DE10322246A1 - Für Energieversorgung bestimmtes internes Spannungs-Steuergerät mit zwei Schaltkreisen zur Erzeugung von zwei Referenzspannungen für interne Energiezufuhr - Google Patents

Für Energieversorgung bestimmtes internes Spannungs-Steuergerät mit zwei Schaltkreisen zur Erzeugung von zwei Referenzspannungen für interne Energiezufuhr

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DE10322246A1
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voltage
power supply
internal power
reference voltage
circuit
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Kazuo Yoshihara
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NEC Electronics Corp
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Abstract

Bei einer internen Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung erzeugt eine Referenzspannung-Erzeugungsschaltung (1) eine Referenzspannung (V¶RO¶). Eine erste interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung (2') erzeugt eine erste interne Energiezufuhr-Referenzsapnnung (V¶REF¶) entsprechend der Referenzspannung, und eine zweite interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung (9) erzeugt eine zweite interne Energiezufuhr-Referenzspannung (V¶REF¶) entsprechend einer Spannung, die an einen vorbestimmten Anschluß (NC, OE, CS) angelegt ist. Eine Testmodus-Auswahlschaltung (7) aktiviert eine der ersten und zweiten internen Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltungen entsprechend einem Steuersignal (PLVCC2). Eine interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung (3) erzeugt eine interne Energiezufuhrspannung (V¶INT¶) entsprechend einer der ersten und zweiten internen Energiezufuhr-Bezugsspannungen, erzeugt von einer aktivierten der ersten und zweiten internen Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltungen.

Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein internes Energieversorgung-Spannungssteuergerät zur Erzeugung einer niedrigen Spannung und zum Anlegen derselben an eine interne Schaltung und insbesondere auf ein Gerät, das eine Prüfung einer niedrigen Spannungsgrenze und eine Prüfung einer hohen Spannungsgrenze wie eine Einbrennprüfung(-test) oder eine Spannungs- bzw. Belastungsprüfung(-test) durchführen kann.
    • Beschreibung des einschlägigen Standes der Technik
  • Es werden in jüngster Zeit Halbleiterspeichereinrichtungen hoher Geschwindigkeit in PCs und Arbeitsstationen verwendet.
  • Als Reaktion auf Forderungen nach einer niedrigeren Energiezufuhrspannung und einem niedrigeren Energieverbrauch wird eine Halbleiterspeichereinrichtung hoher Geschwindigkeit in eine periphere Schaltung, die direkt durch eine äußere Energiezufuhrspannung betätigt wird, und eine interne Schaltung mit niedrigen Durchschlagsspannungseigenschaften, die von einer Spannung betrieben wird, die niedriger als die externe Spannung ist, geteilt.
  • Um eine Spannungsgrenzwertprüfung bei der vorstehend erwähnten, internen Schaltung durchzuführen, sind bereits verschiedene, interne Geräte zur Erzeugung der Energiezufuhrspannung vorgeschlagen worden.
  • Bei einem ersten, internen Spannungssteuergerät des Standes der Technik (siehe JP-A-2000- 156097) empfängt eine Schaltung zur Erzeugung einer Referenz- oder Bezugsspannung ein Steuersignal, das von einer extern vorgesehenen Anschlußfläche, im folgenden kurz "Anschluß", zugeführt wird, um eine Bezugsspannung zu erzeugen, die einer inneren/internen Energiezufuhrbezugsspannung-Erzeugungsschaltung zum Erzeugen einer internen Energiezufuhrbezugsspannung entsprechend der Bezugsspannung zugeführt wird. Die interne Energiezufuhrbezugsspannung wird weiter einer internen Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung zum Erzeugen einer internen Energiezufuhrspannung in Übereinstimmung mit der internen Energiezufuhrbezugsspannung zugeführt. Dies wird später noch im Detail beschrieben.
  • Bei dem oben beschriebenen, ersten Steuergerät wird jedoch, da der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal notwendig ist, das Gerät hinsichtlich seiner Abmessungen größer. Auch ist es unmöglich, die tatsächliche interne Energiezufuhrspannung für den Grenzwertprüfungsbetrieb oder -modus der niedrigen Spannung genau zu bestätigen. Weiter ist es, da die interne Energiezufuhrspannung für den Grenzwertprüfungsmodus der niedrigen Spannung fest ist, unmöglich, eine untere Grenze dieses Prüfungsmodus zu bestimmen. Weiterhin können, da die interne Energiezufuhrspannung nicht höher als die externe Spannung sein kann, Grenzwerttests hoher Spannungen wie Einbrennprüfungen oder Spannungs-Belastungsprüfungen an der internen Schaltung nicht durchgeführt werden.
  • Bei einer zweiten Steuereinrichtung des Standes der Technik (siehe JP-A-5-33116) werden eine interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung zum Erzeugen einer internen Energiezuführspannung für normalen Betrieb und ein extern vorgesehener Anschluß, an den eine interne Energiezufuhrspannung für einen Spannungsgrenzprüfungsmodus angelegt wird, von einer Auswahlschaltung geschaltet. Da die interne Energiezuführspannung für das Spannungsgrenzprüfverfahren geändert werden kann, kann damit nicht nur eine untere Grenze des Prüfbetriebs für die Grenze der niedrigen Spannung, sondern auch eine höhere Grenze des Prüfungsmodus der höheren Spannungsgrenze bestimmt werden. Auch dies wird später im Detail beschrieben.
  • Bei dem vorstehend beschriebenen, zweiten Steuergerät des Standes der Technik müßte dies jedoch hinsichtlich seiner Abmessungen vergrößert werden, da zwei extern vorgesehene Anschlüsse notwendig sind.
  • Bei dem obigen, zweiten Steuergerät nach dem Stand der Technik kann das Steuersignal von einem Adresseneingangsanschluß (siehe JP-A-3-16Q699) zugeführt werden; in diesem Fall kann die Anzahl der extern vorgesehenen Anschlüsse verringert werden. Dennoch ist der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal nötig.
  • Bei einer dritten, internen Steuereinrichtung für Energiezuführspannung nach dem Stande der Technik ist das erste bekannte, interne Steuergerät mit dem zweiten bekannten, internen Steuergerät kombiniert. Auch dies wird später im Detail beschrieben.
  • Selbst bei der bekannten, dritten Steuereinrichtung wäre jedoch das Gerät hinsichtlich der Abmessungen vergrößert, da zwei extern vorgesehene Anschlüsse für das Steuersignal und die interne Energiespannung notwendig sind.
  • Bei einem vierten, internen Spannungssteuergerät für Energiezufuhr des Standes der Technik wird die Auswahlschaltung der dritten bekannten Spannungssteuereinrichtung durch eine Testbetrieb- oder Prüfungsmodus-Eintrag- oder Eingabeschaltung und eine Testbetrieb- oder Prüfungsmodus-Auswahlschaltung ersetzt. Auch werden bei einem Prüfbetrieb für Spannungsgrenzwerte die interne Referenzspannungserzeugungsschaltung für Energiezufuhr und die interne Energiezuführspannungserzeugungsschaltung der dritten bekannten, internen Spannungssteuereinrichtung von einem Löschsignal der Testbetrieb-Auswahlschaltung deaktiviert. In diesem Zustand wird ein Treiber in der internen Erzeugungsschaltung für die interne Energiezuführspannung vollständig auf EIN geschaltet. Deshalb wird, wenn eine niedrige Spannung oder eine hohe Spannung im Grenzwertspannung-Prüfungsmodus an einen externen Anschluß für die externe Spannung angelegt werden, eine solche niedrige Spannung oder eine solche hohe Spannung über den Treiber an die interne Schaltung angelegt. Damit kann eine beliebige Grenzwertspannungsprüfung durchgeführt werden, und zwar ohne den extern vorgesehenen Anschluß für die interne Spannung, während der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal nötig bleibt. Auch dies wird später im Detail erläutert.
  • Bei dem oben beschriebenen vierten, bekannten, internen Spannungssteuergerät für Energiezuführung kann bei einem Prüfungsmodus für die Spannungsgrenze aufgrund der Tatsache, daß die externe Spannung hoch oder niedrig sein kann, nicht nur eine Bereichs- oder Grenzprüfung für niedrige Spannung durchgeführt werden, sondern auch eine Bereichs- oder Grenzprüfung für hohe Spannung wie eine Einbrennprüfung oder eine Spannungs- bzw. Belastungsprüfung.
  • Bei dem vorstehend beschriebenen vierten, bekannten Steuergerät wird bei einem Spannungsgrenze-Prüfungsverfahren ein Schaltungsteil wie eine periphere Schaltung, die direkt von der externen Spannung betrieben wird, einer niedrigen Spannung oder einer hohen Spannung für den Testmodus unterworfen, so daß es unmöglich ist, die untere Grenze des Testmodus für niedrige Spannungsgrenzwerte und die obere Grenze des Prüfungsmodus für hohe Spannungsgrenzwerte zu bestimmen.
  • Bei dem vorstehend beschriebenen vierten, bekannten, internen Steuergerät kann die Bezugsspannung für innere Energiezufuhr der internen Erzeugungsschaltung so eingestellt werden, daß es sich um eine niedrige Spannung oder eine hohe Spannung handelt. Selbst in diesem Fall ist es jedoch unmöglich, die untere Grenze des Testmodus der unteren Spannungsgrenze und die obere Begrenzung des Testmodus für die obere Spannungsgrenze zu bestimmen.
  • In einem fünften, internen Spannungssteuergerät für Energiezufuhr wird ebenfalls von einem extern vorgesehenen Anschluß eine interne Energiezufuhrspannung für einen Spannungsgrenz(bereich)-Testbetrieb an die interne Spannungserzeugungsschaltung für Energiezufuhr des vierten, internen Spannungsgerätes angelegt. Dabei ergibt sich, daß bei einem Prüfungsmodus für den Spannungsbereich die interne Energiezufuhr-Referenzspannungserzeugungsschaltung deaktiviert wird, während eine niedrige oder eine hohe Spannung als interne Energiezufuhrspannung an die interne Erzeugungsschaltung für die Energierzuführspannung angelegt wird. Deshalb wird die interne Energiezuführspannung nahe an die vorstehend erwähnte niedrige oder hohe Spannung als Spannungsgrenzwert-Testbetrieb herangebracht, und damit kann ein beliebiger Spannungsgrenztest ausgeführt werden. Dies wird ebenfalls später im Detail beschrieben.
  • Bei der oben beschriebenen, fünften Einrichtung des Standes der Technik wird allerdings, nachdem die Halbleitereinrichtung (Chip) vervollständigt ist, kein Gebrauch von der internen Energiezuführspannung gemacht, und zwar deshalb, weil kein Drahtanschlußvorgang an dem entsprechenden Anschluß möglich ist, so daß kein Grenztest für hohe Spannung wie ein Einbrenntest oder ein Belastungstest ausgeführt werden kann.
  • Bei einer sechsten bekannten, internen Spannungssteuereinrichtung zur Energiezufuhr ist eine Schaltung für einen Einbrenn-Testmodus in den Elementen des fünften, bekannten Spannungssteuergerätes vorgesehen. Dies wird ebenfalls später im Detail erläutert.
  • Bei dem bekannten, sechsten Steuergerät wird jedoch, wenn die Durchbruchsspannung der Transistoren aufgrund der Fluktuation des Herstellungsprozesses oder dergleichen auftritt, der Spannungsgrenzwert bei einem Einbrenntestbetrieb und damit der gewährleistete Betriebsbereich verringert, so daß es unmöglich ist, einen Einbrenntest sicher durchzuführen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein internes Steuergerät für Energiezuführspannung vorzusehen, das geeignet ist, genau und zuverlässig einen Spannungsgrenztest ohne zusätzliche, extern vorgesehene Anschlüsse durchzuführen.
  • Gemäß der Erfindung erzeugt bei einer internen Spannungssteuereinrichtung für Energiezufuhr eine Bezugsspannungserzeugungsschaltung eine Referenzspannung. Eine erste interne Schaltung zur Erzeugung einer Bezugsspannung für Energiezufuhr erzeugt eine erste interne Energiezufuhr-Bezugsspannung entsprechend der Referenzspannung und eine zweite interne Schaltung zur Erzeugung einer Bezugsspannung für Energiezufuhr erzeugt eine zweite interne Energiezufuhr-Bezugsspannung gemäß einer an einen vorbestimmten Anschluß angelegten Spannung. Eine Testmodus-Auswahlschaltung aktiviert entsprechend einem Steuersignal eine Schaltung der ersten bzw. zweiten internen Bezugsspannung-Erzeugungsschaltungen für Energiezufuhr. Eine interne Spannungserzeugungsschaltung für Energiezufuhr erzeugt eine interne Energiezufuhrspannung entsprechend einer der ersten bzw. zweiten internen Energiezufuhr-Bezugsspannungen, die von einer aktivierten der ersten bzw. zweiten internen Energiezufuhr-Bezugsspannungerzeugungsschaltungen erzeugt sind.
  • Die Spannung an dem vorbestimmten Anschluß dient als niedrige oder hohe Spannung für einen Spannungsgrenz(Wert oder -bereich)-Testbetrieb.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Erfindung geht noch klarer aus der nachfolgenden Beschreibung im Vergleich zum Stand der Technik hervor, und zwar unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, worin
  • Fig. 1 ein Schaltbild ist, das ein erstes, internes Spannungssteuergerät für Energiezufuhr nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 2 ein Schaltbild ist, das eine zweite Spannungssteuereinrichtung nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 3 ein Schaltbild ist, das eine dritte Spannungssteuereinrichtung nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 4 ein Schaltbild ist, das eine vierte Spannungssteuereinrichtung nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 5 ein Schaltbild ist, das eine fünfte Spannungssteuereinrichtung nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 6 ein Schaltbild ist, das eine sechste Spannungssteuereinrichtung nach dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 7 ein Schaltbild ist, das eine erste Ausführungsform des internen/inneren Spannungssteuergerätes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 8 ein Schaltbild ist, das eine zweite Ausführungsform des internen/inneren Spannungssteuergerätes gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt; und
  • Fig. 9 ein Schaltbild ist, das eine Abwandlung der Prüfmodus-Eingabeschaltung der Fig. 7 und 8 zeigt.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Vor der Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen werden interne Spannungssteuergeräte für Energieversorgung/-zuführung nach dem Stand der Technik unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 6 erläutert.
  • In Fig. 1, die eine erste, bekannte Spannungssteuereinrichtung (siehe JP-A-2000-156097) zeigt, empfängt eine Bezugsspannung-Erzeugungsschaltung 1 ein Steuersignal PLVCC1, das von einem extern vorgesehenen Anschluß zugeführt wird, um eine Bezugsspannung VOR zu erzeugen, die an eine interne Bezugsspannung-Erzeugungsschaltung 2 für Energiezufuhr zum Erzeugen einer internen Referenzspannung VREF für Energiezufuhr in Übereinstimmung mit der Bezugsspannung VRO geliefert/angelegt wird. Die Bezugsspannung VREF wird weiter an eine interne Spannungserzeugungsschaltung 3 für Energiezufuhr zum Erzeugen einer internen Energiezuführspannung VINT gemäß der internen Energiezufuhr-Bezugsspannung VREF geliefert. Damit wird diese Spannung VINT an eine interne Schaltung (nicht gezeigt) angelegt, was eine interne Energiezuführspannung VINT erfordert, die niedriger als eine externe Energiezuführspannung VEXT ist.
  • Genauer gesagt ist die Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1 durch einen Spannungsteiler, der von Widerständen 101, 102 und 103 sowie N-Kanal-MOS-Transistoren 104, 105 und 106 gebildet wird, und einem Treiber aufgebaut, der von P-Kanal-MOS-Transistor 107 gebildet wird. In diesem Fall liegt der Widerstand 102 im Nebenschluß des Transistors 104, der durch das Steuersignal PLVCC1 gesteuert wird.
  • Im normalen Betriebsmodus wird die Steuerspannung PLVCC1 hoch gewählt. Deshalb wird der Transistor EIN geschaltet, so daß die Bezugsspannung VRO hoch wird. Andererseits wird bei einem Grenzbereich- oder -prüfmodus niederer Spannung die Steuerspannung PLVCC1 niedrig gewählt. Deshalb wird der Transistor 104 AUS geschaltet, so daß die Referenzspannung VRO niedrig wird. Es sei vermerkt, daß die Referenzspannung VRO niedriger als die externe Spannung VEXT ist, und zwar sowohl im normalen Betriebsmodus als auch bei der Niedrigspannung-Grenzwertprüfung.
  • Die interne Zufuhr-Bezugs- oder Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2 wird von einem Differentialverstärker, gebildet von P-Kanal-MOS-Transistoren 201 und 202, N-Kanal-MOS- Transistoren 203 und 204 sowie einem N-Kanal-MOS-Transistor (Stromquelle) 205, einem Treiber, gebildet von einem P-Kanal-MOS-Transistor 206, und einem Spannungsteiler, gebildet von Widerständen 207 und 208, aufgebaut ist. Beispielsweise empfängt, wenn das Verhältnis des Widerstandswertes des Widerstandes 207 zum Widerstand 208 1 beträgt, der Differentialverstärker (201 bis 205) die Bezugsspannung VRO und das Ausgangssignal, d. h. die Hälfte der internen Energiezufuhr-Referenzspannung VREF. In diesem Fall wird, da die Hälfte der internen Energiezufuhr-Referenzspannung VREF negativ an den Differentialverstärker 201 bis 205 rückgekoppelt wird, VREF/2 dicht an VRO gebracht.
  • Die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 ist durch einen Differentialverstärker, gebildet durch P-Kanal-MOS-Transistoren 301 und 302, N-Kanal-MOS-Transistor 303 und 304 sowie einen N-Kanal-MOS-Transistor (Stromquelle) 305, und einen Treiber aufgebaut, der aus einem P-Kanal-MOS-Transistor 306 gebildet wird. Der Differentialverstärker 301 bis 305 empfängt die interne Energiezufuhr-Referenzspannung VREF und das Ausgangssignal, d. h. die interne Energiezufuhrspannung VINT. In diesem Fall wird, da die interne Energiezufuhrspannung VINT negativ an den Differentialverstärker 301 bis 305 rückgekoppelt ist, . VINT nahe an VREF herangebracht.
  • Die interne Energiezufuhr-Spannungssteuerungseinrichtung der Fig. 1 ist jedoch, da der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal PLVCC1 notwendig ist, hinsichtlich ihrer Größe erhöht. Auch ist es unmöglich, die tatsächliche, interne Energiezufuhrspannung VINT für den Niedrigspannung-Grenztestmodus zu bestätigen. Weiterhin ist es, da die interne Energiezufuhrspannung VINT für den Niedrigspannung-Grenztestmodus durch die Widerstände 207 und 208 fest ist, unmöglich, eine niedrigere Grenze des Niedrigspannung-Grenztestmodus zu bestimmen.
  • In Fig. 2, die eine zweite bekannte, interne Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung (siehe JP-A-5-33116) zeigt, sind eine interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 4 zum Erzeugen einer internen Energiezufuhr-Spannung VINT für einen normalen Betriebsmodus und ein extern vorgesehener Anschluß, an den eine interne Energiezufuhrspannung VINT' für einen Spannungsgrenztestmodus angelegt wird, durch eine Auswahlschaltung 5 geschaltet, die von Übertragungsgates 501 und 502 und einem Inverter 503 gebildet ist.
  • Mit anderen Worten wird im normalen Betriebsmodus eine Steuerspannung PLVCC2 niedrig gehalten. Deshalb werden die Übertragungsgates 501 und 502 EIN bzw. AUS geschaltet, so daß die interne Energiezufuhrspannung VINT ausgewählt und an die interne Schaltung angelegt wird. Andererseits wird bei einem Spannungsgrenzwerttestbetrieb die Steuerspannung PLVCC2 hoch gewählt. Daher werden die Übertragungsgates 501 und 502 AUS bzw. EIN geschaltet, so daß die innere Energiezuführspannung VINT' ausgewählt und an die interne Schaltung angelegt wird.
  • Damit können bei der internen Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung der Fig. 2, da die interne Energiezuführspannung VINT' geändert werden kann, nicht nur eine untere Grenze des Niedrigspannung-Grenztestmodus, sondern auch ein Grenzwerttestmodus für hohe Spannung wie ein Einbrenntestmodus oder ein Belastungstestmodus bestimmt bzw. durchgeführt werden.
  • Die interne Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung der Fig. 2 ist jedoch, da zwei extern vorgesehene Anschlüsse für das Steuersignal PLVCC2 und die interne Energiespannung VINT' notwendig sind, hinsichtlich ihrer Größe erhöht.
  • Bei der internen Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung der Fig. 2 kann das Steuersignal PLVCC2 von einem Adresseneingabeanschluß (siehe JP-A-3-160699) zugeführt werden; in diesem Fall kann die Anzahl extern vorgesehener Anschlüsse verringert werden. Jedoch ist nach wie vor der extern vorgesehene Anschluß für die interne Energiezufuhrspannung VINT' nötig. Zusätzlich kann, selbst im normalen Betriebsmodus, wenn ein Überschreiten oder Unterschwingen bei dem vorerwähnten Adresseneingabeanschluß auftritt, das Übertragungsgate 502 EIN geschaltet werden, so daß die Spannung VINT' sich mit der internen Energiezufuhrspannung VINT überlagert.
  • In Fig. 3, die eine dritte bekannte, interne Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung zeigt, wird die interne Steuereinrichtung der Fig. 1 mit der Steuereinrichtung der Fig. 2 kombiniert. In diesem Fall wird die Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1 der Fig. 1 in eine Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1' modifiziert, wobei der Widerstand 102 und der Transistor 104 fortgelassen werden, und die interne Energiezufuhr-Spannungssteuerschaltung 4 der Fig. 2 wird durch die Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1' und die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2 der Fig. 1 ersetzt.
  • Selbst im Falle der internen Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung der Fig. 3 wird jedoch, da die zwei extern vorgesehenen Anschlüsse für das Steuersignal PLVCC2 und die interne Energiespannung VINT' notwendig sind, die Einrichtung hinsichtlich ihrer Größe erhöht.
  • In Fig. 4, die eine vierte bekannte, interne Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung darstellt, ist die Auswahlschaltung 5 der Fig. 3 durch eine Testmodus-Eingabeschaltung 6 und eine Testmodus-Auswahlschaltung 7 ersetzt. Außerdem ist die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2 der Fig. 3 in eine interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' modifiziert, bei der ein Inverter 209 und P-Kanal-MOS-Transistor 210, gesteuert durch ein Löschsignal CA der Testmodus-Auswahlschaltung 7, hinzugefügt sind. Weiterhin ist die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 der Fig. 3 in eine interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3' modifiziert, worin ein N- Kanal-MOS-Transistor 307, gesteuert durch das Löschsignal CA der Testmodus-Auswahlschaltung 7, hinzugefügt ist.
  • Die Testmodus-Eingabeschaltung 6 ist aus einer Reihe von zwei Invertern 601 und 602 zum Empfangen eines Steuersignals PLVCC2 für einen Spannungsgrenz-Testmodus, um ein Testmodus-Eingangssignal TE zu erzeugen, aufgebaut.
  • Die Testmodus-Auswahlschaltung 7 ist aus einer Verriegelungsschaltung aufgebaut, gebildet durch zwei Inverter 701 und 702, Übertragungsgates 703 und 704 zum Schreiben eines vorbestimmten Adressensignals ADD in die Verriegelungsschaltung (701, 702) entsprechend dem Testmodus-Eingangssignal TE und Invertern 705 und 706 zum Empfangen des vorbestimmten Adreßsignals ADD bzw. des Testmodus-Eingangssignals TE. Auch sind Inverter 707 und 708 und ein P-Kanal-MOS-Transistor 709 mit der Verriegelungsschaltung 701, 702 verbunden, so daß letztere durch ein Energie-ein-Rücksetz(Reset)-Signal PRST initialisiert wird.
  • Der Betrieb der Testmodus-Auswahlschaltung 7 der Fig. 4 wird nachstehend erläutert.
  • Zuerst wird, wenn die Energie auf EIN geschaltet ist, das Energie-ein-Rücksetzsignal PRST zeitweilig auf niedrig gestellt, um den Transistor 709 EIN zu schalten. Als Ergebnis wird die Verriegelungsschaltung 701, 702 initialisiert, d. h. das Löschsignal CA wird niedrig gestellt. Danach kehrt das Energie-ein-Rücksetzsignal PRST auf hoch zurück.
  • Im normalen Betriebsmodus ist das Steuersignal PLVCC2 niedrig, so daß die Testmodus- Eingabe TE niedrig ist. Daher hält die Verriegelungsschaltung den gleichen Status aufrecht, d. h. das Löschsignal CA ist niedrig, und zwar ohne Rücksicht auf das vorbestimmte Adreßsignal ADD.
  • Beim Spannungsgrenzwert-Testbetrieb wird das Steuersignal PLVCC2 hoch gesetzt, so daß das Testmodus-Eingangssignal TE hoch wird. Gleichzeitig wird die Spannung des vorbestimmten Adreßsignals ADD hoch gesetzt. Deshalb wird der Status der Verriegelungsschaltung 701, 702 geändert, d. h. das Löschsignal CA wird hoch gesetzt.
  • Damit ist im normalen Betiebszustand das Löschsignal CA niedrig. Auf der anderen Seite ist bei einem Spannungsgrenz-Testmodus das Löschsignal CA hoch.
  • Im normalen Betriebsmodus werden die Transistoren 205 und 210, da das Löschsignal CA niedrig ist, EIN bzw. AUS geschaltet, so daß die interne Energiezufuhr-Referenzspannungs- Erzeugungsschaltung 2' in der gleichen Weise wie bei der internen Energiezufuhr-Referenzspannungs-Erzeugungsschaltung 2 der Fig. 1 arbeitet. Zusätzlich wird der Transistor 307 AUS geschaltet, so daß die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3' in der gleichen Weise wie bei der internen Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 3 der Fig. 1 arbeitet.
  • Bei einem Spannungsgrenzwert-Testmodus werden die Transistoren 205 und 210, da das Löschsignal CA hoch ist, AUS bzw. EIN geschaltet, so daß die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' deaktiviert ist. Zusätzlich wird der Transistor 307 EIN geschaltet, so daß die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3' ebenfalls deaktiviert wird. In diesem Fall ist der Transistor 306 vollständig EIN geschaltet, indem der Transistor 307 EIN geschaltet wird. Deshalb wird, wenn eine niedrige Spannung oder eine hohe Spannung als Spannungsbegrenzungs-Testmodus bei einem externen Anschluß für die externe Spannung angewendet wird, solch eine niedrige Spannung oder solch eine hohe Spannung über den Transistor 306 an die interne Spannung angelegt. So kann ein beliebiger Spannungsbegrenzungstest ohne den extern vorgesehenen Anschluß für die interne Energiezufuhrspannung VDT der Fig. 3 ausgeführt werden, während der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal PLVCC2 notwendig ist.
  • Damit kann bei der internen Energiezufuhr-Spannungssteuerungseinrichtung der Fig. 4 im Spannungsbegrenzung-Testmodus aufgrund der Tatsache, daß die externe Spannung VEXT niedrig oder hoch sein kann, nicht nur ein Grenzwerttest für niedrige Spannung, sondern ebenfalls für hohe Spannung, z. B. ein Einbrenntest oder Belastungstest, durchgeführt werden.
  • Bei der internen Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung der Fig. 4 ist jedoch bei einem Spannungsbegrenzung-Testmodus ein Schaltungsteil wie eine periphere Schaltung, die direkt durch die externe Spannung VEXT betrieben wird, ebenfalls einer niedrigen Spannung oder einer hohen Spannung für den Spannungsbegrenzung-Testmodus unterworfen, so daß es unmöglich ist, eine untere Grenze des Niedrig-Spannungbegrenzung-Testmodus und eine obere Grenze des Hoch-Spannungsbegrenzung-Testmodus genau zu bestimmen.
  • In Fig. 5, die eine fünfte, interne Energiezufuhrspannungseinrichtung darstellt, ist die Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1' der Fig. 4 durch die Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 1 der Fig. 1 ersetzt. Ferner ist die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3' der Fig. 4 durch die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 der Fig. 1 ersetzt. Weiterhin wird eine interne Energiezufuhrspannung VINT' für einen Spannungsgrenzwert-Testbetrieb von einem extern vorgesehenen Anschluß an das Gate des Transistors 304 der internen Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 angelegt.
  • In Fig. 5 wird das Steuersignal PLVCC1 zum Testen einer vervollständigten Halbleitereinrichtung (Chip) verwendet, d. h. für eine zusammengebaute Halbleitereinrichtung (Chip). Andererseits wird das Steuersignal PLVCC2 zum Testen einer unvollständigen Halbleitereinrichtung (Chip) verwendet, d. h. für eine Halbleitereinrichtung im Wafer-Zustand. Deshalb wird bei der vollständigen Halbleitereinrichtung ein Drahtverbindungsvorgang an dem extern vorgesehenen Anschluß für PLVCC1 durchgeführt, während an dem extern vorgesehenen Anschluß für PLVCC2 kein Drahtverbindungsvorgang durchgeführt zu werden braucht.
  • Im normalen Betriebsmodus ist PLVCC1 = PLVCC2 = niedrig und VINT' = "fließender Zustand". Daher ist das Löschsignal CA niedrig. So werden die Transistoren 205 und 210 EIN bzw. AUS geschaltet, so daß die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' in der gleichen Weise wie bei der internen Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungseinheit 2 der Fig. 1 arbeitet. Zusätzlich arbeitet, da sich der extern vorgesehene Anschluß für die interne Energiezufuhrspannung VINT' im fließenden Zustand befindet, die interne Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 in der gleichen Weise wie bei der internen Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 der Fig. 1.
  • In einem Spannungsgrenzwert-Testmodus ist PLVCC2 = hoch. Daher ist das Löschsignal CA hoch. So werden die Transistoren 205 und 210 AUS bzw. EIN geschaltet, so daß interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugsschaltung 2' deaktiviert ist. Zusätzlich wird eine niedrige Spannung oder eine hohe Spannung als interne Energiezufuhrspannung VINT' an das Gate des Transistors 304 in der internen Energiezufuhr-Spannungserzeugungsschaltung 3 angelegt. Deshalb wird die interne Energiezufuhrspannung VINT nahe an die oben erwähnte niedrige Spannung oder hohe Spannung als Spannungsgrenzwert-Testmodus herangebracht, und so kann ein beliebiger Spannungsbereichstest durchgeführt werden, während die extern vorgesehenen Anschlüsse für das Steuersignal PLVCC2 und die interne Energiezufuhrspannung VINT' notwendig sind.
  • Bei der Vorrichtung der Fig. 5 wird jedoch, nachdem die Halbleitereinrichtung (Chip) vervollständigt ist, kein Gebrauch von der internen Energiezufuhrspannung VINT' gemacht, und zwar deshalb, weil an dem Anschluß davon keine Drahtverbindungsoperation stattgefunden hat, so daß ein Testmodus mit hoher Spannungsgrenze wie ein Einbrenn-Testmodus oder ein Belastungsmodus nicht durchgeführt werden kann.
  • In dem sechsten Ausführungsbeispiel der Fig. 6 ist die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' der Fig. 5 in eine interne Energiezufuhr-Referenzspannung- Erzeugungseinheit 2" modifiziert, wobei eine Spannungserhöhungsschaltung, im folgenden auch Spannungs-Step-up-Schaltung, 211 hinzugefügt ist. Auch ist der Anschluß für die interne Energiezufuhrspannung VINT' der Fig. 5 weggelassen. Weiter ist eine Einbrenn-Testmodusschaltung 8 den Elementen der Einrichtung der Fig. 5 hinzugefügt worden.
  • Die Einbrenn-Testmodusschaltung 8 erzeugt ein Einbrenn-Testmodussignal BIM und übermittelt dieses an die Spannung-Step-up-Schaltung 211, womit ein Einbrenn-Testbetrieb durchgeführt wird.
  • Die Einbrenn-Testmodusschaltung 8 ist aufgebaut durch einen Differentialverstärker, der durch P-Kanal-MOS-Transistoren 801 und 802, N-Kanal-MOS-Transistoren 803 und 804, eine Reihe N-Kanal-MOS-Transistoren 805, deren Gates konstante Spannungen VC1, VC2, VC3 und VC4 empfangen, einen N-Kanal-MOS-Transistor 806, einen Vorbelastungs-P-Kanal- MOS-Transistor 807, einen aus Widerständen gebildeten Spannungsteiler und Inverter 809 und 810 gebildet wird. Der Differentialverstärker 801 bis 806 empfängt die Spannung VREFO vor der Spannungserhöhungsschaltung 211 der Schaltung 2" und die Referenzspannung VR des Spannungsteilers 808.
  • Im normalen Betriebszustand ist das Steuersignal PLVCC2 niedrig vorgesehen, so daß das Löschsignal CA niedrig ist. Als Ergebnis werden die Transistoren 806 und 809 EIN bzw. AUS gestaltet, wodurch der Differentialverstärker 801 bis 806 aktiviert wird. In diesem Fall wird die Spannung VR niedriger als die Spannung VREFO eingestellt. Deshalb ist das Signal des Differentialverstärkers 801 bis 806 hoch vorgesehen, so daß das Einbrenn-Testmodussignal BIM niedrig ist, wodurch die Spannungs-Step-up-Schaltung 211 deaktiviert wird. Das bedeutet VREF = VREFO.
  • Selbst bei einem Einbrenn-Testmodus wird das Steuersignal PLVCC2 niedrig vorgesehen, so daß das Löschsignal CA niedrig ist. Im Ergebnis werden die Transistoren 806 und 809 EIN bzw. AUS geschaltet, wodurch der Differentialverstärker 801 bis 806 aktiviert wird. In diesem Fall wird die externe Spannung VEXT erhöht, so daß sie höher als die Spannung VREFO ist. Deshalb wird das Ausgangssignal des Differentialverstärkers 801 bis 806 niedrig, so daß das Einbrenn-Testmodussignal BIM hoch wird, womit die Spannungs-Step-up-Schaltung 211 aktiviert wird. Das bedeutet VREF > VREFO, d. h. VINT > VREFO, wodurch die interne Schaltung in einen Einbrenn-Testmodus eintritt.
  • Beispielsweise wird, wenn der garantierte Betriebsbereich 3.0 V bis 3.6 V ist, die Durchbruchsspannung der bei VEXT betriebenen Transistoren 4,5 V ist und die Durchbruchsspannung der bei VINT betriebenen Transistoren 2,5 V ist, die interne Energiezufuhr-Referenzspannung VREF auf 2.0 V für den normalen Betriebsmodus gesetzt. Sodann wird in einem Einbrenn-Testmodus die Spannung VR am Spannungsteiler 808 um VEXT auf ungefähr 4.0 V gesteigert, wodurch die Spannungs-Step-up-Schaltung 211 aktiviert wird.
  • Bei der Einrichtung der Fig. 6 wird jedoch, wenn die Durchbruchsspannung der Transistoren wegen der Fluktuation von Herstellungsprozessen oder dergleichen variiert, der Spannungsbereich zwischen der externen Spannung VEXT bei einem Einbrenn-Testmodus und dem garantierten Betriebsbereich verringert, so daß es unmöglich ist, einen Einbrenn-Testmodus sicher und zuverlässig durchzuführen.
  • In Fig. 7, die eine erste Ausführungsform der Steuereinrichtung gemäß der Erfindung wiedergibt, ist eine weitere interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 9 anstelle des extern vorgesehenen Anschlusses für die interne Energiezufuhrspannung VINT' der Fig. 5 angeordnet.
  • Die Schaltung 9 ist parallel mit der internen Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' geschaltet. Zusätzlich wird eine der internen Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltungen 2' und 9 durch das Löschsignal CA der Testmodus-Auswahlschaltung 7 aktiviert.
  • Die Schaltung 9 wird durch einen Differentialverstärker, der aus P-Kanal-MOS-Transistoren 901 und 902, N-Kanal-MOS-Transistoren 903 und 904 und einen N-Kanal-MOS-Transistor (Stromquelle) 905 gebildet wird, sowie einen Treiber aufgebaut, gebildet durch einen P-Kanal-MOS-Transistor 906. Der Differentialverstärker 901 bis 905 empfängt eine Spannung an einem Nicht-Verbindungsanschluß NC sowie das Ausgangssignal, d. h. die interne Energiezufuhr-Referenzspannung VREF. In diesem Fall wird, da die interne Energiezufuhr-Referenzspannung VREF negativ an den Differentialverstärker 901 bis 905 rückgekoppelt wird, VREF nahe an die Spannung an dem Nicht-Verbindungsanschluß NC herangebracht.
  • Es ist zu bemerken, daß kein Drahtverbindungsvorgang an dem Nicht-Verbindungsanschluß NC durchgeführt wird, selbst nachdem die Halbleitereinrichtung (Chip) vervollständigt worden ist.
  • Im normalen Betriebszustand ist PLVCC1 = PLVCC2 = niedrig. Deshalb ist das Löschsignal CA niedrig, so daß die interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 2' ausgewählt und aktiviert wird. Das bedeutet, daß bei der internen Schaltung 2' die Transistoren 205 und 210 EIN bzw. AUS geschaltet werden, so daß die interne Schaltung 2' in der gleichen Weise wie die interne Schaltung 2 der Fig. 1 arbeitet. Die interne Schaltung 3 arbeitet in Übereinstimmung mit der internen Energiezufuhr-Referenzspannung VREF der internen Schaltung 2'.
  • Bei einem Spannungsgrenz-Testmodus ist PLVCC2 = hoch. Daher ist das Löschsignal CA hoch, so daß die Schaltung 9 ausgewählt und aktiviert wird. Das bedeutet, daß in der internen Schaltung 9 der Transistor 905 EIN geschaltet ist, so daß die Differenz zwischen der Spannung an dem Nichtverbidnungs-Anschluß NC und dem Ausgangssignal, d. h. die interne Energiezufuhr-Referenzspannung VREF verstärkt wird. Somit wird VREF dicht an die Spannung an dem Anschluß NC gebracht. Deshalb wird, wenn eine niedrige Spannung oder eine hohe Spannung an den Anschluß NC der Schaltung 9 angelegt wird, die interne Energiezufuhrspannung VINT nahe an die oben erwähnte, niedrige Spannung oder hohe Spannung als Spannungsgrenzen-Testmodus herangebracht, und somit kann ein beliebiger Spannungsgrenztest ausgeführt werden, während der extern vorgesehene Anschluß für das Steuersignal PLVCC2 notwendig ist.
  • In Fig. 8 mit der zweiten Ausführungsform der Einrichtung gemäß der Erfindung ist die Schaltung 9 der Fig. 7 in eine interne Energiezufuhr-Referenzspannung-Erzeugungsschaltung 9' modifiziert, wobei kein Nichtverbindung-Anschluß NC wie in Fig. 7 vorgesehen ist. Mit anderen Worten wird ein extern vorgesehener Eingangs-/Ausgangsanschluß wie ein Ausgangseinschaltanschluß OE als Nichtverbindung-Anschluß NC verwendet. In diesem Fall sind ein Inverter 1101, eine NAND-Schaltung 1102 und ein Inverter 1103 vorgesehen. Das bedeutet, daß der Inverter 1101 das Löschsignal CA empfängt, die NAND-Schaltung 1102 mit dem Inverter 1101 sowie dem Ausgangsaktivierungsanschluß OE geschaltet und der Inverter 1103 mit der NAND-Schaltung 1102 verbunden ist.
  • Im normalen Betriebszustand tritt, da das Löschsignal CA niedrig ist, die Spannung an dem Anschluß OE durch die NAND-Schaltung 1102 und den Inverter 1103 an eine Ausgangs- Einschalt(Aktivierungs)-Steuerschaltung (nicht gezeigt) durch, wodurch letztere aktiviert wird. Auf der anderen Seite tritt bei einem Spannungsbereich-Testmodus, da das Löschsignal CA hoch ist, die Spannung an dem Anschluß OE nicht durch die NAND-Schaltung 1102 und den Inverter 1103 an die Ausgangs-Einschalt-Steuerschaltung hindurch, wodurch letztere deaktiviert wird.
  • In Fig. 8 kann auch ein anderer extern vorgesehener Eingangs-/Ausgangsanschluß wie ein Chip-Auswahlanschluß CS anstelle des Ausgangs-Einschaltanschlusses OE verwendet werden.
  • Damit können bei Fig. 7 und 8, da die Spannung an dem Nichtverbindungs-Anschluß NC oder an dem vorbestimmten Steueranschluß wie OE oder CS niedrig oder hoch sein kann, ein Grenz(Wert)test für niedrige Spannung und ein Grenz(Wert)test für hohe Spannung wie ein Einbrenntest oder Belastungstest ohne zusätzliche, extern vorgesehene Anschlüsse durchgeführt werden. Es ist zu bemerken, daß üblicherweise der Anschluß NC und die Steueranschlüsse OE und CS in Halbleitereinrichtungen vorgesehen sind.
  • Selbst in Fig. 7 und 8 kann ebenfalls ein Bereichstestmodus für niedrige Spannung unter der Bedingung durchgeführt werden, daß das Steuersignal VLVCC1 niedrig ist. Da solch ein Grenztest für vorbestimmte, niedrige Spannung unter Verwendung des Nichtverbindungs-Anschlusses NC der Fig. 7 oder des Steueranschlusses der Fig. 8 durchführbar ist, kann man die Bezugsspannung-Erzeugungsschaltung 1 durch die Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung 1' der Fig. 3 ersetzen.
  • In Fig. 9, die eine Modifikation der Testmodus-Eingabeschaltung 6 der Fig. 7 und 8 darstellt, wird eine Superspannungstyp-Testmodus-Eingabeschaltung verwendet. Das bedeutet, daß nur dann, wenn Spannungen an vorbestimmten Adreßanschlüssen ADD1 und ADD2 viel höher als ein vorbestimmter Wert sind, das Testmodus-Eingangssignal TE erzeugt wird, während die Erzeugung des Testmodus-Eingangssignals TE durch die Energie an dem Resetsignal PRST verhindert wird. In Fig. 9 ist kein vorbestimmter Anschluß für einen Spannungsgrenz- Testmodus erforderlich.
  • Wie vorstehend erläutert, können gemäß der vorliegenden Erfindung ein Grenztest für niedrige Spannung und Bereichs- bzw. ein Grenzwerttest für hohe Spannung wie ein Einbrenntest oder Belastungstest zuverlässig und genau ohne zusätzliche, extern vorgesehene Anschlüsse durchgeführt werden.

Claims (10)

1. Interne Energiezufuhr-Spannungssteuereinrichtung, umfassend:
eine Bezugs-/Referenzspannung-Erzeugungsschaltung (1) zum Erzeugen einer Bezugs-Referenzspannung (VRO);
eine erste, interne Energiezufuhr-Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung (2'), die mit der Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung geschaltet ist, zum Erzeugen einer ersten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannung (VIF), entsprechend der Bezugsspannung;
eine zweite, interne Energiezufuhr-Bezugsspannung-Erzeugungsschaltung (9) zum Erzeugen einer zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannung (VIF), entsprechend einer an einen vorbestimmten Anschluß (NC, OE, CS) angelegten Spannung;
eine Testbetrieb-Auswahlschaltung (7), geschaltet mit den ersten und zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen, zum Aktivieren einer der ersten und zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen, entsprechend einem Steuersignal (PLVCC2), und
eine interne Energiezufuhr-Spannungs-Erzeugungsschaltung (3), geschaltet mit den ersten und zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltungen, zum Erzeugen einer internen Energiezufuhrspannung (VINT), entsprechend einer der ersten und zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannungen, erzeugt von einer aktivierten der ersten und zweiten internen Energiezufuhr-Bezugsspannung-Erzeugungsschaltungen.
2. Steuereinrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste, interne Energiezufuhr-Bezugsspannungs-Erzeugungsschaltung umfaßt:
einen ersten Differentialverstärker (201 bis 205);
einen ersten Treiber (206), geschaltet mit dem ersten Differentialverstärker, zum Empfangen eines Ausgangssignals des ersten Differentialverstärkers zum Erzeugen der ersten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannung;
einen Spannungsteiler (207, 208), geschaltet mit dem ersten Treiber, zum Teilen der ersten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannung;
wobei der erste Differentialverstärker die Bezugsspannung und ein Ausgabesignal des Spannungsteilers empfängt, so daß das Ausgabesignal des Spannungsteilers nahe an die Bezugsspannung gebracht wird, und
wobei der erste Differentialverstärker und der erste Treiber durch die Testbetrieb- Eingabeschaltung aktiviert werden.
3. Steuereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zweite, interne Energiezufuhr- Bezugsspannung-Erzeugungsschaltung umfaßt:
einen zweiten Differentialverstärker (901 bis 905) und
einen zweiten Treiber (906), geschaltet mit dem zweiten Differentialverstärker, zum Empfangen eines Ausgabesignals des zweiten Differentialverstärkers zum Erzeugen der zweiten, internen Energiezufuhr-Bezugsspannung,
wobei der zweite Differentialverstärker die Spannung an dem vorbestimmten Anschluß und ein Ausgabesignal des zweiten Treibers empfängt, so daß das Ausgabesignal des zweiten Treibers nahe an die Spannung an den vorbestimmten Anschluß gebracht wird, und
wobei der zweite Differentialverstärker durch die Testbetrieb-Eingangsschaltung aktiviert wird.
4. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die interne Energiezufuhr- Spannung-Erzeugungsschaltung umfaßt:
einen dritten Differentialverstärker (301 bis 305) und
einen dritten Treiber (306), geschaltet mit dem dritten Differentialverstärker, zum Empfangen eines Ausgangssignals des dritten Differentialverstärkers zum Erzeugen der internen Energiezufuhrspannung,
wobei der dritte Differentialverstärker ein Ausgangssignal von einer der ersten und zweiten internen Energiezufuhr-Differenzspannung-Erzeugungsschaltungen und ein Ausgabesignal des dritten Treibers empfängt, so daß die interne Energiezuführspannung nahe an das Ausgabesignal einer der ersten und zweiten Energiezufuhr-Bezugsspannung-Erzeugungsschaltungen gebracht wird.
5. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der vorbestimmte Anschluß einen Nicht-Verbindungsanschluß (NC) umfaßt.
6. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der vorbestimmte Anschluß einen Steueranschluß (OE, CS) umfaßt.
7. Steuereinrichtung nach Anspruch 6, weiter umfassend eine Gate-Schaltung (1102), geschaltet mit der Testbetrieb-Auswahlschaltung und dem Steueranschluß, zum Weiterleiten der Spannung an dem Steueranschluß, wenn die erste interne Energiezufuhr- Spannungs-Erzeugungsschaltung aktiviert ist.
8. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Spannung an dem vorbestimmten Anschluß eine Spannung für einen Niedrigspannungs-Grenzwert- oder Bereichstestbetrieb ist.
9. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Spannung an dem vorbestimmten Anschluß eine Spannung für einen Hochspannungs-Grenzwert- oder -Bereichstestbetrieb ist.
10. Steuereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Spannung an dem vorbestimmten Anschluß eine Spannung für Einbrenntestbetrieb ist.
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