CN107844209B - 触控显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种触控显示装置。该触控显示装置包括：一基板；一第一电极层与多条导线，位于该基板上；一像素定义层，位于该第一电极层上；多个发光单元，位于该像素定义层中；多个孔洞，位于该像素定义层中；一第二电极层，位于该像素定义层上，其中该第二电极层电连接该多个发光单元与该第一电极层，且一部分的该第二电极层通过该多个孔洞电连接该多条导线；一分隔层，位于该像素定义层上，其中该分隔层包围数个该多个发光单元；其中该多条导线电连接至少一信号源。

Description

触控显示装置
技术领域
本发明涉及一种触控显示装置，特别是涉及一种自电容及互电容的触控显示装置。
背景技术
毫无疑问地，有机发光二极管(OLED)是现今显示技术的主流，且在穿戴式、移动式与汽车相关的显示应用上会变得越来越流行。根据应用的目的，触控功能是必要具备的。目前，由于in-cell触控的OLED技术在产品开发上面临许多问题，例如材料、制作工艺或驱动方式，因此，尚无任何适合的in-cell触控感测技术可供OLED显示器使用。
因此，开发一种具竞争性的in-cell触控的触控显示装置是众所期待的。
发明内容
本发明的一实施例提供一种触控显示装置，包括：一基板，包含一显示区与一非显示区；一第一电极层与多条导线，位于该基板上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)，位于该第一电极层上；多个发光单元，位于该像素定义层中；多个孔洞(via)，位于该像素定义层中；一第二电极层，位于该像素定义层上，其中该第二电极层电连接该多个发光单元与该第一电极层，且一部分的该第二电极层通过该多个孔洞电连接该多条导线；一分隔层，位于该像素定义层上，其中该分隔层包围数个该多个发光单元；其中该多条导线，由该显示区延伸至该非显示区且电连接至少一信号源。
本发明的一实施例提供一种触控显示装置，包括：一基板，包含一显示区与一非显示区；一第一电极层与多条导线，位于该基板上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)，位于该第一电极层上；多个发光单元，位于该像素定义层中；一第二电极层，位于该像素定义层上，该第二电极层包含有一第一部分与一第二部分，该第一部分电连接该多个发光单元与该第一电极层，且该第二部分与该第一部分电绝缘；一盖层，位于该第二电极层上；一第三电极层，位于该盖层上；其中该多条导线分别电连接该第二电极层或该第三电极层，且该多条导线由该显示区延伸至该非显示区，且电连接多个信号源。
本发明的一实施例提供一种触控显示装置，包括：一基板，包含一显示区与一非显示区；一第一电极层与多条导线，位于该基板上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)，位于该第一电极层上；多个发光单元，位于该像素定义层中；多个分隔层，位于该像素定义层上；一第二电极层，位于该像素定义层上，该第二电极层包含有多个第一部分与多个第二部分，该多个第一部分位于该多个发光单元上，且该多个第二部分位于该多个分隔层上；其中该多条导线分别电连接该多个第一部分或该多个第二部分，且该多条导线由该显示区延伸至该非显示区，且电连接多个信号源。
为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
附图说明
图1A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图1B为图1A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图2A～图2D是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置制造方法的剖面示意图；
图3A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图3B为图3A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图4A～图4D是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置制造方法的剖面示意图；
图5A～图5D是根据本发明的实施例，多种双层结构分隔层的剖面示意图；
图6A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图6B为图6A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图7A～图7E是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置制造方法的剖面示意图；
图8A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图8B为图8A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图9A～图9E是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置制造方法的剖面示意图；
图10A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图10B为图10A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图11A～图11H是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置制造方法的剖面示意图；
图12是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图13A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图13B为图13A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图；
图14A是根据本发明的一实施例，一种触控显示装置的上视图；
图14B为图14A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置的剖面示意图。
符号说明
10、100、1000～触控显示装置；
11、12、13、14～发光区块；
16、160、1600～基板；
18、180、1800～像素定义层；
19、190、1900～第一电极层；
20、200、2000～发光单元；
22、22’～孔洞；
24、240、2400、4400～第二电极层；
26、27、27’、260、270、270’、2600、2700、2700’～(第一)(第二)分隔层(层)；
26、260～双层结构；
28、30、280、281、282、283、290、291、292、293、300、301、2800、2801、2802、2803、2804、2805、2806、2807、2900、2901、2902、2903～导线；
32、34、35、320、340、341、342、343、350、351、3200、3201、3202、3203、3204、3205、3206、3207、3400、3401、3402、3403～信号源；
36、360、3600～倾斜侧壁；
38～导电层；
352～接地信号源；
420～盖层；
440～第三电极层；
3100～连接导线；
AA～显示区；
NA～非显示区；
Rx～感测信号；
Tx～驱动信号；
θ～分隔层的倾斜侧壁的倾斜角度。
具体实施方式
请参阅图1A及图1B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置10。图1A为触控显示装置10的上视图。图1B为图1A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置10的剖面示意图。
如图1A所示，触控显示装置10为一自电容(self-type capacitance)触控显示装置。
如图1A所示，触控显示装置10包括多个发光区块(11、12、13、14)。在本实施例中，以发光区块11为例做说明。
触控显示装置10包括一基板16，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层19，位于基板16上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)18，位于第一电极层19上；多个发光单元20，位于像素定义层18所定义的像素区域中；多个孔洞(via)(22、22’)，位于像素定义层18中；一第二电极层24，位于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，且一部分的第二电极层24位于孔洞(22、22’)中；一分隔层26，位于像素定义层18上，分隔层26包围多个发光单元20；以及多条导线(28、30)，与第一电极层19位于同一层或不同层。第二电极层24通过孔洞(22、22’)与导线(28、30)电连接，且导线(28、30)由显示区AA延伸至非显示区NA，且电连接至少一信号源(32、34)。在部分实施例中，第一电极层19可为一阳极，位于发光单元20下方，且导线(28、30)可为第一电极层19的一部分。值得注意的是，第二电极层24可同时做为阴极及触控电极之用。且值得注意的是，分隔层26并不限制为连续而不中断的包围发光单元20，分隔层26也可以分拆成多个不连续的分隔层26。
在本实施例中，导线28自孔洞22延伸与信号源32连接，以及导线30自孔洞22’延伸与信号源34连接。值得注意的是，信号源32可提供驱动阴极的信号，信号源34可提供驱动触控电极的信号。在本实施例中，信号源32与信号源34可于同一时段或不同时段分别提供驱动阴极的信号以及驱动触控电极的信号。
在部分实施例中，分隔层26可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层26由单层结构所构成，通过调整制作工艺参数，令分隔层26较低部分的蚀刻程度大于较高部分的蚀刻程度，使其具有一倾斜侧壁36。值得注意的是，分隔层26的倾斜侧壁36的倾斜角度θ较佳大于90度。在部分实施例中，分隔层26由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。须注意的是，后续实施例所提到的倾斜角度是以图1B标示为基准，为求图示简洁故不再重复标示。
在部分实施例中，于分隔层26上，还包括形成有一导电层38。值得注意的是，导电层38可接地以做为一接地电极(grounding electrode)、接收一固定电位做为一共同电极(common electrode)、或为浮接(floating)。
请参阅图2A～图2D，根据本发明图1A～图1B的一实施例，提供一种触控显示装置的制造方法。图2A～图2D为触控显示装置制造方法的剖面示意图。
如图2A所示，提供一基板16。于基板16上，形成有一图案化的像素定义层(pixeldefine layer，PDL)18。图案化的像素定义层18具有多个开口(40、40’、40”)，并于开口(40、40’、40”)中分别设置有导线(28、30)及第一电极层19(阳极)。
如图2B所示，形成一分隔层26于图案化的像素定义层18上。在本实施例中，分隔层26由单层结构所构成，通过调整制作工艺参数，令分隔层26较低部分的蚀刻程度大于较高部分的蚀刻程度，使其具有一倾斜侧壁36。值得注意的是，分隔层26的倾斜侧壁36的倾斜角度较佳大于90度。在部分实施例中，分隔层26由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。
如图2C所示，设置发光单元20于图案化的像素定义层18的开口40”中。
如图2D所示，形成一第二电极层24于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，并填入开口(40、40’)，与导线(28、30)连接，以及形成一导电层38于分隔层26上。值得注意的是，导电层38可接地以做为一接地电极(groundingelectrode)、接收一固定电位做为一共同电极(common electrode)、或为浮接(floating)。在本发明一实施例中，第二电极层24与导电层38是在同一个步骤中完成，并且包含相同的材料，但并不以此为限。至此，即完成本实施例触控显示装置10的制作。
请参阅图3A及图3B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置10。图3A为触控显示装置10的上视图。图3B为图3A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置10的剖面示意图。
如图3A所示，触控显示装置10为一自电容(self-type capacitance)触控显示装置。
如图3A所示，触控显示装置10包括多个发光区块(11、12、13、14)。在本实施例中，以发光区块11为例做说明。
触控显示装置10包括一基板16，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层19，位于基板16上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)18，位于第一电极层19上；多个发光单元20，位于像素定义层18所定义的像素区域中；多个孔洞(via)(22、22’)，位于像素定义层18中；一第二电极层24，位于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，且一部分的第二电极层24位于孔洞(22、22’)中；一分隔层26，位于像素定义层18上，分隔层26包围多个发光单元20；以及一条导线的两个分支(28、30)，自孔洞(22、22’)延伸且分别电连接第二电极层24与一信号源35。在部分实施例中，第一电极层19可为一阳极，位于发光单元20下方。值得注意的是，第二电极层24可同时做为阴极及触控电极之用。
在本实施例中，导线的其中之一分支28自孔洞22延伸与信号源35连接，以及导线的其中之另一分支30自孔洞22’延伸与信号源35连接。值得注意的是，信号源35可提供驱动阴极的信号以及驱动触控电极的信号。在本实施例中，信号源35可于不同时段分别提供驱动阴极的信号以及驱动触控电极的信号。
在部分实施例中，分隔层26可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层26由双层结构(例如下层27、上层27’)所构成。值得注意的是，由双层结构(例如下层27、上层27’)所构成的分隔层26的各层较佳具有不同蚀刻程度，例如下层27的蚀刻程度大于上层27’的蚀刻程度，使得分隔层26由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。值得注意的是，下层27的厚度较佳大于第二电极层24的厚度。
在部分实施例中，于分隔层26上，还包括形成有一导电层38。值得注意的是，导电层38可接地以做为一接地电极(grounding electrode)、接收一固定电位做为一共同电极(common electrode)、或为浮接(floating)。。
请参阅图4A～图4D，根据本发明图3A～图3B的一实施例，提供一种触控显示装置的制造方法。图4A～图4D为触控显示装置制造方法的剖面示意图。
如图4A所示，提供一基板16。于基板16上，形成有一图案化的像素定义层(pixeldefine layer，PDL)18。图案化的像素定义层18具有多个开口(40、40’、40”)，并于开口(40、40’、40”)中分别设置有导线(28、30)及第一电极层19(阳极)。此外，全面性地形成一第一分隔层27于图案化的像素定义层18表面并覆盖导线(28、30)及第一电极层19。
如图4B所示，形成一图案化的第二分隔层27’于第一分隔层27上。
如图4C所示，例如以图案化的第二分隔层27’作为第一分隔层27的掩模以进行一蚀刻制作工艺，以移除导线(28、30)及第一电极层19上的第一分隔层27，获得一分隔层26。
在本实施例中，分隔层26由双层结构(例如下层27、上层27’)所构成。由于双层结构(例如下层27、上层27’)所构成的分隔层26的材料不同，例如下层27为无机物，而上层27’为有机物。因此，选用不同的蚀刻液即可对分隔层26的双层结构做选择性的蚀刻。在部分实施例中，若将第一分隔层27进行过蚀刻处理，所获得的分隔层26具有一个由上到下向内凹陷的侧壁。
如图4D所示，设置发光单元20于图案化的像素定义层18的开口40”中。之后，同时形成一第二电极层24于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，且一部分的第二电极层24填入开口(40、40’)，并电连接导线(28、30)，以及形成一导电层38于分隔层26上。此时，下层27的厚度较佳大于第二电极层24的厚度。值得注意的是，导电层38可做为一接地电极(grounding electrode)。在本发明一实施例中，第二电极层24与导电层38是在同一个步骤中完成，并且包含相同的材料，但并不以此为限。至此，即完成本实施例触控显示装置10的制作。
在部分实施例中，由双层结构(例如下层27、上层27’)所构成的分隔层26可包括多种态样，例如由矩形、梯形、倒梯形等所搭配组合的多种态样，如图5A～图5D所示。图5A～图5D为根据本发明的实施例，多种双层结构分隔层的剖面示意图。如图5A所示，分隔层26的下层27为倒梯形，上层27’为矩形。如图5B所示，分隔层26的下层27为倒梯形，上层27’为梯形。如图5C所示，分隔层26的下层27与上层27’均为倒梯形。如图5D所示，分隔层26的下层27与上层27’均为矩形，构成一类T型结构。
在部分实施例中，以分隔层26的下层27与上层27’所构成的类T型结构可包括多种制作方式。在部分实施例中，当分隔层26的下层27与上层27’为两层非金属的组合时，是以蚀刻剂对于不同材料具有不同的蚀刻速率来做成类T型结构。例如下层膜为氮化硅(SiNx)，上层膜为氧化硅(SiOx)，蚀刻剂为六氟化硫(SF6)(g)。由于六氟化硫对于氮化硅的蚀刻速率大于六氟化硫对于氧化硅的蚀刻速率，因此，经过同样的蚀刻时间，下层膜被蚀刻的程度会大于上层膜被蚀刻的程度，而产生一类T型的结构。需说明的是，分隔层26的的上层27或下层27’材料并不限于此，也可以是其他材料，例如上层27及下层27’材料使用以不同成膜条件或速率所形成的氮化硅(SiNx)而造成上下层硬度或致密度的差异。
在部分实施例中，当分隔层26的下层27与上层27’为两层金属的组合时，例如下层膜为钼(Mo)，上层膜为铝(Al)，为使蚀刻剂对于钼与铝具有不同的蚀刻速率，蚀刻剂可为铝酸，但本实施例中的金属材料及蚀刻剂并不限于此。
在部分实施例中，当分隔层26的下层27与上层27’为金属与非金属的组合时，例如下层膜为钼(Mo)，上层膜为氮化硅(SiNx)，先利用干蚀刻将上层膜氮化硅蚀刻，再用湿蚀刻将钼过蚀刻，最后也可得到类T型的结构，需说明的是，本实施例中的金属材料与非金属材料的组合也不限于此。
在部分实施例中，当分隔层26的下层27与上层27’为双层结构光致抗蚀剂的组合时，选择对光反应性较高的光致抗蚀剂于上层，上层光致抗蚀剂照光后硬化的速度快于下层光致抗蚀剂照光后硬化的速度，因此，在同样的曝光时间下，显影后，双层结构光致抗蚀剂会产生类T型的结构。
请参阅图6A及图6B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置10。图6A为触控显示装置10的上视图。图6B为图6A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置10的剖面示意图。
如图6A所示，触控显示装置10为一自电容(self-type capacitance)触控显示装置。
如图6A所示，触控显示装置10包括多个发光区块(11、12、13、14)。在本实施例中，以发光区块11为例做说明。
触控显示装置10包括一基板16，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层19，位于基板16上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)18，位于第一电极层19上；多个发光单元20，位于像素定义层18所定义的像素区域中；多个孔洞(via)(22、22’)，位于像素定义层18中；一第二电极层24，位于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，且一部分的第二电极层24位于孔洞(22、22’)中；一分隔层26，位于像素定义层18上，分隔层26包围多个发光单元20；以及多条导线(28、30)，自孔洞(22、22’)延伸且分别电连接第二电极层24与至少一信号源(32、34)。在部分实施例中，第一电极层19可为一阳极，位于发光单元20下方。值得注意的是，第二电极层24可同时做为阴极及触控电极之用。
在本实施例中，导线28自孔洞22延伸与信号源32连接，以及导线30自孔洞22’延伸与信号源34连接。值得注意的是，信号源32可提供驱动阴极的信号，信号源34可提供驱动触控电极的信号。在本实施例中，信号源32与信号源34可于同一时段或不同时段分别提供驱动阴极的信号以及驱动触控电极的信号。
在部分实施例中，分隔层26可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层26由单层结构所构成。
请参阅图7A～图7E，根据本发明图6A～图6B的一实施例，提供一种触控显示装置的制造方法。图7A～图7E为触控显示装置制造方法的剖面示意图。
如图7A所示，提供一基板16。于基板16上，形成有一图案化的像素定义层(pixeldefine layer，PDL)18。图案化的像素定义层18具有多个开口(40、40’、40”)，并于开口(40、40’、40”)中分别设置有导线(28、30)及第一电极层19(阳极)。此外，全面性地形成一第一分隔层27于图案化的像素定义层18表面并覆盖导线(28、30)及第一电极层19。
如图7B所示，形成一图案化的第二分隔层27’于第一分隔层27上。
如图7C所示，例如以图案化的第二分隔层27’作为第一分隔层27的掩模以进行一蚀刻制作工艺，以移除导线(28、30)及第一电极层19上的第一分隔层27，形成一双层结构26。
第一分隔层27、第二分隔层27’的各层材料不同，例如第一分隔层27为无机物，而第二分隔层27’为有机物。选用不同的蚀刻液即可对此双层结构做选择性的蚀刻。若将第一分隔层27进行过蚀刻处理，可获得一类T型结构。在其他实施例中，蚀刻液对于第一分隔层27与第二分隔层27’具有不同的蚀刻速度。此时，将第一分隔层27与第二分隔层27’同时图案化也可获得一类T型结构。
如图7D所示，设置发光单元20于图案化的像素定义层18的开口40”中。之后，形成一第二电极层24于像素定义层18上，第二电极层24电连接发光单元20与第一电极层19，且一部分的第二电极层24填入开口(40、40’)，并电连接导线(28、30)，以及形成一导电层38于双层结构26上。此时，第一分隔层27的厚度较佳大于第二电极层24的厚度。在本发明一实施例中，第二电极层24与导电层38是在同一个步骤中完成，并且包含相同的材料，但并不以此为限。
如图7E所示，进行一蚀刻制作工艺，以移除导电层38及第二分隔层27’，留下第一分隔层27。此时，第一分隔层27的厚度较佳大于第二电极层24的厚度。至此，即完成本实施例触控显示装置10的制作。
请参阅图8A及图8B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置100。图8A为触控显示装置100的上视图。图8B为图8A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置100的剖面示意图。
如图8A所示，触控显示装置100为一互电容(mutual-type capacitance)触控显示装置。
触控显示装置100包括一基板160，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层190，位于基板160上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)180，位于第一电极层190上；多个发光单元200，位于像素定义层180所定义的像素区域中；多个分隔层260，位于像素定义层180上；一第二电极层240，位于像素定义层180与分隔层260上，位于像素定义层180上的第二电极层240电连接发光单元200与第一电极层190，而位于分隔层260上的第一电极层240与发光单元200电性绝缘；一盖层420，位于像素定义层180、分隔层260与第二电极层240上；一第三电极层440，位于盖层420上；以及多条导线(280、281、282、283、290、291、292、293、300、301)，位于基板160上，分别电连接第二电极层240或第三电极层440，且由显示区AA延伸至非显示区NA，且电连接多个信号源(320、340、341、342、343、350、351)。在部分实施例中，第一电极层190可为一阳极，位于发光单元200下方。值得注意的是，第二电极层240可同时做为阴极及触控电极之用。
在本实施例中，导线(280、281、282、283)自第二电极层240延伸与信号源320连接，导线(290、291、292、293)自第二电极层240延伸与信号源(340、341、342、343)连接，以及导线(300、301)自第三电极层440延伸与信号源(350、351)连接。值得注意的是，信号源320可提供驱动阴极的信号，信号源(340、341、342、343)可提供驱动信号Tx，信号源(350、351)可接收感测信号Rx。在其他实施例中，信号源(350、351)可提供驱动信号Tx，而信号源(340、341、342、343)可接收感测信号Rx。在本实施例中，信号源(320、340、341、342、343、350、351)可于同一时段或不同时段分别提供驱动阴极的信号、驱动信号Tx、以及接收感测信号Rx。
在部分实施例中，分隔层260可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层260由单层结构所构成，通过调整制作工艺参数，令分隔层260较低部分的蚀刻程度大于较高部分的蚀刻程度，使其具有一倾斜侧壁360。值得注意的是，分隔层260的倾斜侧壁360的倾斜角度较佳大于90度。在部分实施例中，分隔层260由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。在本实施例中，由单层结构所构成的分隔层260的厚度大于第二电极层240的厚度。
在部分实施例中，第三电极层440可由例如ITO、IZO、ITZO、IGZO等透明材料所构成。在部分实施例中，第三电极层440可由例如金属的非透明材料所构成。
请参阅图9A～图9E，根据本发明图8A～图8B的一实施例，提供一种触控显示装置的制造方法。图9A～图9E为触控显示装置制造方法的剖面示意图。
如图9A所示，提供一基板160。于基板160上，形成有一图案化的像素定义层(pixeldefine layer，PDL)180。图案化的像素定义层180具有多个开口400，并于开口400中设置有一第一电极层190(阳极)。在其他实施例中，于形成像素定义层180之前，多个图案化的第一电极层190已经形成于基板160上。
如图9B所示，形成一分隔层260于图案化的像素定义层180上。
在部分实施例中，分隔层260可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层260由单层结构所构成，通过调整制作工艺参数，令分隔层260较低部分的蚀刻程度大于较高部分的蚀刻程度，使其具有一倾斜侧壁360。值得注意的是，分隔层260的倾斜侧壁360的倾斜角度较佳大于90度。在部分实施例中，分隔层260由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。
如图9C所示，设置发光单元200于图案化的像素定义层180的开口400中。
如图9D所示，形成一第二电极层240于像素定义层180与分隔层260上，一部分的第二电极层240电连接发光单元200与第一电极层190，且分隔层260与电连接发光单元200的第二电极层240以交替方式排列。在部分实施例中，由单层结构所构成的分隔层260的厚度大于第二电极层240的厚度。
如图9E所示，形成一盖层420于像素定义层180、分隔层260与第二电极层240上。之后，形成一第三电极层440于盖层420上。至此，即完成本实施例触控显示装置100的制作。
请参阅图10A及图10B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置100。图10A为触控显示装置100的上视图。图10B为图10A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置100的剖面示意图。
如图10A所示，触控显示装置100为一互电容(mutual-type capacitance)触控显示装置。
触控显示装置100包括一基板160，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层190，位于基板160上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)180，位于第一电极层190上；多个发光单元200，位于像素定义层180所定义的像素区域中；多个分隔层260，位于像素定义层180上；一第二电极层240，位于像素定义层180上，部分的第二电极层240电连接发光单元200与第一电极层190，而另一部分的第二电极层240与发光单元200电性绝缘；一盖层420，位于像素定义层180、分隔层260与第二电极层240上；一第三电极层440，位于盖层420上；以及多条导线(280、281、282、283、290、291、292、293、300、301)，位于基板160上，分别自第二电极层240与第三电极层440延伸并电连接多个信号源(320、340、341、342、343、350、351)。在部分实施例中，第一电极层190可为一阳极190，位于发光单元200下方。值得注意的是，第二电极层240可同时做为阴极及触控电极之用。
在本实施例中，导线(280、281、282、283)自第二电极层240延伸与信号源320连接，导线(290、291、292、293)自第二电极层240延伸与信号源(340、341、342、343)连接，以及导线(300、301)自第三电极层440延伸与信号源(350、351)连接。值得注意的是，信号源320可提供驱动阴极的信号，信号源(340、341、342、343)可提供驱动信号Tx，信号源(350、351)可接收感应信号Rx。在其他实施例中，信号源(350、351)可提供驱动信号Tx，信号源(340、341、342、343)可接收感测信号Rx。在本实施例中，信号源(320、340、341、342、343、350、351)可于同一时段或不同时段分别提供驱动阴极的信号、驱动信号Tx、以及接收感测信号Rx。
在部分实施例中，分隔层260可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层260由单层结构所构成，且其厚度较佳大于第二电极层240的厚度。值得注意的是，在本实施例中，部分的第二电极层240位于多个分隔层260的任二者之间。
在部分实施例中，第二电极层240可由例如ITO、IZO等透明材料所构成。在部分实施例中，第三电极层440可由例如金属的非透明材料所构成。
请参阅图11A～图11H，根据本发明的图10A～图10B的一实施例，提供一种触控显示装置的制造方法。图11A～图11H为触控显示装置制造方法的剖面示意图。
如图11A所示，提供一基板160。于基板160上，形成有一图案化的像素定义层(pixel define layer，PDL)180。图案化的像素定义层180具有多个开口400，并于开口400中设置有一第一电极层190(阳极)。在其他实施例中，于形成像素定义层之前，多个图案化的第一电极层190已经形成于基板160上。
如图11B所示，全面性地形成一第一分隔层270于图案化的像素定义层180表面并覆盖第一电极层190。
如图11C所示，形成多个图案化的第二分隔层270’于第一分隔层270上。
如图11D所示，例如以图案化的第二分隔层270’作为第一分隔层270的掩模，进行一蚀刻制作工艺，以移除第一电极层190上的第一分隔层270，及部分图案化的像素定义层180表面的第一分隔层270，形成多个双层结构的分隔层260。
第一分隔层270、第二分隔层270’的各层材料不同，例如第一分隔层270为无机物，而第二分隔层270’为有机物。选用不同的蚀刻液即可对此双层结构做选择性的蚀刻。若将第一分隔层270进行过蚀刻(overetch)处理，可获得一类T型结构。在其他实施例中，蚀刻剂对于第一分隔层270与第二分隔层270’具有不同的蚀刻速度。此时，将第一分隔层270与第二分隔层270’同时图案化也可获得一类T型结构。
如图11E所示，设置发光单元200于图案化的像素定义层180的开口400中。之后，形成一第二电极层240于像素定义层180及多个双层结构260上，第二电极层240电连接发光单元200与第一电极层190，其中，第一分隔层270的厚度较佳大于第二电极层240的厚度。
如图11F所示，进行一蚀刻制作工艺，以移除双层结构260上的第二电极层240及第二分隔层270’，留下第一分隔层270。其中，第一分隔层270的厚度较佳大于第二电极层240的厚度。且部分的第二电极层240位于多个第一分隔层270的任二者之间。
如图11G所示，形成一盖层420于像素定义层180、分隔层270与第二电极层240上。
如图11H所示，形成一第三电极层440于盖层420上。至此，即完成本实施例触控显示装置100的制作。
请参阅图12及图10B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置100。图12为触控显示装置100的上视图。图10B为图12沿A-A’剖面线所得的触控显示装置100的剖面示意图。
如图12所示，触控显示装置100为一互电容(mutual-type capacitance)触控显示装置。
触控显示装置100包括一基板160，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层190，位于基板160上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)180，位于第一电极层190上；多个发光单元200，位于像素定义层180所定义的像素区域中；多个分隔层260，位于像素定义层180上；一第二电极层240，位于像素定义层180上，部分的第二电极层240电连接发光单元200与第一电极层190，而另一部分的第二电极层240与发光单元200电性绝缘；一盖层420，位于像素定义层180、分隔层260与第二电极层240上；一第三电极层440，位于盖层420上；以及多条导线(280、281、282、283、290、291、292、293、300、301)，位于基板160上，分别自第二电极层240与第三电极层440延伸并电连接多个信号源(340、341、342、343、350、351、352)。在部分实施例中，第一电极层190可为一阳极，位于发光单元200下方。值得注意的是，第二电极层240可同时做为阴极及触控电极之用。
在其他实施例中，导线(280、281、282、283)与接地信号源352可省略，使得位于两分隔层260之间的第二电极层240为浮接。导线(300、301)其中之一自第三电极层440延伸与信号源(350、351)其中之一连接。在本实施例中，导线(280、281、282、283)自第二电极层240延伸与接地信号源352连接，导线(290、291、292、293)自第二电极层240延伸与信号源(340、341、342、343)连接，以及导线(300、301)自第三电极层440延伸与信号源(350、351)连接。值得注意的是，信号源(340、341、342、343)可提供驱动阴极的信号及驱动信号Tx，信号源(350、351)可接收感测信号Rx。在其他实施例中，信号源(350、351)可提供驱动信号Tx，而信号源(340、341、342、343)可提供驱动阴极的信号及接收感测信号Rx。在本实施例中，信号源(340、341、342、343)可于不同时段分别提供驱动阴极的信号，以及提供驱动信号Tx或是接收感测信号Rx。
在部分实施例中，分隔层260可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层260由单层结构所构成，且其厚度较佳大于第二电极层240的厚度。值得注意的是，在本实施例中，部分的第二电极层240位于多个分隔层260的任二者之间。
在部分实施例中，第二电极层240可由例如ITO、IZO等透明材料所构成。在部分实施例中，第三电极层440可由例如金属的非透明材料所构成。
请参阅图13A及图13B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置1000。图13A为触控显示装置1000的上视图。图13B为图13A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置1000的剖面示意图。
如图13A所示，触控显示装置1000为一互电容(mutual-type capacitance)触控显示装置。
触控显示装置1000包括一基板1600，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层1900，位于基板1600上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)1800，位于第一电极层1900上；多个发光单元2000，位于像素定义层1800所定义的像素区域中；多个分隔层2600，位于像素定义层1800上；一第二电极层(2400、4400)，位于像素定义层1800上，第二电极层包含有多个第一部分2400与多个第二部分4400，第一部分2400位于发光单元2000上，且第二部分4400位于分隔层2600上；以及多条导线(2800、2801、2802、2803、2804、2900、2901、2902、2903)，位于基板1600上，分别电连接第二电极层的第一部分2400与第二部分4400，且由显示区AA延伸至非显示区NA，且与多个信号源(3200、3201、3202、3203、3204、3400、3401、3402、3403)电连接。在部分实施例中，第一电极层1900可为一阳极，位于发光单元2000下方。值得注意的是，第二电极层(2400、4400)可同时做为阴极及触控电极之用。在本实施例中，第二电极层的第一部分2400与第二部分4400在同一步骤中形成。但在其他实施例中，第二电极层的第一部分2400与第二部分4400是在不同步骤中形成。
在本实施例中，第二电极层的多个第一部分2400在一第一方向(例如X方向)上是通过连接导线3100电连接，而多个第二部分4400在一第一方向(例如X方向)上是通过连接导线3100电连接。连接导线3100位于像素定义层1800中，与第一电极层1900同时形成。
在本实施例中，导线(2800、2802、2804)自第二电极层的第一部分2400延伸与信号源(3200、3202、3204)连接，导线(2801、2803)自第二电极层的第二部分4400延伸与信号源(3201、3203)连接，以及导线(2900、2901、2902、2903)自第二电极层的第二部分4400延伸与信号源(3400、3401、3402、3403)连接。值得注意的是，信号源(3200、3202、3204)可提供驱动阴极的信号，信号源(3201、3203)可提供驱动信号Tx，信号源(3400、3401、3402、3403)可接收感测信号Rx。在其他实施例中，信号源(3400、3401、3402、3403)可提供驱动信号Tx，而信号源(3201、3203)可接收感测信号Rx。在本实施例中，信号源(3200、3201、3202、3203、3204、3400、3401、3402、3403)可于同一时段或不同时段分别提供驱动阴极的信号、驱动信号Tx、以及接收感测信号Rx。
在部分实施例中，分隔层2600可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层2600由单层结构所构成，通过调整制作工艺参数，令分隔层2600较低部分的蚀刻程度大于较高部分的蚀刻程度，使其具有一倾斜侧壁3600。值得注意的是，分隔层2600的倾斜侧壁3600的倾斜角度较佳大于90度。在部分实施例中，分隔层2600由上到下具有一个向内凹陷的侧壁。在部分实施例中，分隔层2600包含有多个第一分隔层2600与多个第二分隔层(未图示)，第一分隔层2600与发光单元2000在一第一方向(例如X方向)上交替排列，而第二分隔层与发光单元2000在一第二方向(例如Y方向)上交替排列。在部分实施例中，位于第一分隔层2600上的第二部分4400为一驱动电极与一感测电极的其中一者，而位于第二分隔层上的第二部分4400为驱动电极与感测电极的其中之另一者。
请参阅图14A及图14B，根据本发明的一实施例，提供一种触控显示装置1000。图14A为触控显示装置1000的上视图。图14B为图14A沿A-A’剖面线所得的触控显示装置1000的剖面示意图。
如图14A所示，触控显示装置1000为一互电容(mutual-type capacitance)触控显示装置。
触控显示装置1000包括一基板1600，包含一显示区AA与一非显示区NA；一第一电极层1900，位于基板1600上；一像素定义层(pixel define layer，PDL)1800，位于第一电极层1900上；多个发光单元2000，位于像素定义层1800所定义的像素区域中；多个分隔层2600，位于像素定义层1800上；一第二电极层(2400、4400)，位于像素定义层1800上，第二电极层包含有多个第一部分2400与多个第二部分4400，第一部分2400位于发光单元2000上，且第二部分4400位于分隔层2600上；以及多条导线(2805、2806、2807、2900、2901、2902、2903)，位于基板1600上，分别自第二电极层的第一部分2400与第二部分4400延伸与多个信号源(3205、3206、3207、3400、3401、3402、3403)连接。在部分实施例中，第一电极层1900可为一阳极，位于发光单元2000下方。值得注意的是，第二电极层(2400、4400)可同时做为阴极及触控电极之用。在本实施例中，第二电极层的第一部分2400与第二部分4400在同一步骤中形成。但在其他实施例中，第二电极层的第一部分2400与第二部分4400是在不同步骤中形成。
在本实施例中，第二电极层的第一部分2400通过连接导线3100彼此电连接。连接导线3100位于像素定义层1800中，与第一电极层1900同时形成。
在本实施例中，导线(2805、2806、2807)自第二电极层的第一部分2400延伸与信号源(3205、3206、3207)连接，以及导线(2900、2901、2902、2903)自第二电极层的第二部分4400延伸与信号源(3400、3401、3402、3403)连接。值得注意的是，信号源(3205、3206、3207)可提供驱动阴极的信号以及驱动信号Tx，信号源(3400、3401、3402、3403)可接收感测信号Rx。在其他实施例中，信号源(3400、3401、3402、3403)可提供驱动信号Tx，信号源(3205、3206、3207)可接收感测信号Rx。在本实施例中，信号源(3205、3206、3207)可于不同时段分别提供驱动阴极的信号以及驱动信号Tx。
在部分实施例中，分隔层2600可由单层结构或双层结构所构成。在本实施例中，分隔层2600由双层结构(例如下层2700、上层2700’)所构成。值得注意的是，由双层结构(例如下层2700、上层2700’)所构成的分隔层2600的各层较佳具有不同蚀刻程度，例如下层2700的蚀刻程度大于上层2700’的蚀刻程度，使得分隔层2600具有一个向内凹陷的侧壁，或是类T型结构。值得注意的是，下层2700的厚度较佳大于第一电极层2400的厚度。在部分实施例中，分隔层2600包含有多个第一分隔层2600与多个第二分隔层(未图示)，第一分隔层2600与发光单元2000在一第一方向(例如X方向)上交替排列，而第二分隔层与发光单元2000在一第二方向(例如Y方向)上交替排列。在部分实施例中，位于第一分隔层2600上的第二部分4400为一驱动电极与一感测电极的其中之一者，而位于发光单元2000上的第一部分2400为驱动电极与感测电极的其中之另一者。
前述所举的数个实施例中，一实施例的技术特征并不限于仅能适用于该一实施例。就本发明而言，是得以将不同实施例的技术特征以排列组合的方式互相套用，只要在不脱离本发明的精神和范围内即可。
虽然结合以上数个较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作任意的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (5)

1.一种触控显示装置，包括：
基板，包含显示区与非显示区；
第一电极层与多条导线，位于该基板上；
像素定义层，位于该第一电极层上；
多个发光单元，位于该像素定义层中；
多个孔洞，位于该像素定义层中；
第二电极层，位于该像素定义层上，其中该第二电极层电连接该多个发光单元与该第一电极层，且一部分的该第二电极层通过该多个孔洞电连接该多条导线；以及
分隔层，位于该像素定义层上，其中该分隔层包围该多个发光单元；
其中，该多条导线由该显示区延伸至该非显示区且电连接至少一信号源。
2.如权利要求1所述的触控显示装置，其中该分隔层为一单层结构或一双层结构。
3.如权利要求2所述的触控显示装置，其中该单层结构具有倾斜侧壁。
4.如权利要求2所述的触控显示装置，其中该双层结构为一类T型结构。
5.如权利要求1所述的触控显示装置，还包括导电层，位于该分隔层上，且该导电层为一接地电极。
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