FR2967297A1 - Reduction de la formation d'oxyde sur une brasure - Google Patents

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Abstract

Dans certains modes de réalisation, un système inclut un système de dépôt (26) et un système de plasma/liaison (24). Le système de dépôt (26) dépose une brasure vers l'extérieur depuis un substrat d'un certain nombre de substrats. Le système de plasma/liaison (24) comprend un système de plasma configuré pour nettoyer au plasma le substrat et un système de liaison configuré pour lier le substrat. Le système de plasma/liaison (24) réduit au moins une réoxydation de la brasure. Dans certains modes de réalisation, un procédé comprend les étapes consistant à déposer une brasure vers l'extérieur depuis un substrat, enlever un oxyde de métal du substrat et déposer une couche de coiffage vers l'extérieur depuis le substrat pour au moins réduire une réoxydation de la brasure.

Description

RÉDUCTION DE LA FORMATION D'OXYDE SUR UNE BRASURE
Dans l'industrie de l'emballage électronique, le nettoyage au plasma avec un mélange de gaz (tel qu'un mélange de H2) peut être réalisé pour supprimer la formation d'oxyde. En conformité avec la présente invention, les désavantages et problèmes associés aux techniques antérieures permettant de réduire la formation d'oxydes de métal sur une brasure peuvent être réduits ou éliminés. Dans certains modes de réalisation, un système inclut un système de dépôt et un système de plasma/liaison. Le système de dépôt dépose une brasure vers l'extérieur depuis un substrat d'un certain nombre de substrats. Le système de plasma/liaison comprend un système de plasma configuré pour nettoyer au plasma le substrat et un système de liaison configuré pour lier les substrats. Le système de plasma/liaison réduit au moins une réoxydation de la brasure. Dans certains modes de réalisation, un procédé comprend le dépôt d'une brasure vers l'extérieur depuis un substrat, l'enlèvement d'un oxyde de métal d'un substrat, et le dépôt d'une couche de coiffage vers l'extérieur depuis le substrat pour au moins réduire une réoxydation de la brasure. Certains modes de réalisation de l'invention peuvent conférer un ou plusieurs avantages techniques. Un avantage technique d'un mode de réalisation peut être la possibilité d'utiliser un système de plasma/liaison pour au moins réduire (voire empêcher) la formation d'oxyde de métal. Le système peut nettoyer au plasma puis lier des tranches sans exposer les tranches à l'oxygène, ce qui peut au moins réduire la formation d'oxyde de métal. Un avantage technique d'un mode de réalisation peut être la possibilité de protéger une tranche vis-à-vis d'une exposition à l'oxygène par une couche de coiffage, ce qui peut réduire la formation d'oxyde de métal. Certains modes de réalisation de l'invention peuvent inclure aucun, certains ou la totalité des avantages techniques précédents. Un ou plusieurs autres avantages techniques peuvent aisément apparaître à l'homme du métier d'après les figures, descriptions et revendications incluses ici.
Pour une compréhension plus complète de la présente invention et de ses particularités et avantages, on fait à présent référence à la description suivante, prise conjointement avec les dessins qui l'accompagnent dans lesquels : la figure 1 illustre un exemple d'un système qui peut au moins réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat ; les figures 2A à 2C illustrent des exemples d'une ou plusieurs chambres qui peuvent réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat ; la figure 3 illustre un exemple d'un procédé qui peut réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat ; la figure 4 illustre un exemple d'une chambre qui peut réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat ; et la figure 5 illustre un exemple de deux chambres qui peuvent réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat. Des modes de réalisation de la présente invention et ses avantages sont compris au mieux en se référant aux figures 1 à 4 des dessins, des références numériques identiques étant utilisées pour des parties correspondantes des divers dessins. La figure 1 illustre un exemple d'un système 10 qui peut au moins réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat. Le système 10 peut comporter une ou plusieurs chambres conçues pour réduire la reformation ou peut appliquer une couche de coiffage pour réduire la reformation. Certaines brasures s'oxydent à l'air et forment un oxyde de métal (tel qu'un oxyde de Sn). La présence d'oxydes peut provoquer des problèmes qui peuvent empêcher la formation d'une bonne ligne de liaison. Par exemple, les oxydes peuvent conduire à la formation de vides ou peuvent entraîner un démouillage de la brasure pendant le processus de liaison. Ces problèmes peuvent conduire à une perte de rendement ou à des problèmes de fiabilité. Le nettoyage au plasma avec un mélange de gaz (tel qu'un mélange de H2) peut être réalisé pour éliminer la formation d'oxyde. Un oxyde peut toutefois se reformer dès que la partie nettoyée est exposée à l'air. Par exemple, pour une liaison au niveau de la tranche utilisant de la brasure éjectée, du Sn est aisément oxydé à l'air après que la brasure est éjectée, formant de l'oxyde d'étain.
Dans certains modes de réalisation, le système 10 peut fonctionner sur un substrat, tel qu'une tranche. Une tranche peut être une fine tranche de matériau semi-conducteur, tel qu'un cristal de silicium. Une tranche peut être utilisée dans la fabrication de circuits intégrés et d'autres microdispositifs, et peut servir de substrat pour des dispositifs microélectroniques disposés au sein de et à l'extérieur de la tranche. Les substrats peuvent avoir toute application appropriée, telle que des dispositifs de systèmes microélectromécaniques (MEMS) ou des détecteurs à infrarouge (IR). Par exemple, un premier substrat avec un empilement de métal de base (tel qu'un empilement de métal Ti/Pt/Au) et un second substrat avec un MEMS peuvent être liés ensemble avec de la brasure. Dans l'exemple illustré, le système 10 comprend un système d'impression 20 (avec un système de dépôt 26) et un système de plasma/liaison 24. Le système de dépôt 26 dépose une brasure vers l'extérieur d'au moins un substrat d'un ou plusieurs substrats. Le système de plasma/liaison 24 comprend un système de plasma et un système de liaison. Le système de plasma nettoie au plasma au moins un substrat, et le système de liaison lie les substrats. Le système de plasma/liaison 24 au moins réduit la reformation d'oxydes de métal sur la brasure (ou la réoxydation de la brasure). Le système d'impression 20 et le système de plasma/liaison 24 peuvent être séparés en systèmes distincts qui réalisent chacun leurs propres opérations ou peuvent être combinés en un système qui réalise une ou plusieurs opérations des deux systèmes. Le système d'impression 26 peut déposer de la brasure sur un substrat. Dans certains modes de réalisation, le système d'impression 20 peut inclure un système de dépôt 26. Le système de dépôt 26 dépose une brasure vers l'extérieur d'un substrat de toute manière appropriée. Par exemple, la brasure peut être déposée par éjection de brasure. En guise d'autre exemple, une préforme de brasure, une forme conçue spécialement de brasure, peut être utilisée. D'autres exemples de techniques incluent le dépôt physique en phase vapeur et le plaquage.
La brasure comprend un alliage de métal fusible ayant un point de fusion dans la plage de 90 à 450 degrés Celsius (190 à 840°F) (tel que 180 et 190 °C (360 et 370°F)) qui peut être fondu pour joindre des surfaces métalliques. La brasure peut comprendre toute combinaison appropriée de tous métaux appropriés. Les exemples de métaux incluent l'étain, le plomb, le cuivre, l'argent,
le bismuth, l'indium, le zinc, l'antimoine et des traces d'autres métaux. Dans certains exemples, la brasure peut comprendre un alliage d'or-étain, tel qu'Au80Sn20. Dans certains modes de réalisation, le système d'impression 20 peut former en premier lieu un motif de résine photosensible qui indique des zones pour appliquer de la brasure sur un substrat. Le système de dépôt 26 peut alors déposer de la brasure comme indiqué par les zones. Le système de plasma/liaison 24 nettoie au plasma des substrats et lie les substrats ensemble. Le système de plasma/liaison 24 peut effectuer le nettoyage au plasma de toute manière appropriée. Dans certains modes de réalisation, le nettoyage au plasma se fait sur des substrats ayant un plasma énergétique créé par un gaz. Tout gaz approprié peut être utilisé, tel qu'un gaz comprenant un ou plusieurs des suivants : l'hydrogène, l'azote, l'argon, l'hélium ou l'air. Le plasma peut être créé à l'aide de tensions haute fréquence pour ioniser le gaz basse pression. Dans le plasma, des atomes de gaz sont excités à des états d'énergie plus élevés et sont ionisés. Les atomes et ions activés par plasma se comportent comme un jet de sable moléculaire et dissocient les contaminants organiques. Les contaminants sont vaporisés et éliminés. Le système de plasma/liaison 24 peut lier des substrats de toute manière appropriée. Dans certains modes de réalisation, le système de plasma/liaison 24 peut aligner des substrats, sur un ou plusieurs desquels peut être déposée une brasure . Le système de liaison au plasma 24 peut alors appliquer une pression à un ou plusieurs des substrats pour lier les substrats ensemble. Le système de plasma/liaison 24 au moins réduit (et peut même empêcher) la reformation d'oxydes de métal sur un substrat de toute manière appropriée. Dans certains modes de réalisation, le système de plasma/liaison 24 peut comporter une ou plusieurs chambres conçues pour réduire l'exposition du substrat à l'oxygène. Une chambre peut être une enceinte de laquelle un ou plusieurs gaz ont été enlevés. Par exemple, une chambre peut être une chambre à vide de basse pression, telle qu'inférieure à 10 ou de 10 à 20 Pascals (Pa). Comme autre exemple, une chambre peut utiliser un gaz pour enlever un autre gaz par poussée. Par exemple, une chambre à azote peut utiliser de l'azote gazeux pour pousser de l'oxygène gazeux vers l'extérieur pour donner une faible concentration en oxygène, telle qu'inférieure à 1 partie par million (ppm).
Une chambre peut comporter un ou plusieurs orifices, couverts par des brides à vide, pour permettre l'installation d'instruments ou de fenêtre dans les parois de la chambre. Les chambres peuvent être agencées de toute manière appropriée. Des exemples de systèmes de plasma/liaison 24 sont décrits plus en détail en référence aux figures 2A à 2C. La figure 2A illustre un exemple d'un système de plasma/liaison 24 qui comprend une chambre de plasma/liaison 30. Les substrats sont nettoyés au plasma et liés dans la chambre de plasma/liaison 30 de telle sorte que la brasure ne soit pas exposée à l'air après enlèvement de l'oxyde de métal et avant liaison.
Par exemple, un système de plasma peut être intégré à un système de liaison dans la chambre de plasma/liaison 30. La figure 2B illustre un exemple d'un système de plasma/liaison 24 qui comprend une chambre à plasma 34, un module de verrouillage de charge 36 et une chambre de liaison 38. Un substrat est nettoyé au plasma dans la chambre à plasma 34, et des substrats sont liés dans la chambre de liaison 38. Dans certains modes de réalisation, la chambre à plasma 34 peut être couplée à la chambre de liaison 38 via le module de verrouillage de charge 36 configuré pour coupler les chambres sous un vide substantiel. Dans certains modes de réalisation, la chambre à plasma 34 peut être couplée à la chambre de liaison 38 sous un vide substantiel sans l'aide du module de verrouillage de charge 36. La figure 2C illustre un exemple de système de plasma/liaison 24 qui comprend une chambre 40. La chambre à plasma 34 et la chambre de liaison 38 sont disposées dans la chambre 40. Dans certains modes de réalisation, la chambre 40 peut être une chambre à azote configurée pour utiliser de l'azote gazeux en vue de pousser l'oxygène gazeux à l'extérieur de la chambre à azote. Dans certains modes de réalisation, la chambre 40 peut être une chambre à vide dans laquelle se trouve un vide substantiel. Dans certains modes de réalisation, le système de plasma/liaison 24 de la figure 1 peut utiliser une couche de coiffage pour réduire la reformation d'oxyde de métal sur un substrat. Le système 10 (par exemple, le système d'impression 20 et/ou le système de plasma/liaison 24) peut alors nettoyer au plasma le substrat, puis appliquer une couche de coiffage résistant à l'oxydation au substrat. Le système 10 peut alors graver et nettoyer le substrat. Un exemple de ces modes de réalisation est décrit plus en détail en référence à la figure 3.
La figure 3 illustre un exemple d'un procédé qui peut réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat. Le procédé démarre à l'étape 210, où une photolithographie peut être réalisée sur le substrat pour donner une couche de métal formée en motif sur le substrat. Le substrat peut être formé en motif avec la résine photosensible à l'étape 214. Le motif de résine photosensible peut indiquer des zones où placer la brasure. Par exemple, la brasure peut être placée dans des zones autour d'une zone obturée. La brasure est déposée vers l'extérieur du substrat à l'étape 218. Une couche d'or est déposée vers l'extérieur depuis le substrat à l'étape 219. La brasure peut être déposée par le système de dépôt 26 dans des zones indiquées par le motif de résine photosensible. L'oxyde de métal est enlevé du substrat à l'étape 220. L'oxyde de métal peut être enlevé de toute manière appropriée, par exemple, par nettoyage au plasma ou gravage ionique. Par exemple, la surface de la brasure peut être bombardée par des ions énergétiques pour éliminer tout ou quasiment tout l'oxyde de la brasure. Une couche de coiffage est appliquée vers l'extérieur du substrat à l'étape 224. La couche de coiffage peut comprendre un matériau de coiffage qui est résistant à l'oxydation, tel que l'or. L'application de la couche de coiffage juste après l'enlèvement de l'oxyde de métal et avant toute exposition du substrat à l'oxygène peut empêcher la reformation d'oxyde de métal. La couche de coiffage peut être appliquée de toute manière appropriée. Par exemple, on peut utiliser un dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour déposer la couche de coiffage par condensation d'une forme vaporisée de la couche de coiffage. Le PVD utilise des procédés physiques, tels qu'un bombardement par projection de plasma ou une évaporation sous vide à haute température, pour déposer le matériau. Dans le dépôt par projection, le matériau de coiffage est projeté, ou éjecté, d'une source et déposé vers l'extérieur depuis le substrat. Dans le dépôt par évaporation, le matériau de coiffage est évaporé sous un vide, ce qui permet aux particules de vapeur de se déplacer directement vers le substrat. Les particules de vapeur se condensent ensuite et se déposent vers l'extérieur depuis le substrat. Après application de la couche de coiffage, la couche de coiffage peut protéger le substrat vis-à-vis d'une oxydation et le substrat peut être exposé à l'atmosphère. Dans le processus de brasage final, la couche de coiffage peut être incorporée dans la brasure au niveau du cordon de
liaison. Dans certains modes de réalisation, la composition de la brasure peut être ajustée pour compenser l'or ajouté à la brasure par la couche d'or. La résine photosensible et l'or en excès sont enlevés à l'étape 226. La surface est nettoyée avec un plasma à 02 à l'étape 228. Le substrat est aligné avec un autre substrat à l'étape 230. Les substrats sont liés à l'étape 234. Le procédé se termine alors. La figure 4 illustre un exemple d'une chambre 30 d'un système de plasma/liaison 50 qui peut réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat. Dans l'exemple, le système de plasma/liaison 50 comprend une chambre de plasma/liaison 30 avec une entrée de gaz 60 pour les gaz à plasma, des électrodes 62 pour la production de plasma, une pompe à vide 64 qui crée un vide dans la chambre 30, un support 66 qui supporte des tranches, et une plaque de liaison 68 qui lie les tranches. La figure 5 illustre un exemple de deux chambres 34 et 38 d'un système de plasma/liaison 52 qui peut réduire la reformation d'oxydes de métal sur un substrat. Dans l'exemple, le système de plasma/liaison 52 comprend une chambre à plasma 34, un module de verrouillage de charge 36 et une chambre de liaison 38. La chambre à plasma 34 comporte une entrée de gaz 60 pour le gaz à plasma, des électrodes 62 pour la production de plasma et un support 66 qui supporte des tranches. Le module de verrouillage de charge 36 comprend une soupape. La chambre de liaison 38 comporte des plaques de liaison 68 qui lient les tranches et une pompe à vide 64 qui crée un vide dans les chambres 34 et 38. La pompe à vide 64 peut être placée à tout emplacement approprié du système 52, tel qu'au niveau de la chambre à plasma 34 ou du module de verrouillage de charge 36. Des modifications, additions ou omissions peuvent être apportées aux systèmes et appareils divulgués ici sans s'écarter de la portée de l'invention. Les composants des systèmes et appareils peuvent être intégrés ou séparés. De plus, les opérations des systèmes et appareils peuvent être effectuées par un nombre plus ou moins grand d'autres composants. De plus, les opérations des systèmes et appareils peuvent être effectuées en utilisant toute logique appropriée comprenant un logiciel, du matériel et/ou une autre logique. Tel qu'utilisé dans ce document, « chaque » ou « chacun » se réfère à chaque élément d'un ensemble ou chaque élément d'un sous-ensemble d'un ensemble.
Des modifications, additions ou omissions peuvent être apportées aux procédés divulgués ici sans s'écarter de la portée de l'invention. Les procédés peuvent inclure un nombre plus ou moins grand d'autres étapes. En outre, les étapes peuvent être effectuées dans tout ordre approprié.
Un composant des systèmes et appareils divulgués ici peut inclure une interface, une logique, une mémoire et/ou un autre élément approprié. Une interface reçoit une entrée, envoie une sortie, traite l'entrée et/ou la sortie, et/ou réalise une autre opération appropriée. Une interface peut comprendre du matériel et/ou un logiciel.
La logique réalise des opérations du composant, par exemple, exécute des instructions pour générer une sortie à partir de l'entrée. La logique peut inclure du matériel, un logiciel et/ou une autre logique. La logique peut être encodée dans un ou plusieurs supports tangibles et peut réaliser des opérations une fois exécutée par un ordinateur. Une certaine logique, telle qu'un processeur, peut gérer le fonctionnement d'un composant. Les exemples de processeur incluent un ou plusieurs ordinateurs, un ou plusieurs microprocesseurs, une ou plusieurs applications et/ou une autre logique. Dans des modes de réalisation particuliers, les opérations des modes de réalisation peuvent être réalisées par un ou plusieurs supports lisibles par ordinateur avec un programme informatique, un logiciel, des instructions exécutables par ordinateur et/ou des instructions pouvant être exécutées par un ordinateur. Dans des modes de réalisation particuliers, les opérations des modes de réalisation peuvent être réalisées par un ou plusieurs supports lisibles par ordinateur stockant, intégrés avec et/ou codés avec un programme informatique et/ou comportant un programme informatique stocké et/ou encodé. Une mémoire stocke des informations. Une mémoire peut comprendre un ou plusieurs supports de stockage non transitoires, tangibles, lisibles par ordinateur et/ou exécutables par ordinateur. Les exemples de mémoire incluent une mémoire d'ordinateur (par exemple, une mémoire vive (RAM) ou une mémoire morte (ROM)), un support de stockage de masse (par exemple un disque dur), un support de stockage amovible (par exemple, un disque compact (CD) ou un disque vidéo numérique (DVD)), une base de données et/ou un stockage de réseau (par exemple un serveur) et/ou d'autres supports lisibles par ordinateur.
Bien que cette divulgation ait été décrite en termes de certains modes de réalisation, des modifications et permutations des modes de réalisation apparaîtront à l'homme du métier. En conséquence, la description précédente des modes de réalisation ne limite pas cette divulgation. D'autres changements, substitutions et modifications sont possibles sans s'écarter de l'esprit et de la portée de cette divulgation, tels que définis dans les revendications.

Claims (20)

  1. REVENDICATIONS1. Système (10) comprenant : un système de dépôt (26) configuré pour déposer une brasure vers l'extérieur depuis au moins un substrat d'une pluralité de substrats ; et un système de plasma/liaison (24) comprenant : - un système de plasma configuré pour nettoyer au plasma le au moins un substrat ; et - un système de liaison configuré pour lier la pluralité de substrats, le système de plasma/liaison (24) étant configuré pour au moins réduire une réoxydation de la brasure.
  2. 2. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison (24) comprend : une chambre dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma et les substrats de la pluralité de substrats sont liés.
  3. 3. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison (24) comprend : - une chambre à plasma (34) dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma ; et - une chambre de liaison (38) dans laquelle les substrats de la pluralité de substrats sont liés, la chambre de liaison (38) étant couplée à la chambre à plasma (34).
  4. 4. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison (24) comprend : - une chambre à plasma (34) dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma ; - une chambre de liaison (38) dans laquelle les substrats de la pluralité de substrats sont liés ; et - un module de verrouillage de charge (36) configuré pour coupler la chambre à plasma (34) et la chambre de liaison (38) sous un vide substantiel.
  5. 5. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison comprend : - une chambre à vide (40) à l'intérieur de laquelle se trouve un vide substantiel ; - une chambre à plasma (34) disposée au sein de la chambre à vide (40) et dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma ; et - une chambre de liaison (38) disposée au sein de la chambre à vide (40) et dans laquelle les substrats de la pluralité de substrats sont liés.
  6. 6. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison comprend : - une chambre à azote (40) configurée pour utiliser de l'azote gazeux pour pousser l'oxygène gazeux à l'extérieur de la chambre à azote (40) ; - une chambre à plasma (34) disposée au sein de la chambre à azote (40) et dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma ; et - une chambre de liaison (38) disposée au sein de la chambre à azote (40) et dans laquelle les substrats de la pluralité de substrats sont liés.
  7. 7. Système (10) selon la revendication 1, dans lequel le système de plasma/liaison comprend : - une chambre à vide (40) à l'intérieur de laquelle se trouve un vide substantiel ; - une chambre à plasma (34) disposée au sein de la chambre à vide (40) et dans laquelle le au moins un substrat est nettoyé au plasma ; - une chambre de liaison (38) disposée au sein de la chambre à vide (40) et dans laquelle les substrats de la pluralité de substrats sont liés ; et - un module configuré pour coupler la chambre à plasma (34) et la chambre de liaison (38).
  8. 8. Procédé comprenant les étapes consistant à : - déposer une brasure vers l'extérieur depuis au moins un substrat d'une pluralité de substrats ; - nettoyer au plasma le au moins un substrat ; - au moins réduire une réoxydation de la brasure ; et - lier la pluralité de substrats.
  9. 9. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à au moins réduire la réoxydation de la brasure comprend les sous-étapes consistant à: - nettoyer au plasma le au moins un substrat dans une chambre ; et - lier la pluralité de substrats dans la chambre.
  10. 10. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à au moins réduire la réoxydation de la brasure comprend les sous-étapes consistant à: - nettoyer au plasma le au moins un substrat dans une chambre à plasma (34) ; et - lier la pluralité de substrats dans une chambre de liaison (38) couplée à la chambre à plasma (34).
  11. 11. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à au moins réduire la réoxydation de la brasure comprend les sous-étapes consistant à: - nettoyer au plasma le au moins un substrat dans une chambre à plasma (34) ; - transporter le au moins un substrat vers une chambre de liaison (38) par l'intermédiaire d'un module de verrouillage de charge (36) couplant la chambre à plasma (34) et la chambre de liaison sous un vide substantiel ; et - lier la pluralité de substrats dans la chambre de liaison (38).
  12. 12. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à au moins réduire la réoxydation de la brasure comprend les sous-étapes consistant à: - nettoyer au plasma le au moins un substrat dans une chambre à plasma (34) disposée au sein d'une chambre à vide (40) à l'intérieur de laquelle se trouve un vide substantiel ; et - lier la pluralité de substrats dans une chambre de liaison (38) disposée au sein de la chambre à vide (40).
  13. 13. Procédé selon la revendication 8, dans lequel l'étape consistant à au moins réduire la réoxydation de la brasure comprend les sous-étapes consistant à: - nettoyer au plasma le au moins un substrat dans une chambre à plasma (34) disposée au sein d'une chambre à azote (40) configurée pour utiliser de l'azote gazeux pour pousser l'oxygène gaz à l'extérieur de la chambre à azote (40) ; et - lier la pluralité de substrats dans une chambre de liaison (38) disposée au sein de la chambre à azote (40).
  14. 14. Procédé comprenant les étapes consistant à : - déposer de la brasure vers l'extérieur depuis un premier substrat ; - enlever un oxyde de métal du premier substrat ; et - déposer une couche de coiffage vers l'extérieur depuis le premier substrat pour au moins réduire une réoxydation de la brasure.
  15. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le procédé comprend en outre l'étape consistant à lier le premier substrat et un second substrat.
  16. 16. Procédé selon la revendication 14, dans lequel le procédé comprend en outre l'étape consistant à : - laisser le premier substrat s'exposer à l'atmosphère avant liaison du premier substrat et d'un second substrat.
  17. 17. Procédé selon la revendication 14, dans lequel la couche de coiffage comprend de l'or.
  18. 18. Système comprenant : - un système de dépôt configuré pour déposer une brasure vers l'extérieur depuis un premier substrat ; et - un système de plasma/liaison (24) configuré pour : + enlever un oxyde de métal du premier substrat ; et + déposer une couche de coiffage vers l'extérieur depuis le premier substrat pour au moins réduire une réoxydation de la brasure.
  19. 19. Système selon la revendication 18, dans lequel le système de plasma/liaison (24) est configuré pour lier le premier substrat et un second substrat.
  20. 20. Système selon la revendication 18, dans lequel le système de plasma/liaison (24) est configuré pour laisser le premier substrat s'exposer à l'atmosphère avant la liaison du premier substrat et d'un second substrat.
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