CN117110824B - 半导体器件原位测试系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。
Description
技术领域
本发明涉及半导体性能测试技术领域，尤其涉及半导体器件原位测试系统。
背景技术
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）和氮化铝（AlN）为代表的第三代半导体，由于具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率、更大的电子饱和速度和更好的抗辐射能力，在高压高功率的应用场景中被广泛使用。半导体器件的稳定可靠性至关重要，检测半导体器件在不同场景使用下的性能是评估第三代半导体功率器件稳定可靠性的关键。因此，为准确评估半导体器件的稳定可靠性，需考虑如何测试半导体器件的性能。
发明内容
本发明通过提供半导体器件原位测试系统，解决了如何测试第三代半导体器件性能的技术问题。
本发明提供如下技术方案：
一种半导体器件原位测试系统，包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；
所述静态测试单元经所述静态测试通道连接待测半导体器件，所述静态测试单元用于输出静态测试信号并显示所述待测半导体器件的静态测试数据；
所述动态测试单元经所述动态测试通道连接所述待测半导体器件，所述动态测试单元用于输出动态测试信号并显示所述待测半导体器件的动态测试数据；
所述通道切换控制单元分别连接所述静态测试通道和所述动态测试通道，所述通道切换控制单元用于控制所述静态测试通道导通的同时控制所述动态测试通道关断，控制所述静态测试通道关断的同时控制所述动态测试通道导通。
可选的，所述静态测试通道包括第一通道、第二通道和第三通道；
所述静态测试单元分别经所述第一通道连接所述待测半导体器件的G端、经所述第二通道连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第三通道接地；
所述通道切换控制单元分别连接所述第一通道、所述第二通道和所述第三通道，所述通道切换控制单元用于控制所述第一通道、所述第二通道和所述第三通道同时导通或同时断开。
可选的，所述第一通道或所述第二通道或所述第三通道包括晶体管；
所述通道切换控制单元包括信号发生模块和反相电路；
所述信号发生模块经所述反相电路连接所述晶体管的控制端；
所述信号发生模块用于输出高电平或低电平或方波脉冲信号，所述反相电路用于对所述信号发生模块的输出信号反相。
可选的，所述反相电路包括反相器，所述信号发生模块经所述反相器连接所述晶体管的控制端。
可选的，所述第一通道、所述第二通道及所述第三通道的电路结构相同。
可选的，所述动态测试单元包括电源、触发模块和示波器，所述动态测试通道包括第四通道、第五通道和第六通道；
所述触发模块经所述第四通道连接所述待测半导体器件的G端，所述触发模块用于输出触发信号，所述电源经所述第五通道连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第六通道接地；
所述待测半导体器件的G端、D端、S端还分别连接所述示波器；
所述通道切换控制单元用于控制所述第四通道、所述第五通道和所述第六通道同时导通或同时断开。
可选的，所述第四通道或所述第五通道或所述第六通道包括串联的光敏二极管和运算放大器；
所述通道切换控制单元包括信号发生模块和激光发射电路，所述信号发生模块连接所述激光发射电路；
所述信号发生模块用于输出高电平或低电平或方波脉冲信号，所述激光发射电路用于在接收到高电平时发出激光、在接收到低电平时熄灭。
可选的，所述激光发射电路包括激光驱动电路和激光二极管，所述信号发生模块经所述激光驱动电路连接所述激光二极管，所述激光驱动电路用于在接收到高电平时驱动所述激光二极管发光。
可选的，所述第四通道、所述第五通道及所述第六通道的电路结构相同。
可选的，所述静态测试单元为源测量单元。
本发明提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
当通道切换控制单元控制静态测试通道一直导通、控制动态测试通道一直关断时，静态测试单元可以经静态测试通道输出静态测试信号至待测半导体器件，并显示待测半导体器件的静态测试数据，完成待测半导体器件的静态特性测试；当通道切换控制单元控制动态测试通道一直导通、控制静态测试通道一直关断时，动态测试单元可以经动态测试通道输出动态测试信号至待测半导体器件，并显示待测半导体器件的动态测试数据，完成待测半导体器件的动态特性测试；当通道切换控制单元控制静态测试通道和动态测试通道快速交替导通时，可以先完成待测半导体器件的静态特性测试、再完成待测半导体器件的动态特性测试、再一次完成待测半导体器件的静态特性测试，最终完成待测半导体器件的退化特性测试；从而实现待测半导体器件的性能测试。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中半导体器件原位测试系统的结构示意图；
图2为本发明实施例中半导体器件原位测试系统的另一结构示意图；
图3为本发明实施例中UI控制界面的示意图；
图4为本发明实施例中半导体器件原位测试系统的电路图；
图5为本发明实施例中信号发生模块、激光器、晶体管的时序图。
具体实施方式
本发明实施例通过提供半导体器件原位测试系统，解决了如何测试第三代半导体器件性能的技术问题。
为了更好的理解本发明的技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对本发明的技术方案进行详细的说明。
如图1所示，本发明实施例中的半导体器件原位测试系统包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道，通道切换控制单元用于控制静态测试通道导通的同时控制动态测试通道关断，控制静态测试通道关断的同时控制动态测试通道导通。
本发明实施例中，当通道切换控制单元控制静态测试通道一直导通、控制动态测试通道一直关断时，静态测试单元可以经静态测试通道输出静态测试信号至待测半导体器件，并显示待测半导体器件的静态测试数据，完成待测半导体器件的静态特性测试；当通道切换控制单元控制动态测试通道一直导通、控制静态测试通道一直关断时，动态测试单元可以经动态测试通道输出动态测试信号至待测半导体器件，并显示待测半导体器件的动态测试数据，完成待测半导体器件的动态特性测试；当通道切换控制单元控制静态测试通道和动态测试通道快速交替导通时，可以先完成待测半导体器件的静态特性测试、再完成待测半导体器件的动态特性测试、再一次完成待测半导体器件的静态特性测试，最终完成待测半导体器件的退化特性测试；从而实现待测半导体器件的性能测试。
进一步的，如图2所示，静态测试通道可以包括第一通道、第二通道和第三通道；静态测试单元分别经第一通道连接待测半导体器件的G端、经第二通道连接待测半导体器件的D端，待测半导体器件的S端经第三通道接地；通道切换控制单元分别连接第一通道、第二通道和第三通道，通道切换控制单元用于控制第一通道、第二通道和第三通道同时导通或同时断开。动态测试单元可以包括电源、触发模块和示波器，动态测试通道包括第四通道、第五通道和第六通道；触发模块经第四通道连接待测半导体器件的G端，触发模块用于输出触发信号，电源经第五通道连接待测半导体器件的D端，待测半导体器件的S端经第六通道接地；待测半导体器件的G端、D端、S端还分别连接示波器；通道切换控制单元用于控制第四通道、第五通道和第六通道同时导通或同时断开。
其中，电源可以为可编程高压交流电源；示波器用于显示待测半导体器件的动态特性曲线；触发信号可以为可编辑的脉冲信号。当通道切换控制单元控制第一通道、第二通道和第三通道导通、控制第四通道、第五通道和第六通道关断时，静态测试单元输出静态测试信号，可以实现待测半导体器件的静态特性测试；当通道切换控制单元控制第一通道、第二通道和第三通道关断、控制第四通道、第五通道和第六通道导通时，触发模块经第四通道输出触发信号至待测半导体器件的G端，电源经第五通道输出高压应力至待测半导体器件的D端，即动态测试信号包括触发信号和高压电源信号，可以实现待测半导体器件的动态特性测试。
进一步的，第一通道或第二通道或第三通道可以包括晶体管，第四通道或第五通道或第六通道可以包括串联的光敏二极管和运算放大器；通道切换控制单元可以包括信号发生模块、反相电路和激光发射电路。信号发生模块经反相电路连接晶体管的控制端；信号发生模块用于输出高电平或低电平或方波脉冲信号，反相电路用于对信号发生模块的输出信号反相。激光发射电路用于在接收到高电平时发出激光、在接收到低电平时熄灭，激光开关电路用于在接收到激光时导通、未接收到激光时断开。其中，激光发射电路又可以包括激光驱动电路和激光二极管，信号发生模块经激光驱动电路连接激光二极管，激光驱动电路用于在接收到高电平时驱动激光二极管发光。
当然，第一通道、第二通道及第三通道的电路结构可以相同也可以不同，第四通道、第五通道及第六通道的电路结构可以相同也可以不同，本发明实施例中选择第一通道、第二通道及第三通道的电路结构相同，第四通道、第五通道及第六通道的电路结构相同，从而第一通道、第二通道及第三通道各包括一个晶体管，第四通道、第五通道及第六通道各包括一路光敏二极管，通道切换控制单元包括三路反相电路和三路激光发射电路，三路反相电路分别对应三个晶体管，三路激光发射电路分别对应三路光敏二极管。
当信号发生模块输出低电平时，三路反相电路输出高电平，第一通道、第二通道和第三通道导通；三路激光驱动电路接收到低电平，三路激光二极管不发光，三路光敏二极管截止，第四通道、第五通道和第六通道关断。当信号发生模块输出高电平时，三路反相电路输出低电平，第一通道、第二通道和第三通道关断；三路激光驱动电路接收到高电平，三路激光二极管发光，三路光敏二极管导通，第四通道、第五通道和第六通道导通。当信号发生模块输出方波脉冲信号时，方波脉冲信号处于低电平时，第一通道、第二通道和第三通道导通、第四通道、第五通道和第六通道关断；方波脉冲信号处于高电平时，第一通道、第二通道和第三通道关断、第四通道、第五通道和第六通道导通。
进一步的，如图3所示，本发明实施例的半导体器件原位测试系统还可以包括UI控制界面，UI控制界面用于选择测试模式、测试参数、触发信号、控制测试开始停止、接收测试数据并对测试数据进行实时显示，测试模式包括静态特性测试模式、动态特性测试模式和退化特性测试模式，测试参数包括待测半导体器件各端口的输入起始电压、终点电压、限流大小和测试电压步长等，触发信号包括波形输出通道、触发模式、触发波形的幅值、周期、增益峰宽等。UI控制界面与静态测试单元、触发模块、信号发生模块均保持连接。
如图4所示，DUT为待测半导体器件，Gin1-Gout1为第一通道，Din1-Dout1为第二通道，Sin1-Sout1为第三通道，U5-EPC8010为晶体管，U6-SN74为反相器，每一路反相电路包括一个反相器，信号发生模块经反相器连接对应晶体管的控制端。触发模块和信号发生模块均可以属于信号发生器的一部分，触发模块通过信号发生器的通道1输出触发信号，信号发生模块通过信号发生器的通道2输出高电平或低电平或方波脉冲信号，方波脉冲信号可以为幅值5V、下降和上升沿为5ns、脉宽可调。PSA6000为电源，Gin2-Gout2为第四通道，Din2-Dout2为第五通道，Sin2-Sout2为第六通道，D2-PD15为光敏二极管，U4-LM358为运算放大器，D1-SPL90_3为激光二极管。
对待测半导体器件进行静态特性测试时，信号发生器的通道2输出低电平，三路反相器输出高电平，第一通道、第二通道、第三通道导通；三路激光驱动电路接收到低电平，激光二极管不发光，光敏二极管截止，第四通道、第五通道、第六通道关断。在图3的UI控制界面中选择静态特性测试模式，选择静态测试信号：（1）对待测半导体器件的输出特性进行测试时，通过源测量单元的Hi1通道、第一通道编译Vg信号至待测半导体器件的G端；Lo1通道与节点Sin1相连并接地，待测半导体器件的S端通过第三通道接地；UI控制界面自定义测试参数并通过Hi2通道、第二通道传输至待测半导体器件的D端；Lo2通道与节点Sin1相连，与Hi2通道共同捕捉输出特性测试完成后的输出信号并输出曲线至测试结果波形显示框内；（2）对待测半导体器件的转移特性进行测试时，通过源测量单元的Hi2通道、第二通道编译Vd信号至待测半导体器件的D端；Lo2通道与节点Sin1相连并接地，待测半导体器件的S端通过第三通道接地；UI控制界面自定义测试参数并通过Hi1通道、第一通道传输至待测半导体器件的G端；Lo1通道与节点Sin1相连，与Hi1通道共同捕捉转移特性测试完成后的输出信号并输出曲线至测试结果波形显示框内。
对待测半导体器件进行动态特性测试时，信号发生器的通道2输出高电平，三路反相器输出低电平，第一通道、第二通道、第三通道关断；三路激光驱动电路接收到高电平，激光二极管发光，光敏二极管导通，第四通道、第五通道、第六通道导通。在图3的UI控制界面中选择动态特性测试模式，并自定义触发信号，触发信号通过信号发生器的通道1、第四通道传输至待测半导体器件的G端；PSA6000将高压应力通过第五通道输入待测半导体器件的D端；待测半导体器件的S端通过第六通道接地。示波器的Channel_A通道与待测半导体器件的G端和S端相连、 Channel_B通道与待测半导体器件的D端和S端相连、 Channel_C通道与待测半导体器件的D端和S端相连，分别待测半导体器件的Vgs、Ids与Vds信号曲线，并将动态特性曲线反馈到待测芯片测试结果波形显示框内，完成动态测试。
对待测半导体器件进行退化特性测试时，信号发生器的通道2输出方波脉冲信号，在方波脉冲信号处于低电平时，完成待测半导体器件的静态特性测试；静态特性测试完成后，方波脉冲信号经过5ns的上升沿达到高电平，完成待测半导体器件的动态特性测试；动态特性测试完成后，方波脉冲信号经过5ns的下降沿达到低电平，完成待测半导体器件的静态特性测试；从而完成待测半导体器件的退化特性测试。如图5所示为信号发生器的通道2、激光器、晶体管的时序图。
图4中，激光驱动电路包括由稳压器XC6206(U3)、三极管9013(Q3)组成的稳压电路，以及由运算放大器LMV321（U2）、三极管9013(Q1,Q2)组成的电流信号放大电路，以及由运算放大器LMV321(U1)组成的反馈电压信号放大电路。信号发生模块的输出信号经过稳压电路后，通过U2、Q1和Q2放大送入U1的负输入端，构成电流负反馈电路，使输出电流向反方向调节输出恒流。信号发生模块的输出信号通过U1的负输入端与产生的恒流叠加形成激光器的驱动电流。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (8)
1.一种半导体器件原位测试系统，其特征在于，包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；
所述静态测试单元经所述静态测试通道连接待测半导体器件，所述静态测试单元用于输出静态测试信号并显示所述待测半导体器件的静态测试数据；
所述动态测试单元经所述动态测试通道连接所述待测半导体器件，所述动态测试单元用于输出动态测试信号并显示所述待测半导体器件的动态测试数据；
所述通道切换控制单元分别连接所述静态测试通道和所述动态测试通道，所述通道切换控制单元用于控制所述静态测试通道导通的同时控制所述动态测试通道关断，控制所述静态测试通道关断的同时控制所述动态测试通道导通；
所述静态测试通道包括第一通道、第二通道和第三通道；所述静态测试单元分别经所述第一通道连接所述待测半导体器件的G端、经所述第二通道连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第三通道接地；所述通道切换控制单元分别连接所述第一通道、所述第二通道和所述第三通道，所述通道切换控制单元用于控制所述第一通道、所述第二通道和所述第三通道同时导通或同时断开；
所述第一通道或所述第二通道或所述第三通道包括晶体管；所述通道切换控制单元包括信号发生模块和反相电路；所述信号发生模块经所述反相电路连接所述晶体管的控制端；所述信号发生模块用于输出高电平或低电平或方波脉冲信号，所述反相电路用于对所述信号发生模块的输出信号反相；所述静态测试单元分别经所述第一通道的所述晶体管连接所述待测半导体器件的G端、经所述第二通道的所述晶体管连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第三通道的所述晶体管接地。
2.如权利要求1所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述反相电路包括反相器，所述信号发生模块经所述反相器连接所述晶体管的控制端。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述第一通道、所述第二通道及所述第三通道的电路结构相同。
4.如权利要求1所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述动态测试单元包括电源、触发模块和示波器，所述动态测试通道包括第四通道、第五通道和第六通道；
所述触发模块经所述第四通道连接所述待测半导体器件的G端，所述触发模块用于输出触发信号，所述电源经所述第五通道连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第六通道接地；
所述待测半导体器件的G端、D端、S端还分别连接所述示波器；
所述通道切换控制单元用于控制所述第四通道、所述第五通道和所述第六通道同时导通或同时断开。
5.如权利要求4所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述第四通道或所述第五通道或所述第六通道包括串联的光敏二极管和运算放大器；
所述通道切换控制单元包括信号发生模块和激光发射电路，所述信号发生模块连接所述激光发射电路；
所述信号发生模块用于输出高电平或低电平或方波脉冲信号，所述激光发射电路用于在接收到高电平时发出激光、在接收到低电平时熄灭；
所述触发模块经所述第四通道中串联的所述光敏二极管和所述运算放大器连接所述待测半导体器件的G端，所述电源经所述第五通道中串联的所述光敏二极管和所述运算放大器连接所述待测半导体器件的D端，所述待测半导体器件的S端经所述第六通道中串联的所述光敏二极管和所述运算放大器接地；
所述光敏二极管用于在所述激光发射电路发出激光时导通、在所述激光发射电路熄灭时截止。
6.如权利要求5所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述激光发射电路包括激光驱动电路和激光二极管，所述信号发生模块经所述激光驱动电路连接所述激光二极管，所述激光驱动电路用于在接收到高电平时驱动所述激光二极管发光。
7.如权利要求4-6任一所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述第四通道、所述第五通道及所述第六通道的电路结构相同。
8.如权利要求1所述的半导体器件原位测试系统，其特征在于，所述静态测试单元为源测量单元。
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Citations (10)
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|---|---|---|---|---|
| JP2008157695A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子評価装置及び半導体素子評価方法 |
| CN108139443A (zh) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 新东工业株式会社 | 测试系统 |
| CN212410779U (zh) * | 2020-03-20 | 2021-01-26 | 致瞻科技(上海)有限公司 | 用于测试开关器件动静态参数并快速分析仿真的装置 |
| CN214795101U (zh) * | 2021-02-06 | 2021-11-19 | 天津普智芯网络测控技术有限公司 | 一种数据转换器件验证系统的dac测试电路 |
| CN215910805U (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-25 | 西安远飞航空技术发展有限公司 | 一种实现测试通道快速导通切换电路 |
| CN114325301A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-12 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 用于adc芯片的测试设备及方法 |
| CN114487768A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-13 | 井芯微电子技术(天津)有限公司 | 芯片静态工作自动化测试系统及方法 |
| CN115598484A (zh) * | 2022-09-21 | 2023-01-13 | 深圳氮芯科技有限公司（Cn） | 一种测试氮化镓晶体管的系统及方法、设备、介质 |
| CN116209904A (zh) * | 2020-05-27 | 2023-06-02 | 创建测试电子自动化有限责任公司 | 用于对功率半导体设备的高电压和高电流测试的针式探针卡的安全系统、相关测试机及相应测试方法 |
| CN116593924A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-08-15 | 重庆凯际科技有限公司 | 电源模块测试系统 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008157695A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子評価装置及び半導体素子評価方法 |
| CN108139443A (zh) * | 2015-09-29 | 2018-06-08 | 新东工业株式会社 | 测试系统 |
| CN212410779U (zh) * | 2020-03-20 | 2021-01-26 | 致瞻科技(上海)有限公司 | 用于测试开关器件动静态参数并快速分析仿真的装置 |
| CN116209904A (zh) * | 2020-05-27 | 2023-06-02 | 创建测试电子自动化有限责任公司 | 用于对功率半导体设备的高电压和高电流测试的针式探针卡的安全系统、相关测试机及相应测试方法 |
| CN214795101U (zh) * | 2021-02-06 | 2021-11-19 | 天津普智芯网络测控技术有限公司 | 一种数据转换器件验证系统的dac测试电路 |
| CN215910805U (zh) * | 2021-09-23 | 2022-02-25 | 西安远飞航空技术发展有限公司 | 一种实现测试通道快速导通切换电路 |
| CN114325301A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-04-12 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 用于adc芯片的测试设备及方法 |
| CN114487768A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-05-13 | 井芯微电子技术(天津)有限公司 | 芯片静态工作自动化测试系统及方法 |
| CN115598484A (zh) * | 2022-09-21 | 2023-01-13 | 深圳氮芯科技有限公司（Cn） | 一种测试氮化镓晶体管的系统及方法、设备、介质 |
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