JP2827558B2 - ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
およびワイヤボンディング方法に係り、ストッカーから
送り出された基板を、プラズマクリーニング装置により
クリーニングしたうえで、ワイヤボンディングするよう
にしたものである。
およびワイヤボンディング方法に係り、ストッカーから
送り出された基板を、プラズマクリーニング装置により
クリーニングしたうえで、ワイヤボンディングするよう
にしたものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程において、基
板に搭載された半導体の電極と、基板の電極とをワイヤ
で接続することが行われる。このようなワイヤボンディ
ング工程において、基板の電極に不純物が付着している
と、ワイヤを電極に良好にボンディングさせることはで
きない。この不純物としては、作業者が基板を手で取り
扱った場合に付着する手脂、空気中に浮遊するガス化し
たオイル、レジストの残渣等がある。
板に搭載された半導体の電極と、基板の電極とをワイヤ
で接続することが行われる。このようなワイヤボンディ
ング工程において、基板の電極に不純物が付着している
と、ワイヤを電極に良好にボンディングさせることはで
きない。この不純物としては、作業者が基板を手で取り
扱った場合に付着する手脂、空気中に浮遊するガス化し
たオイル、レジストの残渣等がある。
【０００３】ワイヤボンディングに先立って、このよう
な不純物を除去するための手段として、従来、超音波洗
浄が行われていた。超音波洗浄は、基板を純水などのク
リーニング液中に浸漬し、このクリーニング液に超音波
を印加して、不純物を除去する手段である。
な不純物を除去するための手段として、従来、超音波洗
浄が行われていた。超音波洗浄は、基板を純水などのク
リーニング液中に浸漬し、このクリーニング液に超音波
を印加して、不純物を除去する手段である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが超音波洗浄手
段は、その後に熱風を吹き付けるなどして基板を乾燥さ
せねばならないため、手間と時間を要し、また乾燥させ
ると、クリーニング液がしみとなって基板表面に残存し
やすい等の問題点があった。
段は、その後に熱風を吹き付けるなどして基板を乾燥さ
せねばならないため、手間と時間を要し、また乾燥させ
ると、クリーニング液がしみとなって基板表面に残存し
やすい等の問題点があった。
【０００５】そこで本発明は、従来手段の問題点を解消
できる手段を提供することを目的とする。
できる手段を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板のストッ
カーと、この基板とこの基板に搭載された素子とをワイ
ヤにより接続するワイヤボンダーと、このストッカーと
ワイヤボンダーの間に配設されたプラズマクリーニング
装置とを備え、このプラズマクリーニング装置が、上ケ
ースと下ケースから成り上ケースが下ケースに対して開
閉自在な真空ケーシングと、上ケースの開閉手段と、下
ケースの内部に設けられた基板の支持手段と、この支持
手段に電圧を印加してプラズマを発生させる電源部とか
ら成り、且つ上記ストッカーの基板をこの支持手段へ送
り出す送り出し手段と、この支持手段上の基板を上記ワ
イヤボンダー側へ搬送する搬送手段を設けてワイヤボン
ディング装置を構成している。
カーと、この基板とこの基板に搭載された素子とをワイ
ヤにより接続するワイヤボンダーと、このストッカーと
ワイヤボンダーの間に配設されたプラズマクリーニング
装置とを備え、このプラズマクリーニング装置が、上ケ
ースと下ケースから成り上ケースが下ケースに対して開
閉自在な真空ケーシングと、上ケースの開閉手段と、下
ケースの内部に設けられた基板の支持手段と、この支持
手段に電圧を印加してプラズマを発生させる電源部とか
ら成り、且つ上記ストッカーの基板をこの支持手段へ送
り出す送り出し手段と、この支持手段上の基板を上記ワ
イヤボンダー側へ搬送する搬送手段を設けてワイヤボン
ディング装置を構成している。
【０００７】
【作用】上記構成において、真空ケーシングを開いた状
態で、ストッカーから支持手段へ基板を送り出し、次い
で真空ケーシングが閉じる。次いで支持手段に高電圧が
印加されて真空ケーシングの内部にプラズマが発生し、
基板に付着する不純物は除去される。
態で、ストッカーから支持手段へ基板を送り出し、次い
で真空ケーシングが閉じる。次いで支持手段に高電圧が
印加されて真空ケーシングの内部にプラズマが発生し、
基板に付着する不純物は除去される。
【０００８】次いで真空ケーシングは開いて、基板はワ
イヤボンダーへ送られ、ワイヤボンディングが行われ
る。
イヤボンダーへ送られ、ワイヤボンディングが行われ
る。
【０００９】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１はワイヤボンディング装置の全体側面
図である。このワイヤボンディング装置は、リードフレ
ームなどの基板１０のストッカー１と、プラズマクリー
ニング装置２と、ワイヤボンダー３を並設して構成され
ている。基板１０には半導体Ｐが搭載されている。
図である。このワイヤボンディング装置は、リードフレ
ームなどの基板１０のストッカー１と、プラズマクリー
ニング装置２と、ワイヤボンダー３を並設して構成され
ている。基板１０には半導体Ｐが搭載されている。
【００１１】ストッカー１には、基板１０が段積みして
収納されている。４はストッカー１の支持板であって、
ナット５が装着されている。このナット５にはボールね
じ６が螺合している。Ｍ１はボールねじ６を回転させる
モータである。
収納されている。４はストッカー１の支持板であって、
ナット５が装着されている。このナット５にはボールね
じ６が螺合している。Ｍ１はボールねじ６を回転させる
モータである。
【００１２】ストッカー１の背後には、送り出し手段と
してのシリンダ７が設けられている。モータＭ１を駆動
して、ストッカー１を昇降させ、基板１０をシリンダ７
のロッド８の前方に位置させて、ロッド８が突出する
と、基板１０は前方へ押送される。
してのシリンダ７が設けられている。モータＭ１を駆動
して、ストッカー１を昇降させ、基板１０をシリンダ７
のロッド８の前方に位置させて、ロッド８が突出する
と、基板１０は前方へ押送される。
【００１３】プラズマクリーニング装置２は、開閉自在
な上ケース１１ａと下ケース１１ｂから成る真空ケーシ
ング１１を主体としている。上ケース１１ａはシリンダ
１２のロッド１３に支持されており、ロッド１３が突没
すると、上ケース１１ａは昇降して、ケーシング１１は
開閉する。上ケース１１ａと下ケース１１ｂはアース部
１４により接地されている。すなわち、シリンダ１２は
上ケース１１ａを下ケース１１ｂに対して開閉させる開
閉手段となっている。
な上ケース１１ａと下ケース１１ｂから成る真空ケーシ
ング１１を主体としている。上ケース１１ａはシリンダ
１２のロッド１３に支持されており、ロッド１３が突没
すると、上ケース１１ａは昇降して、ケーシング１１は
開閉する。上ケース１１ａと下ケース１１ｂはアース部
１４により接地されている。すなわち、シリンダ１２は
上ケース１１ａを下ケース１１ｂに対して開閉させる開
閉手段となっている。
【００１４】ケーシング１１の内部には、基板１０の支
持手段１５が配設されている。この支持手段１５はカソ
ードを兼務しており、電源部１６により高電圧が印加さ
れる。この支持手段１５にはヒータ１７が埋設されてお
り、ワイヤボンディングに先立ち、基板１０を加熱す
る。このように、プラズマクリーニング装置２に基板１
０の加熱手段であるヒータ１７を設けることにより、ワ
イヤボンディングに先立ち、段取りよく基板１０を予熱
できる。
持手段１５が配設されている。この支持手段１５はカソ
ードを兼務しており、電源部１６により高電圧が印加さ
れる。この支持手段１５にはヒータ１７が埋設されてお
り、ワイヤボンディングに先立ち、基板１０を加熱す
る。このように、プラズマクリーニング装置２に基板１
０の加熱手段であるヒータ１７を設けることにより、ワ
イヤボンディングに先立ち、段取りよく基板１０を予熱
できる。
【００１５】１８は吸引パイプ、１９はバルブ、２８は
ポンプであって、ケーシング１１内の気体を吸引して、
ケーシング１１を真空にする。２６，２７はケーシング
１１を常圧に戻すためのパイプとバルブである。２０は
送気パイプ、２９はバルブであって、このパイプ２０か
らケーシング１１内に、プラズマ放電用ガスとして、Ａ
ｒガスのような不活性ガスが供給される。
ポンプであって、ケーシング１１内の気体を吸引して、
ケーシング１１を真空にする。２６，２７はケーシング
１１を常圧に戻すためのパイプとバルブである。２０は
送気パイプ、２９はバルブであって、このパイプ２０か
らケーシング１１内に、プラズマ放電用ガスとして、Ａ
ｒガスのような不活性ガスが供給される。
【００１６】ワイヤボンダー３は、基板１０のガイド手
段２１と、このガイド手段２１の上方に設けられたボン
ディング手段２２から成っている。ボンディング手段２
２は、ホーン２３と、このホーン２３に保持されたキャ
ピラリツール２４を備えており、このキャピラリツール
２４に挿通されたワイヤ２５により、基板１０上の半導
体Ｐと基板１０を接続する。ガイド手段２１は、上記支
持手段１５と同じレベルに設けられている。
段２１と、このガイド手段２１の上方に設けられたボン
ディング手段２２から成っている。ボンディング手段２
２は、ホーン２３と、このホーン２３に保持されたキャ
ピラリツール２４を備えており、このキャピラリツール
２４に挿通されたワイヤ２５により、基板１０上の半導
体Ｐと基板１０を接続する。ガイド手段２１は、上記支
持手段１５と同じレベルに設けられている。
【００１７】図２は、支持手段１５上の基板１０をワイ
ヤボンダー３側へ搬送する搬送手段の平面図である。３
０はアーム状の押送子であって、ナット３１にはＸ方向
のボールねじ３２が螺合している。３３はボールねじ３
２を駆動するモータである。
ヤボンダー３側へ搬送する搬送手段の平面図である。３
０はアーム状の押送子であって、ナット３１にはＸ方向
のボールねじ３２が螺合している。３３はボールねじ３
２を駆動するモータである。
【００１８】モータ３３は、ナット３４に支持されてい
る。３５はこのナット３４に螺合するＹ方向のボールね
じ、３６はモータである。
る。３５はこのナット３４に螺合するＹ方向のボールね
じ、３６はモータである。
【００１９】モータ３３が駆動して、ボールねじ３２が
回転すると、ナット３１はこのボールねじ３２に沿っ
て、Ｘ方向に摺動し、上記押送子３０も同方向に摺動す
る。またモータ３６が駆動すると、ナット３４はボール
ねじ３５に沿ってＹ方向に摺動し、押送子３０も同方向
に摺動する。３７は上記支持手段１５上に設けられた基
板１０のガイド部である。このように、押送子３０をＸ
Ｙ方向へ移動させることにより、支持手段１５上の基板
１０を、ワイヤボンダー３側へ搬送する。
回転すると、ナット３１はこのボールねじ３２に沿っ
て、Ｘ方向に摺動し、上記押送子３０も同方向に摺動す
る。またモータ３６が駆動すると、ナット３４はボール
ねじ３５に沿ってＹ方向に摺動し、押送子３０も同方向
に摺動する。３７は上記支持手段１５上に設けられた基
板１０のガイド部である。このように、押送子３０をＸ
Ｙ方向へ移動させることにより、支持手段１５上の基板
１０を、ワイヤボンダー３側へ搬送する。
【００２０】本装置は上記のような構成より成り、次に
動作の説明を行う。上ケース１１ａを開いた状態で、シ
リンダ７のロッド８が突出することにより、ストッカー
１の基板１０はケーシング１１内の支持手段１５上へ送
られる。次いで上ケース１１ａが閉じ、ケーシング１１
内には真空状態になる。またパイプ２０から不活性ガス
が送られ、次いで支持手段１５に高周波高電圧が印加さ
れることにより、プラズマが発生する。
動作の説明を行う。上ケース１１ａを開いた状態で、シ
リンダ７のロッド８が突出することにより、ストッカー
１の基板１０はケーシング１１内の支持手段１５上へ送
られる。次いで上ケース１１ａが閉じ、ケーシング１１
内には真空状態になる。またパイプ２０から不活性ガス
が送られ、次いで支持手段１５に高周波高電圧が印加さ
れることにより、プラズマが発生する。
【００２１】またこれとともに、不活性ガスの一部はイ
オン化し、イオンはケーシング１１内を激しく高速運動
して、基板１０の表面に衝突し、この表面に付着する不
純物を除去する。除去された不純物は、ポンプ２８によ
り吸引除去される。
オン化し、イオンはケーシング１１内を激しく高速運動
して、基板１０の表面に衝突し、この表面に付着する不
純物を除去する。除去された不純物は、ポンプ２８によ
り吸引除去される。
【００２２】このようにして、基板１０をクリーニング
したならば、バルブ２７を開いて真空状態を解除し、ケ
ーシング１１内を常圧に戻す。
したならば、バルブ２７を開いて真空状態を解除し、ケ
ーシング１１内を常圧に戻す。
【００２３】次いでケース１１ａは上昇して、ケーシン
グ１１を開く。次いでモータ３６が駆動して、押送子３
０は支持手段１５上の基板１０の背後に伸出し（図２鎖
線参照）、次いでモータ３３が駆動して、押送子３０が
前進することにより、基板１０はワイヤボンダー３のガ
イド手段２１上へ搬送される（図２破線参照）。
グ１１を開く。次いでモータ３６が駆動して、押送子３
０は支持手段１５上の基板１０の背後に伸出し（図２鎖
線参照）、次いでモータ３３が駆動して、押送子３０が
前進することにより、基板１０はワイヤボンダー３のガ
イド手段２１上へ搬送される（図２破線参照）。
【００２４】次いでキャピラリツール２４がＸＹ方向に
移動しながら、ワイヤボンディングが行われる。この場
合、基板１０はプラズマクリーニングされて不純物が除
去されているので、良好にワイヤボンディングを行うこ
とができる。
移動しながら、ワイヤボンディングが行われる。この場
合、基板１０はプラズマクリーニングされて不純物が除
去されているので、良好にワイヤボンディングを行うこ
とができる。
【００２５】
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ワ
イヤボンディング工程に先立って、基板に付着する不純
物を作業性良く且つきれいに除去し、良好にワイヤボン
ディングを行うことができる。またストッカーの基板を
プラズマクリーニング装置へ送ってプラズマクリーニン
グを行い、次いでワイヤボンダーにより素子と基板をワ
イヤで接続するまでの作業を、一連の作業として作業性
よく行うことができる。
イヤボンディング工程に先立って、基板に付着する不純
物を作業性良く且つきれいに除去し、良好にワイヤボン
ディングを行うことができる。またストッカーの基板を
プラズマクリーニング装置へ送ってプラズマクリーニン
グを行い、次いでワイヤボンダーにより素子と基板をワ
イヤで接続するまでの作業を、一連の作業として作業性
よく行うことができる。
【図１】本発明に係るワイヤボンディング装置の全体側
面図
面図
【図２】本発明に係る搬送手段の平面図
１ ストッカー ２ プラズマクリーニング装置 ３ ワイヤボンダー ７ シリンダ １０ 基板 １１ ケーシング １５ 支持手段 １６ 電源部 ３０ 押送子
Claims (2)
- 【請求項１】基板のストッカーと、この基板とこの基板
に搭載された素子とをワイヤにより接続するワイヤボン
ダーと、このストッカーとワイヤボンダーの間に配設さ
れたプラズマクリーニング装置とを備え、このプラズマ
クリーニング装置が、上ケースと下ケースから成り上ケ
ースが下ケースに対して開閉自在な真空ケーシングと、
上ケースの開閉手段と、下ケースの内部に設けられた基
板の支持手段と、この支持手段に電圧を印加してプラズ
マを発生させる電源部とから成り、且つ上記ストッカー
の基板をこの支持手段へ送り出す送り出し手段と、この
支持手段上の基板を上記ワイヤボンダー側へ搬送する搬
送手段を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装
置。 - 【請求項２】上ケースと下ケースから成る真空ケーシン
グの上ケースを開閉手段により開き、素子が搭載された
基板を下ケースの内部の支持手段上へ送り、次に上ケー
スを閉じて真空ケーシングの内部にプラズマ発生用ガス
を送り込むとともにこの支持手段に電圧を印加すること
によりプラズマを発生させて基板の上面をクリーニング
する工程と、次に上ケースを開いて搬送手段により基板
を真空ケーシングからワイヤボンダーへ搬送し、ワイヤ
ボンダーにより素子と基板をワイヤで接続する工程と、
を含むことを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076232A JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076232A JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256101A Division JP2828066B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04311044A JPH04311044A (ja) | 1992-11-02 |
| JP2827558B2 true JP2827558B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13599426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3076232A Expired - Lifetime JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2827558B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245189B1 (en) | 1994-12-05 | 2001-06-12 | Nordson Corporation | High Throughput plasma treatment system |
| JP3201302B2 (ja) * | 1997-02-10 | 2001-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
| US6972071B1 (en) | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
| US6709522B1 (en) | 2000-07-11 | 2004-03-23 | Nordson Corporation | Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system |
| US6841033B2 (en) | 2001-03-21 | 2005-01-11 | Nordson Corporation | Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system |
| US8844793B2 (en) * | 2010-11-05 | 2014-09-30 | Raytheon Company | Reducing formation of oxide on solder |
| CN102790003B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-03-11 | 山东晶泰星光电科技有限公司 | 一种全自动固晶机的双下料机构 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132508B2 (ja) * | 1972-05-02 | 1976-09-13 | ||
| JPS59167026A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02181452A (ja) * | 1989-01-05 | 1990-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ワイヤボンディング装置 |
-
1991
- 1991-04-09 JP JP3076232A patent/JP2827558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04311044A (ja) | 1992-11-02 |
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