DE102011116233A1 - Verringerung der Ausbildung von Oxiden auf Lötmitteln - Google Patents
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Abstract
Eine Vorrichtung zum Verbinden von Substraten umfaßt ein Aufbringungssystem (26) für ein Lötmittel und ein Plasma/Verbindungssystem (24) zum Reinigen und Verbinden der Substrate. Das Aufbringungssystem (26) bringt das Lötmittel auf der Außenseite der Substrate auf. Das Plasma/Verbindungssystem (24) umfaßt ein Plasmasystem zum Reinigen der Substrate mittels eines Plasmas und ein Verbindungssystem zum Verbinden der Substrate. Das Plasma/Verbindungssystem (24) ist so ausgestaltet, daß eine Reoxidation des Lötmittels zumindest verringert wird. Die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels erfolgt zum Beispiel dadurch, daß nach dem Entfernen von Metalloxiden von dem auf den Substraten aufgebrachten Lötmittel eine Abdeckschicht auf der Außenseite der Substrate aufgebracht wird.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verringerung der Ausbildung von Oxiden auf Lötmitteln, wie sie bei Substraten für elektronische Baugruppen verwendet werden.
- Beim Zusammenbau von Substraten mit elektronischen Baugruppen erfolgt oft eine Reinigung der Substrate mit dem Plasma einer Gasmischung, etwa einer Gasmischung mit H2, um Oxidschichten vom Lötmittel zu entfernen.
- Nach dem Entfernen der Metalloxide vom Lötmittel tritt jedoch das Problem auf, daß das Lötmittel sehr schnell wieder oxidiert.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, diese Reoxidation des Lötmittels zu verringern oder zu verhindern.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit der Vorrichtung gemäß Patentanspruch 1 bzw. Patentanspruch 18 und dem Verfahren gemäß Patentanspruch 8 bzw. Patentanspruch 14 gelöst. Die jeweiligen Unteransprüche beschreiben vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfaßt demnach ein Aufbringungssystem und eine Kombination aus einem Plasmasystem und einem Verbindungssystem. Das Aufbringungssystem bringt auf die Außenseite einer Anzahl von Substraten ein Lötmittel auf. Das Plasmasystem der Kombination Plasmasystem/Verbindungssystem dient zur Reinigung der Substrate mittels eines Plasmas und das Verbindungssystem der Kombination zum Verbinden der Substrate. Die Kombination Plasmasystem/Verbindungssystem verhindert dabei eine Reoxidation des Lötmittels.
- Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt das Aufbringen eines Lötmittels auf die Außenseite eines Substrats, das Entfernen von Metalloxiden vom Substrat und das Abscheiden einer Abdeckschicht auf der Außenseite des Substrats, um die Reoxidation des Lötmittels zumindest zu verringern.
- Das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung hat den Vorteil, daß das kombinierte Plasmasystem/Verbindungssystem die Neubildung von Metalloxiden zumindest verringert und meist sogar verhindert. Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung und bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die Substrate, zum Beispiel Halbleiterwafer, mittels eines Plasmas gereinigt und dann verbunden, ohne daß sie Sauerstoff ausgesetzt werden, wodurch die Neubildung von Metalloxiden zumindest verringert wird. Die Abdeckschicht verhindert, daß die Substrate bzw. Wafer Sauerstoff ausgesetzt werden, so daß keine Metalloxide entstehen können.
- Mit der vorliegenden Erfindung wird somit die Ausbildung und Neubildung von Metalloxiden auf Lötmitteln wirkungsvoll verringert oder sogar ganz verhindert, so daß die mit den Oxidschichten verbundenen Nachteile und Probleme wie eine geringe elektrische Leitfähigkeit, schlechte mechanische Haftung und dergleichen vermieden werden.
- Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
-
1 in Blockform ein Beispiel für eine Vorrichtung zum Verringern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat; -
2A bis2C in Blockform Beispiele für Kammern bei der Vorrichtung der1 zum Verringern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat; -
3 in der Form eines Ablaufdiagramms ein Beispiel für ein Verfahren zum Verringern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat; -
4 eine genauere Darstellung einer Ausführungsform mit einer Kammer für ein Plasma/Verbindungssystem bei der Vorrichtung der1 ; und -
5 eine genauere Darstellung einer Ausführungsform mit zwei Kammern für das Plasma/Verbindungssystem bei der Vorrichtung der1 . - Anhand der
1 bis5 der Zeichnung werden nun Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert, wobei in den verschiedenen Darstellungen für gleiche und einander entsprechende Teile die gleichen Bezugszeichen verwendet werden. - Die
1 zeigt ein Beispiel für eine Vorrichtung10 zum Verringern oder Verhindern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat. Die Vorrichtung10 kann eine oder mehrere Kammern zum Verringern oder Verhindern der Neubildung von Metalloxiden umfassen oder zu diesem Zweck eine Abdeckschicht auf dem Substrat aufbringen. - Manche Lötmittel oxidieren an Luft und bilden an ihrer Oberfläche ein Metalloxid aus, etwa Zinnoxid. Das Oxid verhindert oder erschwert in der Folge das Entstehen einer guten Verbindung zwischen den Bauteilen, die mit dem Lötmittel elektrisch verbunden werden sollen. Zum Beispiel können durch das Oxid Hohlräume entstehen, und das Oxid kann das Benetzen der Bauteile mit dem Lötmittel beim Verbindungsprozeß erschweren. Diese Schwierigkeiten können dann zu Ausbeuteverlusten und Zuverlässigkeitsproblemen führen.
- Das Entfernen der Oxidschichten erfolgt oft durch eine Plasmareinigung mit einer Gasmischung, die zum Beispiel H2 enthält. Das Oxid bildet sich jedoch sofort wieder, wenn das gereinigte Substrat dem Sauerstoff der Luft ausgesetzt wird. Bei der Verbindung von Substraten in Waferform mittels des von Düsen ausgestoßenen Lötmittels oxidiert das Zinn (Sn) an der Luft sofort und bildet Zinnoxid, sobald es die Düse verläßt.
- Die Vorrichtung
10 kann zur Bearbeitung eines Substrats in der Form eines Wafers vorgesehen sein. Ein Wafer ist eine dünne Scheibe aus einem Halbleitermaterial, etwa aus einem Siliziumkristall. Der Wafer kann zur Herstellung von integrierten Schaltungen und anderen Mikrobauteilen verwendet werden und dabei als Substrat für mikroelektronische Elemente dienen, die in und auf dem Wafer angeordnet werden. Die Substrate können für beliebige Verwendungszwecke vorgesehen sein, etwa für mikroelektromechanische Systeme (MEMS) oder Infrarotdetektoren (IR-Detektoren). Dabei kann zum Beispiel ein erstes Substrat mit einer Basis aus aufeinanderfolgenden Metallschichten (zum Beispiel der Schichtfolge Ti/Pt/Au) mittels eines Lötmittels mit einem zweiten Substrat mit einer MEMS-Schaltung verbunden werden. - Bei dem gezeigten Beispiel umfaßt die Vorrichtung
10 ein Bedrucksystem20 mit einem Aufbringungssystem26 und ein Plasma/Verbindungssystem24 . Das Aufbringungssystem26 bringt auf die Außenseite wenigstens eines von einer Anzahl von Substraten ein Lötmittel auf. Das Plasma/Verbindungssystem24 umfaßt ein Plasmasystem und ein Verbindungssystem. Das Plasmasystem reinigt das mindestens eine Substrat mittels eines Plasmas, und das Verbindungssystem verbindet die Substrate. Das Plasma/Verbindungssystem24 ist so ausgestaltet, daß eine Neubildung von Metalloxiden auf dem Lötmittel, das heißt eine Reoxidation des Lötmittels, verhindert oder zumindest stark reduziert wird. Das Bedrucksystem20 und das Plasma/Verbindungssystem24 können jeweils von eigenen Systemen gebildet werden, sie können jedoch auch zu einem System zusammengefaßt sein, das die Arbeitsschritte beider Systeme ausführt. - Das Bedrucksystem
20 kann ein Lötmittel auf ein Substrat aufbringen. Es kann zu diesem Zweck ein Aufbringungssystem26 enthalten. Das Aufbringungssystem26 bringt das Lötmittel auf eine geeignete Weise auf die Außenseite eines Substrats auf. Zum Beispiel kann das Lötmittel aus Düsen abgegeben werden. Es kann auch eine Lötmittel-Vorform verwendet werden, das heißt ein Lötmittel in einer besonderen Form. Andere Beispiele sind das Vakuum-Aufdampfverfahren und das Beschichten auf galvanische oder andere Weise. - Das Lötmittel ist eine niedrigschmelzende metallische Legierung mit einem Schmelzpunkt im Bereich von 90 bis 450 Grad Celsius (190 bis 840°F) (etwa zwischen 180 und 190°C (360 und 370°F)), die aufgeschmolzen wird, um metallische Oberflächen zu verbinden. Das Lötmittel kann jede geeignete Kombination von dafür geeigneten Metallen umfassen. Beispiele für die Metalle sind Zinn, Blei, Kupfer, Silber, Gold, Wismut, Indium, Zink, Antimon und Spuren anderer Metalle. Das Lötmittel kann zum Beispiel eine Gold-Zinn-Legierung sein, etwa Au80Sn20.
- Das Bedrucksystem
20 kann zum Aufbringen des Lötmittels zuerst ein Photolackmuster erzeugen, das die Bereiche vorgibt, in denen das Lötmittel auf das Substrat aufgetragen wird. Das Aufbringungssystem26 bringt dann das Lötmittel auf diese Bereiche auf. - Das Plasma/Verbindungssystem
24 reinigt dann die Substrate und verbindet sie miteinander. Die Plasmareinigung kann dabei auf jede geeignete Weise erfolgen. Die Plasmareinigung der Substrate erfolgt mit einem energiereichen Gas-Plasma. Es kann dazu jedes geeignete Gas verwendet werden, etwa ein Gas, das eine eines oder mehrere der folgenden Elemente enthält: Wasserstoff, Stickstoff, Argon, Helium und/oder Luft. Das Plasma kann dadurch erzeugt werden, daß mit einer Hochfrequenzspannung das unter geringem Druck stehende Gas ionisiert wird. Im Plasma werden die Gasatome auf hohe Energiezustände angeregt und ionisiert. Die im Plasma aktivierten Atome und Ionen wirken wie ein molekulares Sandstrahlgebläse und zerlegen organische und andere Verunreinigungen in ihre Bestandteile. Die Verunreinigungen werden auf diese Weise verdampft und entfernt. - Das Plasma/Verbindungssystem
24 kann die Substrate auf jede geeignete Weise verbinden. Das Plasma/Verbindungssystem24 richtet dabei die Substrate zueinander aus, von denen eines oder mehrere mit Lötmittel versehen sind. Das Plasma/Verbindungssystem24 kann dann Druck auf die Substrate ausüben, um sie miteinander zu verbinden. - Die Neuausbildung von Metalloxiden auf den Substraten kann vom Plasma/Verbindungssystem
24 auf jede geeignete Weise verringert und sogar ganz verhindert werden. Das Plasma/Verbindungssystem24 enthält dazu eine oder mehrere Kammern, die verhindern, daß Sauerstoff auf die Substrate einwirkt. Die Kammern sind umschlossene Räume, aus denen ein oder mehrere Gase entfernt wurden. Zum Beispiel können die Kammern Vakuumkammern sein, in denen ein geringer Druck von weniger als 10 Pascal (Pa) oder ein Druck von 10 bis 20 Pa herrscht. Die Kammern können jedoch auch Kammern sein, bei denen mittels eines Gases andere Gase entfernt werden. Zum Beispiel kann in einer Stickstoffkammer Stickstoffgas dazu verwendet werden, Sauerstoffgas hinauszudrücken, um eine niedrige Konzentration an Sauerstoff von weniger als etwa 1 Teil pro Million (ppm) zu erhalten. - Die Kammern können jeweils eine oder mehrere Öffnungen aufweisen, die mit Vakuumverschlüssen abgedeckt sind, damit Instrumente oder Fenster in den Wänden der Kammer angebracht werden können. Die Kammern können auf jede geeignete Weise angeordnet werden. Anhand der
2A bis2C werden Ausführungsformen des Plasma/Verbindungssystems24 mit solchen Kammern genauer beschrieben. - Die
2A zeigt eine Ausführungsform des Plasma/Verbindungssystems24 mit einer Plasma/Verbindungskammer30 . In der Plasma/Verbindungskammer30 werden die Substrate einer Plasmareinigung unterzogen und miteinander verbunden, ohne daß das Lötmittel nach dem Entfernen der Metalloxide durch die Plasmareinigung und vor dem Verbinden der Substrate mit Luft in Kontakt kommt. Zu diesem Zweck ist in die Plasma/Verbindungskammer30 ein Plasmasystem und ein Verbindungssystem integriert. - Die
2B zeigt eine Ausführungsform des Plasma/Verbindungssystems24 mit einer Plasmakammer34 , einem Belade- und Verschlußmodul36 und einer Verbindungskammer38 . In der Plasma/Verbindungskammer34 werden die Substrate einer Plasmareinigung unterzogen, und in der Verbindungskammer38 werden die Substrate miteinander verbunden. Die Plasmakammer34 ist über das Belade- und Verschlußmodul36 mit der Verbindungskammer38 derart verbunden, daß das Vakuum in allen Kammern aufrecht erhalten bleibt, wenn die Substrate von der Plasmakammer34 durch das Belade- und Verschlußmodul36 in die Verbindungskammer38 befördert werden, um nach der Reinigung miteinander verbunden zu werden. Die Plasmakammer34 kann jedoch auch ohne das Belade- und Verschlußmodul36 direkt derart mit der Verbindungskammer38 verbunden sein, daß das Vakuum bei der Beförderung der Substrate erhalten bleibt. - Die
2C zeigt eine Ausführungsform des Plasma/Verbindungssystems24 mit einer Kammer40 . Die Plasmakammer34 und die Verbindungskammer38 befinden sich in der Kammer40 . Die Kammer40 kann zum Beispiel eine Stickstoffkammer sein, aus der das Sauerstoffgas (die Luft) mit Stickstoff herausgedrückt wird. Die Kammer40 kann jedoch auch eine Vakuumkammer sein, in der ein nur sehr geringer Druck herrscht. - Bei dem Plasma/Verbindungssystem
24 der1 kann auch eine Abdeckschicht dazu verwendet werden, die Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat zu verringern und zu verhindern. Die Vorrichtung10 , zum Beispiel das Bedrucksystem20 und/oder das Plasma/Verbindungssystem24 , wird dann dazu verwendet, das jeweilige Substrat mittels eines Plasmas zu reinigen und daraufhin eine Abdeckschicht auf das Substrat aufzubringen, die oxidationsfest ist. Die Vorrichtung10 kann dann das Substrate ätzen und reinigen. Eine derartige Ausführungsform wird genauer anhand der3 beschrieben. - Die
3 zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens, mit dem die Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat verringert und verhindert werden kann. Das Verfahren beginnt mit dem Schritt210 , in dem das Substrat einer Photolithographie unterzogen wird, um auf dem Substrat eine strukturierte Metallschicht auszubilden. Dazu wird auf dem Substrat im Schritt214 mit Photolack ein Muster ausgebildet. Das Photolackmuster bezeichnet die Bereiche, auf die ein Lötmittel aufzubringen ist. Zum Beispiel wird das Lötmittel in den Bereichen um abgedeckte Bereiche herum aufgebracht. - Im Schritt
218 wird das Lötmittel auf die Außenseite des Substrats aufgebracht. Im Schritt219 wird auf die Außenseite des Substrats eine Goldschicht aufgebracht. Das Lötmittel wird vom Aufbringungssystem26 in den Bereichen aufgebracht, die das Photolackmuster bezeichnet. Im Schritt220 werden Metalloxide vom Substrat entfernt. Die Metalloxide können auf jede geeignete Weise entfernt werden, zum Beispiel durch eine Plasmareinigung oder durch Sputterätzen. Dabei wird die Oberfläche des Lötmittels mit energiereichen Ionen bombardiert, um das ganze Oxid oder im wesentlichen das ganze Oxid vom Lötmittel zu entfernen. - Im Schritt
224 wird auf die Außenseite des Substrats eine Abdeckschicht aufgebracht. Die Abdeckschicht enthält ein Abdeckmaterial, das keiner Oxidation unterliegt, etwa Gold. Das Aufbringen der Abdeckschicht unmittelbar nach dem Entfernen der Metalloxide, bevor das Substrat mit Sauerstoff in Kontakt kommt, verhindert die Neubildung der Metalloxide. - Die Abdeckschicht kann auf jede geeignete Weise aufgebracht werden. Zum Beispiel kann ein Vakuum-Aufdampfverfahren (Physical Vapor Deposition, PVD) dazu verwendet werden, die Abdeckschicht durch die Kondensation einer verdampften Form des Abdeckmaterials aufzubringen. Bei dem PVD-Vakuum-Aufdampfverfahren wird zum Abscheiden des Materials ein physikalisches Verfahren wie eine Plasma-Sputter-Bombardierung oder eine Hochtemperatur-Vakuumverdampfung verwendet. Bei der Sputterabscheidung wird das Abdeckmaterial von einer Quelle abgesputtert oder ausgestoßen und auf der Außenseite des Substrats abgeschieden. Beim Aufdampfen wird das Abdeckmaterial im Vakuum verdampft, was es den Dampfpartikeln ermöglicht, direkt zum Substrat zu gelangen. Die Dampfpartikel kondensieren dann auf der Außenseite des Substrats und werden dort abgeschieden. Nach dem Aufbringen der Abdeckschicht schützt die Abdeckschicht das Substrat vor Oxidation, so daß das Substrat der Atmosphäre ausgesetzt werden kann. Im abschließenden Lötprozeß wird die Abdeckschicht an der Verbindungslinie in das Lötmittel eingebaut. Die Zusammensetzung des Lötmittels kann vorher so eingestellt werden, daß die durch die Goldschicht in das Lötmittel eingebrachte Goldmenge berücksichtigt wird.
- Im Schritt
226 werden der Photolack und überschüssiges Gold entfernt. Im Schritt228 wird die Oberfläche des Substrats mit O2-Plasma gereinigt. Im Schritt230 wird das Substrat mit einem anderen Substrat ausgerichtet. Im Schritt234 werden die beiden Substrate miteinander verbunden. Damit endet das Verfahren. - Die
4 zeigt eine Ausführungsform einer Kammer30 für ein Plasma/Verbindungssystem50 zum Verringern und Verhindern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat. Das Plasma/Verbindungssystem50 umfaßt die Plasma/Verbindungskammer30 mit einem Gaseinlaß60 für das Plasmagas, Elektroden62 für die Plasmaerzeugung, eine Vakuumpumpe64 zum Erzeugen eines Vakuums in der Kammer30 , eine Halterung66 für die Wafer, die das Substrat bilden, und eine Verbindungsplatte68 zum Verbinden der Wafer. - Die
5 zeigt eine Ausführungsform eines Plasma/Verbindungssystems52 zum Verringern und Verhindern der Neubildung von Metalloxiden auf einem Substrat mit zwei Kammern34 und38 . Das Plasma/Verbindungssystem52 umfaßt die Plasmakammer34 , ein Belade- und Verschlußmodul36 und die Verbindungskammer38 . Die Plasmakammer34 weist einen Gaseinlaß60 für das Plasmagas, Elektroden62 für die Plasmaerzeugung und eine Halterung66 für die Wafer, die das Substrat bilden, auf. Das Belade- und Verschlußmodul36 enthält ein Ventil. Die Verbindungskammer38 enthält Verbindungsplatten68 zum Verbinden der Wafer und eine Vakuumpumpe64 zum Erzeugen eines Vakuums in den Kammern34 und38 . Die Vakuumpumpe kann an jeder geeigneten Stelle des Systems52 angeordnet sein, etwa an der Plasmakammer34 oder am Belade- und Verschlußmodul36 . - Die einzelnen Arbeitsschritte der beschriebenen Vorrichtungen und des beschriebenen Verfahrens können mit jeder geeigneten Logikschaltung aus Software und Hardware ausgeführt werden. Die Komponenten des Systems können Interfaces, Logikschaltungen, Speicher und anderes enthalten. Die Funktionen der Logikschaltungen können auch von einem Computer ausgeführt werden. Die Computer können auch von einem Mikroprozessor oder mehreren Mikroprozessoren gebildet werden.
Claims (20)
- Vorrichtung mit einem Aufbringungssystem (
26 ) zum Aufbringen eines Lötmittels auf der Außenseite wenigstens eines von einer Anzahl von Substraten; und mit einem Plasma/Verbindungssystem (24 ;50 ;52 ) mit einem Plasmasystem, das dafür vorgesehen ist, das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung zu unterziehen, und einem Verbindungssystem, das dafür vorgesehen ist, die Anzahl der Substrate miteinander zu verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (24 ;50 ;52 ) so ausgestaltet ist, daß eine Reoxidation des Lötmittels zumindest verringert wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ;50 ) eine Kammer (30 ;40 ) umfaßt, in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird und in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ;52 ) eine Plasmakammer (34 ), in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird, und eine Verbindungskammer (38 ) umfaßt, in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ;52 ) eine Plasmakammer (34 ), in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird, eine Verbindungskammer (38 ), in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird, und ein Belade- und Verschlußmodul (36 ) umfaßt, das die Plasmakammer (34 ) und die Verbindungskammer (38 ) unter Aufrechterhaltung eines Vakuums verbindet. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ) eine Vakuumkammer (40 ), in der ein Vakuum aufrechterhalten wird; und in der Vakuumkammer (40 ) eine Plasmakammer (34 ), in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird, und eine Verbindungskammer (38 ) umfaßt, in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ) eine Stickstoffkammer (40 ), in der Stickstoffgas dazu verwendet wird, Sauerstoff enthaltendes Gas aus der Kammer herauszudrücken; und in der Stickstoffkammer (40 ) eine Plasmakammer (34 ), in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird, und eine Verbindungskammer (38 ) umfaßt, in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem (
24 ) eine Vakuumkammer (40 ), in der ein Vakuum aufrechterhalten wird; und in der Vakuumkammer (40 ) eine Plasmakammer (34 ), in der das wenigstens eine Substrat einer Plasmareinigung unterzogen wird, und eine Verbindungskammer (38 ), in der die Anzahl der Substrate miteinander verbunden wird, sowie eine Modul (36 ) umfaßt, des die Plasmakammer (34 ) mit der Verbindungskammer (38 ) verbindet. - Verfahren mit einem Aufbringen eines Lötmittels auf der Außenseite wenigstens eines von einer Anzahl von Substraten; mit einem Plasmareinigen des wenigstens einen Substrats; und mit einem Verbinden der Anzahl der Substrate miteinander, gekennzeichnet durch zumindest eine Verringerung der Reoxidation des Lötmittels.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels eine Plasmareinigung des wenigstens einen Substrats in einer Kammer und das Verbinden der Anzahl der Substrate in der Kammer umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels eine Plasmareinigung des wenigstens einen Substrats in einer Plasmakammer und das Verbinden der Anzahl der Substrate in einer mit der Plasmakammer verbundenen Verbindungskammer umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels eine Plasmareinigung des wenigstens einen Substrats in einer Plasmakammer; das Befördern des wenigstens einen Substrats durch ein Belade- und Verschlußmodul, das die Plasmakammer mit einer Verbindungskammer verbindet, in die Verbindungskammer im Vakuum; und das Verbinden der Anzahl der Substrate in der Verbindungskammer umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels eine Plasmareinigung des wenigstens einen Substrats in einer Plasmakammer, die sich in einer Vakuumkammer befindet, in der ein geringer Druck herrscht, und das Verbinden der Anzahl der Substrate in einer in der Vakuumkammer angeordneten Verbindungskammer umfaßt.
- Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Verringerung der Reoxidation des Lötmittels eine Plasmareinigung des wenigstens einen Substrats in einer Plasmakammer, die sich in einer Stickstoffkammer befindet, in der Stickstoff dazu verwendet wird, ein Sauerstoff enthaltendes Gas hinauszudrücken, und das Verbinden der Anzahl der Substrate in einer in der Stickstoffkammer angeordneten Verbindungskammer umfaßt.
- Verfahren mit einem Aufbringen eines Lötmittels auf der Außenseite eines ersten Substrats; und mit einem Entfernen von Metalloxiden vom ersten Substrat; gekennzeichnet durch das Aufbringen einer Abdeckschicht auf der Außenseite des ersten Substrats, um eine Reoxidation des Lötmittels zumindest zu verringern.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Substrat mit einem zweiten Substrat verbunden wird.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es möglich ist, das erste Substrat vor der Verbindung mit dem zweiten Substrat der Atmosphäre auszusetzen.
- Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdeckschicht Gold enthält.
- Vorrichtung mit einem Aufbringungssystem (
26 ) zum Aufbringen eines Lötmittels auf die Außenseite eines ersten Substrats; und mit einem Plasma/Verbindungssystem (24 ) zum Entfernen von Metalloxiden vom ersten Substrat; gekennzeichnet durch das Aufbringen einer Abdeckschicht auf der Außenseite des ersten Substrats, um eine Reoxidation des Lötmittels zumindest zu verringern. - Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem dafür vorgesehen ist, das erste Substrat mit einem zweiten Substrat zu verbinden.
- Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma/Verbindungssystem so ausgestaltet ist, daß es möglich ist, das erste Substrat vor der Verbindung mit dem zweiten Substrat der Atmosphäre auszusetzen.
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