DE112014003328B4

DE112014003328B4 - Datenverarbeitungsvorrichtung

Info

Publication number: DE112014003328B4
Application number: DE112014003328.6T
Authority: DE
Inventors: Hisao Ikeda; Hajime Kimura
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2013-07-19
Filing date: 2014-07-08
Publication date: 2023-12-21
Anticipated expiration: 2034-07-09
Also published as: CN109830202A; US20150022561A1; JP2015038606A; US20180018914A1; JP2024023649A; JP2021099501A; TWI667644B; DE112014003328T5; CN105408950B; TW201832203A; US9779653B2; KR102434293B1; TW201517003A; US10319291B2; KR102369066B1; KR20220029775A; WO2015008715A1; KR20160033106A; JP7404435B2; TWI630595B

Abstract

Datenverarbeitungsvorrichtung (100), die umfasst:einen Anzeigeabschnitt (102) mit Flexibilität;eine Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten (104);einen Sensorabschnitt (106), der einen Außenzustand des Anzeigeabschnitts (102) erfasst;einen arithmetischen Abschnitt (108), der der Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten (104) Bilddaten zuführt; undeinen Speicherabschnitt (110), der ein Programm speichert, das durch den arithmetischen Abschnitt (108) ausgeführt wird,wobei ein erster Modus, in dem der Anzeigeabschnitt (102) entfaltet ist, oder ein zweiter Modus, in dem der Anzeigeabschnitt (102) gefaltet ist, durch den Sensorabschnitt (106) erkannt wird,wobei der Anzeigeabschnitt (102) einen ersten Anzeigeabschnitt (102a) und einen zweiten Anzeigeabschnitt (102b) umfasst, wobei der zweite Anzeigeabschnitt (102b) einen ersten Licht emittierenden Bereich (131), einen zweiten Licht emittierenden Bereich (132) und einen dritten Licht emittierenden Bereich (133) enthält,wobei der erste Licht emittierende Bereich (131) ausgehend von einer Grenze zu dem ersten Anzeigeabschnitt (102a) gebildet wird,wobei der erste Anzeigeabschnitt (102a) in dem zweiten Modus sichtbar ist,wobei der zweite Anzeigeabschnitt (102b) in dem zweiten Modus nicht sichtbar ist,wobei eine Leuchtdichteregulierungsverarbeitung gemäß dem zweiten Modus durch das Programm durchgeführt wird,wobei in der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung eine Leuchtdichte des ersten Licht emittierenden Bereichs (131) höher als eine Leuchtdichte des zweiten Licht emittierenden Bereichs (132) ist, undwobei in der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung die Leuchtdichte des zweiten Licht emittierenden Bereichs (132) höher als eine Leuchtdichte des dritten Licht emittierenden Bereichs (132) ist.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Gegenstand, ein Verfahren oder ein Fertigungsverfahren. Außerdem betrifft die vorliegende Erfindung einen Prozess, eine Maschine, Fertigung oder eine Zusammensetzung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung beispielsweise eine Benutzerschnittstelle, eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Stromspeichervorrichtung, ein Betriebsverfahren dafür oder ein Fertigungsverfahren dafür. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung beispielsweise ein Verfahren und ein Programm zum Verarbeiten und Anzeigen von Bilddaten und eine Vorrichtung, die ein Speichermedium beinhaltet, in dem das Programm gespeichert wird. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung beispielsweise ein Verfahren zum Verarbeiten und Anzeigen von Bilddaten, durch das ein Bild angezeigt wird, das Daten enthält, die durch eine mit einem Anzeigeabschnitt versehene Datenverarbeitungsvorrichtung verarbeitet werden, ein Programm zum Anzeigen eines Bildes, das Daten enthält, die durch eine mit einem Anzeigeabschnitt versehene Datenverarbeitungsvorrichtung verarbeitet werden, und eine Datenverarbeitungsvorrichtung, die ein Speichermedium beinhaltet, in dem das Programm gespeichert wird.
Stand der Technik
Die sozialen Infrastrukturen haben in Bezug auf die Mittel zur Informationsübertragung Fortschritte gemacht. Dies ermöglichte es, viele Informationen und verschiedene Arten von Informationen mittels einer Datenverarbeitungsvorrichtung nicht lediglich zu Hause oder am Arbeitsplatz, sondern auch an anderen Plätzen zu erhalten, zu verarbeiten und zu versenden.
Angesichts dieser Situation wird intensiv an der Entwicklung von tragbaren Datenverarbeitungsvorrichtungen gearbeitet.
Beispielsweise ist eine flexible Licht emittierende Aktivmatrix-Vorrichtung, bei der ein organisches EL-Element oder ein Transistor, der als Schaltelement dient, über einem Filmsubstrat bereitgestellt ist, als Beispiel für eine tragbare Datenverarbeitungsvorrichtung offenbart (siehe Patentdokument 1).
[Referenz]
[Patentdokument]
[Patentdokument 1] Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2003-174153 Tragbare Datenverarbeitungsvorrichtungen sind weiterhin aus US 2012 / 0 235 894 A1 , US 2008 / 0247 128 A1 , US 2011 / 0 241 998 A1 , JP 2006 - 243 621 A und US 2005 / 0 285 811 A1 bekannt.
Offenbarung der Erfindung
Anzeigevorrichtungen mit großen Bildschirmen, auf denen viele Informationen angezeigt werden können, weisen eine ausgezeichnete Übersichtlichkeit auf. Daher sind derartige Anzeigevorrichtungen für die Datenverarbeitungsvorrichtung geeignet.
Andererseits stehen die Anzeigevorrichtungen mit großen Bildschirmen in Tragbarkeit Anzeigevorrichtungen mit kleinen Bildschirmen nach. Darüber hinaus weisen die Anzeigevorrichtungen mit großen Bildschirmen einen höheren Stromverbrauch auf als Anzeigevorrichtungen mit kleinen Bildschirmen.
Überdies verschlechtert sich in einigen Fällen die Anzeigequalität der Anzeigevorrichtungen. In dem Fall, in dem beispielsweise Licht emittierende Elemente in der Anzeigevorrichtung verwendet werden, verschlechtern sich die Lichtemissionseigenschaften der Licht emittierenden Elemente in Abhängigkeit von der Emissionsintensität oder den Emissionszeiten. Daher wird in dem Fall, in dem die Emissionsintensität oder eine Emissionszeit jedes Pixels unterschiedlich ist, ein Unterschied zwischen den Licht emittierenden Elementen hinsichtlich des Verschlechterungsgrads als Ungleichmäßigkeit der Anzeige wahrgenommen, was zu einer niedrigen Anzeigequalität führt.
In Anbetracht des vorstehenden Problems ist eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, eine in hohem Maße übersichtliche Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen. Alternativ ist eine weitere Aufgabe, eine in hohem Maße tragbare Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe ist, eine Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen, die wenig Strom verbraucht. Eine weitere Aufgabe ist, eine Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen, die eine hohe Anzeigequalität aufweist. Eine weitere Aufgabe ist, eine Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen, die weniger Ungleichmäßigkeit der Anzeige aufweist. Eine weitere Aufgabe ist, eine neuartige Datenverarbeitungsvorrichtung oder dergleichen bereitzustellen.
Es sei angemerkt, dass die Beschreibungen dieser Aufgaben dem Vorhandensein weiterer Aufgaben nicht im Wege stehen. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung müssen nicht alle Aufgaben erfüllt werden. Andere Aufgaben werden aus der Erläuterung der Beschreibung, den Zeichnungen, den Patentansprüchen und dergleichen ersichtlich und können daraus abgeleitet werden.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Datenverarbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 1.
Das Programm, das durch die Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gespeichert wird, umfasst einen ersten Schritt zum Bestimmen eines Außenmodus, einen zweiten Schritt, in dem das Programm im Falle des ersten Modus zu einem fünften Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des ersten Modus zu einem dritten Schritt fortschreitet, den dritten Schritt, in dem das Programm im Falle des zweiten Modus zu einem vierten Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des zweiten Modus zu dem ersten Schritt fortschreitet, den vierten Schritt zum Durchführen einer Leuchtdichteregulierungsverarbeitung und den fünften Schritt zum Beenden des Programms. Die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung umfasst einen sechsten Schritt zum Festlegen eines Anzeigebereichs und eines Nicht-Anzeigebereichs, einen siebten Schritt zum Anhalten eines Betriebs von mindestens einem der Treiberschaltungsabschnitte, einen achten Schritt zum Emittieren von Licht von einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs, einen neunten Schritt, in dem das Programm in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung abgebrochen wird, zu einem zehnten Schritt oder in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung nicht abgebrochen wird, zu dem achten Schritt fortschreitet, und den zehnten Schritt zum Zurückkehren von der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung zu dem Programm.
Auf diese Weise wird bei der Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung durch das Programm gemäß dem ersten Modus oder dem zweiten Modus durchgeführt, wodurch die Ungleichmäßigkeit der Anzeige des Anzeigeabschnitts und der Stromverbrauch unterdrückt werden können.
Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine in hohem Maße übersichtliche Datenverarbeitungsvorrichtung bereitgestellt werden. Alternativ kann eine in hohem Maße tragbare Datenverarbeitungsvorrichtung bereitgestellt werden. Als weitere Alternative kann eine Datenverarbeitungsvorrichtung bereitgestellt werden, die wenig Strom verbraucht. Als weitere Alternative kann eine Datenverarbeitungsvorrichtung mit hoher Anzeigequalität bereitgestellt werden.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1A und 1B sind ein Blockschema und eine schematische Draufsicht, die eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
2A und 2B sind eine schematische Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
3A bis 3C sind eine schematische Draufsicht und Querschnittsansichten, die eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
4 ist ein Ablaufplan, der ein Programm darstellt, das durch einen arithmetischen Abschnitt einer Datenverarbeitungsvorrichtung ausgeführt wird.
5 ist ein Ablaufplan, der ein Programm darstellt, das durch einen arithmetischen Abschnitt einer Datenverarbeitungsvorrichtung ausgeführt wird.
6A bis 6D sind schematische Draufsichten und Querschnittsansichten, die jeweils eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
7A und 7B sind schematische Draufsichten, die jeweils eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
8A und 8B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration eines Pixels darstellen.
9A und 9B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
10 ist ein Schema, das eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellt.
11A und 11B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
12A und 12B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
13A und 13B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
14 ist ein Schema, das eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellt.
15A und 15B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
16A und 16B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
17A und 17B sind Schemata, die jeweils eine Schaltungskonfiguration einer Anzeigevorrichtung darstellen.
18A bis 18D sind Querschnittsansichten, die jeweils eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
19A bis 19C sind perspektivische Ansichten, die eine Ausführungsform einer Datenverarbeitungsvorrichtung darstellen.
20A und 20B sind eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht, die ein Licht emittierendes Feld darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
21 A und 21B sind Querschnittsansichten, die jeweils ein Licht emittierendes Feld darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
22A und 22B sind Querschnittsansichten, die jeweils ein Licht emittierendes Feld darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
23A und 23B sind Querschnittsansichten, die ein Licht emittierendes Feld darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
24A bis 24C sind Querschnittsansichten, die ein Fertigungsverfahren eines Licht emittierenden Feldes darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
25A bis 25C sind Querschnittsansichten, die ein Fertigungsverfahren eines Licht emittierenden Feldes darstellen, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.
26 ist eine Querschnittsansicht, die ein Licht emittierendes Feld darstellt, das in einer Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann.

Beste Art zum Durchführen der Erfindung
Eine Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die nachstehende Beschreibung beschränkt ist, und es erschließt sich einem Fachmann ohne Weiteres, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne von dem Gedanken und dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Dementsprechend sollte die vorliegende Erfindung nicht als auf den Inhalt der nachstehenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden. Es sei angemerkt, dass bei den Strukturen der Erfindung, die nachstehend beschrieben werden, gleiche Teile oder Teile mit ähnlichen Funktionen durch die gleichen Bezugszeichen in unterschiedlichen Zeichnungen bezeichnet werden und die Beschreibung derartiger Teile nicht wiederholt wird.
Es sei angemerkt, dass die Anordnung von Blöcken in einem Blockschema in einer Zeichnung die Positionsbeziehung für die Erläuterung bestimmt. Daher kann selbst dann, wenn eine Zeichnung zeigt, dass unterschiedliche Funktionen in unterschiedlichen Blöcken erzielt werden, eine reale Schaltung oder ein realer Bereich derart konfiguriert werden, dass die unterschiedlichen Funktionen in derselben Schaltung oder demselben Bereich erzielt werden. Außerdem ist eine Funktion jedes Blocks in einem Blockschema in einer Zeichnung für die Erläuterung bestimmt. Daher kann selbst dann, wenn ein einziger Block dargestellt ist, eine reale Schaltung oder ein realer Bereich derart konfiguriert sein, dass eine Verarbeitung, die als in dem einzigen Block durchgeführt dargestellt ist, in einer Vielzahl von Blöcken durchgeführt wird.
[Ausführungsform 1]
Bei dieser Ausführungsform wird eine Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf 1A und 1B, 2A und 2B, 3A bis 3C, 4, 5, 6A bis 6D, 7A und 7B, 8A und 8B, 9A und 9B, 10, 11 A und 11B, 12A und 12B, 13A und 13B, 14, 15A und 15B, 16A und 16B, 17A und 17B sowie 18A bis 18D beschrieben.
1A ist ein Blockschema, das die Struktur einer Datenverarbeitungsvorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Die Datenverarbeitungsvorrichtung 100 in 1A beinhaltet einen Anzeigeabschnitt 102 mit Flexibilität, eine Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten 104, die in der Peripherie des Anzeigeabschnitts 102 angeordnet sind, einen Sensorabschnitt 106, der den Außenzustand des Anzeigeabschnitts 102 erfasst, einen arithmetischen Abschnitt 108, der dem Treiberschaltungsabschnitt 104 Bilddaten zuführt, und einen Speicherabschnitt 110, der ein durch den arithmetischen Abschnitt 108 ausgeführtes Programm speichert.
Außerdem ist in 1A ein Anzeigefeld 105 von dem Anzeigeabschnitt 102 und dem Treiberschaltungsabschnitt 104 gebildet. Es sei angemerkt, dass das Anzeigefeld 105 lediglich den Anzeigeabschnitt 102 beinhalten kann, oder es kann eine Kombination aus dem Anzeigeabschnitt 102, dem Sensorabschnitt 106, dem arithmetischen Abschnitt 108, dem Speicherabschnitt 110 oder dergleichen sein.
Es sei angemerkt, dass auch der Treiberschaltungsabschnitt 104 Flexibilität aufweist, indem das Anzeigefeld 105 von dem Anzeigeabschnitt 102 mit Flexibilität und dem Treiberschaltungsabschnitt 104, wie in 1A dargestellt, gebildet ist. Jedoch muss der Treiberschaltungsabschnitt 104 keine Flexibilität aufweisen, indem er über einem anderen Substrat als dem Substrat ausgebildet wird, über dem das Anzeigefeld 105 ausgebildet ist.
Da bei der Datenverarbeitungsvorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in 1 A die Außenform des Anzeigeabschnitts 102 mit Flexibilität geändert werden kann, können eine Funktion der hohen Übersichtlichkeit und eine Funktion der hohen Tragbarkeit zueinander kompatibel sein. Beispielsweise weist die Datenverarbeitungsvorrichtung 100 ausgezeichnete Übersichtlichkeit in dem Fall, in dem der Anzeigeabschnitt 102 entfaltet ist, und ausgezeichnete Tragbarkeit in dem Fall, in dem der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet ist, auf.
Nun werden Bestandteile in 1A nachstehend ausführlich beschrieben.
<Anzeigeabschnitt>
Der Anzeigeabschnitt 102 ist über einem Substrat ausgebildet, das seine Außenform ändern kann, z. B. einem flexiblen Substrat oder einem flexiblen Film.
<Treiberschaltungsabschnitt>
Die Treiberschaltungsabschnitte 104 sind in der Peripherie des Anzeigeabschnitts 102 angeordnet. Ein Signal wird dem Anzeigeabschnitt 102 von dem Treiberschaltungsabschnitt 104 zugeführt. Der Treiberschaltungsabschnitt 104 muss mindestens den Anzeigeabschnitt 102 antreiben; beispielsweise können in dem Fall, in dem Pixel in dem Anzeigeabschnitt 102 in einer Matrix angeordnet sind, eine Schaltung (ein Gate-Treiber), die ein Signal zum Auswählen eines Pixels (ein Abtastsignal) ausgibt, und eine Schaltung (ein Source-Treiber), die ein Signal zum Antreiben eines Anzeigeelements des Pixels (ein Datensignal) zuführt, verwendet werden.
Die Treiberschaltungsabschnitte 104 werden vorzugsweise teilweise oder gänzlich über demselben Substrat und in demselben Schritt wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet. Insbesondere wird ein Gate-Treiber, der leicht über demselben Substrat und in demselben Schritt wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet werden kann, vorzugsweise in der Nachbarschaft eines faltbaren Abschnitts angeordnet. Der Gate-Treiber weist eine niedrige Betriebsfrequenz auf und wird daher leicht über demselben Substrat und in demselben Schritt wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet. Daher können die Anzahl von Bestandteilen und die Anzahl von Anschlüssen verringert werden. Überdies können die Treiberschaltungsabschnitte 104 teilweise oder gänzlich auch Flexibilität aufweisen, da das Element verwendet wird, das in demselben Schritt wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet wird. Deshalb kann der Anzeigeabschnitt 102 an einer beliebigen Stelle gefaltet werden. Daher wird die Datenverarbeitungsvorrichtung 100 kaum beschädigt und kann eine haltbare Vorrichtung sein. Die Struktur des Treiberschaltungsabschnitts 104 ist nicht darauf beschränkt, und beispielsweise wird der Treiberschaltungsabschnitt 104 nicht notwendigerweise über demselben Substrat wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet. In diesem Fall kann der Treiberschaltungsabschnitt 104 teilweise oder gänzlich durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren montiert werden. Wenn das Substrat, das mit dem Anzeigeabschnitt 102 versehen ist, in dem Fall gefaltet ist, in dem der Treiberschaltungsabschnitt 104 durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren montiert ist, wird vorzugsweise in einem gefalteten Bereich keine IC, keine LSI oder dergleichen angeordnet, die durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren bereitgestellt wird. Dementsprechend ist das Substrat mit dem Anzeigeabschnitt 102 faltbar.
Es sei angemerkt, dass der Treiberschaltungsabschnitt 104 eine Funktion einer Schutzschaltung, einer Steuerschaltung, einer Stromversorgungsschaltung, einer Signalerzeugungsschaltung oder dergleichen aufweisen kann.
Der Treiberschaltungsabschnitt 104 kann eine Vielzahl von Stromversorgungsschaltungen beinhalten, und ferner kann die Vielzahl von Stromversorgungsschaltungen individuell gesteuert werden, so dass der Anzeigeabschnitt 102 getrennt angetrieben wird. Alternativ kann der Treiberschaltungsabschnitt 104 derart konfiguriert werden, dass die Zufuhr der Stromversorgungsspannung zu jedem der getrennten Abschnitte des Anzeigeabschnitts 102 gesteuert werden kann. Zusätzlich kann eine Schaltung mit einer Funktion zum Überwachen der Menge an Strom, die durch ein Licht emittierendes Element in dem Anzeigeabschnitt 102 fließt, in einem Teil der Stromversorgungsschaltung oder außerhalb der Stromversorgungsschaltung bereitgestellt werden. Indem die Menge an Strom überwacht wird, der durch das Licht emittierende Element fließt, kann ein Stromverbrauch in dem Anzeigeabschnitt 102 gemessen werden. Als Beispiel für die Menge an Strom, die überwacht wird, kann die Menge an Strom zwischen einer Anode und einer Kathode des Licht emittierenden Elements in dem Anzeigeabschnitt 102 überwacht werden.
<Arithmetischer Abschnitt>
Eine Funktion des arithmetischen Abschnitts 108 besteht darin, dass sie dem Treiberschaltungsabschnitt 104 Bilddaten zuführt.
<Sensorabschnitt>
Eine Funktion des Sensorabschnitts 106 besteht darin, dass er den Außenzustand des Anzeigeabschnitts 102 erfassen kann. Beispielsweise kann ein erster Modus, bei dem der Anzeigeabschnitt 102 entfaltet ist, oder ein zweiter Modus, bei dem der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet ist, erkannt werden. Der Sensorabschnitt 106 muss mindestens den Außenzustand des Anzeigeabschnitts 102 erfassen und kann beispielsweise von den folgenden Bestandteilen gebildet werden: einem Schalter, einem MEMS-Drucksensor, einem Beschleunigungssensor, einem Infrarotsensor, einem Magnetsensor oder einem druckempfindlichen Sensor.
<Speicherabschnitt>
Der Speicherabschnitt 110 speichert ein Programm, das durch den arithmetischen Abschnitt 108 ausgeführt wird. Das Programm lässt den arithmetischen Abschnitt 108 in Abhängigkeit von den Daten von dem Sensorabschnitt 106 unterschiedliche Verarbeitungen ausführen.
Als Nächstes wird eine konkrete Struktur des Anzeigefeldes 105 in 1A nachstehend beschrieben.
1B ist eine schematische Draufsicht, die eine Struktur des Anzeigefeldes 105 darstellt.
Das Anzeigefeld 105 in 1B kann entlang den gestrichelten Linien α₁-α₂ und β₁-β₂ gefaltet werden. Es sei angemerkt, dass im Falle der Struktur in 1B das Anzeigefeld 105 in drei Teile gefaltet werden kann. Jedoch ist die Struktur des Anzeigefeldes 105 nicht darauf beschränkt, und das Anzeigefeld 105 kann entlang einer Stelle, dreier Stellen oder mehr Stellen gefaltet werden. Es sei angemerkt, dass die gestrichelten Linien α₁-α₂ und β₁-β₂, bei denen es sich um die Falten handelt, zueinander parallel liegen; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Falten sind nicht notwendigerweise parallel zueinander oder können sich kreuzen.
Das Anzeigefeld 105 in 1B beinhaltet den Anzeigeabschnitt 102 und den Treiberschaltungsabschnitt 104 in der Peripherie des Anzeigeabschnitts 102. Der Treiberschaltungsabschnitt 104 beinhaltet einen ersten Gate-Treiber 104g_1, einen zweiten Gate-Treiber 104g_2, einen ersten Source-Treiber 104s_1 und einen zweiten Source-Treiber 104s_2. Es sei angemerkt, dass der erste Gate-Treiber 104g_1, der erste Source-Treiber 104s_1 und der zweite Source-Treiber 104s_2 individuell in nichtgefalteten Bereichen ausgebildet sind.
Obwohl der zweite Gate-Treiber 104g_2 hier quer über einem gefalteten Bereich gelegt ist, kann er ohne Probleme arbeiten, indem er über demselben Substrat und in demselben Schritt wie der Anzeigeabschnitt 102 ausgebildet wird. Jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt, und wie in 7A gezeigt, können beispielsweise Gate-Treiber (Gate-Treiber 104g_1A und 104g_1B, Gate-Treiber 104g_2A und 104g_2B, Gate-Treiber 104g_2C und 104g_2D und dergleichen) an beiden Seiten des Anzeigeabschnitts 102 angeordnet sein, oder es kann lediglich ein Source-Treiber bereitgestellt sein. Alternativ können Source-Treiber an der Position der Gate-Treiber in 1B angeordnet sein und Gate-Treiber können an der Position der Source-Treiber in 1B angeordnet sein. Als weitere Alternative kann es auf ähnliche Weise vermieden werden, dass eine Schaltung an einer Falte angeordnet wird, ohne die zweiten Gate-Treiber 104g_2 in dem gefalteten Bereich anzuordnen, wie diejenige der Gate-Treiber 104g_2A und 104g_2C oder der Gate-Treiber 104g_2B und 104g_2D in 7A. Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit des Anzeigefeldes verbessert werden. Als weitere Alternative können die Gate-Treiber durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren montiert werden.
Wie in 7B gezeigt, können Gate-Treiber und Source-Treiber an derselben Seite angeordnet sein. In 7B sind ein erster Gate-Treiber 104g_3, ein zweiter Gate-Treiber 104g_4, ein erster Source-Treiber 104s_3 und ein zweiter Source-Treiber 104s_4 an einer Seite angeordnet. Der erste Gate-Treiber 104g_3 und der zweite Gate-Treiber 104g_4 sind miteinander über Leitungen verbunden, die derart angeordnet sind, dass sie die Peripherie des Anzeigeabschnitts 102 umgeben. Mit einer derartigen Anordnung kann die Position, an der der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet wird, frei geändert werden. Darüber hinaus werden die Treiberschaltungen nicht gefaltet; daher wird kein Druck auf einen Transistor ausgeübt. Demzufolge kann die Zuverlässigkeit des Anzeigefeldes verbessert werden. Es sei angemerkt, dass in 7B die Gate-Treiber an der Seite der Source-Treiber angeordnet sind, um die mit Gate-Leitungen verbundenen Leitungen weiträumig umzuleiten; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Alternativ können Source-Treiber an den Seiten der Gate-Treiber angeordnet werden, um die mit Source-Leitungen verbundenen Leitungen weiträumig umzuleiten.
Als Nächstes wird der Anzeigezustand, in dem der Anzeigeabschnitt 102 des Anzeigefeldes 105 in 1B entfaltet ist (der erste Modus), unter Bezugnahme auf 2A und 2B beschrieben.
2A ist eine schematische Draufsicht in dem Fall, in dem der Anzeigeabschnitt 102 des Anzeigefeldes 105 entfaltet ist (dem ersten Modus), und 2B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A-B in 2A.
Im Falle des Anzeigeabschnitts 102 in 2A und 2B kann ein Bild unter Verwendung des ersten Gate-Treibers 104g_1, des zweiten Gate-Treibers 104g_2, des ersten Source-Treibers 104s_1 und des zweiten Source-Treibers 104s_2 auf dem gesamten Anzeigeabschnitt 102 angezeigt werden.
Als Nächstes wird der Anzeigezustand, in dem der Anzeigeabschnitt 102 des Anzeigefeldes 105 in 1B gefaltet ist (der zweite Modus), unter Bezugnahme auf 3A bis 3C beschrieben.
3A ist eine schematische Draufsicht in dem Fall, in dem der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet ist (in dem zweiten Modus), und 3B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A-B in 3A. Es sei angemerkt, dass 3C eine Querschnittsansicht des Anzeigefeldes 105 in einem anderen Anzeigezustand als demjenigen in 3B ist.
Im Falle des Anzeigeabschnitts 102 in 3A kann ein Bild unter Verwendung des ersten Gate-Treibers 104g_1, des zweiten Gate-Treibers 104g_2, des ersten Source-Treibers 104s_1 und des zweiten Source-Treibers 104s_2 auf dem gesamten Anzeigeabschnitt 102 angezeigt werden, wie in 3B gezeigt. Jedoch kann ein Bereich 120, der an einer gefalteten Stelle angeordnet ist, von Betrachtern nicht unmittelbar gesehen werden. Daher kann, wie in 3C gezeigt, der Stromverbrauch des Anzeigeabschnitts 102 verringert werden, indem der Anzeigeabschnitt 102 in einen Anzeigeabschnitt 102a und einen Anzeigeabschnitt 102b aufgeteilt wird und lediglich ein Bild auf dem Anzeigeabschnitt 102a angezeigt wird, der von Betrachtern gesehen werden kann, und nicht auf dem Anzeigeabschnitt 102b, der von den Betrachtern nicht gesehen werden kann.
Verschiedene Verfahren können zum Einsatz kommen, damit auf diese Weise kein Bild auf dem Anzeigeabschnitt 102b angezeigt wird. Beispielsweise wird ein schwarzes Bild mit minimaler Leuchtdichte oder Graustufe auf Pixeln des Anzeigeabschnitts 102b angezeigt. Das heißt, dass das schwarze Bild angezeigt wird, indem Videosignale gesteuert werden, die dem Anzeigeabschnitt 102b zugeführt werden. Folglich wird kein Licht von dem Anzeigeabschnitt 102b emittiert, was im Wesentlichen dem Zustand entspricht, in dem kein Bild angezeigt wird.
Außerdem kann auch ein anderes Verfahren zum Einsatz kommen. In einem derartigen Fall variiert das Verfahren in Abhängigkeit von der Schaltungskonfiguration eines Pixels. Alternativ variiert das Verfahren in Abhängigkeit von der Stelle, an der Source-Treiber und Gate-Treiber angeordnet sind.
Zuerst werden Beispiele für eine Pixelschaltung in 8A und 8B dargestellt. Es sei angemerkt, dass, obwohl ein Aktivmatrix-Pixel mit Transistoren in 8A und 8B gezeigt ist, eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Ein Passivmatrix-Pixel ohne Transistor oder dergleichen kann zum Einsatz kommen. Alternativ kann eine Beleuchtungsvorrichtung zum Einsatz kommen, bei der keine Pixel angeordnet sind und Licht von der gesamten Oberfläche emittiert wird.
Ein Pixel 909 beinhaltet einen Transistor 901, einen Transistor 903, einen Kondensator 902 und ein Licht emittierendes Element 904. Pixel sind elektrisch miteinander über Leitungen 906, 905, 907 und 908 verbunden.
Eine Funktion der Leitung 906 besteht darin, dass sie ein Videosignal, ein Initialisierungssignal, ein Vorladesignal oder dergleichen zuführen kann. Demzufolge weist die Leitung 906 eine Funktion als Source-Signalleitung, Videosignalleitung oder dergleichen auf. Eine Funktion der Leitung 905 besteht darin, dass sie ein Auswahlsignal oder dergleichen zuführen kann. Daher weist die Leitung 905 eine Funktion als Gate-Signalleitung oder dergleichen auf. Eine Funktion der Leitung 907 besteht darin, dass sie dem Licht emittierenden Element 904 oder dem Transistor 903 Strom zuführt, oder darin, dass sie ein Signal zum Korrigieren des Stroms des Transistors 903 zuführt. Daher weist die Leitung 907 eine Funktion als Anodenleitung, Stromversorgungsleitung, Energieversorgungsleitung, Spannungsversorgungsleitung oder dergleichen auf. Die Leitung 908 weist eine Funktion als Kathodenleitung, gemeinsame Elektrode oder dergleichen auf.
Eine Funktion des Transistors 901 besteht darin, dass er steuern kann, ob ein Videosignal, ein Initialisierungssignal oder dergleichen zugeführt wird oder nicht, ob ein Pixel ausgewählt wird oder nicht, oder dergleichen. Daher weist der Transistor 901 eine Funktion als Auswahltransistor auf. Eine Funktion des Kondensators 902 besteht darin, dass er ein Videosignal, eine Schwellenspannung des Transistors oder dergleichen halten kann. Eine Funktion des Transistors 903 besteht darin, dass er die Menge an Strom steuern kann, der durch das Licht emittierende Element 904 fließt. Der Transistor 903 kann die Menge an Strom gemäß der Spannung steuern, die in dem Kondensator 902 gehalten wird. Daher weist der Transistor 903 eine Funktion als Treibertransistor auf. Dementsprechend handelt es sich vorzugsweise bei dem Transistor 903 in 8A um einen p-Kanal-Transistor und in 8B um einen n-Kanal-Transistor. Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt ist.
Es sei angemerkt, dass die Pixelschaltung verschiedene Konfigurationen aufweisen kann. Demzufolge ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf die Konfiguration in 8A und 8B beschränkt.
In 9A und 9B sind die Pixelschaltungen in 8A in einer Matrix angeordnet. 9A zeigt den Fall, in dem Falten parallel zu den Leitungen 907 angeordnet sind, und 9B zeigt den Fall, in dem Falten parallel zu den Leitungen 905 angeordnet sind.
10 ist ein Blockschema im Falle von 9A, in dem eine Schaltung 911 bereitgestellt ist, die Leitungszustände der Leitungen 907 steuert. Die Leitungen 906 sind elektrisch mit einer Source-Treiberschaltung 912 verbunden. Die Leitungen 907 sind elektrisch mit der Schaltung 911 verbunden. Es kann durch die Schaltung 911 gesteuert werden, zu welcher Leitung der Vielzahl von Leitungen 907 eine Spannung zugeführt wird und zu welcher dieser Leitungen keine Spannung zugeführt wird. Folglich kann ein kein Licht emittierender Bereich gebildet werden, wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet wird; daher kann der Stromverbrauch verringert werden.
11A und 11B stellen Beispiele für die Schaltungskonfiguration innerhalb der Schaltung 911 dar. In 11 A werden eine Leitung 918A und eine Leitung 918B im Bereich links bzw. im Bereich rechts von der gestrichelten Linie α₁-α₂ verwendet, die eine erste Falte kennzeichnet. Der Bereich links und der Bereich rechts von der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, sind ein Anzeigebereich bzw. ein Nicht-Anzeigebereich, wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet ist. Hier sind Leitungen 907A, 907B und dergleichen mit der Leitung 918A verbunden, und Leitungen 907C, 907D, 907E, 907F und dergleichen sind mit der Leitung 918B verbunden. Bei einer derartigen Konfiguration wird dem Transistor 903 und dem Licht emittierenden Element 904 in jedem Pixel über die Leitungen 907A, 907B und dergleichen Strom zugeführt, indem der Leitung 918A eine Spannung zugeführt wird, wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet ist. Folglich kann eine Lichtemission erhalten werden. Im Gegensatz dazu wird dem Transistor 903 und dem Licht emittierenden Element 904 in jedem Pixel kein Strom zugeführt, indem keine Spannung der Leitung 918B zugeführt wird, die in einen schwebenden Zustand versetzt wird, oder wird eine derartige Spannung zugeführt, dass das Licht emittierende Element 904 kein Licht emittiert.
Es sei angemerkt, dass, obwohl in 11 A der Transistor 903 und das Licht emittierende Element 904 in jedem Pixel mit der die erste Falte kennzeichnenden gestrichelten Linie α₁-α₂ als Grenze separat mit der Leitung 918A und der Leitung 918B verbunden sind, eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Wie in 11B gezeigt, kann die Leitung 907C mit der Leitung 918A verbunden werden, so dass auch der Bereich rechts von der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, Licht emittiert, wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet ist.
Es sei angemerkt, dass die Source-Treiberschaltung 912 und die Schaltung 911 in eine Vielzahl von IC-Chips unterteilt werden können, so dass sie durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren derart montiert werden können, dass die IC-Chips in keinem Bereich, der die Falten überlappt, angeordnet werden.
Es sei angemerkt, dass, obwohl in 11 A und 11B ein Licht emittierender Bereich und ein kein Licht emittierender Bereich mit der Leitung 918A bzw. mit der Leitung 918B beim Falten des Anzeigefeldes 105 gesteuert werden können, eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Eine Lichtemission kann gesteuert werden, indem die Leitung 918A und die Leitung 918B in eine Leitung integriert werden und Schalter bereitgestellt werden. In 12A sind die Leitungen 907A, 907B und dergleichen im Bereich links von der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, mit der Leitung 918 über keinen Schalter verbunden. Folglich kann Licht ohne Rücksicht darauf emittiert werden, ob das Anzeigefeld 105 gefaltet ist oder nicht. Im Gegensatz dazu sind die Leitungen 907C, 907D, 907E, 907F und dergleichen im Bereich rechts von der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, mit der Leitung 918 über Schalter 917C, 917D, 917E, 917F bzw. dergleichen verbunden. Folglich können die Pixel im Bereich rechts davon gesteuert werden, so dass kein Licht emittiert wird, indem diese Schalter abgeschaltet werden, wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet ist.
Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem sich ein Widerstandswert in einigen Bereichen in Abhängigkeit davon ändert, ob Schalter bereitgestellt sind oder nicht, die Leitungen 907A, 907B und dergleichen auch im Bereich links von der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, mit der Leitung 918 über Schalter 917A, 917B und dergleichen verbunden werden können, wie in 12B gezeigt.
Als Nächstes wird eine Schaltungskonfiguration im Falle von 9B, bei der eine Lichtemission in einigen Bereichen gesteuert werden kann, in 13A gezeigt. Wie in 13A gezeigt, ist in einem Bereich unterhalb der gestrichelten Linie α₁-α₂, die eine erste Falte kennzeichnet, ein Gate-Treiber 913B mit dem Transistor 903 und dem Licht emittierenden Element 904 in jedem Pixel verbunden, während in einem Bereich oberhalb der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, ein Gate-Treiber 913A mit dem Transistor 903 und dem Licht emittierenden Element 904 in jedem Pixel verbunden ist. Im Bereich unterhalb der gestrichelten Linie α₁-α₂, die die erste Falte kennzeichnet, arbeitet der Gate-Treiber 913B, um Licht zu emittieren, selbst wenn das Anzeigefeld 105 gefaltet ist, während im Bereich oberhalb davonder Gate-Treiber 913A arbeitet, um kein Pixel auszuwählen, so dass kein Licht emittiert wird, wenn der Anzeigebereich 105 gefaltet ist. Beispielsweise gibt der Gate-Treiber 913A ein L-Signal aus, wodurch der Gate-Treiber 913A im Wesentlichen keine Abtastverarbeitung durchführt. Demzufolge kann der Stromverbrauch verringert werden. Es sei angemerkt, dass 3C dem Fall von 13A entspricht.
Im Falle des Anzeigeabschnitts 102 in 3C kann lediglich der Anzeigeabschnitt 102a anzeigen, indem beispielsweise der erste Gate-Treiber 104g_1, der erste Source-Treiber 104s_1 und der zweite Source-Treiber 104s_2 verwendet werden und kein Auswahlsignal (z. B. lediglich ein L-Signal) von dem zweiten Gate-Treiber 104g_2 ausgegeben wird, so dass im Wesentlichen keine Abtastverarbeitung durchgeführt wird.
Es sei angemerkt, dass es, wie in 13B gezeigt, gesteuert werden kann, ob ein Auswahlsignal ausgegeben wird oder nicht, indem eine Schaltung 915 in einem Ausgabeabschnitt eines Gate-Treibers 914 bereitgestellt wird. 14 stellt ein Beispiel für die Schaltung 915 dar. Eine Ausgabe des Gate-Treibers 914 wird durch eine UND-Schaltung 919 gesteuert, indem das Potential einer Leitung 920 auf ein H-Signal eingestellt wird, und somit an die Leitung 905 ausgegeben. Dahingegen wird der Leitung 905 stets ein L-Signal zugeführt, indem das Potential der Leitung 920 auf ein L-Signal eingestellt wird. Dementsprechend kann die Zufuhr eines Auswahlsignals zu einem Pixel angehalten werden; daher kann der Stromverbrauch verringert werden.
Es sei angemerkt, dass der Gate-Treiber 914, die Schaltung 915, der Gate-Treiber 913A und dergleichen in eine Vielzahl von IC-Chips unterteilt werden können, so dass sie durch ein COG-Verfahren oder ein TAB-Verfahren derart montiert werden können, dass die IC-Chips in keinem Bereich, der die Falten überlappt, angeordnet werden.
Als Nächstes werden in 15A und 15B die Pixelschaltungen in 8B in einer Matrix angeordnet. 15A zeigt den Fall, in dem Falten parallel zu den Leitungen 906 angeordnet sind, und 15B zeigt den Fall, in dem Falten parallel zu den Leitungen 905 angeordnet sind.
In 16A und 16B sind ebenso wie in 13A verschiedene Treiberschaltungen entsprechend den Bereichen angeordnet. Es sei angemerkt, dass es einen Fall gibt, in dem eine Schaltung zum Antreiben der Leitung 905 bereitgestellt ist, und dass es einen Fall gibt, in dem eine Schaltung zum Antreiben der Leitung 907 bereitgestellt ist. In 16A sind eine Schaltung 916A und eine Schaltung 916B als Schaltungen zum Antreiben der Leitung 907 bereitgestellt. Im Gegensatz dazu ist in 16B eine Schaltung 913 zum Antreiben der Leitung 905 bereitgestellt, ohne entsprechend den Bereichen unterteilt zu sein. Mit anderen Worten: Die Schaltung zum Antreiben der Leitung 905 und die Schaltung zum Antreiben der Leitung 907 können in jedem Bereich unterteilt oder nicht unterteilt sein.
17A stellt ein Beispiel dar, in dem eine Schaltung 921 in einem Ausgabeabschnitt einer Schaltung 916 auf ähnliche Weise wie bei der Schaltung 915 von 13B bereitgestellt ist. 17B stellt ein konkretes Beispiel für die Schaltung 921 dar. Das Potential der Leitung 907 wird durch eine UND-Schaltung 922 gesteuert, indem das Potential einer Leitung 923 gesteuert wird.
Auf diese Weise kann durch verschiedene Verfahren ein Lichtemittierungszustand den Bereichen entsprechend gesteuert werden.
Jedoch tritt in 3C ein Phänomen auf, in dem sich die Leuchtdichte des Anzeigeabschnitts 102a von der Leuchtdichte des Anzeigeabschnitts 102b unterscheidet, wenn der Treiberschaltungsabschnitt 104 bei einer Struktur arbeitet, bei der ein Bild lediglich in dem Anzeigeabschnitt 102a angezeigt wird, wie in dem Anzeigeabschnitt 102 in 3C, und dann ein Bild im gesamten Anzeigeabschnitt 102 in einem Zustand angezeigt wird, in dem der Anzeigeabschnitt 102 des Anzeigefeldes 105 in 2A und 2B entfaltet ist (in dem ersten Modus).
Beispielsweise könnte bei einer Struktur, bei der ein Bild lediglich in dem Anzeigeabschnitt 102a in dem Fall angezeigt wird, in dem ein Licht emittierendes Element in dem Anzeigeabschnitt 102 verwendet wird, sich das Licht emittierende Element in dem Anzeigeabschnitt 102a verschlechtern. Demzufolge schwankt die Leuchtdichte oder dergleichen in der Fläche des Anzeigeabschnitts 102 in dem ersten Modus, in dem der Anzeigeabschnitt 102 entfaltet ist, und eine derartige Schwankung wird als Ungleichmäßigkeit der Anzeige wahrgenommen. Insbesondere wird eine Änderung der Leuchtdichte an einer Grenze zwischen dem Anzeigeabschnitt 102a und dem Anzeigeabschnitt 102b bemerkbar; daher wird die Grenze zwischen dem Anzeigeabschnitt 102a und dem Anzeigeabschnitt 102b von Betrachtern wahrgenommen.
Daher kann bei der Datenverarbeitungsvorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Ungleichmäßigkeit des Anzeigeabschnitts 102, insbesondere ein Unterschied zwischen der Leuchtdichte des Anzeigeabschnitts 102a und derjenigen des Anzeigeabschnitts 102b, verringert werden, indem ein Programm eine Leuchtdichteregulierungsverarbeitung entsprechend dem ersten Modus, in dem der Anzeigeabschnitt 102 entfaltet ist, oder dem zweiten Modus durchführt, in dem der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet ist, um ein Antriebsverfahren zu steuern. Daher kann eine Datenverarbeitungsvorrichtung mit hoher Anzeigequalität bereitgestellt werden.
Nun werden das vorstehende Programm und Antriebsverfahren unter Bezugnahme auf 4 und 5 beschrieben.
<Programm>
4 ist ein Ablaufplan eines Programms des Speicherabschnitts 110 der Datenverarbeitungsvorrichtung 100 in 1A.
In einem ersten Schritt wird der Außenzustand des Anzeigeabschnitts 102 durch Daten von dem Sensorabschnitt 106 bestimmt (Schritt S1).
In einem zweiten Schritt wird beurteilt, ob sich der Anzeigeabschnitt 102 in dem entfalteten Modus (in dem ersten Modus) befindet oder nicht (Schritt S2). Das Programm schreitet im Falle des ersten Modus zu einem fünften Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des ersten Modus zu einem dritten Schritt fort.
In einem dritten Schritt wird beurteilt, ob sich der Anzeigeabschnitt 102 in dem gefalteten Modus (in dem zweiten Modus) befindet oder nicht (Schritt S3). Das Programm schreitet im Falle des zweiten Modus zu einem vierten Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des zweiten Modus zu einem ersten Schritt fort.
In dem vierten Schritt wird eine Leuchtdichteregulierungsverarbeitung durchgeführt (Schritt S4).
In dem fünften Schritt wird das Programm beendet (Schritt S5).
Nun wird die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung in dem vierten Schritt (Schritt S4) unter Bezugnahme auf Ablaufpläne in 5 beschrieben.
<Leuchtdichteregulierungsverarbeitung>
In einem sechsten Schritt werden ein Anzeigebereich und ein Nicht-Anzeigebereich festgelegt (Schritt V6). Insbesondere wird vorzugsweise festgelegt, dass der Nicht-Anzeigebereich ein Bereich ist, der von einer Grenze zu dem Anzeigeabschnitt ausgeht, der von Betrachtern erkannt werden kann.
In einem siebten Schritt wird beispielsweise mindestens ein Treiberschaltungsabschnitt angehalten (Schritt V7). Es sei angemerkt, dass, wie bereits oben beschrieben worden ist, verschiedene Verfahren als Alternative zum Einsatz kommen können, die verschiedene kein Licht emittierende Bereiche steuern.
In dem Modus, in dem der Anzeigeabschnitt 102 gefaltet ist (in dem zweiten Modus), kann man dafür sorgen, dass kein Bild in einem Bereich angezeigt wird, der von Betrachtern nicht gesehen wird, indem mindestens ein Treiberschaltungsabschnitt angehalten wird; auf diese Weise kann eine Datenverarbeitungsvorrichtung 100 mit niedrigem Stromverbrauch erhalten werden.
In einem achten Schritt wird Licht von einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs emittiert (Schritt V8).
In einem neunten Schritt wird beurteilt, ob die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung abgebrochen wird oder nicht (Schritt V9). Das Programm schreitet in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung abgebrochen wird, zu einem zehnten Schritt oder in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung nicht abgebrochen wird, zu dem achten Schritt fort.
Der zehnte Schritt kehrt von der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung zu dem Programm zurück (Schritt V10).
Nun wird unter Bezugnahme auf 6A bis 6D ein konkretes Verfahren für die vorstehende Leuchtdichteregulierungsverarbeitung beschrieben.
6A und 6C sind jeweils eine schematische Draufsicht, die eine Struktur des Anzeigefeldes 105 darstellen. 6B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A-B in 6A, und 6D ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A-B in 6B.
Es sei angemerkt, dass 6A und 6B eine schematische Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht des Modus sind, in dem der Anzeigeabschnitt 102 entfaltet ist (des ersten Modus), während 6C und 6D eine schematische Draufsicht bzw. eine Querschnittsansicht des Modus sind, in dem der Anzeigeabschnitt 102 des Anzeigefeldes 105 in 6A und 6B gefaltet ist (des zweiten Modus).
Das Anzeigefeld 105 in 6A kann ebenso wie das Anzeigefeld 105 in 1B entlang den gestrichelten Linien α₁-α₂ und β₁-β₂ gefaltet werden.
Das Anzeigefeld 105 in 6A bis 6D beinhaltet den Anzeigeabschnitt 102 und den Treiberschaltungsabschnitt 104 in der Peripherie des Anzeigeabschnitts 102. Der Treiberschaltungsabschnitt 104 beinhaltet den ersten Gate-Treiber 104g_1, den zweiten Gate-Treiber 104g_2, den ersten Source-Treiber 104s_1 und den zweiten Source-Treiber 104s_2. Es sei angemerkt, dass der erste Gate-Treiber 104g_1, der erste Source-Treiber 104s_1 und der zweite Source-Treiber 104s_2 individuell in nichtgefalteten Bereichen ausgebildet sind.
In 6D wird der Anzeigeabschnitt 102 wie bei dem Anzeigeabschnitt 102 in 3C in den Anzeigeabschnitt 102a und den Anzeigeabschnitt 102b unterteilt, und es wird lediglich ein Bild auf dem Anzeigeabschnitt 102a angezeigt, der von Betrachtern gesehen werden kann, und es wird kein Bild auf dem Anzeigeabschnitt 102b angezeigt, der von Betrachtern nicht gesehen werden kann.
Außerdem ist in dem Anzeigeabschnitt 102b in 6D ein Licht emittierender Bereich 130 ausgebildet, der einen ersten Licht emittierenden Bereich 131, einen zweiten Licht emittierenden Bereich 132 und einen dritten Licht emittierenden Bereich 133 enthält und von einer Grenze zu dem Anzeigeabschnitt 102a ausgeht.
Licht wird von dem Licht emittierenden Bereich 130 in dem achten Schritt (Schritt V8) emittiert, der durch das vorstehende Programm ausgeführt wird.
In dem Licht emittierenden Bereich 130 wird die Beziehung erfüllt, in der die Leuchtdichte des ersten Licht emittierenden Bereichs 131 höher ist als diejenige des zweiten Licht emittierenden Bereichs 132, die höher ist als diejenige des dritten Licht emittierenden Bereichs. Dies kann durch Steuern eines Videosignals erzielt werden, das einem Pixel in jedem Bereich zugeführt wird.
Die Leuchtdichte an der Grenze zwischen dem Anzeigeabschnitt 102a und dem Anzeigeabschnitt 102b ändert sich stetig, indem ein Licht emittierender Bereich bereitgestellt wird, dessen Leuchtdichte sich schrittweise von der Leuchtdichte des Anzeigeabschnitts 102a ändert. Beispielsweise verschlechtert sich lediglich ein Bereich des Licht emittierenden Elements in dem Anzeigeabschnitt 102a, wenn Licht lediglich von dem Anzeigeabschnitt 102a in dem Fall emittiert wird, in dem das Licht emittierende Element in dem Anzeigeabschnitt 102 verwendet wird. Jedoch wird die Verschlechterung des Licht emittierenden Elements in dem Bereich von dem Anzeigeabschnitt 102a zu dem Anzeigeabschnitt 102b verringert, indem ein Licht emittierender Bereich bereitgestellt wird, dessen Leuchtdichte sich schrittweise von der Leuchtdichte des Anzeigeabschnitts 102a ändert. Folglich können Betrachter die Grenze zwischen dem Anzeigeabschnitt 102a und dem Anzeigeabschnitt 102b nicht wahrnehmen; daher kann eine Datenverarbeitungsvorrichtung mit hoher Anzeigequalität bereitgestellt werden.
Es sei angemerkt, dass 6A und 6B zum leichten Verständnis dargestellt sind, und Licht von dem Licht emittierenden Bereich 130 in dem Modus emittiert werden kann, in dem der Anzeigeabschnitt 102 in 6C und 6D gefaltet ist (in dem zweiten Modus).
Folglich wird möglicherweise der Licht emittierende Bereich 130 beispielsweise als nicht in einem Bereich des Anzeigeabschnitts 102b, sondern in einem Bereich des Anzeigeabschnitts 102a enthalten angesehen. Wie in 18A dargestellt, die 6D entspricht, kann beispielsweise der Anzeigeabschnitt 102a derart erweitert werden, dass er an dem Seitenflächenabschnitt bereitgestellt wird, wobei der erste Licht emittierende Bereich 131, der zweite Licht emittierende Bereich 132 und der dritte Licht emittierende Bereich 133 vollständig bedeckt werden. Dementsprechend wird erkannt, dass ein sichtbarer Bereich eine normale Leuchtdichte aufweist; folglich kann eine angemessene Anzeige durchgeführt werden. Alternativ kann, wie in 18B dargestellt, der Anzeigeabschnitt 102a auf einen flachen Bereich beschränkt sein, und der erste Licht emittierende Bereich 131, der zweite Licht emittierende Bereich 132 und der dritte Licht emittierende Bereich 133 können auf einem gekrümmten Abschnitt bereitgestellt werden. Da der gekrümmte Abschnitt verzerrt erscheint, ist ein derartiger Bereich für eine korrekte Anzeige nicht geeignet. Daher kann der Einfluss der Verschlechterung weniger sichtbar gemacht werden, indem der Bereich ein Bild mit Gradation anzeigt.
Alternativ können die Zustände wie diejenigen in 18B, 6D und 18A zu jeder vorbestimmten Periode geschaltet werden. Als weitere Alternative kann die Grenze stetig von dem Zustand in 18B in den Zustand in 6D und weiter in den Zustand in 18A geändert werden, und danach kann in ähnlicher Weise die Grenze über den Zustand in 6D zu dem Zustand in 18B zurückgebracht werden. Indem der Licht emittierende Bereich auf diese Weise geändert wird, kann der Einfluss der Verschlechterung viel weniger sichtbar gemacht werden.
Als weitere Alternative kann ein Anfangspunkt eines Licht emittierenden Bereichs in dem Anzeigeabschnitt 102b verändert werden, oder die Position oder Leuchtdichte des Licht emittierenden Bereichs in dem Anzeigeabschnitt 102b kann verändert werden. Beispielsweise wird in dem Fall, in dem der Anzeigeabschnitt 102 mehrmals gefaltet wird, beim ersten Falten Licht lediglich von dem ersten Licht emittierenden Bereich 131 emittiert. Beim zweiten Falten wird Licht von dem ersten Licht emittierenden Bereich 131 und dem zweiten Licht emittierenden Bereich 132 emittiert. Beim dritten Falten wird Licht von dem ersten Licht emittierenden Bereich 131 emittiert, indem sein Anfangspunkt geändert wird. Ein derartiges Licht emittierendes Muster ist ein wirksames Antriebsverfahren, um einen Unterschied der Leuchtdichte an der Grenze zwischen dem Anzeigeabschnitt 102a und dem Anzeigeabschnitt 102b zu verringern.
Obwohl in 6A, 6B und 6D der Licht emittierende Bereich 130 den ersten Licht emittierenden Bereich 131, den zweiten Licht emittierenden Bereich 132 und den dritten Licht emittierenden Bereich 133 umfasst, ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf eine derartige Struktur beschränkt.
Beispielsweise umfasst der Licht emittierende Bereich 130 nicht notwendigerweise den ersten Licht emittierenden Bereich 131, den zweiten Licht emittierenden Bereich 132 und den dritten Licht emittierenden Bereich 133. In einem derartigen Fall können die Zustände wie diejenigen in 18C, 3C und 18D zu jeder vorbestimmten Periode geschaltet werden. Alternativ kann die Grenze stetig von dem Zustand in 18C in den Zustand in 3C und weiter zu dem Zustand in 18D geändert werden, und danach kann in ähnlicher Weise die Grenze über den Zustand in 3C zu dem Zustand in 18C zurückgebracht werden. Indem der Licht emittierende Bereich auf diese Weise geändert wird, kann der Einfluss der Verschlechterung viel weniger sichtbar gemacht werden.
Als weitere Alternative kann ein anderes Programm ausgeführt werden, in dem Licht lediglich dann von dem Licht emittierenden Bereich 130 emittiert wird, wenn die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 aufgeladen wird.
Der Licht emittierende Bereich 130 kann mit einer Schaltung, die sich von denjenigen in den Treiberschaltungsabschnitten 104 unterscheidet, individuell gesteuert werden. Da beispielsweise kein Bild in dem Licht emittierenden Bereich 130 angezeigt werden muss, wird ein Licht emittierendes Element in dem Licht emittierenden Bereich 130 derart konfiguriert, dass seine Anode und seine Kathode kurzgeschlossen werden. In diesem Fall können Licht emittierende Elemente in dem Anzeigeabschnitt 102 durch den Treiberschaltungsabschnitt 104 angetrieben werden.
Ferner wird die Leuchtdichte in jedem des ersten Licht emittierenden Bereichs 131, des zweiten Licht emittierenden Bereichs 132 und des dritten Licht emittierenden Bereichs 133 des Licht emittierenden Bereichs 130 eingestellt, indem ein Strom, der durch den Anzeigeabschnitt 102a fließt, durch eine Strommonitorschaltung gemessen wird und ein Stromwert der Strommonitorschaltung gelesen wird.
Diese Ausführungsform kann nach Bedarf mit einer beliebigen der anderen Ausführungsformen in dieser Beschreibung kombiniert werden.
[Ausführungsform 2]
Bei dieser Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 19A bis 19C ein Beispiel für eine Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
19A stellt eine Datenverarbeitungsvorrichtung 150 in einem Modus dar, in dem ein Anzeigeabschnitt entfaltet ist (in einem ersten Modus). 19B stellt die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 während der Änderung von entweder dem Modus, in dem der Anzeigeabschnitt entfaltet ist (dem ersten Modus), oder von einem Modus dar, in dem der Anzeigeabschnitt gefaltet ist (einem zweiten Modus) in den anderen Modus versetzt wird. 19C stellt die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 in dem Modus dar, in dem der Anzeigeabschnitt gefaltet ist (in dem zweiten Modus).
Die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 in 19A bis 19C beinhaltet ein Anzeigefeld 152, das einen Anzeigeabschnitt mit Flexibilität beinhaltet. Die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 beinhaltet ferner eine Vielzahl von Trägerteilen 153a, eine Vielzahl von Trägerteilen 155a und eine Vielzahl von Trägerteilen 155b.
Das Trägerteil 153a ist beispielsweise mit einem Material ausgebildet, das weniger Flexibilität aufweist als ein Material des Anzeigefeldes 152, und die Trägerteile 155a und 155b sind jeweils beispielsweise mit einem Material ausgebildet, das niedrigere Flexibilität aufweist als ein Material des Trägerteils 153a. Wenn die Trägerteile in der Peripherie des Anzeigefeldes 152 und an der Oberfläche angeordnet sind, die dem Anzeigeabschnitt des Anzeigefeldes 152 entgegengesetzt ist, wie in 19A bis 19C dargestellt, weist das Anzeigefeld 152 eine hohe mechanische Festigkeit auf und wird mit weniger Wahrscheinlichkeit beschädigt.
Darüber hinaus sind die Trägerteile 153a, 155a und 155b vorzugsweise mit einem Material ausgebildet, das eine Licht blockierende Eigenschaft aufweist, wodurch eine Bestrahlung von Treiberschaltungsabschnitten des Anzeigefeldes 152 mit externem Licht unterdrückt werden kann. Folglich kann Lichtverschlechterung von Transistoren und dergleichen in den Treiberschaltungsabschnitten unterdrückt werden.
Obwohl in 19A bis 19C nicht abgebildet, können ein arithmetischer Abschnitt, ein Speicherabschnitt, ein Sensorabschnitt und dergleichen der Datenverarbeitungsvorrichtung 150 zwischen dem Anzeigefeld 152 und den Trägerteilen 155b angeordnet werden.
Die Trägerteile 153a, 155a und 155b können unter Verwendung eines Kunststoffs, eines Metalls, einer Legierung, eines Gummis oder dergleichen als Material ausgebildet werden. Kunststoff, Gummi oder dergleichen wird vorzugsweise verwendet, weil er ein Trägerteil bilden kann, das leicht ist und mit weniger Wahrscheinlichkeit beschädigt wird. Beispielsweise kann Silikongummi, Edelstahl oder Aluminium als die Trägerteile 153a, 155a und 155b verwendet werden.
Ferner kann das Anzeigefeld 152, das den Anzeigeabschnitt mit Flexibilität in der Datenverarbeitungsvorrichtung 150 beinhaltet, entweder nach innen oder nach außen gefaltet werden. Wenn die Datenverarbeitungsvorrichtung 150 nicht verwendet wird, wird das Anzeigefeld 152 gefaltet, so dass der Anzeigeabschnitt nach innen gerichtet ist, wodurch Kratzer und Flecke an dem Anzeigeabschnitt unterdrückt werden können.
Diese Ausführungsform kann nach Bedarf mit einer beliebigen der anderen Ausführungsformen in dieser Beschreibung kombiniert werden.
[Ausführungsform 3]
Bei dieser Ausführungsform wird ein Licht emittierendes Feld, das in der Datenverarbeitungsvorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, unter Bezugnahme auf 20A und 20B, 21A und 21B, 22A und 22B, 23A und 23B, 24A bis 24C sowie 25A bis 25C beschrieben.
<Konkretes Beispiel 1>
20A ist eine Draufsicht auf ein Licht emittierendes Feld, und 20B ist ein Beispiel für eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie A1-A2 in 20A.
Das Licht emittierende Feld in 20B beinhaltet eine Elementschicht 180, eine Klebeschicht 185 und ein Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet ein Substrat 201, eine Klebeschicht 203, eine Isolierschicht 205, eine Vielzahl von Transistoren, eine leitende Schicht 254, eine Isolierschicht 207, eine Isolierschicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, eine Isolierschicht 211, eine Abdichtungsschicht 213, eine Isolierschicht 261, eine Farbschicht 259, eine Licht blockierende Schicht 257 und eine Isolierschicht 255.
Die leitende Schicht 254 ist über einen Verbinder 215 mit einer FPC 186 elektrisch verbunden.
Ein Licht emittierendes Element 230 beinhaltet eine untere Elektrode 231, eine EL-Schicht 233 und eine obere Elektrode 235. Die untere Elektrode 231 ist elektrisch mit einer Source-Elektrode oder einer Drain-Elektrode eines Transistors 240 verbunden. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der Isolierschicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 weist eine Top-Emission-Struktur auf. Die obere Elektrode 235 weist eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird.
Die Farbschicht 259 ist derart angeordnet, dass sie das Licht emittierende Element 230 überlappt, und die Licht blockierende Schicht 257 ist derart angeordnet, dass sie die Isolierschicht 211 überlappt. Die Farbschicht 259 und die Licht blockierende Schicht 257 sind mit der Isolierschicht 261 bedeckt. Der Raum zwischen dem Licht emittierenden Element 230 und der Isolierschicht 261 ist mit der Abdichtungsschicht 213 gefüllt.
Das Licht emittierende Feld beinhaltet eine Vielzahl von Transistoren in einem Lichtextraktionsabschnitt 182 und einem Treiberschaltungsabschnitt 184. Der Transistor 240 ist über der Isolierschicht 205 angeordnet. Die Isolierschicht 205 und das Substrat 201 sind mit der Klebeschicht 203 aneinander angebracht. Die Isolierschicht 255 und das Substrat 181 sind mit der Klebeschicht 185 aneinander angebracht. Vorzugsweise werden Filme mit niedriger Wasserdurchlässigkeit für die Isolierschicht 205 und die Isolierschicht 255 verwendet, wobei verhindert werden kann, dass eine Verunreinigung, wie Wasser, in das Licht emittierende Element 230 oder in den Transistor 240 eindringt, was zu einer verbesserten Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Feldes führt. Die Klebeschicht 203 kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das demjenigen der Klebeschicht 185 ähnlich ist.
Das Licht emittierende Feld in dem konkreten Beispiel 1 kann auf die folgende Weise gefertigt werden: Die Isolierschicht 205, der Transistor 240 und das Licht emittierende Element 230 werden über einem Ausbildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet; das Ausbildungssubstrat wird getrennt; und die Isolierschicht 205, der Transistor 240 und das Licht emittierende Element 230 werden auf das Substrat 201 übertragen und mit der Klebeschicht 203 daran befestigt. Das Licht emittierende Feld in dem konkreten Beispiel 1 kann auf die folgende Weise gefertigt werden: Die Isolierschicht 255, die Farbschicht 259 und die Licht blockierende Schicht 257 werden über einem Ausbildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet; das Ausbildungssubstrat wird getrennt; und die Isolierschicht 255, die Farbschicht 259 und die Licht blockierende Schicht 257 werden auf das Substrat 181 übertragen und mit der Klebeschicht 185 daran befestigt.
In dem Fall, in dem ein Material mit hoher Wasserdurchlässigkeit und niedriger Wärmebeständigkeit (z. B. ein Harz) für ein Substrat verwendet wird, wird es unmöglich, das Substrat in dem Fertigungsprozess einer hohen Temperatur auszusetzen. Demzufolge gibt es eine Einschränkung hinsichtlich der Bedingungen zum Ausbilden eines Transistors und eines Isolierfilms über dem Substrat. In dem Fertigungsverfahren dieser Ausführungsform können ein Transistor und dergleichen über einem Ausbildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit ausgebildet werden; daher können ein hochzuverlässiger Transistor und ein Isolierfilm mit ausreichend niedriger Wasserdurchlässigkeit ausgebildet werden. Anschließend werden der Transistor und der Isolierfilm auf das Substrat 181 und das Substrat 201 übertragen, wodurch ein hochzuverlässiges, Licht emittierendes Feld gefertigt werden kann. Auf diese Weise kann mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine dünne oder/und leichte Datenverarbeitungsvorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden.
Das Substrat 181 und das Substrat 201 werden vorzugsweise jeweils unter Verwendung eines Materials mit hoher Beständigkeit ausgebildet. In diesem Fall kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Schlagfestigkeit bereitgestellt werden, die mit weniger Wahrscheinlichkeit beschädigt wird. Beispielsweise kann dann, wenn es sich bei dem Substrat 181 um ein organisches Harzsubstrat handelt und bei dem Substrat 201 um ein Substrat handelt, das unter Verwendung eines dünnen Metallmaterials oder eines dünnen Legierungsmaterials ausgebildet wird, das Licht emittierende Feld leichter sein und mit weniger Wahrscheinlichkeit beschädigt werden als in dem Fall, in dem ein Glassubstrat verwendet wird.
Ein Metallmaterial und ein Legierungsmaterial, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen, sind vorzuziehen, weil sie Wärme leicht zu dem gesamten Substrat leiten und dementsprechend einen lokalen Temperaturanstieg in dem Licht emittierenden Feld verhindern können. Die Dicke eines Substrats, bei dem ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial verwendet ist, ist vorzugsweise größer als oder gleich 10 µm und kleiner als oder gleich 200 µm, stärker bevorzugt größer als oder gleich 20 µm und kleiner als oder gleich 50 µm.
Ferner kann es dann verhindert werden, wenn ein Material mit hohem thermischen Emissionsgrad für das Substrat 201 verwendet wird, dass die Oberflächentemperatur des Licht emittierenden Feldes ansteigt, was einen Bruch oder eine Verringerung der Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Feldes verhindert. Beispielsweise kann das Substrat 201 eine mehrschichtige Struktur aus einem Metallsubstrat und einer Schicht mit hohem thermischem Emissionsgrad (z. B. kann die Schicht unter Verwendung eines Metalloxides oder eines Keramikmaterials ausgebildet werden) aufweisen.
<Konkretes Beispiel 2>
21A stellt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 182 in dem Licht emittierenden Feld dar. Das Licht emittierende Feld in 21A ermöglicht eine Berührungsbetätigung. Bei den folgenden konkreten Beispielen wird Beschreibung von Komponenten weggelassen, die denjenigen in dem konkreten Beispiel 1 ähnlich sind.
Das Licht emittierende Feld in 21A beinhaltet die Elementschicht 180, die Klebeschicht 185 und das Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die Isolierschicht 205, die Vielzahl von Transistoren, die Isolierschicht 207, die Isolierschicht 209, eine Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, eine Isolierschicht 217, die Klebeschicht 213, die Isolierschicht 261, die Farbschicht 259, die Licht blockierende Schicht 257, eine Vielzahl von Licht empfangenden Elementen, eine leitende Schicht 281, eine leitende Schicht 283, eine Isolierschicht 291, eine Isolierschicht 293, eine Isolierschicht 295 und die Isolierschicht 255.
Das konkrete Beispiel 2 umfasst die Isolierschicht 217 über der Isolierschicht 211. Der Raum zwischen dem Substrat 181 und dem Substrat 201 kann durch die Isolierschicht 217 reguliert werden.
21 A stellt ein Beispiel dar, in dem ein Licht empfangendes Element zwischen der Isolierschicht 255 und der Klebeschicht 213 angeordnet ist. Da das Licht empfangende Element derart angeordnet werden kann, dass es einen kein Licht emittierenden Bereich (z. B. einen Bereich, in dem der Transistor 240 oder eine Leitung angeordnet ist) an der Seite des Substrats 201 überlappt, kann das Licht emittierende Feld mit einem Berührungssensor versehen werden, ohne dass das Öffnungsverhältnis eines Pixels (eines Licht emittierenden Elements) verringert wird.
Als Licht empfangendes Element in dem Licht emittierenden Feld kann beispielsweise eine p-n-Fotodiode oder eine p-i-n-Fotodiode verwendet werden. Bei dieser Ausführungsform wird als Licht empfangendes Element eine p-i-n-Fotodiode verwendet, die eine p-Typ-Halbleiterschicht 271, eine i-Typ-Halbleiterschicht 273 und eine n-Typ-Halbleiterschicht 275 beinhaltet.
Es sei angemerkt, dass die i-Typ-Halbleiterschicht 273 ein Halbleiter ist, in dem die Konzentration sowohl einer Verunreinigung, die p-Typ-Leitfähigkeit verleiht, als auch einer Verunreinigung, die n-Typ-Leitfähigkeit verleiht, 1 × 10²⁰ cm^-3 oder weniger ist, und der 100-fache oder mehr Fotoleitfähigkeit gegenüber die Dunkelleitfähigkeit aufweist. Die i-Typ-Halbleiterschicht 273 umfasst in ihrer Kategorie auch einen Halbleiter, der ein Verunreinigungselement enthält, das zur Gruppe 13 oder Gruppe 15 des Periodensystems gehört. Mit anderen Worten: Da ein i-Typ-Halbleiter eine schwache elektrische n-Typ-Leitfähigkeit aufweist, wenn ein Verunreinigungselement zum Steuern von Valenzelektronen bewusst nicht zugegeben wird, umfasst die i-Typ-Halbleiterschicht 273 in ihrer Kategorie einen Halbleiter, dem ein Verunreinigungselement, das p-Typ-Leitfähigkeit verleiht, bewusst oder unbewusst bei der Abscheidung oder nach der Abscheidung zugegeben wird.
Die Licht blockierende Schicht 257 wird oberhalb des Licht emittierenden Elements 230 angeordnet und überlappt das Licht empfangende Element. Die Licht blockierende Schicht 257 zwischen dem Licht empfangenden Element und der Klebeschicht 213 kann verhindern, dass das Licht emittierende Element mit dem Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, bestrahlt wird.
Die leitende Schicht 281 und die leitende Schicht 283 sind elektrisch mit dem Licht empfangenden Element verbunden. Die leitende Schicht 281 lässt vorzugsweise das auf das Licht empfangende Element einfallende Licht durch. Die leitende Schicht 283 blockiert vorzugsweise das auf das Licht empfangende Element einfallende Licht.
Vorzugsweise wird ein optischer Berührungssensor zwischen dem Substrat 181 und der Klebeschicht 213 angeordnet, weil der optische Berührungssensor mit weniger Wahrscheinlichkeit vom Licht beeinflusst wird, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, und ein erhöhtes S/N-Verhältnis aufweisen kann.
<Konkretes Beispiel 3>
21B stellt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 182 in dem Licht emittierenden Feld dar. Das Licht emittierende Feld in 21 B ermöglicht eine Berührungsbetätigung.
Das Licht emittierende Feld in 21B beinhaltet die Elementschicht 180, die Klebeschicht 185 und das Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die Isolierschicht 205, die Vielzahl von Transistoren, die Isolierschicht 207, eine Isolierschicht 209a, eine Isolierschicht 209b, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, die Isolierschicht 217, die Klebeschicht 213, die Farbschicht 259, die Licht blockierende Schicht 257, die Vielzahl von Licht empfangenden Elementen, eine leitende Schicht 280, die leitende Schicht 281 und die Isolierschicht 255.
21B stellt ein Beispiel dar, in dem ein Licht empfangendes Element zwischen der Isolierschicht 205 und der Klebeschicht 213 angeordnet ist. Da das Licht empfangende Element zwischen der Isolierschicht 205 und der Klebeschicht 213 angeordnet ist, können eine leitende Schicht, mit der das Licht empfangende Element elektrisch verbunden ist, und eine fotoelektrische Umwandlungsschicht in dem Licht empfangenden Element unter Verwendung derselben Materialien und in demselben Schritt wie eine leitende Schicht und eine Halbleiterschicht in dem Transistor 240 ausgebildet werden. Auf diese Weise kann das Licht emittierende Feld gefertigt werden, das eine Berührungsbetätigung ermöglicht, ohne dass die Anzahl von Fertigungsschritten erheblich ansteigt.
<Konkretes Beispiel 4>
22A stellt ein weiteres Beispiel für das Licht emittierende Feld dar. Das Licht emittierende Feld in 22A ermöglicht eine Berührungsbetätigung.
Das Licht emittierende Feld in 22A beinhaltet die Elementschicht 180, die Klebeschicht 185 und das Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die Isolierschicht 205, die Vielzahl von Transistoren, eine leitende Schicht 253, die leitende Schicht 254, die Isolierschicht 207, die Isolierschicht 209, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, die Isolierschicht 217, die Abdichtungsschicht 213, die Farbschicht 259, die Licht blockierende Schicht 257, die Isolierschicht 255, eine leitende Schicht 272, eine leitende Schicht 274, eine Isolierschicht 276, eine Isolierschicht 278, eine leitende Schicht 294 und eine leitende Schicht 296.
22A stellt ein Beispiel dar, in dem ein kapazitiver Berührungssensor zwischen der Isolierschicht 255 und der Abdichtungsschicht 213 angeordnet ist. Der kapazitive Berührungssensor beinhaltet die leitende Schicht 272 und die leitende Schicht 274.
Die leitende Schicht 253 und die leitende Schicht 254 sind über den Verbinder 215 elektrisch mit der FPC 186 verbunden. Die leitende Schicht 294 und die leitende Schicht 296 sind über leitende Teilchen 292 elektrisch mit der leitenden Schicht 274 verbunden. Auf diese Weise kann der kapazitive Berührungssensor über die FPC 186 angetrieben werden.
<Konkretes Beispiel 5>
22B stellt ein weiteres Beispiel für das Licht emittierende Feld dar. Das Licht emittierende Feld in 22B ermöglicht eine Berührungsbetätigung.
Das Licht emittierende Feld in 22B beinhaltet die Elementschicht 180, die Klebeschicht 185 und das Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet das Substrat 201, die Klebeschicht 203, die Isolierschicht 205, die Vielzahl von Transistoren, die leitende Schicht 253, die leitende Schicht 254, die Isolierschicht 207, die Isolierschicht 209, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, die Isolierschicht 217, die Abdichtungsschicht 213, die Farbschicht 259, die Licht blockierende Schicht 257, die Isolierschicht 255, eine leitende Schicht 270, die leitende Schicht 272, die leitende Schicht 274, die Isolierschicht 276 und die Isolierschicht 278.
22B stellt ein Beispiel dar, in dem ein kapazitiver Berührungssensor zwischen der Isolierschicht 255 und der Abdichtungsschicht 213 angeordnet ist. Der kapazitive Berührungssensor beinhaltet die leitende Schicht 272 und die leitende Schicht 274.
Die leitende Schicht 253 und die leitende Schicht 254 sind über einen Verbinder 215a elektrisch mit einer FPC 186a verbunden. Die leitende Schicht 270 ist über einen Verbinder 215b elektrisch mit einer FPC 186b verbunden. Auf diese Weise können das Licht emittierende Element 230 und der Transistor 240 über die FPC 186a angetrieben werden, und der kapazitive Berührungssensor kann über die FPC 186b angetrieben werden.
<Konkretes Beispiel 6>
23A stellt ein weiteres Beispiel für den Lichtextraktionsabschnitt 182 in dem Licht emittierenden Feld dar.
Der Lichtextraktionsabschnitt 182 in 23A beinhaltet das Substrat 181, die Klebeschicht 185, ein Substrat 202, die Isolierschicht 205, die Vielzahl von Transistoren, die Isolierschicht 207, eine leitende Schicht 208, die Isolierschicht 209a, die Isolierschicht 209b, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, die Abdichtungsschicht 213 und die Farbschicht 259.
Das Licht emittierende Element 230 beinhaltet die untere Elektrode 231, die EL-Schicht 233 und die obere Elektrode 235. Die untere Elektrode 231 ist über die leitende Schicht 208 elektrisch mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode des Transistors 240 verbunden. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der Isolierschicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 weist eine Top-Emission-Struktur auf. Die untere Elektrode 231 weist eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird.
Die Farbschicht 259 ist derart angeordnet, dass sie das Licht emittierende Element 230 überlappt, und das Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, wird von der Seite des Substrats 181 über die Farbschicht 259 extrahiert. Der Raum zwischen dem Licht emittierenden Element 230 und dem Substrat 202 ist mit der Abdichtungsschicht 213 gefüllt. Das Substrat 202 kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das demjenigen des Substrats 201 ähnlich ist.
<Konkretes Beispiel 7>
23B stellt ein weiteres Beispiel für das Licht emittierende Feld dar.
Das Licht emittierende Feld in 23B beinhaltet die Elementschicht 180, die Klebeschicht 185 und das Substrat 181. Die Elementschicht 180 beinhaltet das Substrat 202, Isolierschicht 205, eine leitende Schicht 310a, eine leitende Schicht 310b, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen, die Isolierschicht 211, eine leitende Schicht 212 und die Abdichtungsschicht 213.
Die leitende Schicht 310a und die leitende Schicht 310b, die externe Verbindungselektroden des Licht emittierenden Feldes sind, können jeweils elektrisch mit einer FPC oder dergleichen verbunden sein.
Das Licht emittierende Element 230 beinhaltet die untere Elektrode 231, die EL-Schicht 233 und die obere Elektrode 235. Ein Endabschnitt der unteren Elektrode 231 ist mit der Isolierschicht 211 bedeckt. Das Licht emittierende Element 230 weist eine Bottom-Emission-Struktur auf. Die untere Elektrode 231 weist eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf und lässt Licht durch, das von der EL-Schicht 233 emittiert wird. Die leitende Schicht 212 ist elektrisch mit der unteren Elektrode 231 verbunden.
Das Substrat 181 kann, wie eine Lichtextraktionsstruktur, eine halbkugelförmige Linse, ein Mikrolinsenarray, einen mit einer ungleichmäßigen Oberflächenstruktur versehenen Film, einen Lichtdiffusionsfilm oder dergleichen aufweisen. Beispielsweise kann das Substrat 181 mit einer Lichtextraktionsstruktur gebildet werden, indem die obige Linse oder der obige Film an einem Harzsubstrat mit einem Klebemittel oder dergleichen angebracht wird, der im Wesentlichen den gleichen Brechungsindex aufweist wie das Substrat oder die Linse oder der Film.
Die leitende Schicht 212 wird vorzugsweise, jedoch nicht notwendigerweise, bereitgestellt, weil ein Spannungsabfall aufgrund des Widerstands der unteren Elektrode 231 verhindert werden kann. Außerdem kann für einen ähnlichen Zweck eine leitende Schicht, die elektrisch mit der unteren Elektrode 235 verbunden ist, über der Isolierschicht 211 bereitgestellt werden.
Die leitende Schicht 212 kann eine einzige Schicht oder eine mehrschichtige Schicht sein, die unter Verwendung eines Materials, das aus Kupfer, Titan, Tantal, Wolfram, Molybdän, Chrom, Neodym, Scandium, Nickel und Aluminium ausgewählt wird, oder eines Legierungsmaterials, das ein beliebiges von diesen Materialien als seine Hauptkomponente enthält, ausgebildet wird. Die Dicke der leitenden Schicht 212 kann größer als oder gleich 0,1 µm und kleiner als oder gleich 3 µm, bevorzugt größer als oder gleich 0,1 µm und kleiner als oder gleich 0,5 µm sein.
Wenn eine Paste (z. B. eine Silberpaste) als Material für die leitende Schicht verwendet wird, die elektrisch mit der oberen Elektrode 235 verbunden ist, aggregieren sich Metallteilchen, die die leitende Schicht bilden; daher ist die Oberfläche der leitenden Schicht rau und weist viele Lücken auf. Daher ist es schwer, die leitende Schicht mit der EL-Schicht 233 vollständig zu bedecken; folglich werden die obere Elektrode und die leitende Schicht vorzugsweise leicht elektrisch miteinander verbunden.
<Beispiele für Materialien>
Als Nächstes werden Materialien und dergleichen beschrieben, die für ein Licht emittierendes Feld verwendet werden können. Es sei angemerkt, dass eine Beschreibung der Komponenten, die bereits bei dieser Ausführungsform beschrieben worden sind, weggelassen ist.
Die Elementschicht 180 beinhaltet mindestens eine Licht emittierende Schicht. Als Licht emittierendes Element kann ein selbstleuchtendes Element verwendet werden, und ein Element, dessen Leuchtdichte durch Strom oder Spannung gesteuert wird, ist in der Kategorie des Licht emittierenden Elements eingeschlossen. Beispielsweise kann eine Leuchtdiode (LED), ein organisches EL-Element, ein anorganisches EL-Element oder dergleichen verwendet werden. Unter den obigen Elementen wird das organische EL-Element hinsichtlich der Lichtausbeute und eines Fertigungsverfahrens besonders bevorzugt.
Die Elementschicht 180 kann ferner einen Transistor zum Antreiben des Licht emittierenden Elements, einen Berührungssensor oder dergleichen beinhalten.
Die Struktur der Transistoren in dem Licht emittierenden Feld ist nicht sonderlich beschränkt. Beispielsweise kann ein Forward-Staggered-Transistor oder ein Inverted-Staggered-Transistor verwendet werden. Ein Top-Gate-Transistor oder ein Bottom-Gate-Transistor kann verwendet werden. Ein Halbleitermaterial für die Transistoren ist nicht sonderlich beschränkt, und beispielsweise kann Silizium oder Germanium verwendet werden. Alternativ kann ein Oxidhalbleiter, der mindestens eines von Indium, Gallium und Zink enthält, wie ein Metalloxid auf In-Ga-Zn-Basis, verwendet werden.
Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines Halbleitermaterials für die Transistoren, und es kann ein amorpher Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche enthält) verwendet werden. Vorzugsweise wird ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet, wobei eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterdrückt werden kann.
Das Licht emittierende Element in dem Licht emittierenden Feld beinhaltet ein Paar von Elektroden (die untere Elektrode 231 und die obere Elektrode 235) und die EL-Schicht 233 zwischen dem Paar von Elektroden. Eine Elektrode des Paars von Elektroden dient als Anode, und die andere dient als Kathode.
Das Licht emittierende Element kann eine beliebige von einer Top-Emission-Struktur, einer Bottom-Emission-Struktur und einer Dual-Emission-Struktur aufweisen. Ein leitender Film, der sichtbares Licht durchlässt, wird als Elektrode verwendet, über die Licht extrahiert wird. Ein leitender Film, der sichtbares Licht reflektiert, wird vorzugsweise als Elektrode verwendet, über die kein Licht extrahiert wird.
Der leitende Film, der sichtbares Licht durchlässt, kann zum Beispiel unter Verwendung von Indiumoxid, Indiumzinnoxid (indium tin oxide: ITO), Indiumzinkoxid, Zinkoxid oder Zinkoxid, dem Gallium zugegeben wird, ausgebildet werden. Alternativ kann ein Film aus einem Metallmaterial, wie Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium oder Titan; eine Legierung, die ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthält; oder ein Nitrid eines dieser Metallmaterialien (z. B. Titannitrid) dünn ausgebildet werden, um eine lichtdurchlässige Eigenschaft aufzuweisen. Als weitere Alternative kann eine Schichtanordnung aus einem beliebigen der obigen Materialien als leitende Schicht verwendet werden. Beispielsweise wird vorzugsweise ein mehrschichtiger Film aus ITO und einer Legierung von Silber und Magnesium verwendet, wobei die Leitfähigkeit erhöht werden kann. Als weitere Alternative kann Graphen oder dergleichen verwendet werden.
Für den leitenden Film, der sichtbares Licht reflektiert, kann beispielsweise ein Metallmaterial, wie Aluminium, Gold, Platin, Silber, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer oder Palladium, oder eine Legierung, die ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthält, verwendet werden. Zusätzlich kann dem Metallmaterial oder der Legierung Lanthan, Neodym, Germanium oder dergleichen zugesetzt werden. Ferner kann für den leitenden Film eine Legierung, die Aluminium enthält (eine Aluminiumlegierung), wie eine Legierung von Aluminium und Titan, eine Legierung von Aluminium und Nickel oder eine Legierung von Aluminium und Neodym; oder eine Legierung, die Silber enthält, wie eine Legierung von Silber und Kupfer, eine Legierung von Silber, Palladium und Kupfer oder eine Legierung von Silber und Magnesium verwendet werden. Eine Legierung von Silber und Kupfer ist vorzuziehen, weil sie hohe Wärmebeständigkeit aufweist. Ferner kann dann, wenn ein Metallfilm oder ein Metalloxidfilm auf und in Kontakt mit einem Aluminiumlegierungsfilm angeordnet wird, eine Oxidation des Aluminiumlegierungsfilms verhindert werden. Beispiele für ein Material für den Metallfilm oder den Metalloxidfilm sind Titan und Titanoxid. Alternativ können der obige leitende Film, der sichtbares Licht durchlässt, und ein Film, der ein Metallmaterial enthält, übereinander angeordnet werden. Beispielsweise kann ein mehrschichtiger Film aus Silber und ITO oder ein mehrschichtiger Film aus einer Legierung von Silber und Magnesium und ITO verwendet werden.
Jede der Elektroden kann durch ein Verdampfungsverfahren oder ein Sputterverfahren ausgebildet werden. Alternativ kann ein Ausstoßverfahren wie ein Tintenstrahlverfahren, ein Druckverfahren, wie ein Siebdruckverfahren, oder ein Plattierverfahren zum Einsatz kommen.
Wenn eine Spannung höher als die Schwellenspannung des Licht emittierenden Elements zwischen der unteren Elektrode 231 und der oberen Elektrode 235 angelegt wird, werden Löcher in die EL-Schicht 233 von der Seite der Anode injiziert, und Elektronen werden in die EL-Schicht 233 von der Seite der Kathode injiziert. Die injizierten Elektronen und Löcher rekombinieren in der EL-Schicht 233, und eine in der EL-Schicht 233 enthaltene Licht emittierende Substanz emittiert das Licht.
Die EL-Schicht 233 beinhaltet mindestens eine Licht emittierende Schicht. Zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht kann die EL-Schicht 233 ferner eine oder mehrere Schicht/en beinhalten, die eine beliebige der folgenden Substanzen enthält/enthalten: eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft, eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, ein lochblockierendes Material, eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft, eine Substanz mit einer bipolaren Eigenschaft (eine Substanz mit einer hohen Elektronen- und Lochtransporteigenschaft) und dergleichen.
Für die EL-Schicht 233 kann entweder eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung verwendet werden, und eine anorganische Verbindung kann auch verwendet werden. Jede der Schichten in der EL-Schicht 233 kann durch ein beliebiges der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Verdampfungsverfahren (einschließlich eines Vakuumverdampfungsverfahrens), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren und dergleichen.
In der Elementschicht 180 ist das Licht emittierende Element vorzugsweise zwischen einem Paar von Isolierfilmen mit niedriger Wasserdurchlässigkeit angeordnet. Daher kann verhindert werden, dass eine Verunreinigung, wie Wasser, in das Licht emittierende Element eindringt, was eine Abnahme der Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung verhindert.
Als Isolierfilm mit niedriger Wasserdurchlässigkeit kann ein Film, der Stickstoff und Silizium enthält (z. B. ein Siliziumnitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm), ein Film, der Stickstoff und Aluminium enthält (z. B. ein Aluminiumnitridfilm), oder dergleichen verwendet werden. Alternativ kann ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxidfilm oder dergleichen verwendet werden.
Der Wasserdampfdurchlässigkeitsgrad des Isolierfilms mit niedriger Wasserdurchlässigkeit ist beispielsweise niedriger als oder gleich 1 × 10^-5 [g/m²·Tag], bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10^-6 [g/m²·Tag], stärker bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10^-7 [g/m²·Tag], noch stärker bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 10^-8 [g/m²·Tag].
Das Substrat 181 weist eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf und lässt mindestens das von dem Licht emittierenden Element in der Elementschicht 180 emittierte Licht durch. Das Substrat 181 kann ein flexibles Substrat sein. Überdies ist der Brechungsindex des Substrats 181 höher als derjenige der Luft.
Ein organisches Harz, das leichter ist als Glas, wird vorzugsweise für das Substrat 181 verwendet, wobei die Licht emittierende Vorrichtung im Vergleich zu dem Fall, in dem Glas verwendet wird, leichter sein kann.
Beispiele für ein Material mit Flexibilität und einer lichtdurchlässigen Eigenschaft bezüglich des sichtbaren Lichts umfassen Glas, das dünn genug ist, Flexibilität aufzuweisen, Polyesterharze, wie Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat- (PC-) Harz, ein Polyethersulfon-(PES-) Harz, ein Polyamidharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz und ein Polyvinylchloridharz. Insbesondere wird ein Material bevorzugt, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient niedrig ist, und beispielsweise kann ein Polyamidimidharz, ein Polyimidharz oder PET vorteilhaft verwendet werden. Es kann auch ein Substrat, in dem eine Glasfaser mit einem organischen Harz imprägniert ist, oder ein Substrat verwendet werden, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient verringert wird, indem einem organischen Harz ein anorganischer Füllstoff beigemischt wird.
Das Substrat 181 kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, bei der eine Hartschicht (wie eine Siliziumnitridschicht), durch die eine Oberfläche einer Licht emittierenden Vorrichtung vor Schäden geschützt wird, eine Schicht (wie eine Aramidharzschicht), die den Druck verteilen kann, oder dergleichen über einer Schicht aus einem beliebigen der oben beschriebenen Materialien angeordnet ist. Um eine Verkürzung der Lebensdauer des Licht emittierenden Elements aufgrund von Feuchtigkeit und dergleichen zu unterdrücken, kann ferner der Isolierfilm mit niedriger Wasserdurchlässigkeit in der mehrschichtigen Struktur enthalten sein.
Die Klebeschicht 185 weist eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf und lässt mindestens das von dem Licht emittierenden Element in der Elementschicht 180 emittierte Licht durch. Überdies ist der Brechungsindex der Klebeschicht 185 höher als derjenige der Luft.
Für die Klebeschicht 185 kann ein bei Raumtemperatur aushärtbares Harz verwendet werden , wie ein zwei Komponenten enthaltendes Harz, ein lichthärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz oder dergleichen. Die Beispiele umfassen ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz und dergleichen. Insbesondere wird ein Material mit niedriger Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie ein Epoxidharz, bevorzugt.
Überdies kann das Harz ein Trocknungsmittel umfassen. Beispielsweise kann eine Substanz verwendet werden, die Feuchtigkeit durch chemische Adsorption adsorbiert, wie ein Oxid eines Erdalkalimetalls (z. B. Calciumoxid oder Bariumoxid). Alternativ kann eine Substanz verwendet werden, die Feuchtigkeit durch physikalische Adsorption adsorbiert, wie Zeolith oder Kieselgel. Das Trocknungsmittel ist vorzugsweise enthalten, weil das Eindringen einer Verunreinigung, wie Feuchtigkeit, in das Licht emittierende Element unterdrückt werden kann, wodurch die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Vorrichtung erhöht werden kann.
Außerdem wird dem Harz vorzugsweise ein Füllstoff mit einem hohen Brechungsindex (z. B. Titanoxid) beigemischt, wobei die Effizienz der Lichtextraktion von dem Licht emittierenden Element erhöht werden kann.
Die Klebeschicht 185 kann auch ein Streuungsteil zum Streuen des Lichts beinhalten. Beispielsweise kann die Klebeschicht 185 ein Gemisch aus dem obigen Harz und Teilchen sein, die einen Brechungsindex aufweisen, der sich von demjenigen des Harzes unterscheidet. Die Teilchen dienen als Streuungsteil zum Streuen des Lichts.
Der Unterschied zwischen einem Brechungsindex des Harzes und demjenigen der Teilchen, deren Brechungsindex sich von demjenigen des Harzes unterscheidet, ist bevorzugt 0,1 oder mehr, stärker bevorzugt 0,3 oder mehr. Insbesondere kann als Harz ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Imidharz, Silikon oder dergleichen verwendet werden, und als Teilchen können Titanoxid, Bariumoxid, Zeolith oder dergleichen verwendet werden.
Titanoxid- oder Bariumoxid-Teilchen werden bevorzugt, weil sie Licht ausgezeichnet streuen. Wenn Zeolith verwendet wird, kann es das in dem Harz und dergleichen enthaltene Wasser adsorbieren, wodurch die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements erhöht wird.
Die Isolierschicht 205 und die Isolierschicht 255 können jeweils unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials ausgebildet werden. Insbesondere wird vorzugsweise der Isolierfilm mit niedriger Wasserdurchlässigkeit verwendet, wobei ein hochzuverlässiges, Licht emittierendes Feld bereitgestellt werden kann.
Die Isolierschicht 207 weist einen Effekt auf, bei dem die Diffusion von Verunreinigungen in einen Halbleiter in dem Transistor verhindert wird. Als die Isolierschicht 207 kann ein anorganischer Isolierfilm, wie ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm oder ein Aluminiumoxidfilm, verwendet werden.
Als jede der Isolierschichten 209, 209a und 209b wird vorzugsweise ein Isolierfilm mit einer Planarisierungsfunktion ausgewählt, um die Unebenheit der Oberfläche wegen des Transistors oder dergleichen zu verringern. Beispielsweise kann ein organisches Material, wie ein Harz auf Polyimid-Basis, ein Harz auf Acryl-Basis oder ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, verwendet werden. Als Alternative für ein derartiges organisches Material kann ein Material mit niedriger Dielektrizitätskonstante (ein Material mit niedrigem k) oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass eine Vielzahl von Isolierfilmen aus diesen Materialien oder anorganischen Isolierfilmen übereinander angeordnet werden kann.
Die Isolierschicht 211 wird bereitgestellt, um einen Endabschnitt der unteren Elektrode 231 zu bedecken. Damit die Isolierschicht 211 mit der EL-Schicht 233 und der oberen Elektrode 235, die darüber ausgebildet werden, gut bedeckt wird, weist vorzugsweise eine Seitenwand der Isolierschicht 211 eine schräge Oberfläche mit stetiger Krümmung auf.
Als Material für die Isolierschicht 211 kann ein Harz oder ein anorganisches Isoliermaterial verwendet werden. Als Harz kann beispielsweise ein Harz auf Polyimid-Basis, ein Harz auf Polyamid-Basis, ein Harz auf Acryl-Basis, ein Harz auf Siloxan-Basis, ein Harz auf Epoxid-Basis, ein Harz auf Phenol-Basis oder dergleichen verwendet werden. Insbesondere wird vorzugsweise entweder ein negatives-fotoempfindliches Harz oder ein positives-fotoempfindliches Harz verwendet, damit die Isolierschicht 211 leicht ausgebildet wird.
Es gibt keine Beschränkung bezüglich des Verfahrens zum Ausbilden der Isolierschicht 211; ein Fotolithografieverfahren, ein Sputterverfahren, ein Verdampfungsverfahren, ein Tropfenausstoßverfahren (z. B. ein Tintenstrahlverfahren), ein Druckverfahren (wie z. B. ein Siebdruckverfahren oder ein Offsetdruckverfahren) oder dergleichen kann verwendet werden.
Die Isolierschicht 217 kann unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials, eines organischen Isoliermaterials, eines Metallmaterials oder dergleichen ausgebildet werden. Als organisches Isoliermaterial kann beispielsweise ein negativ- oder positives-fotoempfindliches Harz, ein nicht fotoempfindliches Harz oder dergleichen verwendet werden. Als Metallmaterial kann Titan, Aluminium oder dergleichen verwendet werden. Wenn ein leitendes Material für die Isolierschicht 217 verwendet wird und die Isolierschicht 217 elektrisch mit der oberen Elektrode 235 verbunden wird, kann ein Spannungsabfall aufgrund des Widerstands der oberen Elektrode 235 verhindert werden. Die Isolierschicht 217 kann entweder eine sich verjüngende Form oder eine sich nach unten verjüngende Form aufweisen.
Jede der Isolierschichten 276, 278, 291, 293 und 295 kann unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials oder eines organischen Isoliermaterials ausgebildet werden. Im Besonderen wird vorzugsweise eine Isolierschicht mit einer Planarisierungsfunktion für jede der Isolierschichten 278 und 295 verwendet, um die Unebenheit der Oberfläche wegen eines Sensorelements zu verringern.
Für die Abdichtungsschicht 213 kann ein bei Raumtemperatur aushärtbares Harz verwendet werden, wie ein zwei Komponenten enthaltendes Harz, ein lichthärtendes Harz, ein wärmehärtendes Harz oder dergleichen. Beispielsweise kann ein Polyvinylchlorid- (PVC-) Harz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Silikonharz, ein Polyvinylbutyral- (PVB-) Harz, ein Ethylenvinylacetat- (EVA-) Harz oder dergleichen verwendet werden. Ein Trocknungsmittel kann in der Abdichtungsschicht 213 enthalten sein. In dem Fall, in dem das von dem Licht emittierenden Element 230 emittierte Licht nach außen von dem Licht emittierenden Feld über die Abdichtungsschicht 213 extrahiert wird, enthält vorzugsweise eine Abdichtungsschicht 213 einen Füllstoff mit einem hohen Brechungsindex oder ein Streuungsteil. Materialien für das Trocknungsmittel, den Füllstoff mit einem hohen Brechungsindex und das Streuungsteil sind denjenigen ähnlich, die für die Klebeschicht 185 verwendet werden können.
Jede der leitenden Schichten 253, 254, 294 und 296 kann unter Verwendung desselben Materials und in demselben Schritt wie eine leitende Schicht in dem Transistor oder dem Licht emittierenden Element ausgebildet werden. Die leitende Schicht 280 kann unter Verwendung desselben Materials und in demselben Schritt wie eine leitende Schicht in dem Transistor ausgebildet werden.
Beispielsweise kann jede der leitenden Schichten derart ausgebildet werden, dass sie eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur unter Verwendung eines beliebigen von Metallmaterialien, wie Molybdän, Titan, Chrom, Tantal, Wolfram, Aluminium, Kupfer, Neodym und Scandium, und einem Legierungsmaterial, das eines dieser Materialien enthält, aufweist. Jede der leitenden Schichten kann unter Verwendung eines leitenden Metalloxides ausgebildet werden. Als leitendes Metalloxid kann Indiumoxid (z. B. In₂O₃), Zinnoxid (z. B. SnO₂), Zinkoxid (z. B. ZnO), ITO, Indiumzinkoxid (z. B. In₂O₃-ZnO) oder ein beliebiges dieser Metalloxidmaterialien, in dem Siliziumoxid enthalten ist, verwendet werden.
Jede der leitenden Schichten 208, 212, 310a und 310b kann auch unter Verwendung eines beliebigen der obigen Metallmaterialien, Legierungsmaterialien und leitenden Metalloxide ausgebildet werden.
Jede der leitenden Schichten 272, 274, 281 und 283 ist eine leitende Schicht mit einer lichtdurchlässigen Eigenschaft. Die leitende Schicht kann beispielsweise unter Verwendung von Indiumoxid, ITO, Indiumzinkoxid, Zinkoxid, Zinkoxid, dem Gallium zugegeben worden ist, oder dergleichen ausgebildet werden. Die leitende Schicht 270 kann unter Verwendung desselben Materials und in demselben Schritt wie die leitende Schicht 272 ausgebildet werden.
Als die leitenden Teilchen 292 werden Teilchen von einem organischen Harz, Kieselerde oder dergleichen verwendet, die mit einem Metallmaterial beschichtet sind. Vorzugsweise wird Nickel oder Gold als Metallmaterial verwendet, weil der Kontaktwiderstand verringert werden kann. Vorzugsweise werden auch Teilchen verwendet, die jeweils mit Schichten aus zwei oder mehr Arten von Metallmaterialien beschichtet sind, wie Teilchen, die mit Nickel und ferner mit Gold beschichtet sind.
Es ist möglich, dass für den Verbinder 215 ein pastenartiges oder blattartiges Material verwendet wird, das durch Vermischen von Metallteilchen und einem wärmehärtenden Harz erhalten wird und anisotrope elektrische Leitfähigkeit durch Thermokompressionsbonden aufweist. Als Metallteilchen werden vorzugsweise Teilchen verwendet, in denen zwei oder mehr Arten von Metallen geschichtet sind, beispielsweise Nickelteilchen, die mit Gold beschichtet sind.
Die Farbschicht 259 ist eine gefärbte Schicht, die Licht in einem konkreten Wellenlängenbereich durchlässt. Beispielsweise kann ein roter (R) Farbfilter zum Durchlassen des Lichts in einem roten Wellenlängenbereich, ein grüner (G) Farbfilter zum Durchlassen des Lichts in einem grünen Wellenlängenbereich, ein blauer (B) Farbfilter zum Durchlassen des Lichts in einem blauen Wellenlängenbereich oder dergleichen verwendet werden. Jede Farbschicht wird mittels eines beliebigen von verschiedenen Materialien durch ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Ätzverfahren unter Verwendung eines Fotolithografieverfahrens oder dergleichen an einer gewünschten Stelle ausgebildet.
Die Licht blockierende Schicht 257 ist zwischen den benachbarten Farbschichten 259 angeordnet. Die Licht blockierende Schicht 257 blockiert Licht, das von dem benachbarten Licht emittierenden Element emittiert wird, wodurch eine Farbmischung zwischen benachbarten Pixeln verhindert wird. Hier wird die Farbschicht 259 derart angeordnet, dass ihr Endabschnitt die Licht blockierende Schicht 257 überlappt, wodurch der Lichtaustritt verringert wird. Die Licht blockierende Schicht 257 kann unter Verwendung eines Materials ausgebildet werden, das das von dem Licht emittierenden Element emittierte Licht blockiert, wie eines Metallmaterials, eines Harzmaterials, das ein Pigment oder einen Farbstoff enthält, oder dergleichen. Es sei angemerkt, dass die Licht blockierende Schicht 257, wie in 20A dargestellt, vorzugsweise auch in einem Bereich abgesehen von dem Lichtextraktionsabschnitt 182, wie in dem Treiberschaltungsabschnitt 184, angeordnet wird, wobei ein unerwünschter Austritt des geleiteten Lichts oder dergleichen verhindert werden kann.
Die Isolierschicht 261, die die Farbschicht 259 und die Licht blockierende Schicht 257 bedeckt, wird vorzugsweise bereitgestellt, weil sie verhindern kann, dass eine Verunreinigung, wie ein Pigment in der Farbschicht 259 oder der Licht blockierenden Schicht 257, in das Licht emittierende Element oder dergleichen diffundiert. Für die Isolierschicht 261 wird ein lichtdurchlässiges Material verwendet, und ein anorganisches Isoliermaterial oder ein organisches Isoliermaterial kann verwendet werden. Der Isolierfilm mit niedriger Wasserdurchlässigkeit kann für die Isolierschicht 261 verwendet werden.
<Beispiel für Fertigungsverfahren>
Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf 24A bis 24C und 25A bis 25C ein Beispiel für ein Fertigungsverfahren eines Licht emittierenden Feldes beschrieben. Hier wird das Fertigungsverfahren unter Verwendung des Licht emittierenden Feldes des konkreten Beispiels 1 ( 20B) als Beispiel beschrieben.
Zuerst wird über einem Ausbildungssubstrat 301 eine Trennschicht 303 ausgebildet, und über der Trennschicht 303 wird die Isolierschicht 205 ausgebildet. Als Nächstes werden über der Isolierschicht 205 die Vielzahl von Transistoren, die leitende Schicht 254, die Isolierschicht 207, die Isolierschicht 209, die Vielzahl von Licht emittierenden Elementen und die Isolierschicht 211 ausgebildet. Eine Öffnung wird in den Isolierschichten 211, 209 und 207 gebildet, um die leitende Schicht 254 (24A) freizulegen.
Außerdem wird über einem Ausbildungssubstrat 305 eine Trennschicht 307 ausgebildet, und über der Trennschicht 307 wird die Isolierschicht 255 ausgebildet. Als Nächstes werden über der Isolierschicht 255 die Licht blockierende Schicht 257, die Farbschicht 259 und die Isolierschicht 261 ausgebildet (24B).
Das Ausbildungssubstrat 301 und das Ausbildungssubstrat 305 können jeweils ein Glassubstrat, ein Quarzsubstrat, ein Saphirsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Metallsubstrat oder dergleichen sein.
Für das Glassubstrat kann beispielsweise ein Glasmaterial, wie Aluminiumsilikatglas, Aluminiumborsilikatglas oder Bariumborsilikatglas, verwendet werden. Falls die Temperatur einer Wärmebehandlung hoch ist, die später durchgeführt wird, wird vorzugsweise ein Substrat mit einer Entspannungsgrenze von 730 °C oder höher verwendet. Es sei angemerkt, dass dann, wenn eine große Menge an Bariumoxid (BaO) enthalten ist, das Glassubstrat wärmebeständig und praktischer sein kann. Alternativ kann kristallisiertes Glas oder dergleichen verwendet werden.
In dem Fall, in dem ein Glassubstrat als Ausbildungssubstrat verwendet wird, wird vorzugsweise ein Isolierfilm, wie ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumnitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm, zwischen dem Ausbildungssubstrat und der Trennschicht ausgebildet, wobei eine Verunreinigung von dem Glassubstrat verhindert werden kann.
Die Trennschicht 303 und die Trennschicht 307 weisen jeweils eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur auf, die eines der folgenden Elemente enthält: ein Element, das aus Wolfram, Molybdän, Titan, Tantal, Niob, Nickel, Kobalt, Zirconium, Zink, Ruthenium, Rhodium, Palladium, Osmium, Iridium und Silizium ausgewählt wird; ein Legierungsmaterial, das ein beliebiges der Elemente enthält; oder ein Verbindungsmaterial, das ein beliebiges der Elemente enthält. Eine Kristallstruktur einer Silizium enthaltenden Schicht kann amorph, mikrokristallin oder polykristallin sein.
Die Trennschicht kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass ein Beschichtungsverfahren ein Rotationsbeschichtungsverfahren, ein Tropfenausstoßverfahren und ein Dispenserverfahren umfasst.
In dem Fall, in dem die Trennschicht eine einschichtige Struktur hat, wird vorzugsweise eine Wolframschicht, eine Molybdänschicht oder eine Schicht, die ein Gemisch aus Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet. Alternativ kann eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid von Wolfram enthält, eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid von Molybdän enthält, oder eine Schicht, die ein Oxid oder ein Oxynitrid eines Gemisches von Wolfram und Molybdän enthält, ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass beispielsweise das Gemisch aus Wolfram und Molybdän einer Legierung von Wolfram und Molybdän entspricht.
In dem Fall, in dem die Trennschicht derart ausgebildet wird, dass sie eine mehrschichtige Struktur aufweist, die eine Wolfram enthaltende Schicht und eine ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht aufweist, kann die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht wie folgt ausgebildet werden: Zuerst wird die Wolfram enthaltende Schicht ausgebildet, und darüber wird ein aus einem Oxid gebildeter Isolierfilm ausgebildet, so dass die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht an der Grenzfläche zwischen der Wolframschicht und dem Isolierfilm ausgebildet wird. Alternativ kann die ein Oxid von Wolfram enthaltende Schicht durch eine thermische Oxidationsbehandlung, eine Sauerstoffplasmabehandlung, eine Distickstoffoxid- (N₂O-) Plasmabehandlung, eine Behandlung mittels einer starken Oxidationslösung, wie Ozonwasser oder dergleichen, an der Oberfläche der Wolfram enthaltenden Schicht, ausgebildet werden. Eine Plasmabehandlung oder eine Wärmebehandlung kann in einer Atmosphäre von lediglich Sauerstoff, Stickstoff oder Distickstoffoxid oder in einem gemischten Gas aus einem dieser Gase und einem weiteren Gas durchgeführt werden. Der Oberflächenzustand der Trennschicht wird durch die Plasmabehandlung oder Wärmebehandlung verändert, wodurch die Adhäsion zwischen der Trennschicht und dem später auszubildenden Isolierfilm gesteuert werden kann.
Es sei angemerkt, dass alternativ eine Isolierschicht zwischen der Isolierschicht 205 bzw. der Isolierschicht 255 und der Trennschicht angeordnet werden kann, so dass die Trennung an einer Grenzfläche zwischen der Isolierschicht und der Isolierschicht 205 bzw. der Isolierschicht 255 durchgeführt werden kann. Die Isolierschicht weist vorzugsweise eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur auf, die einen beliebigen von einem Siliziumnitridfilm, einem Siliziumoxynitridfilm, einem Siliziumnitridoxidfilm und dergleichen umfasst.
Jede der Isolierschichten kann durch ein Sputterverfahren, ein Plasma-CVD-Verfahren, ein Beschichtungsverfahren, ein Druckverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Beispielsweise wird die Isolierschicht bei einer Temperatur von höher als oder gleich 250 °C und niedriger als oder gleich 400 °C durch ein Plasma-CVD-Verfahren ausgebildet, wodurch die Isolierschicht ein dichter Film mit sehr niedriger Wasserdurchlässigkeit sein kann.
Anschließend wird ein Material für die Abdichtungsschicht 213 an einer Oberfläche des Ausbildungssubstrats 305, über der die Farbschicht 259 und dergleichen ausgebildet sind, oder an einer Oberfläche des Ausbildungssubstrats 301, über der das Licht emittierende Element 230 und dergleichen ausgebildet sind, aufgelegt, und das Ausbildungssubstrat 301 und das Ausbildungssubstrat 305 werden derart angebracht, dass diese zwei Oberflächen einander zugewandt sind, wobei die Abdichtungsschicht 213 dazwischen angeordnet ist (24C).
Als Nächstes wird das Ausbildungssubstrat 301 getrennt, und die freigelegte Isolierschicht 205 und das Substrat 201 werden durch die Klebeschicht 203 aneinander angebracht. Ferner wird das Ausbildungssubstrat 305 getrennt, und die freigelegte Isolierschicht 255 und das Substrat 181 werden durch die Klebeschicht 185 aneinander angebracht. Obwohl in 25A das Substrat 181 die leitende Schicht 254 nicht überlappt, kann das Substrat 181 die leitende Schicht 254 überlappen.
Ein beliebiges der verschiedenen Verfahren kann nach Bedarf für den Trennungsprozess verwendet werden. Beispielsweise wird dann, wenn eine einen Metalloxidfilm enthaltende Schicht als Trennschicht an der Seite in Kontakt mit der zu trennenden Schicht ausgebildet wird, der Metalloxidfilm durch Kristallisation versprödet, wodurch die zu trennende Schicht von dem Ausbildungssubstrat getrennt werden kann. Alternativ wird dann, wenn ein Wasserstoff enthaltender amorpher Siliziumfilm als die Trennschicht zwischen dem Ausbildungssubstrat mit hoher Wärmebeständigkeit und der zu trennenden Schicht ausgebildet wird, der amorphe Siliziumfilm durch Laserlichtbestrahlung oder Ätzen entfernt, wodurch die zu trennende Schicht von dem Ausbildungssubstrat getrennt werden kann. Alternativ wird der Metalloxidfilm durch Kristallisation versprödet, nachdem eine einen Metalloxidfilm enthaltende Schicht als Trennschicht an der Seite in Kontakt mit der zu trennenden Schicht ausgebildet worden ist, und ein Teil der Trennschicht wird ferner durch Ätzen unter Verwendung einer Lösung oder eines Fluoridgases, wie NF₃, BrF₃ oder CIF₃, entfernt, wodurch die Trennung an dem versprödeten Metalloxidfilm durchgeführt werden kann. Als weitere Alternative kann ein Verfahren, das wie folgt durchgeführt wird, zum Einsatz kommen: Ein Film, der Stickstoff, Sauerstoff, Wasserstoff oder dergleichen (z. B. ein Wasserstoff enthaltender amorpher Siliziumfilm, ein Wasserstoff enthaltender Legierungsfilm, ein Sauerstoff enthaltender Legierungsfilm oder dergleichen) enthält, wird als Trennschicht verwendet, und die Trennschicht wird mit Laserlicht bestrahlt, um Stickstoff, Sauerstoff oder Wasserstoff freizusetzen, die als Gas in der Trennschicht enthalten wird, wodurch die Trennung zwischen der zu trennenden Schicht und dem Ausbildungssubstrat gefördert wird. Alternativ ist es möglich, ein Verfahren zu verwenden, in dem das mit der zu trennenden Schicht versehene Ausbildungssubstrat mechanisch oder durch Ätzen unter Verwendung einer Lösung oder eines Fluoridgases, wie NF₃, BrF₃ oder CIF₃ oder dergleichen, getrennt wird. In diesem Fall wird die Trennschicht nicht notwendigerweise bereitgestellt.
Ferner kann der Trennungsprozess durch Kombination der oben beschriebenen Trennungsverfahren leicht durchgeführt werden. Mit anderen Worten: Die Trennung kann durch physikalische Kraft (durch eine Maschine oder dergleichen) durchgeführt werden, nachdem eine Laserlichtbestrahlung, ein Ätzen an der Trennschicht mit einem Gas, einer Lösung oder dergleichen oder mechanische Entfernung mit einem scharfen Messer, einem Skalpell oder dergleichen, durchgeführt worden ist, so dass die Trennschicht und die zu trennende Schicht leicht voneinander getrennt werden können.
Die Trennung der von dem Ausbildungssubstrat zu trennenden Schicht kann durchgeführt werden, indem die Grenzfläche zwischen der Trennschicht und der zu trennenden Schicht mit einer Flüssigkeit gefüllt wird. Ferner kann die Trennung durchgeführt werden, während eine Flüssigkeit, wie Wasser, gegossen wird.
Als weiteres Trennungsverfahren wird in dem Fall, in dem die Trennschicht unter Verwendung von Wolfram ausgebildet wird, vorzugsweise die Trennung durchgeführt, während die Trennschicht unter Verwendung einer gemischten Lösung aus Ammoniakwasser und einer Wasserstoffperoxidlösung geätzt wird.
Es sei angemerkt, dass die Trennschicht in dem Fall, in dem die Trennung an der Grenzfläche zwischen dem Ausbildungssubstrat und der zu trennenden Schicht möglich ist, nicht notwendig ist. Beispielsweise wird Glas als Ausbildungssubstrat verwendet, ein organisches Harz, wie Polyimid, wird in Kontakt mit dem Glas ausgebildet, und ein Isolierfilm, ein Transistor und dergleichen werden über dem organischen Harz ausgebildet. In diesem Fall ermöglicht das Erwärmen des organischen Harzes die Trennung an der Grenzfläche zwischen dem Ausbildungssubstrat und dem organischen Harz. Alternativ kann die Trennung an der Grenzfläche zwischen einer Metallschicht und dem organischen Harz auf die folgende Weise durchgeführt werden: Die Metallschicht wird zwischen dem Ausbildungssubstrat und dem organischen Harz angeordnet, und es wird veranlasst, dass Strom in der Metallschicht fließt, so dass die Metallschicht erwärmt wird.
Zuletzt wird eine Öffnung in der Isolierschicht 255 und der Abdichtungsschicht 213 gebildet, um die leitende Schicht 254 freizulegen ( 25B). In dem Fall, in dem das Substrat 181 die leitende Schicht 254 überlappt, wird die Öffnung auch in dem Substrat 181 und der Klebeschicht 185 gebildet (25C). Das Verfahren zum Ausbilden der Öffnung ist nicht sonderlich beschränkt und kann beispielsweise ein Laserablationsverfahren, ein Ätzverfahren, ein lonenstrahlsputterverfahren oder dergleichen sein. Als weiteres Verfahren kann in einem Film über der leitenden Schicht 254 mit einem scharfen Messer oder dergleichen ein Einschnitt vorgenommen werden, und ein Teil des Films kann durch physikalische Kraft getrennt werden.
Auf die oben beschriebene Weise kann das Licht emittierende Feld gefertigt werden.
Wie oben beschrieben, beinhaltet ein Licht emittierendes Feld dieser Ausführungsform zwei Substrate; bei einem handelt es sich um das Substrat 181 und bei dem anderen handelt es sich um das Substrat 201 oder das Substrat 202. Das Licht emittierende Feld kann mit zwei Substraten ausgebildet werden, selbst wenn es einen Berührungssensor beinhaltet. Mit der minimalen Anzahl von Substraten können eine Erhöhung von Lichtextraktionseffizienz und eine Erhöhung der Klarheit der Anzeige leicht erzielt werden.
Diese Ausführungsform kann nach Bedarf mit einer beliebigen der anderen Ausführungsformen in dieser Beschreibung kombiniert werden.
[Ausführungsform 4]
Bei dieser Ausführungsform wird ein Licht emittierendes Feld, das in der Datenverarbeitungsvorrichtung verwendet werden kann, unter Bezugnahme auf 26 beschrieben.
Das Licht emittierende Feld in 26 beinhaltet ein Substrat 401, den Transistor 240, das Licht emittierende Element 230, die Isolierschicht 207, die Isolierschicht 209, die Isolierschicht 211, die Isolierschicht 217, einen Raum 405, die Isolierschicht 261, die Licht blockierende Schicht 257, die Farbschicht 259, ein Licht empfangendes Element (einschließlich der p-Typ-Halbleiterschicht 271, der i-Typ-Halbleiterschicht 273 und der n-Typ-Halbleiterschicht 275), die leitende Schicht 281, die leitende Schicht 283, die Isolierschicht 291, die Isolierschicht 293, die Isolierschicht 295 und ein Substrat 403.
Das Licht emittierende Feld beinhaltet eine Klebeschicht (nicht abgebildet), die zwischen dem Substrat 401 und dem Substrat 403 in einer Rahmenform derart ausgebildet ist, dass sie das Licht emittierende Element 230 und das Licht empfangende Element umgibt. Das Licht emittierende Element 230 ist durch die Klebeschicht, das Substrat 401 und das Substrat 403 abgedichtet.
Bei dem Licht emittierenden Feld dieser Ausführungsform weist das Substrat 403 eine lichtdurchlässige Eigenschaft auf. Das von dem Licht emittierenden Element 230 emittierte Licht wird durch die Farbschicht 259, das Substrat 403 und dergleichen zur Luft extrahiert.
Das Licht emittierende Feld dieser Ausführungsform ermöglicht eine Berührungsbetätigung. Insbesondere kann mit dem Licht empfangenden Element Annäherung oder Kontakt eines Gegenstandes an/mit eine/r Oberfläche des Substrats 403 erkannt werden.
Ein optischer Berührungssensor ist gut haltbar und wird bevorzugt, weil seine Erkennungsgenauigkeit durch keine Beschädigung an einer Oberfläche beeinflusst wird, die von einem Gegenstand berührt wird. Ein optischer Berührungssensor ist auch vorteilhaft darin, dass er kontaktfreie Erkennung durchführen kann, dass er auch in einer Anzeigevorrichtung die Klarheit von Bildern nicht verschlechtert, und dass er auf große Licht emittierende Felder und Anzeigevorrichtungen angewandt werden kann.
Vorzugsweise wird ein optischer Berührungssensor zwischen dem Substrat 403 und dem Raum 405 angeordnet, weil der optische Berührungssensor mit weniger Wahrscheinlichkeit vom Licht beeinflusst wird, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, und ein erhöhtes S/N-Verhältnis aufweisen kann.
Die Licht blockierende Schicht 257 wird oberhalb des Licht emittierenden Elements 230 angeordnet und überlappt das Licht empfangende Element. Die Licht blockierende Schicht 257 kann verhindern, dass das Licht emittierende Element mit dem Licht, das von dem Licht emittierenden Element 230 emittiert wird, bestrahlt wird.
Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich Materialien, die für die Substrate 401 und 403 verwendet werden. Das Substrat, über das das von dem Licht emittierenden Element emittierte Licht extrahiert wird, wird unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das Licht durchlässt. Beispielsweise kann ein Material, wie Glas, Quarz, Keramik, Saphir oder ein organisches Harz, verwendet werden. Da das Substrat, über das keine Lichtemission extrahiert wird, keine lichtdurchlässige Eigenschaft aufweisen muss, kann zusätzlich zu den oben beschriebenen Substraten ein Metallsubstrat, das ein Metallmaterial oder ein Legierungsmaterial verwendet, oder dergleichen verwendet werden. Ferner kann ein beliebiges der Materialien für die Substrate bei den obigen Ausführungsformen auch für die Substrate 401 und 403 verwendet werden.
Ein Verfahren zum Abdichten des Licht emittierenden Feldes ist nicht beschränkt, und entweder eine solide Abdichtung (solid sealing) oder Hohlraumabdichtung (hollow sealing) kann zum Einsatz kommen. Beispielsweise kann ein Glasmaterial, wie eine Glasfritte, oder ein Harzmaterial, wie ein bei Raumtemperatur aushärtbares Harz, das , wie ein zwei Komponenten enthaltendes Harz, ein lichthärtendes Harz oder ein wärmehärtendes Harz, verwendet werden. Der Raum 405 kann mit einem Inertgas, wie Stickstoff oder Argon, oder mit einem Harz oder dergleichen gefüllt sein, das demjenigen ähnlich ist, das für die Abdichtungsschicht 213 verwendet wird. Außerdem kann das Harz das Trocknungsmittel, den Füllstoff mit einem hohen Brechungsindex oder das Streuungsteil enthalten.
Diese Ausführungsform kann nach Bedarf mit einer beliebigen der anderen Ausführungsformen in dieser Beschreibung kombiniert werden.
Bezugszeichen
100: Datenverarbeitungsvorrichtung, 102: Anzeigeabschnitt, 102a: Anzeigeabschnitt, 102b: Anzeigeabschnitt, 104: Treiberschaltungsabschnitt, 104g_1: Gate-Treiber, 104g_1A: Gate-Treiber, 104g_1B: Gate-Treiber, 104g_2: Gate-Treiber, 104g_2A: Gate-Treiber, 104g_2B: Gate-Treiber, 104g_2C: Gate-Treiber, 104g_2D: Gate-Treiber, 104g_3: Gate-Treiber, 104g_4: Gate-Treiber, 104s_1: Source-Treiber, 104s_2: Source-Treiber, 104s_3: Source-Treiber, 104s_4: Source-Treiber, 105: Anzeigefeld, 106: Sensorabschnitt, 108: arithmetischer Abschnitt, 110: Speicherabschnitt, 120: Bereich, 130: Licht emittierender Bereich, 131: Licht emittierender Bereich, 132: Licht emittierender Bereich, 133: Licht emittierender Bereich, 150: Datenverarbeitungsvorrichtung, 152: Anzeigefeld, 153a: Trägerteil, 155a: Trägerteil, 155b: Trägerteil, 180: Elementschicht, 181: Substrat, 182: Lichtextraktionsabschnitt, 184: Treiberschaltungsabschnitt, 185: Klebeschicht, 186: FPC, 186a: FPC, 186b: FPC, 201: Substrat, 202: Substrat, 203: Klebeschicht, 205: Isolierschicht, 207: Isolierschicht, 208: leitende Schicht, 209: Isolierschicht, 209a: Isolierschicht, 209b: Isolierschicht, 211: Isolierschicht, 212: leitende Schicht, 213: Abdichtungsschicht, 215: Verbinder, 215a: Verbinder, 215b: Verbinder, 217: Isolierschicht, 230: Licht emittierendes Element, 231: untere Elektrode, 233: EL-Schicht, 235: obere Elektrode, 240: Transistor, 253: leitende Schicht, 254: leitende Schicht, 255: Isolierschicht, 257: Licht blockierende Schicht, 259: Farbschicht, 261: Isolierschicht, 270: leitende Schicht, 271: p-Typ-Halbleiterschicht, 272: leitende Schicht, 273: i-Typ-Halbleiterschicht, 274: leitende Schicht, 275: n-Typ-Halbleiterschicht, 276: Isolierschicht, 278: Isolierschicht, 280: leitende Schicht, 281: leitende Schicht, 283: leitende Schicht, 291: Isolierschicht, 292: leitende Teilchen, 293: Isolierschicht, 294: leitende Schicht, 295: Isolierschicht, 296: leitende Schicht, 301: Ausbildungssubstrat, 303: Trennschicht, 305: Ausbildungssubstrat, 307: Trennschicht, 310a: leitende Schicht, 310b: leitende Schicht, 401: Substrat, 403: Substrat, 405: Raum, 901: Transistor, 902: Kondensator, 903: Transistor, 904: Licht emittierendes Element, 905: Leitung, 906: Leitung, 907: Leitung, 907A: Leitung, 907B: Leitung, 907C: Leitung, 907D: Leitung, 907E: Leitung, 907F: Leitung, 908: Leitung, 909: Pixel, 911: Schaltung, 912: Source-Treiberschaltung, 913: Schaltung, 913A: Gate-Treiber, 913B: Gate-Treiber, 914: Gate-Treiber, 915: Schaltung, 916: Schaltung, 916A: Schaltung, 916B: Schaltung, 917A: Schalter, 917B: Schalter, 917C: Schalter, 917D: Schalter, 917E: Schalter, 917F: Schalter, 918: Leitung, 918A: Leitung, 918B: Leitung, 919: UND-Schaltung, 920: Leitung, 921: Schaltung, 922: UND-Schaltung, 923: Leitung.
Diese Anmeldung basiert auf der japanischen Patentanmeldung mit der Seriennr. 2013-150588 , eingereicht beim japanischen Patentamt am 19. Juli 2013, deren gesamter Inhalt hiermit zum Gegenstand der vorliegenden Offenlegung gemacht ist.

Claims

Datenverarbeitungsvorrichtung (100), die umfasst: einen Anzeigeabschnitt (102) mit Flexibilität; eine Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten (104); einen Sensorabschnitt (106), der einen Außenzustand des Anzeigeabschnitts (102) erfasst; einen arithmetischen Abschnitt (108), der der Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten (104) Bilddaten zuführt; und einen Speicherabschnitt (110), der ein Programm speichert, das durch den arithmetischen Abschnitt (108) ausgeführt wird, wobei ein erster Modus, in dem der Anzeigeabschnitt (102) entfaltet ist, oder ein zweiter Modus, in dem der Anzeigeabschnitt (102) gefaltet ist, durch den Sensorabschnitt (106) erkannt wird, wobei der Anzeigeabschnitt (102) einen ersten Anzeigeabschnitt (102a) und einen zweiten Anzeigeabschnitt (102b) umfasst, wobei der zweite Anzeigeabschnitt (102b) einen ersten Licht emittierenden Bereich (131), einen zweiten Licht emittierenden Bereich (132) und einen dritten Licht emittierenden Bereich (133) enthält, wobei der erste Licht emittierende Bereich (131) ausgehend von einer Grenze zu dem ersten Anzeigeabschnitt (102a) gebildet wird, wobei der erste Anzeigeabschnitt (102a) in dem zweiten Modus sichtbar ist, wobei der zweite Anzeigeabschnitt (102b) in dem zweiten Modus nicht sichtbar ist, wobei eine Leuchtdichteregulierungsverarbeitung gemäß dem zweiten Modus durch das Programm durchgeführt wird, wobei in der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung eine Leuchtdichte des ersten Licht emittierenden Bereichs (131) höher als eine Leuchtdichte des zweiten Licht emittierenden Bereichs (132) ist, und wobei in der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung die Leuchtdichte des zweiten Licht emittierenden Bereichs (132) höher als eine Leuchtdichte des dritten Licht emittierenden Bereichs (132) ist.
Datenverarbeitungsvorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei das Programm umfasst: einen ersten Schritt zum Bestimmen des Außenzustandes; einen zweiten Schritt, in dem das Programm im Falle des ersten Modus zu einem fünften Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des ersten Modus zu einem dritten Schritt fortschreitet; den dritten Schritt, in dem das Programm im Falle des zweiten Modus zu einem vierten Schritt oder im Falle eines anderen Modus als des zweiten Modus zu dem ersten Schritt fortschreitet; den vierten Schritt zum Durchführen der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung; und den fünften Schritt zum Beenden des Programms, wobei die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung umfasst: einen sechsten Schritt zum Festlegen eines Anzeigebereichs und eines Nicht-Anzeigebereichs; einen siebten Schritt zum Anhalten mindestens eines der Vielzahl von Treiberschaltungsabschnitten (104); einen achten Schritt zum Emittieren von Licht von einem Teil des Nicht-Anzeigebereichs; einen neunten Schritt, in dem das Programm in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung abgebrochen wird, zu einem zehnten Schritt oder in dem Fall, in dem die Leuchtdichteregulierungsverarbeitung nicht abgebrochen wird, zu dem achten Schritt fortschreitet; und den zehnten Schritt zum Zurückkehren von der Leuchtdichteregulierungsverarbeitung zu dem Programm.
Datenverarbeitungsvorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei der Anzeigeabschnitt (102) ein Licht emittierendes Element umfasst.
Datenverarbeitungsvorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei der Anzeigeabschnitt (102) ein organisches EL-Element umfasst.