DE102015201685A1 - Berührungsanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

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Abstract

Eine Berührungsanzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben werden bereitgestellt. Die Berührungsanzeigevorrichtung beinhaltet ein erstes Substrat, ein zweites Substrat, das gegenüber von dem ersten Substrat angeordnet ist, und zumindest eine Berührungssignalübertragungseinheit. Die Berührungssignalübertragungseinheit weist folgende Merkmale auf: eine erste leitfähige Schicht, die sich über einer Seite, die dem zweiten Substrat zugewandt ist, des ersten Substrats befindet; eine zweite leitfähige Schicht, die sich über einer Seite, die dem ersten Substrat zugewandt ist, des zweiten Substrats befindet; eine Berührungssignalübertragungsschicht, die sich zwischen der zweiten leitfähigen Schicht und dem zweiten Substrat befindet und elektrisch über die zweite leitfähige Schicht mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist; und einen Abstandshalter, der sich zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat befindet, wobei ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters auf das erste Substrat vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht auf das erste Substrat zumindest teilweise überlappt.

Description

  • Die Offenbarung bezieht sich auf Berührungssteuertechnologien und insbesondere auf eine Berührungsanzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Mit der rasanten Entwicklung der Anzeigetechnologie ist auch die Berührungsbildschirmtafel (Touch Screen Panel) im Leben der Menschen verbreitet. Gegenwärtig wird eine herkömmliche zelleninterne kapazitive Berührungsanzeige durch Hinzufügen von Berührungsabtastleitungen und Berührungserfassungsleitungen auf einem herkömmlichen Dünnfilmtransistor-Array-Substrat (TFT-Substrat; TFT = Thin Film Transistor) erzielt. Dies bedeutet, dass zwei Schichten von Streifenelektroden auf einer Oberfläche des TFT-Array-Substrats gebildet werden, wobei die Streifenelektroden in einer Schicht die Streifenelektroden in der anderen Schicht schneiden. Die Streifenelektroden in einer Schicht und die Streifenelektroden in der anderen Schicht dienen als Berührungstreiberleitungen bzw. Berührungserfassungsleitungen der Berührungsanzeige und gegenseitige Kondensatoren sind an Positionen gebildet, an denen die Streifenelektroden in einer Schicht die Streifenelektroden in der anderen Schicht schneiden. Ein Arbeitsvorgang der obigen herkömmlichen kapazitiven Berührungsanzeige ist wie folgt. Wenn Berührungstreibersignale an Elektroden angelegt werden, die als die Berührungstreiberleitungen dienen, können Spannungssignale in den Berührungserfassungsleitungen, die durch die gegenseitigen Kondensatoren erzeugt werden, detektiert werden. Hier kann, wenn der Berührungsbildschirm in Kontakt mit einem menschlichen Körper steht, ein elektrisches Feld des menschlichen Körpers die gegenseitigen Kondensatoren beeinflussen und Kapazitäten der gegenseitigen Kondensatoren verändern; so werden die Spannungssignale in den Berührungserfassungsleitungen, die durch die gegenseitigen Kondensatoren erzeugt werden, verändert. Eine Berührungsposition kann basierend auf Variationen der Spannungssignale bestimmt werden. Herkömmlicherweise werden allgemein zwei Schemata angepasst, um ein Berührungssignal zu übertragen. Bei einem ersten Schema sind leitfähige Goldkugeln zwischen einem oberen Substrat und einem unteren Substrat als Medium zum Übertragen des Signals zwischen dem oberen Substrat und dem unteren Substrat vorgesehen. In dem Fall, dass eine Berührung in einer Anzeigeregion auftritt, wird das Berührungssignal von der Berührungsposition zu einer Peripherieregion übertragen und dann wird das Berührungssignal über die leitfähigen Goldkugeln an das untere Substrat übertragen. Bei einem zweiten Schema ist zusätzlich ein Satz flexibler gedruckter Schaltungen (FPCs; FPC = Flexible Printed Circuit) für das Berührungssubstrat vorgesehen. Die FPCs können unabhängig das Berührungssignal identifizieren.
  • Mit dem Fortschritt der Technologie und den erhöhten Anforderungen durch Kunden sind Nachteile der obigen Struktur der Berührungsanzeigevorrichtung offensichtlich. Insbesondere ist für das erste Schema erstens die Prozessfähigkeit der leitfähigen Goldkugel schlecht und es gibt viele Probleme, beispielsweise beim Beschichten der Goldkugeln und bei einem metallischen Kontakt zwischen den Goldkugeln und den Substraten, wodurch der Produktertrag beeinträchtigt wird. Zweitens können in dem Fall, dass die leitfähigen Goldkugeln als Medium zum Übertragen des Signals zwischen dem oberen Substrat und dem unteren Substrat verwendet werden, Ränder der Berührungsanzeigevorrichtung unter Umständen aufgrund einer schlechten Ausrichtungsgenauigkeit nicht verschmälert werden. Drittens kann eine Entfernung zwischen dem oberen Substrat und dem unteren Substrat aufgrund der Verwendung der leitfähigen Goldkugeln unter Umständen nicht reduziert werden. Für das zweite Schema könnten die Kosten aufgrund der Hinzufügung der FPCs unweigerlich steigen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine verbesserte Berührungsanzeigevorrichtung und ein verbessertes Verfahren zum Herstellen derselben bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 und ein Verfahren gemäß Anspruch 11.
  • Eine Berührungsanzeigevorrichtung wird bereitgestellt, die folgende Merkmale aufweist:
    ein erstes Substrat;
    ein zweites Substrat, das gegenüber von dem ersten Substrat angeordnet ist; und
    zumindest eine Berührungssignalübertragungseinheit.
  • Die zumindest eine Berührungssignalübertragungseinheit weist folgende Merkmale auf:
    eine erste leitfähige Schicht, die sich über einer Seite des ersten Substrats befindet, wobei die Seite des ersten Substrats dem zweiten Substrat zugewandt ist;
    eine zweite leitfähige Schicht, die sich über einer Seite des zweiten Substrats befindet, wobei die Seite des zweiten Substrats dem ersten Substrat zugewandt ist;
    eine Berührungssignalübertragungsschicht, die sich zwischen der zweiten leitfähigen Schicht und dem zweiten Substrat befindet und elektrisch über die zweite leitfähige Schicht mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist; und
    einen Abstandshalter, der sich zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat befindet, wobei ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters auf das erste Substrat jeweilige vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht auf das erste Substrat zumindest teilweise überlappt.
  • Ein Verfahren zum Herstellen der Berührungsanzeigevorrichtung, die oben beschrieben wurde, wird weiterhin in der Offenbarung bereitgestellt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
    Bereitstellen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats;
    Bilden einer Berührungssignalübertragungsschicht auf dem zweiten Substrat;
    Bilden eines Abstandshalters über dem ersten Substrat oder dem zweiten Substrat; und
    Bilden einer ersten leitfähigen Schicht auf dem ersten Substrat, Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht auf dem zweiten Substrat und gemeinsames Bilden einer Berührungssignalübertragungseinheit durch die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht.
  • Mit der Berührungsanzeigevorrichtung und dem Verfahren zum Herstellen derselben, die in der Offenbarung bereitgestellt werden, werden Signalübertragungen zwischen einem oberen Substrat und einem unteren Substrat erzielt und außerdem werden ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, verschmälerte Ränder der Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige erzielt.
  • Um technische Lösungen gemäß den Ausführungsbeispielen der Offenbarung zu erklären, werden kurz Zeichnungen vorgestellt, die in der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele verwendet werden. Offensichtlich sind diese Zeichnungen lediglich exemplarisch und weitere Zeichnungen könnten durch durchschnittliche Fachleute auf der Basis der Zeichnungen ohne kreative Arbeit erhalten werden. Es zeigen:
  • 1A und 1B jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 1C eine Draufsicht von Trennungsstrukturen in einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 2A und 2B jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 3A und 3B jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 4A und 4B jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 5A bis 5M einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 6A bis 6M einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung;
  • 7A bis 7J einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung; und
  • 8A bis 8J einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Im Folgenden sind technische Lösungen gemäß Ausführungsbeispielen der Offenbarung klar und vollständig in Verbindung mit beigefügten Zeichnungen beschrieben. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsbeispiele lediglich ein Teil der und nicht alle Ausführungsbeispiele der Offenbarung. Alle anderen Ausführungsbeispiele, die durch Fachleute auf diesem Gebiet auf der Basis der Ausführungsbeispiele in der Offenbarung ohne kreative Arbeit erhalten werden, fallen in den Schutzbereich der Offenbarung.
  • Die 1A und 1B sind jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Wie in 1A und 1B gezeigt ist, ist eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf einem ersten Substrat 201 angeordnet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere Dünnfilmtransistor-(TFT-)Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 angeordnet sind.
  • Eine organische lichtemittierende Pixelschicht 207 ist auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 angeordnet und die organische lichtemittierende Pixelschicht 207 ist elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. Die organische lichtemittierende Pixelschicht 207 beinhaltet eine erste Elektrodenschicht 208, eine organische lichtemittierende Schicht 209, eine Pixeldefinitionsschicht 210 und eine zweite Elektrodenschicht 211, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben geschichtet sind. Die erste Elektrodenschicht 208 ist eine Anodenreflexionsschicht. Die zweite Elektrodenschicht 211 ist eine erste leitfähige Schicht, d. h. eine Kathodenschicht. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten, d. h. eine Indiumzinnoxid-(ITO-Schicht), eine Silberschicht und eine ITO-Schicht, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben hin angeordnet sind. Die Silberschicht kann durch eine Schicht aus einem anderen Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium, ersetzt werden. Die Kathodenschicht 211 beinhaltet zwei Schichten, d. h. eine Magnesium-Silber-(MgAg-)Schicht und eine Indiumzinkoxid-(IZO-)Schicht, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben hin angeordnet sind.
  • Eine Berührungssignalübertragungsschicht ist auf einem zweiten Substrat 220 angeordnet. Die Berührungssignalübertragungsschicht beinhaltet mehrere leitfähige Brücken 221. Die leitfähigen Brücken 221 sind durch eine erste Passivierungsschicht 222 bedeckt. Die erste Passivierungsschicht 222 ist mit einem ersten Durchgangsloch 223 versehen, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Eine transparente leitfähige Schicht 224 ist auf der ersten Passivierungsschicht 222 angeordnet. Insbesondere beinhaltet die transparente leitfähige Schicht 224 mehrere Erfassungselektroden Rx, wobei jede Erfassungselektrode durchgehend ist, und mehrere Treibersegmentelektroden Tx, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch über das erste Durchgangsloch 223 mit der leitfähigen Brücke 221 verbunden und die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch verbunden.
  • Wie in 1B gezeigt ist, ist die transparente leitfähige Schicht 224 durch eine zweite Passivierungsschicht 225 bedeckt und die zweite Passivierungsschicht 225 ist mit einem zweiten Durchgangsloch 226 versehen. Ein Abstandshalter 227 ist weiter auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet. Eine zweite leitfähige Schicht 228 ist an einer Position des zweiten Durchgangslochs 226 und auf dem Abstandshalter 227 angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Molybdän (Mo) hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Ein Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 ist auf dem Abstandshalter 227 angeordnet. Dies bedeutet, dass ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters 227 auf das erste Substrat 201 vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht 211 und der zweiten leitfähigen Schicht 228 auf das erste Substrat 201 teilweise überlappt. Ein weiterer Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht weiter in Kontakt mit der Kathodenschicht 211. Die zweite leitfähige Schicht 228 und die Kathodenschicht 211 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit. Die Berührungssignalübertragungseinheit befindet sich in einer Übertragungskontaktregion 1 und einer Übertragungsperipherieregion 2. In der Übertragungskontaktregion 1 ist die Anodenreflexionsschicht 208 elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. In der Übertragungsperipherieregion 2 ist die Anodenreflexionsschicht 208 mit zumindest einer Inselelektrode versehen, beispielsweise Inselelektroden 208a und 208b. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten von Materialien und unterschiedliche Materialien weisen für die gleiche Ätzlösung unterschiedliche Ätzraten auf. Hier wird eine Mischlösung aus Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) als Ätzlösung verwendet und die Anodenreflexionsschicht 201 wird geätzt, um aufgrund unterschiedlicher Ätzraten für die Mischlösung die Inselelektrode 208a und 208b zu bilden. Die Breite der Inselelektroden nimmt in einer Richtung ausgehend von der Dünnfilmtransistorelementschicht allmählich zu, d. h. die Inselelektroden weisen jeweils eine umgekehrte Trapezstruktur auf.
  • In der Übertragungskontaktregion 1 ist die Pixeldefinitionsschicht 210 auf der Anodenreflexionsschicht 208 angeordnet und ist mit einem dritten Durchgangsloch 212 versehen, durch das ein Teil der Anodenreflexionsschicht 208 freiliegt. Die Kathodenschicht 211 ist auf der Pixeldefinitionsschicht 210 angeordnet und kontaktiert die Anodenreflexionsschicht 208 über das dritte Durchgangsloch 212.
  • In der Übertragungsperipherieregion 2 sind Teile der Kathodenschicht 211 auf den Inselelektroden 208a und 208b gebildet und andere Teile der Kathodenschicht 211 sind auf Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b gebildet. Die Kathodenschicht 211 ist durch Wärmeaufdampfung gebildet und die Kathodenschicht 211 kann in dem Fall, dass sie auf eine unebene Region aufgedampft wird, unter Umständen unterbrochen werden.
  • Da die Inselelektroden 208a und 208b die umgekehrte Trapezstruktur aufweisen, sind nach der Wärmeaufdampfung eine Kathodenschicht 211a, die auf den Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, und eine Kathodenschicht 211b, die auf den Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, unterbrochen und voneinander isoliert.
  • In der Übertragungsperipherieregion 2 bilden die Inselelektroden 208a und 208b und die Kathodenschicht 211a, die auf Oberflächen der Inselelektroden 208a und 208b vorgesehen ist, zusammen eine Trennstruktur. Die Übertragungskontaktregion 1 ist durch die Trennstruktur umgeben. Die Berührungssignalübertragungseinheit in der Übertragungskontaktregion 1 einer Berührungsanzeige P ist durch die Trennstruktur umgeben; so werden Signalinterferenzen zwischen benachbarten Berührungssignalübertragungseinheiten vermieden. Da zumindest eine Inselelektrode in der Übertragungsperipherieregion 2 angeordnet ist, gibt es zumindest eine Trennstruktur. Die Trennstruktur kann geschlossen sein, was im Fall I in 1C gezeigt ist; oder die Trennstruktur kann nicht geschlossen sein, was im Fall II in 1C gezeigt ist. Die geschlossene Trennstruktur oder die nicht geschlossene Trennstruktur kann rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sein. Wie im Fall I in 1C gezeigt ist, sind zwei geschlossene Trennstrukturen, die jeweils eine Rechteckform aufweisen, verschachtelt. Wie im Fall II in 1C gezeigt ist, sind zwei nicht geschlossene Trennstrukturen, die jeweils eine rechteckige Form aufweisen, verschachtelt. Insbesondere beinhaltet jede der nicht geschlossenen Trennstrukturen N Teiltrenneinheiten b, wobei die Teiltrenneinheiten b nicht in Kontakt miteinander stehen, und wobei N eine Ganzzahl größer als 1 ist. Die Teiltrenneinheiten b einer nicht geschlossenen Trennstruktur sind versetzt in Bezug auf die Teiltrenneinheiten b einer benachbarten nicht geschlossenen Trennstruktur angeordnet. Wie im Fall III in 1C gezeigt ist, sind zumindest eine geschlossene Trennstruktur und zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur verschachtelt. Jede der zumindest einen nicht geschlossenen Trennstruktur beinhaltet N Teiltrenneinheiten b, wobei die Teiltrenneinheiten nicht in Kontakt miteinander stehen, und wobei N eine Ganzzahl größer als 1 ist. Die zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur weist eine gleiche Form auf wie die zumindest eine geschlossene Trennstruktur.
  • In dem Fall, dass eine Berührung in der Anzeigeregion der Berührungsanzeigevorrichtung 20 auftritt, wird ein Berührungssignal von der Anzeigeregion zu der Peripherieregion übertragen, dann der Reihe nach über die leitfähige Brücke 221, die transparente leitfähige Schicht 224, die zweite leitfähige Schicht 228, die Kathodenschicht 211 und die Anodenreflexionsschicht 208 an die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 übertragen, wodurch das Berührungssignal eingegeben oder ausgegeben wird. Mit der Struktur zum Übertragen des Berührungssignals können ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, ein verschmälerter Rand der Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige erzielt werden.
  • 2A und 2B sind jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung 30 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Wie in 2A und 2B gezeigt ist, ist eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf einem ersten Substrat 201 angeordnet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 angeordnet sind. Eine organische lichtemittierende Pixelschicht 207 ist auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 angeordnet und die organische lichtemittierende Pixelschicht 207 ist elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. Die organische lichtemittierende Pixelschicht 207 beinhaltet eine erste Elektrodenschicht 208, eine organische lichtemittierende Schicht 209, eine Pixeldefinitionsschicht 210 und eine zweite Elektrodenschicht 211, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben geschichtet sind. Die erste Elektrodenschicht 208 ist eine Anodenreflexionsschicht. Die zweite Elektrodenschicht 211 ist eine erste leitfähige Schicht, d. h. eine Kathodenschicht. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten, d. h. eine ITO-Schicht, eine Silberschicht und eine ITO-Schicht, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben hin angeordnet sind, und die Silberschicht kann durch eine Schicht aus einem Metallmaterial, wie beispielsweise Aluminium, ersetzt werden. Die Kathodenschicht 211 beinhaltet zwei Schichten, d. h. eine MgAg-Schicht und eine IZO-Schicht, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nach oben hin angeordnet sind. Im Unterschied zu der Berührungsanzeigevorrichtung 20, die in 1B gezeigt ist, ist bei der Berührungsanzeigevorrichtung 30 gemäß dem Ausführungsbeispiel ein Abstandshalter 227 zwischen der Pixeldefinitionsschicht 210 und der Kathodenschicht 211 angeordnet.
  • Eine Berührungssignalübertragungsschicht ist auf einem zweiten Substrat 220 angeordnet. Die Berührungssignalübertragungsschicht beinhaltet mehrere leitfähige Brücken 221. Die leitfähigen Brücken 221 sind durch eine erste Passivierungsschicht 222 bedeckt. Und die erste Passivierungsschicht 222 ist mit einem ersten Durchgangsloch 223 versehen, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Eine transparente leitfähige Schicht 224 ist auf der ersten Passivierungsschicht 222 angeordnet. Insbesondere beinhaltet die transparente leitfähige Schicht 224 mehrere Erfassungselektroden Rx, wobei jede Erfassungselektrode durchgehend ist, und mehrere Treibersegmentelektroden Tx, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch durch das erste Durchgangsloch 223 mit der leitfähigen Brücke 221 verbunden und die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch verbunden.
  • Wie in 2B gezeigt ist, ist die transparente leitfähige Schicht 224 durch eine zweite Passivierungsschicht 225 bedeckt und die zweite Passivierungsschicht 225 ist mit einem zweiten Durchgangsloch 226 versehen.
  • Eine zweite leitfähige Schicht 228 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Molybdän (Mo) hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht außerdem in Kontakt mit der Kathodenschicht 211. Die zweite leitfähige Schicht 228 und die Kathodenschicht 211 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit. Die Berührungssignalübertragungseinheit befindet sich in einer Übertragungskontaktregion 1 und einer Übertragungsperipherieregion 2.
  • In der Übertragungskontaktregion 1 ist die Anodenreflexionsschicht 208 elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. In der Übertragungsperipherieregion 2 ist die Anodenreflexionsschicht 208 mit zumindest einer Inselelektrode versehen, beispielsweise Elektroden 208a und 208b. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten von Materialien und unterschiedliche Materialien weisen für eine gleiche Ätzlösung unterschiedliche Ätzraten auf. Hier wird eine Mischlösung aus Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) als eine Ätzlösung verwendet und die Anodenreflexionsschicht 208 wird geätzt, um aufgrund unterschiedlicher Ätzraten für die Mischlösung die Inselelektroden 208a und 208b zu bilden. Die Breite der Inselelektroden nimmt in einer Richtung ausgehend von der Dünnfilmtransistorelementschicht allmählich zu, d. h. die Inselelektroden weisen jeweils eine umgekehrte Trapezstruktur auf.
  • In der Übertragungskontaktregion 1 ist die Pixeldefinitionsschicht 210 auf der Anodenreflexionsschicht 208 angeordnet und ist mit einem dritten Durchgangsloch 212 versehen, durch das ein Teil der Anodenreflexionsschicht 208 freiliegt.
  • In der Übertragungskontaktregion 1 ist der Abstandshalter 227 auf der Pixeldefinitionsschicht 210 angeordnet, ein Teil der Kathodenschicht 211 ist auf dem Abstandshalter 227 angeordnet und steht in Kontakt mit der zweiten leitfähigen Schicht 228 und ein Teil der Kathodenschicht 211 steht über das dritte Durchgangsloch 212 in Kontakt mit der Anodenreflexionsschicht 208.
  • In der Übertragungsperipherieregion 2 sind Teile der Kathodenschicht 211 auf den Inselelektroden 208a und 208b gebildet und andere Teile der Kathodenschicht 211 sind auf Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b gebildet. Die Kathodenschicht 211 ist durch Wärmeaufdampfung gebildet und die Kathodenschicht 211 kann in dem Fall, dass sie auf eine unebene Region aufgedampft wird, unterbrochen werden. Da die Inselelektroden 208a und 208b die umgekehrte Trapezstruktur aufweisen, sind nach der Wärmeaufdampfung eine Kathodenschicht 211a, die auf den Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, und eine Kathodenschicht 211b, die auf den Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, unterbrochen und voneinander isoliert.
  • In der Übertragungsperipherieregion 2 bilden die Inselelektroden 208a und 208b und die Kathodenschicht 211a, die auf Oberflächen der Inselelektroden 208a und 208b vorgesehen ist, zusammen eine Trennstruktur. Die Übertragungskontaktregion 1 ist durch die Trennstruktur umgeben. Die Berührungssignalübertragungseinheit in der Übertragungskontaktregion 1 einer Berührungsanzeige P ist durch die Trennstruktur umgeben; so können Signalinterferenzen zwischen benachbarten Berührungssignalübertragungseinheiten vermieden werden. Da zumindest eine Inselelektrode in der Übertragungsperipherieregion 2 angeordnet ist, gibt es zumindest eine Trennstruktur. Die Trennstruktur kann geschlossen sein, was im Fall I in 1C gezeigt ist; oder die Trennstruktur kann nicht geschlossen sein, was im Fall II in 1C gezeigt ist. Die geschlossene Trennstruktur oder die nicht geschlossene Trennstruktur kann rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sein. Wie im Fall I in 1C gezeigt ist, sind zwei geschlossene Trennstrukturen, die jeweils eine rechteckige Form aufweisen, verschachtelt. Wie im Fall II in 1C gezeigt ist, sind zwei nicht geschlossene Trennstrukturen, die jeweils eine rechteckige Form aufweisen, verschachtelt. Insbesondere beinhaltet jede der nicht geschlossenen Trennstrukturen N Teiltrenneinheiten b, wobei die Teiltrenneinheiten nicht in Kontakt miteinander stehen, und wobei N eine Ganzzahl größer als 1 ist. Die Teiltrenneinheiten b einer nicht geschlossenen Trennstruktur sind versetzt in Bezug auf die Teiltrenneinheiten b einer benachbarten nicht geschlossenen Trennstruktur angeordnet. Wie im Fall III in 1C gezeigt ist, sind zumindest eine geschlossene Trennstruktur und zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur verschachtelt. Jede der zumindest einen nicht geschlossenen Trennstruktur beinhaltet N Teiltrenneinheiten b, wobei die Teiltrenneinheiten nicht in Kontakt miteinander stehen, und wobei N eine Ganzzahl größer als 1 ist. Die zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur weist eine gleiche Form auf wie die zumindest eine geschlossene Trennstruktur.
  • In dem Fall, dass eine Berührung in der Anzeigeregion der Berührungsanzeigevorrichtung 30 auftritt, wird ein Berührungssignal von der Anzeigeregion zu der Peripherieregion übertragen, dann der Reihe nach über die leitfähige Brücke 221, die transparente leitfähige Schicht 224, die zweite leitfähige Schicht 228, die Kathodenschicht 211 und die Anodenreflexionsschicht 208 an die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 übertragen, wodurch das Berührungssignal eingegeben und ausgegeben wird. Mit der Struktur zum Übertragen des Berührungssignals können ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, ein verschmälerter Rand der Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige erzielt werden.
  • 3A und 3B sind jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung 40 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Wie in 3A und 3B gezeigt ist, ist eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf einem ersten Substrat 201 angeordnet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die nacheinander in der oben aufgelisteten Reihenfolge auf dem ersten Substrat 201 angeordnet sind.
  • Eine erste leitfähige Schicht 241 ist auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 angeordnet. Die erste leitfähige Schicht 241 ist eine Pixelelektrodenschicht. Die Pixelelektrodenschicht 241 ist elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden.
  • Eine Berührungssignalübertragungsschicht ist auf einem zweiten Substrat 220 angeordnet. Die Berührungssignalübertragungsschicht beinhaltet mehrere leitfähige Brücken 221. Die leitfähigen Brücken 221 sind mit einer ersten Passivierungsschicht 222 bedeckt. Die erste Passivierungsschicht 222 ist mit einem ersten Durchgangsloch 223 versehen, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Eine transparente leitfähige Schicht 224 ist auf der ersten Passivierungsschicht 222 angeordnet. Insbesondere beinhaltet die transparente leitfähige Schicht 224 mehrere Erfassungselektroden Rx, wobei jede Erfassungselektrode durchgehend ist, und mehrere Treibersegmentelektroden Tx, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch über das erste Durchgangsloch 223 mit der leitfähigen Brücke 221 verbunden und die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch verbunden.
  • Wie in 3B gezeigt ist, ist die transparente leitfähige Schicht 224 durch eine zweite Passivierungsschicht 225 bedeckt und die zweite Passivierungsschicht 225 ist mit einem zweiten Durchgangsloch 226 versehen.
  • Ein Abstandshalter 227 ist außerdem auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet. Eine zweite leitfähige Schicht 228 ist an einer Position des zweiten Durchgangslochs 226 und auf dem Abstandshalter 227 angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Molybdän (Mo) herstellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Ein Teil der zweiten leitfähigen Schicht (228) ist auf dem Abstandshalter 227 angeordnet. Dies bedeutet, dass ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters 227 auf das erste Substrat 201 vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht 241 und der zweiten leitfähigen Schicht 228 auf das erste Substrat 201 teilweise überlappt. Ein weiterer Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht außerdem in Kontakt mit der Pixelelektrodenschicht 241. Die zweite leitfähige Schicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit.
  • In dem Fall, dass eine Berührung in der Anzeigeregion der Berührungsanzeigevorrichtung 40 auftritt, wird ein Berührungssignal von der Anzeigeregion zu der Peripherieregion übertragen, dann der Reihe nach über die leitfähige Brücke 221, die transparente leitfähige Schicht 224, die zweite leitfähige Schicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 an die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 übertragen, wodurch das Berührungssignal eingegeben und ausgegeben wird. Mit der Struktur zum Übertragen des Berührungssignals können ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, ein verschmälerter Rand einer Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige erzielt werden.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion von einer Pixelelektrode in der Anzeigeregion unterbrochen und isoliert ist; so kann die Pixelelektrode in der Anzeigeregion nicht beeinflusst werden, wenn das Berührungssignal in der Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion übertragen wird.
  • 4A und 4B sind jeweilige Schnittansichten einer Anzeigeregion und einer Peripherieregion einer Berührungsanzeigevorrichtung 50 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung.
  • Wie in 4A und 4B gezeigt ist, ist eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf einem ersten Substrat 201 angeordnet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 angeordnet sind.
  • Anders als bei der Berührungsanzeigevorrichtung 40, die in 3B gezeigt ist, ist in der Berührungsanzeigevorrichtung 50 gemäß dem Ausführungsbeispiel ein Abstandshalter 227 zwischen der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 und einer Pixelelektroden 241 angeordnet. Dies bedeutet, dass der Abstandshalter 227 auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 angeordnet ist und eine erste leitfähige Schicht 241 auf dem Abstandshalter 227 angeordnet ist. Die erste leitfähige Schicht 241 ist eine Pixelelektrodenschicht. Die Pixelelektrodenschicht 241 ist elektrisch mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden.
  • Eine Berührungssignalübertragungsschicht ist auf einem zweiten Substrat 220 angeordnet. Die Berührungssignalübertragungsschicht beinhaltet mehrere leitfähige Brücken 221. Die leitfähigen Brücken 221 sind mit einer ersten Passivierungsschicht 222 bedeckt. Die erste Passivierungsschicht 222 ist mit einem ersten Durchgangsloch 223 versehen, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Eine transparente leitfähige Schicht 224 ist auf der ersten Passivierungsschicht 222 angeordnet. Insbesondere beinhaltet die transparente leitfähige Schicht 224 mehrere Erfassungselektroden Rx, wobei jede Erfassungselektrode durchgehend ist, und mehrere Treibersegmentelektroden Tx, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch über das erste Durchgangsloch 223 mit der leitfähigen Brücke 221 verbunden und die mehreren Treibersegmentelektroden Tx sind elektrisch verbunden.
  • Wie in 4B gezeigt ist, ist die transparente leitfähige Schicht 224 durch eine zweite Passivierungsschicht 225 bedeckt und die zweite Passivierungsschicht 225 ist mit einem zweiten Durchgangsloch 226 versehen.
  • Eine zweite leitfähige Schicht 228 ist außerdem auf der zweiten Passivierungsschicht 225 angeordnet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Molybdän (Mo) hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht außerdem in Kontakt mit der Pixelelektrodenschicht 241. Die zweite leitfähige Schicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit. In dem Fall, dass eine Berührung in einer Anzeigeregion einer Berührungsanzeigevorrichtung 50 auftritt, wird ein Berührungssignal aus der Anzeigeregion zu der Peripherieregion übertragen und dann der Reihe nach über die leitfähige Brücke 221, die transparente leitfähige Schicht 224, die zweite leitfähige Schicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 an die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 übertragen, wodurch das Berührungssignal eingegeben und ausgegeben wird. Mit dieser Struktur zum Übertragen des Berührungssignals können ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, ein verschmälerter Rand einer Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige erzielt werden.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass die Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion von einer Pixelelektrode in der Anzeigeregion unterbrochen und isoliert ist; so kann die Pixelelektrode in der Anzeigeregion nicht beeinflusst werden, wenn das Berührungssignal in der Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion übertragen wird.
  • 5A bis 5M stellen einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung dar.
  • Wie in 5A gezeigt ist, wird ein erstes Substrat 201 bereitgestellt. Wie in 5B gezeigt ist, wird eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf dem ersten Substrat 201 gebildet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 gebildet sind.
  • Wie in 5C gezeigt ist, wird eine Passivierungsschicht 230 auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 gebildet. Die Passivierungsschicht 230 wird geätzt, um ein Durchgangsloch 231 zu bilden, durch das ein Teil der Source- und Drain-Schicht 206 freiliegt. Danach wird eine erste Elektrodenschicht 208 gebildet. Die erste Elektrodenschicht 208 ist eine Anodenreflexionsschicht. Die Anodenreflexionsschicht 208 wird geätzt. In einer Übertragungskontaktregion 1 ist die Anodenreflexionsschicht 208 elektrisch über das Durchgangsloch 231 mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. In einer Übertragungsperipherieregion 2 wird die Anodenreflexionsschicht 208 geätzt, um zumindest eine Inselelektrode zu bilden, beispielsweise Inselelektroden 208a und 208b. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten von Materialien und unterschiedliche Materialien weisen für eine gleiche Ätzlösung unterschiedliche Ätzraten auf. Hier wird eine Mischlösung aus Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) als Ätzlösung verwendet und die Anodenreflexionsschicht 208 wird geätzt, um aufgrund unterschiedlicher Ätzraten für die Mischlösung die Inselelektroden 208a und 208b zu bilden, wobei jede Inselelektrode eine umgekehrte Trapezstruktur aufweist.
  • Wie in 5D gezeigt ist, wird eine Pixeldefinitionsschicht 210 auf der Anodenreflexionsschicht 208 gebildet und die Pixeldefinitionsschicht 210 wird geätzt. In der Übertragungskontaktregion 1 wird ein Teil der Pixeldefinitionsschicht 210 geätzt, um ein drittes Durchgangsloch 212 zu bilden, durch das ein Teil der Anodenreflexionsschicht 208 freiliegt. Die Pixeldefinitionsschicht 210 in der Übertragungsperipherieregion 2 wird durch Ätzen entfernt.
  • Wie in 5E gezeigt ist, wird eine Kathodenschicht 211 durch Wärmeaufdampfung auf der Pixeldefinitionsschicht 210 gebildet. In der Übertragungskontaktregion 1 ist ein Teil der Kathodenschicht 211 auf der Pixeldefinitionsschicht 210 gebildet und ein weiterer Teil der Kathodenschicht 211 steht über das dritte Durchgangsloch 212 in Kontakt mit der Anodenreflexionsschicht 208. In der Übertragungsperipherieregion 2 sind Teile der Kathodenschicht 211 auf den Inselelektroden 208a und 208b gebildet und andere Teile der Kathodenschicht 211 sind auf Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b gebildet. Die Kathodenschicht 211 wird durch Wärmeaufdampfung gebildet und die Kathodenschicht 211 kann in dem Fall einer Aufdampfung auf eine unebene Region getrennt werden. Da die Inselelektroden 208a und 208b die umgekehrte Trapezstruktur aufweisen, sind nach der Wärmeaufdampfung eine Kathodenschicht 211a, die auf den Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, und eine Kathodenschicht 211b, die auf den Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, voneinander getrennt und isoliert. In der Übertragungsperipherieregion 2 bilden die Inselelektroden 208a und 208b und die Kathodenschicht 211a, die auf Oberflächen der Inselelektroden 208a und 208b vorgesehen ist, zusammen eine Trennstruktur. Die Übertragungskontaktregion 1 ist durch die Trennstruktur umgeben. Die Berührungssignalübertragungseinheit in der Übertragungskontaktregion 1 einer Berührungstafel P ist durch die Trennstruktur umgeben; so können Signalinterferenzen zwischen benachbarten Berührungssignalübertragungseinheiten vermieden werden. Die Trennstruktur kann geschlossen oder nicht geschlossen sein. Die geschlossene Trennstruktur oder die nicht geschlossene Trennstruktur kann rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sein. Eine spezifische Anordnung der Trennstruktur ist in 1C zu sehen und wird hierin nicht detailliert beschrieben.
  • Wie in 5F gezeigt ist, wird ein zweites Substrat 220 vorgesehen. Wie in 5G gezeigt ist, wird eine erste Metallschicht auf dem zweiten Substrat 220 gebildet und dann wird die erste Metallschicht geätzt, um eine leitfähige Brücke 221 zu bilden. Wie in 5H gezeigt ist, wird eine erste Passivierungsschicht 222 auf der leitfähigen Brücke 221 gebildet und dann wird die erste Passivierungsschicht 222 geätzt, um ein erstes Durchgangsloch 223 zu bilden, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Wie in 5I gezeigt ist, wird eine transparente leitfähige Schicht 224 auf der ersten Passivierungsschicht 222 gebildet. Die transparente leitfähige Schicht 224 steht über das erste Durchgangsloch 223 in Kontakt mit der Metallbrücke 221. Die transparente leitfähige Schicht 224 wird geätzt, um in einer Anzeigeregion mehrere Erfassungselektroden Rx und mehrere Treibersegmentelektroden Tx zu bilden, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Jede der Erfassungselektroden ist durchgehend. Wie in 5J gezeigt ist, wird eine zweite Passivierungsschicht 225 auf der transparenten leitfähigen Schicht 224 gebildet. Die zweite Passivierungsschicht 225 wird geätzt, um ein zweites Durchgangsloch 226 zu bilden, durch das ein Teil der transparenten leitfähigen Schicht 224 freiliegt. Wie in 5K gezeigt ist, wird ein Abstandshalter 227 auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet. Wie in 5L gezeigt ist, wird eine zweite leitfähige Schicht 228 durch Zerstäuben (Sputtern) auf dem Abstandshalter 227 gebildet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Mo hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Ein Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 ist auf dem Abstandshalter 227 gebildet und ein weiterer Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht außerdem in Kontakt mit der Kathodenschicht 211. Wie in 5M gezeigt ist, bilden die zweite leitfähige Schicht 228 und die Kathodenschicht 211 zusammen eine Berührungssignalübertragungseinheit.
  • 6A bis 6M stellen einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung 30 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung dar.
  • Wie in 6A gezeigt ist, wird ein erstes Substrat 201 bereitgestellt. Wie in 6B gezeigt ist, wird eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf dem ersten Substrat 201 gebildet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 gebildet sind.
  • Wie in 6C gezeigt ist, wird eine Passivierungsschicht 230 auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 gebildet. Die Passivierungsschicht 230 wird geätzt, um ein Durchgangsloch 231 zu bilden, durch das ein Teil der Source- und Drain-Schicht 206 freiliegt. Danach wird eine erste Elektrodenschicht 208 gebildet. Die erste Elektrodenschicht 208 ist eine Anodenreflexionsschicht. Die Anodenreflexionsschicht 208 wird geätzt. In einer Übertragungskontaktregion 1 ist die Anodenreflexionsschicht 208 elektrisch über das Durchgangsloch 231 mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden. In einer Übertragungsperipherieregion 2 wird die Anodenreflexionsschicht 208 geätzt, um zumindest eine Inselelektrode zu bilden, beispielsweise Inselelektroden 208a und 208b. Die Anodenreflexionsschicht 208 beinhaltet drei Schichten von Materialien und unterschiedliche Materialien weisen für eine gleiche Ätzlösung unterschiedliche Ätzraten auf. Hier wird eine Mischlösung aus Salpetersäure (HNO3) und Essigsäure (CH3COOH) als Ätzlösung verwendet und die Anodenreflexionsschicht 208 wird geätzt, um aufgrund unterschiedlicher Ätzraten für die Mischlösung die Inselelektroden 208a und 208b zu bilden, wobei jede Inselelektrode eine umgekehrte Trapezstruktur aufweist.
  • Wie in 6D gezeigt ist, ist eine Pixeldefinitionsschicht 210 auf der Anodenreflexionsschicht 208 gebildet und die Pixeldefinitionsschicht 210 wird geätzt. In der Übertragungskontaktregion 1 wird ein Teil der Pixeldefinitionsschicht 210 geätzt, um ein drittes Durchgangsloch 212 zu bilden, durch das ein Teil der Anodenreflexionsschicht 208 freiliegt. Die Pixeldefinitionsschicht 210 in der Übertragungsperipherieregion 2 wird durch Ätzen entfernt.
  • Wie in 6E gezeigt ist, wird ein Abstandshalter 227 auf der Pixeldefinitionsschicht 210 gebildet. Wie in 6F gezeigt ist, wird eine Kathodenschicht 211 durch Wärmeaufdampfung auf dem Abstandshalter 227 gebildet. In der Übertragungskontaktregion 1 ist ein Teil der Kathodenschicht 211 auf dem Abstandshalter 227 gebildet, ein Teil der Kathodenschicht 211 ist auf der Pixeldefinitionsschicht 210 gebildet und ein Teil der Kathodenschicht 211 steht über das dritte Durchgangsloch 212 in Kontakt mit der Anodenreflexionsschicht 208. In der Übertragungsperipherieregion 2 sind Teile der Kathodenschicht 211 auf den Inselelektroden 208a und 208b gebildet und weitere Teile der Kathodenschicht 211 sind auf Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b gebildet. Die Kathodenschicht 211 ist durch Wärmeaufdampfung gebildet und die Kathodenschicht 211 kann in dem Fall einer Aufdampfung auf eine unebene Region getrennt werden. Da die Inselelektroden 208a und 208b die umgekehrte Trapezstruktur aufweisen, sind nach der Wärmeaufdampfung ein Teil der Kathodenschicht 211, der auf den Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, und ein Teil der Kathodenschicht 211, der auf den Peripherien der Inselelektroden 208a und 208b angeordnet ist, voneinander getrennt und isoliert sein. In der Übertragungsperipherieregion 2 bilden die Inselelektroden 208a und 208b und die Kathodenschicht 211a, die auf Oberflächen der Inselelektroden 208a und 208b vorgesehen ist, zusammen eine Trennstruktur. Die Übertragungskontaktregion 1 ist durch die Trennstruktur umgeben. Die Berührungssignalübertragungseinheit in der Übertragungskontaktregion 1 einer Berührungsanzeige P ist durch die Trennstruktur umgeben; so können Signalinterferenzen zwischen benachbarten Berührungssignalübertragungseinheiten vermieden werden. Die Trennstruktur kann geschlossen oder nicht geschlossen sein. Die geschlossene Trennstruktur oder die nicht geschlossene Trennstruktur kann rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sein. Eine spezifische Anordnung der Trennstruktur ist in 1C zu sehen und wird hierin nicht detaillierter beschrieben.
  • Wie in 6G gezeigt ist, wird ein zweites Substrat 220 bereitgestellt. Wie in 6H gezeigt ist, wird eine erste Metallschicht auf dem zweiten Substrat 220 gebildet und dann wird die erste Metallschicht geätzt, um eine leitfähige Brücke 221 zu bilden. Wie in 6I gezeigt ist, wird eine erste Passivierungsschicht 222 auf der leitfähigen Brücke 221 gebildet und dann wird die erste Passivierungsschicht 222 geätzt, um ein erstes Durchgangsloch 223 zu bilden, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Wie in 6J gezeigt ist, wird eine transparente leitfähige Schicht 224 auf der ersten Passivierungsschicht 222 gebildet. Die transparente leitfähige Schicht 224 steht über das erste Durchgangsloch 223 in Kontakt mit der Metallbrücke 221. Die transparente leitfähige Schicht 224 wird geätzt, um in einer Anzeigeregion mehrere Erfassungselektroden Rx und mehrere Treibersegmentelektroden Tx zu bilden, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Jede der Erfassungselektroden ist durchgehend. Wie in 6K gezeigt ist, wird eine zweite Passivierungsschicht 225 auf der transparenten leitfähigen Schicht 224 gebildet. Die zweite Passivierungsschicht 225 wird geätzt, um ein zweites Durchgangsloch 226 zu bilden, durch das ein Teil der transparenten leitfähigen Schicht 224 freiliegt.
  • Wie in 6L gezeigt ist, wird eine zweite leitfähige Schicht 228 durch Zerstäuben auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Mo hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Die zweite leitfähige Schicht 228 ist auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Die zweite leitfähige Schicht 228 steht außerdem in Kontakt mit der Kathodenschicht 211. Wie in 6M gezeigt ist, bilden die zweite leitfähige Schicht 228 und die Kathodenschicht 211 zusammen eine Berührungssignalübertragungseinheit.
  • 7A bis 7K stellen einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung 40 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung dar.
  • Wie in 7A gezeigt ist, wird ein erstes Substrat 201 bereitgestellt. Wie in 7B gezeigt ist, wird eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf dem ersten Substrat 201 gebildet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 gebildet sind.
  • Wie in 7C gezeigt ist, wird eine Passivierungsschicht 230 auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 gebildet. Die Passivierungsschicht 230 wird geätzt, um ein Durchgangsloch 231 zu bilden, durch das ein Teil der Source- und Drain-Schicht 206 freiliegt. Danach wird eine erste leitfähige Schicht 241 gebildet. Die erste leitfähige Schicht 241 ist eine Pixelelektrodenschicht. Die Pixelelektrodenschicht 241 wird elektrisch über das Durchgangsloch 231 mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden und dann wird die Pixelelektrodenschicht 241 geätzt.
  • Wie in 7D gezeigt ist, wird ein zweites Substrat 220 bereitgestellt. Wie in 7E gezeigt ist, wird eine erste Metallschicht auf dem zweiten Substrat 220 gebildet und dann wird die erste Metallschicht geätzt, um eine leitfähige Brücke 221 zu bilden. Wie in 7F gezeigt ist, wird eine erste Passivierungsschicht 222 auf der leitfähigen Brücke 221 gebildet und dann wird die erste Passivierungsschicht 222 geätzt, um ein erstes Durchgangsloch 223 zu bilden, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Wie in 7G gezeigt ist, wird eine transparente leitfähige Schicht 224 auf der ersten Passivierungsschicht 222 gebildet. Die transparente leitfähige Schicht 224 steht über das erste Durchgangsloch 223 in Kontakt mit der Metallbrücke 221. Die transparente leitfähige Schicht 224 wird geätzt, um in einer Anzeigeregion mehrere Erfassungselektroden Rx und mehrere Treibersegmentelektroden Tx zu bilden, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Jede der Erfassungselektroden ist durchgehend. Wie in 7H gezeigt ist, wird eine zweite Passivierungsschicht 225 auf der transparenten leitfähigen Schicht 224 gebildet. Die zweite Passivierungsschicht 225 wird geätzt, um ein zweites Durchgangsloch 226 zu bilden, durch das ein Teil der transparenten leitfähigen Schicht 224 freiliegt.
  • Wie in 7I gezeigt ist, wird ein Abstandshalter 227 auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet. Wie in 7J gezeigt ist, wird eine zweite leitfähige Schicht 228 durch Sputtern auf dem Abstandshalter 227 gebildet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Mo hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Ein Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 wird auf dem Abstandshalter 227 gebildet und ein weiterer Teil der zweiten leitfähigen Schicht 228 wird auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Wie in 7K gezeigt ist, steht die zweite leitfähige Schicht 228 außerdem in Kontakt mit der Pixelelektrodenschicht 241. Die Metallschicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit. Es wird darauf hingewiesen, dass die Pixelelektrodenschicht in einer Peripherieregion von einer Pixelelektrode in der Anzeigeregion getrennt und isoliert ist; so kann die Pixelelektrode in der Anzahl der Region nicht beeinflusst werden, wenn das Berührungssignal in der Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion übertragen wird.
  • 8A bis 8K stellen einen Fluss eines Verfahrens zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung 50 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung dar.
  • Wie in 8A gezeigt ist, wird ein erstes Substrat 201 bereitgestellt. Wie in 8B gezeigt ist, wird eine Dünnfilmtransistorelementschicht 202 auf dem ersten Substrat 201 gebildet. Die Dünnfilmtransistorelementschicht 202 beinhaltet mehrere TFT-Schalter. Die TFT-Schalter beinhalten eine Gate-Schicht 203, eine Gate-Isolierschicht 204, eine Halbleiterschicht 205 und eine Source- und Drain-Schicht 206, die in der oben aufgelisteten Reihenfolge nacheinander auf dem ersten Substrat 201 gebildet sind.
  • Wie in 8C gezeigt ist, wird eine Passivierungsschicht 230 auf der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 gebildet. Die Passivierungsschicht 230 wird geätzt, um ein Durchgangsloch 231 zu bilden, durch das ein Teil der Source- und Drain-Schicht 206 freiliegt. Ein Abstandshalter 227 wird auf der Passivierungsschicht 230 gebildet. Wie in 8D gezeigt ist, wird eine erste leitfähige Schicht 241 auf dem Abstandshalter 227 gebildet. Die erste leitfähige Schicht 241 ist eine Pixelelektrodenschicht. Die Pixelelektrodenschicht 241 ist elektrisch über das Durchgangsloch 231 mit der Dünnfilmtransistorelementschicht 202 verbunden und dann wird die Pixelelektrodenschicht 241 geätzt.
  • Wie in 8E gezeigt ist, wird ein zweites Substrat 220 bereitgestellt. Wie in 8F gezeigt ist, wird eine erste Metallschicht 221 auf dem zweiten Substrat 220 gebildet und dann wird die erste Metallschicht geätzt, um eine leitfähige Brücke 221 zu bilden. Wie in 8G gezeigt ist, wird eine erste Passivierungsschicht 222 auf der leitfähigen Brücke 221 gebildet und dann wird die erste Passivierungsschicht 222 geätzt, um ein erstes Durchgangsloch 223 zu bilden, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke 221 freiliegt. Wie in 8H gezeigt ist, wird eine transparente leitfähige Schicht 224 auf der ersten Passivierungsschicht 222 gebildet. Die transparente leitfähige Schicht 224 steht über das erste Durchgangsloch 223 in Kontakt mit der Metallbrücke 221. Die transparente leitfähige Schicht 224 wird geätzt, um in einer Anzeigeregion mehrere Erfassungselektroden Rx und mehrere Treibersegmentelektroden Tx zu bilden, die durch die mehreren Erfassungselektroden Rx getrennt sind. Jede der Erfassungselektroden ist durchgehend. Wie in 8I gezeigt ist, wird eine zweite Passivierungsschicht 225 auf der transparenten leitfähigen Schicht 224 gebildet. Die zweite Passivierungsschicht 225 wird geätzt, um ein zweites Durchgangsloch 226 zu bilden, durch das ein Teil der transparenten leitfähigen Schicht 224 freiliegt.
  • Wie in 8J gezeigt ist, wird eine zweite leitfähige Schicht 228 auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet. Die zweite leitfähige Schicht 228 kann eine Metallschicht sein, die aus Mo hergestellt ist, oder kann eine Verbundmetallschicht sein. Die zweite leitfähige Schicht 228 wird auf der zweiten Passivierungsschicht 225 gebildet und steht über das zweite Durchgangsloch 226 in Kontakt mit der transparenten leitfähigen Schicht 224. Wie in 8K gezeigt ist, steht die zweite leitfähige Schicht 228 außerdem in Kontakt mit der Pixelelektrodenschicht 241. Die Metallschicht 228 und die Pixelelektrodenschicht 241 zusammen bilden eine Berührungssignalübertragungseinheit. Es wird darauf hingewiesen, dass die Pixelelektrodenschicht in einer Peripherieregion von einer Pixelelektrode in der Anzeigeregion getrennt und isoliert ist; so kann die Pixelelektrode in der Anzeigeregion nicht beeinflusst werden, wenn das Berührungssignal in der Pixelelektrodenschicht in der Peripherieregion übertragen wird.
  • Zusammenfassend werden die Berührungsanzeigevorrichtungen und die Verfahren zum Herstellen derselben in der Offenbarung bereitgestellt. Die Berührungsanzeigevorrichtungen nehmen spezifische Strukturen an, mit denen Signalübertragungen zwischen oberen Substraten und unteren Substraten in den Berührungsanzeigevorrichtungen erzielt werden können. Vergleichen mit herkömmlichen Berührungsanzeigevorrichtungen können ein vereinfachter Herstellungsvorgang, ein verbesserter Ertrag, verschmälerte Ränder der Anzeige und eine verminderte Dicke der Anzeige in den Berührungsanzeigevorrichtungen erzielt werden, die in der Offenbarung bereitgestellt werden.
  • Die Berührungsanzeigevorrichtungen und die Verfahren zum Herstellen derselben gemäß Ausführungsbeispielen der Offenbarung sind detailliert beschrieben. Spezifische Beispiele werden hierin verwendet, um das Prinzip und Ausführungsbeispiele der Offenbarung darzulegen, und die oben erwähnten Beschreibungen der Ausführungsbeispiele dienen lediglich dem Verständnis der Offenbarung. Ferner können Veränderungen an den Ausführungsbeispielen und Anwendungsbereichen der Offenbarung durch Fachleute auf diesem Gebiet basierend auf der Grundidee der Offenbarung vorgenommen werden. Zusammenfassend soll die Beschreibung die Offenbarung nicht einschränken.

Claims (20)

  1. Berührungsanzeigevorrichtung, die folgende Merkmale aufweist: ein erstes Substrat (201); ein zweites Substrat (220), das gegenüber von dem ersten Substrat (201) angeordnet ist; und zumindest eine Berührungssignalübertragungseinheit, die folgende Merkmale aufweist: eine erste leitfähige Schicht, die sich über einer Seite des ersten Substrats (201) befindet, wobei die Seite des ersten Substrats (201) dem zweiten Substrat zugewandt ist; eine zweite leitfähige Schicht (228), die sich über einer Seite des zweiten Substrats (220) befindet, wobei die Seite des zweiten Substrats (220) dem ersten Substrat zugewandt ist; eine Berührungssignalübertragungsschicht, die sich zwischen der zweiten leitfähigen Schicht (228) und dem zweiten Substrat (220) befindet und elektrisch über die zweite leitfähige Schicht (228) mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist; und einen Abstandshalter (227), der sich zwischen dem ersten Substrat (201) und dem zweiten Substrat (220) befindet, wobei ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters (227) auf das erste Substrat (201) jeweilige vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht (228) auf das erste Substrat (201) zumindest teilweise überlappt.
  2. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der der Abstandshalter (227) über dem zweiten Substrat (220) angeordnet ist und sich zwischen der Berührungssignalübertragungsschicht und der zweiten leitfähigen Schicht (228) befindet, oder der Abstandshalter (227) über dem ersten Substrat (201) angeordnet ist und sich zwischen dem ersten Substrat (201) und der ersten leitfähigen Schicht befindet.
  3. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, die ferner eine Dünnfilmtransistorelementschicht (202) und eine Pixelelektrodenschicht (241) aufweist, die nacheinander auf dem ersten Substrat angeordnet sind, wobei die Dünnfilmtransistorelementschicht (202) eine Mehrzahl von Dünnfilmtransistorschaltern aufweist.
  4. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3, bei der die erste leitfähige Schicht die Pixelelektrodenschicht (241) ist.
  5. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 3 oder 4, die ferner eine organische lichtemittierende Pixelschicht (207) aufweist, die auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202) angeordnet ist, wobei die organische lichtemittierende Pixelschicht (207) eine erste Elektrodenschicht (208), eine Pixeldefinitionsschicht (210) und eine zweite Elektrodenschicht (211) aufweist, die nacheinander geschichtet sind, und wobei die erste leitfähige Schicht die zweite Elektrodenschicht (211) ist.
  6. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 5, bei der die Berührungssignalübertragungseinheit in einer Übertragungskontaktregion (1) und einer Übertragungsperipherieregion (2) angeordnet ist, wobei zumindest eine Trennstruktur in der Übertragungsperipherieregion (2) angeordnet ist und die Übertragungskontaktregion (1) durch die zumindest eine Trennstruktur umgeben ist.
  7. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der zumindest zwei Trennstrukturen verschachtelt sind, wobei jede Trennstruktur geschlossen ist, und die zumindest zwei Trennstrukturen rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sind.
  8. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der zumindest zwei Trennstrukturen verschachtelt sind, wobei jede Trennstruktur nicht geschlossen ist und N Teiltrenneinheiten aufweist, wobei die Teiltrenneinheiten nicht in Kontakt miteinander stehen, N eine Ganzzahl größer als 1 ist und die Teiltrenneinheiten einer nicht geschlossenen Trennstruktur versetzt mit den Teiltrenneinheiten einer benachbarten nicht geschlossenen Trennstruktur angeordnet sind, und wobei die zumindest zwei Trennstrukturen rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sind.
  9. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß Anspruch 6, bei der zumindest eine geschlossene Trennstruktur und zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur verschachtelt sind, wobei jede nicht geschlossene Trennstruktur N Teiltrenneinheiten aufweist, wobei die Teiltrenneinheiten nicht in Kontakt miteinander stehen, N eine Ganzzahl größer als 1 ist und die zumindest eine nicht geschlossene Trennstruktur eine gleiche Form aufweist wie die zumindest eine geschlossene Trennstruktur, und wobei die Trennstrukturen rechteckig, kreisförmig oder vieleckig sind.
  10. Berührungsanzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 5 bis 9, bei der der Abstandshalter (227) zwischen der Pixeldefinitionsschicht (210) und der ersten leitfähigen Schicht angeordnet ist.
  11. Verfahren zum Herstellen einer Berührungsanzeigevorrichtung, wobei die Berührungsanzeigevorrichtung folgende Merkmale aufweist: ein erstes Substrat (201); ein zweites Substrat (220), das gegenüber von dem ersten Substrat (201) angeordnet ist; und zumindest eine Berührungssignalübertragungseinheit, die folgende Merkmale aufweist: eine erste leitfähige Schicht, die sich über einer Seite des ersten Substrats (201) befindet, wobei die Seite des ersten Substrats (201) dem zweiten Substrat zugewandt ist, eine zweite leitfähige Schicht (228), die sich über einer Seite des zweiten Substrats (220) befindet, wobei die Seite des zweiten Substrats (220) dem ersten Substrat zugewandt ist, eine Berührungssignalübertragungsschicht, die sich zwischen der zweiten leitfähigen Schicht (228) und dem zweiten Substrat (220) befindet und elektrisch über die zweite leitfähige Schicht (228) mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist, und einen Abstandshalter (227), der sich zwischen dem ersten Substrat (201) und dem zweiten Substrat (220) befindet, wobei ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters (227) auf das erste Substrat (201) jeweilige vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht (228) auf das erste Substrat (201) zumindest teilweise überlappt; wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen des ersten Substrats (201) und des zweiten Substrats (220); Bilden der Berührungssignalübertragungsschicht auf dem zweiten Substrat (220); Bilden des Abstandshalters (227) über dem ersten Substrat (201) oder über dem zweiten Substrat (220); und Bilden der ersten leitfähigen Schicht über dem ersten Substrat (201), Bilden der zweiten leitfähigen Schicht (228) über dem zweiten Substrat (220) und gemeinsames Bilden der Berührungssignalübertragungseinheit durch die erste leitfähige Schicht und die zweite leitfähige Schicht (228); wobei ein vertikaler Vorsprung des Abstandshalters (227) auf das erste Substrat (201) jeweilige vertikale Vorsprünge der ersten leitfähigen Schicht und der zweiten leitfähigen Schicht (228) auf das erste Substrat (201) zumindest teilweise überlappt.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 11, bei dem das Bilden der Berührungssignalübertragungsschicht folgende Schritte aufweist: Bilden einer leitfähigen Brücke (221) über dem zweiten Substrat (220); Bilden einer ersten Passivierungsschicht (222), die die leitfähige Brücke (221) bedeckt; Ätzen der ersten Passivierungsschicht (222), um ein erstes Durchgangsloch (223) zu bilden, durch das ein Teil der leitfähigen Brücke (221) freiliegt; und Bilden einer Mehrzahl von Erfassungselektroden und einer Mehrzahl von Treibersegmentelektroden auf der ersten Passivierungsschicht (222), wobei jede Erfassungsschicht durchgehend ist, wobei die Mehrzahl von Treibersegmentelektroden und die Mehrzahl von Erfassungselektroden abwechselnd angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Treibersegmentelektroden elektrisch über das erste Durchgangsloch (223) mit der leitfähigen Brücke (221) verbunden ist und die Mehrzahl der Treibersegmentelektroden elektrisch verbunden ist.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 11 oder 12, bei dem das Bilden des Abstandshalters (227) folgenden Schritt aufweist: Bilden des Abstandshalters (227) auf der Berührungssignalübertragungsschicht.
  14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, das ferner ein Bilden einer Dünnfilmtransistorelementschicht (202) auf dem ersten Substrat (201) aufweist, wobei die Dünnfilmtransistorelementschicht (202) eine Mehrzahl von Dünnfilmtransistorschaltern aufweist.
  15. Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem das Bilden des Abstandshalters (227) folgenden Schritt aufweist: Bilden des Abstandshalters (227) auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202) auf dem ersten Substrat (201).
  16. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Bilden der Berührungssignalübertragungseinheit folgende Schritte aufweist: Bilden einer Pixelelektrodenschicht (241) auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202) und auf dem Abstandshalter (227), wobei die Pixelelektrodenschicht (241) die erste leitfähige Schicht ist; und Bilden der zweiten leitfähigen Schicht (228) auf dem zweiten Substrat (220), wobei die zweite leitfähige Schicht (228) elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist.
  17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, das ferner ein Bilden einer organischen lichtemittierenden Pixelschicht (207) auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202) aufweist, wobei die organische lichtemittierende Pixelschicht (207) eine erste Elektrodenschicht (2085), eine Pixeldefinitionsschicht (210) und eine zweite Elektrodenschicht (211) aufweist, die nacheinander geschichtet sind.
  18. Verfahren gemäß Anspruch 17, bei dem die Berührungssignalübertragungseinheit in einer Übertragungskontaktregion (1) und einer Übertragungsperipherieregion (2) angeordnet ist und das Bilden der Berührungssignalübertragungseinheit folgende Schritte aufweist: Bilden der zweiten Elektrodenschicht (211) auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202), wobei die zweite Elektrodenschicht (211) die erste leitfähige Schicht ist, und Bilden zumindest einer Trennstruktur in der Übertragungsperipherieregion (2); und Bilden der zweiten leitfähigen Schicht (228) über dem zweiten Substrat (220), wobei in der Übertragungskontaktregion (1) die zweite leitfähige Schicht (228) elektrisch mit der ersten leitfähigen Schicht verbunden ist.
  19. Verfahren gemäß Anspruch 18, bei dem das Bilden der Trennstruktur folgende Schritte aufweist: Bilden der ersten Elektrodenschicht (208) auf der Dünnfilmtransistorelementschicht (202) und Strukturieren der ersten Elektrodenschicht (208), um zumindest eine Inselelektrode in der Übertragungsperipherieregion (2) zu bilden, wobei die Übertragungskontaktregion (1) durch die zumindest eine Inselelektrode umgeben ist; und Bilden der zweiten Elektrodenschicht (211), wobei ein Teil der zweiten Elektrodenschicht (211) auf der zumindest einen Inselelektrode gebildet ist, wobei ein weiterer Teil der zweiten Elektrodenschicht (211) auf einer Peripherie der zumindest einen Inselelektrode gebildet ist, und wobei der Teil der zweiten Elektrodenschicht (211) auf der zumindest einen Inselelektrode von dem weiteren Teil der zweiten Elektrodenschicht (211) auf der Peripherie der zumindest einen Inselelektrode getrennt und isoliert ist; wobei die zumindest eine Inselelektrode eine umgekehrte Trapezstruktur aufweist.
  20. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 17 bis 19, bei dem das Bilden des Abstandshalters (227) folgenden Schritt aufweist: Bilden des Abstandshalters (227) auf der Pixeldefinitionsschicht (210).
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