DE102016119676A1 - Verfahren und Halbleiterchipvorrichtung - Google Patents

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opening
forming
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Johann Gatterbauer
Dietrich Bonart
Martina DEBIE
Thomas Gross
Bernhard Weidgans
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Infineon Technologies AG
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Infineon Technologies AG
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29169—Platinum [Pt] as principal constituent

Abstract

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses; Ausbilden einer zweiten Schicht (104) über der ersten Schicht (102) unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses; wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen ein Verfahren und eine Halbleiterchipvorrichtung.
  • Im Allgemeinen kann eine mikroelektronische Vorrichtung, z. B. eine Halbleitervorrichtung, in der Mikrofertigungstechnologie, z. B. in der Halbleitertechnologie, auf und/oder in einem Substrat (auch als Wafer oder Träger bezeichnet) verarbeitet werden. Das Substrat kann eine Vielzahl mikroelektronischer Vorrichtungen, z. B. Chips, umfassen, die in entsprechenden Regionen des Substrats verarbeitet oder montiert werden. Zur Fertigung solcher Halbleitervorrichtungen werden bestimmte elektrische Kontaktstrukturen bereitgestellt, indem Schichten und Schichtstapel ausgebildet werden, z. B. für elektrische Zwischenverbindungen zwischen zumindest zwei mikroelektronischen Vorrichtungen oder zwischen zumindest einer mikroelektronischen Vorrichtung und dem Substrat (z. B. einer gedruckten Leiterplatte).
  • Herkömmlicherweise wird eine breite Vielfalt von Materialien zum Ausbilden von Schichten und Schichtstapeln verarbeitet, z. B. strukturiert, z. B. durch Ätzen. Materialien, die mittels Ätzen verarbeitbar sind, sind jedoch auch anfällig bezüglich Umwelteinflüssen, z. B. während weiterer Verarbeitungsschritte, und tendieren dazu, z. B. durch Oxidation beschädigt zu werden. Die Beschädigung kann die Funktionalität der Schichten beeinträchtigten, z. B. ihre Fähigkeit, elektrische Verbindungen bereitzustellen. Deshalb können umweltresistente Schutzschichten verwendet werden, um die anfälligen Schichten vor Umwelteinflüssen zu schützen. Materialien, die eine hohe Umweltresistenz bereitstellen, sind aufgrund ihrer hohen Widerstandsfähigkeit und Schutzeigenschaften jedoch schwer durch Ätzen zu verarbeiten. Dies verkompliziert den Fertigungsprozess und erhöht die Anzahl von Prozessschritten, die erforderlich sind, um die jeweiligen Schichtstapel auszubilden. Beispielsweise sind die zum Schutz verwendbaren Materialien ebenfalls gegen eine breite Palette von Verarbeitungstechnologien resistent.
  • Um Ätzen zu vermeiden, wird eine Schicht auf einer strukturierten Maske abgeschieden, die als Opferschicht verwendet wird und gemeinsam mit den unerwünschten Teilen der Schicht entfernt wird (auch als Lift-off-Prozess bezeichnet). Der Lift-off-Prozess schränkt jedoch die Dicke der Schicht aufgrund der beschränkten Maskendicke ein. Die beschränkte Dicke der Schicht beeinträchtigt ihre Fähigkeit, z. B. unter Verwendung von Löten einen stabilen elektrischen Kontakt bereitzustellen. Beispielsweise ist die mittels Lift-off verarbeitete Schicht zu dünn, um einen stabilen elektrischen Kontakt bereitzustellen. Deshalb ist dieses Verfahren bei der Bereitstellung geeigneter Schutzschichten für elektrische Kontakte eingeschränkt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht auf einer Fläche unter Verwendung eines ersten Lift-off-Prozesses; Ausbilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses; wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht zumindest teilweise bedeckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht über einer ersten Region der Fläche ausgebildet werden; und der zweite Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht über einer zweiten Region der Fläche ausgebildet wird, wobei die zweite Region die erste Region zumindest teilweise umgibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Lift-off-Prozess das Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Fläche umfassen, wobei die erste Maskenstruktur eine erste Öffnung umfassen kann, welche die Fläche freilegt; und wobei der zweite Lift-off-Prozess das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur über der Fläche umfasst, wobei die zweite Maskenstruktur eine zweie Öffnung umfassen kann, welche die erste Schicht (z. B. zumindest teilweise) freilegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Erstreckung der zweiten Öffnung parallel zur Fläche größer als eine Erstreckung der ersten Öffnung parallel zur Fläche sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht in der ersten Öffnung ausgebildet werden, und die zweite Schicht kann in der zweiten Öffnung ausgebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Öffnung und der zweiten Öffnung eine konische Form umfassen. Anders gesagt kann dabei zumindest eine aus der ersten Öffnung und der zweiten Öffnung eine konische Form umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Öffnung und der zweiten Öffnung eine Seitenwand umfassen, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Winkel zwischen der Fläche und der Seitenwand der zumindest einen aus der ersten Öffnung und der zweiten Öffnung um Bereich von etwa 70° bis etwa 85° sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht eine sich verjüngende Form aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht eine Seitenwand umfassen, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Winkel zwischen der Fläche und der Seitenwand der zumindest einen aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht im Bereich von 70° bis etwa 85° sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Maskenstruktur unter Verwendung eines ersten Fotolithografieprozesses ausgebildet werden; und die zweite Maskenstruktur kann unter Verwendung eines zweiten Fotolithografieprozesses ausgebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Maskenstruktur entfernt werden, bevor die zweite Maskenstruktur ausgebildet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht die erste Schicht umschließt. Zum Beispiel kann die zweite Schicht die erste Schicht zumindest in einer seitlichen Richtung und zumindest ein einer vertikalen Richtung bedecken. Die zweite Schicht kann sich in Projektion auf die Fläche über der ersten Schicht erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht Teil einer Kontaktfläche sein. Die Kontaktfläche kann mit zumindest einem aus einer Schaltkreisstruktur, einer Metallisierung und einer Durchkontaktierungsverbindung sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden einer elektrischen Verbindung mit zumindest einer aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht umfassen, z. B. durch elektrisches Kontaktieren der zweiten Schicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein elektrisch leitfähiges Material umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein elektrisch isolierendes Material umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht zumindest eines der folgenden Materialien umfassen: ein Metall, ein Oxid, ein Carbid, ein Nitrid und einer Metalllegierung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht zumindest ein Metall aus den folgenden Metallen (metallischen Elementen) umfassen: Titan, Platin, Wolfram, Gold, Aluminium, Kupfer, Silber, Chrom und Palladium.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht ein Nicht-Edelmetall umfassen und kann die zweite Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht zumindest ein Metall aus den folgenden Metallen umfassen: Chrom, Platin, Wolfram; wobei die zweite Schicht ein Edelmetall umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht zumindest ein Metall aus den folgenden Metallen umfassen: Titan, Chrom, Platin, Wolfram; wobei die zweite Schicht Gold umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht ein Edelmetall umfassen und kann die zweite Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material der ersten Schicht das gleiche wie ein Material der zweiten Schicht sein. Anders gesagt können die erste Schicht und die zweite Schicht das gleiche Material umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist ein Metall der ersten Schicht das gleiche wie ein Metall der zweiten Schicht. Bei dem Metall kann es sich um ein Edelmetall, z.B. Gold, handeln.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht Gold umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht ein Edelmetall umfassen und kann die zweite Schicht ein Nicht-Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht Gold umfassen und kann die zweite Schicht Aluminium umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden einer dritten Schicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Lift-off-Prozess das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur über der Fläche umfassen, wobei die zweite Maskenstruktur eine zweite Öffnung umfassen kann, welche die dritte Schicht freilegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht ein Edelmetall umfassen und kann die dritte Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material der zweiten Schicht das gleiche wie ein Material der dritten Schicht sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Metall der zweiten Schicht das gleiche wie ein Metall der dritten Schicht sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest eine aus der zweiten Schicht und der dritten Schicht Gold umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht zumindest eine Seitenwand der dritten Schicht zumindest teilweise bedeckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dritte Schicht ein Edelmetall umfassen und kann die zweite Schicht ein Nicht-Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dritte Schicht Gold umfassen und kann die zweite Schicht Aluminium umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen bedeckt die dritte Schicht lediglich eine Oberfläche der ersten Schicht zumindest teilweise.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht zumindest eines aus Titan, Chrom, Platin und Wolfram umfassen, wobei die zweite Schicht Gold umfassen kann und die dritte Schicht Gold umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Entfernen von Material von einer Fläche der dritten Schicht umfassen, bevor die zweite Schicht ausgebildet wird. Zum Beispiel kann das Entfernen von Material das Reinigen der dritten Schicht, z. B. von Verunreinigungen (z. B. Staub) oder einer Oxidschicht, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden einer vierten Schicht zwischen der Fläche und der ersten Schicht unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen unterscheidet sich ein Material der vierten Schicht von einem Material von zumindest einer aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die vierte Schicht zumindest ein Metall aus den folgenden Metallen umfassen: Platin, Chrom, Titan, Wolfram.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert, dass die zweite Schicht zumindest eine Seitenwand der vierten Wand zumindest teilweise bedeckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen bedeckt die erste Schicht lediglich eine Oberfläche der vierten Schicht zumindest teilweise.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner umfassen: Ausbilden einer dritten Schicht zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses; und Ausbilden einer vierten Schicht zwischen der Fläche und der ersten Schicht unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses; wobei die erste Schicht zumindest eines aus Titan, Chrom und Platin umfassen kann; wobei die vierte Schicht zumindest eines aus Titan, Chrom und Wolfram umfassen kann; und wobei die zweite Schicht Gold umfassen kann und die dritte Schicht zumindest eines aus Gold und Aluminium umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die erste Schicht und die zweite Schicht elektrisch miteinander verbunden sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann zumindest eine aus der dritten Schicht und der vierten Schicht mit der zweiten Schicht elektrisch verbunden sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht in direktem physischem Kontakt mit der zumindest einen Seitenwand der ersten Schicht sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann die zweite Schicht in direktem physischem Kontakt mit der zumindest einen Seitenwand von zumindest einer aus der dritten Schicht und der vierten Schicht sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dritte Schicht in direktem physischem Kontakt mit der zumindest einen Seitenwand der ersten Schicht sein. Alternativ oder zusätzlich dazu kann die dritte Schicht in direktem physischem Kontakt mit der zumindest einen Seitenwand der vierten Schicht sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Entfernen von Material von einer Fläche der ersten Schicht umfassen, bevor die zweite Schicht ausgebildet wird. Zum Beispiel kann das Entfernen von Material das Reinigen der ersten Schicht, z. B. von Verunreinigungen (z. B. Staub) oder einer Oxidschicht, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden zumindest einer weiteren Schicht über der zweiten Schicht unter Verwendung eines weiteren Lift-off-Prozesses umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der weitere Lift-off-Prozess so konfiguriert sein, dass die zumindest eine weitere Schicht zumindest teilweise zumindest eines aus Folgenden bedeckt: zumindest eine Seitenwand der zweiten Schicht und zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden eines Stapels aus weiteren Schichten über der zweiten Schicht unter Verwendung einer Abfolge weiterer Lift-off-Prozesse umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Lift-off-Prozess das Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Fläche umfassen, wobei die erste Maskenstruktur eine erste Öffnung umfassen kann, welche die Fläche freilegt; wobei die erste Öffnung eine Seitenwand umfassen kann, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist, sodass im Wesentlichen kein Material der ersten Schicht auf der Seitenwand der Öffnung abgeschieden wird (anders gesagt ist die Seitenwand der Öffnung im Wesentlichen frei von Material).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Lift-off-Prozess das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur über der Fläche umfassen, wobei die zweite Maskenstruktur eine zweite Öffnung umfassen kann, welche die Fläche freilegt; wobei die zweite Öffnung eine Seitenwand umfassen kann, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist, sodass im Wesentlichen kein Material der zweiten Schicht auf der Seitenwand der Öffnung abgeschieden wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht auf einer Fläche; Ausbilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses; wobei der Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht zumindest teilweise bedeckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden der ersten Schicht das Anordnen von Material der ersten Schicht auf der Fläche und das teilweise Entfernen des Materials der ersten Schicht, z. B. unter Verwendung von Ätzen, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ätzen zumindest eines aus Trockenätzen, Plasmaätzen und Nassätzen umfassen oder aus diesem bestehen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Lift-off-Prozess das Ausbilden einer Maskenstruktur über der Fläche umfassen, wobei die Maskenstruktur eine Öffnung umfassen kann, welche die erste Schicht (z. B. zumindest teilweise) freilegt; wobei die Öffnung eine Seitenwand umfassen kann, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist, sodass im Wesentlichen kein Material der zweiten Schicht auf der Seitenwand der Öffnung abgeschieden wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren ferner das Ausbilden einer weiteren Schicht über der zweiten Schicht unter Verwendung eines weiteren Lift-off-Prozesses umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen ist der weitere Lift-off-Prozess so konfiguriert, dass die weitere Schicht zumindest eine Seitenwand von zumindest einer aus der ersten Schicht und der zweiten Schicht zumindest teilweise bedeckt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht zumindest ein Metall aus den folgenden Metallen umfassen: Gold, Aluminium, Kupfer, Silber, Chrom und Palladium.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren das Ausbilden zumindest einer ersten Schicht auf einer Fläche; sowie das Bedecken einer Seitenwand der ersten Schicht zumindest teilweise unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes umfassen: Ausbilden einer ersten Schicht über einer ersten Region unter Verwendung eines ersten Lift-off-Prozesses; sowie Ausbilden einer zweiten Schicht über der ersten Schicht und über einer zweiten Region, welche die erste Region umgibt, unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Halbleiterchipvorrichtung Folgendes umfassen: ein Substrat; eine Kontaktfläche welche über dem Substrat ausgebildet ist; wobei die Kontaktfläche eine erste Schicht und eine zweite Schicht, welche über der ersten Schicht ausgebildet ist, umfassen kann, wobei die zweite Schicht zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (z. B. in einer seitlichen Richtung) zumindest teilweise bedeckt; und wobei die zweite Schicht ein Edelmetall umfasst.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht ein Edelmetall umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Material der ersten Schicht das gleiche sein wie ein Material der zweiten Schicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Halbleiterchipvorrichtung ferner zumindest eine aus einer dritten Schicht, welche zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht ausgebildet ist, sowie eine vierte Schicht umfassen, die zwischen dem Substrat und der ersten Schicht ausgebildet ist.
  • In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugssymbole im Allgemeinen die gleichen Bauteile in den verschiedenen Ansichten. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, wobei das Augenmerk stattdessen im Allgemeinen auf das Veranschaulichen der Prinzipien der Erfindung liegt. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
  • 1A, 1B beziehungsweise 1C einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen;
  • 1D einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht zeigt;
  • 2A, 2B beziehungsweise 2C einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen;
  • 2D einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht zeigt;
  • 3A, 3B beziehungsweise 3C einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen;
  • 3D einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht zeigt;
  • 4A, 4B, 4C, 4D beziehungsweise 4E einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen;
  • 5A, 5B beziehungsweise 5C einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen; und
  • 6A, 6B beziehungsweise 6C einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht zeigen.
  • Die folgende Detailbeschreibung betrifft die beiliegenden Zeichnungen, die veranschaulichend spezifische Details und Ausführungsformen zeigen, in welchen die Erfindung praktiziert werden kann.
  • Das Wort „beispielhaft“ wird hier in der Bedeutung „als Beispiel, Exemplar oder Veranschaulichung dienend“ verwendet. Jegliche Ausführungsform oder Auslegung, die hier als „beispielhaft“ beschrieben wird, ist nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsformen oder Auslegungen zu interpretieren.
  • Das Wort „über“, wenn es in Bezug auf ein abgeschiedenes Material verwendet wird, das „über“ einer Seite oder Fläche ausgebildet ist, kann hier in der Bedeutung verwendet werden, dass das abgeschiedene Material „direkt auf“, z. B. in direktem Kontakt mit, der jeweiligen Seite oder Fläche ausgebildet sein kann. Das Wort „über“, wenn es in Bezug auf ein abgeschiedenes Material, das „über“ einer Seite oder Fläche abgeschieden ist, kann hier in der Bedeutung verwendet werden, dass das abgeschiedene Material „indirekt auf“ der jeweiligen Seite oder Fläche abgeschieden ist, wobei eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der jeweiligen Seite oder Fläche und dem abgeschiedenen Material angeordnet sind.
  • Der Begriff „seitlich“, wenn er in Bezug auf die „seitliche“ Erstreckung einer Struktur (oder eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers) oder „seitlich“ daneben verwendet wird, kann hier in der Bedeutung einer Erstreckung oder einer Lagebeziehung entlang einer Fläche eines Substrats, eines Wafers oder eines Trägers verwendet werden. Das bedeutet, dass eine Fläche eines Substrats (z. B. eine Fläche eines Trägers oder eine Fläche eines Wafers) als Bezugsort dienen kann, der üblicherweise als die Hauptverarbeitungsfläche des Substrats (oder die Hauptverarbeitungsfläche des Trägers oder Wafers) bezeichnet wird. Ferner kann der Begriff „Breite“, wenn er in Bezug auf eine „Breite“ einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier in der Bedeutung der seitlichen Erstreckung einer Struktur verwendet werden. Ferner kann der Begriff „Höhe“, wenn er in Bezug auf eine Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier in der Bedeutung einer Erstreckung einer Struktur entlang einer Richtung senkrecht auf die Fläche eines Substrats (z. B. senkrecht auf die Hauptverarbeitungsfläche eines Substrats) verwendet werden. Der Begriff „Dicke“, wenn er in Bezug auf eine „Dicke“ einer Schicht verwendet wird, kann hier in der Bedeutung der räumlichen Erstreckung der Schicht senkrecht auf die Fläche der Stützstruktur (des Materials), auf welcher die Schicht abgeschieden ist, verwendet werden. Falls die Fläche der Stützstruktur parallel zur Fläche des Substrats (z. B. zur Hauptverarbeitungsfläche) ist, kann die „Dicke“ der auf der Stützstruktur abgeschiedenen Schicht gleich der Höhe der Schicht sein. Ferner kann eine „vertikale“ Struktur als eine Struktur bezeichnet werden, die sich in eine Richtung senkrecht auf die laterale Richtung (z. B. senkrecht auf die Hauptverarbeitungsfläche eines Substrats) erstreckt, und eine „vertikale“ Erstreckung kann als eine Erstreckung entlang einer Richtung senkrecht auf die seitliche Richtung (z. B. eine Erstreckung senkrecht auf die Hauptverarbeitungsfläche eines Substrats) bezeichnet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Zweifach-(oder Mehrfach-)Lift-off-Verfahren bereitgestellt. Das Zweifach-(oder Mehrfach-)Lift-off-Verfahren führt zu einer Kontaktflächenmetallisierung, die beispielsweise gut an der darunterliegenden Fläche haftet, korrosionsbeständig (aufgrund der Einhausung), lötbar und haftverbindbar ist. Durch das zweifache (oder mehrfache) Lift-off wird die Dickenbeschränkung eines Einzel-Lift-off-Prozesses eliminiert. Dies stellt ein verbessertes Prozessfenster für Zwischenverbindungsverfahren bereit. Gegebenenfalls kann das Zweifach-(oder Mehrfach-)Lift-off zu einer verringerten Kristallgröße führen, z. B. im Fall des Verarbeitens unterschiedlicher Materialien, was die mechanische Stabilität erhöhen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden in einem ersten Lift-off-Prozess (z. B. einer ersten Lift-off-Lithographie) eine (zum Beispiel reine) Goldschicht und zumindest eine aus einer Titan-Barriereschicht und einer Platin-Barriereschicht verarbeitet. Der resultierende erste Schichtstapel (Titan/Platin/Gold) ermöglicht eine gute Haftung sowie eine gute Wärme- und elektrische Leitfähigkeit. Unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses (z. B. einer zweiten Lift-off-Lithographie) kann eine (zum Beispiel reine) Goldschicht aufgetragen werden, z. B. über der Goldschicht des ersten, durch das erste Lift-off bereitgestellten Schichtstapels ausgebildet werden. Beispielsweise kann der zweite Lift-off-Prozess eine korrosionsbeständige Einhausung des ersten Schichtstapels bereitstellen, z. B. indem im Wesentlichen alle freiliegenden Flächen des ersten Schichtstapels bedeckt werden.
  • Zumindest einer aus dem ersten Lift-off-Prozess und dem zweiten Lift-off-Prozess (anders gesagt, der erste Lift-off-Prozess und/oder der zweite Lift-off-Prozess) kann auf andere edle Elemente (Edelmetalle) angewendet werden, z. B. edle Elemente, die keine Zwischenschicht bilden (z. B. Metalloxide), welche die elektrischen und thermischen Eigenschaften beeinflussen. Der zweite Lift-off-Prozess ist so konfiguriert (anders gesagt, umfasst Dimensionen auf eine Weise), dass der erste Schichtstapel (z. B. ein Metallstapel) unter Verwendung des zweiten Lift-off-Prozesses komplett (vollständig) bedeckt wird. Auf Basis des Materials für die einzelnen Schichten, welche unter Verwendung von zumindest einem aus dem ersten Lift-off-Prozess und dem zweiten Lift-off-Prozess ausgebildet werden, ist der resultierende Schichtstapel widerstandsfähig gegenüber chemischen Angriffen, welche aus anderen (z. B. anschließenden) Prozessschritten herrühren, sowie gegenüber korrodierenden (reaktiven) Elementen aus der Atmosphäre. Sofern erforderlich, kann der Ablauf, welcher zumindest einen aus dem ersten Lift-off-Prozess und dem zweiten Lift-off-Prozess umfasst, wiederholt werden (was auch als weiterer Lift-off-Prozess bezeichnet wird), z. B. ein oder mehrere Male (zum Beispiel mehrmalig), z. B. zwei, drei, vier oder mehr als vier Mal. Anders gesagt können einer, zwei, drei, vier oder mehr als vier weitere (z. B. Einfach- oder Zweifach-) Lift-off-Prozesse zur Anwendung kommen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfasst ein Lift-off-Prozess das Ausbilden einer Opferschicht (die z. B. ein Polymer, z. B. einen Fotolack oder einen anderen Lack, umfassen oder aus diesem ausgebildet sein kann) über einer Fläche; das Strukturieren der Opferschicht, um eine Maskenstruktur bereitzustellen; das Ausbilden einer Schicht über der Maskenstruktur (und der Fläche); das Entfernen der Maskenstruktur, sodass zumindest ein Abschnitt der Schicht über der Fläche zurückbleibt. Beispielsweise, wenn die Maskenstruktur entfernt wird (z. B. unter Verwendung eines maskenentfernenden Wirkstoffes, der z. B. zumindest eines aus einem Lösungsmittel und einem Ätzmittel umfasst), werden Abschnitte der Schicht, die durch die Maskenstruktur vom Substrat getrennt sind, abgelöst und gemeinsam mit der darunterliegenden Maskenstruktur entfernt. Nach dem Lift-off-Prozess kann der zumindest eine Abschnitt der Schicht über Regionen der Fläche zurückbleiben, die von der Maskenstruktur freigelegt wurden, z. B. in denen die Schicht und die Fläche in physischem Kontakt miteinander sind. Beispielsweise umfasst der zumindest eine Abschnitt der Schicht, welche über der Fläche zurückbleibt, eine Negativstruktur der Maskenstruktur.
  • Gegebenenfalls können weitere Schichten über der Maskenstruktur (und der Fläche) ausgebildet werden, bevor die Maskenstruktur entfernt wird. In diesem Zusammenhang kann der Lift-off-Prozess das Ausbilden eines Schichtstapels über der Maskenstruktur (und der Fläche) und das Entfernen der Maskenstruktur umfassen, sodass zumindest ein Abschnitt des Schichtstapels über der Fläche zurückbleibt. Der Schichtstapel kann zumindest zwei (zwei oder mehr) Schichten umfassen.
  • Das Strukturieren kann das Ausbilden einer oder mehrerer Öffnungen in (z. B. durch) die Opferschicht (anders gesagt, das Öffnen der Opferschicht) umfassen, um die (darunterliegende) Fläche, z. B. eine oder mehrere Regionen der Fläche, freizulegen. Die eine oder mehrere Öffnungen können ausgebildet werden, indem Material der Opferschicht über der einen oder mehreren Regionen der Fläche entfernt wird, z. B. unter Verwendung von Ätzen. Das Strukturieren kann auch als inverses Strukturieren bezeichnet werden, da die eine oder mehrere Öffnungen die Regionen definieren können, in welchen Material darüberliegender Schichten zurückbleiben kann. Die eine oder mehrere Öffnungen können von einer Wand der Maskenstruktur umgeben sein, z. B. voneinander getrennt sein. Das Ausbilden der Schicht über der Maskenstruktur kann das Ausbilden eines ersten Abschnittes der Schicht über einer Wand der Maskenstruktur und das Ausbilden eines zweiten Abschnittes der Schicht in der einen oder mehreren Öffnungen umfassen. Der erste Abschnitt der Schicht kann mit der Maskenstruktur entfernt werden, und der zweite Abschnitt der Schicht kann über der Fläche zurückbleiben. Das Ausbilden der Schicht über der Maskenstruktur kann das zumindest teilweise (anders gesagt teilweise oder vollständige) Bedecken der Maskenstruktur mit der Schicht umfassen.
  • 1A stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder einer schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) dar. Das Verfahren kann in einem ersten Schritt 100a das Ausbilden einer ersten Schicht 102 über einer Fläche 111 umfassen. Die erste Schicht 102 kann unter Verwendung eines ersten Lift-off-Prozesses ausgebildet werden. Der erste Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die erste Schicht 102 über einer ersten Region 111a der Fläche 111 ausgebildet wird, wobei eine zweite Region 111b der Fläche 111 frei (anders gesagt unbedeckt) von der ersten Schicht 102 bleiben kann. Die zweite Region 111b der Fläche 111 kann die erste Region 111a der Fläche 111 umgeben. Die erste Schicht 102, z. B. deren Material, kann mittels einer physikalischen Dampfabscheidung, z. B. Sputtern, Plasmaabscheidung oder thermischem Verdampfen, abgeschieden werden. Der erste Lift-off-Prozess kann die Form und Dicke der ersten Schicht 102 definieren.
  • Alternativ dazu kann die erste Schicht 102 unter Verwendung eines anderen Prozesses (der sich von einem Lift-off-Prozess unterscheidet) ausgebildet werden, welcher das Abscheiden der ersten Schicht 102, z. B. mittels einer physikalischen Dampfabscheidung oder einer chemischen Dampfabscheidung, sowie das Strukturieren der ersten Schicht 102, z. B. unter Verwendung von Ätzen, umfasst. Anders gesagt kann die erste Schicht 102 unter Verwendung eines Strukturierungsprozesses ausgebildet werden. Das Abscheiden der ersten Schicht 102 kann das Bedecken der Fläche 111 umfassen, z. B. das Abscheiden der ersten Schicht 102 zumindest über der ersten Region 111a der Fläche 111 und der zweiten Region 111b der Fläche 111. Das Strukturieren der ersten Schicht 102 kann das Entfernen der ersten Schicht 102 über der zweiten Region 111b der Fläche 111 umfassen, z. B. unter Verwenden von Ätzen. Anders gesagt kann das Ausbilden der ersten Schicht 102 das Strukturieren der ersten Schicht 102 umfassen, um einen Abschnitt der ersten Schicht 102 über der zweiten Region 111b zu entfernen. Das Ätzen kann zumindest eines aus Trockenätzen, Plasmaätzen und Nassätzen umfassen oder daraus bestehen.
  • Die Fläche 111 kann zumindest eines aus folgenden Materialien umfassen oder daraus ausgebildet sein: einem Halbleitermaterial, einem Polymermaterial und einem Metall. Zum Beispiel kann die Fläche 111 Teil eines Substrats, z. B. eines Halbleitersubstrats oder einer gedruckten Leiterplatte sein. Das Substrat kann eine oder mehrere Schaltkreisstrukturen umfassen, z. B. integrierte Schaltkreise (auch als Chip bezeichnet), wobei z. B. eine Schaltkreisstruktur die Fläche 111 bereitstellen kann. Alternativ oder zusätzlich dazu kann das Substrat eine oder mehrere Metallisierungsschichten zur elektrischen Zwischenverbindung umfassen, wobei z. B. eine Metallisierungsschicht die Fläche 111 bereitstellen kann. Die erste Schicht 102 kann über, z. B. in elektrischem Kontakt mit, der einen oder mehreren Metallisierungsschichten ausgebildet sein.
  • 1B stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht dar. Das Verfahren kann in einem zweiten Schritt 100b das Ausbilden einer zweiten Schicht 104 über der Fläche 111 umfassen. Die zweite Schicht 104 kann unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses ausgebildet werden. Der zweite Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht 102 zumindest über der ersten Region 111a der Fläche 111 (z. B. zumindest teilweise) und über der zweiten Region 111b der Fläche 111 (z. B. zumindest teilweise) ausgebildet wird. Die zweite Schicht 104 kann unter Verwendung einer physikalischen Dampfabscheidung, z. B. Sputtern oder thermischem Verdampfen, ausgebildet werden.
  • Alternativ dazu kann die zweite Schicht 104 (ähnlich wie die erste Schicht 102) unter Verwendung eines anderen Prozesses ausgebildet werden, der das Strukturieren der zweiten Schicht 104 umfasst. Das Abscheiden der zweiten Schicht 104 kann das Bedecken der Fläche 111 umfassen, z. B. das Abscheiden der zweiten Schicht 104 zumindest über der ersten Region 111a der Fläche 111, der zweiten Region 111b der Fläche 111 und einer dritten Region der Fläche 111, welche die zweite Region 111b der Fläche 111 umgibt. Das Strukturieren der zweiten Schicht 104 kann das Entfernen der zweiten Schicht 104 zumindest aus der dritten Region der Fläche 111 umfassen, z. B. unter Verwendung von Ätzen.
  • Die zweite Schicht 104 kann so ausgebildet sein, dass die zweite Schicht 104 zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 (z. B. in einer seitlichen Richtung) bedeckt. Deshalb kann eine seitliche Erstreckung der zweiten Schicht 104 größer sein als eine seitliche Erstreckung der ersten Schicht 102. Anders gesagt kann sich die zweite Schicht 104 auf zumindest einer seitlichen Fläche der ersten Schicht 102 in einer seitliche Richtung über die erste Schicht 102 erstrecken. Anders gesagt kann die zweite Schicht 104 die zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 zumindest teilweise überlappen. Die zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 kann sich von der Fläche 111 weg, z. B. zumindest teilweise in eine vertikale Richtung, erstrecken.
  • Die erste Schicht 102 kann von der zweiten Schicht 104 nicht vollständig bedeckt sein. Anders gesagt kann die erste Schicht 102 teilweise freiliegen. Die freiliegenden Teile können zum Beispiel von Prozessinhomogenitäten stammen. Alternativ dazu, z. B. sofern erforderlich, kann das Ausbilden der zweiten Schicht 104 so konfiguriert sein, dass zumindest ein Abschnitt der ersten Schicht 111 frei von der zweiten Schicht 104 bleibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, wie im Folgenden beschrieben, zumindest eine weitere Schicht zumindest in einer Weise aus zwischen der Fläche 111 und der zweiten Schicht 104 und über der zweiten Schicht 104 ausgebildet werden. Die zumindest eine weitere Schicht kann unter Verwendung eines weiteren Lift-off-Prozesses ausgebildet werden, z. B. ähnlich wie zumindest einer aus dem ersten Lift-off-Prozess und dem zweiten Lift-off-Prozess, z. B. falls zumindest eine aus der ersten Schicht 102 und der zweiten Schicht 104 unter Verwendung eines anderen Prozesses ausgebildet werden kann.
  • 1C stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht in einem zweiten Schritt 100c dar, der dem in 1B dargestellten zweiten Schritt 100b ähnlich ist. In diesem Fall kann die zweite Schicht 104 so ausgebildet sein, dass die zweite Schicht 104 mehr als eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 bedeckt, z. B. alle Seitenwände 102s der ersten Schicht 102. Anders gesagt kann die zweite Schicht 104 eine Umfangsseitenwand der ersten Schicht 102 bedecken. Anders gesagt kann sich die zweite Schicht 104 in einer seitlichen Richtung zumindest auf zwei seitlichen Flächen der ersten Schicht 102, z. B. entgegengesetzten seitlichen Flächen, über die erste Schicht 102 erstrecken. Anders gesagt kann die zweite Schicht 104 die mehr als eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 (z. B. zumindest auf entgegengesetzten Seiten) überlappen. Die erste Schicht 102 kann in der zweiten Schicht 104 und der Fläche 111 eingehaust sein.
  • 1D stellt einen Schichtstapel 100d, z. B. den Schichtstapel des zweiten Schrittes 100c, der in 1C dargestellt ist, in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung senkrecht auf die Fläche 111) dar. Wie in 1D dargestellt, kann die erste Schicht 102 zumindest eine Seitenwand 102s (die beispielsweise die erste Schicht 102 umgibt) umfassen, die von der zweiten Schicht 104 bedeckt ist. Die zumindest eine Seitenwand 102s kann sich von einer Grenzfläche (unterbrochene Linie) der ersten Region 111a der Fläche 111 und der zweiten Region 111b der Fläche 111 in eine Richtung weg von der Fläche, z. B. zumindest teilweise in eine vertikale Richtung, erstrecken.
  • 2A stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) während eines ersten Lift-off-Prozesses 200a dar. Der erste Lift-off-Prozess 200a kann das Ausbilden einer ersten Maskenstruktur 202 umfassen. Die erste Maskenstruktur 202 kann eine erste Öffnung 202o (oder mehr als eine erste Öffnung 202o) umfassen, die sich durch die erste Maskenstruktur 202 erstreckt. Die erste Öffnung 202o kann die Fläche 111 teilweise freilegen, z. B. zumindest die erste Region 111a der Fläche 111. Die erste Maskenstruktur 202 kann zumindest die zweite Region 111b der Fläche 111 bedecken. Die erste Schicht 102 kann in der ersten Öffnung 202o ausgebildet werden.
  • Nach dem Ausbilden der ersten Schicht 102 kann die erste Maskenstruktur 202 z. B. gemeinsam mit Abschnitten der ersten Schicht 102, die sich über die erst Öffnung 202o erstrecken, z. B. über die erste Region 111a der Fläche 111, entfernt werden.
  • Die erste Öffnung 202o kann eine erste Erstreckung 202d (z. B. parallel zur Fläche 111) aufweisen. Die erste Erstreckung 202d kann beispielsweise als Breite (z. B. als Durchmesser, falls die erste Öffnung 202o eine runde Form aufweist) aufgefasst werden. Die erste Erstreckung 202d kann senkrecht auf eine erste Dicke 202t der ersten Maskenstruktur 202 sein. Die erste Schicht 102 kann eine seitliche Erstreckung (z. B. nach dem Entfernen der ersten Maske 202) aufweisen, die gleich der oder geringer als die erste Erstreckung 202d ist. Die erste Schicht 102 kann eine Dicke (z. B. senkrecht auf die seitliche Erstreckung der ersten Schicht 102) umfassen, die geringer als die erste Dicke 202t der ersten Maskenstruktur 202 ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Erstreckung 202d im Bereich von etwa 5 µm bis etwa 200 µm, z. B. im Bereich von etwa 10 µm bis etwa 150 µm, z. B. im Bereich von etwa 50 µm bis etwa 100 µm, sein. Die erste Dicke 202t kann im Bereich von etwa 1 µm bis etwa 5 µm sein.
  • 2B stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht während eines zweiten Lift-off-Prozesses 200b dar. Der zweite Lift-off-Prozess 200b kann das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur 204 umfassen. Die zweite Maskenstruktur 204 kann eine zweite Öffnung 204o umfassen, die sich durch die zweite Maskenstruktur 204 erstreckt. Die zweite Öffnung 204o kann die erste Schicht zumindest teilweise freilegen, z. B. zumindest teilweise über der ersten Region 111a der Fläche 111, und kann die zweite Region 111b der Fläche 111 zumindest teilweise freilegen. Die zweite Maskenstruktur 204 kann eine dritte Region der Fläche 111 bedecken, welche die zweite Region 111b der Fläche 111 umgibt. Die zweite Schicht 104 kann in der zweiten Öffnung 204o ausgebildet werden. Nach dem Ausbilden der zweiten Schicht 104 kann die zweite Maskenstruktur 204 z. B. gemeinsam mit Abschnitten der zweiten Schicht 104, die sich über die zweite Öffnung 204o erstrecken, z. B. über die zweite Region 111b der Fläche 111, entfernt werden.
  • Die zweite Öffnung 204o kann eine zweite Erstreckung 204d (z. B. parallel zur Fläche 111) umfassen. Die zweite Erstreckung 204d kann beispielsweise als Breite (z. B. als Durchmesser, falls die zweite Öffnung 204o eine runde Form aufweist) aufgefasst werden. Die zweite Erstreckung 204d kann senkrecht auf eine zweite Dicke 204t der zweiten Maskenstruktur 204 sein. Die zweite Schicht 104 kann eine seitliche Erstreckung umfassen (z. B. nach dem Entfernen der zweiten Maske 204), die gleich der oder geringer als die zweite Erstreckung 204d ist. Die zweite Schicht 104 kann eine Dicke umfassen (z. B. senkrecht auf die seitliche Erstreckung der zweiten Schicht 104), die geringer als die zweite Dicke 204t der zweiten Maskenstruktur 204 ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Erstreckung 204d im Bereich von etwa 5 µm bis etwa 200 µm sein, z. B. im Bereich von etwa 10 µm bis etwa 150 µm, z. B. im Bereich von etwa 50 µm bis etwa 100 µm. Die zweite Dicke 204t kann sich von der ersten Dicke 202t unterscheiden, z. B. größer als die erste Dicke 202t sein. Die zweite Dicke 204t kann in dem Bereich von etwa 1 µm bis etwa 5 µm sein.
  • 2C stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht während eines zweiten Lift-off-Prozesses 200c dar, der dem in 2B dargestellten zweiten Lift-off-Prozess 200b ähnlich ist. Die zweite Öffnung 204o kann die erste Schicht (vollständig) freilegen und kann die zweite Region 111b der Fläche 111 freilegen. Die zweite Maskenstruktur 204 kann eine dritte Region der Fläche 111, welche die zweite Region 111b der Fläche 111 umgibt, bedecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich die zweite Erstreckung 204d von der ersten Erstreckung 202d unterscheiden, z. B. größer als die erste Erstreckung 202d sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Erstreckung 204d größer als die seitliche Erstreckung der ersten Schicht 102 sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Öffnung 204o zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 (vor dem Ausbilden der ersten Schicht 102 in der Öffnung) freilegen, z. B. zumindest zwei Seitenwände 102s der ersten Schicht 102. Die zweite Maskenstruktur 204 kann so konfiguriert sein, dass zumindest eine Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o von der ersten Schicht 102, z. B. von zumindest einer Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 (z. B. zumindest auf einer Seite), z. B. von zumindest zwei Seitenwänden 102s der ersten Schicht 102 (z. B. zumindest auf entgegengesetzten Seiten) beabstandet angeordnet ist.
  • 2D zeigt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung senkrecht auf die Fläche 111, z. B. in Projektion auf die Fläche 111) in einem Schritt 200d während zumindest eines aus einem ersten Lift-off-Prozess 200a und dem zweiten Lift-off-Prozess 200b, 200c. Zumindest eine aus der ersten Öffnung 202o und der zweiten Öffnung 204o (anders gesagt, zumindest eine aus der ersten Öffnung 202o und der zweiten Öffnung 204o) kann von Material der ersten Maskenstruktur 202 beziehungsweise der zweiten Maskenstruktur 204 umgeben sein.
  • 3A stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) während eines ersten Schrittes 300a eines ersten Lift-off-Prozesses dar, der dem in 2A dargestellten ersten Lift-off-Prozess 200a ähnlich ist. Wie in 3A dargestellt, kann das Verfahren das Ausbilden einer ersten Maskenstruktur 202 umfassen, welche zumindest eine Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o umfasst. Die zumindest eine Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o kann in Bezug auf die Fläche 111 um einen ersten Winkel 202w im Bereich von etwa 70° bis etwa 85°, z. B. im Bereich von etwa 75° bis etwa 80°, geneigt sein. Die erste Erstreckung 202d kann an einer Oberfläche 202u der ersten Maskenstruktur 202 definiert sein, wobei die Oberfläche 202u der ersten Maskenstruktur 202 der Fläche 111 entgegengesetzt ist.
  • 3B stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) während eines zweiten Schrittes 300b des in 3A dargestellten Lift-off-Prozesses dar. Das Verfahren kann das Ausbilden einer ersten Schicht 104 in der ersten Öffnung 202o umfassen. Die seitliche Erstreckung der ersten Schicht 102 kann durch die erste Erstreckung 202d definiert sein. Aufgrund der geneigten, zumindest einen Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o kann ein erster Spalt 302 (der z. B. einen im Wesentlichen dreieckigen Querschnitt aufweist) zwischen der ersten Schicht 102, z. B. der Seitenwand 102s der ersten Schicht 102, und der zumindest einen Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o zurückbleiben. Der erste Spalt 302 kann die erste Schicht 102 zumindest teilweise (anders gesagt teilweise oder vollständig) umgeben. Der erste Spalt 302 kann dazu führen, dass im Wesentlichen kein Material der ersten Schicht 102 auf der zumindest einen Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o abgeschieden wird. Anders gesagt kann die zumindest eine Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o im Wesentlichen frei von Material der ersten Schicht 102 sein.
  • Nachdem die erste Schicht 102 ausgebildet worden ist, kann die erste Maskenstruktur 202 unter Verwendung eines maskenentfernenden Wirkstoffes entfernt werden. Da die zumindest eine Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o im Wesentlichen frei von Material der ersten Schicht 102 ist, kann der maskenentfernende Wirkstoff vom Inneren der ersten Öffnung 202o auf die erste Maskenstruktur 202 wirken, z. B. auch an der zumindest eine Seitenwand 202s der ersten Öffnung 202o. Deshalb können Fehler, die z. B. von zurückbleibendem Material von der ersten Maskenstruktur 202 herrühren, verringert werden und können z. B. vermieden werden.
  • 3C stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) in einem Schritt 300c eines zweiten Lift-off-Prozesses dar, der dem in 2C dargestellten zweiten Lift-off-Prozess 200c ähnlich ist. Wie in 3C dargestellt, kann das Verfahren das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur 204 umfassen, die zumindest eine Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o umfasst. Die zumindest eine Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o kann in Bezug auf die Fläche 111 um einen zweiten Winkel 204w im Bereich von etwa 70° bis etwa 85°, z. B. im Bereich von etwa 75° bis etwa 80°, geneigt sein. Die zweite Erstreckung 204d kann an einer Oberfläche 204u der zweiten Maskenstruktur 204 definiert sein, wobei die Oberfläche 204u der zweiten Maskenstruktur 204 der Fläche 111 entgegengesetzt ist.
  • Das Verfahren kann ferner das Ausbilden einer zweiten Schicht 104 in der zweiten Öffnung 204o umfassen. Die seitliche Erstreckung der zweiten Schicht 104 kann durch die zweite Erstreckung 204d definiert sein. Aufgrund der geneigten, zumindest einen Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o kann ein zweiter Spalt 304 zwischen der zweiten Schicht 104, z. B. zumindest einer Seitenwand 104s der zweiten Schicht 104, und der zumindest einen Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o zurückbleiben. Der zweite Spalt 304 kann die zweite Schicht 104 zumindest teilweise (anders gesagt, teilweise oder vollständig) umgeben. Der zweite Spalt 304 kann dazu führen, dass im Wesentlichen kein Material der zweiten Schicht 104 auf der zumindest einen Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o abgeschieden wird. Anders gesagt kann die zumindest eine Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o im Wesentlichen frei von Material der zweiten Schicht 104 sein.
  • Nachdem die zweite Schicht 104 ausgebildet sein kann, kann die zweite Maskenstruktur 204 z. B. unter Verwendung eines maskenentfernenden Wirkstoffes entfernt werden. Da die zumindest eine Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o im Wesentlichen frei von Material der zweiten Schicht 104 ist, kann der maskenentfernende Wirkstoff vom Inneren der zweiten Öffnung 204o auf die zweite Maskenstruktur 204 wirken, z. B. auch an der zumindest einen Seitenwand 204s der zweiten Öffnung 204o. Deshalb können Fehler, die z. B. von zurückbleibendem Material von der zweiten Maskenstruktur 204 herrühren, vermieden werden.
  • 3D stellt einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung senkrecht auf die Fläche 111, z. B. in Projektion auf die Fläche 111) in einem Schritt 300d während eines letzten aus einem ersten Lift-off-Prozess und dem zweiten Lift-off-Prozess dar.
  • 4A, 4B, 4C, 4D beziehungsweise 4E stellen einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht dar. Die Fläche 111 kann eine erste Region 111a, eine zweite Region 111b, welche die erste Region 111a umgibt, sowie eine dritte Region 111c, welche die erste Region 111a und die zweite Region 111b umgibt, umfassen. Die erste Region 111a der Fläche 111 und die zweite Region 111b der Fläche 111 können in einem ersten Umfang 311a aneinandergrenzen. Die zweite Region 111b der Fläche 111 und die dritte Region 111c der Fläche 111 können in einem zweiten Umfang 311b aneinandergrenzen.
  • Die erste Erstreckung 202d kann eine seitliche Erstreckung der ersten Region 111a der Fläche 111 definieren. Die zweite Erstreckung 204d kann eine seitliche Erstreckung der zweiten Region 111b der Fläche 111 definieren. Die erste Region 11a der Fläche 111 kann von der ersten Schicht 102 bedeckt sein. Die zweite Region 111b der Fläche 111 kann von der zweiten Schicht 104 bedeckt sein. Die dritte Region 111c der Fläche 111 kann frei von sowohl der ersten Schicht 102 als auch der zweiten Schicht 104 sein. Die Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 kann sich von dem ersten Umfang 311a in eine Richtung weg von der Fläche 111 erstrecken. Die Seitenwand 104s der zweiten Schicht 104 kann sich von dem zweiten Umfang 311b in eine Richtung weg von der Fläche 111 erstrecken.
  • 4A, 4B beziehungsweise 4C zeigen einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111). Das Verfahren kann bei 400a das Ausbilden einer ersten Schicht 102 umfassen. Bei 400b kann das Verfahren ferner das Ausbilden einer ersten weiteren Schicht 112 über der ersten Schicht 102 umfassen. Die erste Schicht 102 und die erste weitere Schicht 112 können unter Verwendung derselben Prozesstechnologie (z. B. indem der gleiche Prozess verwendet wird) ausgebildet werden, z. B. in einem ersten Lift-off-Prozess (z. B. unter Verwendung der gleichen Maskenstruktur) oder, wie zuvor erwähnt, unter Verwendung eines anderen Prozesses, z. B. unter Verwendung zumindest eines Strukturierungsprozesses. Alternativ dazu können die erste Schicht 102 und die erste weitere Schicht 112 unter Verwendung unterschiedlicher Abscheidungsschritte ausgebildet werden, z. B. in zumindest einem aus: einem ersten Lift-off-Prozess, einem zweiten Lift-off-Prozess und einem oder mehreren anderen Prozessen (die z. B. einen oder mehrere Strukturierungsprozesse umfassen). Zum Beispiel kann die erste Schicht 102 in einem ersten Lift-off-Prozess 200a ausgebildet werden, und die erste weitere Schicht 112 kann in einem weiteren Lift-off-Prozess (der z. B. dem zweiten Lift-off-Prozess 200b oder 200c ähnlich ist) ausgebildet werden. In einem alternativen Beispiel kann die erste Schicht 102 in einem ersten Lift-off-Prozess 200a ausgebildet werden, und die erste weitere Schicht 112 kann unter Verwendung eines Patentierungsprozesses (der z. B. dem ersten Schritt 100a ähnlich ist) ausgebildet werden. In einem alternativen Beispiel kann die erste Schicht 102 in einem Plattierungsprozess (der z. B. dem ersten Schritt 100a ähnlich ist) ausgebildet werden, und die erste weitere Schicht 112 kann in einem ersten Lift-off-Prozess 200a ausgebildet werden.
  • Die erste Schicht 102 und die erste weitere Schicht 112 können über der ersten Region 111a der Fläche 111 ausgebildet werden. Die zweite Region 111b der Fläche 111 kann frei von der ersten Schicht 102 und der ersten weiteren Schicht 112 bleiben.
  • Das Verfahren kann bei 400c das Ausbilden einer zweiten Schicht 104 umfassen. Die erste weitere Schicht 112 (auch als dritte Schicht 112 bezeichnet) kann zwischen der ersten Schicht 102 und der zweiten Schicht 104 ausgebildet werden. Die zweite Schicht 104 kann unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses ausgebildet werden (der z. B. dem zweiten Lift-off-Prozess 200b oder 200c ähnlich ist). Der Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht 104 zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 zumindest teilweise und zumindest eine Seitenwand 112s der dritten Schicht 112 zumindest teilweise bedeckt. Die dritte Schicht 112 kann unter Verwendung einer physikalischen Dampfabscheidung (z. B. Sputtern oder thermischer Verdampfung) abgeschieden werden, z. B. wenn ein Lift-off-Prozess zum Ausbilden der dritten Schicht 112 verwendet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen bedeckt die dritte Schicht 112 lediglich eine Oberfläche 102t der ersten Schicht 102 zumindest teilweise.
  • Der Schichtstapel, welcher die erste Schicht 102, die zweite Schicht 104 und die dritte Schicht 112 umfasst oder von diesen gebildet wird, kann mehrere Materialabfolgen umfassen, die unter anderem folgende sein können:
    • (A) die erste Schicht 102 kann Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Platin umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (B) die erste Schicht 102 kann Wolfram umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein.
    • (C) die erste Schicht 102 kann zumindest eines aus Wolfram und Titan umfassen oder aus diesen ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, und die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (D) die erste Schicht 102 kann zumindest eines aus Wolfram und Titan umfassen oder aus diesen ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Aluminium umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (E) die erste Schicht 102 kann zumindest eines aus Wolfram und Titan umfassen oder aus diesen ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Chrom umfassen oder aus diesem ausgebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann in den Materialabfolgen (A) bis (E) Gold durch andere Edelmetalle ersetzt oder mit diesen gemischt werden, z. B. zumindest einem (einem oder mehr als einem) aus Platin, Iridium, Palladium, Osmium, Silber, Rhodium und Ruthenium. Alternativ oder zusätzlich dazu kann in der Materialabfolge (A) bis (E) zumindest eines aus Wolfram, Chrom und Titan durch andere Nicht-Edelmetalle ersetzt oder mit diesen gemischt werden, z. B. zumindest einem aus Titan, Kupfer, Niob und Tantal.
  • Das Ausbilden einer Aluminium umfassenden Schicht auf einer Gold umfassenden Schicht kann zu einer Grenzfläche zwischen Gold und Aluminium führen, welche eine intermetallische Verbindung von Gold und Aluminium umfasst oder aus dieser ausgebildet ist. Ander Grenzflächen zwischen zwei Schichten können auch andere intermetallische Verbindungen, welche Metalle der beiden Schichten umfassen, umfassen oder aus diesen ausgebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Edelmetall als metallisches Element (chemisches Element) mit einem elektrischen Potenzial (gegen eine Standard-Wasserstoffelektrode gemessen) aufgefasst werden, das größer oder gleich etwa 0,455 V (anders gesagt, größer als das elektrische Potenzial von Ruthenium), z. B. größer oder gleich etwa 0,79 V, und kleiner als etwa 4 V, z. B. kleiner als etwa 2 V, ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Edelmetall als metallisches Element (chemisches Element) mit einem elektrischen Potenzial (gegen eine Standard-Wasserstoffelektrode gemessen) aufgefasst werden, das kleiner als etwa 0,455 V, z. B. kleiner als oder gleich etwa 0,3 V, z. B. kleiner als oder gleich 0,2 V, z. B. kleiner als oder gleich etwa 0,1 V, z. B. kleiner als oder gleich etwa 0,3 V, und größer als etwa –4 V, z. B. größer als etwa –2 V, ist.
  • Beispielsweise kann die erste Schicht 102 eine Haftschicht sein, wobei die dritte Schicht 112 eine Barriereschicht sein kann und wobei die zweite Schicht 104 zumindest eine aus einer lötbaren und einer haftverbindbaren Schicht sein kann. Alternativ dazu kann die erste Schicht 102 eine Barriereschicht sein, wobei die dritte Schicht 112 und die zweite Schicht 104 zumindest eine aus einer lötbaren Schicht und einer haftverbindbaren Schicht sein können, die z. B. das gleiche Material umfassen oder aus diesem bestehen. Alternativ dazu kann die erste Schicht 102 eine Haftschicht sein, wobei die dritte Schicht 112 und die zweite Schicht 104 zumindest eine aus einer lötbaren Schicht und einer haftverbindbaren Schicht sein können, die z. B. das gleiche Material umfassen oder aus diesem bestehen können.
  • 4D beziehungsweise 4E zeigen einen Schichtstapel in einem Verfahren Gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111), z. B. ähnlich wie zuvor beschrieben. Das Verfahren kann bei 400d das Ausbilden einer zweiten weiteren Schicht 122 über der Fläche 111 und das Ausbilden der ersten Schicht 102 über der zweiten weiteren Schicht 122 umfassen. Die zweite weitere Schicht 122 kann auch als vierte Schicht 122 bezeichnet werden. Das Verfahren kann bei 400b gegebenenfalls das Ausbilden der dritten Schicht 112 über der ersten Schicht 102 umfassen. Die vierte Schicht 122 kann unter Verwendung einer physikalischen Dampfabscheidung, z. B. Sputtern oder thermischer Verdampfung, ausgebildet werden.
  • Das Verfahren kann bei 400e das Ausbilden einer zweiten Schicht 112 umfassen. Die optionale dritte Schicht 112 kann zwischen der ersten Schicht 102 und der zweiten Schicht 104 ausgebildet werden, und die vierte Schicht 122 kann zwischen der ersten Schicht 102 und der Fläche ausgebildet werden. Die zweite Schicht 104 kann unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses (der z. B. dem zweiten Lift-off-Prozess 200b oder 200c ähnlich ist), ausgebildet werden. Der Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die zweite Schicht 104 zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 zumindest teilweise, zumindest eine Seitenwand 112s der dritten Schicht 112 zumindest teilweise, und zumindest eine Seitenwand 122s der vierten Schicht 122 zumindest teilweise bedeckt.
  • Zumindest zwei aus (zwei oder drei aus) der ersten Schicht 102, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 können unter Verwendung derselben Prozesstechnologie ausgebildet werden (z. B. unter Verwendung des gleichen Prozesses), z. B. in einem ersten Lift-off-Prozess (z. B. unter Verwendung der gleichen Maskenstruktur) oder, wie zuvor erwähnt, unter Verwendung eines anderen Prozesses, der z. B. einen Strukturierungsprozess umfasst. Alternativ oder zusätzlich dazu können zumindest zwei aus (zwei oder drei aus) der ersten Schicht 102, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 unter Verwendung unterschiedlicher Abscheidungsschritte ausgebildet werden, z. B. in zumindest einem aus: einem ersten Lift-off-Prozess, einem zweiten Lift-off-Prozess, einem dritten Lift-off-Prozess und einem oder mehreren anderen Prozessen (die z. B. einen Strukturierungsprozess umfassen).
  • Zum Beispiel kann die dritte Schicht 112 in einem ersten Lift-off-Prozess 200a ausgebildet werden, und die zweite Schicht 104 kann in einem zweiten Lift-off-Prozess ausgebildet werden (der z. B. dem zweiten Lift-off-Prozess 200b oder 200c ähnlich ist). Alternativ oder zusätzlich dazu kann zumindest eine aus der ersten Schicht 102 und der vierten Schicht 122 unter Verwendung eines Strukturierungsprozesses (der z. B. dem zweiten Schritt 100a, 100b oder 100c ähnlich ist) oder unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses (z. B. des ersten Lift-off-Prozesses 200a) ausgebildet werden. In einem alternativen Beispiel kann die erste Schicht 102 in einem ersten Lift-off-Prozess ausgebildet werden, und die dritte Schicht 112 kann in einem zweiten Lift-off-Prozess (der z. B. dem zweiten Lift-off-Prozess 200b oder 200c ähnlich ist) ausgebildet werden. Alternativ oder zusätzlich dazu kann zumindest eine aus der vierten Schicht 122 und der zweiten Schicht 104 unter Verwendung eines Strukturierungsprozesses (der z. B. dem zweiten Schritt 100a, 100b oder 100c ähnlich ist) oder unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses (z. B. des ersten Lift-off-Prozesses 200a) ausgebildet werden.
  • Der Schichtstapel, welcher die erste Schicht 102, die zweite Schicht 104, die dritte Schicht 112 und die vierte Schicht 122 umfasst oder aus diesen ausgebildet ist, kann mehrere Materialabfolgen umfassen, z. B. die Materialabfolgen (A) bis (E), wobei die vierte Schicht zumindest eines aus Titan, Chrom und Wolfram umfassen oder aus diesem ausgebildet sein kann. Alternativ oder zusätzlich dazu kann sich ein Material der vierten Schicht 122 von einem Material der ersten Schicht 102 unterscheiden. Gegebenenfalls kann der Schichtstapel eine der folgenden Materialabfolgen umfassen:
    • (F) die erste Schicht 102 kann Platin umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die vierte Schicht 122 kann Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (G) die erste Schicht 102 kann Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweiten Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die vierte Schicht 122 kann Wolfram umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (H) die erste Schicht 102 kann Chrom umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die vierte Schicht 122 kann Wolfram oder Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein;
    • (I) die erste Schicht 102 kann Platin umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die zweite Schicht 102 kann Aluminium umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die vierte Schicht 122 kann Wolfram oder Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann in den Materialabfolgen (F) bis (I) Gold durch andere Edelmetalle ersetzt oder mit diesem gemischt werden, z. B. zumindest einem aus Platin, Iridium, Palladium, Osmium, Silber, Rhodium und Ruthenium. Alternativ oder zusätzlich dazu kann in den Materialabfolgen (F) bis (I) zumindest eines aus Wolfram, Chrom und Titan durch andere Edelmetalle ersetzt oder mit diesen gemischt werden, z. B. zumindest einem aus Titan, Kupfer, Niob und Tantal.
  • Beispielsweise kann die erste Schicht 102 eine Barriereschicht sein, wobei die dritte Schicht 112 und die zweite Schicht 104 zumindest eines aus einer lötbaren Schicht und einer haftverbindbaren Schicht sein können, die z. B. das gleiche Material umfassen oder daraus bestehen, und wobei die vierte Schicht eine Haftschicht sein kann. Anders gesagt kann der Schichtstapel zwei lötbare Schichten beziehungsweise haftverbindbare Schichten übereinander umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können auch andere Kombinationen möglich sein, z. B. kann die dritte Schicht 112 eine weitere Barriere- oder die erste Schicht 102 kann eine weitere Haftschicht sein.
  • 5A, 5B beziehungsweise 5C zeigen einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111). Das Verfahren kann bei 500a das Ausbilden einer ersten Schicht 102, einer dritten Schicht 112 und einer vierten Schicht 122 in einem ersten Lift-off-Prozess umfassen. Anders gesagt kann ein erster Schichtstapel 512, der in dem ersten Lift-off-Prozess ausgebildet wird, die erste Schicht 102, die dritte Schicht 112 und die vierte Schicht 122 umfassen oder aus diesen ausgebildet sein. Für den ersten Lift-off-Prozess kann eine erste Maskenstruktur 202 bereitgestellt werden. Das Ausbilden von zumindest einer aus der ersten Schicht 102, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 kann das Abscheiden von Material an zumindest einem aus in der ersten Öffnung 202o und außerhalb der ersten Öffnung 202o umfassen.
  • Alternativ dazu kann zumindest die dritte Schicht 112 (z. B. die dritte Schicht 112 und die erste Schicht 102) unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses ausgebildet werden, und zumindest eine Schicht, z. B. alle verbleibenden Schichten, des ersten Schichtstapels 512 kann unter Verwendung eines oder mehrerer anderer Prozesse (die z. B. einen Strukturierungsprozess umfassen) ausgebildet werden. In diesem Fall kann die zumindest eine Schicht des ersten Schichtstapels 512, welche unter Verwendung eines oder mehrerer anderer Prozesse ausgebildet wird, vor dem Ausbilden der ersten Maskenstruktur 202 vorhanden sein. Falls zumindest eine Schicht vor dem Ausbilden der ersten Maskenstruktur 202 vorhanden ist, kann die erste Maskenstruktur 202 so ausgebildet sein, dass die erste Öffnung 202o die zumindest eine Schicht, die unter Verwendung eines oder mehrerer anderer Prozesse ausgebildet worden ist, freilegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht 102 Platin umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, die dritte Schicht 112 kann Gold (oder ein anderes Edelmetall) umfassen oder aus diesem ausgebildet sein, und die vierte Schicht 122 kann Titan umfassen oder aus diesem ausgebildet sein.
  • Bei 500a kann das Verfahren ferner umfassen, die erste Maskenstruktur 202 z. B. nach dem Ausbilden der dritten Schicht 112 zu entfernen. Das Entfernen der ersten Maskenstruktur 202 kann das Entfernen von Material von zumindest einer aus der ersten Schicht 102, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 umfassen, das außerhalb der ersten Öffnung 202o der ersten Maskenstruktur 202 ist. Beispielsweise kann die erste Öffnung 202o die erste Region 111a der Fläche 111 definieren. Die Fläche 111 kann eine Fläche eines Substrats 502, z. B. eines Halbleitersubstrats, sein.
  • Der erste Schichtstapel 512 kann zumindest eine Seitenwand 502s umfassen, die in Bezug auf die Fläche 111 geneigt ist. Zum Beispiel kann eine aus der ersten Schicht 102, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 zumindest eine Seitenwand umfassen, die in Bezug auf die Fläche 111 um einen Winkel 102w im Bereich von etwa 70° bis etwa 85° geneigt ist, z. B. im Bereich von etwa 75° bis etwa 80°. Zum Beispiel kann zumindest die erste Schicht 102 zumindest eine Seitenwand 102s umfassen, die in Bezug auf die Fläche 111 um einen Winkel 102w in einem Bereich von etwa 70° bis etwa 85° geneigt ist, z. B. in dem Bereich von etwa 75° bis etwa 80°.
  • Das Verfahren kann bei 500b das Ausbilden einer zweiten Schicht 104 unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses umfassen. Für den zweiten Lift-off-Prozess kann eine zweite Maskenstruktur 204 bereitgestellt werden. Das Ausbilden der zweiten Schicht 104 kann das Abscheiden von Material an zumindest einer Stelle aus in der zweiten Öffnung 204o und außerhalb der zweiten Öffnung 204o umfassen. Die zweite Schicht 104 kann die zumindest eine Seitenwand 502s des ersten Schichtstapels 512 zumindest teilweise bedecken. Die zweite Schicht 104 kann zumindest eine Seitenwand 104s umfassen, die in Bezug auf die Fläche 111 um einen Winkel 102w im Bereich von etwa 70° bis etwa 85° geneigt ist, z. B. in dem Bereich von etwa 75° bis etwa 80°.
  • Der zweite Schichtstapel 514 kann die zweite Schicht 104 und den ersten Schichtstapel 512 umfassen oder aus diesen ausgebildet sein. Der erste Schichtstapel 512 kann zumindest die erste Schicht 102 und zumindest eine aus der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 umfassen. Zumindest einer aus dem ersten Schichtstapel 512 und dem zweiten Schichtstapel 514 kann Teil einer Halbleiterchipvorrichtung sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden des ersten Schichtstapels 512 das Verwenden eines ersten Lift-off-Prozesses zum Ausbilden zumindest einer Schicht des ersten Schichtstapels 512 umfassen. Das Ausbilden des zweiten Schichtstapels 514 kann das Verwenden eines zweiten Lift-off-Prozesses zum Ausbilden zumindest einer Schicht des zweiten Schichtstapels 514 umfassen. Anders gesagt kann der zweite Schichtstapel 514 gegebenenfalls mehr als eine zweite Schicht 104 umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht 104 Gold (oder ein anderes Edelmetall) umfassen oder aus diesem ausgebildet sein. Alternativ dazu kann die zweite Schicht 104 Aluminium umfassen oder aus diesem ausgebildet sein.
  • Bei 500c kann das Verfahren umfassen, die zweite Maskenstruktur 204 zu entfernen. Das Entfernen der zweiten Maskenstruktur 202 kann das Entfernen von Material der zweiten Schicht 104 umfassen, das außerhalb der zweiten Öffnung 204o angeordnet ist. Beispielsweise kann die zweite Öffnung 202o die erste Region 111a einer Fläche 111 und die zweite Region 111b der Fläche 111 definieren. Das Entfernen von zumindest einer aus der ersten Maskenstruktur 202 und der zweiten Maskenstruktur 204 kann das Freilegen der dritten Region 111c der Oberfläche 111 umfassen.
  • Gegebenenfalls kann das Verfahren bei 500c umfassen, eine elektrische Verbindung über dem zweiten Schichtstapel auszubilden, z. B. über der zweiten Schicht 104. Die zweite Schicht 104 kann in elektrischem Kontakt mit zumindest einer aus der zweiten Schicht 104, der dritten Schicht 112 und der vierten Schicht 122 sein. Deshalb kann die elektrische Verbindung auch in elektrischem Kontakt mit zumindest einer Schicht aus dem zweiten Schichtstapel 514, z. B. mit allen Schichten des zweiten Schichtstapels 514, sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer elektrischen Verbindung das Anordnen eines Lötmaterials über der zweiten Schicht 104 sowie das Erhitzen des Lötmaterials umfassen, um das Lötmaterial mit der zweiten Schicht 104 zu verbinden. Das Lötmaterial kann zumindest eines aus: Silber, Nickel, Zinn, Aluminium, Indium und Blei umfassen oder aus diesem ausgebildet sein. Zum Beispiel kann das Lötmaterial ein zinnbasiertes Lötmaterial oder ein bleibasiertes Lötmaterial sein.
  • Alternativ oder zusätzlich dazu kann das Ausbilden einer elektrischen Verbindung das Anordnen eines Haftverbindungsmaterials über der zweiten Schicht 104 und das Pressen des Haftverbindungsmaterials gegen die zweite Schicht 104 umfassen, um das Haftverbindungsmaterial mit der zweiten Schicht 104 zu verbinden. Das Haftverbindungsmaterial kann in Drahtform ausgebildet sein. Das Haftverbindungsmaterial kann zumindest eines aus: Silber, Gold, Kupfer und Aluminium umfassen oder aus diesem ausgebildet sein. Zum Beispiel kann das Haftverbindungsmaterial einen Golddraht, einen Silberdraht oder einen Aluminiumdraht umfassen oder aus diesem ausgebildet sein. Beispielsweise kann der Schichtstapel, welcher zumindest die erste Schicht 102 und die zweite Schicht 104 (z. B. den zweiten Schichtstapel 514) umfasst, eine gute Haftung an die Fläche 111 bereitstellen und kann gegenüber Umwelteinflüssen robust sein. Ferner umfasst der Schichtstapel, welcher zumindest die erste Schicht 102 und die zweite Schicht 104 umfasst, eine lötbare Fläche beziehungsweise haftverbindbare Fläche, die von der zweiten Schicht 104 bereitgestellt wird. Ferner kann der Schichtstapel, welcher zumindest die erste Schicht 102 und die zweite Schicht 104 (z. B. den zweiten Schichtstapel 514) umfasst, eine gute Haftung an die Fläche 111 bereitstellen und kann gegenüber Umwelteinflüssen robust sein.
  • Alternativ oder zusätzlich dazu kann das Ausbilden einer elektrischen Verbindung das Anordnen eines Haftmittels (z. B. eines elektrisch leitfähigen Haftmittels) über der zweiten Schicht 104 und das Trocknen des Haftmittels umfassen, um das Haftmittel mit der zweiten Schicht 104 zu verbinden. Das Haftmittel kann ein Polymer (z. B. ein elektrisch leitfähiges Polymer) umfassen oder aus diesem ausgebildet sein und kann gegebenenfalls elektrisch leitfähige Partikel (z. B. Metallpartikel) umfassen, z. B. im Falle eines elektrisch nicht leitfähigen Polymers.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Schicht 102 eine Dicke im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 5 µm umfassen, z. B. in dem Bereich vom etwa 50 nm bis etwa 2 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 1 µm. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Schicht 104 eine Dicke im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 5 µm umfassen, z. B. im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 2 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 1 µm. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dritte Schicht 112 eine Dicke im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 5 µm umfassen, z. B. im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 2 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 1 µm. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die vierte Schicht 122 eine Dicke im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 5 µm umfassen, z. B. im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 2 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 1 µm.
  • 6A, 6B beziehungsweise 6C stellen einen Schichtstapel in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Seitenansicht (z. B. in einer Ansichtsrichtung parallel zur Fläche 111) dar, das den zuvor gezeigten Verfahren ähnlich ist. Das Verfahren kann bei 600a ähnlich zu 500a konfiguriert sein, wobei der erste Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass eine dritte Schicht 112 zumindest eine Seitenwand 102s der ersten Schicht 102 bedeckt. In diesem Fall kann das Verfahren bei 600a das Ausbilden der ersten Schicht 102 in einem anderen Prozess (der z. B. einen Strukturierungsprozess umfasst), der sich von einem Lift-off-Prozess unterscheidet, oder das Ausbilden der ersten Schicht 102 in einem Lift-off-Prozess vor dem ersten Lift-off-Prozess (der z. B. dem ersten Lift-off-Prozess 200a ähnlich ist) umfassen. Gegebenenfalls kann das Verfahren bei 600a das Ausbilden einer vierten Schicht 122 in einem anderen Prozess (der z. B. einen Strukturierungsprozess umfasst), der sich von einem Lift-off-Prozess unterscheidet, oder das Ausbilden einer vierten Schicht 122 in einem Lift-off-Prozess vor dem ersten Lift-off-Prozess (der z. B. dem ersten Lift-off-Prozess 200a ähnlich ist), umfassen. Zum Beispiel kann die vierte Schicht 122, falls vorhanden, in demselben Prozess wie die erste Schicht 102 ausgebildet werden. Der erste Lift-off-Prozess kann so konfiguriert sein, dass die dritte Schicht 112 zumindest eine Seitenwand der vierten Schicht 122, falls vorhanden, bedeckt.
  • Das Verfahren kann bei 600b ähnlich wie 500b konfiguriert sein, wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht 112 die bei 600a ausgebildeten Schichten bedeckt. Zum Beispiel kann die zweite Schicht 104 über der zweiten Schicht 104 und über der dritten Schicht 112 ausgebildet werden. Die zweite Schicht 104 kann eine (der Fläche 111 entgegengesetzte) Oberfläche der dritten Schicht 112 bedecken, z. B. ausschließlich die (der Fläche 111 entgegengesetzte) Oberfläche der dritten Schicht 112 bedecken. In diesem Fall bleibt zumindest eine Seitenwand 112s der dritten Schicht 112 frei (unbedeckt).
  • Das Verfahren kann bei 600c umfassen, die zweite Maskenstruktur 204 zu entfernen. Gegebenenfalls kann das Verfahren bei 600c umfassen, eine elektrische Verbindung über dem zweiten Schichtstapel 514 auszubilden. Ferner werden im Folgenden verschiedene Ausführungsformen beschrieben.

Claims (19)

  1. Verfahren, umfassend: Ausbilden einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche unter Verwendung eines ersten Lift-off-Prozesses; Ausbilden einer zweiten Schicht (104) über der ersten Schicht (102) unter Verwendung eines zweiten Lift-off-Prozesses; wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Lift-off-Prozess das Ausbilden einer ersten Maskenstruktur (202) über der Fläche umfasst, wobei die erste Maskenstruktur (202) eine erste Öffnung (202o) umfasst, welche die Fläche freilegt; und wobei der zweite Lift-off-Prozess das Ausbilden einer zweiten Maskenstruktur (204) über der Fläche umfasst, wobei die zweite Maskenstruktur (204) eine zweite Öffnung (204o) umfasst, welche die erste Schicht (102) zumindest teilweise freilegt; wobei optional eine Erstreckung der zweiten Öffnung (204o) parallel zur Fläche größer als eine Erstreckung der ersten Öffnung (202o) parallel zur Fläche ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei zumindest eine aus der ersten Öffnung (202o) und der zweiten Öffnung (204o) eine konische Form aufweist; und/oder wobei zumindest eine aus der ersten Öffnung (202o) und der zweiten Öffnung (204o) eine Seitenwand umfasst, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei zumindest eine aus der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) ein elektrisch leitfähiges Material umfasst.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei zumindest eine aus der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) ein elektrisch isolierendes Material umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei zumindest eine aus der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) ein Edelmetall umfasst.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei zumindest eine aus der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) zumindest eines aus: Titan, Platin, Wolfram, Gold, Aluminium, Kupfer, Silber, Chrom und Palladium umfasst.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die erste Schicht (102) ein Nicht-Edelmetall umfasst und die zweite Schicht (104) ein Edelmetall umfasst.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei ein Material der ersten Schicht (102) das gleiche ist wie ein Material der zweiten Schicht (104).
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, welches ferner Folgendes umfasst: Ausbilden einer dritten Schicht (112) zwischen der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) unter Verwendung des ersten Lift-off-Prozesses; wobei optional die zweite Schicht (104) ein Edelmetall umfasst und die dritte Schicht (112) ein Edelmetall umfasst; und/oder wobei optional ein Metall der zweiten Schicht (104) das gleiche wie ein Metall der dritten Schicht (112) ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der zweite Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der dritten Schicht (112) zumindest teilweise bedeckt.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, wobei die dritte Schicht (112) ein Edelmetall umfasst und die zweite Schicht (104) ein Nicht-Edelmetall umfasst.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die dritte Schicht (112) lediglich eine Oberfläche der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, welches ferner Folgendes umfasst: Ausbilden zumindest einer weiteren Schicht über der zweiten Schicht (104) unter Verwendung eines weiteren Lift-off-Prozesses.
  15. Verfahren, umfassend: Ausbilden einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche; Ausbilden einer zweiten Schicht (104) über der ersten Schicht (102) unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses; wobei der Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die zweite Schicht (104) zumindest eine Seitenwand der ersten Schicht (102) zumindest teilweise bedeckt.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Lift-off-Prozess das Ausbilden einer Maskenstruktur (202) über der Fläche umfasst, wobei die Maskenstruktur (202) eine Öffnung (202o) umfasst, welche die erste Schicht (102) zumindest teilweise freilegt; wobei die Öffnung (202o) eine Seitenwand umfasst, die in Bezug auf die Fläche geneigt ist, sodass im Wesentlichen kein Material der zweiten Schicht (104) auf der Seitenwand der Öffnung (202o) abgeschieden wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, welches ferner Folgendes umfasst: Ausbilden einer weiteren Schicht über der zweiten Schicht (104) unter Verwendung eines weiteren Lift-off-Prozesses.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei der weitere Lift-off-Prozess so konfiguriert ist, dass die weitere Schicht zumindest teilweise eine Seitenwand von zumindest einer aus der ersten Schicht (102) und der zweiten Schicht (104) bedeckt.
  19. Verfahren, umfassend: Ausbilden zumindest einer ersten Schicht (102) auf einer Fläche; und zumindest teilweises Bedecken einer Seitenwand der ersten Fläche unter Verwendung eines Lift-off-Prozesses.
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