DE112004000499T5

DE112004000499T5 - Grenzakustikwellenbauelement

Info

Publication number: DE112004000499T5
Application number: DE112004000499T
Authority: DE
Inventors: Hajime Nagaokakyo Kando
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-04-18
Filing date: 2004-01-28
Publication date: 2006-02-16
Anticipated expiration: 2024-01-29
Also published as: US7453184B2; US20060175928A1; JP4337816B2; JP2009177829A; DE112004000499B4; WO2004095699A1; JPWO2004095699A1

Abstract

Ein Grenzakustikwellenbauelement, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenze zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet,
bei dem die Schallgeschwindigkeit der zweiten Medienschicht niedrig im Vergleich zu der der ersten Medienschicht ist, und, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle dargestellt ist durch λ, die Dicke der zweiten Medienschicht auf 7 λ oder mehr eingestellt ist.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Grenzakustikwellenbauelement, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenze zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet, die eine unterschiedliche Schallgeschwindigkeit zu derselben aufweist, und bezieht sich insbesondere auf ein Grenzakustikwellenbauelement, das die Struktur aufweist, um ungewollte Störsignale zu unterdrücken.
Hintergrund der Technik
Bei Oberflächenwellenbauelementen, die eine akustische Oberflächenwelle verwenden wie z. B. eine Rayleigh-Welle oder eine erste Leckwelle, kann eine Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung erreicht werden, und zusätzlich dazu ist die Einstellung nicht erforderlich.
Somit wurden Oberflächenwellenbauelemente verbreitet für HF oder ZF-Filter in Mobiltelefonen, VCO-Resonatoren oder VIF-Filter für Fernseher verwendet.
Da sie jedoch Eigenschaften aufweist, die sich entlang einer Oberfläche eines Mediums ausbreiten, ist eine akustische Oberflächenwelle empfindlich gegenüber der Änderung bei dem Oberflächenzustand des Mediums. Dementsprechend muss bei einem Chip, durch den sich eine akustische Oberflächenwelle ausbreitet, eine Chipoberfläche, entlang der sich eine akustische Oberflächenwelle ausbreitet, geschützt werden. Somit muss ein Oberflächenwellenbauelement unter Verwendung eines Gehäuses hermetisch abgedichtet sein, das einen Resonatorabschnitt in demselben aufweist, so dass die Chipoberfläche des Oberflächenakustikwellenchips dem Resonatorabschnitt zugewandt ist. Als Ergebnis sind die Kosten des Gehäuses, wie oben beschrieben, relativ hoch, und zusätzlich dazu wird die Größe des Gehäuses unvermeidbar viel größer als die des Oberflächenakustikwellenchips.
Als ein Bauelement, das das Gehäuse mit dem Resonatorabschnitt nicht benötigt, wie oben beschrieben wurde, wurde ein Grenzakustikwellenbauelement vorgeschlagen.
15 ist eine Frontquerschnittsansicht und eine schematische perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines herkömmlichen Grenzakustikwellenbauelements zeigt. Bei einem Grenzakustikwellenbauelement 101 sind eine erste Medienschicht 102 und eine zweite Medienschicht 103 mit einer unterschiedlichen Schallgeschwindigkeit zu derselben aneinander laminiert. An einer Grenze A zwischen der ersten Medienschicht 102 und der zweiten Medienschicht 103 ist ein IDT 104, der als ein elektroakustischer Wandler funktioniert, angeordnet. Zusätzlich dazu sind an den zwei Seiten des IDT 104 in der Richtung, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, Reflektoren (nicht gezeigt) angeordnet.
Bei dem Grenzakustikwellenbauelement 101 wird durch Anlegen eines Eingangssignals an den IDT 104 eine Grenzakustikwelle getrieben. Die Grenzakustikwelle breitet sich entlang der Grenze A des Grenzakustikwellenbauelements 101 aus, wie schematisch durch einen Pfeil B in 15 gezeigt ist.
In „Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Along the Interface Between SiO₂ und LiTaO₃" IEEE Trans. Sonics and Ultrason., Band SU-25, Nr. 6, 1978 IEEE, wurde ein Beispiel des Grenzakustikwellenbauelements, wie es oben beschrieben ist, offenbart. Bei diesem Bauelement ist ein IDT auf einem 126°-Gedreht-Y-Platte-X-Ausbreitung-LiTaO₃- Substrat gebildet, und ein SiO₂-Film mit einer vorbestimmten Dicke ist auf dem LiTaO₃-Substrat gebildet, um den IDT abzudecken. Bei dieser Struktur wurde offenbart, dass sich eine SV+P-Typ-Akustik-Grenzwelle, eine sogenannte Stoneley-Welle, ausbreitet. In „Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Along the Interface Between SiO₂ und LiTaO₃" IEEE Trans. Sonics and ultrason., Band SU-25, Nr. 6, 1978 IEEE, wurde offenbart, dass, wenn die Dicke des SiO₂-Films auf 1,0 λ eingestellt ist (λ zeigt die Wellenlänge einer Grenzakustikwelle an), ein elektromechanischer Koeffizient von 2 % erhalten wird.
Zusätzlich dazu wurde in „Highly Piezoelectric Boundary Acoustic Wave Propagating in Si/SiO₂/LiNbO₃ Structure" (26^th EM symposium, Mai 1997, Seiten 53 bis 58) eine SH-Typ-Akustik-Grenzwelle offenbart, die sich in einer [001]-Si<110>/SiO₂/Y-Schnitt-X-Ausbreitung-LiNbO₃-Struktur ausbreitet. Diese SH-Typ-Akustik-Grenzwelle weist insofern einen Vorteil auf, dass ein elektromechanischer Koeffizient k² groß im Vergleich zu dem der Stoneley-Welle ist. Zusätzlich dazu, da die SH-Typ-Akustik-Grenzwelle eine SH-Typ-Welle ist, wird erwartet, dass der Reflexionskoeffizient von Elektrodenfingern, die einen IDT-Reflektor bilden, groß im Vergleich zu dem in dem Fall der Stoneley-Welle ist. Somit, wenn ein Resonator oder ein Resonator-Typ-Filter gebildet wird durch Verwenden der SH-Typ-Akustik-Grenzwelle, kann eine weitere Miniaturisierung erreicht werden, und zusätzlich dazu wird auch erwartet, dass steilere Frequenzeigenschaften erhalten werden können.
Da die Grenzakustikwellenbauelemente eine Grenzakustikwelle verwenden, die offenbart sind in „Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Along the Interface Between SiO₂ und LiTaO₃" IEEE Trans. Sonics and ultrason., Band SU-25, Nr. 6, 1978 IEEE und „Highly Piezoelectric Boundary Acoustic Wave Propagating in Si/SiO₂/LiNbO₃, Structure" (26th EM symposium, Mai 1997, Seiten 53 bis 58), ist ein Paket mit einem Resonatorabschnitt nicht erforderlich.
Somit kann eine Miniaturisierung der Akustikwellenbauelemente und eine Kostenreduzierung derselben erreicht werden. Es hat sich jedoch erst durch Experimente herausgestellt, die durch die Erfinder der vorliegenden Erfindung ausgeführt wurden, dass, wenn das Grenzakustikwellenbauelement tatsächlich gebildet wird, ein Problem von Frequenzeigenschaften insofern auftritt, dass ungewollte Störsignale leicht erzeugt werden.
16 und 17 sind Ansichten, die ein Problem eines herkömmlichen Grenzakustikwellenbauelements darstellen, 16 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die die Erscheinung des Grenzakustikwellenbauelements zeigt und 17 ist eine Ansicht, die Frequenzeigenschaften desselben zeigt.
Wie in 16 gezeigt ist, sind auf einem Y-Schnitt-X-Ausbreitungs-Einkristall-LiNbO₃-Substrat 112 ein IDT 113 und Reflektoren 114 und 115 gebildet unter Verwendung eines Au-Films mit einer Dicke von 0,05 λ. Zusätzlich dazu ist auf dem Einkristall-LiNbO₃-Substrat 112 ein SiO₂-Film 116 mit einer Dicke von 3,3 λ gebildet durch HF-Magnetron-Sputtern bei einer Wafer-Erwärmungstemperatur von 200°C, um den IDT 113 und die Reflektoren 114 und 115 abzudecken. Die Anzahl von Elektrodenfingerpaaren des IDT 113, die Kreuz-Breite und das Lastverhältnis des Elektrodenfingers sind eingestellt auf 50 Paare, 30 λ bzw. 0,6. Zusätzlich dazu ist die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 114 und 115 jeweils auf 50 eingestellt, und λ der Reflektoren 114 und 115 sind eingestellt, um mit der Wellenlänge λ des IDT 113 zusammenzufallen. Zusätzlich dazu sind die Distanzen zwischen der Mitte des Elektrodenfingers des IDT 113 und der der Reflektoren 114 und 115 jeweils auf 0,5 λ eingestellt. Auf der oberen und der unteren Seite des Au-Films werden dünne Ti-Schichten durch Aufbringung gebildet, um die Haftung zu verbessern.
Die Frequenzeigenschaften eines Grenzakustikwellenbauelements 111, das wie oben beschrieben gebildet ist, sind in 17 gezeigt. Wie aus 17 ersichtlich ist, wird bei dem Grenzakustikwellenbauelement 111 eine Mehrzahl von Störsignalen mit einer bestimmten Intensität auf einer Seite mit höherer Frequenz erzeugt als der bei einer Antiresonanzfrequenz und der Umgebung derselben.
Dementsprechend, wenn ein Grenzakustikwellenbauelement 111 als ein Resonator verwendet wird, wird eine unnötige Resonanz erzeugt durch die oben beschriebenen Störsignale, und zusätzlich dazu, wenn das Grenzakustikwellenbauelement 111 als ein Filter verwendet wird, wird dadurch der Außerband-Unterdrückungspegel verschlechtert; somit ist offensichtlich, dass die Störsignale die Herstellung von praktisch anwendbaren Grenzakustikwellenbauelementen stark stören.
Offenbarung der Erfindung
Unter Betrachtung der herkömmlichen, oben beschriebenen Techniken, ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Grenzakustikwellenbauelement zu schaffen, das effektiv ungewollte Störsignale unterdrücken kann und bessere Frequenzeigenschaften erhalten kann.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Grenzakustikwellenbauelement geschaffen, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenze zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet, wobei die Schallgeschwindigkeit der zweiten Medienschicht niedrig im Vergleich zu der der ersten Medienschicht ist, und wobei, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle dargestellt ist durch λ, dann die Dicke der zweiten Medienschicht auf 7 λ oder mehr eingestellt ist. Das heißt, gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung, da die zweite Medienschicht, die eine relativ niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, gebildet wird, um eine spezifische Dicke aufzuweisen, können ungewollte Störsignale effektiv unterdrückt werden.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Grenzakustikwellenbauelement geschaffen, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenzoberfläche zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet, wobei eine Struktur zum Streuen einer Akustikwelle für zumindest eine Oberfläche der ersten und/oder der zweiten Medienschicht an der Seite gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche zwischen denselben vorgesehen ist.
Bei dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, da die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle bereitgestellt ist, können ungewollte Störsignale unterdrückt werden.
Gemäß einem spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist die Schallgeschwindigkeit der zweiten Medienschicht niedrig im Vergleich zu der der ersten Medienschicht, und die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle ist für die zweite Medienschicht bereitgestellt.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt, bereitgestellt für zumindest eine Oberfläche der Medienschichten an der Seite gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt wird, dann ist die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts oder die Höhe des Vorsprungsabschnitts 0,05 λ oder mehr.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt ist, ist der Abstand zwischen den Ausnehmungsabschnitten und/oder der Abstand zwischen den Vorsprungsabschnitten 1 λ oder mehr.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt ist, ist die Dicke der Medienschicht, für die die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle vorgesehen ist, 7 λ oder weniger, wobei die Dicke der Medienschicht die Distanz zwischen der Grenzoberfläche und der Oberfläche gegenüberliegend zu derselben ist. Das heißt, wenn die Dicke der ersten Medienschicht, die eine niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, geringer als 7 λ ist, ist es schwierig, die Störsignale zu unterdrücken; wenn jedoch die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle verwendet wird, können die Störsignale unterdrückt werden.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist die zweite Medienschicht gebildet aus SiO₂, die erste Medienschicht ist gebildet aus einem piezoelektrischen Substrat, das Li enthält, und zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt ist auf einer Oberfläche der zweiten Medienschicht gebildet, die aus SiO₂ gebildet ist.
Gemäß einem spezifischen Fall des ersten und des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist ein elektroakustischer Wandler zum Treiben einer Grenzakustikwelle zwischen der ersten und der zweiten Medienschicht gebildet.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des ersten und des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist zumindest ein Reflektor ferner an der Grenze zwischen der ersten Medienschicht und der zweiten Medienschicht vorgesehen.
Gemäß einem anderen spezifischen Fall des zweiten Aspekts der vorliegenden Erfindung ist ferner ein Außenschichtmaterial auf der Oberfläche der Medienschicht vorgesehen, auf der zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt vorgesehen ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1(a) und 1(b) sind eine schematische Frontquerschnittsansicht, die einen wichtigen Abschnitt eines Grenzakustikwellenbauelements eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung zeigt bzw. eine schematische perspektivische Ansicht, die die Erscheinung desselben zeigt.
2 ist eine Ansicht, die eine Verschiebungsverteilung einer Hauptmode einer Grenzakustikwelle bei herkömmlichen Grenzakustikwellenbauelementen zeigt, die in 15 und 16 gezeigt sind.
3 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
4 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
5 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
6 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
7 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
8 ist eine Ansicht, die eine Verschiebungsverteilung einer Störmode unter den selben Bedingungen zeigt, die in 2 gezeigt sind.
9 ist eine Ansicht, die Impedanzeigenschaften des Grenzakustikwellenbauelements des ersten Ausführungsbeispiels zeigt.
10 ist eine Ansicht, die die Änderung bei dem Impedanzverhältnis einer Störmode zeigt, die erhalten wird, wenn die Tiefe der Rillen, die Unregelmäßigkeiten bei dem ersten Ausführungsbeispiel bilden, verändert wird.
11 ist eine Ansicht, die die Änderung bei dem Impedanzverhältnis einer Störmode zeigt, die erhalten wird, wenn der Abstand zwischen Rillen, die Unregelmäßigkeiten bilden, verändert wird.
12 ist eine schematische, perspektivische Ansicht, die die Struktur von Rillen eines modifizierten Beispiels des Grenzakustikwellenbauelements des ersten Ausführungsbeispiels zeigt.
13 ist eine Ansicht, die ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt, und ist eine Ansicht, die die Änderung bei dem Impedanzverhältnis einer Störmode zeigt, die erhalten wird, wenn die Dicke eines SiO₂-Films, der eine relativ niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, verändert wird.
14 ist eine schematische Teil-Front-Querschnittsansicht, die einen wichtigen Abschnitt eines Grenzakustikwellenbauelements eines modifizierten Beispiels des Grenzakustikwellenbauelements des ersten Ausführungsbeispiels zeigt.
15 ist eine schematische Teil-Ausschnitt-Front-Querschnittsansicht, die ein herkömmliches Grenzakustikwellenbauelement darstellt.
16 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die ein herkömmliches Grenzakustikwellenbauelement darstellt.
17 ist eine Ansicht, die Impedanzeigenschaften des Grenzakustikwellenbauelements zeigt, das in 16 gezeigt ist.
Beste Ausführung der Erfindung
Hierin nachfolgend Bezug nehmend auf die Figuren werden bestimmte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung so beschrieben, dass die vorliegende Erfindung deutlich verständlich ist.
Erstens, um die Ursachen der Störsignale zu untersuchen, die in 17 gezeigt sind, wird die numerische Analyse des Grenzakustikwellenbauelements 111, gezeigt in 16, ausgeführt, so dass die Verschiebungsverteilung einer Grenzakustikwelle und die Verschiebungsverteilung einer Störmode erhalten werden. Bei dieser Untersuchung sei angenommen, dass die Verschiebung zwischen einem SiO₂-Film und Au und die zwischen dem Au und einem LiNbO₃-Substrat kontinuierlich sind und die Belastung in der vertikalen Richtung kontinuierlich ist, das Potential 0 ist, aufgrund einer Kurzschluss-Grenze, der SiO₂-Film eine vorbestimmte Dicke aufweist und das LiNbO₃ eine unendliche Dicke aufweist.
2 zeigt die Verschiebungsverteilung einer Hauptmode einer Grenzakustikwelle, wenn die Dicke des SiO₂-Films auf 2,5 λ eingestellt ist, und 3 bis 8 zeigen die Verschiebungsverteilungen der jeweiligen Störmoden unter den selben Bedingungen wie oben. In 2 bis 8 stellen U₁, U₂ und U₃ eine P-Wellenkomponente dar, eine SH-Wellenkomponente bzw. eine SV-Komponente dar, die horizontale Achse zeigt die Verschiebung an, normiert durch den Maximalwert, und die vertikale Achse zeigt die Tiefenrichtung an (- Seite ist die untere Seite).
Wie aus 2 ersichtlich ist, wird darauf hingewiesen, dass die Hauptmode der Grenzakustikwelle eine SH-Typ-Akustik-Grenzwelle ist, die primär auf einer SH-Typ-Komponente gebildet ist. Zusätzlich dazu ist aus 3 bis 8 ersichtlich, dass die Störmode grob in zwei Typen von Moden kategorisiert werden kann; eine Störmode ist primär aus einer SH-Wellenkomponente gebildet, und die andere Störmode ist primär aus einer P-Welle- und einer SV-Welle-Komponente gebildet. Die zwei Typen von Störmoden breiten sich entlang der oberen Oberfläche des SiO₂-Films und entlang der Grenze zwischen dem SiO₂-Film und einem IDT aus, der aus Au hergestellt ist. Zusätzlich dazu wird davon ausgegangen, dass, da eine Mehrzahl von Moden höherer Ordnung der obigen zwei Typen von Störmoden erzeugt wird, viele Störsignale erzeugt werden, wie in 17 gezeigt ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement der vorliegenden Erfindung wurde entwickelt, um die Unterdrückung der Störsignale zu erreichen, wie oben beschrieben wurde.
(Erstes Ausführungsbeispiel)
1(a) und 1(b) sind eine schematische Frontquerschnittsansicht bzw. eine schematische perspektivische Ansicht, die ein erstes Ausführungsbeispiel eines Grenzakustikwellenbauelements der vorliegenden Erfindung darstellten
Bei einem Grenzakustikwellenbauelement 1 sind eine erste Medienschicht 2 und eine zweite Medienschicht 3 aufeinander laminiert. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die erste Medienschicht 2 aus einem Y-Schnitt-X-Ausbreitung-Einkristall-LiNbO₃-Substrat gebildet, und die zweite Medienschicht 3 ist aus einem SiO₂-Film gebildet. Zwischen dem Einkristall-LiNbO₃-Substrat 2 und dem SiO₂-Film 3, d. h., an einer Grenze A zwischen der ersten und der zweiten Medienschicht, ist ein IDT 4 als ein elektroakustischer Wandler angeordnet. In 1(a) ist nur ein Teil, an dem der IDT 4 angeordnet ist, gezeigt; wie jedoch in 1(b) gezeigt ist, sind Gitter-Typ-Reflektoren 5 und 6 an zwei Seiten des IDT 4 in der Richtung vorgesehen, entlang der sich eine Grenzakustikwelle ausbreitet. Ein Film aus Au mit einer Dicke von 0,05 λ ist auf dem Einkristall-LiNbO₃-Substrat 2 gebildet, so dass der IDT 4 und die Reflektoren 5 und 6 gebildet werden.
Zusätzlich dazu, nachdem der IDT 4 und die Reflektoren 5 und 6 gebildet sind, wird ein SiO₂-Film mit einer Dicke von 3,0 λ bei einer Wafer-Erwärmungstemperatur von 200°C durch HF-Magnetron-Sputtern gebildet, wodurch der SiO₂-Film 3 gebildet wird.
Die Anzahl von Elektrodenfingerpaaren des IDT 4, die Kreuzbreite und das Lastverhältnis des Elektrodenfingers, der den IDT 4 bildet, sind auf 50 Paare, 30 λ bzw. 0, 6 eingestellt. Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 5 und 6 ist auf 50 eingestellt und die Wellenlängen λ des IDT 4 und der Reflektoren 5 und 6 sind eingestellt, um miteinander zusammenzufallen. Zusätzlich dazu sind die Distanzen zwischen dem IDT und den Reflektoren jeweils auf 0,5 λ eingestellt, als die Distanz zwischen den Mitten der Elektrodenfinger.
Um die Haftung zu verbessern, werden auf der oberen und unteren Seite des Au-Films dünne Ti-Filme mit einer Dicke von ungefähr 0,0005 λ durch Aufbringung gebildet.
Als nächstes werden in einer oberen Oberfläche 3a des SiO₂-Films 3 eine Mehrzahl von Rillen 3b mit einer Tiefe von einem μm durch Bearbeiten gebildet, um einen Winkel von 30° im Hinblick auf die Richtung aufzuweisen, in der sich die Elektrodenfinger des IDT 4 erstrecken, so dass das Grenzakustikwellenbauelement 1 dieses Ausführungsbeispiels erhalten wird.
Die Impedanzeigenschaften des Grenzakustikwellenbauelements 1, das somit erhalten wird, sind in 9 gezeigt.
Wie deutlich ersichtlich ist, wenn 9 mit den Impedanzeigenschaften des Grenzakustikwellenbauelements 111 verglichen wird, gezeigt in 17, wird verständlich, dass die Mehrzahl der Störantworten, die an einer Seite mit höherer Frequenz vorliegen als der an der Antiresonanzfrequenz, bei diesem Ausführungsbeispiel unterdrückt werden. Wenn z. B. ein Störsignal, das bei 1.300 MHz erzeugt wird, durch ein Impedanzverhältnis dargestellt wird, dass ein Verhältnis der Impedanz bei der Resonanzfrequenz zu der bei der Antiresonanzfrequenz ist, ist verständlich, dass das Störsignal von 22,9 dB auf 6,6 dB unterdrückt werden kann, d. h. zu einem Drittel unterdrückt werden kann.
Das Merkmal des Grenzakustikwellenbauelements 1 dieses Ausführungsbeispiels ist, dass wie oben beschrieben, die Rillen 3b in der oberen Oberfläche 3a des SiO₂-Films 3 gebildet sind, die gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche A angeordnet ist, um Ausnehmungsabschnitte zu bilden. Es wird davon ausgegangen, dass durch die Bildung der Ausneh mungsabschnitte die Störmode gestreut wird und dass die Störsignale dadurch wie oben beschrieben unterdrückt werden.
Unter Betrachtung der Ergebnisse, die aus dem obigen Grenzakustikwellenbauelement 1 erhalten werden, haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung eine weitere Untersuchung im Hinblick auf die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts und die Form desselben ausgeführt.
Auf die selbe Weise wie oben beschrieben ist, wurde das Grenzakustikwellenbauelement 1 gebildet. Als jedoch die Ausnehmungsabschnitte in der oberen Oberfläche des SiO₂-Films 3 gebildet wurden, wurden die Rillen 3b gebildet, um einen Winkel von 45° im Hinblick auf die Richtung aufzuweisen, in der die Elektrodenfinger des IDT 4 sich erstreckten, wobei die Rillen 3b erhalten werden durch Bilden einer Resiststruktur auf dem SiO₂-Film 3 unter Verwendung eines photolithographischen Schrittes, gefolgt durch Nassätzen mit einer verdünnten Wasserstofffluoridlösung. Durch die Änderung bei der Resiststruktur wurde die Änderung bei den Ätzbedingungen und ähnlichem, die Tiefe der Rillen 3b und der Abstand zwischen denselben verschieden verändert, so dass eine Mehrzahl von Typen von Grenzakustikwellenbauelementen erhalten wurde.
Die Impedanzeigenschaften der Mehrzahl von Typen von Grenzakustikwellenbauelementen, die somit erhalten wurden, wurden gemessen, und auf die selbe Weise wie oben beschrieben wurde, wurden die Impedanzverhältnisse erhalten.
10 ist eine Ansicht, die die Beziehung zwischen dem Impedanzverhältnis der Störsignale, die wie oben beschrieben erhalten wurden, und der Tiefe der Rille 3b zeigt, d. h., der Tiefe des Ausnehmungsabschnitts. Wie aus 10 ersichtlich ist, ist verständlich, dass das Impedanzverhältnis der Störsignale auf 10 dB oder weniger verbessert wird, wenn die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts 0,05 λ oder mehr ist, und weiter auf 5 dB oder weniger verbessert wird, wenn die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts 0,6 λ oder mehr ist. Somit ist die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts vorzugsweise 0,05 λ oder mehr und wiederum vorzugsweise 0,6 λ oder mehr.
11 ist eine Ansicht, die die Beziehung zwischen dem Impedanzverhältnis der Störsignale und dem Abstand zwischen den Rillen 3b zeigt. Wie aus 11 ersichtlich ist, wenn der Abstand zwischen den Rillen 3b auf 1 λ oder mehr eingestellt ist, ist verständlich, dass das Impedanzverhältnis der Störsignale auf 10 dB oder weniger verbessert werden kann. Somit ist vorzugsweise der Abstand zwischen den Rillen 3b auf 1 λ oder mehr eingestellt.
Zusätzlich dazu ist es ebenfalls bestätigt, dass, sogar wenn der Winkel, der zwischen der Rille 3b und der Erstreckungsrichtung des Elektrodenfingers des IDT gebildet ist auf 0° oder 90° eingestellt ist, durch Bilden der Rille 3b, um eine Tiefe von 0,05 λ oder mehr aufzuweisen, das Impedanzverhältnis der Störsignale verbessert werden kann.
Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Rillen 3b parallel zueinander angeordnet, um einen vorbestimmten Winkel mit der Erstreckungsrichtung der Elektrodenfinger zu bilden; wie jedoch durch eine schematische perspektivische Ansicht aus 12 gezeigt ist, können zusätzlich zu den Rillen 3b Rillen 3c in der oberen Oberfläche 3a des SiO₂-Films 3 angeordnet sein, um die Rillen 3b zu schneiden. Ebenfalls wird in dem oben beschriebenen Fall, wenn die Tiefen der Rillen 3b und 3c auf 0,05 λ oder mehr eingestellt sind, bestätigt, dass das Impedanzverhältnis der Störsignale wie oben beschrieben verbessert werden kann.
Bei 1 und 12, sind bei dem SiO₂-Film, d. h., bei der oberen Oberfläche des ersten Mediums, die Rillen 3b oder die Rillen 3b und 3c gebildet, wobei anstelle der linearen Rillen gekrümmte Rillen oder Rillen mit einer anderen Form ebenfalls gebildet sein können. Das heißt, die Unregelmäßigkeiten bei der vorliegenden Erfindung sind nicht auf Rillen beschränkt, die parallel angeordnet sind und die sich linear erstrecken.
Zusätzlich dazu, wenn beim Bilden der Ausnehmungsabschnitte die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts eingestellt ist auf λs/4xsin λs, wobei die Störwellenlänge und der Winkel der obigen Störmode, die auf die obere Oberfläche 3a des SiO₂-Films 3 einfallen, dargestellt sind durch λs bzw. λs, ist die Phase der Störsignale, die an dem Ausnehmungsabschnitt 3b reflektiert werden, entgegengesetzt zu der Phase, die an der oberen Oberfläche 3a reflektiert wird, so dass die obigen zwei Phasen gegeneinander wirken. Somit wird davon ausgegangen, dass die Störsignale, die durch den IDT 4 empfangen werden, effektiver unterdrückt werden können.
Beim Bilden der Ausnehmungsabschnitte, die oben beschrieben sind, werden vorzugsweise viele Rillen 3b gebildet; wenn jedoch zumindest eine Rille 3b gebildet ist, kann die oben beschriebene Wirkung ebenfalls erhalten werden. Zusätzlich dazu können anstelle der Ausnehmungsabschnitte Vorsprungsabschnitte in der Form von Punkten vorgesehen sein und die Ausnehmungsabschnitte und/oder Vorsprungsabschnitte können beide vorgesehen sein.
(Zweites Ausführungsbeispiel)
Ein Grenzakustikwellenbauelement des zweiten Ausführungsbeispiels weist die Struktur auf, ähnlich zu der des Grenzakustikwellenbauelements 1 des ersten Ausführungsbeispiels. Somit wird eine Beschreibung des Grenzakustikwellenbauelements des zweiten Ausführungsbeispiels weggelassen, und wo immer nötig kann die Beschreibung des Grenzakustikwellenbauelements des ersten Ausführungsbeispiels statt dessen verwendet werden. Punkte des Grenzakustikwellenbauelements des zweiten Ausführungsbeispiels, die sich von dem ersten Ausführungsbeispiel unterscheiden, sind wie folgt, d. h., (1) Rillen sind nicht in der oberen Oberfläche des SiO₂-Films 3 vorgesehen und (2) die Dicke des SiO₂-Films 3 ist auf 7 λ oder mehr eingestellt.
Das heißt, bei dem ersten Ausführungsbeispiel werden die Unregelmäßigkeiten geschaffen durch Bilden der Rillen 3b oder der Rillen 3b und 3c, und als Ergebnis werden die Störsignale unterdrückt. Im Gegensatz zu dem ersten Ausführungsbeispiel werden bei dem Grenzakustikwellenbauelement des zweiten Ausführungsbeispiels, da die Dicke des SiO₂-Films 3 auf 7 λ oder mehr eingestellt ist, die Störsignale unterdrückt. Diese Unterdrückung wird beschrieben Bezug nehmend auf bestimmte experimentelle Beispiele.
Das Grenzakustikwellenbauelement 1 wurde auf die selbe Weise gebildet wie das des experimentellen Beispiels des ersten Ausführungsbeispiels. Die Unregelmäßigkeiten wurden jedoch nicht in der Oberfläche des SiO₂-Films 3 bereitgestellt und die Dicke des SiO₂-Films 3 wurde verschieden verändert. Die Beziehung zwischen der Dicke der mehreren Typen der Grenzakustikwellenbauelemente, die somit erhalten wurden, und dem Impedanzverhältnis der obigen Störmode ist in 13 gezeigt.
Wie aus 13 ersichtlich ist, ist verständlich, dass, wenn die Dicke des SiO₂-Films auf 7 λ oder mehr erhöht wird, das Impedanzverhältnis der Störmode auf 5 dB oder weniger verringert werden kann.
Bei dem Grenzakustikwellenbauelement des zweiten Ausführungsbeispiels wird davon ausgegangen, dass, da die Dicke des SiO₂-Films 3, der die zweite Medienschicht ist, die eine relativ niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, und bei der eine Akustikwelle, gebildet in Störsignale, beschränkt ist, ausreichend erhöht wird, die Störsignale, die durch die obige Akustikwelle verursacht werden, unterdrückt werden können.
Zusätzlich dazu, können wiederum vorzugsweise bei dem Grenzakustikwellenbauelement 1 des ersten Ausführungsbeispiels, d. h., bei der Struktur, bei der die Ausnehmungsabschnitte und/oder die Vorsprungsabschnitte für die obere Oberfläche des SiO₂-Films vorgesehen sind, wenn die Dicke des SiO₂-Films erhöht wird, wie es bei dem zweiten Ausführungsbeispiel der Fall ist, die obigen Störsignale effektiver unterdrückt werden. Somit wird vorzugsweise ein Grenzakustikwellenbauelement mit Störunterdrückungsstrukturen gemäß dem ersten und dem zweiten Ausführungsbeispiel gebildet.
14 ist eine schematische Frontquerschnittsansicht, die ein modifiziertes Beispiel eines Grenzakustikwellenbauelements der vorliegenden Erfindung zeigt.
Bei dem Grenzakustikwellenbauelement 1 des vorliegenden Ausführungsbeispiels werden die Ausnehmungsabschnitte gebildet durch die Bildung der Rillen 3b in der oberen Oberfläche des SiO₂-Films; bei dem oben beschriebenen Fall jedoch kann ein Außenschichtmaterial 11 so gebildet sein, um die obigen Ausnehmungsabschnitte abzudecken. Wenn das Außenschichtmaterial 11 gebildet ist, obwohl eine Oberfläche 11a des Außenschichtmaterials 11 flach ist, können, da die Unregelmäßigkeiten in der oberen Oberfläche 3a des SiO₂-Films 3 vorgesehen sind, der als die zweite Medienschicht funktioniert, die Störsignale effektiv unterdrückt werden, wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel der Fall ist. Als das Außenschichtmaterial 11 kann z. B. ein Material wie AlN optional verwendet werden.
Durch die Bildung des Außenschichtmaterials 11 kann die mechanische Festigkeit des Grenzakustikwellenbauelements verbessert werden oder die Eindringung von korrosiven Gasen kann verhindert werden. Das heißt, da das Außenschichtmaterial 11 als eine Schutzschicht funktionieren kann, wie oben beschrieben ist, kann ein isolierendes Material, wie z. B.
Titaniumoxid, Aluminiumnitrid oder ein Metallmaterial, wie z. B. Au, Al oder W zum Bilden des Außenschichtmaterials 11 verwendet werden.
Zusätzlich dazu, wird durch die Bildung des Außenschichtmaterials 11, in dem Fall, in dem die elektroakustische Impedanz von SiO₂, das als die zweite Medienschicht verwendet wird, und die des Außenschichtmaterials 11 bedeutend unterschiedlich voneinander sind, zwischen der Grenze, die durch die erste Mediumschicht und das Außenschichtmaterial 11 und der Grenze, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, die Störmode beschränkt und breitet sich aus, wie es bei einem herkömmlichen Grenzakustikwellenbauelement der Fall ist. Sogar in dem oben beschriebenen Fall jedoch, wenn die Ausnehmungsabschnitte und/oder die Vorsprungsabschnitte gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel gebildet sind, kann die Störmode unterdrückt werden.
Ferner kann bei der vorliegenden Erfindung zwischen der ersten und der zweiten Medienschicht eine dritte Medienschicht mit einer Schallgeschwindigkeit, die geringer ist als die der ersten und der zweiten Medienschicht, bereitgestellt sein, um als die Grenzschicht verwendet zu werden. In diesem Fall können Elektroden, wie z. B. ein IDT, zwischen der ersten und der dritten Medienschicht gebildet sein. Wie oben beschrieben ist, wird auch bei der Struktur, die dritte Medienschicht aufweist, eine Störmode erzeugt, die sich in der ersten oder der zweiten Medienschicht ausbreitet, zu der gleichen Zeit, zu der die Grenzakustikwelle getrieben wird; die Störmode kann jedoch unterdrückt werden durch die Bildung der ersten Medienschicht, auf die selbe Weise wie die des ersten oder des zweiten Ausführungsbeispiels. Ebenfalls in dem Fall, in dem die dritte und vierte Medienschicht zwischen der ersten und zweiten Medienschicht gebildet sind, kann, wenn Unregelmäßigkeiten an jeglicher der Grenzen zwischen den Schichten gebildet sind, die Störmode unterdrückt werden.
Bei dem ersten und dem zweiten Ausführungsbeispiel werden der IDT 4 und die Reflektoren 5 und 6 unter Verwendung von Au gebildet; ein Elektrodenmaterial des Grenzakustikwellenbauelements ist jedoch nicht auf Au beschränkt, und z. B. können auch Ag, Cu oder Al verwendet werden. Zusätzlich dazu, um die Haftung und den Elektrische-Leistung-Widerstand der Elektrode zu verbessern, kann eine dünne Schicht, gebildet aus Ti, Cr oder NiCr auf der Elektrodenschicht bereitgestellt werden. Zusätzlich dazu kann die vorliegende Erfindung neben Resonatoren an ein Lateral-Kopplung-Typ-Filter, ein Longitudinal-Kopplung-Typ-Filter bestehend aus zumindest zwei IDTs und Reflektoren, die außerhalb der IDTs vorgesehen sind, ein Leiter-Typ-Filter und ein Gitter-Typ-Filter angewendet werden.
Zusätzlich dazu, kann als ein Material, das die erste und die zweite Medienschicht bildet, abgesehen von LiNbO₃ und SiO₂, verschiedene piezoelektrische Materialien, wie z. B. LiTaO₃, Li₂B₄O₇, Quarz und Titanat-Zirkonat-Blei-basierte Keramik und verschiedene dielektrische Materialien, wie z. B. Glas und Saphir, ebenfalls verwendet werden.
Industrielle Anwendbarkeit
Gemäß dem Grenzakustikwellenbauelement des ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung, können, da die erste Medienschicht, die eine relativ geringe Schallgeschwindigkeit aufweist, eine Dicke von 7 λ oder mehr aufweist, wie aus dem oben beschriebenen experimentellen Beispiel ersichtlich ist, Störsignale effektiv unterdrückt werden, die sich zwischen der Grenzoberfläche, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, und der Oberfläche der zweiten Medienschicht, gegenüberliegend zu der Grenzfläche, ausbreiten, und somit kann ein Grenzakustikwellenbauelement mit besseren Resonanzeigenschaften und Filtereigenschaften geschaffen werden.
Gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung, können, da die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle für zumindest eine Oberfläche der ersten und der zweiten Medienschicht gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche vorgesehen ist, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, können ungewollte Störsignale, verursacht durch die Akustikwelle, effektiv unterdrückt werden, und als ein Ergebnis können bessere Resonanzeigenschaften und Filtereigenschaften erhalten werden.
Da die Grenzakustikwellenbauelemente gemäß dem ersten und dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Grenzakustikwelle zwischen der ersten und der zweiten Medienschicht verwenden, ist ein kompliziertes Paket mit einem Resonatorabschnitt nicht erforderlich, und die Herstellung kann zu vernünftigen Kosten ausgeführt werden. Zusätzlich dazu kann im Vergleich zu einem Oberflächenwellenbauelement eine Miniaturisierung und Gewichtsreduzierung erreicht werden, und somit kann ein kompaktes Akustikwellenbauelement geschaffen werden, bei dem eine Hochdichte-Befestigung entsprechend ausgeführt werden kann.
Gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung kann, wenn die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle für die zweite Medienschicht vorgesehen ist, die Störmode in der zweiten Medienschicht, die eine relativ niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, durch die sich Störsignale leicht ausbreiten, effektiv unterdrückt werden.
Wenn die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle aus Ausnehmungsabschnitten und/oder Vorsprungsabschnitten gebildet ist, die auf der Oberfläche der Medienschicht vorgesehen sind, gegenüberliegend zu der Oberfläche, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, kann die Störmode durch die Ausnehmungsabschnitte und/oder die Vorsprungsabschnitte zuverlässig gestreut werden.
Wenn die Tiefe der Unregelmäßigkeiten, die oben beschrieben sind, 0,05 λ oder mehr ist, oder wenn der Abstand zwischen den Ausnehmungsabschnitten und/oder den Vorsprungsabschnitten 1 λ oder mehr ist, können die Störsignale effektiver unterdrückt werden.
Bei dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung; wenn die Distanz zwischen der Oberfläche, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet, und der Oberfläche, für die die Streustruktur einer Akustikwelle vorgesehen ist, 7 λ oder weniger ist, kann, da die Dicke der Medienschicht, die mit der Struktur zum Streuen einer Akustikwelle versehen ist, relativ dünn ist, die Störsignale nicht durch die Dicke der Medienschicht unterdrückt werden; durch Bereitstellen der Ausnehmungsabschnitte und/oder der Vorsprungsabschnitte gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung können die Störsignale jedoch effektiv unterdrückt werden.
Wenn die Außenmaterialschicht weiter vorgesehen ist, um die Ausnehmungsabschnitte und/oder die Vorsprungsabschnitte abzudecken, kann durch das Vorhandensein der Außenmaterialschicht die mechanische Festigkeit des Grenzakustikwellenbauelements erhöht werden und/oder der Elektrische-Leistung-Widerstand kann verbessert werden.
Zusammenfassung
Ein Grenzakustikwellenbauelement, das verbesserte Resonanzeigenschaften und Filtereigenschaften aufweist, wird geschaffen, das effektiv Störsignale unterdrücken kann, die durch eine Akustikwelle verursacht werden, die zwischen einer Grenzoberfläche, entlang der sich eine Grenzakustikwelle ausbreitet, und einer Oberfläche einer Medienschicht beschränkt ist. Bei dem Grenzakustikwellenbauelement, das oben beschrieben ist, sind an der Grenze zwischen einem LiNbO₃-Substrat, das als eine erste Medienschicht verwendet wird, die eine relativ hohe Schallgeschwindigkeit aufweist, und einem SiO₂-Film, der als eine zweite Medienschicht verwendet wird, die eine relativ niedrige Schallgeschwindigkeit aufweist, ein IDT als ein elektroakustischer Wandler und Reflektoren angeordnet, und in der oberen Oberfläche des SiO₂-Films ist eine Mehrzahl von Rillen gebildet, um Ausnehmungsabschnitte und/oder Vorsprungsabschnitte zu schaffen.

Claims

Ein Grenzakustikwellenbauelement, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenze zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet, bei dem die Schallgeschwindigkeit der zweiten Medienschicht niedrig im Vergleich zu der der ersten Medienschicht ist, und, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle dargestellt ist durch λ, die Dicke der zweiten Medienschicht auf 7 λ oder mehr eingestellt ist.
Ein Grenzakustikwellenbauelement, das eine Grenzakustikwelle verwendet, die sich entlang einer Grenzoberfläche zwischen einer ersten Medienschicht und einer zweiten Medienschicht ausbreitet, bei dem eine Struktur zum Streuen einer Akustikwelle für zumindest eine Oberfläche der ersten und der zweiten Medienschicht an der Seite gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche zwischen denselben bereitgestellt ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß Anspruch 2, bei dem die Schallgeschwindigkeit der zweiten Medienschicht niedrig im Vergleich zu der der ersten Medienschicht ist, und die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle für die zweite Medienschicht vorgesehen ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt ist, vorgesehen für zumindest eine Oberfläche der Medienschichten an der Seite gegenüberliegend zu der Grenzoberfläche.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß Anspruch 4, bei dem, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt ist, die Tiefe des Ausnehmungsabschnitts oder die Höhe des Vorsprungsabschnitts 0,05 λ oder mehr ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß Anspruch 4 oder 5, bei dem, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt ist, der Abstand zwischen den Ausnehmungsabschnitten und/oder der Abstand zwischen den Vorsprungsabschnitten 1 λ oder mehr ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem, wenn die Wellenlänge der Grenzakustikwelle durch λ dargestellt ist, die Dicke der Medienschicht, auf der die Struktur zum Streuen einer Akustikwelle vorgesehen ist, 7 λ oder geringer ist, wobei die Dicke der Medienschicht die Distanz zwischen der Grenzoberfläche und der Oberfläche gegenüberliegend zu derselben ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 7, bei dem die erste Medienschicht aus einem piezoelektrischen Substrat gebildet ist, das Li enthält, die zweite Medienschicht aus SiO₂ gebildet ist und zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt auf einer Oberfläche der zweiten Medienschicht gebildet ist, die aus SiO₂ gebildet ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem ein elektroakustischer Wandler zum Treiben einer Grenzakustikwelle zwischen der ersten und der zweiten Medienschicht gebildet ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß Anspruch 9, bei dem ein Reflektor ferner an der Grenze zwischen der ersten Medienschicht und der zweiten Medienschicht vorgesehen ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9, bei dem ein Außenschichtmaterial ferner auf der Oberfläche der Medienschicht vorgesehen ist, auf der zumindest ein Ausnehmungsabschnitt und/oder zumindest ein Vorsprungsabschnitt vorgesehen ist.
Das Grenzakustikwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem eine dritte Medienschicht, die eine Schallgeschwindigkeit aufweist, die niedriger als die ist der ersten und zweiten Medienschicht, zwischen denselben bereitgestellt ist und als eine Grenzschicht funktioniert, entlang der sich die Grenzakustikwelle ausbreitet.