JP3201302B2 - 基板のプラズマクリーニング装置 - Google Patents
基板のプラズマクリーニング装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマにより基
板の表面をクリーニングする基板のプラズマクリーニン
グ装置に関するものである。
板の表面をクリーニングする基板のプラズマクリーニン
グ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面のクリーニングを行う方法と
して、プラズマクリーニング法が知られている（例え
ば、特開平６−２１０３２号公報）。この方法は減圧雰
囲気下でプラズマを発生させこのプラズマを基板の表面
に衝突させて表面処理を行うものである。この方法では
減圧雰囲気のための真空チャンバと、プラズマ発生のた
めの高周波電圧が印加される電極が必要とされる。した
がって作業の都度真空チャンバを開閉する必要がある。
して、プラズマクリーニング法が知られている（例え
ば、特開平６−２１０３２号公報）。この方法は減圧雰
囲気下でプラズマを発生させこのプラズマを基板の表面
に衝突させて表面処理を行うものである。この方法では
減圧雰囲気のための真空チャンバと、プラズマ発生のた
めの高周波電圧が印加される電極が必要とされる。した
がって作業の都度真空チャンバを開閉する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板のプラズマクリー
ニング装置の下流側には、一般にワイヤボンディング装
置などの他の装置が設置されるが、生産効率を向上させ
るためには、プラズマクリーニング装置と下流側のワイ
ヤボンディング装置などの他の装置との接続を旨く行っ
てできるだけインライン化し、プラズマクリーニング装
置から下流側の他の装置へ基板をスムーズに搬送できる
ようにすることが望ましい。しかしながら、プラズマク
リーニング装置では作業の都度真空チャンバの開閉が必
要であり、またプラズマクリーニングの対象物である基
板は、その品種変更によってサイズ（幅）が変わること
から、下流側の装置とのインライン化が困難で装置効率
が悪いことが問題とされていた。
ニング装置の下流側には、一般にワイヤボンディング装
置などの他の装置が設置されるが、生産効率を向上させ
るためには、プラズマクリーニング装置と下流側のワイ
ヤボンディング装置などの他の装置との接続を旨く行っ
てできるだけインライン化し、プラズマクリーニング装
置から下流側の他の装置へ基板をスムーズに搬送できる
ようにすることが望ましい。しかしながら、プラズマク
リーニング装置では作業の都度真空チャンバの開閉が必
要であり、またプラズマクリーニングの対象物である基
板は、その品種変更によってサイズ（幅）が変わること
から、下流側の装置とのインライン化が困難で装置効率
が悪いことが問題とされていた。
【０００４】そこで本発明は、下流側のワイヤボンディ
ング装置などの他の装置との接続を可能とし、また基板
の品種変更にともなう段取り換えを容易に行える基板の
プラズマクリーニング装置を提供することを目的とす
る。
ング装置などの他の装置との接続を可能とし、また基板
の品種変更にともなう段取り換えを容易に行える基板の
プラズマクリーニング装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の基板のプラズマ
クリーニング装置は、ベース板およびこのベース板上に
配設される蓋部とから成る真空チャンバと、蓋部を開閉
する開閉手段と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガス
を供給するガス供給手段と、ベース板に絶縁された状態
で装着された電極と、この電極に高周波電圧を印加する
高周波電源とを備え、前記電極が、下部電極と、この下
部電極に着脱自在に装着され且つ前記真空チャンバ内で
基板を載置する載置部並びに上面に基板の幅と略同等の
間隔で形成された凸部により基板の搬送をガイドするガ
イドレールを兼務する上部電極と、前記基板の側面を前
記凸部に当接させながら前記上部電極上の基板を搬送す
る基板搬送手段を備えた。また、前記搬送手段が基板を
搬送するための搬送アームを備え、前記上部電極の上面
にこの搬送アームの先端部が入り込む凹部が形成されて
いる。
クリーニング装置は、ベース板およびこのベース板上に
配設される蓋部とから成る真空チャンバと、蓋部を開閉
する開閉手段と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガス
を供給するガス供給手段と、ベース板に絶縁された状態
で装着された電極と、この電極に高周波電圧を印加する
高周波電源とを備え、前記電極が、下部電極と、この下
部電極に着脱自在に装着され且つ前記真空チャンバ内で
基板を載置する載置部並びに上面に基板の幅と略同等の
間隔で形成された凸部により基板の搬送をガイドするガ
イドレールを兼務する上部電極と、前記基板の側面を前
記凸部に当接させながら前記上部電極上の基板を搬送す
る基板搬送手段を備えた。また、前記搬送手段が基板を
搬送するための搬送アームを備え、前記上部電極の上面
にこの搬送アームの先端部が入り込む凹部が形成されて
いる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明によれば、真空チャンバ内
の上部電極が、基板の載置部と基板搬送用のガイドレー
ルを兼ねており、したがって真空チャンバ内でプラズマ
クリーニングが終了した基板を上部電極上をスライドさ
せてそのまま下流側の装置へ向って搬送できる。また基
板の品種変更にともなって基板のサイズ（幅）が変わる
ときには、上部電極のみを新しい基板に適合するものと
交換すればよいので、基板の品種変更にともなう段取り
換えを容易・迅速に行うことができる。
の上部電極が、基板の載置部と基板搬送用のガイドレー
ルを兼ねており、したがって真空チャンバ内でプラズマ
クリーニングが終了した基板を上部電極上をスライドさ
せてそのまま下流側の装置へ向って搬送できる。また基
板の品種変更にともなって基板のサイズ（幅）が変わる
ときには、上部電極のみを新しい基板に適合するものと
交換すればよいので、基板の品種変更にともなう段取り
換えを容易・迅速に行うことができる。
【０００７】以下、本発明の一実施の形態を各図を参照
して説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の
プラズマクリーニング装置の側面図、図２は同プラズマ
クリーニング装置の部分断面図、図３は同プラズマクリ
ーニング装置の部分断面図、図４は同プラズマクリーニ
ング装置の部分断面図、図５は同プラズマクリーニング
装置およびワイヤボンディング装置の斜視図である。
して説明する。図１は、本発明の一実施の形態の基板の
プラズマクリーニング装置の側面図、図２は同プラズマ
クリーニング装置の部分断面図、図３は同プラズマクリ
ーニング装置の部分断面図、図４は同プラズマクリーニ
ング装置の部分断面図、図５は同プラズマクリーニング
装置およびワイヤボンディング装置の斜視図である。
【０００８】まず、図１を参照して、基板のプラズマク
リーニング装置の全体構造を説明する。図において１は
基礎フレームであり、この上に以下説明する各要素が配
設される。基礎フレーム１上には、ケース２が配設され
ている。ケース２の上にはベース板３が設置されてお
り、ベース板３上には蓋部４が設けられている。ベース
板３と蓋部４は真空チャンバ５を構成するが、この部分
の詳細については図２を参照して後述する。ベース板３
を貫通して電極６が装着されている。電極６は上面にて
プラズマクリーニングの対象物である基板２１を支持す
る。この電極６についても図２を参照して後述する。
リーニング装置の全体構造を説明する。図において１は
基礎フレームであり、この上に以下説明する各要素が配
設される。基礎フレーム１上には、ケース２が配設され
ている。ケース２の上にはベース板３が設置されてお
り、ベース板３上には蓋部４が設けられている。ベース
板３と蓋部４は真空チャンバ５を構成するが、この部分
の詳細については図２を参照して後述する。ベース板３
を貫通して電極６が装着されている。電極６は上面にて
プラズマクリーニングの対象物である基板２１を支持す
る。この電極６についても図２を参照して後述する。
【０００９】ケース２の側方にはＬ型のブラケット７が
立設されている。ブラケット７にはガイド８が装着され
ている。ガイド８にはシャフト９が上下方向にスライド
可能に挿入されている。シャフト９の上部はカギ型のフ
レーム１０に結合されている。フレーム１０は上部が水
平方向へ張り出しており、蓋部４と結合されている。ま
た基礎フレーム１にはシリンダ１１が直立して配設され
ており、フレーム１０の下面はシリンダ１１のロッド１
１ａの上端部に接地している。したがってシリンダ１１
のロッド１１ａが突出することにより蓋部４は上昇して
真空チャンバ５を開き、またロッド１１ａが引き込むと
蓋部４は下降して真空チャンバ５を閉じる。すなわちシ
リンダ１１は真空チャンバ５の開閉手段となっている。
立設されている。ブラケット７にはガイド８が装着され
ている。ガイド８にはシャフト９が上下方向にスライド
可能に挿入されている。シャフト９の上部はカギ型のフ
レーム１０に結合されている。フレーム１０は上部が水
平方向へ張り出しており、蓋部４と結合されている。ま
た基礎フレーム１にはシリンダ１１が直立して配設され
ており、フレーム１０の下面はシリンダ１１のロッド１
１ａの上端部に接地している。したがってシリンダ１１
のロッド１１ａが突出することにより蓋部４は上昇して
真空チャンバ５を開き、またロッド１１ａが引き込むと
蓋部４は下降して真空チャンバ５を閉じる。すなわちシ
リンダ１１は真空チャンバ５の開閉手段となっている。
【００１０】ベース板３の右端部には貫通孔１２が設け
られている。貫通孔１２には配管１３が接続されてい
る。配管１３には、真空排気装置１４、真空計１５、大
気ベント装置１６、ガス供給装置１７が接続されてい
る。ガス供給装置１７は、アルゴンガスなどのプラズマ
発生用のガスを供給する。電極６の下方には高周波電源
１８が配設されている。高周波電源１８はケーブル１９
を介して電極６と電気的に接続されている。高周波電源
１８は電極６に高周波電圧を印加する。この電極６とケ
ーブル１９はシールド２０によってカバーされている。
られている。貫通孔１２には配管１３が接続されてい
る。配管１３には、真空排気装置１４、真空計１５、大
気ベント装置１６、ガス供給装置１７が接続されてい
る。ガス供給装置１７は、アルゴンガスなどのプラズマ
発生用のガスを供給する。電極６の下方には高周波電源
１８が配設されている。高周波電源１８はケーブル１９
を介して電極６と電気的に接続されている。高周波電源
１８は電極６に高周波電圧を印加する。この電極６とケ
ーブル１９はシールド２０によってカバーされている。
【００１１】次に、図２、図３にて真空チャンバ５およ
び電極６について説明する。図２、図３に示すように真
空チャンバ５は、略直方体形状をしており、ベース板３
上の蓋部４との当接部にはシール溝２５が設けられてい
る。このシール溝２５内部に装着されるシール２６によ
り真空チャンバ５は密封される。
び電極６について説明する。図２、図３に示すように真
空チャンバ５は、略直方体形状をしており、ベース板３
上の蓋部４との当接部にはシール溝２５が設けられてい
る。このシール溝２５内部に装着されるシール２６によ
り真空チャンバ５は密封される。
【００１２】図２、図３において、疎ピッチのハッチン
グを施した部分は接地電極として機能する部分を示し、
また密ピッチのハッチングを施した部分は高周波電圧が
印加される電極６を示している。まず電極６について説
明する。ベース板３の中央部には長方形の開口２７が開
口されている。この開口２７を貫通して電極６が配置さ
れる。図示するように電極６は３つの部分に分割されて
いる。３つのうち、最も上に位置する上部電極６ａはベ
ース板３上の真空チャンバ５の内部に配置されて、その
上面に基板２１を載置する。すなわち上部電極６ａは基
板２１の載置部を兼務する。
グを施した部分は接地電極として機能する部分を示し、
また密ピッチのハッチングを施した部分は高周波電圧が
印加される電極６を示している。まず電極６について説
明する。ベース板３の中央部には長方形の開口２７が開
口されている。この開口２７を貫通して電極６が配置さ
れる。図示するように電極６は３つの部分に分割されて
いる。３つのうち、最も上に位置する上部電極６ａはベ
ース板３上の真空チャンバ５の内部に配置されて、その
上面に基板２１を載置する。すなわち上部電極６ａは基
板２１の載置部を兼務する。
【００１３】上部電極６ａの上面には、両端部に基板２
１の幅に対応したガイド部としての凸部２８が形成され
ている。凸部２８と凸部２８の間隔Ｗは基板２１の幅と
略等しくなっており、基板２１の搬送時にはこれら凸部
２８が基板２１の両側面に当接し、基板２１の搬送をガ
イドする。すなわち、上部電極６ａは基板２１をスライ
ドさせて搬送するためのガイドレールを兼務している。
また上部電極６ａの上面の中心線上には、基板２１の搬
送方向に沿って連続した凹部２９が設けられている。こ
の凹部２９は、基板搬送手段である搬送アーム３０の先
端部の爪３０ａが入り込むためのものである。
１の幅に対応したガイド部としての凸部２８が形成され
ている。凸部２８と凸部２８の間隔Ｗは基板２１の幅と
略等しくなっており、基板２１の搬送時にはこれら凸部
２８が基板２１の両側面に当接し、基板２１の搬送をガ
イドする。すなわち、上部電極６ａは基板２１をスライ
ドさせて搬送するためのガイドレールを兼務している。
また上部電極６ａの上面の中心線上には、基板２１の搬
送方向に沿って連続した凹部２９が設けられている。こ
の凹部２９は、基板搬送手段である搬送アーム３０の先
端部の爪３０ａが入り込むためのものである。
【００１４】図２において、上部電極６ａの下面には両
端部を残して凹部３１が形成されている。この凹部３１
にブロック形の中電極６ｂが嵌合している。したがって
上部電極６ａは中電極６ｂ上に着脱自在に装着されてい
る。中電極６ｂは下部電極６ｃ上に載置されている。下
部電極６ｃにはボルト用の座ぐり３２が形成されてい
る。座ぐり３２の内部には絶縁材のワッシャ３３が装着
されている。また下部電極６ｃとベース板３の下面の間
には絶縁プレート３４が挿入されている。座ぐり３２に
挿入されたボルト３５はベース板３の下面に螺入されて
いる。したがって下部電極６ｃは絶縁体３４を挟んでボ
ルト３５によりベース板３の下面に装着される。
端部を残して凹部３１が形成されている。この凹部３１
にブロック形の中電極６ｂが嵌合している。したがって
上部電極６ａは中電極６ｂ上に着脱自在に装着されてい
る。中電極６ｂは下部電極６ｃ上に載置されている。下
部電極６ｃにはボルト用の座ぐり３２が形成されてい
る。座ぐり３２の内部には絶縁材のワッシャ３３が装着
されている。また下部電極６ｃとベース板３の下面の間
には絶縁プレート３４が挿入されている。座ぐり３２に
挿入されたボルト３５はベース板３の下面に螺入されて
いる。したがって下部電極６ｃは絶縁体３４を挟んでボ
ルト３５によりベース板３の下面に装着される。
【００１５】ベース板３の下面及び下部電極６ｃの上面
にはシール溝２５が設けられている。これらのシール溝
２５にはシール２６が装着されている。真空チャンバ５
の内部が真空吸引されることにより下部電極６ｃは空気
圧差により絶縁プレート３４を介してベース板３の下面
に強く押しつけられる。この押しつけ力によりシール２
６が押しつぶされ、シール面は密封される。このように
電極６が分割されていることにより、基板２１の品種変
更時には、使用済の上部電極６ａを取りはずし、新しい
基板２１の幅に適合する凸部２８の間隔Ｗを有する新た
な上部電極６ａを中電極６ｂ上に装着すればよい。
にはシール溝２５が設けられている。これらのシール溝
２５にはシール２６が装着されている。真空チャンバ５
の内部が真空吸引されることにより下部電極６ｃは空気
圧差により絶縁プレート３４を介してベース板３の下面
に強く押しつけられる。この押しつけ力によりシール２
６が押しつぶされ、シール面は密封される。このように
電極６が分割されていることにより、基板２１の品種変
更時には、使用済の上部電極６ａを取りはずし、新しい
基板２１の幅に適合する凸部２８の間隔Ｗを有する新た
な上部電極６ａを中電極６ｂ上に装着すればよい。
【００１６】次に接地電極について説明する。図２にお
いて、疎ハッチングを施したベース板３、蓋部４及びア
ースレール３６が接地電極である。アースレール３６は
ベース板３の上面に上部電極６ａを囲むように装着され
ている（図５も参照）。図３および図５に示すようにア
ースレール３６の長手方向（基板２１の搬送方向）の前
端部と後端部の両側部には基板２１をガイドするための
凸部３６ａが形成されている。この凸部３６ａは上記凸
部２８に連続している。またアースレール３６の両側部
には搬送アーム３０の先端部の爪３０ａが入り込むため
の凹部３６ｂ（図５参照）が形成されている。この凹部
３６ｂも、上記凹部２９に連続している。
いて、疎ハッチングを施したベース板３、蓋部４及びア
ースレール３６が接地電極である。アースレール３６は
ベース板３の上面に上部電極６ａを囲むように装着され
ている（図５も参照）。図３および図５に示すようにア
ースレール３６の長手方向（基板２１の搬送方向）の前
端部と後端部の両側部には基板２１をガイドするための
凸部３６ａが形成されている。この凸部３６ａは上記凸
部２８に連続している。またアースレール３６の両側部
には搬送アーム３０の先端部の爪３０ａが入り込むため
の凹部３６ｂ（図５参照）が形成されている。この凹部
３６ｂも、上記凹部２９に連続している。
【００１７】また図３において、ベース板３上で真空チ
ャンバ５外のアースレール３６の延長線上にはアースレ
ール３６と同様の断面形状を有する乗り移りレール３９
が設けられている。真空チャンバ５が開状態の時に基板
２１はこの乗り移りレール３９上を搬送される。このア
ースレール３６および乗り移りレール３９は、上部電極
６ａと同様に基板２１の品種変更に応じて、新しい基板
２１の幅に適合するものと交換される。
ャンバ５外のアースレール３６の延長線上にはアースレ
ール３６と同様の断面形状を有する乗り移りレール３９
が設けられている。真空チャンバ５が開状態の時に基板
２１はこの乗り移りレール３９上を搬送される。このア
ースレール３６および乗り移りレール３９は、上部電極
６ａと同様に基板２１の品種変更に応じて、新しい基板
２１の幅に適合するものと交換される。
【００１８】図２に示すように、電極６と接地電極各部
分とは、絶縁隙間Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を保って相対し、直
接に接触せず、かつこの隙間内でプラズマが生じない距
離を保って装着されている。また、蓋部４の内下面すな
わち真空チャンバ５内部の天井面には交換可能な防着シ
ールド３７が装着されている。この防着シールド３７は
プラズマクリーニング時に、基板２１からの除去物が接
地電極である蓋部４の内下面に直接付着するのを防ぐ。
分とは、絶縁隙間Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を保って相対し、直
接に接触せず、かつこの隙間内でプラズマが生じない距
離を保って装着されている。また、蓋部４の内下面すな
わち真空チャンバ５内部の天井面には交換可能な防着シ
ールド３７が装着されている。この防着シールド３７は
プラズマクリーニング時に、基板２１からの除去物が接
地電極である蓋部４の内下面に直接付着するのを防ぐ。
【００１９】次に、図４、図５を参照してプラズマクリ
ーニング装置の搬送系について説明する。図４において
基礎フレーム１上にはＬ型のブラケット４０が配設され
ている。ブラケット４０の上部には水平なガイドレール
４１ａが装着されており、ガイドレール４１ａにはスラ
イダ４１ｂがスライド自在に嵌合している。スライダ４
１ｂには支持プレート４２が立設されている。支持プレ
ート４２の上部にはガイド４３が装着されている。ガイ
ド４３にはスライドシャフト４４が上下動自在に挿入さ
れている。スライドシャフト４４の上端部は昇降ブロッ
ク４５に結合されている。
ーニング装置の搬送系について説明する。図４において
基礎フレーム１上にはＬ型のブラケット４０が配設され
ている。ブラケット４０の上部には水平なガイドレール
４１ａが装着されており、ガイドレール４１ａにはスラ
イダ４１ｂがスライド自在に嵌合している。スライダ４
１ｂには支持プレート４２が立設されている。支持プレ
ート４２の上部にはガイド４３が装着されている。ガイ
ド４３にはスライドシャフト４４が上下動自在に挿入さ
れている。スライドシャフト４４の上端部は昇降ブロッ
ク４５に結合されている。
【００２０】また、支持プレート４２の上端部にはシリ
ンダ４６が装着されている。シリンダ４６のロッド４７
の先端はアーム４５に結合されている。昇降ブロック４
５の先端部には搬送アーム３０が装着されている。搬送
アーム３０の先端部の爪３０ａは下方に屈曲し、上部電
極６ａの凹部２９やアースレール３６の凹部３６ｂに入
り込む（図２も参照）。したがってシリンダ４６のロッ
ド４７が突没すると搬送アーム３０の爪３０ａは上部電
極６ａ上面の凹部２９の位置で上下する。すなわちロッ
ド４７の没入時には爪３０ａは凹部２９内に進入して基
板２１の端部を押送可能となり、ロッド４７の突出時に
は爪３０ａは基板２１の上方に退去する。
ンダ４６が装着されている。シリンダ４６のロッド４７
の先端はアーム４５に結合されている。昇降ブロック４
５の先端部には搬送アーム３０が装着されている。搬送
アーム３０の先端部の爪３０ａは下方に屈曲し、上部電
極６ａの凹部２９やアースレール３６の凹部３６ｂに入
り込む（図２も参照）。したがってシリンダ４６のロッ
ド４７が突没すると搬送アーム３０の爪３０ａは上部電
極６ａ上面の凹部２９の位置で上下する。すなわちロッ
ド４７の没入時には爪３０ａは凹部２９内に進入して基
板２１の端部を押送可能となり、ロッド４７の突出時に
は爪３０ａは基板２１の上方に退去する。
【００２１】図４において、基礎フレーム１上にはモー
タ４８が配設されている。モータ４８の回転軸にはプー
リ４９が装着されている。プーリ４９と図示しない従動
プーリとの間にはベルト５０が掛け回されている。ベル
ト５０にはブラケット５１が装着されている。ブラケッ
ト５１の上端部は支持プレート４２に結合されている。
したがってモータ４８が正逆回転すると、支持プレート
４２はガイドレール４１ａに沿って水平移動し、これに
より搬送アーム３０は基板２１を上部電極６ａの上面に
沿って搬送し、また原位置に戻る動作を行う。
タ４８が配設されている。モータ４８の回転軸にはプー
リ４９が装着されている。プーリ４９と図示しない従動
プーリとの間にはベルト５０が掛け回されている。ベル
ト５０にはブラケット５１が装着されている。ブラケッ
ト５１の上端部は支持プレート４２に結合されている。
したがってモータ４８が正逆回転すると、支持プレート
４２はガイドレール４１ａに沿って水平移動し、これに
より搬送アーム３０は基板２１を上部電極６ａの上面に
沿って搬送し、また原位置に戻る動作を行う。
【００２２】図５は、プラズマクリーニング装置がイン
ライン化され、下流側の装置であるワイヤボンディング
装置５８と接続された状態を示す。矢印Ｎは、搬送アー
ム３０による基板２１の搬送方向を示している。５２は
ワイヤボンディング装置５８の搬送レールであり、ベー
ス材５３上に交換可能に装着されている。搬送レール５
２の側方には可動テーブル５４が配設されている。可動
テーブル５４の上にはワイヤボンディングヘッド５５が
載置されている。図５はワイヤボンディングヘッド５５
の超音波ホーン５６の先端のキャピラリ５７により基板
２１のワイヤボンディングを行っている状態を示す。
ライン化され、下流側の装置であるワイヤボンディング
装置５８と接続された状態を示す。矢印Ｎは、搬送アー
ム３０による基板２１の搬送方向を示している。５２は
ワイヤボンディング装置５８の搬送レールであり、ベー
ス材５３上に交換可能に装着されている。搬送レール５
２の側方には可動テーブル５４が配設されている。可動
テーブル５４の上にはワイヤボンディングヘッド５５が
載置されている。図５はワイヤボンディングヘッド５５
の超音波ホーン５６の先端のキャピラリ５７により基板
２１のワイヤボンディングを行っている状態を示す。
【００２３】上部電極６ａおよびアースレール３６の上
面は基板２１をスライドさせて搬送するための搬送面と
して機能し、ボンディング装置５８の搬送レール５２と
整準される。すなわち、ワークである基板２１は、プラ
ズマクリーニング装置から後工程であるワイヤボンディ
ング装置５８の搬送レール５２へ搬送アーム３０によっ
てそのまま搬送される。
面は基板２１をスライドさせて搬送するための搬送面と
して機能し、ボンディング装置５８の搬送レール５２と
整準される。すなわち、ワークである基板２１は、プラ
ズマクリーニング装置から後工程であるワイヤボンディ
ング装置５８の搬送レール５２へ搬送アーム３０によっ
てそのまま搬送される。
【００２４】この基板のプラズマクリーニング装置は上
記のような構成より成り、以下その動作を説明する。ま
ず、図４においてシリンダ１１のロッド１１ａは突出し
た位置にあり、真空チャンバ５の蓋部４は上昇してい
る。この状態で搬送アーム３０により基板２１が上流側
の搬送レール（図外）から上部電極６ａ上の所定位置ま
で押送される。この後搬送アーム３０は上昇し水平移動
して蓋部４の下降の妨げとならない原位置まで戻る。次
にシリンダ１１のロッド１１ａが引き込み、真空チャン
バ５の蓋部４が下降する。蓋部４がベース板３に当接し
真空チャンバ５が閉じると、真空排気装置１４（図１）
が駆動する。
記のような構成より成り、以下その動作を説明する。ま
ず、図４においてシリンダ１１のロッド１１ａは突出し
た位置にあり、真空チャンバ５の蓋部４は上昇してい
る。この状態で搬送アーム３０により基板２１が上流側
の搬送レール（図外）から上部電極６ａ上の所定位置ま
で押送される。この後搬送アーム３０は上昇し水平移動
して蓋部４の下降の妨げとならない原位置まで戻る。次
にシリンダ１１のロッド１１ａが引き込み、真空チャン
バ５の蓋部４が下降する。蓋部４がベース板３に当接し
真空チャンバ５が閉じると、真空排気装置１４（図１）
が駆動する。
【００２５】真空チャンバ５内が所定の真空度に到達す
るとガス供給装置１７（図１）が駆動され、真空チャン
バ５内にプラズマ発生ガスが導入される。次に高周波電
源１８（図１）が駆動され、電極６には高周波電圧が印
加される。この高周波電圧によりプラズマ発生ガスはプ
ラズマイオンとなり、基板２１の表面に衝突する。この
結果基板２１の表面の汚れや酸化膜等が除去される。プ
ラズマクリーニングが終了すると、大気ベント装置１６
（図１）により真空チャンバ５内に大気が導入される。
その後真空チャンバ５の蓋部４が上昇し、真空チャンバ
５は開状態となる。
るとガス供給装置１７（図１）が駆動され、真空チャン
バ５内にプラズマ発生ガスが導入される。次に高周波電
源１８（図１）が駆動され、電極６には高周波電圧が印
加される。この高周波電圧によりプラズマ発生ガスはプ
ラズマイオンとなり、基板２１の表面に衝突する。この
結果基板２１の表面の汚れや酸化膜等が除去される。プ
ラズマクリーニングが終了すると、大気ベント装置１６
（図１）により真空チャンバ５内に大気が導入される。
その後真空チャンバ５の蓋部４が上昇し、真空チャンバ
５は開状態となる。
【００２６】次に搬送アーム３０が上昇し、ついでプラ
ズマクリーニングされた基板２１の後端位置まで水平移
動する。次に搬送アーム３０の爪３０ａが上部電極６ａ
の凹部２９にはいり込むまで下降する。次いで搬送アー
ム３０は基板２１を押送しながら水平移動し、基板２１
をワイヤボンディング装置の搬送レール５２（図５）上
へそのまま搬送する。その後搬送アーム３０は原位置に
戻り、プラズマクリーニングの１サイクルが完了する。
ズマクリーニングされた基板２１の後端位置まで水平移
動する。次に搬送アーム３０の爪３０ａが上部電極６ａ
の凹部２９にはいり込むまで下降する。次いで搬送アー
ム３０は基板２１を押送しながら水平移動し、基板２１
をワイヤボンディング装置の搬送レール５２（図５）上
へそのまま搬送する。その後搬送アーム３０は原位置に
戻り、プラズマクリーニングの１サイクルが完了する。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、基板の品種変更にとも
なって基板のサイズ（幅）が変わるときには、上部電極
のみを交換すればよいので、基板の品種変更にともなう
段取り換えを簡単・迅速に行うことができる。またプラ
ズマクリーニングが終了した上部電極上の基板は、その
ままワイヤボンディング装置などの下流側の他の装置へ
向って搬送できるので、下流側の他の装置との接続・イ
ンライン化を有利に行うことができる。
なって基板のサイズ（幅）が変わるときには、上部電極
のみを交換すればよいので、基板の品種変更にともなう
段取り換えを簡単・迅速に行うことができる。またプラ
ズマクリーニングが終了した上部電極上の基板は、その
ままワイヤボンディング装置などの下流側の他の装置へ
向って搬送できるので、下流側の他の装置との接続・イ
ンライン化を有利に行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の側面図
ニング装置の側面図
【図２】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
ニング装置の部分断面図
【図３】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
ニング装置の部分断面図
【図４】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置の部分断面図
ニング装置の部分断面図
【図５】本発明の一実施の形態の基板のプラズマクリー
ニング装置およびワイヤボンディング装置の斜視図
ニング装置およびワイヤボンディング装置の斜視図
３ ベース板 ４ 蓋部 ５ 真空チャンバ ６ 電極 ６ａ 上部電極 ６ｃ 下部電極 １１ シリンダ（開閉手段） １７ ガス供給装置 １８ 高周波電源 ２１ 基板 ２８ 凸部（ガイド部） ２９ 凹部 ３０ 搬送アーム（搬送手段） ３６ アースレール ５８ ワイヤボンディング装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 H01L 21/02 H01L 21/3065 H01L 21/60 301
Claims (2)
- 【請求項１】ベース板およびこのベース板上に配設され
る蓋部とから成る真空チャンバと、蓋部を開閉する開閉
手段と、真空チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給す
るガス供給手段と、ベース板に絶縁された状態で装着さ
れた電極と、この電極に高周波電圧を印加する高周波電
源とを備え、前記電極が、下部電極と、この下部電極に
着脱自在に装着され且つ前記真空チャンバ内で基板を載
置する載置部並びに上面に基板の幅と略同等の間隔で形
成された凸部により基板の搬送をガイドするガイドレー
ルを兼務する上部電極と、前記基板の側面を前記凸部に
当接させながら前記上部電極上の基板を搬送する基板搬
送手段を備えたことを特徴とする基板のプラズマクリー
ニング装置。 - 【請求項２】前記搬送手段が基板を搬送するための搬送
アームを備え、前記上部電極の上面にこの搬送アームの
先端部が入り込む凹部が形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の基板のプラズマクリーニング装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02647497A JP3201302B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
| US09/019,618 US5972163A (en) | 1997-02-10 | 1998-02-06 | Plasma cleaning device for substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02647497A JP3201302B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223725A JPH10223725A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3201302B2 true JP3201302B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=12194518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02647497A Expired - Lifetime JP3201302B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5972163A (ja) |
| JP (1) | JP3201302B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245189B1 (en) | 1994-12-05 | 2001-06-12 | Nordson Corporation | High Throughput plasma treatment system |
| US6972071B1 (en) | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
| US6709522B1 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-23 | Nordson Corporation | Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system |
| US6841033B2 (en) * | 2001-03-21 | 2005-01-11 | Nordson Corporation | Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system |
| JP3814492B2 (ja) | 2001-04-12 | 2006-08-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US6645344B2 (en) | 2001-05-18 | 2003-11-11 | Tokyo Electron Limited | Universal backplane assembly and methods |
| US6772776B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-08-10 | Euv Llc | Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces |
| JP2004071611A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置および電子部品装着方法 |
| US7153388B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | Chamber for high-pressure wafer processing and method for making the same |
| JP3992018B2 (ja) | 2003-07-23 | 2007-10-17 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN1716557A (zh) * | 2004-02-25 | 2006-01-04 | 库力索法投资公司 | 用于引线焊接机的激光清洁系统 |
| KR100714244B1 (ko) * | 2004-04-26 | 2007-05-02 | 한국기계연구원 | 생체용 골유도성 금속 임플란트 및 그 제조방법 |
| JP4281692B2 (ja) | 2005-02-15 | 2009-06-17 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20060219754A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Horst Clauberg | Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using same |
| US8245663B2 (en) * | 2006-08-22 | 2012-08-21 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for handling workpieces in a processing system |
| US8844793B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-09-30 | Raytheon Company | Reducing formation of oxide on solder |
| US9385017B2 (en) | 2012-08-06 | 2016-07-05 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for handling workpieces of different sizes |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4891087A (en) * | 1984-10-22 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Isolation substrate ring for plasma reactor |
| JP2827558B2 (ja) * | 1991-04-09 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
| JP3040630B2 (ja) * | 1993-02-16 | 2000-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP02647497A patent/JP3201302B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-06 US US09/019,618 patent/US5972163A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10223725A (ja) | 1998-08-21 |
| US5972163A (en) | 1999-10-26 |
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