JPH04311044A - ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/8501—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/85013—Plasma cleaning
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
に係り、ストッカーから送り出された基板を、プラズマ
クリーニング装置によりクリーニングしたうえで、ワイ
ヤボンディングするようにしたものである。
板に搭載された半導体の電極と、基板の電極とをワイヤ
で接続することが行われる。このようなワイヤボンディ
ング工程において、基板の電極に不純物が付着している
と、ワイヤを電極に良好にボンディングさせることはで
きない。この不純物としては、作業者が基板を手で取り
扱った場合に付着する手脂、空気中に浮遊するガス化し
たオイル、レジストの残渣等がある。
な不純物を除去するための手段として、従来、超音波洗
浄が行われていた。超音波洗浄は、基板を純水などのク
リーニング液中に浸漬し、このクリーニング液に超音波
を印加して、不純物を除去する手段である。
段は、その後に熱風を吹き付けるなどして基板を乾燥さ
せねばならないため、手間と時間を要し、また乾燥させ
ると、クリーニング液がしみとなって基板表面に残存し
やすい等の問題点があった。
できる手段を提供することを目的とする。
カーと、この基板とこの基板に搭載された半導体とをワ
イヤにより接続するワイヤボンダーと、このストッカー
とワイヤボンダーの間に配設されたプラズマクリーニン
グ装置とを備え、このプラズマクリーニング装置が、開
閉自在な真空ケーシングと、この真空ケーシングに電圧
を印加してプラズマを発生させる電源部と、この真空ケ
ーシングの内部に設けられた基板の支持手段とから成り
、且つ上記ストッカーの基板をこの支持手段へ送り出す
送り出し手段と、この支持手段上の基板を上記ワイヤボ
ンダー側へ搬送する搬送手段を設けてワイヤボンディン
グ装置を構成している。
態で、ストッカーから支持手段へ基板を送り出し、次い
で真空ケーシングが閉じる。次いで真空ケーシングに高
電圧が印加されて真空ケーシングの内部にプラズマが発
生し、基板に付着する不純物は除去される。
イヤボンダーへ送られ、ワイヤボンディングが行われる
。
説明する。
図である。このワイヤボンディング装置は、リードフレ
ームなどの基板10のストッカー1と、プラズマクリー
ニング装置2と、ワイヤボンダー3を並設して構成され
ている。基板10には半導体Pが搭載されている。
収納されている。4はストッカー1の支持板であって、
ナット5が装着されている。このナット5にはボールね
じ6が螺合している。M1はボールねじ6を回転させる
モータである。
してのシリンダ7が設けられている。モータM1を駆動
して、ストッカー1を昇降させ、基板10をシリンダ7
のロッド8の前方に位置させて、ロッド8が突出すると
、基板10は前方へ押送される。
11aと下ケース11bから成る真空ケーシング11を
主体としている。上ケース11aはシリンダ12のロッ
ド13に支持されており、ロッド13が突没すると、上
ケース11aは昇降して、ケーシング11は開閉する。 上ケース11aと下ケース11bはアース部14により
接地されている。
持手段15が配設されている。この支持手段15はカソ
ードを兼務しており、電源部16により高電圧が印加さ
れる。この支持手段15にはヒータ17が埋設されてお
り、ワイヤボンディングに先立ち、基板10を加熱する
。このように、プラズマクリーニング装置2に基板10
の加熱手段であるヒータ17を設けることにより、ワイ
ヤボンディングに先立ち、段取りよく基板10を予熱で
きる。
ポンプであって、ケーシング11内の気体を吸引して、
ケーシング11を真空にする。26,27はケーシング
11を常圧に戻すためのパイプとバルブである。20は
送気パイプ、21はバルブであって、このパイプ20か
らケーシング11内に、プラズマ放電用ガスとして、A
rガスのような不活性ガスが供給される。
段21と、このガイド手段21の上方に設けられたボン
ディング手段22から成っている。ボンディング手段2
2は、ホーン23と、このホーン23に保持されたキャ
ピラリツール24を備えており、このキャピラリツール
24に挿通されたワイヤ25により、基板10上の半導
体Pと基板10を接続する。ガイド手段21は、上記支
持手段15と同じレベルに設けられている。
ヤボンダー3側へ搬送する搬送手段の平面図である。3
0はアーム状の押送子であって、ナット31にはX方向
のボールねじ32が螺合している。33はボールねじ3
2を駆動するモータである。
る。35はこのナット34に螺合するY方向のボールね
じ、36はモータである。
回転すると、ナット31はこのボールねじ32に沿って
、X方向に摺動し、上記押送子30も同方向に摺動する
。またモータ36が駆動すると、ナット34はボールね
じ35に沿ってY方向に摺動し、押送子30も同方向に
摺動する。37は上記支持手段15上に設けられた基板
10のガイド部である。このように、押送子30をXY
方向へ移動させることにより、支持手段15上の基板1
0を、ワイヤボンダー3側へ搬送する。
動作の説明を行う。上ケース11aを開いた状態で、シ
リンダ7のロッド8が突出することにより、ストッカー
1の基板10はケーシング11内の支持手段15上へ送
られる。次いで上ケース11aが閉じ、ケーシング11
内には真空状態になる。またパイプ20から不活性ガス
が送られ、次いで支持手段15に高周波高電圧が印加さ
れることにより、プラズマが発生する。
オン化し、イオンはケーシング11内を激しく高速運動
して、基板10の表面に衝突し、この表面に付着する不
純物を除去する。除去された不純物は、ポンプ28によ
り吸引除去される。
したならば、バルブ27を開いて真空状態を解除し、ケ
ーシング11内を常圧に戻す。
グ11を開く。次いでモータ36が駆動して、押送子3
0は支持手段15上の基板10の背後に伸出し(図2鎖
線参照)、次いでモータ33が駆動して、押送子30が
前進することにより、基板10はワイヤボンダー3のガ
イド手段21上へ搬送される(図2破線参照)。
移動しながら、ワイヤボンディングが行われる。この場
合、基板10はプラズマクリーニングされて不純物が除
去されているので、良好にワイヤボンディングを行うこ
とができる。
って、例えば真空ケーシングの前面と後面に開閉扉を設
け、この開閉扉を開閉して、基板10を出し入れするよ
うにしてもよい。
トッカーと、この基板とこの基板に搭載された半導体と
をワイヤにより接続するワイヤボンダーと、このストッ
カーとワイヤボンダーの間に配設されたプラズマクリー
ニング装置とを備え、このプラズマクリーニング装置が
、開閉自在な真空ケーシングと、この真空ケーシングに
電圧を印加してプラズマを発生させる電源部と、この真
空ケーシングの内部に設けられた基板の支持手段とから
成り、且つ上記ストッカーの基板をこの支持手段へ送り
出す送り出し手段と、この支持手段上の基板を上記ワイ
ヤボンダー側へ搬送する搬送手段を設けてワイヤボンデ
ィング装置を構成しているので、ワイヤボンディング工
程に先立って、基板に付着する不純物を作業性良く且つ
きれいに除去し、良好にワイヤボンディングを行うこと
ができる。
面図
Claims (1)
- 【請求項1】基板のストッカーと、この基板とこの基板
に搭載された半導体とをワイヤにより接続するワイヤボ
ンダーと、このストッカーとワイヤボンダーの間に配設
されたプラズマクリーニング装置とを備え、このプラズ
マクリーニング装置が、開閉自在な真空ケーシングと、
この真空ケーシングに電圧を印加してプラズマを発生さ
せる電源部と、この真空ケーシングの内部に設けられた
基板の支持手段とから成り、且つ上記ストッカーの基板
をこの支持手段へ送り出す送り出し手段と、この支持手
段上の基板を上記ワイヤボンダー側へ搬送する搬送手段
を設けたことを特徴とするワイヤボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3076232A JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3076232A JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8256101A Division JP2828066B2 (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 基板のプラズマクリーニング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04311044A true JPH04311044A (ja) | 1992-11-02 |
JP2827558B2 JP2827558B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13599426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3076232A Expired - Lifetime JP2827558B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2827558B2 (ja) |
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JP2827558B2 (ja) | 1998-11-25 |
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