DE10224003B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren für ihre Herstellung - Google Patents
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Abstract
Halbleitervorrichtung, mit:
einem N-Halbleitersubstrat (1);
einem Transistor mit einem ersten P-Störstelleneinführungsgebiet (20), das an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und zusammen mit dem Halbleitersubstrat (1) einen Hauptübergang bildet; und
einer Kanalsperrstruktur, die in einem Umfangsabschnitt des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist,
wobei die Kanalsperrstruktur einen ersten Graben (5) enthält, der an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und
die Kanalsperrstruktur ein erstes N-Störstelleneinführungsgebiet (4) enthält, das in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) in einem Abschnitt ausgebildet ist, in dem der erste Graben (5) ausgebildet ist, wobei
das erste N-Störstelleneinführungsgebiet (4) sich bis zu einem Rand (104) des Halbleitersubstrates (1) erstreckt, wobei die Kanalsperrstruktur enthält:
einen Graben-Isolierfilm (6), der an einer Innenwand des ersten Grabens (5) ausgebildet ist; und
einen ersten leitenden Film (7), der den ersten Graben (5) ausfüllt,
einen zweiten leitenden Film (11), der auf der Hauptoberfläche des...
einem N-Halbleitersubstrat (1);
einem Transistor mit einem ersten P-Störstelleneinführungsgebiet (20), das an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und zusammen mit dem Halbleitersubstrat (1) einen Hauptübergang bildet; und
einer Kanalsperrstruktur, die in einem Umfangsabschnitt des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist,
wobei die Kanalsperrstruktur einen ersten Graben (5) enthält, der an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet ist und
die Kanalsperrstruktur ein erstes N-Störstelleneinführungsgebiet (4) enthält, das in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) in einem Abschnitt ausgebildet ist, in dem der erste Graben (5) ausgebildet ist, wobei
das erste N-Störstelleneinführungsgebiet (4) sich bis zu einem Rand (104) des Halbleitersubstrates (1) erstreckt, wobei die Kanalsperrstruktur enthält:
einen Graben-Isolierfilm (6), der an einer Innenwand des ersten Grabens (5) ausgebildet ist; und
einen ersten leitenden Film (7), der den ersten Graben (5) ausfüllt,
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Description
- Die Erfindung betrifft das Gebiet der Halbleitervorrichtungen und der Verfahren für ihre Herstellung und insbesondere eine Kanalsperrstruktur einer Leistungsvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung.
-
WO 00/42 665 A1 -
US 5 877 528 A beschreibt eine Kanalsperrstruktur für Leistungstransistoren, welche in einem P-Substrat ausgebildet sind und am Rand einen Kanalsperrgraben aufweisen. - Ähnliche Randabschlußstrukturen für auf P-Substraten ausgebildete Bauelemente werden in
US 5 614 751 A offenbart. Insbesondere wird im Randbereich eines Chips eine zusätzliche P-Dotierung an der Oberfläche eingeführt. In diesem Bereich ist auch eine Grabenstruktur vorhanden. -
US 6 100 572 A offenbart eine Randabschlußstruktur, die eine Schicht amorphen Siliciums zum Passivieren aufweist. Diese endet am Rand des Bauelements in einem Bereich, in dem eine P+-Randimplantation vorhanden ist, wodurch ein P-dotiertes Gebiet auf einer N–-Epitaxieschicht vorhanden ist. - In einem Umfangsgebiet eines Chips, in dem eine Leistungsvorrichtung, wie etwa ein Leistungs-MOSFET oder ein Isolierschicht-Bipolartransistor ausgebildet ist, ist eine Kanalsperrstruktur ausgebildet, um zu verhindern, daß eine von einem Hauptübergang ausgehende Verarmungsschicht über dem Umfangsgebiet des Chips vorhanden ist, und um somit eine Durchbruchspannung einer Halbleitervorrichtung aufrechtzuerhalten. Jüngere Untersuchungen haben gezeigt, daß die Kanalsperrstruktur wichtig zur Stabilisierung der Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung ist.
-
26 ist eine Schnittansicht einer ersten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. An einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats150 ist in der Umgebung eines Randes151 (eines Umfangsabschnitts) eines Chips ein N+-Störstellenimplantationsgebiet152 ausgebildet, in dem Störstellen wie etwa Phosphor oder Arsen mit hoher Konzentration implantiert sind. -
27 ist eine Schnittansicht einer zweiten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. Auf einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats150 ist mit Ausnahme eines Umfangsabschnitts eines Chips ein Siliciumoxidfilm153 ausgebildet. An einer Oberseite154 des N–-Siliciumsubstrats150 ist in einem von dem Siliciumoxidfilm153 freien Abschnitt ein N+-Störstellenimplantationsgebiet152 ausgebildet. Auf der Oberseite154 des N–-Siliciumsubstrats150 ist eine Aluminiumelektrode155 ausgebildet. Die Aluminiumelektrode155 verläuft über dem Siliciumoxidfilm153 und bildet eine Feldplatte. Eine solche Kanalsperrstruktur wird beispielsweise in einer Halbleitervorrichtung verwendet, in der ein planarer Bipolartransistor ausgebildet ist. -
28 ist eine Schnittansicht einer dritten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. Auf einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats150 ist mit Ausnahme eines Umfangsabschnitts eines Chips ein Siliciumoxidfilm156 ausgebildet. An einer Oberseite157 des N–-Siliciumsubstrats150 ist in einem von dem Siliciumoxidfilm156 freien Abschnitt ein N+-Störstellenimplantationsgebiet152 ausgebildet. Auf der Oberseite157 des N–-Siliciumsubstrats150 ist ein Polysiliciumfilm158 ausgebildet. Der Polysiliciumfilm158 verläuft über dem Siliciumoxidfilm156 und bildet eine erste Feldplatte. Ein Teil (der größte Teil des Umfangsabschnitts) der Oberseite157 des N–-Siliciumsubstrats150 ist von dem Polysiliciumfilm158 frei. - Außerdem ist in einem auf dem Siliciumoxidfilm
156 ausgebildeten Abschnitt auf dem Polysiliciumfilm158 und in einem Abschnitt, in dem der Polysiliciumfilm158 nicht ausgebildet ist, auf dem Siliciumoxidfilm156 ein Siliciumoxidfilm159 vorgesehen. Auf dem größten Teil des Umfangsabschnitts der Oberseite157 des N–-Siliciumsubstrats150 ist eine Aluminiumelektrode160 ausgebildet. Die Aluminiumelektrode160 ist ebenfalls in Kontakt mit dem Polysiliciumfilm158 und verläuft außerdem über dem Siliciumoxidfilm159 , wobei sie eine zweite Feldplatte bildet. Eine Kanalsperrstruktur mit einer doppelten Feldplatte wird beispielsweise in einer Helbleitervorrichtung verwendet, in der ein planarer MOSFET mit einer Gate-Elektrode aus Polysilicium vorgesehen ist. -
29 ist eine Schnittansicht einer vierten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. Auf einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats150 ist mit Ausnahme eines Umfangsabschnitts eines Chips ein Siliciumoxidfilm161 ausgebildet. Ein Ende an der Seite des Randes151 des Siliciumoxidfilms161 besitzt eine kleine Dicke. An einer Oberseite162 des N–-Siliciumsubstrats150 ist in einem von dem Siliciumoxidfilm161 freien Abschnitt ein N+-Störstellenimplantationsgebiet152 ausgebildet. Auf der Oberseite162 des N–-Siliciumsubstrats150 ist ein Polysiliciumfilm163 ausgebildet. Der Polysiliciumfilm163 verläuft über dem Siliciumoxidfilm161 und bildet eine erste abgestufte Feldplatte. Der größte Teil des Umfangsabschnitts der Oberseite162 des N–-Siliciumsubstrats150 ist von dem Polysiliciumfilm163 frei. - Außerdem ist in einem auf dem Siliciumoxidfilm
161 ausgebildeten Abschnitt auf dem Polysiliciumfilm163 und in einem Abschnitt, in dem der Polysiliciumfilm163 nicht ausgebildet ist, auf dem Siliciumoxidfilm161 ein Siliciumoxidfilm164 ausgebildet. Auf dem größten Teil des Umfangsabschnitts der Oberseite162 des N–-Siliciumsubstrats150 ist eine Aluminiumelektrode165 ausgebildet. Die Aluminiumelektrode165 ist außerdem in Kontakt mit dem Polysiliciumfilm163 und verläuft außerdem über dem Siliciumoxidfilm164 , wobei sie eine zweite Feldplatte bildet. Eine Kanalsperrstruktur mit der in29 gezeigten doppelten Feldplatte wird jüngst in einer Halbleitervorrichtung verwendet, in der ein planarer MOSFET mit einer aus Polysilicium ausgebildeten Gate-Elektrode vorgesehen ist. -
30 ist eine Schnittansicht einer fünften herkömmlichen Kanalsperrstruktur (sieheJP 08-264 787 A 200 ist eine P–-Epitaxieschicht201 ausgebildet. Auf einer Oberseite der P–-Epitaxieschicht201 ist mit Ausnahme eines Abschnitts am Rand202 eines Chips ein Feldoxidfilm205 ausgebildet. An der Oberseite der P–-Epitaxieschicht201 ist in einem von dem Feldoxidfilm205 freien Abschnitt eine P-Diffusionsschicht207 ausgebildet. - An der Oberseite der P–-Epitaxieschicht
201 ist in einem Abschnitt, in dem die P-Diffusionsschicht207 vorgesehen ist, ein Graben203 ausgebildet, der eine größere Tiefe als der der P-Diffusionsschicht207 besitzt. An einer Innenwand des Grabens203 und auf einer Oberseite der P–-Epitaxieschicht201 ist in einem von dem Feldoxidfilm205 freien Abschnitt eine Isolierschicht204 aus Oxid mit einer kleineren Dicke als der des Feldoxidfilms205 vorgesehen. Außerdem ist ein dotierter Polysiliciumfilm208 ausgebildet, der den mit der Isolierschicht204 versehenen Graben203 ausfüllt und über dem Feldoxidfilm205 verläuft und eine Feldplatte bildet. Außerdem ist eine BPSG-Schicht206 ausgebildet, die den dotierten Polysiliciumfilm208 und den Feldoxidfilm205 bedeckt. - In der obenbeschriebenen Veröffentlichung wird eine solche Kanalsperrstruktur für eine Halbleitervorrichtung verwendet, die mit einem Transistor mit einem an der Oberseite der P–-Epitaxieschicht
201 in einem aktiven Abschnitt ausgebildeten Graben, einem an einer Innenwand des Grabens ausgebildeten Gate-Oxidfilm und einer Gate-Elektrode aus dotiertem Polysilicium, die den Graben ausfüllt (d. h. ein Grabenisolations-Gate bildet), versehen ist. - In der obenerwähnten Veröffentlichung ist ein Problem der ”Kanalbildung” in einem P-Kanal-MOSFET beschrieben. Genauer ist beschrieben worden, daß: ”eine Kanalbildung von einer Menge fester elektrischer Ladungen in einem Oxidfilm und in einem Oberseitenabschnitt eines darunter vorgesehenen Substrats abhängt. Die festen elektrischen Ladungen dieser Art werden in einem Oxidationsschritt entleert. Allerdings ermöglicht die Entleerung, daß eine Inversion (Kanalbildung) ausgeführt wird.” Weiter heißt es: ”Dies wird durch die Trennung von Bor von einer Hauptoberfläche des Substrate in dem Oxidationsschritt verursacht, wobei die elektrischen P-Ladungen an der Hauptoberfläche des Substrats wegen des Bors verringert werden.” und: ”Es ist festgestellt werden, daß das Bor als Dotierungsmittel zu einem Problem wird.”
- Als Lösung der Kanalbildung ist die Struktur aus
30 gezeigt worden. Es ist beschrieben worden, daß eine Dicke der Isolierschicht204 kleiner als die des Feldoxidfilms205 gemacht wird, wobei die Entleerung des Bors aus einem oberen Abschnitt der P–-Epitaxieschicht201 in die Isolierschicht204 dadurch niedriger als die Entleerung in den Feldoxidfilm205 gemacht wird, was zu einer Unterdrückung der Kanalbildung führt. - Allerdings verhindert die erste bis vierte Kanalsperrstruktur nur unzureichend die Ausbildung der von dem Hauptübergang ausgehenden Verarmungsschicht über dem Umfangsgebiet des Chips. Im Ergebnis gibt es ein Problem, daß eine Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung unzureichend stabilisiert wird.
- Mit Bezug auf die fünfte herkömmliche Kanalsperrstruktur ist in der obenerwähnten Veröffentlichung außerdem lediglich der Fall beschrieben, daß in der P–-Epitaxieschicht
201 die P-Diffusionsschicht207 ausgebildet ist. Somit gibt es ein Problem, daß nicht bekannt ist, ob die gleichen Wirkungen erhalten werden können, wenn in einem N-Siliciumsubstrat (das eine N-Epitaxieschicht enthält) eine N-Diffusionsschicht ausgebildet wird. Anders als bei P-Störstellen werden im Fall von N-Störstellen insbesondere N-Störstellen in dem Oxidationsschritt in eine Oberfläche eines Siliciumsubstrats abgesondert. - Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, die einen Transistor mit einem Grabenisolations-Gate enthält, der ein N-Halbleitersubstrat verwendet und eine Kanalsperrstruktur besitzt, die eine ausgezeichnete Wirkung zur Stabilisierung einer Durchbruchspannung erzielt, und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung zu schaffen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bzw. durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Gemäß der Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 kann eine Verarmungsschicht, die von dem Hauptübergang zum Umfangsabschnitt des Halbleitersubstrats verläuft, durch den ersten Graben unterdrückt werden, so daß eine Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung stabilisiert werden kann.
- Gemäß dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6 kann durch den ersten Graben eine von dem Hauptübergang zum Umfangsabschnitt des Halbleitersubstrats verlaufende Verarmungsschicht unterdrückt werden, so daß eine Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung stabilisiert werden kann.
- Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
-
1 eine typische Draufsicht einer Struktur eines Chips, in dem eine Leistungsvorrichtung ausgebildet ist; -
2 eine Draufsicht einer vergrößerten Struktur in der Umgebung eines Randes des in1 gezeigten Chips; -
3 eine Schnittansicht einer Struktur der in dem in1 gezeigten Chip ausgebildeten Leistungsvorrichtung; -
4 eine Schnittansicht einer in dem in1 gezeigten Chip ausgebildeten Schutzringstruktur; -
5 eine Schnittansicht einer in dem in1 gezeigten Chip ausgebildeten Feldplattenstruktur; -
6 eine Schnittansicht einer Kanalsperrstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; -
7 –10 Schnittansichten eines Verfahrens zur Ausbildung der Kanalsperrstruktur gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung in der Reihenfolge der Schritte; -
11 –14 Schnittansichten einer in einer Simulation verwendeten Struktur; -
15 ein Diagramm einer Potentialverteilung mit Qss = –1·1012 und VCES 500 V entsprechend der in12 gezeigten Struktur; -
16 ein Diagramm einer Potentialverteilung mit Qss = –1·1012 und VCES = 500 V entsprechend der in13 gezeigten Struktur; -
17 ein Diagramm einer Potentialverteilung mit Qss = –1·1012 und VCES = 500 V entsprechend der in14 gezeigten Struktur; -
18 eine Schnittansicht einer Kanalsperrstruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; -
19 eine Schnittansicht einer Kanalsperrstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung; -
20 –25 Schnittansichten eines Verfahrens zum Ausbilden der Kanalsperrstruktur gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung in der Reihenfolge der Schritte; -
26 die bereits erwähnte Schnittansicht einer ersten herkömmlichen Kanalsperrstruktur; -
27 die bereits erwähnte Schnittansicht einer zweiten herkömmlichen Kanalsperrstruktur; -
28 die bereits erwähnte Schnittansicht einer dritten herkömmlichen Kanalsperrstruktur; -
29 die bereits erwähnte Schnittansicht einer vierten herkömmlichen Kanalsperrstruktur; und -
30 die bereits erwähnte Schnittansicht einer fünften herkömmlichen Kanalsperrstruktur. - Erste Ausführungsform
-
1 ist eine typische Draufsicht einer Struktur eines Chips100 , in dem eine Leistungsvorrichtung ausgebildet ist. In einem vorgegebenen Abschnitt ist auf dem Chip100 eine Gate-Anschlußfläche101 ausgebildet, die mit einer Gate-Verdrahtung102 verbunden ist. Die Gate-Verdrahtung102 enthält eine Verdrahtung102a , die wie ein Rahmen entlang eines Umfangs des Chips100 ausgebildet ist, sowie mehrere Verdrahtungen102b , die in einer vorgegebenen Richtung (in vertikaler Richtung in der Zeichnung) in einem Gebiet103 verlaufen, das von dem Rahmen der Verdrahtung102a umgeben ist, wobei die beiden Enden der Verdrahtungen102b mit der Verdrahtung102a verbunden sind und wobei sie in regelmäßigen Abständen parallel zueinander vorgesehen sind. Die Verdrahtung102a ist etwas innerhalb eines Randes104 des Chips100 ausgebildet. -
2 ist eine Draufsicht einer vergrößerten Struktur eines in1 gezeigten Gebietes X, d. h. der Umgebung des Randes,104 des Chips100 . Ein Gebiet AR1 ist mit der Leistungsvorrichtung versehen. Ein Gebiet AR2, das an das Gebiet AR1 an der Seite des Randes104 angrenzt, besitzt eine Struktur, die ein elektrisches Feld eines Hauptübergangs dämpft. Ein Gebiet AR3, das den Rand104 enthält, enthält eine Kanalsperrstruktur. -
3 ist eine Schnittansicht einer Struktur der Leistungsvorrichtung, die in dem in2 gezeigten Gebiet AR1 ausgebildet ist.3 zeigt zwei aneinandergrenzende Leistungs-MOSFETs. Obgleich in3 der Leistungs-MOSFET als ein Beispiel der Leistungsvorrichtung gezeigt ist, kann außerdem eine weitere Leistungsvorrichtung wie etwa ein Isolierschicht-Bipolartransistor ausgebildet sein. - Wie in
3 gezeigt ist, umfaßt der Leistungs-MOSFET (a) ein P-Störstellenimplantationsgebiet20 , in das Störstellen wie etwa Bor implantiert sind, das an einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats1 ausgebildet ist und gemeinsam mit dem N–-Siliciumsubstrat1 einen Hauptübergang bildet, (b) ein N+-Source-Gebiet (in einem Bipolartransistor ein Emitter-Gebiet)24 , das flacher als das P-Störstellenimplantationsgebiet20 ist und das an der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ausgebildet ist, (c) einen Graben21 , der an der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 in einem Abschnitt, in dem das Source-Gebiet24 ausgebildet ist, tiefer als das P-Störstellenimplantationsgebiet20 ausgebildet ist, (d) einen Siliciumoxidfilm22 , der an einer Innenwand des Grabens21 ausgebildet ist und als Gate-Isolierfilm des Leistungs-MOSFETs wirkt, und (e) einen Polysiliciumfilm23 , der den Graben21 ausfüllt. Der Polysiliciumfilm23 wirkt als Gate-Elektrode des Leistungs-MOSFETs und entspricht der in1 gezeigten Verdrahtung102b . Obgleich in3 der N-Kanal-Leistungs-MOSFET gezeigt ist, kann ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET ausgebildet sein. - Außerdem ist auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats
1 ein Siliciumoxidfilm25 ausgebildet, der eine Oberseite des Polysiliciumfilms23 bedeckt. Ein Teil einer Oberseite des Source-Gebiets24 ist von dem Siliciumoxidfilm25 frei. Auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ist eine Aluminiumelektrode26 ausgebildet, die den Siliciumoxidfilm25 bedeckt. Die Aluminiumelektrode26 ist in dem von dem Siliciumoxidfilm25 freien Abschnitt in Kontakt mit der Oberseite des Source-Gebiets24 . -
4 ist eine Schnittansicht einer Schutzringstruktur als erstes Beispiel der in dem in2 gezeigten Gebiet AR2 ausgebildeten Struktur. An der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 sind voneinander getrennt mehrere P-Störstellenimplantationsgebiete112 ausgebildet. Außerdem sind auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 getrennt voneinander mehrere Siliciumoxidfilme111 ausgebildet. -
5 ist eine Schnittansicht einer Feldplattenstruktur als zweites Beispiel einer in dem in2 gezeigten Gebiet AR2 ausgebildeten Struktur. Auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ist ein Siliciumoxidfilm114 ausgebildet. Außerdem ist in einem von dem Siliciumoxidfilm114 freien Abschnitt über der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 auf dem P-Störstellenimplantationsgebiet20 ein Polysiliciumfilm115 ausgebildet. Der Polysiliciumfilm115 verläuft außerdem über dem Siliciumoxidfilm114 und bildet eine Feldplatte. Auf dem N–-Siliciumsubstrat1 ist ein Siliciumoxidfilm116 ausgebildet, der den Polysiliciumfilm115 und den Siliciumoxidfilm114 bedeckt. Außerdem ist auf dem N–-Siliciumsubstrat1 in einem von dem Siliciumoxidfilm116 freien Abschnitt eine Aluminiumelektrode117 ausgebildet, die außerdem über dem Siliciumoxidfilm116 verläuft. -
6 ist eine Schnittansicht der Kanalsperrstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform, die in dem in2 gezeigten Gebiet AR3 ausgebildet ist. Auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ist mit Ausnahme des Umfangsabschnitts des Chips ein Siliciumoxidfilm2 ausgebildet. An einer Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist in einem von dem Siliciumoxidfilm2 freien Abschnitt ein N+-Störstellenimplantationsgebiet4 ausgebildet. - An der Oberseite
3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist ein Graben5 ausgebildet, der tiefer als das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 ist. An einer Innenwand (einer Seitenwand und einer Unterwand) des Grabens5 ist ein dünner Siliciumoxidfilm6 ausgebildet. Außerdem ist ein Polysiliciumfilm7 ausgebildet, der den Graben5 mit dem darin vorgesehenen Siliciumoxidfilm6 ausfüllt. Auf der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist eine Aluminiumelektrode8 ausgebildet. Die Aluminiumelektrode8 ist in Kontakt mit einer Oberseite des Polysiliciumfilms7 und mit der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 . Außerdem verläuft die Aluminiumelektrode8 über dem Siliciumoxidfilm2 und bildet eine Feldplatte. - Die
7 bis10 sind Schnittansichten, die ein Verfahren zum Ausbilden einer Kanalsperrstruktur gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung in der Reihenfolge der Schritte zeigen. Mit Bezug auf7 wird zuallererst das N–-Siliciumsubstrat1 vorbereitet. Mit Bezug auf8 wird nachfolgend mit einem CVD-Verfahren über der gesamten Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ein Siliciumoxidfilm ausgebildet. Daraufhin wird der Siliciumoxidfilm einer Strukturierung durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen ausgesetzt. - Folglich wird der Siliciumoxidfilm
2 ausgebildet und die Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 freigelegt. Anschließend werden durch Ionenimplantation unter Verwendung des Siliciumoxidfilms2 als Ätzmaske Störstellen wie etwa Phosphor oder Arsen in die Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 implantiert. Nachfolgend werden die implantierten Störstellen thermisch in die Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 diffundierengelassen, um das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 auszubilden. - Mit Bezug auf
9 wird nachfolgend durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen an der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 der Graben5 ausgebildet, der tiefer als das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 ist. Mit Bezug auf10 wird nachfolgend die Innenwand des Grabens5 thermisch oxidiert, um den Siliciumoxidfilm6 auszubilden. Anschließend wird mit dem CVD-Verfahren über der gesamten Oberfläche ein Polysiliciumfilm mit einer solchen Dicke ausgebildet, daß er den Graben5 ausfüllt. Nachfolgend wird der Polysiliciumfilm durch Ätzen entfernt, bis die Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 freiliegt. Folglich wird lediglich der Polysiliciumfilm in dem in dem Graben5 ausgebildeten Abschnitt nicht geätzt, sondern verbleibt, so daß der Polysiliciumfilm7 ausgebildet wird, der den Graben5 ausfüllt. - Nachfolgend wird durch Zerstäuben über der gesamten Oberfläche ein Aluminiumfilm ausgebildet, der der Strukturierung durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen ausgesetzt wird. Folglich wird die Aluminiumelektrode
8 ausgebildet, so daß die in6 gezeigte Struktur erhalten wird. - Es wird nun das Ergebnis einer Simulation beschrieben, die zum Nachweis der Wirkung der Kanalsperrstruktur gemäß der ersten Ausführungsform erhalten wird. Die
11 bis14 sind Schnittansichten von in der Simulation verwendeten Strukturen. - Die in
11 gezeigte Struktur entspricht der in26 gezeigten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. An der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats50 sind ein P-Störstellenimplantationsgebiet52 , das einen Hauptübergang bildet, und ein N+-Störstellenimplantationsgebiet53 , das dem N+-Störstellenimplantationsgebiet152 entspricht, ausgebildet. Das P-Störstellenimplantationsgebiet52 und das N+-Störstellenimplantationsgebiet53 sind durch einen Abstand von 50 μm voneinander beabstandet. Das N+-Störstellenimplantationsgebiet53 besitzt eine Implantationskonzentration von 5·1013 cm–3. Über der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats50 sind eine Elektrode54 bzw. eine Elektrode55 in Kontakt mit dem P-Störstellenimplantationsgebiet52 und dem N+-Störstellenimplantationsgebiet53 , wobei zwischen beiden Elektroden ein Siliciumoxidfilm51 ausgebildet ist. Außerdem ist auf einer Rückseite des N–-Siliciumsubstrats50 eine Elektrode56 ausgebildet. - Die in
12 gezeigte Struktur entspricht der in27 gezeigten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. Anstelle der in11 gezeigten Elektrode55 verläuft über dem Siliciumoxidfilm51 eine Elektrode60 , die eine Feldplatte bildet. - Die in
13 gezeigte Struktur ist ähnlich der in29 gezeigten herkömmlichen Kanalsperrstruktur. Anstelle des in11 gezeigten Siliciumoxidfilms51 ist an einem Ende auf der Seite des N+-Störstellengebiets53 ein Siliciumoxidfilm70 mit einem Dünnfilmabschnitt70a ausgebildet. Anstelle der in11 gezeigten Elektrode55 verläuft über dem Siliciumoxidfilm70 eine abgestufte Elektrode71 , die eine Feldplatte bildet. - Die in
14 gezeigte Struktur entspricht der Kanalsperrstruktur gemäß der ersten Ausführungsform. Entsprechend dem Graben5 , dem Siliciumoxidfilm6 und dem Polysiliciumfilm7 , die in6 gezeigt sind, sind an der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats50 in einen Abschnitt, in dem das N+-Störstellenimplantationsgebiet53 ausgebildet ist, jeweils ein Graben80 , ein Siliciumoxidfilm81 und ein Polysiliciumfilm82 ausgebildet. Anstelle der in11 gezeigten Elektrode55 verläuft über dem Siliciumoxidfilm51 außerdem die Elektrode60 , die eine Feldplatte bildet. - Mit Bezug auf jede der in den
11 bis14 gezeigten Strukturen wird eine elektrische Ladungsmenge Qss in der Oberfläche des N–-Siliciumsubstrats50 in drei Stufen (0, –1·1011, –1·1012) geändert und in jeder Stufe eine Durchbruchspannung VCES gemessen. Die11 bis14 zeigen zusammen die Ergebnisse der Simulation. - Wie aus dem Ergebnis der in den einzelnen Zeichnungen gezeigten Simulation hervorgeht, ist VCES in allen Strukturen etwa gleich, wenn Qss gleich 0 oder –1·1011 ist. Das liegt daran, daß eine Durchbruchspannung durch eine Krümmung der Verarmungsschicht des Hauptübergangs bestimmt ist, wenn Qss gleich 0 oder –1·1011 ist.
- Wenn Qss –1·1012 ist, ist VCES dagegen in der in
11 gezeigten herkömmlichen Struktur sehr stark verringert. Das liegt daran, daß die Verarmungsschicht des Hauptübergangs zu dem N+-Störstellenimplantationsgebiet53 verläuft, wodurch ein elektrisches Feld des N+-Störstellenimplantationsgebiets53 steigt, was zu einem Abfall der Durchbruchspannung führt. Demgegenüber ist VCES mit Bezug auf die in den12 und13 gezeigten herkömmlichen Strukturen erhöht, wenn Qss gleich –1·1012 ist. Das liegt daran, daß die Erweiterung der Verarmungsschicht des Hauptabschnitts durch die Feldplatte unterdrückt wird. Außerdem ist offensichtlich, daß der Umfang eines Anstiegs in VCES in der in13 gezeigten herkömmlichen Struktur, in der die abgestufte Elektrode71 ausgebildet ist, höher als in der in12 gezeigten herkömmlichen Struktur ist. - Mit Bezug auf die in
14 gezeigte Struktur ist VCES für Qss gleich –1·1012 höher als in jeder der in den12 und13 gezeigten herkömmlichen Strukturen. Wie aus einem Vergleich der12 und14 hervorgeht, ist der Graben80 hinzugefügt, in dem der Siliciumoxidfilm81 und der Polysiliciumfilm82 ausgebildet sind, so daß VCES um etwa 70 V erhöht wird. Genauer zeigt das Ergebnis der Simulation, daß die Ausbildung des Grabens5 die Ausdehnung der Verarmungsschicht von dem Hauptübergang unterdrückt. - Die Wirkung der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform wird ausführlicher überprüft. Die
15 bis17 sind Diagramme einer Potentialverteilung mit Qss = –1·1012 und VCES = 500 V, die den in den jeweils in den12 bis14 gezeigten Strukturen entsprechen. Mit Bezug auf15 ist in der in12 gezeigten Struktur offensichtlich, daß durch die von der Elektrode60 gebildete Feldplatte ein elektrisches Feld unterdrückt wird. Mit Bezug auf16 ist in der in13 gezeigten Struktur offensichtlich, daß durch die von der Elektrode71 gebildete Feldplatte ein elektrisches Feld unterdrückt wird. In den beiden in den12 und13 gezeigten Strukturen wird das elektrische Feld aber lediglich durch eine Oberfläche unterdrückt. Andererseits ist mit Bezug auf17 offensichtlich, daß das elektrische Feld durch die von der Elektrode60 und dem Graben80 gebildete Feldplatte in der in14 gezeigten Struktur dreidimensional unterdrückt wird. In der inJP 03-264 787 A 201 ein Gegenstand. Die Kanalbildung schreitet entlang einer Grenzfläche des Siliciums und einer Isolierschicht fort. Somit ist die dreidimensionale Wirkung in der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform nicht offenbart worden. - Gemäß der Halbleitervorrichtung und dem Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform enthält somit die unter Verwendung des N–-Siliciumsubstrats
1 ausgebildete Kanalsperrstruktur den Graben5 sowie das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 . Folglich kann die von dem Hauptübergang zum Rand104 des Chips verlaufende Verarmungsschicht durch den Graben5 dreidimensional unterdrückt werden. Somit kann die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung stabilisiert werden. - Zweite Ausführungsform
-
18 ist eine Schnittansicht einer Kanalsperrstruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Auf einer Oberseite eines N–-Siliciumsubstrats1 ist mit Ausnahme eines Umfangsabschnitts eines Chips ein Siliciumoxidfilm10 ausgebildet. An einer Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist in einem von dem Siliciumoxidfilm10 freien Abschnitt ein N+-Störstellenimplantationsgebiet4 ausgebildet. An der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist ein Graben5 ausgebildet, der tiefer als das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 ist. An einer Innenwand des Grabens5 ist ein dünner Siliciumoxidfilm6 ausgebildet. Außerdem ist ein Polysiliciumfilm11 ausgebildet, der den mit dem Siliciumoxidfilm6 versehenen Graben5 ausfüllt. Der Polysiliciumfilm11 verläuft über der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 und über dem Siliciumoxidfilm10 zu einem Hauptübergang und bildet somit eine erste Feldplatte. Ein Teil (der größte Teil des Umfangsabschnitts) der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist von dem Polysiliciumfilm11 frei. - Außerdem ist in einem auf dem Siliciumoxidfilm
10 ausgebildeten Abschnitt auf dem Polysiliciumfilm11 und in einem Abschnitt, in dem der Polysiliciumfilm11 nicht ausgebildet ist, auf dem Siliciumoxidfilm10 ein Siliciumoxidfilm12 vorgesehen. Auf dem größten Teil des Umfangsabschnitts der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 ist eine Aluminiumelektrode13 ausgebildet. Die Aluminiumelektrode13 ist außerdem in Kontakt mit dem Polysiliciumfilm11 und verläuft außerdem über dem Siliciumoxidfilm12 zu dem Hauptabschnitt, wodurch sie eine zweite Feldplatte bildet. - Somit ist gemäß der Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform in der Kanalsperrstruktur der Polysiliciumfilm
11 ausgebildet, der als erste Feldplatte wirkt. Im Vergleich zu der Kanalsperrstruktur gemäß der ersten Ausführungsform kann somit die Wirkung der Unterdrückung einer von dem Hauptübergang zu einem Rand104 des Chips verlaufenden Verarmungsschicht verbessert werden. Somit kann eine Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung weiter stabilisiert werden. - Dritte Ausführungsform
-
19 ist eine Schnittansicht einer Kanalsperrstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Die Kanalsperrstruktur gemäß der dritten Ausführungsform wird dadurch erhalten, daß zu der in18 gezeigten Kanalsperrstruktur gemäß der zweiten Ausführungsform ein P-Störstellenimplantationsgebiet15 hinzugefügt wird. Das P-Störstellenimplantationsgebiet15 ist an einer Oberseite3 eines N–-Siliciumsubstrats1 tiefer als ein N+-Störstellenimplantationsgebiet4 und flacher als ein Graben5 ausgebildet. - Die
20 bis25 sind Schnittansichten, die ein Verfahren zum Ausbilden der Kanalsperrstruktur gemäß der dritten Ausführungsform in der Reihenfolge der Schritte zeigen. Mit Bezug auf3 wird eine genaue Beschreibung gegeben. Mit Bezug auf20 wird zuallererst das N–-Siliciumsubstrat1 vorbereitet. Nachfolgend wird mit dem gleichen Verfahren wie in der ersten Ausführungsform auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 ein Siliciumoxidfilm10 ausgebildet. - Nachfolgend werden durch Ionenimplantation in die Oberseite
3 des N–-Siliciumsubstrats1 Störstellen wie etwa Phosphor oder Arsen implantiert. Zu diesem Zeitpunkt ist zuvor durch Photolithographie auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 in einem Gebiet AR1 zunächst ein Photoresist mit einem vorgegebenen Öffnungsmuster ausgebildet worden, so daß die Ionenimplantation zum Ausbilden eines Source-Gebiets24 eines Leistungs-MOSFETs ebenfalls in demselben Schritt ausgeführt wird. Nachfolgend werden durch thermische Diffusion der implantierten Störstellen an der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 das N+-Störstellenimplantationsgebiet4 und das Source-Gebiet24 mit der gleichen Tiefe ausgebildet. Daraufhin wird der Photoresist entfernt. - Mit Bezug auf
21 werden nachfolgend in die Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 Störstellen wie etwa Bor implantiert. Zu diesem Zeitpunkt ist durch Photolithographie auf der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 zunächst ein Photoresist mit einem vorgegebenen Öffnungsmuster ausgebildet worden, so daß im selben Schritt auch eine Ionenimplantation zum Ausbilden eines P-Störstellenimplantationsgebiets20 des Leistungs-MOSFETs ausgeführt wird. Durch thermische Diffusion der implantierten Störstellen werden nachfolgend an der Oberfläche des N–-Siliciumsubstrats1 die P-Störstellenimplantationsgebiete15 und20 mit gleichen Tiefen ausgebildet. Daraufhin wird der Photoresist entfernt. - Mit Bezug auf
22 wird nachfolgend durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen an der Oberseite3 des N–-Siliciumsubstrats1 der Graben5 ausgebildet, der tiefer als das P-Störstellenimplantationsgebiet15 ist. Außerdem wird im selben Schritt an der Oberseite des N–-Siliciumsubstrats1 in dem Gebiet AR1 ein Graben21 ausgebildet, der tiefer als das P-Störstellenimplantationsgebiet20 ist. Durch Einstellen einer Öffnungsbreite des Grabens5 gleich der des Grabens21 können die Tiefen der Gräben5 und21 gleich eingestellt werden. - Mit Bezug auf
23 wird daraufhin eine Innenwand des Grabens5 thermisch oxidiert, um einen Siliciumoxidfilm6 auszubilden. Außerdem wird im selben Schritt eine Innenwand des Grabens21 thermisch oxidiert, wodurch ein Siliciumoxidfilm22 ausgebildet wird. - Mit Bezug auf
24 wird nachfolgend mit einem CVD-Verfahren über der gesamten Oberfläche ein Polysiliciumfilm mit einer solchen Dicke ausgebildet, daß er die Gräben5 und21 ausfüllt. Nachfolgend wird der Polysiliciumfilm der Strukturierung durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen ausgesetzt. Folglich wird in einem Gebiet AR3 ein Polysiliciumfilm11 und in dem Gebiet AR1 ein Polysiliciumfilm23 ausgebildet. - Mit Bezug auf
25 wird nachfolgend mit dem CVD-Verfahren über der gesamten Oberfläche ein Siliciumoxidfilm ausgebildet. Nachfolgend wird der Siliciumoxidfilm der Strukturierung durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen ausgesetzt. Folglich wird in dem Gebiet AR3 ein Siliciumoxidfilm12 und in dem Gebiet AR1 ein Siliciumoxidfilm25 ausgebildet. - Nachfolgend wird durch Zerstäuben über der gesamten Oberfläche ein Aluminiumfilm ausgebildet. Daraufhin wird der Aluminiumfilm der Strukturierung durch Photolithographie und anisotropes Trockenätzen ausgesetzt. Folglich wird in dem Gebiet AR3 eine Aluminiumelektrode
13 ausgebildet, so daß die in19 gezeigte Struktur erhalten wird. Außerdem wird in dem Gebiet AR1 eine Aluminiumelektrode26 ausgebildet, so daß die in3 gezeigte Struktur erhalten wird. - Gemäß dem verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform kann somit in einer Reihe von Schritten zur Herstellung des in
3 gezeigten Leistungs-MOSFETs die in19 gezeigte Kanalsperrstruktur ohne einen zusätzlichen Schritt gleichzeitig hergestellt werden. Folglich können die Herstellungskosten im Vergleich zu dem Fall, daß die Kanalsperrstruktur in einem von den Schritten zur Herstellung des Leistungs-MOSFETs getrennten Schritt hergestellt wird, gesenkt werden.
Claims (12)
- Halbleitervorrichtung, mit: einem N-Halbleitersubstrat (
1 ); einem Transistor mit einem ersten P-Störstelleneinführungsgebiet (20 ), das an einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) ausgebildet ist und zusammen mit dem Halbleitersubstrat (1 ) einen Hauptübergang bildet; und einer Kanalsperrstruktur, die in einem Umfangsabschnitt des Halbleitersubstrats (1 ) ausgebildet ist, wobei die Kanalsperrstruktur einen ersten Graben (5 ) enthält, der an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) ausgebildet ist und die Kanalsperrstruktur ein erstes N-Störstelleneinführungsgebiet (4 ) enthält, das in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in einem Abschnitt ausgebildet ist, in dem der erste Graben (5 ) ausgebildet ist, wobei das erste N-Störstelleneinführungsgebiet (4 ) sich bis zu einem Rand (104 ) des Halbleitersubstrates (1 ) erstreckt, wobei die Kanalsperrstruktur enthält: einen Graben-Isolierfilm (6 ), der an einer Innenwand des ersten Grabens (5 ) ausgebildet ist; und einen ersten leitenden Film (7 ), der den ersten Graben (5 ) ausfüllt, einen zweiten leitenden Film (11 ), der auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) über einem ersten Isolierfilm (10 ) ausgebildet ist, der mit dem ersten leitenden Film (7 ) und der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in Kontakt ist und zu dem Hauptübergang verläuft; und einen dritten leitenden Film (13 ), der auf dem zweiten leitenden Film (11 ) über einem zweiten Isolierfilm (12 ) ausgebildet ist, der mit dem ersten leitenden Film (7 ) und mit der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in Kontakt ist und zu dem Hauptübergang verläuft, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite leitende Film (11 ) und der dritte leitende Film (13 ) jeweils in Kontakt mit einer Oberseite (3 ) des ersten N-Störstelleneinführungsgebiets (4 ) ausgebildet sind. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der ein Material des ersten leitenden Films (
7 ) Polysilicium ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor enthält: ein zweites N-Störstelleneinführungsgebiet (
24 ), das in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) ausgebildet ist und als Source oder Emitter des Transistors wirkt; einen zweiten Graben (21 ), der in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in einem Abschnitt ausgebildet ist, in dem das zweite N-Störstelleneinführungsgebiet (24 ) ausgebildet ist; einen Gate-Isolierfilm (22 ) des Transistors, der an einer Innenwand des zweiten Grabens (21 ) ausgebildet ist; und einen vierten leitenden Film (23 ), der den zweiten Graben (21 ) ausfüllt und als Gate-Elektrode des Transistors wirkt, wobei die Kanalsperrstruktur ferner ein zweites P-Störstelleneinführungsgebiet (15 ) enthält, das an der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) ausgebildet ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Öffnungsbreite des ersten Grabens (
5 ) gleich der des zweiten Grabens (21 ) ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Material des ersten leitenden Films (
7 ) gleich dem des vierten leitenden Films (23 ) ist. - Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das die folgenden Schritte umfaßt: (a) Vorbereiten eines N-Halbleitersubstrats (
1 ) mit einem ersten Gebiet, in dem ein Transistor auszubilden ist, und mit einem zweiten Gebiet, in dem eine Kanalsperrstruktur auszubilden ist; (b) Ausbilden eines ersten P-Störstelleneinführungsgebiets (20 ), das gemeinsam mit dem Halbleitersubstrat (1 ) in einer Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in dem ersten Gebiet einen Hauptübergang bildet; (c) Ausbilden eines ersten N-Störstelleneinführungsgebiets (4 ) in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in dem zweiten Gebiet, wobei das erste N-Störstelleneinführungsgebiet (4 ) sich bis zu einem Rand (104 ) des Halbleitersubstrates (1 ) erstreckt; (d) Ausbilden eines ersten Grabens (5 ) in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in dem zweiten Gebiet, in dem das erste N-Störstelleneinführungsgebiets (4 ) ausgebildet ist; (e) Ausbilden eines Graben-Isolierfilms (6 ) an einer Innenwand des ersten Grabens (5 ); (f) Ausbilden eines ersten leitenden Films (7 ), der den ersten Graben (5 ) ausfüllt, nach dem Schritt (e); (g) Ausbilden eines zweiten leitenden Films (11 ), der mit dem ersten leitenden Film (7 ) in Kontakt ist und der in dem zweiten Gebiet über einem ersten Isolierfilm (10 ) zu dem Hauptübergang auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) verläuft, (g1) Ausbilden eines dritten leitenden Films (13 ) auf dem zweiten leitenden Film (11 ), wobei der dritte leitende Film in dem zweiten Gebiet über einem zweiten Isolierfilm (12 ) zu dem Hauptübergang auf der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) verläuft, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite und der dritte leitende Film so ausgebildet werden, dass sie mit einer Oberseite (3 ) des ersten N-Störstelleneinführungsgebiets (4 ) in Kontakt sind. - Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch die weiteren Schritte: (h) Ausbilden eines zweiten N-Störstelleneinführungsgebiets (
24 ), das als Source oder Emitter des Transistors in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in dem ersten Gebiet wirkt; (i) Abtragen eines Teils der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in einem Abschnitt, in dem das dritte Störstelleneinführungsgebiet (24 ) vorgesehen ist, und dadurch Ausbilden eines zweiten Grabens (21 ); (j) Ausbilden eines Gate-Isolierfilms (22 ) des Transistors an einer Innenwand des zweiten Grabens (21 ); (k) Ausbilden eines vierten leitenden Films (23 ), der den zweiten Graben (21 ) ausfüllt und als Gate-Elektrode des Transistors wirkt, nach dem Schritt (j); und (l) Ausbilden eines zweiten P-Störstelleneinführungsgebiets (15 ) in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1 ) in dem zweiten Gebiet. - Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (b) und (l) im selben Schritt ausgeführt werden.
- Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (d) und (h) im selben Schritt ausgeführt werden.
- Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (c) und (i) im selben Schritt ausgeführt werden.
- Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (e) und (j) im selben Schritt ausgeführt werden.
- Verfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte (f) und (k) in demselben Schritt ausgeführt werden.
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