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1 bis auf das DIB 11 kann ungeachtet des Typs des DUT 2 geteilt werden.
Es sei darauf hingewiesen, dass das Leistungshalbleiter-Prüfsystem entsprechend der vorliegenden Erfindung nicht auf die Ausführungsformen beschränkt ist. Zum Beispiel sind die Halbleiterelemente, die in dem DUT 2 enthalten sind, nicht auf die IGBTs beschränkt. Die Halbleiterelemente, die in dem DUT 2 enthalten sind, können Feldeffekttransistoren (FETs), Dioden oder dergleichen sein. Selbst in solch einem DUT 2 muss die Ausgestaltung des Leistungshalbleiter-Prüfsystems 1 bis auf das DIB 11 nicht verändert werden, da die Zahl und die Anordnung der Sonden 62 des DIB 11 entsprechend der Anschlüsse des DUT 2 geeignet ausgestaltet sind.
Die Ausgestaltung des statischen Kenngrößenmessschaltkreises 21 kann entsprechend dem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung, der in den geforderten Spezifikationen enthalten ist, verändert werden. Da der Hochstrommessschaltkreis 23 das Messungsziel, das in dem DUT 2 enthalten ist, auswählen muss, kann die Schaltkreiskonfiguration des Hochstrommessschaltkreises 23 entsprechend der Zahl an zu messenden Elementen, die in dem DUT 2 oder dergleichen enthalten sind, verändert werden, wenn die Differenz in der Zahl an zu messenden Elementen, die in dem DUT 2 und dergleichen enthalten sind, entsprechend dem Typ des DUT 2 nicht durch das DIB 11 absorbiert werden kann. Entsprechend der oben erwähnten Konfiguration kann die Verbraucheranforderung durch geeignete Veränderung der bestimmten Einheiten, die an der Wechseleinheit 24 angebracht sind, wenn das Prüfsystem an den Verbraucher abgegeben wird und durch Veränderung der Ausgestaltung des statischen Kenngrößenmessschaltkreises 21 und des Hochstrommessschaltkreises 23 erfüllt werden. In anderen Worten kann die Verbraucheranforderung erfüllt werden, indem hauptsächlich das zweite Gerät 20 verändert wird. Teile außer dem zweiten Gerät 20 können behandelt werden, indem zum Beispiel kleinere Anpassungen der Software der integrierten Steuerung 31 oder dergleichen gemacht werden. Auf diese Weise kann das Prüfsystem schnell an Verbraucher mit verschiedenen Anforderungen abgegeben werden und die Kosten können reduziert werden.
Die Einheiten, die an der Wechseleinheit 24 angebracht sind, können durch Plug-and-Play erkannt werden. In diesem Fall kann die integrierte Steuerung 31 den Systemkonfigurationsfehler detektieren, wenn die Einheiten, die durch die Systemdefinitionsdatei erkannt werden, und die Einheiten, die durch Plug-and-Play erkannt werden, verschieden sind.
Der P-Ausgangsanschluss Tp und der N-Ausgangsanschluss Tn können parallel sein. Wie in 13 gezeigt ist, weist zum Beispiel jeder von dem P-Ausgangsanschluss Tp und dem N-Ausgangsanschluss Tn einen Zylinderabschnitt 91 und einen flachen Plattenabschnitt 92 auf. Der Zylinderabschnitt 91 ist eine metallische Sammelschiene und in den ringförmigen Stromsensor 17 eingesetzt. Ein Außendurchmesser des Zylinderabschnitts 91 ist derselbe wie ein Innendurchmesser des Stromsensors 17 oder ist geringfügig kleiner als der Innendurchmesser des Stromsensors 17. Solch eine Form verbessert die Strommessgenauigkeit während die Stromdichte reduziert wird. Der Zylinderabschnitt 91 weist einen Endabschnitt 91a und einen Endabschnitt 91b auf. Der Endabschnitt 91a ist an einem Ende des Zylinderabschnitts 91 angeordnet und halbzylindrisch. Eine Oberfläche 91c des Endabschnitts 91a entlang einer axialen Mitte des Zylinderabschnitts 91 ist mit einer Oberfläche auf einer Seite eines Substrats 53 der Kondensatorbank 15 in Kontakt. Die Oberfläche 91c des P-Ausgangsanschlusses Tp ist mit einer Oberfläche 53a des Substrats 53 in Kontakt. Die Oberfläche 91c des N-Ausgangsanschlusses Tn ist mit einer Oberfläche 53b, die eine Oberfläche gegenüberliegend der Oberfläche 53a des Substrats 53 ist, in Kontakt.
Der Endabschnitt 91b ist an dem anderen Ende des Zylinderabschnitts 91 angeordnet. Der flache Plattenabschnitt 92 ist mit dem Endabschnitt 91b elektrisch verbunden. Der flache Plattenabschnitt 92 des P-Ausgangsanschlusses Tp und der flache Plattenabschnitt 92 des N-Ausgangsanschlusses Tn sind als parallele flache Platten ausgebildet, die durch flach geflochtene Leiter über einen Isolator gebildet werden. Der Isolator ist zum Beispiel isolierendes Papier oder ein isolierender wärmeschrumpffähiger Schlauch. In diesem Fall, da der flache Plattenabschnitt 92 des P-Ausgangsanschlusses Tp und der flache Plattenabschnitt 92 des N-Ausgangsanschlusses Tn parallel sind und Ströme in entgegengesetzte Richtungen in dem flachen Plattenabschnitt 92 des P-Ausgangsanschlusses Tp und dem flachen Plattenabschnitt 92 des N-Ausgangsanschlusses Tn fließen, kann die Induktivität des P-Ausgangsanschlusses Tp und des N-Ausgangsanschlusses Tn reduziert werden. Somit kann die Messgenauigkeit der dynamischen Kenngrößenprüfung verbessert werden. Darüber hinaus kann ebenfalls die Flexibilität der flachen Plattenabschnitte 92 realisiert werden.
Außerdem können das Verbindungsmuster des P-Ausgangsanschlusses Tp und der Kondensatorbank 15 und das Verbindungsmuster des N-Ausgangsanschlusses Tn und der Kondensatorbank 15 parallel sein. 14 ist ein Diagramm, das schematisch ein Beispiel der Kondensatorbank 15 zeigt, wobei (a) von 14 eine Querschnittsansicht der Kondensatorbank 15 und (b) von 14 eine Stirnansicht entlang einer Linie XIVb-XIVb von (a) von 14 ist. Wie in 14 gezeigt ist, weist die Kondensatorbank 15 eine Vielzahl von Kondensatoren 51, den Hauptschalterabschnitt 52 und das Substrat 53 auf. Das Substrat 53 ist eine mehrschichtige gedruckte Leiterplatte. In dem in 14 gezeigten Beispiel ist das Substrat 53 eine vierschichtige gedruckte Leiterplatte. Das Substrat 53 weist die Oberfläche 53a und die Oberfläche 53b, die eine Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der Oberfläche 53a ist, auf. Das Substrat 53 weist eine Basis 54, die ein plattenartiger Isolator ist, auf und weist eine erste Schicht 55, eine zweite Schicht 56, eine dritte Schicht 57 und eine vierte Schicht 58 als Verdrahtungsschichten auf. Die erste Schicht 55, die zweite Schicht 56, die dritte Schicht 57 und die vierte Schicht 58 sind durch ein leitendes Material wie Kupferfolie ausgebildet. Ein Verdrahtungsmuster ist auf jeder von der ersten Schicht 55, der zweiten Schicht 56, der dritten Schicht 57 und der vierten Schicht 58 ausgebildet.
Die Basis 54 weist eine Oberfläche 54a und eine Oberfläche 54b, die eine Oberfläche auf der gegenüberliegenden Seite der Oberfläche 54a ist, auf. Die erste Schicht 55 wird auf der Oberfläche 54a bereitgestellt. Die zweite Schicht 56 und die dritte Schicht 57 werden innerhalb der Basis 54 bereitgestellt. Die +-Anschlüsse des Kondensators 51, der Hauptschalterabschnitt 52 und der P-Ausgangsanschluss Tp sind mit der zweiten Schicht 56 elektrisch verbunden und die Verdrahtung der zweiten Schicht 56 bildet eine P-Ausgangsverdrahtung. Die --Anschlüsse der Kondensatoren 51 und der N-Ausgangsanschluss Tn sind mit der dritten Schicht 57 elektrisch verbunden und die Verdrahtung der dritten Schicht 57 bildet eine N-Ausgangsverdrahtung. Die vierte Schicht 58 wird auf der Oberfläche 54b bereitgestellt. Die Oberfläche 53a ist äquivalent zu der Oberfläche 54a, die mit der ersten Schicht 55 versehen ist, und die Oberfläche 53b ist äquivalent zu der Oberfläche 54b, die mit der vierten Schicht 58 versehen ist.
An dem Endabschnitt 53c des Substrats 53 sind der Endabschnitt 91a des P-Ausgangsanschlusses Tp und der Endabschnitt 91a des N-Ausgangsanschlusses Tn derart angeordnet, dass sie das Substrat 53 sandwichartig einschließen. Die erste Schicht 55 hat ein Verbindungsmuster 55a zur elektrischen Verbindung des Endabschnitts 91a des P-Ausgangsanschlusses Tp an dem Endabschnitt 53c. Die vierte Schicht 58 hat ein Verbindungsmuster 58a zur elektrischen Verbindung des Endabschnitts 91a des N-Ausgangsanschlusses Tn an dem Endabschnitt 53c. Das Verbindungsmuster 55a und das Verbindungsmuster 58a sind parallel angeordnet.
IVHs (interstitielle Kontaktlöcher) 59 werden auf der Basis 54 bereitgestellt. Die IVHs 59 sind Strukturen zur elektrischen Verbindung der Schichten des Substrats 53, indem ein leitendes Material an Wandflächen von Löchern, die die Basis 54 nicht durchdringen, bereitgestellt wird. Die IVHs 59 weisen IVHs 59a und IVHs 59b auf. Die IVHs 59a erstrecken sich von der Oberfläche 54a zum Innern der Basis 54 und verbinden das Verbindungsmuster 55a der ersten Schicht 55 und die zweite Schicht 56 elektrisch miteinander. Die IVHs 59b erstrecken sich von der Oberfläche 54b zum Innern der Basis 54 und verbinden die dritte Schicht 57 und das Verbindungsmuster 58a der vierten Schicht 58 elektrisch miteinander.
Wie in 15 gezeigt ist, wenn normale Durchgangskontaktlöcher 159 statt der IVHs verwendet werden, werden Löcher, die die Basis 54 durchdringen, an dem Endabschnitt 53c bereitgestellt. Da die Potentialdifferenz um die Durchgangskontaktlöcher 159 groß ist, muss das Verdrahtungsmuster in einem Isolierungsabstand von den Durchgangskontaktlöchern 159 bereitgestellt werden. Deshalb, da das Verdrahtungsmuster nicht um die Durchgangskontaktlöcher 159 bereitgestellt werden kann, können das Verbindungsmuster 55a und das Verbindungsmuster 58a an dem Endabschnitt 53c des Substrats 53 nicht ausreichend parallel sein und die Induktivität nimmt entsprechend zu.
Indem die IVHs 59 verwendet werden, können auf diese Weise das Verbindungsmuster 55a und das Verbindungsmuster 58a an dem Endabschnitt 53c des Substrats 53 parallel angeordnet werden. Deshalb kann die Induktivität der P-Ausgangsverdrahtung, die das Verbindungsmuster 55a aufweist, und der N-Ausgangsverdrahtung, die das Verbindungsmuster 58a aufweist, weiter reduziert werden. Somit kann die Messgenauigkeit der dynamischen Kenngrößenprüfung weiter verbessert werden.
Die Dicke der zweiten Schicht 56 und der dritten Schicht 57 können größer als die Dicke der ersten Schicht 55 und der vierten Schicht 58 sein. In diesem Fall kann der Strom, der durch die zweite Schicht 56 und die dritte Schicht 57 fließt, erhöht werden. Das Intervall zwischen der zweiten Schicht 56 und der dritten Schicht 57 kann kleiner als das Intervall zwischen der ersten Schicht 55 und der zweiten Schicht 56 und das Intervall zwischen der dritten Schicht 57 und der vierten Schicht 58 sein. In diesem Fall kann die Induktivität der P-Ausgangsverdrahtung und der N-Ausgangsverdrahtung weiter reduziert werden und die Messgenauigkeit der dynamischen Kenngrößenprüfung kann weiter verbessert werden.
Bezugszeichenliste
1 ... Leistungshalbleiter-Prüfsystem (Prüfsystem), 2 ... DUT (zu prüfende Vorrichtung), 10 ... erstes Gerät, 11 ... DIB (Schnittstellenplatte) , 12 ... Prüfkopf, 14 ... dynamischer Kenngrößenmessschaltkreis (dynamische Kenngrößeneinheit), 15 ... Kondensatorbank (dynamische Kenngrößeneinheit), 16 ... Ansteuerungstreiber (dynamische Kenngrößeneinheit), 17 ... Stromsensor (dynamische Kenngrößeneinheit), 18 ... Spannungssensor (dynamische Kenngrößeneinheit), 19 ... Gehäuse (erstes Gehäuse), 20 ... zweites Gerät, 21 ... statischer Kenngrößenmessschaltkreis (statische Kenngrößeneinheit), 22 ... Gate-Servoeinrichtung (statische Kenngrößeneinheit), 23 ... Hochstrommessschaltkreis (statische Kenngrößeneinheit), 24 ... Wechseleinheit (statische Kenngrößeneinheit), 25 ... Triggermatrix, 28 ... Gehäuse (zweites Gehäuse), 26 ... Abfangvorrichtung (dynamische Kenngrößeneinheit), 27 ... Digitalisierer (dynamische Kenngrößeneinheit), 30 ... drittes Gerät, 31 ... integrierte Steuerung, 32 ... Ladungs-Netzteil (dynamische Kenngrößeneinheit), 33 ... dynamische Kenngrößensteuerung (dynamische Kenngrößeneinheit), 34, 34a, 34b ... Gehäuse (drittes Gehäuse), 62, 62p, 62n, 62o, 62g ... Sonden, 71 ... Hochspannungseinheit (statische Kenngrößeneinheit, bestimmte Einheit, erste Spannungseinheit), 72 ... Niederspannungseinheit (statische Kenngrößeneinheit, bestimmte Einheit, zweite Spannungseinheit), 73 ... Hochstromquelleneinheit (statische Kenngrößeneinheit, bestimmte Einheit, Stromquelleneinheit), 75 ... Hochstrommaster, 76 ... Hochstromverstärker (Stromquellenuntereinheit) .

Claims

Prüfsystem zur Durchführung einer Prüfung, die eine statische Kenngrößenprüfung einer zu prüfenden Vorrichtung aufweist, wobei das Prüfsystem aufweist: eine Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten, die zur Messung der statischen Kenngrößenprüfung verwendet werden; und eine Wechseleinheit, die so konfiguriert ist, dass sie bestimmte Einheiten der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten anbringen und trennen kann, wobei die bestimmten Einheiten entsprechend einem Messgegenstand der statischen Kenngrößenprüfung selektiv verwendet werden.
Prüfsystem nach Anspruch 1, wobei die bestimmten Einheiten aufweisen: eine erste Spannungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie eine erste Spannung an die zu prüfende Vorrichtung anlegt; eine zweite Spannungseinheit, die so konfiguriert ist, dass sie eine zweite Spannung, die kleiner als die erste Spannung ist, an die zu prüfende Vorrichtung anlegt; und eine Stromquelleneinheit, die so konfiguriert ist, dass sie einen Strom an die zu prüfende Vorrichtung liefert, und wobei die erste Spannungseinheit, die zweite Spannungseinheit und die Stromquelleneinheit entsprechend einem geforderten Messgegenstand an der Wechseleinheit angebracht werden.
Prüfsystem nach Anspruch 2, bei dem die Stromquelleneinheit eine Vielzahl von Stromquellenuntereinheiten aufweist, die so konfiguriert ist, dass sie einen Strom einer ersten Strommenge an die zu prüfende Vorrichtung liefert, und wenn der Messgegenstand ein Messgegenstand ist, der die Stromquelleneinheit erfordert, eine erforderliche Zahl an Stromquellenuntereinheiten unter der Vielzahl von Stromquellenuntereinheiten entsprechend einer Strommenge, die für den Messgegenstand erforderlich ist, an der Wechseleinheit angebracht wird.
Prüfsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das ferner eine Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten zur Durchführung einer dynamischen Kenngrößenprüfung der zu prüfenden Vorrichtung aufweist.
Prüfsystem nach Anspruch 4, wobei jede Einheit der Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten und der Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten an einer Position, die näher an der zu prüfenden Vorrichtung liegt, angeordnet ist, wenn ein Maß an Beeinflussung einer Messgenauigkeit der zu prüfenden Vorrichtung durch ein Signal, das durch die Einheit übertragen und empfangen wird, höher ist.
Prüfsystem nach Anspruch 5, das ferner ein erstes Gehäuse, ein zweites Gehäuse und ein drittes Gehäuse aufweist, wobei das erste Gehäuse, das zweite Gehäuse und das dritte Gehäuse derart angeordnet sind, dass ein Abstand von der zu prüfenden Vorrichtung in der Reihenfolge des ersten Gehäuses, des zweiten Gehäuses und des dritten Gehäuses zunimmt, und die jede Einheit sich in einem von dem ersten Gehäuse, dem zweiten Gehäuse und dem dritten Gehäuse entsprechend dem Maß an Beeinflussung befindet.
Prüfsystem nach Anspruch 6, bei dem sich die Vielzahl von statischen Kenngrößeneinheiten in dem zweiten Gehäuse befindet.
Prüfsystem nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei die Vielzahl von dynamischen Kenngrößeneinheiten aufweist: einen dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis zur Durchführung der dynamischen Kenngrößenprüfung; eine dynamische Kenngrößensteuerung, die so konfiguriert ist, dass sie den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis und die zu prüfende Vorrichtung entsprechend einer voreingestellten Messstruktur der dynamischen Kenngrößenprüfung steuert; und eine Abfangvorrichtung, die so konfiguriert ist, dass sie den dynamischen Kenngrößenmessschaltkreis und die zu prüfende Vorrichtung steuert, wenn ein anormaler Zustand in der dynamischen Kenngrößenprüfung festgestellt wird; und die Abfangvorrichtung ist an einer Position, die näher an der zu prüfenden Vorrichtung als die dynamische Kenngrößensteuerung liegt, angeordnet.
Prüfsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das ferner ein Schnittstellensubstrat zum Absorbieren einer physikalischen Differenz entsprechend einem Typ der zu prüfenden Vorrichtung aufweist, wobei das Schnittstellensubstrat Sonden, die elektrisch mit Elektroden der zu prüfenden Vorrichtung verbunden sind, aufweist, und die Zahl und die Anordnung der Sonden entsprechend dem Typ der zu prüfenden Vorrichtung festgelegt werden.
Prüfsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die zu prüfende Vorrichtung ein Leistungshalbleitermodul ist.