CN112542468A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 152
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N zinc antimony(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[Sb+3] OWOMRZKBDFBMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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Abstract
本发明提供一种显示装置，包含基板，具有第一表面和第二表面，第二表面相对于第一表面；第一导电层，设置于第一表面上；第二导电层，设置于第二表面上，其中第一导电层和第二导电层分别设置于基板的相对两侧；第一连接部，至少部分设置于基板内，且由第一表面贯穿至第二表面，其中第一导电层通过第一连接部与第二导电层电连接；以及发光元件，设置于第一表面上，其中发光元件包括第一电极与第二电极，其中在垂直第一表面的方向上，第一电极与第二电极不与第一连接部重叠。
Description
本申请是中国发明专利申请(申请号：201710067676.6，申请日：2017年02月07日，发明名称：显示装置)的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示装置，且特别是涉及基板内具有连接部的显示装置。
背景技术
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智能型手机等现代化信息设备。目前显示装置中，处理单元和显示单元设置在基板的相同表面上，非显示区的边界较大，使得有效显示空间受到缩限。
发明内容
本发明提供一种显示装置，包含基板，具有第一表面和第二表面，第二表面相对于第一表面；第一导电层，设置于第一表面上；第二导电层，设置于第二表面上，其中第一导电层和第二导电层分别设置于基板的相对两侧；第一连接部，至少部分设置于基板内，且由第一表面贯穿至第二表面，其中第一导电层通过第一连接部与第二导电层电连接；以及发光元件，设置于第一表面上，其中发光元件包括第一电极与第二电极，其中在垂直第一表面的方向上，第一电极与第二电极不与第一连接部重叠。
本发明提供一种显示装置，包含基板，具有第一表面和第二表面，第二表面相对于第一表面；第一导电层，设置于第一表面上；第二导电层，设置于第二表面上，其中第一导电层与第二导电层分别设置于基板的相对两侧；第一连接部，至少部分设置于基板内，且由第一表面贯穿至第二表面，其中第一导电层通过第一连接部与第二导电层电连接；触控传输部，设置于第一表面上且与第一导电层电连接；以及至少一绝缘层，设置于第一表面上,其中触控传输部贯穿至少一绝缘层。
本发明提供一种显示装置，包含基板，具有第一表面和第二表面，第二表面相对于第一表面；第一导电层，设置于第一表面上；第二导电层，设置于第二表面上,其中第一导电层与第二导电层分别设置于基板的相对两侧；第一连接部，至少部分设置于基板内，且由第一表面贯穿至第二表面，其中第一导电层通过第一连接部与第二导电层电连接；以及像素驱动电路,设置于第一表面上,其中像素驱动电路包括至少一具有金属氧化物半导体的晶体管及至少一具有多晶硅半导体的晶体管。
为让本发明实施例的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一些实施例，显示装置的剖视图；
图2A～图2E为本发明一些实施例，形成基板内的连接部的各阶段制作工艺的示意图，其中图2A～图2D是立体图，图2E是剖视图；
图3A～图3F为本发明一些实施例，形成基板内的连接部的各阶段制作工艺的示意图，其中图3A～图3E是立体图，图3F是剖视图；
图4A～图4E为本发明一些实施例，形成具有贯穿孔和盲孔的基板的各阶段制作工艺的剖视图；
图5A～图5B为本发明一些实施例，基板及贯穿孔的剖视图；
图6A为本发明一些实施例，显示装置的剖视图；
图6B为本发明一些实施例，如图6A所示的显示装置的电路配置的上视图；
图6C为一些实施例，沿图6B所示的显示装置的C-C’切线的剖面示意图；
图6D为一些实施例，沿图6B所示的显示装置的D-D’切线的剖面示意图；
图6E为一些实施例，沿图6B所示的显示装置的E-E’切线的剖面示意图；
图6F为本发明一些实施例，图6B所示的变化例的显示装置的上视图；
图7A为本发明一些实施例，显示装置的剖视图；
图7B为本发明一些实施例，如图7A所示的显示装置的电路配置的上视图；
图7C为一些实施例，沿图7B所示的显示装置的F-F’切线的剖面示意图；
图7D为一些实施例，沿图7B所示的显示装置的G-G’切线的剖面示意图；
图7E为一些实施例，沿图7B所示的显示装置的H-H’切线的剖面示意图；
图7F为本发明一些实施例，图7B所示的变化例的显示装置的上视图；
图8为本发明一些实施例，解多工器的电路示意图；
图9为本发明一些实施例，显示装置的上视图；
图10A为一些实施例，沿图9所示的显示装置的A-A’切线的剖面示意图；
图10B为一些实施例，沿图9所示的显示装置的B-B’切线的剖面示意图；
图11A为本发明一些实施例，显示装置的局部剖视图；
图11B为本发明一些实施例，如图11A所示显示装置的局部上视图；
图12为本发明一些实施例，显示装置的局部剖视图；
图13为本发明一些实施例，显示装置的局部剖视图；
图14A为本发明一些实施例，显示装置的局部剖视图；
图14B为本发明一些实施例，如图14A所示显示装置的局部上视图；
图15A为本发明一些实施例，显示装置的局部剖视图；
图15B为本发明一些实施例，如图15A所示显示装置的局部上视图；
图16为本发明一些实施例，显示装置的剖视图；
图17为本发明一些实施例，显示装置的剖视图；
图18为本发明一些实施例，显示装置的剖视图。
符号说明
10～处理单元；
20～基板；
20A～第一表面；
20B～第二表面；
30～第一连接部；
41～第一导电层；
42～第二导电层；
50～显示元件层；
100～第一承载基板；
101～第二承载基板；
110～柱状物；
120～基板；
120A～第一表面；
120B～第二表面；
130～第一连接部；
130A～导通孔；
140～显示元件层；
141～处理单元；
150～缓冲层；
160～导电柱；
180～半透膜光掩模；
190～盲孔；
200～贯穿孔；
210～主动区；
220～弯折区；
230～栅极驱动电路区；
240～金属材料；
240A～导电层；
240B～第一连接部；
251～第一导电层；
251a～第一部；
251b～第二部；
252～第二导电层；
260～显示元件层；
270～处理单元；
290～栅极驱动电路；
300～空间；
306A～第一触控传输部；
306SD～源/漏极层
303～半导体层；
306G～栅极；
320～绝缘层；
325A～绝缘层；
325B～绝缘层；
330～掺杂区；
340～通道区；
350～栅极层；
350A～导电部；
360～接触孔；
360C～接触孔；
370～像素驱动电路；
380A～第二触控传输部；
380SD～源/漏极；
380C～接触孔；
400～主动层；
410～绝缘层
420～电容；
430～绝缘层；
435～像素定义层；
440～第一电极；
440A～第三触控传输部；
450～发光层；
460～第二电极；
500～封装层；
510A～触控电极；
510B～触控信号线；
520～触控传输部；
530～触控信号线；
530A～连接部；
540～导电油墨；
550～发光元件；
550C～接触孔；
600～处理单元；
610～基板；
610A～第一表面；
610B～第二表面；
620～第一连接部；
631～第一导电层；
632～第二导电层；
640～显示元件层；
651～第二连接部；
650A～显示信号线；
650B～输出信号电路；
660～解多工器；
670～数据线；
690～第二绝缘层；
691～绝缘层；
692～绝缘层；
700～第一绝缘层；
710～处理单元；
720～导线；
721～第一导电层；
722～第二导电层；
730～第一连接部；
740～基板；
740A～第一表面；
740B～第二表面；
750～显示元件；
751～第二连接部；
760～栅极驱动电路；
760A～显示信号线；
760B～输出信号电路；
770～解多工器；
780～数据线；
790～第一绝缘层；
800～第二绝缘层；
810～处理单元；
820～解多工器；
1000～显示装置；
2000～显示装置；
2000P～显示装置的局部；
4000～显示装置；
4000A～触控区；
4000B～周边区；
5000～显示装置；
6000～显示装置；
A、B、C～第一连接部；
D1、D2、Dn～第一连接部；
G1～Gn第一连接部；
A1-A5～面积；
P1-P3～投影；
R～基准面；
T1-T4～薄膜晶体管；
Y0-Y5～数据线。
具体实施方式
以下针对本发明一些实施例的元件基板、显示装置及显示装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。
在此，「约」、「大约」、「大抵」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，优选是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「大抵」的情况下，仍可隐含「约」、「大约」、「大抵」的含义。
能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明一些实施例的教示的情况下被称为一第二元件、组成成分、区域、层、及/或部分。
除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技术者所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明实施例有特别定义。
本发明一些实施例可配合附图一并理解，本发明实施例的附图也被视为本发明实施例说明的一部分。需了解的是，本发明实施例的附图并未以实际装置及元件的比例绘示。在附图中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明实施例的特征。此外，附图中的结构及装置以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明实施例的特征。
在本发明一些实施例中，相对性的用语例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「顶部」、「底部」等等应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者也可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。
值得注意的是，在后文中「基板」一词可包括透明基板上已形成的元件与覆盖在基板上的各种膜层，其上方可以已形成任何所需的晶体管元件，不过此处为了简化附图，仅以平整的基板表示之。
首先，参见图1，图1为本发明一些实施例，显示装置1000的剖视图。显示装置1000包含处理单元10、基板20及显示元件层50。处理单元10例如包括集成电路(IC；integratedcircuit)、微处理器、存储元件、其他可处理信号的元件、或上述的任何组合。基板20可为透明基板，例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的基板。基板20可为硬质基板或可挠性基板。显示元件层50可包含栅极驱动电路、数据线、薄膜晶体管、发光层、电容、电感、被动微电子元件、主动微电子元件、或上述的任何组合。
在一些实施例，如图1所示，基板20具有一第一表面20A和一第二表面20B，第二表面20B相对于第一表面20A。第一导电层41设置于第一表面20A上，第二导电层42设置于第二表面20B上。处理单元10设置于第二表面20B上，且与第二导电层42电连接。第一连接部30至少部分设置于基板20内，且由第一表面20A贯穿至第二表面20B。第一导电层41与显示元件层50电连接。处理单元10通过第一连接部30与第一导电层41电连接，由此使处理单元10的信号传递至显示元件层50。
参阅图2A～图2E，图2A～图2E为本发明一些实施例，在基板内形成贯穿基板的连接部的制作工艺。以下制作工艺可应用于本发明一些实施例中在基板内形成第一连接部。首先，参阅图2A，提供第一承载基板100，并且第一承载基板100上设置有多个柱状物110。
接着，参阅图2B，以沉积制作工艺将基板120沉积至第一承载基板100上，使得多个柱状物110突出于基板120。基板120的材料可例如为玻璃、光敏感性材料、聚合物树脂或其它适合的材料。基板120可为硬质基板或可挠性基板。
接着，将设置有多个柱状物110的第一承载基板100移除，形成具有多个导通孔130A的基板120。再将基板120转移到另一平坦的第二承载基板101上，如图2C所示。
接着，如图2D所示，利用沉积制作工艺将导电材料填入多个导通孔130A中而形成第一连接部130。并制作显示元件层140于基板120上。接着，移除第二承载基板101。
最后，如图2E所示，设置处理单元141，并将基板120的边缘弯折。依据其他实施例，基板120的边缘也可不进行弯折。在此实施例，基板120具有多个第一连接部130，而处理单元141则可通过这些第一连接部130电连接至显示元件层140或其它电子元件。
参阅图3A～图3F，图3A～图3F为本发明一些实施例，在基板内形成贯穿基板的连接部的制作工艺。以下制作工艺可应用于本发明一些实施例中在基板内形成第一连接部。首先，参阅图3A，提供第一承载基板100，并且在第一承载基板100上设置缓冲层150。缓冲层150可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它任何适合的绝缘材料。
接着，如图3B～图3C所示，利用沉积及光刻制作工艺将导电材料形成多个导电柱160于缓冲层150上。利用沉积制作工艺在缓冲层150上形成基板120，并包覆导电柱160。导电柱160可为金属柱。基板120可为硬质基板或可挠性基板。
接着，如图3D所示，移除缓冲层150及第一承载基板100，并将基板120移至第二承载基板101上。基板120内具有多个导电柱160。
接着，如图3E所示，制作显示元件层140于基板120上。
最后，如图3F所示，设置处理单元141，并将基板120的边缘弯折。依据其他实施例，基板120的边缘也可不进行弯折。在此实施例，基板120具有多个由导电柱构成的第一连接部160，而处理单元141则可通过这些第一连接部160电连接至显示元件层140或其它电子元件。
参阅图4A～图4E，图4A～图4E为本发明一些实施例，在基板内形成盲孔190和贯穿孔200的各阶段的制作工艺的剖视图。首先，如图4A所示，提供基板120，基板120包含主动区210、弯折区220和栅极驱动电路区230。在一些实施例，利用半透膜光掩模(half-tonemask)180图案化基板120，使基板120具有盲孔190和贯穿孔200。如图4A所示，贯穿孔200贯穿基板120，盲孔190则并未贯穿基板120。在一些实施例，盲孔190设置于弯折区220，贯穿孔200设置于栅极驱动电路区230，但并不限于此。盲孔190的深度并没有特别限制，在一些实施例，盲孔190的深度小于基板120厚度的一半。
接着，如图4B～图4C所示，将导电材料(例如金属材料)240沉积至盲孔190和贯穿孔200内。在一些实施例，当导电材料240填至贯穿孔200一半的深度时，将基板120翻面，并且继续沉积导电材料240，至导电材料240填满贯穿孔200。如图4C所示，如此，可形成填满贯穿孔200的导电材料所构成的第一连接部240B、填入盲孔190内的导电材料所构成的导电层240A。并且，形成第一导电层251于基板120的第一表面120A上作为第一导电垫，形成第二导电层252于基板120的第二表面120B上作为第二导电垫。
接着，如图4D～图4E所示，形成显示元件层260于基板120设置有第一导电层251的表面(第一表面120A)上，并且将处理单元270设置在基板120设置有第二导电层252的表面(第二表面120B)上。显示元件层260与第一导电层251电连接。处理单元270与第二导电层252电连接。
在一些实施例中，导电层240A、第一连接部240B、第一导电层251、第二导电层250可由相同的导电材料240所形成。在一些实施例，导电材料240可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。
图5A为本发明一些实施例，基板120及第一连接部240B的剖视图。如图5A所示，第一连接部240B沿着基板120的第一表面120A具有一第一面积A1，沿着基板的第二表面120B具有一第二面积A2。在一些实施例，第一面积A1和第二面积A2不同，例如，第一面积A1大于第二面积A2，如此可增加第一连接部制作工艺上的良率，减少连接部断裂机率。
图5B为本发明一些实施例，基板120及第一连接部240B的剖视图。如图5B所示，第一连接部240B沿着基板120的第一表面120A具有一第一面积A3，沿着基板的第二表面120B具有一第二面积A5。第一面积A3和第二面积A5可为相同或不同。第一连接部240B沿着一基准面R具有一第三面积A4。依据一些实施例，基准面R位于第一表面120A和第二表面120B之间且平行第一表面120A。依据一些实施例，基准面R可位于第一表面120A和第二表面120B之间距离D的二分之一处，如图5B所示。依据一些实施例，第一面积A3和第三面积A4可为不同，例如，第一面积A3大于第三面积A4，如此可增加第一连接部制作工艺上的良率，减少连接部断裂机率。
参阅图6A，图6A为本发明一些实施例，显示装置5000的剖视图。显示装置5000包含处理单元600、基板610及显示元件层640。基板610具有一第一表面610A和一第二表面610B，第二表面610B相对于第一表面610A。第一表面610A通常称作基板的正面，第二表面610B通常称作基板的背面。显示元件层640设置于第一表面610A上。一第一导电层631设置于第一表面610A上，一第二导电层632设置于第二表面610B上。处理单元600设置于第二表面610B上，且与第二导电层632电连接。第一连接部620至少部分设置于基板610内，且由第一表面610A贯穿至第二表面610B。第一导电层631通过第一连接部620与第二导电层632电连接，由此使处理单元600的信号传递至显示元件层640。处理单元600例如包括集成电路(IC；integrated circuit)、微处理器、存储元件、其他可处理信号的元件、或上述的任何组合。
参阅图6B，图6B为本发明一些实施例，如图6A所示的显示装置5000的电路配置的上视图。为了使附图简洁，图6B仅绘示处理单元600、第一连接部620及其它位于显示元件层640内的电路。如图6B所示，显示元件层640包含栅极驱动电路650及数据线670，其中，栅极驱动电路650包含沿第一方向(例如为Y方向)延伸的显示信号线650A(例如，输入信号电路)，和沿第二方向(例如为X方向)延伸的输出信号电路650B(例如，扫描线)。栅极驱动电路650及数据线670设置在第一表面610A上。在一些实施例，处理单元600经由多个第一连接部620和第一导电层631电连接至栅极驱动电路650的显示信号线650A。由此，处理单元600的信号再经由栅极驱动电路650的输出信号电路650B传递至沿第一方向(Y方向)延伸的数据线670。在此实施例，第一连接部620的延伸方向与第一方向、第二方向垂直。
图6C为沿图6B所示的显示装置5000的C-C’切线的剖面示意图，图6D为D-D’切线的剖面示意图，图6E为E-E’切线的剖面示意图。如图6C所示，第一绝缘层700设置于第一导电层631上，第二绝缘层690设置于第一绝缘层700上，数据线670设置于第二绝缘层690上。如图6D所示，第二连接部651至少部分设置在第一绝缘层700内且贯穿第一绝缘层700。显示信号线650A设置在第一绝缘层700上。栅极驱动电路650与第一导电层631电连接。例如，栅极驱动电路650的显示信号线650A经由第二连接部651与第一导电层631电连接。如图6E所示，第二连接部651设置在第一绝缘层700及第二绝缘层690内且贯穿第一绝缘层700及第二绝缘层690。数据线670经由第二连接部651与第一导电层631电连接。
再参阅图6C，在一些实施例，第一导电层631在沿着C-C’方向的(最大)宽度大于第一连接部620在沿着C-C’方向的(最大)宽度，且第二导电层632在沿着C-C’方向的(最大)宽度大于第一连接部620在沿着C-C’方向的(最大)宽度。第一导电层631和第二导电层632可作为导电垫，有较大宽度可确保导电的效果。在一些实施例，处理单元600的位置与第一连接部620的位置对应设置，例如，从垂直于基板610的第一表面610A的方向看，处理单元600至少部分重叠第一连接部620，且第一连接部620至少与第二导电层632或第一导电层631的一部分重叠。
图6F为图6B的变化例。如图6F所示，显示装置5000还包括一解多工器660，设置于第一表面610A上，且与第一导电层631电连接。由处理单元600而来的一条信号线可经由解多工器660，而选择分配给多个输出端中的一个。例如，图6F中显示，由处理单元600而来的一条信号线可经由解多工器660，而选择分配给三条数据线中的一个。如此，原本图6B中三条数据线670需搭配三个第一连接部620，而通过图6F的设计，三条数据线670仅需搭配一个第一连接部620，可减少第一连接部620的数量。图6F对应的剖视图，与前述图6C～图6E类似，在此不再赘述。
参阅图7A，图7A为本发明另一些实施例，显示装置6000的剖视图。显示装置6000包含处理单元710、基板740及显示元件层750。基板740具有一第一表面740A和一第二表面740B，第二表面740B相对于第一表面740A。显示元件层750设置于第一表面740A上。一第一导电层721设置于第一表面740A上，一第二导电层722设置于第二表面740B上。处理单元710设置于第二表面740B上，具与第二导电层722电连接。第一连接部730至少部分设置于基板740内，且由第一表面740A贯穿至第二表面740B。第一导电层721通过第一连接部730与第二导电层722电连接，由此使处理单元710的信号传递至显示元件层750。
在此实施例，从垂直于基板740的第一表面740A的方向看，处理单元710与第一连接部730并未重叠，而是彼此分离的。处理单元710通过导线720及第二导电层722与第一连接部730电连接，第一连接部730经由第一导电层721与显示元件层750电连接。
参阅图7B，图7B为本发明一些实施例，如图7A所示的显示装置6000的电路配置的上视图。为了使附图简洁，图7B仅绘示处理单元710、导线720、第一连接部730及其它位于显示元件层750内的电路。如图7B所示，显示元件层750包含栅极驱动电路760及数据线780，其中，栅极驱动电路760包含沿第一方向(例如为Y方向)延伸的显示信号线760A(例如，输入信号电路)，和沿第二方向(例如为X方向)延伸的输出信号电路760B(例如，扫描线)。在一些实施例，处理单元710经由多个导线720连接至第一连接部730。在此实施例，处理单元710依序通过导线720、第一连接部730而电连接至栅极驱动电路760的显示信号线760A。
图7C为沿图7B所示的显示装置6000的F-F’切线的剖面示意图，图7D为G-G’切线的剖面示意图，图7E为H-H’切线的剖面示意图。如图7D所示，第一绝缘层790设置于第一导电层721上。第二连接部751至少部分设置在第一绝缘层790内且贯穿第一绝缘层790。显示信号线760A设置在第一绝缘层790上。栅极驱动电路760与第一导电层721电连接。例如，栅极驱动电路760的显示信号线760A经由第二连接部751而与第一导电层721电连接。
如图7E所示，第二绝缘层800设置在第一绝缘层790上。第二连接部751设置在第一绝缘层790及第二绝缘层800内且贯穿第一绝缘层790及第二绝缘层800。数据线780经由第二连接部751与第一导电层721电连接。依据一些实施例，第一连接部730与第二连接部751可至少部分重叠。如图7A和图7C所示，从垂直于基板740的方向看，第一连接部730并未设置于处理单元710的正上方，处理单元710通过导线720与第一连接部730电连接。
图7F为图7B的变化例。如图7F所示，显示装置6000还包括一解多工器770，设置于基板740的第二表面740B上，且与第二导电层722电连接。由处理单元710而来的一条信号线可经由解多工器770，而选择分配给多个输出端中的一个。例如，图7F中显示，由处理单元710而来的一条信号线可经由解多工器770，而选择分配给三条数据线中的一个。如此，原本图7B中三条数据线780需搭配三个第一连接部730，而通过图7F的设计，三条数据线780仅需搭配一个第一连接部730，可减少第一连接部730的数量。图6F对应的剖视图，与前述图6C～图6E类似，在此不再赘述。
参阅图8，图8为本发明一些实施例，解多工器820的电路示意图。前述图6F、图7F中的解多工器660、770，例如可具有如图8的解多工器820的电路。图6F和图7F中解多工器的电路和原理为类似，以下仅以图6F的情况为例作说明。如图8所示，处理单元810与第一连接部A、B、C、D1、D2～Dn、G1～Gn耦接。其中，第一连接部A、B、C可作为解多工器820的时钟脉冲产生器，第一连接部D1耦接至数据线Y0、Y1、Y2的源极，第一连接部D2耦接至数据线Y3、Y4、Y5的源极。在一些实施例，有n个第一连接部耦接至数据线的源极，但为附图简洁，仅绘示第一连接部D1、D2所对应的数据线。第一连接部G1～Gn则耦接至栅极驱动电路的源极(未显示)。如图8所示，第一连接部A耦接至数据线Y0和Y3的栅极，第一连接部B耦接至数据线Y1和Y4的栅极，且第一连接部C耦接至数据线Y2和Y5的栅极。在此实施例，通过时钟脉冲产生器(即第一连接部A、B、C)的信号组合，可利用一个第一连接部D1来控制三条数据线Y0、Y1、Y2的开关。由此，可减少第一连接部的数量。
依据一些实施例，处理单元设置在基板的背面。依据一些实施例，位于基板背面的处理单元利用贯穿基板的第一连接部而与位于基板正面的显示元件层电连接以进行信号传输。如此，处理单元在基板的正面并不占据额外的面积，因此可形成窄边界或没有边界(borderless)的显示装置。
图9为本发明一些实施例，显示装置2000的上视图。为清楚表示各个元件之间的排列关系，图9所示的显示装置2000仅绘示像素驱动电路370、栅极驱动电路290及处理单元270。如图9所示，栅极驱动电路290设置于显示装置2000的两侧，并且沿着第一方向(Y方向)延伸。处理单元270可设置在显示装置2000的另一侧，可不同于栅极驱动电路290设置之侧，且可设置在两栅极驱动电路290间，并且沿着第二方向(X方向)延伸。图9显示两个栅极驱动电路。但本技术人士可知，显示装置2000中也可只包括一个栅极驱动电路。
参阅图10A，图10A为一些实施例，沿图9所示的显示装置2000的A-A’切线的剖面示意图。如图10A所示，栅极驱动电路290设置于基板120上，并且设置于基板120的两侧。在一些实施例，像素驱动电路370与栅极驱动电路290位于不同层，例如，栅极驱动电路290和像素驱动电路370可设置在基板120的第一表面120A上，像素驱动电路370设置在栅极驱动电路290上方。在此实施例，位于栅极驱动电路290、基板120和像素驱动电路370之间的空间300则可用来设置其它电子元件的线路。在一些实施例，空间300可用来设置触控电路或感测电路。
参阅图10B，图10B为一些实施例，沿图9所示的显示装置2000的B-B’切线的剖面示意图。如图10B所示，处理单元270设置在基板120的第二表面120B上。在一些实施例，处理单元270可至少部分重叠第一连接部240B。例如，处理单元270设置在位于第一连接部240B、第一导电层251、第二导电层252的正下方。在另一些实施例，处理单元270并非设置在第一连接部240B的正下方，处理单元270可经由额外的导线(未绘示)电连接至第一连接部240B。例如，图10B可采取如图7A的方式，处理单元710通过导线720与第一连接部730电连接。亦即，图10B中，处理单元270可通过导线(未绘示，类似导线720)及第二导电层252而与第一连接部240B电连接。依据一些实施例，设置于基板的第二表面120B上的处理单元270，可经由第一连接部240B电连接至设置于基板的第一表面120A上的栅极驱动电路290。依据一些实施例，设置于基板的第二表面120B上的处理单元270，可经由第一连接部240B电连接至设置于基板的第一表面120A上的触控电路或感测电路。触控电路或感测电路可设置于空间300内。
依据一些实施例，栅极驱动电路290和像素驱动电路370至少有部分重叠。通过此种设置方式，栅极驱动电路290在基板上并不占据额外的面积，因此可形成窄边界或没有边界的显示装置2000。依据一些实施例，处理单元270设置在基板120的第二表面120B上，而不占据基板120的第一表面120A的面积，因此可形成窄边界或没有边界的显示装置2000。
参阅图11A，图11A为本发明一实施例，显示图10A显示装置的局部2000P的详细电路。图11A仅显示出显示装置2000的局部2000P，局部2000P包括栅极驱动电路290的部分，像素驱动电路370，和发光元件550。栅极驱动电路290、像素驱动电路370，和发光元件550可设置于基板120的第一表面120A上。像素驱动电路370可包括薄膜晶体管T1、T2、T3。T1可为开关晶体管，T2可为驱动晶体管，T3可为重置(reset)晶体管。栅极驱动电路290可包括输出晶体管T4。图11A只画出像素驱动电路370中的三个晶体管。本技术人士应知道，依据实际需要，像素驱动电路也可包括更多个晶体管。
第一导电层251设置于第一基板120的第一表面120A上。第二导电层252和处理单元270设置于第一基板120的第二表面120B上。第一导电层251可包括第一部251a和第二部251b。第一部251a可位于输出晶体管T4的下方，可用于T4中半导体层303的遮光之用。第一导电层251的第二部251b，可位于第一连接部240B的对应位置处，并经由第一连接部240B而与处理单元270电连接。依据一些实施例，第一部251a和第二部251b可为相同层。在本发明书中，A层和B层为相同层的意思表示，A层和B层可使用相同的材料、以相同的制作工艺而图案化制得。亦即，第一部251a和第二部251b可使用相同材料的导电层以相同制作工艺而图案化制得。
图11A中，处理单元270位于第一连接部240B的对应位置处，亦即，处理单元270至少部分重叠第一连接部240B。然而，依据其他实施例，处理单元270也可不重叠第一连接部240B。例如，可采取如图7A的方式，处理单元270可通过另外的导线(未绘示，类似图7A的导线720)和第二导电层252而与第一连接部240B电连接。
绝缘层320位于第一导电层251上。输出晶体管T4位于绝缘层320上，且包括半导体层303、栅极层350、源/漏极层306SD。半导体层303位于绝缘层320上，绝缘层325A位于半导体层303和栅极层350之间，绝缘层325B位于栅极层350和源/漏极层306SD之间。半导体层303可包括通道区340和掺杂区330。
依据一些实施例，栅极驱动电路290中的晶体管和像素驱动电路370中的晶体管可具有相同层。例如，图11A中，输出晶体管T4的源/漏极层306SD与像素驱动电路370中T1,T2,T3的栅极306G可为相同层。亦即，晶体管T4的源/漏极306SD和晶体管T1,T2,T3的栅极306G可由相同材料的导电层以相同制作工艺而图案化制得。
T4可与开关晶体管T1电连接以将栅极驱动电路290的信号输出到T1。开关晶体管T1可与驱动晶体管T2电连接。图11A中显示栅极驱动电路290中的晶体管T4为顶栅极晶体管，像素驱动电路370中的晶体管T1,T2,T3为底栅极晶体管。但本发明不以此为限。T4也可为底栅极晶体管，T1,T2,T3也可为顶栅极晶体管。T1,T2,T3,T4中的主动层可为半导体，例如，可为非晶硅、多晶硅、金属氧化物。金属氧化物的例子可为氧化铟镓锌(IGZO；indiumgallium zinc oxide)。依据本发明一些实施例，T1,T2,T3中的主动层400可为IGZO，T4中的主动层303可为多晶硅。
发光元件550可设置在像素驱动电路370上。绝缘层410、430可位于发光元件550和像素驱动电路370之间。发光元件550包含第一电极440、发光层450及第二电极460。发光层450设置于第一电极440和第二电极460之间，且位于像素定义层435的开口内。第二电极可覆盖像素定义层435。第一电极440可为阳极，第二电极460可为阴极。或者，第一电极440可为阴极，第二电极460可为阳极。发光元件550的第一电极440可经由接触孔550C(可位于绝缘层410、430内)而与驱动晶体管T2电连接。
在一些实施例，发光层450可包括有机发光二极管层，如此，显示装置2000构成一有机发光二极管显示装置。在一些实施例，发光层450可包括无机发光二极管层，例如可包括微发光二极管，如此，显示装置2000构成一微发光二极管显示装置。
参阅图11B，图11B为图11A所示的显示装置的局部(2000P)的上视图。图11B仅以方块绘示栅极驱动电路290、像素驱动电路370、发光层450和基板120，以清楚表示其间的位置关系。图11B仅显示像素驱动电路370的局部。栅极驱动电路290在基板120的第一表面120A上的投影，定义为第一投影P1，像素驱动电路370在第一表面120A上的投影，定义为第二投影P2，发光层450在第一表面120A上的投影，定义为第三投影P3。在一些实施例，如图11B所示，在显示装置的局部2000P中，第一投影P1与第二投影P2至少部分重叠。在一些实施例，第三投影P3与第二投影P2至少部分重叠，且第一投影P1与第三投影P3彼此分离。
参阅图12，图12为本发明另一些实施例，显示图10A显示装置的局部2000P的详细电路。图12为图11A的变化例，和图11A的差异在于，在绝缘层325A和325B之间，显示装置还设置导电部350A。栅极驱动电路290可经由导电部350A和接触孔360C(位于绝缘层325B内)而与重置晶体管T3电连接。导电部350A和输出晶体管T4的栅极层350可为相同层。
参阅图13，图13为本发明另一些实施例，显示图10A显示装置的局部2000P的详细电路。图13为图11A的变化例，和图11A的差异在于驱动晶体管T2的栅极308G和重置晶体管T3的栅极306G为不同层，栅极308G和栅极306G之间有一绝缘层691相隔。绝缘层692位于主动层400和栅极308G之间。重置晶体管T3的栅极306G和输出晶体管T4的源/漏极306SD可为相同层。
参阅图14A，图14A为本发明另一些实施例，显示图10A显示装置的局部2000P的详细电路。图14A为图11A的变化例，和图11A的差异在于，发光层450的位置与栅极驱动电路290至少部分重叠，发光层450的位置和像素驱动电路370彼此分离。亦即，第三投影P3与第一投影P1至少部分重叠，第三投影P3与第二投影P2彼此分离，如图14B的上视图所示。
参阅图15A，图15A为本发明另一些实施例，显示图10A显示装置的局部2000P的详细电路。图15A为图11A的变化例，和图11A的差异在于，像素驱动电路区370可与发光层450和栅极驱动电路290同时重叠。亦即，第一投影P1、第二投影P2、和第三投影P3至少有一部分是三者重叠的，如图15B的上视图所示。
参阅图16，图16为本发明一些实施例，显示装置4000的局部剖视图。显示装置4000为触控显示装置。图16与前述图11A有类似的元件，例如，图16的显示装置4000包括像素驱动电路370、发光元件550、处理单元270、第一连接部240B、第一导电层251、第二导电层252等，在此不再赘述。像素驱动电路370，例如可包括开关晶体管T1、驱动晶体管T2、重置晶体管T3，在此不再赘述。如图16所示，显示装置4000更包含封装层500、触控电极510A、触控信号线510B、触控传输部520。触控电极510A位于显示装置4000的触控区4000A，触控信号线510B和触控传输部520位于显示装置4000的周边区(非触控区)4000B。
封装层500设置在发光元件550之上，触控电极510A和触控信号线510B设置在封装层500上。封装层500可包含多层结构，例如为包含无机层/有机层/无机层的结构。触控电极510A和触控信号线510B设置在基板120的第一表面120上，触控电极510A经由触控信号线510B和触控传输部520，而与第一导电层251电连接。由此，处理单元270可经由第一连接部240B和触控传输部520而与触控信号线510B进行信号传输。
触控电极510A和触控信号线510B可为相同材料或可为不同材料。触控电极510和触控信号线510B的材料可包含铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、金属、或上述的组合。
触控传输部520可包含第一触控传输部306A、第二触控传输部380A和第三触控传输部440A。在一些实施例，第一触控传输部306A、第二触控传输部380A和第三触控传输部440A可与像素驱动电路370中晶体管的电极层为相同层，或者，可与发光元件550中的电极层为相同层，以使制作工艺简化。例如，如图16所示，第一触控传输部306A可与像素驱动电路370中晶体管(T1,T2,或T3)的栅极306G为相同层，第二触控传输部380A可与晶体管(T1,T2,或T3)的源/漏极380SD为相同层。第三触控传输部440A可与发光元件550中的第一电极440为相同层。触控电极510A经由触控信号线510B、触控传输部520与第一导电层251电连接。
参阅图17，图17为本发明另一些实施例，显示装置4000的剖视图。图17为图16的变化例，和图16的差异为，图17的显示装置4000还包含触控信号线530和连接部530A。触控信号线530可设置在绝缘层325A和绝缘层325B之间，连接部530A可贯穿绝缘层325A和绝缘层320。触控电极510A经由触控信号线510B、触控传输部520、触控信号线530和连接部530A而电连接至第一导电层251。
参阅图18，图18为本发明另一些实施例，显示装置4000的剖视图。图18为图16的变化例，和图16的差异为，如图18所示，显示装置4000还包含导电油墨540，设置于触控信号线510B与第三触控传输部440A之间。导电油墨540可贯穿封装层500和一部分的像素定义层435。
依据一些实施例，处理单元设置在基板的背面。依据一些实施例，位于基板背面的处理单元利用贯穿基板的第一连接部而与位于基板正面的显示元件层或触控电极层电连接以进行信号传输。如此，处理单元在基板的正面并不占据额外的面积，因此可形成窄边界或没有边界的显示装置。依据一些实施例，栅极驱动电路和像素驱动电路至少有部分重叠。如此，栅极驱动电路在基板上并不占据额外的面积，因此可形成窄边界或没有边界的显示装置。
虽然以上已公开了本发明的实施例及其优点，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明一些实施例的公开内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明一些实施例使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面和第二表面，该第二表面相对于该第一表面；
第一导电层，设置于该第一表面上；
第二导电层，设置于该第二表面上，其中该第一导电层和该第二导电层分别设置于该基板的相对两侧；
第一连接部，至少部分设置于该基板内，且由该第一表面贯穿至该第二表面，其中该第一导电层通过该第一连接部与该第二导电层电连接；以及
发光元件，设置于该第一表面上，其中该发光元件包括第一电极与第二电极，
其中在垂直该第一表面的方向上，该第一电极与该第二电极不与该第一连接部重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
栅极驱动电路，与该第一导电层电连接。
3.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
像素驱动电路，与该发光元件电连接。
4.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面和第二表面，该第二表面相对于该第一表面；
第一导电层，设置于该第一表面上；
第二导电层，设置于该第二表面上，其中该第一导电层与该第二导电层分别设置于该基板的相对两侧；
第一连接部，至少部分设置于该基板内，且由该第一表面贯穿至该第二表面，其中该第一导电层通过该第一连接部与该第二导电层电连接；
触控传输部，设置于该第一表面上且与该第一导电层电连接；以及
至少一绝缘层，设置于该第一表面上，其中该触控传输部贯穿该至少一绝缘层。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中该触控传输部設置于该显示装置的周边区。
6.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
像素驱动电路，其中该触控传输部包括第二触控传输部，且该第二触控传输部与该像素驱动电路的晶体管的源/漏极为相同层。
7.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
像素驱动电路，包括：
至少一具有金属氧化物半导体的晶体管及至少一具有多晶硅半导体的晶体管。
8.如权利要求4所述的显示装置，还包括：
触控电极,通过该触控传输部与该第一导电层电连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，具有第一表面和第二表面，该第二表面相对于该第一表面；
第一导电层，设置于该第一表面上；
第二导电层，设置于该第二表面上，其中该第一导电层与该第二导电层分别设置于该基板的相对两侧；
第一连接部，至少部分设置于该基板内，且由该第一表面贯穿至该第二表面，其中该第一导电层通过该第一连接部与该第二导电层电连接；以及
像素驱动电路,设置于该第一表面上，其中该像素驱动电路包括至少一具有金属氧化物半导体的晶体管及至少一具有多晶硅半导体的晶体管。
10.如权利要求9所述的显示装置，还包括：
发光元件，设置于该第一表面上，其中该发光元件包括发光层，在垂直该第一表面的方向上，该发光层与该像素驱动电路至少部分重叠。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662358177P | 2016-07-05 | 2016-07-05 | |
| US62/358,177 | 2016-07-05 | ||
| US201662371252P | 2016-08-05 | 2016-08-05 | |
| US62/371,252 | 2016-08-05 | ||
| CN201710067676.6A CN107579075B (zh) | 2016-07-05 | 2017-02-07 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710067676.6A Division CN107579075B (zh) | 2016-07-05 | 2017-02-07 | 显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112542468A true CN112542468A (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=61049953
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710067676.6A Active CN107579075B (zh) | 2016-07-05 | 2017-02-07 | 显示装置 |
| CN202011256599.7A Pending CN112542468A (zh) | 2016-07-05 | 2017-02-07 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710067676.6A Active CN107579075B (zh) | 2016-07-05 | 2017-02-07 | 显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN107579075B (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI799495B (zh) | 2018-01-30 | 2023-04-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置 |
| US10446729B1 (en) * | 2018-03-22 | 2019-10-15 | Innolux Corporation | Display device having an electronic device disposed on a first pad and a second pad |
| CN112074894B (zh) | 2018-05-11 | 2023-05-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块及电子设备 |
| CN112119446A (zh) | 2018-05-17 | 2020-12-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子设备 |
| KR102612390B1 (ko) | 2018-12-19 | 2023-12-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
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- 2017-02-07 CN CN201710067676.6A patent/CN107579075B/zh active Active
- 2017-02-07 CN CN202011256599.7A patent/CN112542468A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107579075A (zh) | 2018-01-12 |
| CN107579075B (zh) | 2020-11-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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