JPS6263873A - 半導体測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体装置の動特性測定を行なうだめの半
導体測定装置に関するもので、特に測定回路の配線長が
測定に影響を与えるような特性試験用の装置に係わる０ 〔発明の技術的背景とその問題点〕 一般に、半導体装置、例えばサイリスタの動特性として
は、臨界順電流上昇時間ｄ　１／　ｄ　ｔ　ｓオン時間
ｔｏｎ　、遅延時間ｔｄ　　、およびストレージ時間ｔ
ｇｔ等があり、これらの測定条件は印加電圧と放電回路
のりアクタンスＬ、キャパシタンスＣ，レジスタＲによ
って決定される。そして、ｆ！ｉｉ類の異なる半導体装
置を測定する場合には、測定する半導体装置への印加電
圧と放電回路のりアクタンスＬ、キャパシタンスＣ，レ
ジスメＲの条件を切換えて所定の測定条件を得でいる。

第４図は、上述したような測定を行なうための従来の半
導体測定装置の回路構成を示しでいる０第４図において
、１１は電源回路で、この電源回路１１は電源スィッチ
１２、トランス１３、整流用ダイオード１４．１５およ
び抵抗１６等から構成されている。上記電源回路１ノに
は、リアクタ１７．〜１７４、抵抗１８．〜ＩＢ、およ
びキャパシタ１９．〜１９ｊ等が接続されでおり、切換
スイッチ２０．〜２０．。

２ノ、〜２１．．２２によって上記リアクタ１７、〜１
７４　、抵抗１８Ｉ〜１８１．キＹバシタ１９．〜１９
３が選択される。上記リアクタＪ７．〜１７４　、抵抗
１Ｂ、〜１８シ、キャバシク１９１〜１９ｓ　、切換ス
イッチ２θ、〜２θ４ｅ２１）〜２ノ、および２２は放
電回路２３を構成しでおり、この放電回路２３ｆこよっ
−ｔ　Ｗ定された所定の４り定東件の出力が、被測定半
導体装置（例えばす・ｆリスク）２４を圧接しで保持す
る圧接機構２５を介し、てこの被測定半導体装置２４に
供給されるようになっている。

ところで、近年の半導体装置の高耐圧化に伴なって、低
電圧、高電流、高ｄｉ／ａｔ　　の測定を行なう必要が
生じでおり、このような測定の場合には放電回路２３の
り、Ｃ，Ｒ条件の切換えのための配線長のみでＬ条件が
測定条件を越えでしまうといつ問題を生じている。

このため、上述したような測定を・行な５ｖｌｊ合には
専用の測定装置を作製するか、あるいは測定を行なう都
度一時的な測定装置を作製している０ しかし、測定条件別（・こ専用の測定装置を作成したの
では、設備費用が大きくなるとともに大きなスペースも
必要となる。また、一時的な測定睦ｊｌを作−課する場
合には１作製のための人件費が多くなり、且つ作画期間
も必要となるだけでなく、安全性や作業性も低くなり、
その対策が望まれている。

〔発明の目的〕

この発：男は上記のような事情に鑑み′ｔなされたもの
で、その目的とするところ（・ま、リアク２ンス条件が
小さい複数種の測定でありでも、安全性や作業性を４保
しつつ、小スペース旦つ低設備コストで実施できる半導
体測定装置を提供することである。

〔発明の概要〕

すなわち、この発明においでは、上記の目的を達成する
ために、前記第４図における放電回路２３を各測定条件
毎にユニット化して、電源回路１１および被測定半導体
装置２４を設置するための圧接機構２５に対して着脱自
在に形成し、この放・電回路２３を測定条件毎に複数１
用意して測定条件に応じて選択し、電源回路１１と圧接
機構２５との間に装着することに↓す、配線長が最短に
なるようにしている。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例についで図面を参照して説明
する。第１図に４６いて、前記第４図と同一構成部Ｋｌ
よ同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。第１図
における放電回路２３はユニット化されてカセット方式
となっており、電源回路１ノおよび被測定半導体装置の
圧接機構２５に対Ｉ２て着脱自在となっ１いる。

第２図は、この発明による半導体測定装置の外貌を示す
斜視図である。本体２６には、電源回路１１および圧接
機構２５等が内蔵されており、正面には放電回路２３の
ユニット２３ａ’５挿入するための収納部２６ａが設け
られている。

そして、上記ユニット２３ａを収納部２６ａに挿入する
ことにより、電源回路１１、放電回路２３および圧接機
構２５が電気的に接続されるようＫしてｂる。上記放電
回路２３のユニシト２３ａには、測定条件に合わせたり
、Ｃ，Ｒの各値のものを複数種用意し、測定に合わせた
ユニットを選択して使用する。

このような構成によれば、放電回路２３のリアクタ、抵
抗およびギャバシタは各々１個ずつで良く、配線長を短
かくできるので、専用の測定装置や一時的な測定装置を
作製することなく低電圧、高電流、高ｄ　ｉ／　ｄ　ｔ
　　の測定が可ｎ目である。上記配線長は、前記第４図
の構成では１ｍ以上必要であったが、放電回路２３を測
定条件に応じた専用のユニツ）２３ｍとした第１図およ
び第２図に示した構成では４０ｍ以内にできる０ 従って、制定条件毎に専用の測定装置を作製した場合に
比べて、設備費用は複数個の放電回路ユニット分で良く
、大幅に低コスト化できる０また、必要とするスペース
も１台の測定装置と放電回路ユニットの保管スペースの
みで済む。

さらに１一時的な測定装置を作製する場合のような炸裂
期間や人件費は不要であり、安全性や作業性の点でも有
利である。

なお、上記実施例では被測定半導体装置が圧接型の場合
について説明したが非圧接型の場合には、第３図に示す
ように放電回路２３と被測定半導体装置の装蕩用ソケッ
ト２７とを一つのユニット２８とし、測定装置（を源回
路１１）に対して漕脱自在としても良い０このような構
成によれば、放電回路２３の配融長を更に短くてき（３
０偲以内）、例えば印加電圧６５０Ｖ。

通電′１流８００Ａ、ｄｉ／ｄｔ＝２０ＯＡ／μ３　と
いつような低′ユ圧、高電流、高ｄ　ｉ　／　ｄ　ｔ　
　の測定条件が得られる。

〔発明の効果〕

以上説明したようにこの発明によれば、リアクタンス条
件が小さい複数重の測定であっても、安全性や作業性を
確保しつつ、小スペース且つ低設備コストで実施できる
半導体測定装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実施例に係
わる半導体測定装置について説明するための回路図およ
び外観斜視図、第３図はこの発明の他の実施例について
説明するだめの回路図、第４図は従来の半導体測定装置
につｂで説明するだめの回路図である。 １ノ・・・電源回路、２３・・・放這厄路、２３ａ・・
・放電回路ユニット、２４・・・被測定半導体装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置の動特性を測定する半導体測定装置において
   、電源回路と、この電源回路の出力を被測定半導体装置
   の測定条件に設定する放電回路とを具備し、上記放電回
   路をユニット化して測定装置に対して着脱自在とし、各
   測定条件に設定された複数の放電回路ユニットの中から
   測定条件に応じたユニットを選択して測定装置に装着す
   ることにより測定を行なうことを特徴とする半導体測定
   装置。