CN110828527B - 阵列基板及其制作方法、三维显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、三维显示面板、显示装置。该阵列基板包括多个阵列排布的子像素；每一子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，且每一子像素包括：基板；隔断部，形成在第二复合区；像素电极，包括形成在第一复合区的第一复合电极，以及形成在隔断部上的第二复合电极；第一复合电极与第二复合电极之间相互断开，且在基板上的正投影无缝相接；有机发光层，形成在像素电极背离基板的一侧；像素界定层，形成在基板上，并环绕有机发光层设置；与像素电极的极性相反的公共电极，形成在有机发光层背离基板的一侧；封装层，形成在公共电极背离基板的一侧。该方案在提高像素密度的同时，可避免3D显示不良的情况。

Description

阵列基板及其制作方法、三维显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法、三维显示面板及显示装置。
背景技术
3D显示指三维立体显示，相比普通的2D显示，3D显示更加立体逼真，让观众有身临其境的感觉。尤其是家庭娱乐和游戏行业领域对3D技术的需求飙升。
裸眼3D技术是3D显示的主要技术之一，是通过显示面板直接将不同的图像投射到人的两眼来实现立体成像，对图像定向投射的技术水平要求很高。与传统眼镜式3D技术相比，无需佩戴眼镜，体验感更好，具有良好的发展前景。
目前裸眼3D技术存在的主要问题是信息量少(视图数少)、3D视角小、像素密度低等，限制了其在OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板中的应用。
需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法、三维显示面板及显示装置，解决了现有技术中的一个或多个问题。
本申请第一方面提供了一种阵列基板，其包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，且每一所述子像素包括：
基板；
隔断部，形成在所述基板上，并位于所述第二复合区；
像素电极，包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；
有机发光层，形成在所述像素电极背离所述基板的一侧；
像素界定层，形成在所述基板上，并环绕所述有机发光层设置；
公共电极，形成在所述有机发光层背离所述基板的一侧；
封装层，形成在所述公共电极背离所述基板的一侧。
在本申请的一种示例性实施例中，所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一隔断层的边缘与所述第二隔断层的边缘之间的距离为1μm至5μm。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一隔断层的厚度为50nm至1500nm；所述第二隔断层的厚度为30nm至1500nm。
在本申请的一种示例性实施例中，所述有机发光层包括：
第一复合发光部，形成在所述第一复合电极背离所述基板的一侧；
第二复合发光部，形成在所述第二复合电极背离所述基板的一侧；
其中，所述第一复合发光部与所述第二复合发光部之间相互断开，所述第一复合发光部在所述基板上的正投影与所述第二复合发光部在所述基板上的正投影无缝相接。
在本申请的一种示例性实施例中，所述公共电极采用金属材料、金属合金材料或氧化烟锡材料制作而成。
本申请第二方面提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，其中，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成隔断部，所述隔断部位于所述第二复合区；
形成像素电极，所述像素电极包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部且背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；
在所述基板上形成具有像素开口的像素界定层；
在所述像素电极背离所述基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素开口内；
在所述有机发光层背离所述基板的一侧形成公共电极；
在所述公共电极背离所述基板的一侧形成封装层。
在本申请的一种示例性实施例中，所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域。
在本申请的一种示例性实施例中，在所述基板上形成隔断部，包括：
在所述基板上依次形成第一隔断层及第二隔断层，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率；
在同一刻蚀条件下对所述第一隔断层和所述第二隔断层进行刻蚀，以形成所述隔断部。
本申请第三方面提供了一种三维显示面板，其包括：
前述任一项所述的阵列基板；
透镜阵列层，形成在所述封装层背离所述阵列基板的一侧，所述透镜阵列层包括多个透镜，每一所述透镜对应一所述子像素；所述透镜阵列层用于将所述阵列基板中显示的左眼图像、右眼图像分别投射至观看者的左眼、右眼。
本申请第四方面提供了一种显示装置，其包括上述所述的三维显示面板。
本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：
本申请的阵列基板、阵列基板的制作方法、三维显示面板及显示装置，通过在子像素中设置隔断部，可将子像素中的像素电极划分为多个相互断开的复合电极，由于多个复合电极之间相互断开，因此，可将子像素划分为多个复合像素，这样可实现高PPI(PixelsPer Inch，每英寸像素数量)显示；此外，由于隔断部的设置，因此，在实现多个复合电极之间相互断开的同时，还可保证各复合电极在基板上的正投影无缝相接，即：保证了多个复合像素在基板上的正投影无缝相接，以提高3D显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了三维显示面板的显示原理示意图；
图2示出了相关技术中三维显示面板的结构示意图；
图3示出了本申请一实施例所述的阵列基板的平面示意图；
图4示出了图3中所示的A-A方向上的剖视示意图；
图5示出了本申请一实施例所述的阵列基板的隔断部的剖视示意图；
图6示出了本申请一实施例所述的阵列基板的制作方法的流程图；
图7示出了完成步骤S600之后的结构示意图；
图8示出了完成步骤S602之后的结构示意图；
图9示出了完成步骤S604之后的结构示意图；
图10示出了完成步骤S606之后的结构示意图；
图11示出了本申请一实施例所述的三维显示面板的结构示意图。
图1至图2中的附图标记：
101、子像素；1010、复合像素，1011、衬底基板；1012、复合电极；1013、发光层；1014、公共电极；1015、封装层；102、透镜。
图3至图11中的附图标记：
2、阵列基板；20、子像素；201、衬底层；202、有源层；203、栅极绝缘层；204、栅极；205、层间绝缘层；206、源电极；207、漏电极；208、遮光层；209、缓冲层；210、钝化层；211、平坦层；212、隔断部；2120；第一隔断层；2121、第二隔断层；213、第一复合电极；214、第二复合电极；215、第一复合发光部；216、第二复合发光部；217、像素界定层；2170、像素开口；218、公共电极；219、封装层；2190、第一无机封装薄膜；2191、第二无机封装薄膜；2192、有机封装薄膜；220、空穴传输层；221、电子传输层；3、透镜阵列层；30、透镜。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
人脑之所以能感觉到三维立体图像主要是由于外界物体的光从左右两个不同角度进入人的两只眼睛并且经过大脑对图像的分析与合成才得以实现。为了实现裸眼3D显示，通常会在阵列基板加上一层透镜阵列层，具体地，如图1所示，阵列基板上的每一子像素101可对应透镜阵列层的一个透镜102，每个透镜102通过对与之对应的子像素101发出的光进行折射，以将不同的显示内容折射到空间中不同的地方，到达人眼时显示的内容被分开，人眼接收到两幅含有视差的图像，这样便产生了立体效果。
其中，每个子像素相当于一个视点，整个面板视点数量较少，视角较小，观察者只能在很局限的范围内才能观察到3D画面。同时，由于各子像素之间通过像素界定层隔开，像素界定层会限制3D视角，因此，难以满足高PPI(像素密度)显示面板的要求。
相关技术中，为实现高PPI显示的阵列基板，如图1所示，将阵列基板中各子像素101划分为多个复合像素1010，具体如图2所示，将子像素101中像素电极划分成多个同层设置的复合电极1012，每个复合电极1012分别通过不同的薄膜晶体管独立驱动控制，以使得每个复合电极1012上方对应的发光层1013发光，实现了高PPI显示的要求。需要说明的是，图2中各子像素还包括衬底基板1011、公共电极1014、封装层1015，需要说明的是，该衬底基板1011、公共电极1014、封装层1015为整面设置。
还应当理解的是，为了使得各复合像素1010之间不影响彼此工作，通常将复合像素1010之间呈间隔设置，主要可使复合像素1010之间的复合电极1012呈间隔设置。但由于各复合像素1010之间具有一定间距，因此，在将此阵列基板应用于三维显示面板中时，会造成3D显示不良的情况.
为解决上述问题，本申请一实施例提出了一种阵列基板，该阵列基板在实现高PPI显示的同时，还可提高3D显示效果。
下面结合附图对本申请一实施例所述的阵列基板进行详细说明。
如图3所示，本实施例的阵列基板2可包括多个阵列排布的子像素20。举例而言，多个子像素20中可包括R子像素、G子像素、B子像素，但不限于此，也可包括白光子像素等。本实施例中，每一子像素20可包括交替排列的第一复合区和第二复合区，需要说明的是，此第一复合区与第二复合区无缝相接。详细说明，如图4所述，每一子像素20包括基板、隔断部212、像素电极、有机发光层、像素界定层217、公共电极218及封装层219；其中，
基板可包括衬底层201及形成在衬底层201的驱动电路层。举例而言，此衬底层201可采用钠钙玻璃(soda-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料制作而成，但不限于此，也可采用其他无机材料或有机材料制作而成，视具体需求而定。该驱动电路层可包括多个薄膜晶体管，此薄膜晶体管可包括有源层202、栅极绝缘层203、栅极204、层间绝缘层205、源电极206、漏电极207。其中，薄膜晶体管可以为LTPS-TFT(低温多晶硅-薄膜晶体管)或者oxide-TFT(氧化物-薄膜晶体管)，例如可以为IGZO-TFT，本申请对此不做限定。需要说明的是，本实施例的薄膜晶体管不限于底栅型，也可为顶栅型，视具体情况而定。此外，应当理解的是，该驱动电路层还可包括其他电路结构，例如电容等。
此外，该基板还可包括遮光(light shielding，LS)层、缓冲层209、钝化层210及平坦层211，此遮光层208可设置衬底层201上，而缓冲层209设置在衬底层201上并覆盖遮光层208。其中，遮光层208与有源层202相对应，该遮光层208被配置来遮挡入射到有源层202的沟道区域的光线。举例而言，此遮光层208可为金属材料制作而成，但不限于此。而钝化层210形成在衬底层201并覆盖源电极206、漏电极207；平坦层211形成钝化层210背离衬底层201的一侧。
隔断部212形成在基板上，并位于第二复合区。举例而言，此隔断部212在基板上的正投影可与第二复合区完全重叠。
像素电极可作为子像素20的阳极，该像素电极可包括第一复合电极213和第二复合电极214。此第一复合电极213形成在基板上并位于第一复合区；举例而言，此第一复合电极213直接形成在基板上，且第一复合电极213在基板上的正投影可与第一复合区完全重叠。而第二复合电极214形成在隔断部212背离基板的一侧，也就是说，第二复合电极214通过隔断部212间接形成在基板上。由于隔断部212的存在，因此使得第二复合电极214与第一复合电极213之间相互断开。此外，由于前述提到隔断部212位于第二复合区，因此该第二复合电极214也位于第二复合区。举例而言，第二复合电极214在基板上的正投影可与隔断部212在基板上的正投影完全重叠，也就是说，第一复合电极213与第二复合电极214在基板上的正投影可无缝相接。
需要说明的是，由于像素电极中第一复合电极213和第二复合电极214之间相互断开，因此，第一复合电极213和第二复合电极214需与不同的薄膜晶体管电连接，也就是说，第一复合电极213和第二复合电极214为独立控制的。举例而言，该第一复合电极213和第二复合电极214可与薄膜晶体管的输出端(此输出端通常为漏极)电连接。此外，第一复合电极213和第二复合电极214可采用氧化烟锡材料制作而成，但不限于此，也可采用其他材料制作而成。该像素电极可采用真空溅射或真空蒸镀的方式制作而成，但不限于此。
有机发光层形成在像素电极背离基板的一侧。此有机发光层可采用真空蒸镀或喷墨打印的方式制作而成，但不限于此。应当理解的是，此有机发光层在基板上的正投影覆盖第一复合电极213和第二复合电极214，也就是说，第一复合电极213和第二复合电极214可分别控制有机发光层中与其对应的部分进行发光。具体地，有机发光层可包括第一复合发光部215和第二复合发光部216，第一复合发光部215形成在第一复合电极213背离阵列基板2的一侧；第二复合发光部216形成在第二复合电极214背离基板的一侧。
需要说明的是，同一子像素20中第一复合发光部215和第二复合发光部216的发光颜色可相同，这样使得每一个子像素20可对应蒸镀掩膜板中的一个开孔区，从而可降低蒸镀掩膜板的精度，降低成本。
像素界定层217形成在基板上并环绕有机发光层设置；以避免相邻子像素20发生串色的情况。
公共电极218可作为子像素20的阴极，此公共电极218可形成在有机发光层背离基板的一侧。该公共电极218可采用真空蒸镀方式形成，但不限于此。需要说明的是，此公共电极218整面设置，也就是说，此电极为第一复合发光部215和第二复合发光部216共用的；此外，该公共电极218也为各子像素20共用的，这样设计可降低成本。举例而言，此公共电极218可采用金属材料(例如：铝、银)、金属合金材料(例如：镁银合金)或氧化烟锡材料制作而成，这样可保证公共电极218的功函数或接触势，以避免公共电极218断路。
封装层219可形成在公共电极218背离基板的一侧，用于封装有机发光层。其中，封装层219可以为一层结构或者多层结构，其材料可以为无机材料、有机材料或者无机材料和有机材料的结合。
举例而言，封装层219可包括第一无机封装薄膜2190、第二无机封装薄膜2191及设置在第一无机封装薄膜2190和第二无机封装薄膜2191之间的有机封装薄膜2912；通过设置多层无机封装薄膜，可提高封装层219阻隔水、氧的能力，通过设置有机封装薄膜2912可实现平坦化作用。
其中，第一无机封装薄膜2190、第二无机封装薄膜2191可采用氮化硅(SiN)等无机材料制作而成，但不限于此。第一无机封装薄膜2190、第二无机封装薄膜2191可利用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)或者ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积法)制备得到。有机封装薄膜2912可多采用可固化(此固化包括光固化或热固化)的有机材料制作而成，具体地，有机封装薄膜2912可采用环氧树脂类有机材料、丙烯酸酯类有机材料和有机硅类材料中的至少一者制作而成。而前述有机封装薄膜2912可利用IJP(Ink Jet Printing，喷墨打印)工艺或者丝网印刷制备得到。
基于上述结构，本实施例通过在子像素20中设置隔断部212，可将子像素20中的像素电极划分为多个相互断开的复合电极，由于多个复合电极之间相互断开，因此，可将子像素20划分为多个复合像素，这样可实现高PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素数量)显示；此外，由于隔断部212的设置，因此，在实现多个复合电极之间相互断开的同时，还可保证各复合电极在基板上的正投影无缝相接，即：保证了多个复合像素在基板上的正投影无缝相接，以提高3D显示效果。
在一可选实施例中，隔断部212可包括依次层叠在基板上的第一隔断层2120和第二隔断层2121；第一隔断层2120在基板上的正投影位于第二隔断层2121在基板上的正投影的中心区域。也就是说，该隔断部212的截面形状整体可为如图4和图5所示的T型，由于第一隔断层2120的边缘相比于第二隔断层2121的边缘内缩，即：该隔断部212中靠近基板的边缘形成有凹陷；因此，在制作像素电极时，像素电极材料无法在此凹陷处成膜，从而使得像素电极材料在此处自然断开，以能够形成相互断开的第一复合电极213和第二复合电极214，无需对子像素20中的像素电极进行曝光、显影、刻蚀等图案化工艺，提高了第一复合电极213和第二复合电极214的制作效率。
可选地，如图5所示，第一隔断层2120的边缘与第二隔断层2121的边缘之间的距离h为1μm至5μm，本实施例中，通过控制第一隔断层2120的边缘与第二隔断层2121的边缘之间的距离不小于1μm，以便于一次形成相互断开的第一复合电极213和第二复合电极214；此外，通过控制第一隔断层2120的边缘与第二隔断层2121的边缘不小于5μm，以保证隔断部212与基板的接触面积，从而保证隔断部212的结构稳定性，从而避免隔断部212与隔断部212上的第二复合电极214容易发生剥离的情况。
其中，为了制作出截面呈T型的隔断部212，本实施例中可在制作第一隔断层2120和第二隔断层2121时，可采用具有不同刻蚀速率的材料制作而成，具体地，可采用刻蚀速率大的材料制作第一隔断层2120，采用刻蚀速率小的材料制作第二隔断层2121层，也就是说，第一隔断层2120的刻蚀速率大于第二隔断层2121的刻蚀速率，这样可采用同一刻蚀条件对第一隔断层2120和第二隔断层2121同时进行刻蚀，即可形成截面呈T型的隔断部212，降低了隔断部212的制作难度。
举例而言，此第一隔断层2120可采用金属、树脂等材料制作而成；而第二隔断层2121可采用氧化硅、氮化硅等无机材料制作而成；这样设计使得第一隔断层2120和第二隔断层2121的刻蚀选择比比较高，以便于形成截面整体呈T型的隔断部212。
可选地，该第一隔断层2120的厚度可为50nm至1500nm；第二隔断层2121的厚度可为30nm至1500nm，即：隔断部212的厚度可为80nm至3000nm，这样设计可避免隔断部212过薄而导致第一复合电极213与第二复合电极214之间无法相互断开的情况，同时，还可避免隔断部212过厚而导致公共电极218发生断裂的情况。
此外，通过将隔断部212的厚度控制在上述范围，还可保证第一复合发光部215与第二复合发光部216之间相互断开，降低了子像素20中各复合像素之间发生串扰的风险，进一步提高显示效果。应当理解的是，第一复合发光部215在基板上的正投影与第二复合发光部216在基板上的正投影无缝相接，即实现了子像素20在发光方向上的无缝显示。
需要说明的是，本实施例的子像素20中有机发光功能层不仅包括有机发光层，还可包括共同层，此共同层至少包括空穴传输层220(HTL)和电子传输层221(ETL)，此空穴传输层220位于像素电极与有机发光层之间，电极传输层位于有机发光层与公共电极218之间，以改善子像素20的发光效率。需要说明的是，该阵列基板2中各子像素20的公共层可共用。
本申请一实施例还提出了一种阵列基板2的制作方法，该阵列基板2可包括多个阵列排布的子像素20；每一子像素20包括交替排列的第一复合区和第二复合区，其中，如图6所示，该阵列基板2的制作方法可包括：
步骤S600，提供一基板；如图7所示。
步骤S602，在基板上形成隔断部212，隔断部212位于第二复合区；如图8所示。
步骤S604，形成像素电极，像素电极包括形成在基板上并位于第一复合区的第一复合电极213，以及形成在隔断部212且背离基板的一侧的第二复合电极214；第一复合电极213与第二复合电极214之间相互断开，且第一复合电极213与第二复合电极214在基板上的正投影无缝相接；如图9所示。
步骤S606，在基板上形成具有像素开口2170的像素界定层217。
步骤S608，在像素电极背离基板的一侧形成有机发光层，有机发光层位于像素开口2170内。
步骤S610，在有机发光层背离基板的一侧形成公共电极218。
步骤S612，在公共电极218背离基板的一侧形成封装层219；如图4所示。
需要说明的是，前述任一实施例所描述的阵列基板2可采用此阵列基板2的制作方法制作而成，因此，在此处不在对此阵列基板2的有益效果进行具体阐述。
此外，由于步骤S600、S606、S608、S610及S612的形成方法不是本实施例的主要发明点，因此，不在此进行详细赘述，具体可参考现有技术的制作方式。
下面本实施例针对步骤S602和步骤S604进行详细说明。
在步骤S602中，在基板上形成隔断部212，此隔断部212位于第二复合区。其中，前述实施例中提到隔断部212的截面整体形成为T型，即：隔断部212可包括依次层叠在基板上的第一隔断层2120和第二隔断层2121；第一隔断层2120在基板上的正投影位于第二隔断层2121在基板上的正投影的中心区域。本实施例中，为了制作出该截面为T型的隔断部212，步骤S602具体可包括：
步骤S6020，在基板上依次形成第一隔断层2120及第二隔断层2121，第隔断层的刻蚀速率大于第二隔断层2121的刻蚀速率；该第一隔断层2120、第二隔断层2121的材料可采用前述实施例所描述的材料制作而成。
步骤S6022，在同一刻蚀条件下对第一隔断层2120和第二隔断层2121进行刻蚀，以形成隔断部212。
需要说明的是，在形成截面为T型的隔断部212之后，以及在形成
在步骤S604中，形成像素电极。举例而言，可采用真空蒸镀、或真空溅射的方式形成该像素电极，由于第一隔断层2120的边缘相比于第二隔断层2121的边缘内缩，即：该隔断部212中靠近基板的边缘形成有凹陷；因此，在制作像素电极时，像素电极材料无法在此凹陷处成膜，从而使得像素电极材料在此处自然断开，以能够形成相互断开的第一复合电极213和第二复合电极214，无需对子像素20中的像素电极进行曝光、显影、刻蚀等图案化工艺，提高了第一复合电极213和第二复合电极214的制作效率。
本申请一实施例还提供了一种三维显示面板，其包括前述任一实施例所述的阵列基板2以及形成在封装层219背离阵列基板2的一侧的透镜阵列层，此透镜阵列层可包括多个透镜30，每一透镜30对应一子像素20；透镜阵列层用于将阵列基板2中显示的左眼图像、右眼图像分别投射至观看者的左眼、右眼，以形成3D显示。
本申请一实施例还提供了一种显示装置，其包括前述实施例所描述的三维显示面板。根据本申请的实施例，该显示装置可以是电视机、笔记本电脑、手机、头戴显示设备、广告机、灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
本申请实施方式还提供一种显示装置，包括上述实施例的3D显示面板。该显示装置可以是电视机、笔记本电脑、手机、头戴显示设备、广告机、灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，且每一所述子像素包括：
基板；
隔断部，形成在所述基板上，并位于所述第二复合区，所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域，所述第一隔断层的厚度为50nm至1500nm；所述第二隔断层的厚度为30nm至1500nm，所述第一隔断层的边缘与所述第二隔断层的边缘之间的距离为1μm至5μm；
像素电极，包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；
有机发光层，形成在所述像素电极背离所述基板的一侧；
像素界定层，形成在所述基板上，并环绕所述有机发光层设置；
公共电极，形成在所述有机发光层背离所述基板的一侧；
封装层，形成在所述公共电极背离所述基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机发光层包括：
第一复合发光部，形成在所述第一复合电极背离所述基板的一侧；
第二复合发光部，形成在所述第二复合电极背离所述基板的一侧；
其中，所述第一复合发光部与所述第二复合发光部之间相互断开，所述第一复合发光部在所述基板上的正投影与所述第二复合发光部在所述基板上的正投影无缝相接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极采用金属材料、金属合金材料或氧化烟锡材料制作而成。
5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个阵列排布的子像素；每一所述子像素包括交替排列的第一复合区和第二复合区，其中，所述制作方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成隔断部，所述隔断部位于所述第二复合区；
形成像素电极，所述像素电极包括形成在所述基板上并位于所述第一复合区的第一复合电极，以及形成在所述隔断部且背离所述基板的一侧的第二复合电极；所述第一复合电极与所述第二复合电极之间相互断开，且所述第一复合电极与所述第二复合电极在所述基板上的正投影无缝相接；
在所述基板上形成具有像素开口的像素界定层；
在所述像素电极背离所述基板的一侧形成有机发光层，所述有机发光层位于所述像素开口内；
在所述有机发光层背离所述基板的一侧形成公共电极；
在所述公共电极背离所述基板的一侧形成封装层；
所述隔断部包括依次层叠在所述基板上的第一隔断层和第二隔断层；所述第一隔断层在所述基板上的正投影位于所述第二隔断层在所述基板上的正投影的中心区域，所述第一隔断层的边缘与所述第二隔断层的边缘之间的距离为1μm至5μm。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成隔断部，包括：
在所述基板上依次形成第一隔断层及第二隔断层，所述第一隔断层的刻蚀速率大于所述第二隔断层的刻蚀速率；
在同一刻蚀条件下对所述第一隔断层和所述第二隔断层进行刻蚀，以形成所述隔断部。
7.一种三维显示面板，其特征在于，包括：
权利要求1至4中任一项所述的阵列基板；
透镜阵列层，形成在所述封装层背离所述阵列基板的一侧，所述透镜阵列层包括多个透镜，每一所述透镜对应一所述子像素；所述透镜阵列层用于将所述阵列基板中显示的左眼图像、右眼图像分别投射至观看者的左眼、右眼。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的三维显示面板。
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