-
Gebiet der Erfindung
-
Die
vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterspeichervorrichtungen und
Verfahren zur Herstellung derselben, und betrifft speziell Speicherknotenpunkte für Halbleiterspeichervorrichtungen
und Verfahren zur Herstellung derselben.
-
Hintergrund der Erfindung
-
Da
Halbleiterspeichervorrichtung hoch integriert wurden, werden die
Bereiche oder Flächenbereiche
von Einheitszellen und die Abstände
zwischen den Zellen reduziert. Es sind jedoch Kondensatoren mit
einer großen
Kapazität
innerhalb kleiner Bereiche wünschenswert,
um vorbestimmte Kapazitätswerte zu
schaffen. Wie für
Fachleute gut bekannt ist, enthalten Halbleiterspeichervorrichtungskondensatoren eine
untere Elektrode, die auch als Speicherknotenpunktelektrode bezeichnet
wird, eine obere Elektrode, die auch als Plattenelektrode bezeichnet
wird, und eine dielektrische Schicht zwischen denselben. Herkömmliche
Verfahren zur Sicherung von großen Kapazitätswerten
der Kondensatoren umfassen ein hoch dielektrisches Material als
dielektrische Schicht, wobei die Dicke einer dielektrischen Schicht
reduziert ist, und/oder eine Vergrößerung des Flächenbereiches
der Speicherknotenpunktelektroden der Kondensatoren.
-
Ein
Verfahren zur Erhöhung
des Flächenbereiches
der Speicherknotenpunktelektroden umfaßt die Ausbildung von dreidimensionalen
Speicherknotenpunktelektroden, beispielsweise zylinderförmige oder
konkave Elektroden.
-
Aus
der Druckschrift
US
6 025 624 A ist eine Halbleiterspeichervorrichtung mit
einem Kondensator bekannt, der eine längliche Speicherelektrode aufweist.
Die Länge
der Speicherelektrode weist vorzugsweise das Zweifache der Länge der
typischen Zelle auf und kann mit Polysilizium mit halbkugelförmiger Körnung beschichtet
sein, um die Oberfläche der
Elektrode weiter zu vergrössern.
-
Aus
der Druckschrift
US
2002/0047201 A1 ist eine Halbleiterspeichervorrichtung
bekannt, die eine Speicherknotenelektrode, eine Vielzahl von leitenden
Leitungsmustern vorbestimmter Höhe,
die in vorbestimmten Intervallen getrennt sind, und Stützschichten
aufweist.
-
Aus
der Druckschrift
US
5 721 154 A ist ein DRAM bekannt, bei dem eine Kondensatoranordnung
mit vier parallelen Rippen verwendet wird, um die Kapazität des Kondensators
zu erhöhen.
-
Eine
Speicherknotenpunktelektrode und ein Verfahren zu dessen Herstellung
ist z. B. aus der Druckschrift
US 6 329 683 B2 bekannt.
1 zeigt eine
Querschnittsansicht, die eine solche aus der
US 6 329 683 B2 bekannte,
herkömmliche
konkave Speicherknotenpunktelektrode veranschaulicht.
-
Gemäß 1 ist
eine Zwischenebenen-Isolierschicht 12 auf einem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet,
die Schaltervorrichtungen (nicht gezeigt) enthält, wie beispielsweise MOS-Transistoren.
Die Zwischenebenen-Isolierschicht 12 enthält Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 14,
die zum Verbinden oder Anschließen
einer Sourcezone (nicht gezeigt) eines ausgewählten MOS-Transistors mit den
Speicherknotenpunktelektroden 16 weit verbreitet bekannt sind,
die in einem nachfolgenden Prozeß ausgebildet werden. Danach
werden tassenförmig
gestaltete konkave Speicherknotenpunktelektroden 16 auf
den vorbestimmten Abschnitten der Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 14 und
der Zwischenebenen-Isolierschicht 12 ausgebildet. Ein Verfahren
zur Herstellung der konkaven Speicherknotenpunktelektroden 16 verläuft wie
folgt. Zuerst wird eine Formoxidschicht (nicht gezeigt) mit einer
vorbestimmten Dicke auf der Zwischenebenen-Isolierschicht 12 niedergeschlagen,
welche die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 14 enthält. Die
Formoxidschicht wird in Lochgestalten so lange geätzt, bis
die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 14 freigelegt sind,
wodurch eine Zone zur Ausbildung der Speicherknotenpunktelektroden
festgelegt wird. Danach wird eine leitende Schicht (nicht gezeigt)
und eine Knotenpunktisolations-Isolierschicht (nicht gezeigt) nachfolgend
auf der Formoxidschicht ausgebildet, um einen Kontakt mit den freigelegten
Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 14 herzustellen. Die
leitende Schicht und die Knotenpunktisolations-Isolierschicht werden
chemisch/mechanisch poliert, um die Oberfläche der Formoxidschicht freizulegen.
Danach werden die Knotenpunktisolations-Isolierschicht und die Formoxidschicht
mit Hilfe eines herkömmlichen
Verfahrens beseitigt, so daß die
konkaven Speicherknotenpunktelektroden 16 ausgebildet werden.
-
Jedoch
können
die konkaven Speicherknotenpunktelektroden, die mit Hilfe des oben
beschriebenen Verfahrens hergestellt werden, mit den folgenden Problemen
behaftet sein.
-
Um
die Speicherknotenpunktelektroden mit großen Kapazitäten herzustellen, kann es erforderlich
sein, die Höhe
der Speicherknotenpunktelektroden innerhalb eines begrenzten Bereiches
zu erhöhen.
Zusätzlich
kann es erforderlich werden, um die Höhe der Speicherknotenpunktelektroden
zu vergrößern, die
Dicke der Formoxidschicht zu vergrößern. Wenn in diesem Fall die
Formoxidschicht geätzt
wird, um die Zone zur Ausbildung der Speicherknotenpunktelektroden
festzulegen, kann eine große
Steigung an den Seitenwänden
der Löcher
entstehen und die kritische Abmessung der freigelegten Speicherknotenpunktkontaktlöcher kann
reduziert werden. Demzufolge werden die unteren Abschnitte der dünnen und
hohen Speicherknotenpunktelektroden schmaler, so daß die Speicherknotenpunktelektroden
unstabil werden können.
Zusätzlich
kann der Abstand zwischen benachbarten Speicherknotenpunktelektroden
reduziert werden, so daß es
schwierig ist, eine Isolation zwischen den Speicherknotenpunktelektroden
zu schaffen.
-
Ferner
können
auf Grund der thermischen Spannung, die bei nachfolgenden Prozessen
erzeugt wird, einige der schwachen Speicherknotenpunktelektroden
ausfallen oder brechen und es können
Brücken
zwischen Einheits-Speicherknotenpunktelektroden erzeugt werden,
so daß dadurch
Defekte in der Vorrichtung verursacht werden.
-
Zusammenfassung der Erfindung
-
Die
zuvor beschriebenen Probleme im Stand der Technik können vermieden
werden durch eine Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1
und durch ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiterspeichervorrichtung
nach Anspruch 8. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
-
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist
eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche Halbleiterspeichervorrichtung
mit konkaven Speicherknotenpunktelektroden veranschaulicht;
-
2A bis 2D sind
Draufsichten entsprechend von Herstellungsstufen einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß ersten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
3A bis 3C sind
Schnittansichten von Herstellungsstufen einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den ersten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
4 ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den ersten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
5 ist
eine Draufsicht, die eine abgewandelte Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den ersten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
6A bis 6D sind
Draufsichten von Herstellungsstufen einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß zweiten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
7A und 7B sind
Schnittansichten von Herstellungsstufen einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß zweiten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
8 ist
eine perspektivische Ansicht, die eine Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den zweiten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
9 ist
eine Draufsicht, die eine abgewandelte Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den zweiten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
10A bis 10C sind
Schnittansichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung,
die der Erläuterung
dienen;
-
11A bis 11D sind
Draufsichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß dritten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
12A und 12B sind
Schnittansichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den dritten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung;
-
13 und 14 sind
perspektivische Ansichten, die eine Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den dritten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
-
15 ist
eine Draufsicht, die eine modifizierte Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den dritten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
16 ist
eine Draufsicht, die eine andere modifizierte Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den dritten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
-
17A und 17B sind
Draufsichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß vierten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung; und
-
18 ist
eine Draufsicht, die eine modifizierte Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß den vierten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
-
Detaillierte Beschreibung
-
Die
vorliegende Erfindung wird nun vollständig im folgenden unter Hinweis
auf die beigefügten Zeichnungen
beschrieben, in denen Ausführungsformen
der Erfindung dargestellt sind. In den Zeichnungen sind die Dicke
von Schichten und von Zonen der Klarheit halber übertrieben dargestellt. Gleiche
Bezugszeichen bezeichnen durchgehend gleiche Elemente. Es sei darauf
hingewiesen, daß dann,
wenn ein Element, wie beispielsweise eine Schicht, eine Zone oder
ein Substrat, so bezeichnet wird, daß es sich ”auf” oder ”über” einem anderen Element erstreckt,
dieses Element direkt auf dem anderen Element vorhanden sein kann
oder sich auch direkt auf dem anderen Element erstrecken kann oder
auch unter Zwischenfügung
von Elementen vorhanden sein kann. Wenn im Gegensatz dazu ein Element
als ”direkt
auf” oder
als ”sich
direkt darauf erstreckend”,
und zwar in bezug auf ein anderes Element bezeichnet wird, so sind
keine zwischenliegenden Elemente vorhanden.
-
Erste Ausführungsformen
-
Gemäß den 2A und 3A ist
eine isolierende Schicht 110 in einer ausgewählten Zone
eines Halbleitersubstrats 100 mit Hilfe eines herkömmlichen
STI-Verfahrens ausgebildet, wodurch aktive Zonen 115 definiert
sind, an denen die Vorrichtungen ausgebildet werden. Hierbei kann
das Halbleitersubstrat 100 aus einem Siliziumsubstrat bestehen,
welches P-Typ oder N-Typ Fremdstoffe enthält. Die aktiven Zonen 115,
die beispielsweise in einer Stabgestalt ausgebildet sind, sind gemäß einem
vorbestimmten Abstand in Reihen und Spalten beabstandet vorgesehen.
Hierbei sind die aktiven Zonen 115 so angeordnet, daß sie sich
mit jeder Reihe abwechseln. Mit anderen Worten entsprechen die Räume zwischen
den benachbarten aktiven Zonen 115 den zentralen Abschnitten
der aktiven Zonen der nachfolgenden Reihe in der Richtung der längeren Achse der
aktiven Zonen 115. Hierbei stellen die zentralen Abschnitte
der aktiven Zonen die Drainzonen dar.
-
Danach
werden Wortleitungsstrukturen 120 auf dem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet.
Dabei erstrecken sich die Wortleitungsstrukturen 120 parallel
zueinander, wobei sie jedoch senkrecht zu der längeren Achse der aktiven Zonen 115 verlaufen.
Die Source- und Drainzonen (nicht gezeigt) sind in den aktiven Zonen 115 an
beiden Seiten der Wortleitungsstrukturen 120 mit Hilfe
eines herkömmlichen Verfahrens
ausgebildet.
-
Eine
erste Zwischenebenen-Isolierschicht 130 wird auf dem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet, welches
die Wortleitungsstrukturen 120 aufweist, und zwar an den
Source- und Drainzonen.
Es werden erste und zweite Kontaktflecken 140a und 140b,
welche die Source- und Drainzonen kontaktieren und die gleiche Höhe wie die
erste Zwischenebenen-Isolierschicht 130 haben, in der ersten
Zwischenebenen-Isolierschicht 130 ausgebildet. Ein Verfahren
zur Herstellung der ersten und der zweiten Kontaktflecken 140a und 140b soll
nun beschrieben werden. Nachdem die erste Zwischenebenen-Isolierschicht 130 ausgebildet
worden ist, wird die erste Zwischenebenen-Isolierschicht 130 geätzt, um
die Source- und Drainzonen freizulegen. Eine leitende Schicht, beispielsweise
eine dotierte Polysiliziumschicht wird niedergeschlagen, um die
freigelegten Source- und Drainzonen zu kontaktieren, und es wird
die leitende Schicht zurückgeätzt oder
chemisch-mechanisch poliert, um dadurch die Oberfläche der
ersten Zwischenebenen-Isolierschicht 130 freizulegen. Demzufolge werden
die ersten und zweiten Kontaktflecken 140a und 140b ausgebildet.
Hierbei kontaktieren die ersten und zweiten Kontaktflecken 140a und 140b jeweils
die Drainzonen und die Sourcezonen.
-
Eine
zweite Zwischenebenen-Isolierschicht 150 wird auf der ersten
Zwischenebenen-Isolierschicht 130 ausgebildet und es werden
Bitleitungsstrukturen 165 auf der zweiten Zwischenebenen-Isolierschicht 150 ausgebildet.
Hierbei enthält
die Bitleitungsstruktur 165 eine Bitleitung 160,
eine Maskenschicht 162, die auf der Bitleitung 160 ausgebildet
ist, und Abstandshalter 164, die an beiden Wänden der Bitleitung 160 und
der Maskenschicht 162 ausgebildet sind. Die Maskenschichten 162 und
die Abstandshalter 164, die beispielsweise in Form von
Siliziumnitridschichten ausgebildet werden, werden so hergestellt,
daß sie
die Bitleitungen 160 umgeben, um dadurch selbst ausgerichtete
Kontaktlöcher, wenn
die Speicherknotenpunktkontaktlöcher
hergestellt werden. Zusätzlich
werden bei einigen Ausführungsformen
die Bitleitungsstrukturen 165 so ausgebildet, daß sie senkrecht
zu den Wortleitungsstrukturen 120 verlaufen, und daß die Bitleitungsstrukturen 165 auf
der Isolierschicht 110 zwischen den aktiven Zonen 115 angeordnet
sind, wobei sie jedoch zu der längeren
Achse der aktiven Zonen parallel verlaufen. Hierbei werden, obwohl
dies in den Zeichnungen nicht dargestellt ist, Bitleitungskontaktpfropfen
zum Anschließen
der ersten Kontaktflecke 140a und der Bitleitungsstrukturen 165 in
der zweiten Zwischenebenen-Isolierschicht 150 ausgebildet,
und zwar mit Hilfe eines herkömmlichen
Verfahrens, bevor die Bitleitungsstrukturen 165 ausgebildet
werden.
-
Es
werden eine dritte Zwischenebenen-Isolierschicht 170 und Ätzstoppschichten 175 sequentiell
auf der zweiten Zwischenebenen-Isolierschicht 150 ausgebildet,
welche die Bitleitungsstrukturen 165 aufweist. Dabei können die
ersten bis dritten Zwischenebenen-Isolierschichten 130, 150 und 170 beispielsweise
in Form von Isolierschichten aus der Siliziumoxidschichtgruppe hergestellt
werden. Die Ätzstoppschichten 175 werden
aus isolierenden Schichten gebildet, beispielsweise aus Siliziumnitridschichten
mit einer Ätzselektivität, die sich
von den Ätzselektivitäten der
zweiten und der dritten Zwischenebenen-Isolierschicht 150 und 170 unterscheidet.
Die Ätzstoppschichten 175,
die dritte Zwischenebenen-Isolierschicht 170 und die zweite
Zwischenebenen-Isolierschicht 150 werden geätzt, um
die zweiten Kontaktflecke 140b freizulegen, die Kontakt
mit den Sourcezonen herstellen, so daß Speicherknotenpunktkontaktlöcher 180 gebildet
werden. Hierbei werden die Speicherknotenpunktkontaktlöcher 180 mit
Hilfe eines Selbstausrichtverfahrens unter Verwendung der Bitleitungsstrukturen 165 ausgebildet. Danach
wird eine leitende Schicht, beispielsweise eine dotierte Polysiliziumschicht,
niedergeschlagen, um die Speicherknotenpunktkontaktlöcher 180 in ausreichender
Weise zu füllen,
und es wird dann die dotierte Polysiliziumschicht chemisch-mechanisch poliert,
um die Ätzstoppschichten 175 freizulegen. Demzufolge
werden Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 ausgebildet.
-
Es
wird dann eine Formoxidschicht (mold oxide layer) auf den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und
den Ätzstoppschichten 175 bis
zu einer vorbestimmten Dicke ausgebildet. Bei einigen Ausführungsformen
wird die Formoxidschicht zum Bestimmen der Höhe der Speicherknotenpunktelektroden
bis zu einer Höhe
ausgebildet, die größer ist als
die gewünschte
Höhe der
Speicherknotenpunktelektroden, und zwar um eine vorbestimmte Höhe, wobei
in Betracht gezogen wird, daß die
Formoxidschicht chemisch-mechanisch poliert wird, und zwar auf die
vorbestimmte Höhe
bei den vorliegenden Ausführungsformen.
Die Formoxidschicht wird geätzt,
um die Bitleitungsstrukturen 165 zu überlappen, so daß die Formoxidschichtmuster 190 ausgebildet werden.
Hierbei können
die Formoxidschichtmuster 190 in vorbestimmten Intervallen
beispielsweise in einer Teilung oder in zwei Teilungen ausgebildet
werden. Die Formoxidschichtmuster 190 von 2A werden
in Zwei-Teilungsintervallen angeordnet und die Formoxidschichtmuster 190 von 5 werden
in Ein-Teilungsintervallen angeordnet. In dieser Beziehung bedeuten
die Formoxidschichtmuster 190 in den Zwei-Teilungsintervallen,
daß zwei
Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 zwischen zwei benachbarten
Formoxidschichtmustern 190 gelegen sind. Zusätzlich kann
die Leitungsbreite der Formoxidschichtmuster 190 gleich
sein mit oder kleiner sein als die Leitungsbreite der Bitleitungsstrukturen 165.
-
Gemäß 3B wird
eine leitende Schicht für die
Speicherknotenpunktelektroden, beispielsweise eine Polysiliziumschicht,
auf den Ätzstoppschichten 175 niedergeschlagen,
auf denen die Formoxidschichtmuster 190 ausgebildet sind.
Als nächstes wird
die Polysiliziumschicht anisotrop geätzt, um leitende Abstandshalter 200 aus
Polysilizium an beiden Wänden
der Formoxidschichtmuster 190 auszubilden. Es wird eine
Isolierschicht auf der resultierenden Struktur niedergeschlagen
und eine anisotrope Ätzung
vorgenommen, um die Isolierabstandshalter 220 an den Seitenwänden der
leitenden Abstandshalter 200 auszubilden. Durch wiederholtes Ausbilden
der leitenden Abstandshalter 200 und der isolierenden Abstandshalter 220 werden
die Räume
zwischen den Formoxidschichtmustern 190 gefüllt. Damit
die Einheitszellen getrennt werden, bestehen die letzten Abstandshalter,
die zwischen den Formoxidschichtmustern 190 ausgebildet
werden, das heißt die
Abstandshalter, die an den Zentrumspunkten zwischen den Formoxidschichtmustern 190 ausgebildet werden,
aus isolierenden Abstandshaltern 220. Zusätzlich werden
leitende Abstandshalter 200 ausgebildet, um die Knotenpunktkontaktpfropfen 185 zu
bilden. Bei den vorliegenden Ausführungsformen werden die Räume zwischen
den Formoxidschichtmustern 190 dadurch gefüllt, indem
die leitenden Abstandshalter 200 zweimal ausgebildet werden
und indem die isolierenden Abstandshalter 220 zweimal ausgebildet
werden; jedoch können
die Weiten oder Breiten und die Zahl der leitenden Abstandshalter 200 und
der isolierenden Abstandshalter 220 variieren.
-
Um
nun auf die 2B und 3C einzugehen,
so werden die oberen Oberflächen
der Formoxidschichtmuster 190, der leitenden Abstandshalter 200 und
der isolierenden Abstandshalter 220 chemisch-mechanisch
poliert, um die oberen Oberflächen
zu planieren, so daß die
leitenden Leitungsmuster 201 und die isolierenden Leitungsmuster 221 und 225 zwischen
den Formoxidschichtmustern 191 ausgebildet werden. Hierbei
bezeichnet das Bezugszeichen 191 die Formoxidschichtmuster
mit den planierten oberen Oberflächen.
Und die leitenden Leitermuster 201 sind die leitenden Abstandshalter 220 mit den
planierten oberen Oberflächen
und die isolierenden Leitermuster 221 und 225 sind
die isolierenden Abstandshalter 220 mit planierten oberen
Oberflächen.
Die leitenden Leitungsmuster 201 kontaktieren jeweils die
Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und die isolierenden
Leitungsmuster 221 und 225 isolieren die leitenden
Leitungsmuster 201. Speziell trennen die isolierenden Leitungsmuster 225,
die auf den Ätzstoppschichten 175 ausgebildet
sind, die leitenden Leitungsmuster 201 um eine Teilung,
das heißt
der Größe der Einheitszellen,
und zwar in einer Richtung parallel zu den Bitleitungsstrukturen 165, wobei
sie jedoch auf die leitenden Leitungsmuster 201 isolieren.
Bei den vorliegenden Ausführungsformen
enthält
jeder der Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 beispielsweise
zwei leitende Leitungsmuster 201 und ein isolierendes Leitungsmuster 221 dazwischen.
-
Gemäß 2C sind,
um die Speicherknotenpunktelektroden festzulegen, Nuten 230 dadurch ausgebildet,
indem Abschnitte der Formoxidschichtmuster 191 in Form
gebracht werden, ebenso die leitenden Leitungsmuster 201 und
die isolierenden Leitungsmuster 221 und 225. Hierbei
erstrecken sich die Nuten 230 senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der
Formoxidschichtmuster 191, das heißt parallel zu den Wortleitungsstrukturen 120.
Die Nuten 230 sind zwischen den Wortleitungsstrukturen 120 ausgebildet,
auf denen die Drainzonen ausgebildet sind, um maximale Speicherknotenpunktelektrodenzonen
sicherzustellen. Mit anderen Worten ist eine Anzahl von Wortleitungen 120 zwischen
einer Anzahl von benachbarten Nuten 230 derart angeordnet,
daß die Nuten 230 die Ätzstoppschichten 175 öffnen oder
unterbrechen.
-
Gemäß den 2D und 4 wird
eine Isolierschicht für
die Abstützvorrichtungen
niedergeschlagen, und es wird die isolierende Schicht bis zu einer
Höhe geätzt, die
kleiner ist als die Höhe
der leitenden Leitungsmuster 201, um dadurch die Abstützvorrichtungen 240 zu
bilden. Hierbei wird die isolierende Schicht für die Abstützvorrichtungen aus einer isolierenden
Schicht gebildet, die eine Ätzselektivität besitzt,
welche von den Ätzselektivitäten der
Formoxidschichtmuster 191 und der isolierenden Leitungsmuster 221 und 225 verschieden
ist. Die isolierende Schicht wird feucht geätzt, um die Abstützvorrichtungen 240 zu
bilden.
-
Da
die Abstützvorrichtungen 240 in
den Nuten 230 ausgebildet sind, kreuzen die Abstützvorrichtungen 240 die
leitenden Leitungsmuster 201, so daß die Abstützvorrichtungen 240 die
leitenden Leitungsmuster 201 gemäß einer Zelle trennen. Ferner
unterstützen
oder haltern die Abstützvorrichtungen 240 die
leitenden Leitungsmuster 201, wodurch verhindert wird,
daß die
leitenden Leitungsmuster 201 zu dem benachbarten leitenden
Leitungsmuster 201 hinfallen oder sich zu diesen hinbiegen.
Zusätzlich besitzen
die Abstützvorrichtungen 240 eine
Höhe kleiner
als die Höhe
der leitenden Leitungsmuster 201, um die Speicherknotenpunktelektrodenkapazität zu sichern.
-
Danach
werden Formoxidschichtmuster 191 und die isolierenden Leitungsmuster 221 und 225 mit Hilfe
eines herkömmlichen
Feuchtätzverfahrens
entfernt. Da hierbei die Formoxidschichtmuster 191 und die
isolierenden Leitungsmuster 221 und 225 die Ätzselektivität besitzen,
die von den Ätzselektivitäten der Ätzstoppschichten 175 und
der Abstützvorrichtungen 240 verschieden
ist, werden die Formoxidschichtmuster 191 und die isolierenden
Leitungsmuster 221 und 225 selektiv entfernt.
Somit werden die Speicherknotenpunktelektroden 250, die
aus der Vielzahl der leitenden Leitungsmuster 201 gebildet
sind, vollständig
ausgebildet.
-
Die
Speicherknotenpunktelektroden 250 gemäß der vorliegenden Ausführungsform
sind aus einer Vielzahl von leitenden Leitungsmustern 201 gebildet,
die eine feine Leitungsbreite besitzen, um dadurch den Flächenbereich
der Speicherknotenpunktelektroden 250 zu vergrößern. Zusätzlich trennen
die Abstützvorrichtungen 240 die
Speicherknotenpunktelektroden 250 und stützen diese
ab, und zwar entsprechend einer Zelle, um dadurch zu verhindern, daß die Speicherknotenpunktelektroden 250 zu
den benachbarten Speicherknotenpunktelektroden 250 hinfallen
oder sich zu diesen hinbiegen. Ferner erstrecken sich, wie in 2D gezeigt
ist, die Speicherknotenpunktelektroden 250 zu den Zonen
entsprechend den Drainzonen (nicht gezeigt) hin, als auch zu den
Zonen mit den Bitleitungsstrukturen 165, um dadurch den
Flächenbereich
der Speicherknotenpunktelektroden 250 zu erhöhen.
-
Zweite Ausführungsform
-
Gemäß den 6A und 7A wird
eine Isolierschicht 110 auf einem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet,
wie dies bei der ersten Ausführungsform gezeigt
ist, um aktive Zonen 115 zu definieren. Es werden Wortleitungsstrukturen 120 auf
dem Halbleitersubstrat 100 in der folgenden Weise ausgebildet. Nach
einem nachfolgenden Niederschlagen einer Gateisolierschicht 121,
von Wortleitungen 123 und einer harten Maskenschicht 125,
werden die Schichten in ein Muster geformt, so daß sie senkrecht zu
der längeren
Achse der aktiven Zonen 115 verlaufen. Es werden Wortleitungsabstandshalter 127 an
den Seitenwänden
der in ein Muster gebrachten harten Maskenschichten 125 und
der Wortleitungen 123 ausgebildet, und zwar mit Hilfe eines
herkömmlichen
Verfahrens, um die Wortleitungsstrukturen 120 herzustellen.
Hierbei werden die harten Maskenschichten 125 und die Wortleitungsabstandshalter 127 aus
Siliziumnitridschichten mit einer Ätzselektivität hergestellt,
die von der Ätzselektivität einer
Zwischenebenen-Isolierschicht in Form einer Siliziumoxidschichtgruppe
verschieden ist, die zu dem Zweck ausgebildet wird, um sich selbst
ausrichtende Kontaktlöcher bei
einem nachfolgenden Prozeß auszubilden.
Zusätzlich
erstrecken sich die Wortleitungsstrukturen 120 in solcher
Weise, daß sie
parallel zueinander sind und es ist eine Anzahl von Wortleitungsstrukturen 120 an
jeder aktiven Zone 115 angeordnet. Es werden Source- und
Drainzonen (nicht gezeigt), eine erste Zwischenebenen-Isolierschicht 130,
Kontaktflecken 140a und 140b, eine zweite Zwischenebenen-Isolierschicht 170, Ätzstoppschichten 175 und Speicherknotenpunktkontaktflecken 185 in
den aktiven Zonen 115 auf beiden Seiten der Wortleitungsstrukturen 120 mit
Hilfe des Verfahrens ausgebildet, welches bei der ersten Ausführungsform
veranschaulicht ist.
-
Es
wird eine Formoxidschicht auf den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und
den Ätzstoppschichten 175 bis
zu einer vorbestimmten Dicke ausgebildet. Wie oben beschrieben ist,
wird die Formoxidschicht zum Bestimmen der Höhe der Speicherknotenpunktelektroden
bis zu einer Höhe
ausgebildet, die größer ist
als die gewünschte
Höhe der Speicherknotenpunktelektroden,
und zwar um eine vorbestimmte Höhe.
Der Abschnitt der Formoxidschicht wird geätzt, um die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 freizulegen,
wodurch dann die Formoxidschichtmuster 195 gebildet werden.
Bei den vorliegenden Ausführungsformen
sind die Formoxidschichtmuster 195 so angeordnet, daß sie parallel
zu den Wortleitungsstrukturen 120 verlaufen, während sie
jedoch die Drainzonen der aktiven Zonen 115 überlappen.
Darüber
hinaus können
die Formoxidschichtmuster 195 in vorbestimmten Intervallen,
beispielsweise gemäß einer
Teilung oder gemäß zwei Teilungen,
ausgebildet werden. Die Formoxidschichtmuster 195 von 6A sind
in Zwei-Teilungsintervallen angeordnet. Hierbei bedeuten die Formoxidschichtmuster 195 in
Zwei-Teilungsintervallen, daß zwei
Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 zwischen zwei benachbarten
Formoxidschichtmustern 195 gelegen sind, und die Formoxidschichtmuster 195 in
einem Ein-Teilungsintervall bedeutet, daß ein Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 zwischen zwei
benachbarten Formoxidschichtmustern 195 gelegen ist.
-
Gemäß den 6B und 7B wird
eine leitende Schicht für
die Speicherknotenpunktelektroden, beispielsweise eine dotierte
Polysiliziumschicht, auf den Ätzstoppschichten 175 niedergeschlagen, auf
welchen die Formoxidschichtmuster 195 ausgebildet sind,
wie dies bei der ersten Ausführungsform gezeigt
ist. Die Polysiliziumschicht wird anisotrop geätzt, um leitende Abstandshalter
(nicht gezeigt) aus Polysilizium an beiden Wänden der Formoxidschichtmuster 195 auszubilden.
Es wird eine isolierende Schicht auf der resultierenden Struktur
niedergeschlagen und anisotrop geätzt, um isolierende Abstandshalter
(nicht gezeigt) an den Seitenwänden der
leitenden Abstandshalter auszubilden. Durch wiederholtes Ausbilden
von leitenden Abstandshaltern und isolierenden Abstandshaltern werden
die Zwischenräume
zwischen den Formoxidschichtmustern 195 ausgefüllt. Hierbei
kontaktieren die leitenden Abstandshalter die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und
die letzten Abstandshalter bestehen aus isolierenden Abstandshaltern.
Die letzten Abstandshalter werden an den Ätzstoppschichten 175 zwischen
den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 ausgebildet
und die letzten Abstandshalter können
eine relativ größere Leitungsbreite oder
Leitungsweite als die anderen isolierenden Abstandshalter aufweisen.
Bei den vorliegenden Ausführungsformen
wird jeder der Abstandshalter zwischen den Formoxidschichtmustern 195 ausgefüllt, indem
die leitenden Abstandshalter viermal und indem die isolierenden
Abstandshalter viermal ausgebildet werden; es können jedoch die Breiten oder Weiten
und auch die Zahl der leitenden Abstandshalter und der isolierenden
Abstandshalter gesteuert werden.
-
Die
oberen Oberflächen
der Formoxidschichtmuster 195, der leitenden Abstandshalter
und die isolierenden Abstandshalter werden chemisch-mechanisch poliert,
um leitende Leitungsmuster 261 und isolierende Leitungsmuster 271 und 275 zwischen
den Formoxidschichtmustern 196 auszubilden. Hierbei bezeichnet
das Bezugszeichen 196 die Formoxidschichtmuster mit den
planierten oberen Oberflächen.
Die leitenden Leitungsmuster 261, die aus den leitenden
Abstandshaltern mit den planierten oberen Oberflächen bestehen, kontaktieren
die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185. Die isolierenden
Leitungsmuster 271 an den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185,
die aus den isolierenden Abstandshaltern 220 mit den planierten
oberen Oberflächen
bestehen, isolieren die leitenden Leitungsmuster 261. Zusätzlich isolieren
die isolierenden Leitungsmuster 275, die auf den Ätzstoppschichten 175 ausgebildet
sind, die leitenden Leitungsmuster 261 und trennen die
leitenden Leitungsmuster 261 in einer Richtung parallel
zu den Wortleitungsstrukturen 120 um eine Teilung, das
heißt
eine Zelleneinheit. Bei der vorliegenden Erfindung kontaktieren
vier Leitungsmuster 261 jeden der Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185.
-
Um
gemäß 6C die
Speicherknotenpunktelektroden in jeder Zelle festzulegen, werden
Nuten 235 ausgebildet, indem Abschnitte der Formoxidschichtmuster 196 in
ein Muster gebracht werden, ebenso die leitenden Leitungsmuster 261 und
die isolierenden Leitungsmuster 271 und 275. Hierbei
werden die Nuten 235 so ausgebildet, daß sie die Bitleitungsstrukturen 165 überlappen.
Demzufolge trennen die Nuten 235 und die isolierenden Abstandshalter 275 die
leitenden Leitungsmuster 261 in Einheiten der Einheitszelle.
-
Gemäß den 6D und 8 wird
eine isolierende Schicht für
die Abstützvorrichtungen
niedergeschlagen, um die Nuten 235 in ausreichender Weise
zu füllen,
und es wird die isolierende Schicht bis auf eine Höhe geätzt, die
kleiner ist als die Höhe
der leitenden Leitungsmuster 261, um die Abstützvorrichtungen 245 zu
bilden. Bei einigen Ausführungsformen
wird die isolierende Schicht, die in die Nuten 235 eingefüllt wird,
aus einer isolierenden Schicht mit einer Ätzselektivität gebildet,
die von den Ätzselektivitäten der
Formoxidschichtmuster 196 und der isolierenden Leitungsmuster 271 und 275 verschieden ist.
Da die Abstützvorrichtungen 245 kreuzend durch die
leitenden Leitungsmuster 261 verlaufen, trennen die Abstützvorrichtungen 245 die
leitenden Leitungsmuster 261 entsprechend der Zelle. Darüber hinaus verhindern
die Abstützvorrichtungen 245,
daß die
leitenden Leitungsmuster 261 sich zu den benachbarten leitenden
Leitungsmustern 261 hin biegen oder auf diese fallen. Zusätzlich sind
die Abstützvorrichtungen 245 bis
zu einer Höhe
ausgebildet, die kleiner ist als die Höhe der leitenden Leitungsmuster 261, um
die Speicherknotenpunktelektrodenkapazität zu sichern.
-
Danach
werden die Formoxidschichtmuster 196 und die isolierenden
Leitungsmuster 271 und 275 mit Hilfe eines herkömmlichen
Feuchtätzverfahrens
entfernt. Da hierbei die Formoxidschichtmuster 196 und
die isolierenden Leitungsmuster 271 und 275 eine Ätzselektivität besitzen,
die verschieden ist von den Ätzselektivitäten der Ätzstoppschichten 175 und
der Abstützvorrichtungen 245,
werden die Formoxidschichtmuster 196 und die isolierenden
Leitungsmuster 271 und 275 selektiv entfernt.
Auf diese Weise werden die Speicherknotenpunktelektroden 280 vervollständigt.
-
Die
Wirkungen der zweiten Ausführungsformen
sind die gleichen wie diejenigen der ersten Ausführungsformen.
-
Die 10A bis 10C zeigen
Schnittansichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung
(keine Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung). Die Beschreibung der Elemente, welche
die gleichen sind wie bei den ersten und zweiten Ausführungsformen,
wird nicht wiederholt und es sind die gleichen Bezugszeichen den
gleichen Elementen zugeordnet wie bei den ersten und den zweiten
Ausführungsformen.
Darüber
hinaus enthalten die vorliegenden Ausführungsformen ein Verfahren
zum Ausbilden von Speicherknotenpunktelektroden, wobei die Prozesse
bis hin zur Ausbildung der Formoxidschichtmuster die gleichen sind wie
die Prozesse der ersten Ausführungsformen,
so daß die
Beschreibung mit den nachfolgenden Prozessen beginnt.
-
Um
auf 10A einzugehen, so wird eine erste
leitende Schicht 310 für
die Speicherknotenpunktelektroden auf den Ätzstoppschichten 175 ausgebildet,
auf denen die Formoxidschichtmuster 190 ausgebildet sind.
Danach wird eine isolierende Schicht 320 auf der ersten
leitenden Schicht 310 niedergeschlagen.
-
Die
erste leitende Schicht 310 und die isolierende Schicht 320 werden
anisotrop geätzt,
um erste leitende Abstandshalter 311 und isolierende Abstandshalter 321 auszubilden,
wie in 10B gezeigt ist. Es wird eine
zweite leitende Schicht 330 für die Speicherknotenpunktelektroden
auf der resultierenden Struktur niedergeschlagen. Hierbei kontaktieren
die ersten leitenden Abstandshalter 311 die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185.
-
Als
nächstes
wird die zweite leitende Schicht 330 anisotrop geätzt und
es werden zweite leitende Abstandshalter (nicht gezeigt) an den
Seitenwänden der
isolierenden Abstandshalter 321 ausgebildet. Dabei kontaktieren
die zweiten leitenden Abstandshalter die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185, während sie
die Seitenwände
der ersten leitenden Abstandshalter 311 kontaktieren. Wie
in 10C gezeigt ist, wird die Oberfläche der
resultierenden Struktur chemisch-mechanisch poliert, um erste leitende
Leitungsmuster 312 zu bilden, die aus den ersten leitenden
Abstandshaltern 311 und den zweiten leitenden Leitungsmustern 332 gebildet
sind, welche aus den zweiten leitenden Abstandshaltern gebildet sind.
Hierbei werden die ersten leitenden Leitungsmuster 312 in
eine L-Gestalt geformt und Abschnitte der zweiten leitenden Leitungsmuster 332 kontaktieren
die unteren Abschnitte der ersten leitenden Leitungsmuster 312.
Danach werden die isolierenden Abstandshalter 321 und die
Formoxidschichtmuster 190 mit Hilfe eines herkömmlichen
Feuchtätzverfahrens
entfernt. Demzufolge werden Speicherknotenpunktelektroden 300 aus
den ersten und zweiten leitenden Leitungsmustern 312 und 332 gebildet.
-
Hierbei
werden die Speicherknotenpunktelektroden 300 aus zwei leitenden
Leitungsmustern gebildet; jedoch können die Breiten oder Weiten
und die Zahlen der leitenden Leitungsmuster variieren.
-
Darüber hinaus
wird die Formoxidschicht so ausgebildet, daß sie parallel zu den Bitleitungsstrukturen
verläuft;
jedoch kann die Formoxidschicht so ausgebildet werden, daß sie parallel
zu den Wortleitungsstrukturen verläuft, wie dies bei den zweiten Ausführungsformen
gezeigt ist.
-
Dritte Ausführungsformen
-
Die 12A und 12B sind
Schnittansichten entlang der Schnittlinien C-C' der 11A bzw. 11B.
-
Die
Beschreibung der Elemente, welche die gleichen sind wie bei den
ersten und zweiten Ausführungsformen,
wird nicht wiederholt und es sind gleiche Bezugszeichen für die gleichen
Elemente der ersten und zweiten Ausführungsformen zugeordnet. Darüber hinaus
sind bei den vorliegenden Ausführungsformen
die Prozesse bis hin zu der Ausbildung der Speicherknotenpunktkontaktpfropfen
die gleichen wie die Prozesse bei den ersten und zweiten Ausführungsformen
und die Beschreibung beginnt daher mit den nachfolgenden Prozessen.
-
Gemäß den 11A und 12A wird
eine Formoxidschicht auf den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und
den Ätzstoppschichten 175 bis zu
einer vorbestimmten Dicke ausgebildet. Dabei kann die Formoxidschicht
zum Bestimmen der Höhe der
Speicherknotenpunktelektroden bis zu der gewünschten Höhe der Speicherknotenpunktelektroden
ausgebildet werden. Danach werden Abschnitte der Formoxidschicht
trocken geätzt,
um eine Vielzahl von Formoxidschichtmustern 400 zu bilden.
Hierbei werden die Formoxidschichtmuster 400 beispielsweise
in Intervallen von einer Teilung ausgebildet, werden jedoch in der
Gestalt von Wellen in einer Draufsicht hergestellt. Mit anderen
Worten sind Rippenabschnitte X1 der Formoxidschichtmuster 400 zwischen den
Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 und den Talabschnitten
X2 der Formoxidschichtmuster 400 an
den Drainzonen gelegen, die den ersten Kontaktpfropfen 140a entsprechen,
oder an einer Isolationsschicht 110 entsprechend den Drainzonen.
Wenn die Rippenabschnitte X1 der wellenförmig gestalteten Formoxidschichtmuster 400 angeschlossen
werden, werden geradlinige Leitungen ausgebildet. Darüber hinaus
verlaufen bei einigen Ausführungsformen
die geradlinigen Leitungen parallel zu den Bitleitungsstrukturen 165.
-
Wie
in den 11B und 12B gezeigt
ist, wird eine leitende Schicht 410 für die Speicherknotenpunktelektroden,
beispielsweise eine dotierte Polysiliziumschicht, auf den Ätzstoppschichten 175 niedergeschlagen,
auf denen die wellenförmig
gestalteten Formoxidschichtmuster 400 ausgebildet sind, und
es wird eine Pufferisolierschicht 420 auf der leitenden
Schicht 410 für
die Speicherknotenpunktelektroden niedergeschlagen. Danach wird
ein chemisch-mechanischer Poliervorgang durchgeführt, um die Formoxidschichtmuster 400 freizulegen.
Damit verbleibt die leitende Schicht 410 für die Speicherknotenpunktelektroden
in einer Zone zurück,
die durch die Formoxidschichtmuster 400 definiert ist. Hierbei
besitzen die Seitenwände
der verbleibenden leitenden Schicht 410 für die Speicherknotenpunktelektroden
die gleiche Wellengestalt wie die Formoxidschichtmuster 400.
-
Als
nächstes
werden, wie in den 11C und 13 gezeigt
ist, Nuten 430 ausgebildet, indem Abschnitte der Formoxidschichtmuster 400 trocken geätzt werden,
ebenso Abschnitte der leitenden Schicht 410 für die Speicherknotenpunktelektroden und
der isolierenden Schicht 420, um die Speicherknotenpunktelektroden
um eine Zelle zu trennen. Hierbei werden die Nuten 430 zwischen
den Wortleitungsstrukturen 120 ausgebildet, an welchen
die Drainzonen (nicht gezeigt) ausgebildet sind, wobei sie senkrecht
zu der Erstreckungsrichtung der Formoxidschichtmuster 400 verlaufen,
das heißt
in der Richtung der Bitleitungsstrukturen. Es ist zu bevorzugen,
daß die
Nuten 430 durch die Talabschnitte X2 der
Formoxidschichtmuster 400 hindurch verlaufen.
-
Danach
wird, wie in 11D und 14 gezeigt
ist, eine isolierende Schicht für
die Abstützvorrichtungen
niedergeschlagen, um die Nuten 430 in ausreichender Weise
zu füllen.
Hierbei kann die isolierende Schicht für die Abstützvorrichtungen aus dem gleichen
Material wie die Ätzstoppschichten 175 ausgebildet
werden, beispielsweise als Siliziumnitridschicht. Die isolierende
Schicht wird feucht oder trocken geätzt, und zwar bis auf eine
vorbestimmte Dicke, so daß die
isolierende Schicht, die in den Nuten 430 verbleibt, und
zwar in einer Höhe
kleiner als die Höhe
der leitenden Schicht 410 für die Speicherknotenpunktelektroden
oder die Formoxidschichtmuster 400. Demzufolge werden die
Abstützvorrichtungen 440 ausgebildet.
-
Die
Formoxidschichtmuster 400 und die isolierende Schicht 420 werden
mit Hilfe eines herkömmlichen
Feuchtätzverfahrens
entfernt, um Speicherknotenpunktelektroden 425 zubilden.
Da hierbei die Ätzstoppschichten 175 auf
der resultierenden Struktur auf dem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet sind
und da die Ätzselektivität der Abstützvorrichtungen 440 verschieden
ist von den Ätzselektivitäten der Formoxidschichtmuster 400 und
der isolierenden Schicht 420, werden lediglich die Formoxidschichtmuster 400 und
die isolierende Schicht 420 selektiv entfernt. Es werden
somit die Speicherknotenpunktelektroden 425 in Einheiten
von jeder Zelle festgelegt. Mit anderen Worten werden die Speicherknotenpunktelektroden 425 in
Einheiten von jeder Zelle durch die Abstützvorrichtungen 440 in
einer Richtung parallel zu den Wortleitungen getrennt. Darüber hinaus
werden die Abstützvorrichtungen 440 in
spezifischen Intervallen ausgebildet und stützen somit die Speicherknotenpunktelektroden 425 ab,
die in wellenförmig
gestaltete Leitungsmuster ausgebildet werden. Daher werden die schmalen
und hohen Speicherknotenpunktelektroden 425 daran gehindert,
zu den benachbarten Speicherknotenpunktelektroden 425 hinzufallen.
-
Gemäß den vorliegenden
Ausführungsformen
ist der Flächenbereich
der Speicherknotenpunktelektroden 425, da die Speicherknotenpunktelektroden 425 in
einer Wellengestalt ausgebildet sind, vergrößert. Zusätzlich wird der Flächenbereich
der Speicherknotenpunktelektroden 425 weiter erhöht, da sich
die Speicherknotenpunktelektroden 425 zu den Drainzonen
oder den Zonen entsprechend den Drainzonen hin erstrecken.
-
Da
ferner die Abstützvorrichtungen 440 so ausgebildet
sind, daß sie
die Speicherknotenpunktelektroden 425 in Einheiten von
jeder Zelle trennen, ist die Neigung der Speicherknotenpunktelektroden 425 reduziert
bzw. wird verhindert, daß sie
sich zu benachbarten Speicherknotenpunktelektroden 425 hin biegen
oder zu diesen hin fallen.
-
Hierbei
können
die Formoxidschichtmuster durch Ändern
der Intervalle der Welle, wie in 15 dargestellt
ist, ausgebildet werden.
-
Gemäß 15 werden
die Formoxidschichtmuster 450 in der Gestalt von Wellen
in einer Draufsicht ausgebildet. Hierbei werden Dachabschnitte X3 und Talabschnitte X4 so
ausgebildet, daß sie
zwischen den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 gelegen
sind. In diesem Fall sind die Linien, die durch Verbinden der Dachabschnitte
X3 gebildet werden, und die Linien, die
durch Verbinden der Talabschnitte X4 gebildet
werden, zueinander um einen vorbestimmten Abstand parallel, der
weiter ist als die Breite oder Weite der aktiven Zonen.
-
Wenn
die Wellengestalt der Formoxidschichtmuster 450 geändert wird,
wird die gleiche Wirkung erzielt.
-
Darüber hinaus
können
die Formoxidschichtmuster 500, wie in 16 gezeigt
ist, in Intervallen von zwei Teilungen angeordnet werden. Mit anderen Worten
sind die Formoxidschichtmuster 500 in Intervallen von zwei
Teilungen angeordnet, wie bei der ersten Ausführungsform gezeigt ist, wobei
sie in der Gestalt von Wellen in Draufsicht ausgebildet sind. Beispielsweise
können
bei den Formoxidschichtmustern 500 Dachabschnitte X1 zwischen den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 gelegen
sein, und die Talabschnitte X2 können auf
den Drainzonen gelegen sein, das heißt den ersten Kontaktzonen,
oder auf einer isolierenden Schicht 110 entsprechend den Drainzonen.
Wenn die Formoxidschichtmuster 500 in Intervallen mit zwei
Teilungen ausgebildet werden, wird die gleiche Wirkung erzielt.
-
Zusätzlich können die
Speicherknotenpunktelektroden 425 mit Hilfe des Verfahrens
gemäß den 10A bis 10A ausgebildet
werden.
-
Vierte Ausführungsformen
-
Die 17A und 17B zeigen
Draufsichten von Stufen bei der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung
gemäß vierten
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung. Die Prozesse, die bis hin zur Ausbildung
der Ätzstoppschichten 175 ausgeführt werden,
sind die gleichen wie die Prozesse der ersten und zweiten Ausführungsformen,
so daß die
Beschreibung mit den nachfolgenden Prozessen beginnt.
-
Gemäß 17A werden Formoxidschichtmuster 600 in
der Gestalt von Wellen in einer Draufsicht auf den Ätzstoppschichten 175 ausgebildet. Hierbei
können
die Formoxidschichtmuster 600 beispielsweise in Intervallen
von einer Teilung ausgebildet werden. Mit anderen Worten verlaufen
die Linien, die durch Verbinden der Dachabschnitte X5 oder
der Talabschnitte X6 der Formoxidschichtmuster 600 gebildet
werden, im wesentlichen parallel zu den Wortleitungsstrukturen 120.
Darüber
hinaus werden die Formoxidschichtmuster 600 so ausgebildet,
um jeden der Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 zwischen
den benachbarten Formoxidschichtmustern 600 auf den gleichen
Linien oder Leitungen freizulegen. Die Formoxidschichtmuster 600 werden
auf Zonen ohne die Speicherknotenpunktkontaktpfropfen ausgebildet,
das heißt
auf den Drainzonen und auf einer Isolierschicht 110 entsprechend
den Drainzonen.
-
Es
werden eine Vielzahl von leitenden Leitungsmustern 610 und
isolierenden Leitungsmustern 620 abwechselnd zwischen den
Formoxidschichtmustern 600 ausgebildet. Hierbei werden
eine Vielzahl von leitenden Leitungsmustern 610 und isolierenden
Leitungsmustern 620 in Wellen ausgebildet, und zwar entsprechend
den wellenförmig
gestalteten Formoxidschichtmustern 600. In diesem Fall
werden die leitenden Leitungsmuster 610 und die isolierenden
Leitungsmuster 620 mit Hilfe der oben beschriebenen Verfahren
hergestellt.
-
Wie
in 17B gezeigt ist, werden Abschnitte der Formoxidschichtmuster 600,
der leitenden Leitungsmuster 610 und der isolierenden Leitungsmuster 620 geätzt, um
Nuten 630 auszubilden. Die Nuten 630 werden auf
Zonen ausgebildet, welche die Bitleitungsstrukturen 165 überlappen,
um dadurch die leitenden Leitungsmuster 610 in Einheiten
von jeder Zelle zu trennen. Hierbei sind die leitenden Leitungsmuster 610 in
Einheiten von jeder Zelle definiert, und zwar durch die Nuten 630 und
die Formoxidschichtmuster 600, und es werden die leitenden
Leitungsmuster 610 in Wellen ausgebildet, wobei eine Kontaktierung
mit den Speicherknotenpunktkontaktpfropfen 185 erfolgt.
-
Danach
werden Abstützvorrichtungen
(nicht gezeigt) in den Nuten 630 mit Hilfe des oben beschriebenen
Verfahrens ausgebildet. Die Formoxidschichtmuster 600 und
die isolierenden Leitungsmuster 620 werden geätzt, um
Speicherknotenpunktelektroden 625 zu bilden.
-
Wenn
die Formoxidschichtmuster 600 so ausgebildet werden, daß sie parallel
zu den Wortleitungsstrukturen 120 verlaufen, kann dieselbe
Wirkung erzielt werden.
-
Wie
in 18 gezeigt ist, kann dieselbe Wirkung dadurch
erzielt werden, indem die Formoxidschichtmuster 700 in
Wellen in Intervallen gemäß zwei Teilungen
ausgebildet werden.
-
Wie
oben beschrieben ist, werden gemäß den Ausführungsformen
nach der vorliegenden Erfindung Speicherknotenpunktelektroden in
einer Vielzahl von Leitungsmustertypen mit einer feinen Leitungsbreite
oder -weite hergestellt. Somit kann der Flächenbereich der Speicherknotenpunktelektroden zunehmen.
Zusätzlich
werden Abstützvorrichtungen, die
an einer isolierenden Schicht ausgebildet sind, so hergestellt, daß sie senkrecht
zu der Erstreckungsrichtung der Leitungsmuster der Speicherknotenpunktelektroden
verlaufen. Daher trennen die Abstützvorrichtungen die Speicherknotenpunktelektroden
in Einheiten von jeder Zelle und die Abstützvorrichtungen stützen die
Speicherknotenpunktelektroden ab, wodurch verhindert wird, daß sie Speicherknotenpunktelektroden
auf die benachbarten Speicherknotenpunktelektroden fallen oder sich
zu diesen hin biegen, wobei dieser Vorgang zumindest reduziert wird.
-
Ferner
können
die Zonen für
die Ausbildung der Speicherknotenpunktelektroden erhöht werden, so
daß der
Flächenbereich
der Speicherknotenpunktelektroden erhöht werden kann.