DE102015220924A1 - Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe - Google Patents

Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe Download PDF

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Abstract

Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe während des Abscheidens einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe; eine Ablagefläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe im Randbereich einer Rückseite der Halbleiterscheibe; eine stufenförmige äußere Begrenzung der Ablagefläche; und eine Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche zum Ablegen desjenigen Teilbereichs des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, auf demjenigen Teilbereich der Ablagefläche, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, bei dem der Suszeptor eingesetzt wird, und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium.

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist ein Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe (notch) während des Abscheidens einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe. Der Suszeptor weist eine Ablagefläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe im Randbereich einer Rückseite der Halbleiterscheibe auf sowie eine stufenförmige äußere Begrenzung der Ablagefläche. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, bei dem ein solcher Suszeptor eingesetzt wird, sowie eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium.
  • Suszeptoren der genannten Art sind in verschiedenen Ausführungsformen bekannt. In DE 198 47 101 C1 ist eine Ausführungsform beschrieben, bei der die Ablagefläche Bestandteil eines Rings ist, der den Suszeptor bildet. In der Ausführungsform gemäß EP 1 460 679 A1 hat der Suszeptor zusätzlich einen Boden und dadurch die Form eines Tellers. Die Ablagefläche wird von einem Vorsprung am Tellerrand gebildet. In DE 10 2006 055 038 A1 wird eine Ausführungsform gezeigt, bei der die Halbleiterscheibe in der Vertiefung eines Rings liegt, und der Ring auf einer Bodenplatte.
  • Beim Abscheiden einer Schicht auf der Vorderseite einer Halbleiterscheibe ist man unter anderem bestrebt, eine Schicht mit einheitlicher Schichtdicke zu erzeugen und die verwertbare Fläche der Schicht möglichst nahe an den Rand der Halbleiterscheibe heranreichen zu lassen. Beim Versuch, diese Vorgabe umzusetzen, wird man mit dem Problem konfrontiert, dass im Bereich einer Orientierungskerbe der Halbleiterscheibe Ebenheitsprobleme auftreten, deren Ursache eine größere Schichtdicke und Materialabscheidungen auf der Rückseite der Halbleiterscheibe sind. Um diesem Problem zu begegnen, wird in US 2012/0270407 A1 und JP 2013-51290 vorgeschlagen, die Ablagefläche des Suszeptors an einer Stelle nach innen zu vergrößern und die Halbleiterscheibe derart auf den Suszeptor zu legen, dass die Orientierungskerbe an dieser Stelle auf der Ablagefläche zu liegen kommt.
  • US 2013/0264690 A1 beschäftigt sich mit der Verbesserung der Ebenheit einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht, insbesondere im Randbereich der Halbleiterscheibe. Die lokale Geometrie im Randbereich der Vorderseite beträgt, ausgedrückt durch ESFQRmean und unter Berücksichtigung eines Randausschlusses von 1 mm, nicht mehr als 100 nm.
  • Ungeachtet des genannten Stands der Technik besteht weiterhin das Bedürfnis, die lokale Ebenheit einer beschichteten Halbleiterscheibe im Bereich der Orientierungskerbe zu verbessern.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Lösung vorzuschlagen, die eine Überhöhung der Schichtdicke im Bereich der Orientierungskerbe und Materialabscheidungen auf der Rückseite der Halbleiterscheibe im Bereich der Orientierungskerbe stärker reduziert.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch einen Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe während des Abscheidens einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe;
    eine Ablagefläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe im Randbereich einer Rückseite der Halbleiterscheibe;
    eine stufenförmige äußere Begrenzung der Ablagefläche; und
    eine Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche zum Ablegen desjenigen Teilbereichs des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, auf demjenigen Teilbereich der Ablagefläche, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird.
  • Die Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche ist nach innen gerichtet und hat vorzugsweise eine Form, die komplementär zur Form der Orientierungskerbe der Halbleiterscheibe ist, die auf dem Suszeptor abgelegt wird. Das Vorhandensein der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche bewirkt, dass ein einheitlicher Abstand zwischen einem äußeren Rand der Halbleiterscheibe und der äußeren Begrenzung der Ablagefläche gewährleistet ist. Dieser Abstand ist im Bereich der Orientierungskerbe und im Bereich außerhalb der Orientierungskerbe im Wesentlichen gleich. Das hat Wirkung auf das Strömungsverhalten eines Abscheidegases. Das Strömungsbild ist im Bereich der Orientierungskerbe und im Bereich außerhalb der Orientierungskerbe ebenfalls im Wesentlichen gleich.
  • Dementsprechend ist die Materialabscheidung im Randbereich der Halbleiterscheibe im Wesentlichen einheitlich.
  • Die Ablagefläche und die stufenförmige äußere Begrenzung der Ablagefläche bilden eine nahezu kreisförmige Tasche (pocket) mit nahezu einheitlichem Durchmesser zur Aufnahme einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe. Wegen der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche ist der Durchmesser der äußeren Begrenzung der Ablagefläche an dieser Stelle kleiner als an den übrigen Stellen.
  • Die radiale Breite der Ablagefläche ist der Abstand zwischen der äußeren Begrenzung der Ablagefläche und einem inneren Rand der Ablagefläche. Die radiale Breite der Ablagefläche ist viel kleiner als der Durchmesser, den die äußere Begrenzung der Ablagefläche außerhalb der Einbuchtung hat. Sie beträgt vorzugsweise nicht mehr als 10 % dieses Durchmessers. Die Ablagefläche ist andererseits ausreichend breit, um eine darauf abgelegte Halbeiterscheibe im Bereich von deren Orientierungskerbe vollständig zu unterlegen, das heißt, im Bereich der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche hat die Ablagefläche eine radiale Breite, aufgrund derer sich die Ablagefläche mindestens so weit nach innen erstreckt, wie eine in diesem Bereich auf der Ablagefläche liegende Orientierungskerbe einer Halbleiterscheibe. Dadurch ist der Zutritt von Abscheidegas durch die Orientierungskerbe zur Rückseite der Halbleiterscheibe erschwert.
  • Die radiale Breite der Ablagefläche ist vorzugsweise einheitlich, also im Bereich der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche im Wesentlichen dieselbe wie außerhalb dieses Bereichs. In diesem Fall ist im Bereich der Ablagefläche, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird, eine nach innen gerichtete Einbuchtung der Ablagefläche vorhanden. Ungeachtet dessen ist es auch möglich vorzusehen, dass die Ablagefläche im Bereich der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche eine kleinere radiale Breite hat, als außerhalb dieses Bereichs.
  • Die Ablagefläche ist horizontal angeordnet oder etwas nach innen abfallend geneigt. Der Neigungswinkel beträgt vorzugsweise nicht mehr als 3°. Der Verlauf der Neigung kann linear oder gekrümmt sein.
  • Der Suszeptor kann als Ring ausgebildet sein, umfassend die Ablagefläche und die äußere Begrenzung der Ablagefläche. Des Weiteren kann der Suszeptor als Teller ausgebildet sein, zusätzlich umfassend einen scheibenförmigen Tellerboden, der sich an den inneren Rand der Ablagefläche anschließt und tiefer liegt, als die Ablagefläche. Darüber hinaus kann der Suszeptor auch zweiteilig ausgebildet sein, der eine Teil als Ring, umfassend die Ablagefläche und die äußere Begrenzung der Ablagefläche, der andere Teil als separate Bodenplatte, die den Ring trägt. Der Tellerboden oder die Bodenplatte können gasundurchlässig sein. Sie können aber auch perforiert ausgebildet sein, um einen Gastransport durch Löcher zu gewährleisten. Bevorzugt sind ein Tellerboden oder eine Bodenplatte, die für einen solchen Gastransport Mikroporen an Stelle von Löchern aufweisen. Die Mikroporen können beispielsweise erzeugt werden, indem Fasern und/oder Partikel in Form des Tellerbodens oder der Bodenplatte verdichtet werden.
  • Der Suszeptor besteht vorzugsweise aus Siliziumcarbid oder aus einem Material wie beispielsweise Graphit, das mit Siliziumcarbid beschichtet ist.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, gekennzeichnet durch
    das Ablegen der Halbleiterscheibe auf einem erfindungsgemäßen Suszeptor, wobei derjenige Bereich des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, auf denjenigen Bereich der Ablagefläche des Suszeptors abgelegt wird, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird;
    das Zuführen eines Prozessgases zur Vorderseite der Halbleiterscheibe und
    das Abscheiden der Schicht auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe.
  • Das Verfahren führt zu einer verbesserten Ebenheit der Halbleiterscheibe mit abgeschiedener Schicht im Bereich der Orientierungskerbe und zu einer einheitlicheren Ebenheit im Randbereich der Halbleiterscheibe mit abgeschiedener Schicht.
  • Nach dem Ablegen der Halbleiterscheibe auf dem Suszeptor hat der Rand der Halbleiterscheibe, auch im Bereich der Orientierungskerbe, im Wesentlichen den gleichen Abstand zur äußeren Begrenzung der Ablagefläche. Fehlte die Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche, wäre dieser Abstand im Bereich der Orientierungskerbe größer als außerhalb dieses Bereichs. Wegen des größeren Abstands würde im Bereich der Orientierungskerbe mehr Material abgeschieden, als außerhalb dieses Bereichs, weil wegen des größeren Abstands eine größere Menge an Abscheidegas in den Randbereich der Vorderseite der Halbleiterscheibe gelangt. Ähnlich verhält es sich auch mit Abscheidungen im Randbereich der Rückseite der Halbleiterscheibe. Größere Abstände des Rands der Halbleiterscheibe zur äußeren Begrenzung der Ablagefläche führen zu einer stärkeren Beschichtung der Rückseite der Halbleiterscheibe im Bereich der Orientierungskerbe. Dieser Effekt ist besonders ausgeprägt, wenn die Ablagefläche nach innen abfallend geneigt ist und/oder der Suszeptor aus einem porösen, Material besteht, das für das Abscheidegas durchlässig ist, und/oder der Tellerboden oder die Bodenplatte mit regelmäßig angeordneten Löchern versehen ist, die den Zutritt von Abscheidegas zur Rückseite der Halbleiterscheibe erleichtern.
  • Das Verfahren wird vorzugsweise zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer einkristallinen Halbleiterscheibe eingesetzt, besonders bevorzugt zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium. Die Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium hat vorzugsweise einen Durchmesser von nicht weniger als 200 mm, besonders bevorzugt einen Durchmesser von nicht weniger als 300 mm. Die Dicke der epitaktischen Schicht beträgt vorzugsweise nicht weniger als 1,5 µm und nicht mehr als 5 µm.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch das Produkt eines solchen Verfahrens, nämlich eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser, einer Vorderseite, einer Rückseite, einem Randbereich, einer Orientierungskerbe im Randbereich und einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf der Vorderseite, wobei die epitaktische Schicht eine Dicke von nicht weniger als 1,5 µm und nicht mehr als 5 µm aufweist, gekennzeichnet durch eine lokale Ebenheit der Vorderseite im Bereich der Orientierungskerbe, ausgedrückt durch ESFQR von nicht weniger als 5 nm und nicht mehr als 20 nm.
  • ESFQR ist ein Parameter, der die lokale Ebenheit von 72 Sektoren im Randbereich der Vorderseite der Halbleiterscheibe beschreibt. Ein Sektor hat eine Breite von 5° und eine radiale Länge von 30 mm. Erfindungsgemäß hat derjenige Sektor, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, eine lokale Ebenheit ESFQR von nicht weniger als 5 nm und nicht mehr als 20 nm, wobei ein Randausschluss (EE) von 1 mm und ein rechteckiges Ausschlussfenster um die Orientierungskerbe (notch exclusion window) bei der Bestimmung des ESFQR unberücksichtigt bleiben. Das rechteckige Ausschlussfenster liegt mittig über der Orientierungskerbe und hat eine Breite von 4 mm und eine Höhe von 2,5 mm. Die Höhe erstreckt sich vom Umfang der Halbleiterscheibe entlang der Mitte der Orientierungskerbe.
  • Vorzugsweise beträgt die Dicke einer Materialabscheidung auf der Rückseite der Halbleiterscheibe auf einer, die Orientierungskerbe umgebenden rechteckigen Begutachtungsfläche nicht mehr als 15 nm. Die Begutachtungsfläche liegt mittig über der Orientierungskerbe, hat eine Breite von 8 mm und eine Höhe von 3,5 mm. Die Höhe erstreckt sich entlang der Mitte der Orientierungskerbe und hat einen Abstand von 0,5 mm zum Umfang der Halbleiterscheibe. Der Umfang eines Kreises mit der Mitte der Halbleiterscheibe als Mitte des Kreises und mit dem Durchmesser der Halbleiterscheibe ist der Umfang der Halbleiterscheibe. Die Mitte der Orientierungskerbe erstreckt sich vom Scheitel der Orientierungskerbe radial bis zum Umfang der Halbleiterscheibe. Der Scheitel der Orientierungskerbe befindet sich am Ort der Orientierungskerbe mit dem geringsten Abstand zur Mitte der Halbleiterscheibe.
  • Die Erfindung wird nachfolgend an Hand von Zeichnungen und eines Beispiels näher beschrieben.
  • 1 zeigt typische Merkmale eines Reaktors, der in einem Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe eingesetzt wird.
  • 2 zeigt einen erfindungsgemäß ausgebildeten Suszeptor in Draufsicht.
  • 3 zeigt in vergrößerter Darstellung den Bereich der Ablagefläche des Suszeptors gemäß 2, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird.
  • 4 zeigt den Suszeptor gemäß 2 und zusätzlich eine auf dem Suszeptor abgelegte Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe.
  • 5 zeigt in vergrößerter Darstellung den Bereich der Ablagefläche eines Suszeptors, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird, und zusätzlich eine Einbuchtung der Ablagefläche in diesem Bereich.
  • 6 zeigt eine Materialabscheidung auf der Rückseite einer erfindungsgemäß hergestellten Halbleiterscheibe im Bereich der Orientierungskerbe und das Höhenprofil der Materialabscheidung entlang einer Linie mit geringem Abstand zum Scheitel der Orientierungskerbe.
  • 7 zeigt eine 6 entsprechende Darstellung zu einer Halbleiterscheibe, die nicht erfindungsgemäß hergestellt wurde.
  • Der Reaktor gemäß 1 umfasst eine Kammer mit einem oberen Deckel („upper dome“) 1, einem unteren Deckel („lower dome“) 2 und einer Seitenwand 3. Der obere und untere Deckel 1, 2 sind durchlässig für Wärmestrahlung, die von einer über und unter der Kammer angeordneten Strahlungsheizung abgestrahlt wird. Die Schicht wird aus der Gasphase auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe 4 abgeschieden, indem Abscheidegas über die Vorderseite der erhitzten Halbleiterscheibe geleitet wird und dabei mit der Oberfläche der exponierten Vorderseite unter Ausbilden der Schicht reagiert. Als Vorderseite wird die Seitenfläche der Halbleiterscheibe bezeichnet, auf der beabsichtigt wird, die Schicht abzuscheiden. Üblicherweise handelt es sich dabei um eine polierte Seitenfläche der Halbleiterscheibe. Das Abscheidegas wird durch einen Gaseinlass in der Seitenwand der Kammer zugeführt und das nach der Reaktion verbleibende Abgas durch einen Gasauslass in der Seitenwand der Kammer abgeführt. Es sind Ausführungsformen der Kammer bekannt, die einen weiteren Gaseinlass und einen weiteren Gasauslass haben. Solche Ausführungsformen werden beispielsweise verwendet, um ein Spülgas in das unter der Halbleiterscheibe vorhandene Volumen der Kammer ein- und auszuleiten.
  • Während des Abscheidens einer Schicht wird die Halbleiterscheibe von einem Suszeptor 5 gehalten und zusammen mit dem Suszeptor um ihr Zentrum gedreht.
  • 2 zeigt einen erfindungsgemäßen Suszeptor in Draufsicht. Der Suszeptor 5 umfasst eine Ablagefläche 6 zum Ablegen einer Halbleiterscheibe im Randbereich einer Rückseite der Halbleiterscheibe und eine stufenförmige äußere Begrenzung 7 der Ablagefläche. Die Ablagefläche erstreckt sich von der stufenförmigen äußeren Begrenzung 7 bis zu einem inneren Rand 9 der Ablagefläche. Der Suszeptor 5 hat die Form eines Tellers mit einem Boden 8. Der Boden 8 ist tiefer angeordnet als die Ablagefläche 6. Die stufenförmige äußere Begrenzung 7 weist eine nach innen gerichtete Einbuchtung 10 auf. Die Einbuchtung 10 ist annähernd V-förmig und damit komplementär zur Form der Orientierungskerbe einer Halbleiterscheibe geformt. Der Durchmesser d der äußeren Begrenzung 7 der Ablagefläche außerhalb des Bereichs der Einbuchtung 10 ist größer als der Durchmesser einer abzulegenden Halbleiterscheibe.
  • An der vergrößerten Darstellung gemäß 3 ist zu erkennen, dass die Ablagefläche der dargestellten Ausführungsform im Bereich der Einbuchtung 10 weniger breit ist, als außerhalb dieses Bereichs.
  • 4 zeigt den Suszeptor 5 gemäß 2 mit einer darauf abgelegten Halbleiterscheibe 11 mit Orientierungskerbe 12. Die Halbleiterscheibe 11 liegt im Randbereich von deren Rückseite auf der Ablagefläche 6 und zwar so, dass derjenige Bereich des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe 12 befindet, auf demjenigen Bereich der Ablagefläche 6 abgelegt ist, der von der Einbuchtung 10 der äußeren Begrenzung begrenzt wird.
  • 5 zeigt in vergrößerter Darstellung den Bereich der Einbuchtung 10 der äußeren Begrenzung der Ablagefläche eines Suszeptors, dessen Ausgestaltung besonders bevorzugt ist. Die Ablagefläche 6 ist im Bereich der Einbuchtung 10 ebenso breit, wie außerhalb dieses Bereichs. Aufgrund dessen ist in diesem Bereich auch eine nach innen gerichtete Einbuchtung 13 der Ablagefläche 6 vorhanden.
  • Beispiel und Vergleichsbeispiel:
  • Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von 300 mm wurden in einem Reaktor gemäß 1 mit einer 2,5 µm dicken epitaktischen Schicht aus Silizium beschichtet. Anschließend wurden die lokale Ebenheit ESFQR des Sektors mit der Orientierungskerbe mittels eines Messgeräts vom Typ WaferSight des Herstellers KLA-Tencor Corporation bestimmt und die Topographie der Rückseite im Bereich der Orientierungskerbe mittels eines Konfokal-Mikroskops untersucht.
  • Während des Abscheidens der epitaktischen Schicht lagen die Halbleiterscheiben gemäß Beispiel im Randbereich von deren Rückseite auf einem erfindungsgemäßen Suszeptor mit den in 5 gezeigten Merkmalen im Bereich der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche. Die Einbuchtung der äußeren Begrenzung und die Orientierungskerbe der Halbleiterscheibe waren, wie in 4 dargestellt, relativ zueinander angeordnet.
  • Demgegenüber lagen Halbleiterscheiben gemäß Vergleichsbeispiel während des Abscheidens der epitaktischen Schicht auf einem Suszeptor mit den in US 2012/0270407 A1 beschriebenen Merkmalen. Die Orientierungskerbe war von dem dort gezeigten Vorsprung der Ablagefläche unterlegt.
  • Der ESFQR im Sektor mit der Orientierungskerbe war bei den Halbleiterscheiben gemäß Beispiel nicht größer als 20 nm, bestenfalls nicht größer als 10 nm, bei einem Randausschluss von 1 mm.
  • Demgegenüber war bei den Halbleiterscheiben gemäß Vergleichsbeispiel der ESFQR im Sektor mit der Orientierungskerbe nicht kleiner als 40 nm.
  • 6 und 7 zeigen die Topographie und das Höhenprofil von Materialabscheidungen auf der Rückseite im Bereich der Orientierungskerbe einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Beschichtung gemäß Beispiel (6) und Vergleichsbeispiel (7).
  • Die optische Begutachtung im Konfokal-Mikroskop zeigt im Fall der Halbleiterscheibe gemäß Beispiel nahezu keinen Schatten im Bereich der Orientierungskerbe (6), wohingegen im Fall der Halbleiterscheibe gemäß Vergleichsbeispiel ein Schatten, der auf eine Materialabscheidung in diesem Bereich hinweist, deutlich erkennbar ist (7).
  • In beiden Fällen wurde das zugehörige Höhenprofil der Materialabscheidung entlang einer Linie 14 bestimmt, die einen Abstand von 1 mm zum Scheitel 15 der Orientierungskerbe der jeweiligen Halbleiterscheibe hatte. Die Linie wurde ausgewählt, weil die Begutachtung im Konfokal-Mikroskop erwarten ließ, dass die Materialabscheidung dort die größte Dicke innerhalb der Begutachtungsfläche haben wird.
  • Die größte Dicke der Materialabscheidung betrug im Fall der Halbleiterscheibe gemäß Beispiel kaum mehr als 10 nm (6), im Fall der Halbleiterscheibe gemäß Vergleichsbeispiel jedoch mehr als 700 nm (7).
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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    • US 2013/0264690 A1 [0004]

Claims (11)

  1. Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe während des Abscheidens einer Schicht auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe; eine Ablagefläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe im Randbereich einer Rückseite der Halbleiterscheibe; eine stufenförmige äußere Begrenzung der Ablagefläche; und eine Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche zum Ablegen desjenigen Teilbereichs des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, auf demjenigen Teilbereich der Ablagefläche, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird.
  2. Suszeptor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einbuchtung der Ablagefläche zum Ablegen desjenigen Teilbereichs des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet.
  3. Suszeptor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablagefläche horizontal angeordnet ist.
  4. Suszeptor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ablagefläche nach innen abfallend angeordnet ist, wobei ein Neigungswinkel nicht mehr als 3° beträgt.
  5. Suszeptor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Ablagefläche in demjenigen Bereich der Ablagefläche, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird, mindestens so weit nach innen erstreckt, wie die Orientierungskerbe nach dem Ablegen der Halbleiterscheibe.
  6. Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, gekennzeichnet durch das Ablegen der Halbleiterscheibe auf einem Suszeptor gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei derjenige Bereich des Randbereichs der Rückseite der Halbleiterscheibe, in dem sich die Orientierungskerbe befindet, auf denjenigen Bereich der Ablagefläche des Suszeptors abgelegt wird, der von der Einbuchtung der äußeren Begrenzung der Ablagefläche begrenzt wird; das Zuführen eines Prozessgases zur Vorderseite der Halbleiterscheibe und das Abscheiden der Schicht auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe.
  7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine epitaktische Schicht auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe abgeschieden wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine epitaktische Schicht aus Silizium auf einer einkristallinen Halbleiterscheibe aus Silizium mit einer Dicke der epitaktischen Schicht von nicht weniger als 1,5 µm und nicht mehr als 5 µm abgeschieden wird.
  9. Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser, einer Vorderseite, einer Rückseite, einem Randbereich, einer Orientierungskerbe im Randbereich und einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf der Vorderseite, wobei die epitaktische Schicht eine Dicke von nicht weniger als 1,5 µm und nicht mehr als 5 µm aufweist, gekennzeichnet durch eine lokale Ebenheit der Vorderseite im Bereich der Orientierungskerbe, ausgedrückt durch ESFQR von nicht weniger als 5 nm und nicht mehr als 20 nm.
  10. Halbleiterscheibe nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Durchmesser von nicht weniger als 200 mm.
  11. Halbleiterscheibe nach Anspruch 9 oder Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Materialabscheidung auf der Rückseite der Halbleiterscheibe auf einer die Orientierungskerbe umgebenden, rechteckigen Begutachtungsfläche, wobei die Dicke der Materialabscheidung nicht mehr als 15 nm beträgt.
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