JP4783222B2 - 接合装置 - Google Patents

Description

本発明は、板状の２枚の基板試料を接合するための接合装置に関する。

シリコン（Ｓｉ）基板とガラス基板との接合方法の一つとして、陽極接合法が多用されている。この方法は、接着剤を使用することなく接合が可能であり、また、ガラス基板の材質を適切に選択すればシリコン基板との熱膨張係数を合わすことが可能であり、接合時の熱歪による障害を解消できるなどの利点をもつ。

上記の接合法では、接合すべき基板の界面、すなわち、両者が顔合せになる表面が平坦であり、かつ、清浄であることが要求される。特に、清浄化の方法に関しては、洗浄液中の残留不純物の問題を回避できる「ドライ洗浄法」が有効である。とりわけ、不活性ガス（例えばＡｒなど）を用いたプラズマクリーニング法は、処理中や処理直後の基板の酸化を防止できるので、基板の前処理洗浄法として最も有効な方法の一つである。さらに、上記のプラズマクリーニング処理後に基板を大気中に取出すことなく、真空中で連続して陽極接合を実施できることが最も望ましい。
特開平５−３２６６４９

上記のプラズマクリーニングから陽極接合までの一貫処理を実現するために下記の操作がなされていた。
（１）プラズマクリーニング中は分離して配置されていたシリコン基板とガラス基板とを、プラズマクリーニング終了後に両者を密着配置させる。また、必要に応じ、シリコン基板とガラス基板との相対位置合わせ（アライメント）を実行した後、両者を密着配置させる。
（２）密着配置された一組の基板を、プラズマクリーニング機構部から陽極接合機構部まで移動させるか、または、プラズマクリーニング機構部を陽極接合機構部と移動交換した後に、陽極接合を行う。

しかし、上記の一貫処理においは、下記の課題があった。
（１）プラズマクリーニング処理後のシリコン基板とガラス基板とを密着配置させた状態を真空中で保持するための「仮止め機構」が必要である。これは、アライメントを必要とする場合には、必須の機構であるが、構造が複雑となり、簡便で有効な新規な機構が望まれていた。

（２）上記のアライント操作のために、イメージセンサ（例えば、ＣＣDイメージセンサなど）を設置条件に制約の多い真空中に設置しなければならなかった。
（３）さらに、通常、シリコン基板とガラス基板とは、イメージセンサが挿入・移動できるのに充分な間隔を保って両基板を対面させ、両基板の間に両面イメージセンサを挿入して両基板上のパタンを認識させ、両者の相対位置を微動機構により調整するというアライメント方式を採ることが多い。この場合、小型両面イメージセンサを使用してもアライメント時の両基板の間隔は数１０ｍｍとなることが多い、アライメントの最後の過程、すなわち、両基板を密着状態にさせるための数１０ｍｍストロークの基板移動過程において位置ズレが起きやすいという問題があった。

課題解決のための本発明の第一は、アライメント用の微動機構や仮止め機構などを収容する「アライメントチャンバ」と、陽極接合用電極機構または接合用加圧機構などを収容する「接合チャンバ」とをゲートバルブを隔てて分離し、かつ、アライメント時には接合チャンバをゲートバルブから離脱させ、移動・退避が可能な構成としたことにある。

図１は本発明の主要概念を示す模式構成図である。図１（Ａ）に示すように、アライメントチャンバ１の上部（天井部）に接合チャンバ２を設け、両チャンバをゲートバルブ３により接続している。また、図１（Ｂ）に示すように、接合チャンバ２はアライメント用のモニタシステム１０とともに、横方向または上方に移動可能である。

以下に上記構成によるプラズマクリーニング処理とアライメント操作について述べる。図１（Ｂ）の状態でアライメントチャンバ内を真空排気し、ついで、不活性ガス（例えばＡｒ）をチャンバ内に導入する。さらに、アライメントチャンバの側壁に設けたマイクロ波電源２０からのマイクロ波により、チャンバ内の不活性ガスを励起してプラズマを発生させる。試料台７上に載置された２枚の基板試料５は基板試料間に隙間をあけて支持されており、接合すべき表面がプラズマ中に曝されるので、これによりプラズマクリーニングされる。

プラズマクリーニング終了後には、モニタシステム１０（例えば、落射照明機構を備えた光学顕微鏡ユニット）をゲートバルブ３上に移動させる。ゲートバルブ３には「のぞき窓」４が設けられており、これを通してアライメントチャンバ内にセットされている２枚の基板試料５の状況が観察できる。試料台７上に載置された下側設置の基板試料をX−Y−θ（回転）方向に微動移動させて、モニタシステムでモニタしながら２枚の基板試料の相対位置関係の調整（アライメント）を行なう。以上のアライメント方式では、モニタシステムのすべてを真空チャンバ外に設置することができるので、真空槽内へのイメージセンサ類の導入が不要となる。このため、２枚の基板試料を充分に接近させてからアライメント操作をすることが可能となった。さらには、アライメントの最終過程における密着操作においても、密着迄の移動ストロークを大幅に短縮できるので、移動時に生じやすい２枚の基板試料間の位置ズレが改善される。

次に、アライメント後の接合操作について説明する。図１（Ｂ）に示す状態から移動機構（図示せず）によりモニタシステム１０を退避させた後、移動機構（図示せず）により接合チャンバ２をゲートバルブ３上に移動して図１（Ａ）の状態に戻す。次に、図１（Ｃ）に示すように、ゲートバルブ３を開けてから、上部ヘッド９を駆動して上側の基板試料面に接触させ、適宜、予め選択した接合方式（陽極接合、加圧熱圧着、ソルダ溶着などの方式）により２枚の基板試料を接合する。

以上述べた本発明の方式によれば、プラズマクリーニング処理、アライメント操作、接合処理を真空中または所望のガス雰囲気中で連続して実施できるので、接合品質が向上する。

なお、陽極接合装置に本発明を適用する場合には、陽極接合用高電圧印加電極（上部ヘッド９に相当する部分）を２個以上に分割してもよい。この場合、分割された個別構造ついては、温度、荷重、加圧動作開始終了時間、印加電圧、電圧印加開始時間／終了時間などが、各々独立して制御される。これにより陽極接合の面内均一性が向上する。なお、上記のように接合機構の押圧部分を複数個の構造体に分割するという考え方は、ひとり陽極接合用電極機構に限ることなく、試料台や、他の接合方式（熱圧着方式など）にも適用可能である。

さらには、以上述べた総ての構成において、上部ヘッドまたは陽極接合用高電圧印加電極と、試料台の何れか一方または両方に加熱ヒータを内蔵させ、チャンバ外部から温度制御をする構成とすることもできる。

また、モニタシステムは、主に光学顕微鏡を主体として構成されるが、光学センサ（ＣＣＤセンサなど）を用いて各種のディスプレーに画像表示できることが好ましい。また、画像認識機能を付加して、アライメント操作を自動化することも可能である。さらには、光学顕微鏡ユニットを可視光顕微鏡の代わりに赤外線顕微鏡で構成してもよく、不透明な基板試料に対するアライメントに有効である。

本発明の第二は、２枚の基板試料の相対的位置合わせをするためのアライメント機構にある。このアライメント機構の模式構造を図１（Ｂ）に示す。基板試料５のうち、下側に位置する基板試料を載置する試料台７と、これに連結する微動機構６と、上側に位置する基板試料を周縁部で保持する周縁支持体（図示せず）と、位置合わせした後の２枚の基板試料を密着させたのちに、そのままの状態を保持させる仮止めジグ８とで構成されている。

上記のアライメント機構は、その全部をアライメントチャンバに収納してもよく、あるいはまた、微動機構の部分をチャンバ外部に配設してもよい。また、好ましくは、試料台７の内部に加熱ヒータを装備し、チャンバ外部から温度制御をする形態が望ましい。

本発明によるアライメント機構の動作を以下に説明する。試料台上に下側の基板試料を載置し、また、上側の基板試料を周縁支持体にセットする。次に、微動機構により試料台をZ（高さ）方向に上昇させ、アライメントのためのパタン観察が可能な距離迄接近させる。次いで、アライメントモニタシステムにより上側の基板試料の上面から位置合わせ状況を確認する。例えば、上側の基板試料が硼珪酸ガラス板、下側基板試料がシリコン基板であれば、上側基板試料を通して上下の基板試料のパタンが観察できるので、上下基板試料の合わせガイドパタンなどを基準として、試料台をX −Y−θ方向に微動しながら上下基板試料のアライメントを行う。

ついで、微動機構により下側基板試料を上方に押し上げて上側基板試料に密着させた後、さらに上下基板試料を上方に押し上げて上側基板試料の上面端部を仮止めジグに接触させる。そして、さらに上方に押し上げて、アライメント済の２枚の基板試料の位置関係を固定する。このとき仮止めジグは、自重による荷重やスプリングにより付加される荷重によりアライメント済の２枚の基板試料の位置関係を固定する機能を持つ。

本発明によれば、真空容器内を真空にした後、真空を破ることなく基板表面のプラズマクリーニング、接合する２枚の基板のアライメント及び接合が出来るようになり、接合面をクリーンな状態に保ったまま接合することが可能となる。

また、アライメントの最終段階の密着操作から接合操作を実行するまでの間に、２枚の基板試料の間で位置ズレが生じない接合が可能となる。

さらには、接合面に気泡や接合ムラが無く接合強度も高くなり、接合品質が向上する。

以下に、本発明による接合装置の種々の実施例と、接合すべき２枚の基板試料の位置あわせをするためのアライメント機構の実施例を述べる。

図２、図３は、本発明による接合装置の一実施例を示し、陽極接合方法を使用した接合装置を示す模式図である。アライメント用の仮止め機構１０８や試料台１０７などを収容するアライメントチャンバ１０１、アライメントチャンバの上部に配置したゲートバルブ１０３、陽極接合用電極機構１４０を収容する接合チャンバ１０２で構成されている。アライメント用の微動機構１０６は、アライメントチャンバの外部に設置されている。

排気ライン１１４の先に排気ポンプ(図示せず)をつけて、ステンレス鋼製のアライメントチャンバ１０１内を排気出来るようになっている。アライメントチャンバの上部開口部には「のぞき窓」１０４が付いたゲートバルブ１０３が接続されており、アライメントチャンバは閉じられた真空容器となっている。アライメントチャンバ内部には、ヒーター１１１が組み込まれている試料台１０７が微動機構１０６に接続されて、X, Y, Z軸及びθ（角度）方向に微動出来るようになっている。試料台の上には接合面を上に向けて下側基板試料１１５であるＳｉウェーハを置き、その上部には間隔を開けて接合面を下に向けて上側基板試料１０５であるガラス基板を配置する。ガラス基板は、周縁支持体１１２の上に載置されている。アライメントチャンバの側壁には導波管を介してマイクロ波発振器１２０が設置されている。

一方、ガス導入ライン１２９から導入したＡｒガスをチャンバ内に流し、マイクロ波発振器からのマイクロ波によりＡｒガスを励起してプラズマを発生させ、上下基板試料の接合面をプラズマクリーニングする。プラズマクリーニングに際しては、好ましくは、上側基板試料と下側基板試料の接合すべき面間隔を１０ｍｍ以上に開けることが望ましい。もし面間隔がこれより狭いと、プラズマが接合面に充分には行渡りにくくなる。

ゲートバルブは「のぞき窓」１０４を有しており、チャンバ内の二枚の基板試料のアライメントをするために、のぞき窓の上部にある光学顕微鏡１１３でのぞき窓を介して基板試料上の基準点(合せガイドマーク)が見えるようになっている。光学顕微鏡１１３などを含むモニタシステム１１０は、移動機構（図示せず）により、移動・退避が可能な構成になっている。

次に、アライメント操作の詳細を以下に説明する。プラズマクリーニングが終了したのち、微動機構により試料台をZ方向に移動して、２枚の基板試料の面間隔を、両者が接触する少し手前になるように調整する。下側に位置するＳｉウェーハの基準点(合せガイドマーク)を上側のガラス基板の該当位置に合わせるには、光学顕微鏡１１３により、ガラス基板を通してＳｉウェーハ上の基準点を観察しながら、試料台をX，Y，θ方向に微動させて位置合わせを行う。

アライメント終了後には、下側基板試料をZ方向に上昇させて二枚の試料を密着させたのち、さらに上方に押し上げる。上記により、周縁支持体から下側基板試料を離脱させ、さらに上方に押し上げて上側基板試料の周縁部をクランプ爪１１８に接触させ、その後さらに押し上げることによってクランプ爪の自重とスプリング１３１によりアライメント完了後の２枚の基板試料の仮止めを行う。以上のように、仮止め機構１０８はクランプ爪１１８、スプリング１３１、クランプガイド１２８から構成されている。クランプ爪１１８は、スプリング１３１に接続されており、固定位置から上方に移動するとスプリングが利いて２枚の基板試料同志をクランプする。クランプ爪は基板試料を確実にクランプするために、上下方向にのみに移動出来るようにクランプガイド１２８により横ブレがないようにガイドされている。

図３は、接合時の様子を示した陽極接合装置の模式構造図である。アライメントが済んだ状態で「のぞき窓」上のモニタシステム１１０をアライメントチャンバ１０１上から移動・退避させ、次に、チャンバ移動機構１２７により接合チャンバ１０２をゲートバルブ１０３の上に移動・接続する。アライメントチャンバ及び接合チャンバを排気ライン１１４から排気ポンプ(図示せず)で排気した後、ゲートバルブ１０３を開ける。次に、電極駆動機構１５０により陽極接合用電極機構１４０を下降させ、その先端部にある先端電極１４１を上側基板試料に接触させる。陽極接合用電極機構１４０には、先端電極の近傍にヒーター１１１が内蔵されている。ヒーターはチャンバ外部から温度制御され、これにより、必要に応じて上側基板試料の加熱が可能な構造となっている。２枚の基板試料の接触面は、プラズマクリーニング後の清浄な状態を保って接触してクランプされており、位置ズレが生じない状態になっている。この状態で、給電線１４２を通して高電圧電源１４３からの出力電圧を先端電極に印加して陽極接合を行う。

本発明を加圧式接合装置(ソルダー溶着接合装置など)に適用した実施例を以下に述べる。
図４は、本発明による加圧接合装置の模式構成図である。アライメントチャンバと接合チャンバをゲートバルブを介して結合し、アライメント時には、接合チャンバが移動・退避するなどの基本構成は実施例１と同様である。また、アライメントの方式も実施例１に示したと同様であるので、上記構成の詳細な説明を省略する。

接合チャンバ２０２内には、２枚の基板試料(２０５、２１５)を加圧接合するための加圧ヘッド２０９が装備されている。一方、２枚の基板試料はアライメントチャンバ内にセットされ、必要に応じてプラズマクリーニングやアライメントが行われた後、密着・仮止めされる。次いで、図示のようにアライメントチャンバと接合チャンバを結合させた後、接合チャンバの外部に設けた加圧駆動機構２５０により、加圧ヘッド２０９を下降させて２枚の基板試料を上面から所望圧力で均一に加圧して接合させる。なお、加圧ヘッド２０９には、チャンバ外部から温度制御される加熱ヒーター２１１が内蔵されており、必要に応じ上部からも基板試料の加熱が可能である。

本実施例の構成によれば、加圧力・温度条件を適宜選択して、熱圧着法、ソルダー溶着接合法、接着剤使用による接合法などにより、真空雰囲気または所望のガス雰囲気中で２枚の基板試料を接合させることが可能である。

陽極接合用電極機構に関する本発明の実施例につき、図５を用いて以下に説明する。図５（Ａ）は、陽極接合用電極機構３００の模式断面と陽極接合用電極機構に直流高電圧を給電するための結線状態を示す。陽極接合用電極機構を下降させて先端電極（３１０Ａ〜Ｄ）を上側基板試料３８０（例えば、硼珪酸ガラス基板）の上面に接触させる。上側基板試料と接触する先端部分については、中央部分に円柱状の先端電極Ａ（３１０Ａ）が、さらに、その周辺部分には同心円状にリング状の先端電極Ｂ〜Ｄ（３１０Ｂ〜Ｄ）が配設されている。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）におけるＳ−Ｓ箇所から見た陽極接合用電極機構の模式底面図であり、同心円状に配置された先端電極３１０Ａ〜Ｄなどを示す。各先端電極Ａ〜Ｄは、絶縁体３２０により電気的には各々分離されて固定されている。また、絶縁体にはヒーター３２５が内蔵されており、上側基板試料の加熱を可能としている。

支持ガイド３５５をさらに下降させると、ヒーター内蔵の絶縁体と先端電極とで構成される一体物がフック３５７から外れるので、前記一体物の自重が加わった状態で先端電極が２枚の基板試料の上に載置されることになる。さらに支持ガイドを下降させると、最初に接続導体Ａ（３３０Ａ）が中央部に位置する先端電極Ａ（３１０Ａ）に接触するので、給電線３４０を通じて陽極接合用の直流高電圧電源３５０の出力電圧が上側基板試料の中央部に印加される。これにより、基板試料中央部で陽極接合が始まる。

接続導体Ａ（３３０Ａ）の周りには、リング状の接続導体Ｂ〜Ｄ（３３０Ｂ〜Ｄ）が配設されており、これらは各々の外側にある接続導体により周縁部分で吊り上げ保持されている。最も外側の接続導体Ｄ（３３０Ｄ）は、支持ガイドの中側に設けられたフック３５６により吊り上げ保持されている。

支持ガイドをさらに下降し続けると、接続導体Ｂ（３３０Ｂ）が先端電極Ｂ（３１０Ｂ）に接触して、先端電極Ｂの直下でリング状に高電圧が印加され、この部分で陽極接合が進行する。次いで、接続導体Ｂの外側に位置する接続導体Ｃ（３３０Ｃ）が先端電極Ｃ（３１０Ｃ）と、さらには、接続導体Ｄ（３３０Ｄ）が先端電極Ｄ（３１０Ｄ）と接触することにより、高電圧が次々と外側に向かって同心円状に上側基板試料表面に印加され、陽極接合が進行する。

通常、基板試料の中央部に高電圧を印加すると、中央部分で始まった陽極接合が順次、周辺部分にも波及する場合が多いが、一方、２枚の基板試料の界面の僅かな凹凸などにより、接合ムラが生じることも稀ではない。本実施例によれば、高電圧の印加部分を試料中央部から順次周辺部分に同心円状に波及させていくので、試料全面に亘って均一な接合が可能となる。なお、シャフト３５０の下降速度とスタート・ストップのタイミングを調整することにより、先端電極Ａ〜Ｄに印加される高電圧印加時間のスケジュールを調整することが可能である。

陽極接合用電極機構に関する本発明の他の実施例につき、図６を用いて以下に説明する。図６は、陽極接合用電極機構４００の模式断面と陽極接合用電極機構に直流高電圧を給電するための結線状態を示す。上下に駆動するシャフト４５０の先に支持ガイド４５５で保持されている先端電極Ａ〜Ｄ（４１０Ａ〜Ｄ）、絶縁体４２０、ヒーター４２５がある。これらは、実施例３と同一構成であるので、詳述を省略する。先端電極Ａ〜Ｄは、図示のように給電線４４０により高電圧電源４６０に接続されている。高電圧電源は、複数チャンネル（本例では４チャンネル）の出力端子を持ち、かつ、各出力電圧については高電圧スイッチ４６５により、各チャンネル毎に独立してＯＮ／ＯＦＦが可能となっている。

以下に、実際の接合手順の一例を述べる。まず、シャフト４５０を下降させて、先端電極Ａ〜Ｄを上側基板試料４８０の上面に所望の加圧力で接触させる。次に、中央に位置する先端電極Ａ（４１０Ａ）の給電ラインの高電圧スイッチをＯＮして、上側基板試料の中央部分のみに高電圧を印加して陽極接合を開始する。所望の時間だけ電圧印加を行った後、先端電極Ａの外側に位置する先端電極Ｂに高電圧を印加して、陽極接合を周辺部分に拡大させていく。以下同様に、順次、外側のゾーンに高電圧を印加してゆき、全面に亘って陽極接合を行う。高電圧スイッチ４６５のＯＮ／ＯＦＦのタイミングが予めプログラムによる設定可能な高電圧電源を用いれば、上述の一連の操作を自動的に行うことができる。また、先端電極に高電圧を印加する際、それまでに給電していた先端電極の給電をＯＦＦにしたのち、次の先端電極の給電を開始することも可能であり、あるいはまた、それ以前の給電を持続しながら次の先端電極への給電を開始することも可能である。このような手順は、事前に設定するプログラムにより自由に設定できるので、対象とする基板試料の状況に応じて選択すればよい。

以上の実施例３、４では、高電圧の印加ゾーンを４分割した例を述べたが、分割数はこれに限定されるものではなく、必要に応じ、複数個に分割すればよい。また、分割ゾーンの形状も、リング状（ドーナツ状）に限定されるものではなく、基板試料の形状に応じた任意の形状とすることができる。

本発明の主要概念を示す模式構成図である。 本発明実施例１の接合装置の模式構成図である。 本発明実施例１の接合装置の模式構成図である。 本発明実施例２の接合装置の模式構成図である。 本発明実施例３の陽極接合用電極機構の模式構成図である。 本発明実施例４の陽極接合用電極機構の模式構成図である。

符号の説明

１、１０１ アライメントチャンバ
２、１０２、２０２ 接合チャンバ
３、１０３ ゲートバルブ
４、１０４ のぞき窓
５ 基板試料
６、１０６ 微動機構
７、１０７ 試料台
８ 仮止めジグ
９ 上部ヘッド
１０、１１０ モニタシステム
２０、１２０ マイクロ波電源
１０５、２０５、３８０、４８０ 上側基板試料
１０８ 仮止め機構
１１１、２１１、３２５、４２５ ヒーター
１１２ 周縁支持体
１１３ 光学顕微鏡
１１５，２１５ 下側基板試料
１１８ クランプ爪
１２７ チャンバ移動機構
１２８ クランプガイド
１３１ スプリング
１４０、３００、４００ 陽極接合用電極機構
１４１ 先端電極
１４２、３４０、４４０ 給電線
１４３，３６０，４６０ 高電圧電源
１５０ 電極駆動機構
２０９ 加圧ヘッド
２５０ 加圧駆動機構
３１０Ａ、４１０Ａ 先端電極Ａ
３１０Ｂ、４１０Ｂ 先端電極Ｂ
３１０Ｃ、４１０Ｃ 先端電極Ｃ
３１０Ｄ、４１０Ｄ 先端電極Ｄ
３２０、４２０ 絶縁体
３３０Ａ 接続導体Ａ
３３０Ｂ 接続導体Ｂ
３３０Ｃ 接続導体Ｃ
３３０Ｄ 接続導体Ｄ
４６５ 高電圧スイッチ

Claims (7)

1. ２枚の基板試料をプラズマクリーニングした後に、真空中又は不活性ガス中でアライメントし、次いで前記２枚の基板試料を陽極接合する装置であって、
   ２枚の基板試料を保持しながらアライメントを行なうアライメント機構を収容するアライメントチャンバと、
   「のぞき窓」を有し、前記アライメントチャンバの上部開口部に連結するゲートバルブと、
   陽極接合用の外部高電圧電源に接続しており、アライメント済みの２枚の密着している基板試料の上側配置基板試料の上面に接触して２枚の基板試料を接合せしめる陽極接合用電極機構を収容し、前記ゲートバルブの上面に連結する接合チャンバと、
   接合チャンバ内またはアライメントチャンバ内に設けられ、マイクロ波励起によるプラズマを用いる試料クリーニング機構と、
   前記ゲートバルブ「のぞき窓」からアライメント時に基板試料を観察するためのモニタシステムと、
   前記モニタシステムによる基板試料観察のために、前記接合チャンバを側方または上方に移動・退避させるチャンバ移動機構と、
   前記モニタシステムによる基板試料観察のために、前記モニタシステムを前記「のぞき窓」の上方に移動させるモニタシステム移動機構と
   を備えたことを特徴とする接合装置。
2. ２枚の基板試料をプラズマクリーニングした後に、真空中又は不活性ガス中でアライメントし、次いで前記２枚の基板試料を熱圧着法またはソルダ溶着法または接着剤による接合法を用いた接合装置であって、
   ２枚の基板試料を保持しながらアライメントを行なうアライメント機構を収容するアライメントチャンバと、
   「のぞき窓」を有し、前記アライメントチャンバの上部開口部に連結するゲートバルブと、
   接合時に２枚の基板試料を上面から押圧するための加圧ヘッドを収容し、前記ゲートバルブの上面に連結する接合チャンバと、
   接合チャンバ内またはアライメントチャンバ内に設けられたマイクロ波励起によるプラズマを用いた試料クリーニング機構と、
   前記ゲートバルブ「のぞき窓」からアライメント時に基板試料を観察するためのモニタシステムと、
   前記モニタシステムによる基板試料観察のために、前記接合チャンバを側方または上方に移動・退避させるチャンバ移動機構と、
   前記モニタシステムによる基板試料観察のために、前記モニタシステムを前記「のぞき窓」の上方に移動させるモニタシステム移動機構と
   を備えたことを特徴とする接合装置。
3. ２枚の基板試料を接合するために試料上方からモニタしながら位置合せをするアライメント機構において、
   下側基板試料を載置する試料台と、
   前記試料台に接続しており前記試料台をX−Y−θ（回転）−Z（高さ）方向に微動せしめる微動機構と、
   前記試料台の上方に配設され上側基板試料の周縁部のみを支持する周縁支持体と、
   アライメント終了後に上側基板試料の周縁部の上面に部材の自重またはスプリングによる荷重をかけることにより２枚の基板試料同士の密着・仮止めをする仮止めジグとを備え、
   アライメント終了後に下側基板試料をZ（高さ）方向に上昇させて２枚の基板試料を密着させたのち、さらに上方に押し上げて前記周縁支持体から前記下側基板試料を離脱させ、さらに上方に押し上げて上側基板試料の周縁部を前記仮止めジグに接触させ、その後さらに押し上げることによって仮止めジグからの荷重によりアライメント完了後の２枚の基板試料の密着・仮止めを行なうことを特徴とするアライメント機構。
4. アライメント機構として請求項３に記載のアライメント機構を用い、
   前記アライメント機構の全部をアライメントチャンバに収容するか、あるいはまた、微動機構をアライメントチャンバの外部に配設し微動機構以外の部分（試料台、他）をアライメントチャンバ内に収容したことを特徴とする請求項１、請求項２に記載の接合装置。
5. 加圧ヘッドまたは陽極接合用電極と、試料台の両方または何れか一方に、チャンバ外部から温度制御される加熱ヒータを内蔵させたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４に記載の接合装置。
6. 加圧ヘッドまたは陽極接合用電極と、試料台の両方または何れか一方が２個以上に分割された個別構造を有し、前記個別構造については、温度、荷重、加重動作開始／終了時間、印加電圧、電圧印加開始時間／終了時間のうち少なくとも１つ以上の条件を、前記各個別構造毎に独立して制御することを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４、請求項５に記載の接合装置。
7. モニタシステムを可視光顕微鏡または赤外線顕微鏡で構成したことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４、請求項５、請求項６に記載の接合装置。

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